CN105906199A - Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃 - Google Patents
Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105906199A CN105906199A CN201610089951.XA CN201610089951A CN105906199A CN 105906199 A CN105906199 A CN 105906199A CN 201610089951 A CN201610089951 A CN 201610089951A CN 105906199 A CN105906199 A CN 105906199A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glass
- composition
- teo
- sio
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 118
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 37
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N tellurium dioxide Chemical compound O=[Te]=O LAJZODKXOMJMPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 36
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 229910011255 B2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000008012 organic excipient Substances 0.000 claims description 5
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 15
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 15
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 5
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 5
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N SnO2 Inorganic materials O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910020203 CeO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018245 LaO Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004594 Masterbatch (MB) Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Inorganic materials O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N niobium monoxide Inorganic materials [Nb]=O BFRGSJVXBIWTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C12/00—Powdered glass; Bead compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
本发明涉及Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃。本发明目的在于得到具有能够用于烧穿法的流动性、且可以抑制由于流动的玻璃而导致的n型硅层的侵蚀的玻璃作为晶体Si太阳能电池的电极形成用导电性糊剂。一种Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，其为将Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作为必需成分的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，该玻璃的成分中以质量％计含有30～60的Bi2O3、1～40的TeO2、1～20的SiO2以及1～20的WO3。
Description
技术领域
本发明涉及Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，尤其是涉及使用了该玻璃的晶体Si太阳能电池。
背景技术
一般而言，晶体Si太阳能电池是在p型硅基板的一面上设置有n型硅层的结构的半导体，将该n型硅层侧设为受光面、在该受光面侧的表面介由氮化硅膜等防反射膜设置与n型硅层连接的表面电极。进而，上述的p型硅基板的另一面设置背电极，取出由半导体的pn结产生的电力。为了提高受光效率设置上述的防反射膜，另一方面其具有比较高的电阻值，因此通常针对表面电极与n型硅层的接触部分，将该防反射膜利用蚀刻、熔融来去除，进行使n型硅层与表面电极的连接良好的操作。
作为去除上述的防反射膜的方法，使用被称为烧穿(fire through)法的方法。烧穿法是指将表面电极的电极材料直接印刷在防反射膜上后，通过进行烧成由烧成时的热熔融·去除该防反射膜的方法，作为该电极材料，可以适宜地利用包含银粉末、有机赋形剂(organic vehicle)以及玻璃粉末材料(玻璃料等)的导电性糊剂(专利文献1、2)。已知的是，对于上述的烧穿法，根据上述电极材料的组成、烧成温度而性能受到影响，尤其是受玻璃粉末材料的组成影响。这是因为导电性糊剂的烧成时玻璃粉末材料熔融而去除防反射膜。烧穿法利用热，因此为了抑制半导体的损伤或提高作业效率，要求降低使用的玻璃粉末材料的软化点，例如专利文献3公开了大量地含有Li2O、含有将玻璃制成低软化点的铅的玻璃粉末材料。但是，大量地包含Li2O成分的情况下，Li扩散至n型硅层，结果有使太阳能电池的性能降低的可能性。
此处，作为玻璃粉末材料，使用以往作为在低温下可以密封、覆盖的玻璃而被知晓的粉末材料。作为这样的玻璃粉末材料，众所周知的是在成分中含有铅的PbO-B2O3系玻璃、PbO-B2O3-ZnO系玻璃、PbO-B2O3-Bi2O3系玻璃等。
例如，专利文献4公开了在400～600℃下可以密封的PbO-B2O3-ZnO-TeO2系玻璃粉末材料。另外，专利文献5公开了在500℃以下可以密封的以PbO、B2O3以及TeO2作为主要成分的玻璃粉末材料，该玻璃粉末材料通过在成分中含有TeO2而使玻璃稳定化。另外，专利文献6公开了在400℃以下可以密封的PbO-B2O3-Bi2O3系玻璃粉末材料，该玻璃粉末材料通过在成分中含有TeO2而使玻璃的耐水性提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭62-49676号公报
专利文献2：日本特开2001-313400号公报
专利文献3：日本特开2012-015409号公报
专利文献4：日本特开昭62-36040号公报
专利文献5：日本特开平7-53237号公报
专利文献6：日本特开平8-253344号公报
发明内容
发明要解决的问题
如前所述，作为适于烧穿法的玻璃粉末材料，需求软化点低。但是另一方面，可知使用Bi2O3-TeO2系、PbO-TeO2系等软化点过低的玻璃粉末材料的情况下，存在流动的玻璃不仅去除防反射膜、还侵蚀至n型硅层之虞。最近存在如下问题：以转化效率提高作为目的，n型硅层有变薄的倾向，因此因流动的玻璃导致的侵蚀变得更显著。
因此，本发明目的在于得到具有能用于烧穿法的流动性、且能够抑制由于流动的玻璃导致的n型硅层的侵蚀的玻璃作为晶体Si太阳能电池的电极的形成用导电性糊剂。
用于解决问题的方案
一般而言，利用前述的烧穿法去除防反射膜时，将电极材料加热至800℃以上，使电极材料中的玻璃粉末材料烧成。粉末材料中使用的玻璃要求在该烧成时的流动性高，另一方面，流动性优异的玻璃在去除了防反射膜后进一步继续流动，侵蚀n型硅层。基于上述的见解，本发明人等进行深入研究，结果发现使用成分中含有WO3和SiO2的玻璃时，能够兼顾烧成时的流动性和抑制n型硅层的侵蚀这两个乍看相反的性质。
因此，本发明涉及一种Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，其为将Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作为必需成分的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，该玻璃成分中以质量％计含有30～60的Bi2O3、1～40的TeO2、1～20的SiO2以及1～20的WO3。
本发明的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃为将Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作为必需成分的玻璃。另外，也可以在该4种成分的必需成分之外，在总计0～25质量％的范围内含有任意成分。
作为上述的任意成分，可列举出ZnO、PbO、B2O3、Al2O3、R2O成分(K2O、Na2O以及Li2O)以及RO成分(MgO、CaO、SrO以及BaO)等调节玻璃软化点、玻璃稳定性的成分，V2O5、Sb2O5、ZrO2、Fe2O3、CuO、TiO2、In2O3、Bi2O3、LaO、CeO、NbO以及SnO2等以提高玻璃的流动性、稳定性、表面电极的欧姆接触为目的的成分。
另外，上述的任意成分中，用作晶体Si太阳能电池的电极形成用电极材料时，如前所述为了不使太阳能电池的转换效率降低，优选设为尽量不含R2O成分的玻璃组成，例如优选设为10质量％以下。另外，含有B2O3时，有时对n型硅层起受主元素作用，结果有使太阳能电池的性能降低的倾向，因此与R2O成分同样地优选尽量不含有，例如优选设为10质量％以下。
发明的效果
本发明可以得到具有可利用的流动性、能够抑制n型硅层的侵蚀的玻璃作为晶体Si太阳能电池的电极形成用导电性糊剂。
附图说明
图1为示出晶体Si太阳能电池的截面示意图。
附图标记说明
1：p型硅基板、2：n型硅层、3：防反射膜、4：表面电极、5：p+层、6：铝电极
具体实施方式
本发明为Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，其为将Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作为必需成分的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，该玻璃的成分中以质量％计含有30～60的Bi2O3、1～40的TeO2、1～20的SiO2以及1～20的WO3。
对于本说明书中的“流动性”，将下述情况称为流动性高：在后述的实施例中将玻璃粉末材料的压制成形体在890℃下烧成30秒时，该烧成后的压制成形体的外径扩展到13mm以上的情况。
另外，评价能够抑制n型硅层的侵蚀的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，结果可知任一玻璃在前述的流动性评价后均产生结晶化。预想该结晶化在烧成过程中逐渐产生。因此，将在流动性的评价试验后产生结晶化的情况设为能够抑制n型硅层的侵蚀。需要说明的是，抑制n型硅层的侵蚀的机理尚未确定，但根据上述可见的结果，推测由于在一定时间加热后发生结晶化，因此玻璃的流动停止。
将前述Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃用作晶体Si太阳能电池的电极材料时，由电极图案形成的容易程度出发，期望以粉末状玻璃粉末材料的形式使用。
上述的玻璃粉末材料的平均粒径D50优选为5μm以下。近年来，以铺展太阳光的入射面积为目的使电极图案高精细化。通过将平均粒径D50设为5μm以下，能形成更高精细的电极图案，其结果，提高太阳能电池的光电转换效率。另外，下限值没有特别限定，例如可以设为0.1μm以上。为了将该玻璃粉末材料制成上述范围内，也可以使用研钵、球磨机以及喷射粉碎机方式的粉碎机等。需要说明的是，本说明书的实施例中，进行粉碎使平均粒径D50处于上述的0.1～5μm的范围内。平均粒径是使用日机装株式会社制MicrotracMT3000利用激光衍射·散射法来测定。具体而言，在溶剂中使玻璃粉末材料分散后，照射激光而得到的粒度分布的累积值50％的粒径值设为平均粒径D50。
以下，针对本发明的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃的各成分进行记载。
Bi2O3是构成玻璃骨架的成分之一，是对玻璃赋予流动性、提高去除防反射膜效果(以下有时也记作“烧穿性”)的成分，玻璃中含有30～60质量％。不足30质量％时不能发挥其作用，超过60质量％时脱离玻璃化范围之外，玻璃原料的熔融时变得容易结晶化。可以优选将下限值设为35质量％以上、上限值设为55质量％以下。
TeO2与Bi2O3同样地是对玻璃赋予流动性、提高烧穿性的成分，玻璃中含有1～40质量％。另外，是在烧成时良好地熔融银等导电性材料，进而是在与n型硅层的界面附近促进导电性材料的再结晶化的成分。由此，降低表面电极与n型硅层的接触电阻，提高光电转换效率。不足1质量％时不能发挥其作用，超过40质量％时脱离玻璃化范围之外、玻璃原料的熔融时变得容易结晶化。可以优选将下限值设为3质量％以上、更优选设为5质量％以上、上限值设为35质量％以下。
SiO2是构成玻璃骨架的成分之一，是调节烧成时流动性的成分。由此能够抑制n型硅层的侵蚀。本发明中在1～20质量％的范围含有。不足1质量％时玻璃容易变得不稳定，超过20质量％时玻璃的软化点上升，不适于本发明的目的。可以优选将下限值设为2质量％以上、更优选设为5质量％以上，将上限值设为18质量％以下、更优选为设为16质量％以下的范围。
WO3是在烧成时促进结晶化的成分之一，在1～20质量％的范围含有。烧成时去除防反射膜后，在与玻璃中含有的Bi2O3之间引起结晶化。不足1质量％时不能发挥其作用，另外，超过20质量％时玻璃变得不稳定。可以优选将下限值设为2质量％以上、更优选设为5质量％以上，将上限值设为18质量％以下、更优选设为16质量％以下。
如前所述，本发明的玻璃粉末材料是将Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作为必需成分的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，通过将Bi2O3和TeO2作为主要成分，从而具有高烧穿性，通过向其添加SiO2和WO3从而能够抑制n型硅层的侵蚀。也可以在除该4成分的必需成分之外，以0～25质量％的范围内的形式含有任意成分。
作为上述的任意成分，如前所述，可列举出ZnO、PbO、B2O3、Al2O3、R2O成分(K2O、Na2O以及Li2O)、RO成分(MgO、CaO、SrO以及BaO)、V2O5、Sb2O5、ZrO2、Fe2O3、CuO、TiO2、In2O3、Bi2O3、LaO、CeO、NbO以及SnO2等。
另外，作为本发明的适宜的实施方式之一，含有总计0.1～25质量％的任意成分，该任意成分优选为选自由ZnO、PbO、B2O3、Al2O3、R2O成分(选自由K2O、Na2O以及Li2O组成的组中的至少一种)以及RO成分(选自由MgO、CaO、SrO以及BaO组成的组中的至少一种)组成的组中的至少一种。
ZnO为降低玻璃的软化点的成分，也可以在玻璃组成中在0～15质量％的范围内含有。超过15质量％时脱离玻璃化范围之外，玻璃原料的熔融时变得容易结晶化。
PbO是对玻璃赋予流动性、提高烧穿性的成分，在玻璃组成中可以在0～15质量％的范围内含有。超过15质量％时，流动性过度，变得容易侵蚀n型硅层。
B2O3是构成玻璃骨架的成分之一，通过在玻璃组成中含有能够形成稳定的玻璃。本发明中也可以在0～10质量％的范围内含有。超过10质量％时，如前所述，有时对n型硅层起受主元素作用，结果光电转换效率变得容易降低。
Al2O3是抑制玻璃的结晶化的成分，在玻璃组成中也可以在10质量％以下的范围内含有。超过10质量％时有损玻璃的流动性，因此不适于本发明的目的。
R2O成分是降低玻璃软化点的成分，在玻璃组成中也可以Li2O、Na2O以及K2O的总计在0～10质量％的范围内含有。另外，该R2O成分可以使用1种成分，也可以使用多种成分。另一方面，如前所述，超过10质量％时，碱金属向n型硅层扩散，因此不适于本发明的目的。
RO成分为抑制玻璃结晶化的成分，也可以在玻璃组成中以MgO、CaO、SrO以及BaO的总计在10质量％以下的范围内含有。另外，该RO成分可以使用1种成分也可以使用多种成分。超过10质量％时，玻璃的软化点上升，因此不适于本发明的目的。
另外，上述的成分之外，若在不损害本发明的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃性质的范围内，以提高玻璃的流动性、稳定性、欧姆接触等作为目的，也可以在5质量％以下的范围内添加ZrO2、Fe2O3、CuO、TiO2、In2O3、P2O5、V2O5、Sb2O3、La2O3、CeO2、Nb2O5以及SnO2等作为任意成分。
另外，本发明适宜的实施方式之一是一种在玻璃内含有导电性材料的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃。该实施方式可列举出在玻璃内部分散有导电性材料的方式，在玻璃内部、表面形成导电性材料的层的方式等。具体而言，例如可以通过将玻璃粉末材料和导电性材料混合后进行烧成来得到，能够用作电极构件等。
上述的导电性材料只要具有导电性，就没有特别限定，优选为选自由导电性优异的Ag、Au、Pd、Ni、Cu、Al以及Pt组成的组中的至少1种。
另外，本发明的适宜的实施方式之一是一种导电性糊剂，其特征在于含有前述玻璃粉末材料、有机赋形剂和导电性材料。
导电性糊剂中包含的玻璃粉末材料相对于导电性材料100质量％优选设为1～20质量％的范围内。超过20质量％时，有时电极的电阻变得过高。另外，不足1质量％时，有时玻璃成分不足，不能形成致密的电极。
导电性糊剂中使用的导电性材料与前述的导电性材料同样地，优选为选自由具有良好导电性的Ag、Au、Pd、Ni、Cu、Al以及Pt组成的组中的至少1种。另外，为了使导电性糊剂的涂布、烧成容易，期望该导电性材料为粉末状的导电性粉末。
有机赋形剂包含有机溶剂和有机粘结剂，为使导电性糊剂在加热、烧成后通过燃烧、分解或挥发等而消失的物质。需要说明的是，有机粘结剂是指使玻璃粉末材料在导电性糊剂中分散·负载的物质。有机溶剂和有机粘结剂可以适宜选择，只要能在加热时从导电性糊剂去除，就没有特别限定。
另外，本发明的适宜的实施方式之一是一种晶体Si太阳能电池的制造方法，其特征在于，其含有：在形成于n型硅层之上的防反射膜上涂布前述导电性糊剂作为表面电极形成用材料的工序、将该导电性糊剂加热至800℃以上的工序以及将前述防反射膜利用烧穿法去除的工序。
图1示出晶体Si太阳能电池的截面示意图。以下记载晶体Si太阳能电池的制造方法的一个例子。
对于晶体Si太阳能电池，首先在p型硅基板1上涂布硼扩散剂和磷扩散剂，进行加热、离子注入等，由此形成p+层5、n型硅层2。
接着，在形成的n型硅层2上形成防反射膜3。作为该防反射膜3，可列举出一般使用的氮化硅等。
接着，在p+层5上形成作为背电极的铝电极6。涂布含有铝粉末的糊剂等、进行烧结，由此可以形成铝电极。
接着，在防反射膜3上涂布导电性糊剂。该导电性糊剂为了在烧成后成为表面电极4，涂布成所期望的形状。涂布方法使用已有的方法即可，例如使用丝网印刷时图案形成也可以适宜地进行，因此是有用的。涂布该导电性糊剂后，进行加热至800℃以上。此时，导电性糊剂内包含的有机赋形剂被去除，同时发生玻璃粉末材料的烧成和表面电极4的部分的防反射膜3的去除，可以得到与n型硅层连接的表面电极4。
实施例
实施例1～6
首先，按照表1记载的特定组成秤量各种无机原料并混合，制作原料母料。将该原料母料投入铂坩埚，在电气加热炉内以1000～1200℃、1～2小时进行加热熔融，得到表1的实施例1～6所示组成的玻璃。所得玻璃由骤冷双辊成形机制成片状，用粉碎装置整粒成平均粒径1～5μm、最大粒径不足20μm的粉末状，得到玻璃粉末材料。
另外，针对玻璃粉末材料，使用手动冲床(hand press)压制成形成的纽扣状。接着，将压制成形体置于硅基板上，在890℃下烧成30秒。压制成形体烧成后的铺展程度越大流动性变得越高，可以有效地进行烧穿法，因此是适宜的。烧成后的压制成形体的外径铺展到13mm以上的情况记作〇(流动性高)、铺展不充分的记作×(流动性低)，进而，将烧成后的压制体有无结晶化记入表1。
[表1]
比较例1～5
除了按照表2记载的特定组成称量各种无机原料并混合，制作原料母料以外，以与实施例同样的方法进行玻璃的制作。但是，针对比较例1，由于未玻璃化，因此不进行流动性的评价，比较例2、3、5的流动是不充分的。另外，比较例4流动性是良好的且适于烧穿法，但不产生结晶化，因此推测不适于抑制n型硅层的侵蚀。
[表2]
如实施例1～6所示可知，在本发明的组成范围内时，玻璃的流动性是良好的，也发现高温时的结晶化，因此能够用作晶体Si太阳能电池的表面电极形成用导电性糊剂。另一方面，对于比较例1～5，未玻璃化、流动性低、或虽流动性高但未结晶化等，不适于本发明的目的。
Claims (6)
1.一种Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，其为将Bi2O3、TeO2、SiO2以及WO3作为必需成分的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，该玻璃的成分中以质量％计含有30～60的Bi2O3、1～40的TeO2、1～20的SiO2以及1～20的WO3。
2.根据权利要求1所述的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，所述Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃含有总计0.1～25质量％的任意成分，该任意成分为选自由ZnO、PbO、B2O3、Al2O3、R2O成分以及RO成分组成的组中的至少一种，其中，R2O成分为选自由K2O、Na2O以及Li2O组成的组中的至少一种，RO成分为选自由MgO、CaO、SrO以及BaO组成的组中的至少一种。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃，其特征在于，玻璃内具有导电性材料。
4.一种玻璃粉末材料，其特征在于，其为权利要求1或权利要求2所述的Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃的玻璃粉末。
5.一种导电性糊剂，其特征在于，其含有权利要求4所述的玻璃粉末材料、有机赋形剂和导电性材料。
6.一种晶体Si太阳能电池的制造方法，其特征在于，其含有下述工序：在形成于n型硅层之上的防反射膜上涂布权利要求5所述的导电性糊剂作为表面电极形成用材料的工序、
将该导电性糊剂加热至800℃以上的工序、以及
利用烧穿法去除所述防反射膜的工序。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015030121A JP6531421B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | Ｂｉ２Ｏ３−ＴｅＯ２−ＳｉＯ２−ＷＯ３−ＲＯ系ガラス |
| JP2015-030121 | 2015-02-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105906199A true CN105906199A (zh) | 2016-08-31 |
Family
ID=56696045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610089951.XA Pending CN105906199A (zh) | 2015-02-19 | 2016-02-17 | Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6531421B2 (zh) |
| CN (1) | CN105906199A (zh) |
| TW (1) | TWI614223B (zh) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106128554A (zh) * | 2016-09-23 | 2016-11-16 | 苏州柏特瑞新材料有限公司 | 一种抗老化晶硅太阳能电池背电极银浆 |
| CN106448803A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-22 | 王立建 | 背接触太阳能电池灌孔电子浆料 |
| CN107162426A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-15 | 苏州卡睿知光电科技有限公司 | 一种玻璃密封料、密封料糊剂及其制备方法 |
| CN107265872A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-10-20 | 上海银浆科技有限公司 | 一种适用于晶硅电池正面银浆用双组份无铅玻璃粉 |
| CN109524482A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 江西佳银科技有限公司 | 具有多个离散熔块的厚膜浆料以及用于接触晶体硅太阳能电池发射极表面的方法 |
| CN109659066A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-04-19 | 四川东树新材料有限公司 | 一种用于制备perc硅太阳能电池的正面银浆 |
| CN109694202A (zh) * | 2019-01-20 | 2019-04-30 | 江苏正能电子科技有限公司 | 一种背钝化电池银浆用玻璃粉 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10134925B2 (en) | 2016-04-13 | 2018-11-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith |
| JP6714275B2 (ja) * | 2016-08-23 | 2020-06-24 | ナミックス株式会社 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
| TWI745562B (zh) * | 2017-04-18 | 2021-11-11 | 美商太陽帕斯特有限責任公司 | 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置 |
| CN107195354B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-02-26 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背钝化硅太阳能电池用正电极银浆及其制备方法 |
| CN106972081B (zh) * | 2017-05-18 | 2018-06-26 | 阳光中科（福建）能源股份有限公司 | 一种白色太阳能电池的制备方法 |
| CN111268915B (zh) * | 2018-12-04 | 2023-02-03 | 上海银浆科技有限公司 | 一种太阳能正面银浆用双组分高接触玻璃粉 |
| CN111875254A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-03 | 上海银浆科技有限公司 | 一种适用于黑硅+perc电池的正面银浆用无铅玻璃粉及其制备方法 |
| CN114974648A (zh) * | 2021-02-22 | 2022-08-30 | 深圳市首骋新材料科技有限公司 | 硅太阳能电池正面导电银浆及其制备方法、硅太阳能电池正面电极 |
| CN116062999A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-05-05 | 广州市儒兴科技股份有限公司 | 玻璃粉组合及其制备方法、电子浆料以及电池 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101888981A (zh) * | 2007-12-06 | 2010-11-17 | 旭硝子株式会社 | 光学玻璃及使用该光学玻璃的精密模压成型用预成型体和光学元件 |
| CN102120693A (zh) * | 2010-01-11 | 2011-07-13 | 上海歌灵新材料科技有限公司 | 一种无铅封接玻璃及其制备方法 |
| CN102603186A (zh) * | 2011-01-21 | 2012-07-25 | 株式会社小原 | 光学玻璃、预成型体及光学元件 |
| CN102898024A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-30 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 含碲玻璃材料及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5559509B2 (ja) * | 2009-10-28 | 2014-07-23 | 昭栄化学工業株式会社 | 太陽電池電極形成用導電性ペースト |
| JP6075601B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2017-02-08 | 日本電気硝子株式会社 | 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料 |
| KR101518500B1 (ko) * | 2012-12-21 | 2015-05-11 | 제일모직주식회사 | 유리프릿, 이를 포함하는 태양전지 전극용 페이스트 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| CN104575661B (zh) * | 2013-10-25 | 2017-09-12 | 硕禾电子材料股份有限公司 | 一种导电浆及其制造方法 |
| JP5816738B1 (ja) * | 2014-11-27 | 2015-11-18 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 導電性組成物 |
-
2015
- 2015-02-19 JP JP2015030121A patent/JP6531421B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-02-17 CN CN201610089951.XA patent/CN105906199A/zh active Pending
- 2016-02-19 TW TW105104999A patent/TWI614223B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101888981A (zh) * | 2007-12-06 | 2010-11-17 | 旭硝子株式会社 | 光学玻璃及使用该光学玻璃的精密模压成型用预成型体和光学元件 |
| CN102120693A (zh) * | 2010-01-11 | 2011-07-13 | 上海歌灵新材料科技有限公司 | 一种无铅封接玻璃及其制备方法 |
| CN102603186A (zh) * | 2011-01-21 | 2012-07-25 | 株式会社小原 | 光学玻璃、预成型体及光学元件 |
| CN102898024A (zh) * | 2012-09-27 | 2013-01-30 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 含碲玻璃材料及其制备方法和应用 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106448803A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-22 | 王立建 | 背接触太阳能电池灌孔电子浆料 |
| CN106128554A (zh) * | 2016-09-23 | 2016-11-16 | 苏州柏特瑞新材料有限公司 | 一种抗老化晶硅太阳能电池背电极银浆 |
| CN106128554B (zh) * | 2016-09-23 | 2017-10-13 | 苏州柏特瑞新材料有限公司 | 一种抗老化晶硅太阳能电池背电极银浆 |
| CN107162426A (zh) * | 2017-06-21 | 2017-09-15 | 苏州卡睿知光电科技有限公司 | 一种玻璃密封料、密封料糊剂及其制备方法 |
| CN107265872A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-10-20 | 上海银浆科技有限公司 | 一种适用于晶硅电池正面银浆用双组份无铅玻璃粉 |
| CN107265872B (zh) * | 2017-07-10 | 2020-08-04 | 上海银浆科技有限公司 | 一种适用于晶硅电池正面银浆用双组份无铅玻璃粉 |
| CN109524482A (zh) * | 2017-09-18 | 2019-03-26 | 江西佳银科技有限公司 | 具有多个离散熔块的厚膜浆料以及用于接触晶体硅太阳能电池发射极表面的方法 |
| CN109659066A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-04-19 | 四川东树新材料有限公司 | 一种用于制备perc硅太阳能电池的正面银浆 |
| CN109659066B (zh) * | 2019-01-10 | 2020-04-17 | 四川东树新材料有限公司 | 一种用于制备perc硅太阳能电池的正面银浆 |
| CN109694202A (zh) * | 2019-01-20 | 2019-04-30 | 江苏正能电子科技有限公司 | 一种背钝化电池银浆用玻璃粉 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI614223B (zh) | 2018-02-11 |
| JP2016150883A (ja) | 2016-08-22 |
| JP6531421B2 (ja) | 2019-06-19 |
| TW201638036A (zh) | 2016-11-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105906199A (zh) | Bi2O3-TeO2-SiO2-WO3系玻璃 | |
| JP5649290B2 (ja) | 太陽電池電極用無鉛導電性組成物 | |
| JP6142756B2 (ja) | ガラス粉末材料 | |
| JP5272373B2 (ja) | 多結晶Ｓｉ太陽電池 | |
| JP6220862B2 (ja) | 電極形成用導電性ペースト、太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
| CN109074896B (zh) | 导电糊剂，方法，电极和太阳能电池 | |
| US10658528B2 (en) | Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith | |
| JP2014501445A (ja) | リチウムを含有する導電性ペースト組成物およびそれから製造される物品 | |
| CN103068761A (zh) | 电极形成用玻璃及使用其的电极形成材料 | |
| JP2017514313A (ja) | 導電性ペースト、電極及び太陽電池 | |
| CN108352212B (zh) | 形成导电轨或涂层的方法 | |
| CN108352211B (zh) | 导电糊和导电迹线或涂层 | |
| TW201332926A (zh) | 電極形成用玻璃及使用其的電極形成材料 | |
| JP2014084249A (ja) | 電極形成用ガラスフリット、電極形成用導電ペーストおよび太陽電池 | |
| KR102171405B1 (ko) | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 | |
| WO2013031957A1 (ja) | 導体形成用無鉛ガラス組成物 | |
| KR102507404B1 (ko) | 태양전지 전극용 결정질 분말, 이의 페이스트 조성물과 태양전지 | |
| JPWO2011108691A1 (ja) | 鉛ガラス組成物及びそれを含む導体形成用組成物 | |
| JP2012041218A (ja) | 電極形成用ガラス及びこれを用いた電極形成材料 | |
| JP2013189372A (ja) | 導電性ペースト材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160831 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |