CN105870106A - 一种射频滤波模块的封装结构及其封装工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种射频滤波模块的封装结构,其结构简单,且封装的屏蔽效果和散热效果优异,包括基片以及设置于基板正面上的芯片,还包括金属屏蔽盖,金属屏蔽盖的四边分别竖直向下延伸形成侧壁并构成封装空腔,金属屏蔽盖覆盖在基板上能够将芯片封装在封装空腔中,芯片上涂有导热胶,芯片通过导热胶与金属屏蔽盖相连接,在基板的周边上设置有与金属屏蔽盖的侧壁对应设置的接地通孔,接地通孔内填充有金属,接地通孔的上端和下端分别印刷有焊盘,金属屏蔽盖的侧壁通过锡膏与接地通孔上端的焊盘焊接连接,接地通孔下端的焊盘接地设置,同时还提供了该封装结构的封装工艺。
Description
技术领域
本发明涉及射频滤波装置技术领域,具体为一种射频滤波模块的封装结构及其封装工艺。
背景技术
将声表面波滤波器应用在射频滤波模块中,对于声表面波滤波器来说,声表面波滤波器的屏蔽性对声表面波滤波器滤波性能尤为重要,当外界有信号干扰时,对滤波效果会产生极大影响;射频滤波模块中的还包括大功率元器件,其输出功率很大,功耗也大,发热量非常高,因此必须进行散热。目前射频滤波模块的封装大都是注塑封装形式,为了确保声表面波滤波器的屏蔽效果,在注塑外层进行镀镍实现屏蔽,工序复杂;而且注塑材料散热效果较差,不利于射频滤波模块中的大功率元器件散热。
发明内容
针对上述问题,本发明提供了一种射频滤波模块的封装结构,其结构简单,且封装的屏蔽效果和散热效果优异,同时还提供了该封装结构的封装工艺。
一种射频滤波模块的封装结构,包括基片以及设置于基板正面上的芯片,其特征在于:还包括金属屏蔽盖,所述金属屏蔽盖的四边分别竖直向下延伸形成侧壁并构成封装空腔,所述金属屏蔽盖覆盖在所述基板上能够将所述芯片封装在所述封装空腔中,所述芯片上涂有导热胶,所述芯片通过导热胶与所述金属屏蔽盖相连接,在所述基板的周边上设置有与所述金属屏蔽盖的侧壁对应设置的接地通孔,所述接地通孔内填充有金属,所述接地通孔的上端和下端分别印刷有焊盘,所述金属屏蔽盖的侧壁通过锡膏与接地通孔上端的焊盘焊接连接,接地通孔下端的焊盘接地设置。
进一步的,所述金属屏蔽盖的侧壁上分别间隔设置有散热孔。
进一步的,所述芯片包括声表面波滤波芯片、射频功率放大器、辅助电阻以及辅助电容,所述声表面波滤波芯片、功率放大器、辅助电阻以及所述辅助电容分别通过锡膏焊接在所述基板上,所述射频功率放大器上涂有导热胶,所述射频功率放大器通过导热胶与所述金属屏蔽盖相连接。
进一步的,所述接地通孔内填充有金属铜。
进一步的,所述焊盘的材质为铜。
进一步的,所述金属屏蔽盖由洋白铜制成。
进一步的,所述金属屏蔽盖由外表镀有镍的洋白铜制成。
一种射频滤波模块的封装工艺,其特征在于,包括以下步骤:
a.印刷基板:在基板上蚀刻接地通孔,在接地通孔中填充金属,分别在接地通孔上端和下端印刷焊盘;
b.采用锡膏分别将声表面波滤波芯片、射频功率放大器、辅助电阻以及辅助电容焊接到基板上;
c.在射频功率放大器上涂抹导热膏;
d.将金属屏蔽盖扣装在基板上,射频功率放大器通过导热胶与金属屏蔽盖相连接,并通过锡膏将金属屏蔽盖的侧壁与基板上的焊盘焊接连接。
本发明的射频滤波模块的封装结构,滤波芯片以及相关的分立器件集成于一个封装体中,结构简单,降低射频信号的损耗;通过设置金属屏蔽盖进行遮盖,并在基板上设计接地通孔,将金属屏蔽盖接地从而实现屏蔽信号的目的,确保了屏蔽效果,并在发热量大的射频功率放大器涂抹导热膏,通过导热膏连接射频功率放大器与金属屏蔽盖,射频功率放大器产生的热量不仅可以通过基板散热,而且可以通过导热胶,将热量传递给金属屏蔽盖散热,金属屏蔽盖面积大于芯片面积,加快散热速度,同时本发明的射频滤波模块的封装结构内部没有填充,金属屏蔽盖侧壁设计有散热孔,热量也可通过散热孔散出,进一步改善了散热效果,散热孔的设计也不会影响屏蔽效果;本发明的射频滤波模块的封装方法,其工艺简单,易于实现,成品率高。
附图说明
图1为本发明的射频滤波模块的封装结构的示意图;
图2为本发明的射频滤波模块的封装结构的金属屏蔽盖的侧视结构示意图。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图,对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
见图1、图2,一种射频滤波模块的封装结构,包括基片1以及设置于基板1正面上的芯片,还包括金属屏蔽盖3,金属屏蔽盖3的四边分别竖直向下延伸形成侧壁4并构成封装空腔5,金属屏蔽盖5覆盖在基板1上能够将芯片封装在封装空腔5中,芯片包括声表面波滤波芯片6、射频功率放大器7、辅助电阻以及辅助电容,声表面波滤波芯片6、功率放大器7、辅助电阻以及辅助电容分别通过锡膏11焊接在基板1上,射频功率放大器7上涂有导热胶8,射频功率放大器7通过导热胶8与金属屏蔽盖5相连接,在基板1的周边上设置有与金属屏蔽盖3的侧壁对应设置的接地通孔9,接地通孔9内填充有金属铜,接地通孔9的上端和下端分别印刷有焊盘10,焊盘10的材质为铜,金属屏蔽盖3的侧壁4通过锡膏11与接地通孔9上端的焊盘10焊接连接,接地通孔9下端的焊盘10接地设置,金属屏蔽盖3的侧壁4上分别间隔设置有散热孔2。
本发明的一种实施方式中的射频滤波模块的封装结构,金属屏蔽盖3由洋白铜制成;本发明的另一种实施方式中的射频滤波模块的封装结构,金属屏蔽盖3由外表镀有镍的洋白铜制成。
一种射频滤波模块的封装工艺,包括以下步骤:
a.印刷基板:在基板上蚀刻接地通孔,在接地通孔中填充金属,分别在接地通孔上端和下端印刷焊盘;
b.采用锡膏分别将声表面波滤波芯片、射频功率放大器、辅助电阻以及辅助电容焊接到基板上;
c.在射频功率放大器上涂抹导热膏;
d.将金属屏蔽盖扣装在基板上,射频功率放大器通过导热胶与金属屏蔽盖相连接,并通过锡膏将金属屏蔽盖的侧壁与基板上的焊盘焊接连接。
本发明的射频滤波模块的封装结构,滤波芯片以及相关的分立器件集成于一个封装体中,结构简单,降低射频信号的损耗;通过设置金属屏蔽盖进行遮盖,并在基板上设计接地通孔,将金属屏蔽盖接地从而实现屏蔽信号的目的,确保了屏蔽效果,并在发热量大的射频功率放大器涂抹导热膏,通过导热膏连接射频功率放大器与金属屏蔽盖,射频功率放大器产生的热量不仅可以通过基板散热,而且可以通过导热胶,将热量传递给金属屏蔽盖散热,金属屏蔽盖在作为芯片封装保护结构的同时,同时起到散热的作用,金属屏蔽盖面积大于芯片面积,加快散热速度,同时本发明的射频滤波模块的封装结构内部没有填充,金属屏蔽盖侧壁设计有散热孔,热量也可通过散热孔散出,进一步改善了散热效果,具有很好的市场前景;本发明的射频滤波模块的封装方法,其工艺简单,易于实现,降低加工难度,显著增加产品的合格率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效,而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下,对上述实施例进行修饰或改变。因此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种射频滤波模块的封装结构,包括基片以及设置于基板正面上的芯片,其特征在于:还包括金属屏蔽盖,所述金属屏蔽盖的四边分别竖直向下延伸形成侧壁并构成封装空腔,所述金属屏蔽盖覆盖在所述基板上能够将所述芯片封装在所述封装空腔中,所述芯片上涂有导热胶,所述芯片通过导热胶与所述金属屏蔽盖相连接,在所述基板的周边上设置有与所述金属屏蔽盖的侧壁对应设置的接地通孔,所述接地通孔内填充有金属,所述接地通孔的上端和下端分别印刷有焊盘,所述金属屏蔽盖的侧壁通过锡膏与接地通孔上端的焊盘焊接连接,接地通孔下端的焊盘接地设置。
2.根据权利要求1所述的一种射频滤波模块的封装结构,其特征在于:所述金属屏蔽盖的侧壁上分别间隔设置有散热孔。
3.根据权利要求2所述的一种射频滤波模块的封装结构,其特征在于:所述芯片包括声表面波滤波芯片、射频功率放大器、辅助电阻以及辅助电容,所述声表面波滤波芯片、功率放大器、辅助电阻以及所述辅助电容分别通过锡膏焊接在所述基板上,所述射频功率放大器上涂有导热胶,所述射频功率放大器通过导热胶与所述金属屏蔽盖相连接。
4.根据权利要求3所述的一种射频滤波模块的封装结构,其特征在于:所述接地通孔内填充有金属铜。
5.根据权利要求3所述的一种射频滤波模块的封装结构,其特征在于:所述焊盘的材质为铜。
6.根据权利要求3所述的一种射频滤波模块的封装结构,其特征在于:所述金属屏蔽盖由洋白铜制成。
7.根据权利要求3所述的一种射频滤波模块的封装结构,其特征在于:所述金属屏蔽盖由外表镀有镍的洋白铜制成。
8.一种如权利要求3-7任一项所述的一种射频滤波模块的封装工艺,其特征在于:包括以下步骤:
a.印刷基板:在基板上蚀刻接地通孔,在接地通孔中填充金属,分别在接地通孔上端和下端印刷焊盘;
b.采用锡膏分别将声表面波滤波芯片、射频功率放大器、辅助电阻以及辅助电容焊接到基板上;
c.在射频功率放大器上涂抹导热膏;
d.将金属屏蔽盖扣装在基板上,射频功率放大器通过导热胶与金属屏蔽盖相连接,并通过锡膏将金属屏蔽盖的侧壁与基板上的焊盘焊接连接。
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