CN105887187A - 硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术 - Google Patents

硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术 Download PDF

Info

Publication number
CN105887187A
CN105887187A CN201610229174.4A CN201610229174A CN105887187A CN 105887187 A CN105887187 A CN 105887187A CN 201610229174 A CN201610229174 A CN 201610229174A CN 105887187 A CN105887187 A CN 105887187A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cylinder
molten
silicon
crystal
polycrystalline
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610229174.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105887187B (zh
Inventor
张俊宝
宋洪伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Chaosi Semiconductor Co.,Ltd.
Original Assignee
SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co Ltd
Publication of CN105887187A publication Critical patent/CN105887187A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105887187B publication Critical patent/CN105887187B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/20—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明技术提供一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，将多晶硅在高纯石英模具中铸造成一个多晶浸溶筒，多晶硅浸溶筒上部分为一个环形的上盖，与热屏连接，下部为一个圆筒形状的浸溶部分，具有通孔。多晶硅中含有与目标成分相同的掺杂元素。多晶浸溶筒在熔体表面烘烤到1400℃以上后，在晶体等径生长过程中浸入到硅熔体中熔体，并采用振荡提高熔化均匀性，熔化量的速度与晶体的生长速度相同。浸溶筒在浸溶的过程中，进行上下的振荡，振荡使熔化均匀，同时也使熔体中的氧更加容易挥发。晶体生长过程中，硅熔体的液面保持不变，热场稳定。晶体生长后，晶体中的掺杂元素浓度在加入浸入过程后，保持相同。

Description

硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术
技术领域
本发明涉及一种硅单晶生长中掺杂剂浓度稳定控制技术，特别涉及直拉法单晶硅生长工艺中的原料持续加入，保持熔液中掺杂浓度恒度，从而保持硅单晶体中掺杂浓度稳定的控制技术。
背景技术
在单晶硅的制造工艺中，最常使用的是直拉法（Czochralski，缩写CZ），在直拉法中，多晶硅是填充在石英玻璃坩埚（也称石英坩埚）中，然后加热熔融形成硅熔液，在硅熔液中浸入籽晶后向上旋转提拉，硅在籽晶与熔溶液的界面处凝固结晶，形成单晶硅锭。
单晶硅生长过程中，最难控制的是晶体的径向均匀性和轴向均匀性。晶体的径向均匀性是由于单晶硅的凝固生长属于放热反应，而固体的导热远远低于液体的导热，因此结晶界面处形成一个中心热量高于四周的环境。因此，形成一个向上凸起的界面，从而造成了在晶片上的掺杂元素浓度不同。为了降低径向上浓度的差异，通常采用的方法有晶体旋转和坩埚旋转来搅拌熔体，从而提高熔体的均匀性，大尺寸的单晶体采用电磁抑制技术，主要是控制晶体中的氧浓度，电磁技术可以在4ppm范围内控制氧含量，现已成为12英寸以上的单晶的标准配制。另外也有采用热场屏蔽技术和底部加热技术，控制凸起的界面的高度，进而控制径向上掺杂元素的均匀性。
相对于径向上的掺杂元素浓度分布，轴向上的浓度分布更加难以控制。这是由于掺杂元素在液相和固相中的浓度不同，即掺杂元素存在一个分凝系数。因此，随着晶体的生长，晶体中的掺杂元素浓度不断升高。例如，生长掺杂B为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶，固化率达到80%时，B的浓度已上升至3.0×1014 atom/cm3。一般情况下，可利用率低于60%。生长掺杂P为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶，固化率达到55%时，P的浓度已上升至3.0×1014atom/cm3。一般情况下，可利用率低于40%。但是如果生长掺杂Ga为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶，固化率达到25%时，Ga的浓度已上升至3.0×1014 atom/cm3。一般情况下，可利用率低于20%。在生长大尺寸单晶时，这种影响更加显著，利用率就可能更低，严重影响生产效率和产品管理。而晶片一般要求掺杂元素浓度变化率小于15%。这样就形成了晶棒的实际利用率不高，大量的晶棒需要进行分段式管理，同时造成大量的晶棒的库存。
传统的方法中，一般有几种方法。加大投料量是最简单的方法，但是会造成较高的材料浪费，综合利用率低。另外也有采用反向掺杂技术来进行控制，但是容易造成晶体内杂质元素过多，晶体易于出现晶型反转现象。还有采用双层坩埚进行多次加料的方法，而这种方法增加了熔体与石英坩埚的接触面积，熔体中的氧浓度增加较多，对产品的质量形成较大的影响。在熔体中加入多晶硅颗粒，如果多晶硅颗粒的熔化速度低，会因为熔体的流动而到达晶体生长界面，导致晶体中形成缺陷。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，特别涉及在熔体中连续加入多晶硅降低掺杂元素的浓度。
为了达到以上的目的，本发明工艺技术是通过以下方法实现：将多晶硅在高纯石英模具中铸造成一个多晶浸溶筒1，如图1所示。多晶硅浸溶筒上部分为一个环形的上盖，与热屏连接；下部为一个圆筒形状的浸溶部分，具有通孔，用于通过氩气和硅熔液。多晶硅中含有与目标成分相同的掺杂元素。多晶浸溶筒在熔体表面烘烤到1400℃以上后，在晶体等径生长过程中浸入到硅熔体中熔体，熔化过程中采用振荡提高熔化均匀性，熔化量的速度与晶体的生长速度相同。
多晶浸溶筒1，上部分是一个环形的上盖2，起到控制单晶硅生长过程中氩气流向的作用，同时也屏蔽坩埚中熔体的热量辐射，提高晶棒的冷却速度。多晶浸溶筒的下部为一个圆筒形状的浸溶部分3，其尺寸特征为：
(1)
(2)
式中，rout为浸溶筒下部圆筒外半圆径，d为浸溶筒下部圆筒的宽度；rc为石英坩埚的半径，rSi为石英晶体的半径，单位为mm。
多晶浸溶筒的特征在于，浸溶部分3上要具有通孔4，通孔总面积占有浸溶部分3总面积的30%，浸溶部分3见图2侧面展开示意图所示。保证在拉晶过程中，氩气和熔体中的挥发气体可以通过通孔4进入到尾气管路中。
通孔4直径dl的特征为：
(3)
式中，dl为通孔4的直径，为坩埚的转速，为单晶硅的转速。
保证自然对流的硅熔液在坩埚旋转和晶棒旋转的共同作用下，可以顺利流畅地通过通孔4流动，确保熔体温度场的要求以及多晶浸溶筒充分均匀熔化。同时也限制了热自然对流的速度，使熔体中的氧含量易于控制。
制备多晶浸溶筒的多晶硅，其中掺杂元素的含量与单晶硅目标含量一致。采用熔融铸造的方式制备，模具为高纯石英玻璃或陶瓷，铸造过程中要求多晶浸溶筒整体的温度差小于5℃。保证掺杂元素在多晶浸溶筒中均匀分布。
浸溶筒安放的要求为：与石英坩埚和单晶硅晶棒同轴，偏心度小于0.5mm。浸溶筒外侧面与石英坩埚的内侧面的距离为10mm。
浸溶筒的浸入过程的特征为，浸溶筒浸入端在浸入到硅熔体前，在距离熔体液面5mm的位置烘烤3小时以上，浸溶筒浸入端的温度大于等于1400℃。
浸溶筒的浸入过程的特征还在于，浸溶筒浸入的时间为：在单晶硅等径过程开始时浸入，在收尾过程开始时停止浸入。
浸溶筒的浸入过程的特征还在于，浸入量采用重量控制，其熔化量与晶体生长量相同，偏差小于±1%，即：
(4)
浸溶筒的浸入过程的特征还在于，浸溶筒在浸溶的过程中，进行上下的振荡，振幅为1-2mm，频率为50-60Hz。
振荡使熔化均匀，同时也使熔体中的氧更加容易挥发。晶体生长过程中，硅熔体的液面保持不变，热场稳定。晶体生长后，晶体中的掺杂元素浓度在加入浸入过程后，保持相同。
相对于传统的单晶硅生长，本发明技术的坩埚旋转选择较高的速度，以促使浸入的多晶硅较快的熔化。
附图说明
图1为本发明多晶浸溶筒安装结构剖面图。
图2为本发明多晶浸溶筒侧面展开示意图。
具体实施方式
实施例1
生长直径为51mm单晶硅，生长掺杂B为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶。采用石英坩埚的尺寸为150mm，坩埚的转速为5 rpm，晶体的转速为16 rpm。采用熔铸方式制备掺杂B浓度为2.0×1014 atom/cm3的多晶硅浸入筒，晶浸溶筒的外径为130mm，宽度为15mm，通孔直径为9.5mm。在硅熔液稳定过程中多晶筒的下端烘烤3h以上，温度为1405℃温，在等径生长开始时浸入，多晶筒的振荡频率为50Hz，振幅为1.0mm，多晶硅浸入筒的熔化速度与单晶硅的生长速度一致，偏差小于±1%，在收尾时停止浸入。晶体生长后，测量等径段B浓度，结果为2.0-2.03×1014 atom/cm3，达到设计要求。
实施例2
生长直径为51mm单晶硅，生长掺杂P为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶。采用石英坩埚的尺寸为165mm，坩埚的转速为4 rpm，晶体的转速为16 rpm。采用熔铸方式制备掺杂P浓度为2.0×1014 atom/cm3的多晶硅浸入筒，晶浸溶筒的外径为145mm，宽度为17mm，通孔直径为13mm。在硅熔液稳定过程中多晶筒的下端烘烤3h以上，温度为1404℃温，在等径生长开始时浸入，多晶筒的振荡频率为55Hz，振幅为1.5mm，多晶硅浸入筒的熔化速度与单晶硅的生长速度一致，偏差小于±1%，在收尾时停止浸入。晶体生长后，测量等径段P浓度，结果为2.0-2.06×1014 atom/cm3，达到设计要求。
实施例3
生长直径为103mm单晶硅，生长掺杂B为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶。采用石英坩埚的尺寸为310mm，坩埚的转速为4 rpm，晶体的转速为12 rpm。采用熔铸方式制备掺杂B浓度为2.0×1014 atom/cm3的多晶硅浸入筒，晶浸溶筒的外径为290mm，宽度为31mm，通孔直径为9.0mm。在硅熔液稳定过程中多晶筒的下端烘烤3h以上，温度为1404℃温，在等径生长开始时浸入，多晶筒的振荡频率为50Hz，振幅为2.0mm，多晶硅浸入筒的熔化速度与单晶硅的生长速度一致，偏差小于±1%，在收尾时停止浸入。晶体生长后，测量等径段B浓度，结果为2.0-2.08×1014 atom/cm3，达到设计要求。
实施例4
生长直径为103mm单晶硅，生长掺杂P为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶。采用石英坩埚的尺寸为350mm，坩埚的转速为3 rpm，晶体的转速为12 rpm。采用熔铸方式制备掺杂P浓度为2.0×1014 atom/cm3的多晶硅浸入筒，晶浸溶筒的外径为330mm，宽度为37mm，通孔直径为14mm。在硅熔液稳定过程中多晶筒的下端烘烤3h以上，温度为1410℃温，在等径生长开始时浸入，多晶筒的振荡频率为60Hz，振幅为2.0mm，多晶硅浸入筒的熔化速度与单晶硅的生长速度一致，偏差小于±1%，在收尾时停止浸入。晶体生长后，测量等径段P浓度，结果为2.0-2.1×1014 atom/cm3，达到设计要求。
实施例5
生长直径为153mm单晶硅，生长掺杂B为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶。采用石英坩埚的尺寸为459mm，坩埚的转速为4 rpm，晶体的转速为12 rpm。采用熔铸方式制备掺杂B浓度为2.0×1014 atom/cm3的多晶硅浸入筒，晶浸溶筒的外径为440mm，宽度为46mm，通孔直径为9.0mm。在硅熔液稳定过程中多晶筒的下端烘烤3h以上，温度为1406℃温，在等径生长开始时浸入，多晶筒的振荡频率为50Hz，振幅为1.0mm，多晶硅浸入筒的熔化速度与单晶硅的生长速度一致，偏差小于±1%，在收尾时停止浸入。晶体生长后，测量等径段B浓度，结果为2.0-2.11×1014 atom/cm3，达到设计要求。
实施例6
生长直径为153mm单晶硅，生长掺杂P为2.0×1014 atom/cm3的硅单晶。采用石英坩埚的尺寸为500mm，坩埚的转速为4 rpm，晶体的转速为16 rpm。采用熔铸方式制备掺杂P浓度为2.0×1014 atom/cm3的多晶硅浸入筒，晶浸溶筒的外径为480mm，宽度为52mm，通孔直径为13mm。在硅熔液稳定过程中多晶筒的下端烘烤3h以上，温度为1408℃温，在等径生长开始时浸入，多晶筒的振荡频率为60Hz，振幅为1.0mm，多晶硅浸入筒的熔化速度与单晶硅的生长速度一致，偏差小于±1%，在收尾时停止浸入。晶体生长后，测量等径段P浓度，结果为2.0-2.12×1014 atom/cm3，达到设计要求。

Claims (7)

1.一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，将多晶硅在高纯石英模具中铸造成一个多晶浸溶筒，多晶硅浸溶筒上部分为一个环形的上盖，与热屏连接，下部为一个圆筒形状的浸溶部分，具有通孔；多晶硅中含有与目标成分相同的掺杂元素；多晶浸溶筒在熔体表面烘烤到1400℃以上后，在晶体等径生长过程中浸入到硅熔体中熔体，熔化过程中采用振荡提高熔化均匀性，熔化量的速度与晶体的生长速度相同。
2.根据权利要求1所述的硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，其特征在于多晶浸溶筒1，上部分是一个环形的上盖2；多晶浸溶筒的下部为一个圆筒形状的浸溶部分3，其尺寸特征为式(1)和式（2）所示：
(1)
(2)
式中，rout为浸溶筒下部圆筒外半圆径，d为浸溶筒下部圆筒的宽度；rc为石英坩埚的半径，rSi为石英晶体的半径，单位为mm。
3.根据权利要求1至2所述的硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，多晶浸溶筒的特征在于，浸溶部分3上要具有通孔4，通孔总面积占有浸溶部分3总面积的30%；通孔4直径dl的特征为：
(3)
式中，dl为通孔4的直径，为坩埚的转速，为单晶硅的转速。
4.一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，其特征还在于制备多晶浸溶筒的多晶硅，其中掺杂元素的含量与单晶硅目标含量一致。
5.采用熔融铸造的方式制备，模具为高纯石英玻璃或陶瓷，铸造过程中要求多晶浸溶筒整体的温度差小于5℃。
6.一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，其特征在于浸溶筒安放的要求为：与石英坩埚和单晶硅晶棒同轴，偏心度小于0.5mm；
浸溶筒外侧面与石英坩埚的内侧面的距离为10mm；浸溶筒的浸入过程的特征为，浸溶筒浸入端在浸入到硅熔体前，在距离熔体液面5mm的位置烘烤3小时以上，浸溶筒浸入端的温度大于等于1400℃。
7.一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，浸溶筒的浸入过程的特征还在于，浸溶筒浸入的时间为：在单晶硅等径过程开始时浸入，在收尾过程开始时停止浸入；浸溶筒的浸入过程的特征还在于，浸入量采用重量控制，其熔化量与晶体生长量相同，偏差小于±1%，即：
(4)
一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术，浸溶筒浸入过程的特征还在于，浸溶筒在浸溶的过程中，进行上下的振荡，振幅为1-2mm，频率为50-60Hz。
CN201610229174.4A 2015-11-24 2016-04-14 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法 Active CN105887187B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2015108200871 2015-11-24
CN201510820087 2015-11-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105887187A true CN105887187A (zh) 2016-08-24
CN105887187B CN105887187B (zh) 2020-02-14

Family

ID=56703697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610229174.4A Active CN105887187B (zh) 2015-11-24 2016-04-14 一种硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105887187B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112795979A (zh) * 2021-04-01 2021-05-14 浙江晶科能源有限公司 一种单晶硅制备方法及装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1041011A (zh) * 1988-07-07 1990-04-04 日本钢管株式会社 制造硅单晶的方法和设备
JPH0769779A (ja) * 1993-09-01 1995-03-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置
JP2001240485A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Mitsubishi Materials Silicon Corp 単結晶引上方法及び単結晶引上装置
CN1337476A (zh) * 2000-08-16 2002-02-27 浙江大学 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
CN1414147A (zh) * 2001-10-26 2003-04-30 北京有色金属研究总院 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
JP2009057232A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Covalent Materials Corp シリコン単結晶育成方法およびその装置
CN202323104U (zh) * 2011-08-25 2012-07-11 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 单晶硅生长炉及其加料装置
CN102560626A (zh) * 2012-03-10 2012-07-11 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法
CN103732807A (zh) * 2011-08-12 2014-04-16 Lg矽得荣株式会社 晶锭生长设备和制造晶锭的方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1041011A (zh) * 1988-07-07 1990-04-04 日本钢管株式会社 制造硅单晶的方法和设备
JPH0769779A (ja) * 1993-09-01 1995-03-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶引上装置
JP2001240485A (ja) * 2000-02-29 2001-09-04 Mitsubishi Materials Silicon Corp 単結晶引上方法及び単結晶引上装置
CN1337476A (zh) * 2000-08-16 2002-02-27 浙江大学 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
CN1414147A (zh) * 2001-10-26 2003-04-30 北京有色金属研究总院 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
JP2009057232A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Covalent Materials Corp シリコン単結晶育成方法およびその装置
CN103732807A (zh) * 2011-08-12 2014-04-16 Lg矽得荣株式会社 晶锭生长设备和制造晶锭的方法
CN202323104U (zh) * 2011-08-25 2012-07-11 江西赛维Ldk太阳能高科技有限公司 单晶硅生长炉及其加料装置
CN102560626A (zh) * 2012-03-10 2012-07-11 天津市环欧半导体材料技术有限公司 一种提高直拉重掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112795979A (zh) * 2021-04-01 2021-05-14 浙江晶科能源有限公司 一种单晶硅制备方法及装置
CN112795979B (zh) * 2021-04-01 2021-07-16 浙江晶科能源有限公司 一种单晶硅制备方法及装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105887187B (zh) 2020-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930001895B1 (ko) 실리콘 단결정의 제조방법 및 장치
US20090072202A1 (en) Device and process for growing ga-doped single silicon crystals suitable for making solar cells
KR20100045399A (ko) 실리콘 단결정의 제조 방법
JP2008100904A (ja) チョクラルスキー法を用いた半導体単結晶製造方法、この方法により製造された半導体単結晶インゴット及びウエハー
JPH02133389A (ja) シリコン単結晶の製造装置
KR100881172B1 (ko) 자장 인가식 실리콘 단결정의 인상 방법
CN107849728B (zh) 使用双层连续Czochralsk法低氧晶体生长的系统和方法
CN105887187A (zh) 硅单晶生长掺杂剂浓度稳定控制技术
JPH09175889A (ja) 単結晶引き上げ装置
CN115044964B (zh) 一种晶体制备装置
KR101025652B1 (ko) 잔류 융액을 재활용한 태양전지용 결정 제조방법
JP5196438B2 (ja) 原料融液供給装置、多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法
TWI796517B (zh) 單晶矽鑄碇及其製造方法
JP2018177542A (ja) 酸化物単結晶の製造方法及び酸化物単結晶引き上げ装置
KR100831809B1 (ko) 쵸크랄스키법에 의한 잉곳 성장용 히터 및 이를 구비하는단결정 잉곳 제조 장치
JPH0259494A (ja) シリコン単結晶の製造方法及び装置
JPH03265593A (ja) 結晶成長装置
JPH09208360A (ja) 単結晶の成長方法
KR101962175B1 (ko) 단결정 잉곳 성장을 위한 용융액을 형성하는 방법
JPH02172885A (ja) シリコン単結晶の製造方法
JPH037405Y2 (zh)
JP2024018606A (ja) シリコン単結晶
JP4706264B2 (ja) シリコン単結晶の引上げ方法
JP2023549193A (ja) 坩堝の腐食を低減させた単結晶シリコンインゴットを形成する方法
JP2009286647A (ja) シリコン単結晶の製造装置および製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 201604 No. 88, Yangshi Road, Shihudang Town, Songjiang District, Shanghai

Patentee after: Shanghai Chaosi Semiconductor Co.,Ltd.

Address before: 201604 No. 88, Yangshi Road, Shihudang Town, Songjiang District, Shanghai

Patentee before: SHANGHAI ADVANCED SILICON TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder