CN105908189A - 一种臭氧氧化循环回用pcb酸性蚀刻液的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法。该方法步骤为:首先,蚀刻液蚀刻铜之后由蚀刻槽中流出;随后,待氧化的蚀刻液进入到氧化装置中,在此装置中鼓入臭氧;然后,经过氧化后的蚀刻液进入到参数调节中控区,补充盐酸和水,保持恒定的蚀刻组分;接着,分出一部分蚀刻液进入结晶罐中进行结晶,取出氯化铜。最后,另一部分蚀刻液流入到储存罐中,成为供蚀刻的回用液。本流程相比于原工艺所添加的设备简单、控制方便,推广前景广阔,具有显著的经济价值和社会环境效益。

Description

一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法
技术领域
本发明涉及PCB酸性蚀刻液蚀刻工艺领域,具体涉及一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法。
背景技术
酸性氯化铜的蚀刻过程主要是通过氯化铜中的Cu2+离子氧化性,将板面上的铜氧化成Cu+,在有过量的Cl-存在的情况下,可形成可溶性的络离子。
Cu2++Cu+6Cl-=2[CuCl3]2-
随着对铜的蚀刻不断进行,蚀刻液中的Cu+浓度越来越高,ORP值急剧下降,蚀刻能力飞速下降,以至最后彻底失去效能。为了维持其原本的蚀刻能力不变,则需要通过一系列的氧化手段对蚀刻液进行再生恢复,使Cu+氧化转变成Cu2+,从而达到恢复其蚀刻能力的效果。
再生的原理主要是利用一些氧化剂将蚀刻液中的Cu+氧化成Cu2+,再生的方法一般有以下几种:
(1)双氧水法:H2O2+2[CuCl3]2-+2H+=2Cu2++2H2O+6Cl-但双氧水法成本高,不易储存。
(2)氯气再生法;Cl2+2[CuCl3]2-=2Cu2++8Cl-,由于氯气是强氧化剂,再生速率快,但氯气容易溢出。
(3)氯酸钠再生法:6[CuCl3]2++NaClO3+6H+=6Cu2++Na++19Cl-+3H2O氯酸钠再生法虽然稳定,但是由于此过程中不断的有氯化钠生成,最终会导致氯化钠浓度过高,同时影响后续的结晶过程。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法。从而减少氧化剂的使用,同时实现废液的再利用。
本发明的目的通过以下技术方案来实现。
一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,具体步骤如下:
1)蚀刻液从蚀刻生产线上流出,由于在蚀刻过程中发生了反应,使得此时蚀刻液中的一价铜离子急剧上升,ORP迅速下降。
2)待氧化的蚀刻液以一定的流速流入氧化反应体系中,在鼓入臭氧的条件下氧化,使得一价铜离子浓度降至合理范围区,ORP升至与原蚀刻液相似。
3)被氧化的蚀刻液流入参数中控调节区,采用自动控制的方法,保持酸度维持在一定的范围,铜离子浓度恒定。
4)将一部分被还原的酸性蚀刻液流入结晶罐中,结晶出氯化铜出售。
5)将另一部分被还原的酸性蚀刻液回流至喷淋蚀刻区,进行下一步的蚀刻。
进一步地,步骤1)所述的一价铜离子含量在0.8~1.6g/L,ORP值为420~450。
进一步地,步骤2)所述的氧化反应体系采用的是鼓泡塔或填料塔。
进一步地,步骤2)所述的一定的流速为3.6~5.4m3/h。
进一步地,步骤2)所述的一价铜离子浓度降至的合理范围区为0.2g/L~0.4g/L,ORP升至与原蚀刻液相似为480~520。
进一步地,步骤2)所述的鼓入臭氧的流量为1.2m3/h~2.0m3/h。
进一步地,步骤3)所述的酸度范围为1.5~2.5N,铜离子浓度恒定为130g/L~170g/L。
进一步地,步骤3)所述的自动控制为添加浓度为30%~37%的盐酸以及水。
进一步地,步骤4)所述的一部分为还原过程中膨胀出来的蚀刻废液,占被还原了的蚀刻液总体积的1%~3%。
进一步地,步骤5)所述的另一部分与原始酸性蚀刻液的总量相同,占被还原了的蚀刻总体积的97%~99%。
与现有技术相比,本发明具有以下优点与技术效果:
1)本发明用臭氧代替传统含氯的氧化剂,而臭氧的产生来自空气中的氧气以及臭氧发生器,从而避免生产过程中氯气逸出,以及减小氧化剂成本。
2)本发明使得蚀刻废液中的铜得到充分利用,避免了铜的流失。
3)本发明在保证蚀刻速率与蚀刻因子与原工艺类似的前提下,实现了闭路生产。
4)本发明的流程设备简单、控制方便,推广前景广阔,具有显著的经济价值和社会环境效益。
附图说明
图1为实例中的工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明具体实施作进一步说明。
实施例1
如图1所示,本发明的臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法采用的技术方案包括如下步骤:
一、蚀刻液从蚀刻生产线上流出,由于在蚀刻过程中发生了反应,使得此时蚀刻液中的一价铜离子浓度升至1.6g/L,ORP值降至420。
二、酸性蚀刻液以5.4m3/h的流速从蚀刻缸喷淋线上流出,流入填料塔中,在填料塔底以2m3/h的气速通入臭氧,从填料塔中流出的溶液中的一价铜离子含量降至0.2g/L,ORP值升至520。
三、被氧化了的酸性蚀刻液以5.4m3/h的流速流入到参数中控调节室中,此时由于盐酸的挥发与反应使得蚀刻液的酸度发生了变化,同时,由于蚀刻了铜,使得蚀刻液中的铜离子含量上升,在参数中控调节罐中按照原本蚀刻工作液的酸度和含铜量进行调节,添加37w%的盐酸以及水,使得酸度恢复到2.0N,含铜量恢复到150g/L。
四、使用分流器将恢复了的蚀刻液分流3%(体积,下同)出来流入结晶罐中,进行结晶得到氯化铜。
五、将另外97%(体积,下同)的被恢复了的蚀刻液流入原本蚀刻体系,进行下一步蚀刻。
实施例2
如图1所示,本发明臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法采用的技术方案包括如下步骤:
一、蚀刻液从蚀刻生产线上流出,由于在蚀刻过程中发生了反应,使得此时蚀刻液中的一价铜离子浓度升至1.2g/L,ORP值降至430。
二、酸性蚀刻液以4.5m3/h的流速从蚀刻缸喷淋线上流出,流入填料塔中,在填料塔底以1.6m3/h的气速通入臭氧,从填料塔中流出的溶液中的一价铜离子含量降至0.2g/L,ORP值升至520。
三、被氧化了的酸性蚀刻液以4.5m3/h的流速流入到参数中控调节室中,此时由于盐酸的挥发与反应使得蚀刻液的酸度发生了变化,同时,由于蚀刻了铜,使得蚀刻液中的铜离子含量上升,在参数中控调节罐中按照原本蚀刻工作液的酸度和含铜量进行调节,添加37w%的盐酸以及水,使得酸度恢复到2.0N,含铜量恢复到150g/L。
四、使用分流器将恢复了的蚀刻液分流2%出来流入结晶罐中,进行结晶得到氯化铜。
五、将另外98%的被恢复了的蚀刻液流入原本蚀刻体系,进行下一步蚀刻。实施例3
如图1所示,本发明的臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法采用的技术方案包括如下步骤:
一、蚀刻液从蚀刻生产线上流出,由于在蚀刻过程中发生了反应,使得此时蚀刻液中的一价铜离子浓度升至0.8g/L,ORP值降至450。
二、酸性蚀刻液以3.6m3/h的流速从蚀刻缸喷淋线上流出,流入填料塔中,在填料塔底以1.2m3/h的气速通入臭氧,从填料塔中流出的溶液中的一价铜离子含量降至0.2g/L,ORP值升至520。
三、被氧化了的酸性蚀刻液以3.6m3/h的流速流入到参数中控调节室中,此时由于盐酸的挥发与反应使得蚀刻液的酸度发生了变化,同时,由于蚀刻了铜,使得蚀刻液中的铜离子含量上升,在参数中控调节罐中按照原本蚀刻工作液的酸度和含铜量进行调节,添加37w%盐酸以及水,使得酸度恢复到2.0N,含铜量恢复到150g/L。
四、使用分流器将恢复了的蚀刻液分流1%出来流入结晶罐中,进行结晶得到氯化铜。
五、将另外99%的被恢复了的蚀刻液流入原本蚀刻体系,进行下一步蚀刻。
以上所述仅是本发明的较佳实施方式,故凡依本发明范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本发明范围内。

Claims (10)

1.一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,具体步骤如下:
1)蚀刻液从蚀刻生产线上流出,由于在蚀刻过程中发生了反应,使得此时蚀刻液中的一价铜离子急剧上升,ORP迅速下降;
2)待氧化的蚀刻液流入氧化反应体系中,在鼓入臭氧的条件下氧化,使得一价铜离子浓度降至合理范围区,ORP升至与原蚀刻液相似;
3)被氧化的蚀刻液流入参数中控调节区,采用自动控制的方法,保持酸度值,铜离子浓度恒定;
4)将一部分被还原的酸性蚀刻液流入结晶罐中,结晶出氯化铜出售;
5)将另一部分被还原的酸性蚀刻液回流至喷淋蚀刻区,进行下一步的蚀刻。
2.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤1)所述一价铜离子的含量为0.8~1.6g/L,ORP值为420~450。
3.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤2)所述氧化反应体系采用的是鼓泡塔或填料塔。
4.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤2)所述待氧化的蚀刻液流入氧化反应体系中的流速为3.6~5.4m3/h。
5.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤2)所述一价铜离子浓度降至的合理范围区为0.2g/L~0.4g/L;所述ORP升至与原蚀刻液相似为480~520。
6.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤3)所述酸度值范围为1.5~2.5N,铜离子浓度恒定为130g/L~170g/L。
7.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤3)所述自动控制为添加浓度为30w%~37w%的盐酸以及水。
8.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤4)所述一部分被还原的酸性蚀刻液为还原过程中膨胀出来的蚀刻废液。
9.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,步骤5)所述另一部分被还原的酸性蚀刻液与原始酸性蚀刻液的总量相同。
10.根据权利要求 1 所述的一种臭氧氧化循环回用PCB酸性蚀刻液的方法,其特征在于,所述一部分被还原的酸性蚀刻液占被还原了的蚀刻液总体积的1%~3%;所述另一部分被还原的酸性蚀刻液占被还原了的蚀刻总体积的97%~99%。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110106523A (zh) * 2019-05-13 2019-08-09 深圳市祺鑫天正环保科技有限公司 从棕化废液中回收铜的方法
CN115594213A (zh) * 2022-10-09 2023-01-13 深圳市捷晶科技股份有限公司(Cn) 酸性氯化铜蚀刻废液回收处理的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775202A (en) * 1972-03-13 1973-11-27 Dea Prod Inc Etching control system
JPH06316778A (ja) * 1993-04-30 1994-11-15 Tsurumi Soda Co Ltd エッチング処理装置
CN1840739A (zh) * 2005-03-04 2006-10-04 法布罗技术有限公司 铜蚀刻剂的再生和硫酸铜的回收
CN1865166A (zh) * 2005-05-18 2006-11-22 陈晶 印刷线路板蚀刻废液微波循环处理工艺
CN102942278A (zh) * 2012-11-22 2013-02-27 长沙铂鲨环保设备有限公司 一种酸性含铜废液的处理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3775202A (en) * 1972-03-13 1973-11-27 Dea Prod Inc Etching control system
JPH06316778A (ja) * 1993-04-30 1994-11-15 Tsurumi Soda Co Ltd エッチング処理装置
CN1840739A (zh) * 2005-03-04 2006-10-04 法布罗技术有限公司 铜蚀刻剂的再生和硫酸铜的回收
CN1865166A (zh) * 2005-05-18 2006-11-22 陈晶 印刷线路板蚀刻废液微波循环处理工艺
CN102942278A (zh) * 2012-11-22 2013-02-27 长沙铂鲨环保设备有限公司 一种酸性含铜废液的处理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张招贤等: "《涂层钛电极》", 31 May 2014, 冶金工业出版社 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110106523A (zh) * 2019-05-13 2019-08-09 深圳市祺鑫天正环保科技有限公司 从棕化废液中回收铜的方法
CN110106523B (zh) * 2019-05-13 2020-08-28 深圳市祺鑫天正环保科技有限公司 从棕化废液中回收铜的方法
CN115594213A (zh) * 2022-10-09 2023-01-13 深圳市捷晶科技股份有限公司(Cn) 酸性氯化铜蚀刻废液回收处理的方法
CN115594213B (zh) * 2022-10-09 2024-02-27 深圳市捷晶科技股份有限公司 酸性氯化铜蚀刻废液回收处理的方法

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