CN105761933A - 多层陶瓷电子组件 - Google Patents
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Abstract
提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介电层,并且各个介电层置于第一内电极与第二内电极之间;外电极,设置在陶瓷主体的外表面上。第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个在陶瓷主体的宽度方向上的相反的边缘部分比其中央部分厚,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)满足1.0<T2/T1≤2.0。
Description
本申请要求于2015年1月5日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0000834号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及一种通过控制残留碳的流动和浓度梯度而具有优异的可靠性和高电容的多层陶瓷电子组件和具有该多层陶瓷电子组件的板。
背景技术
随着电气装置或电子装置性能的改进以及电气装置或电子装置的纤薄化和轻量化,已经增大了对小尺寸、高性能和便宜的电子组件的需求。
因此,已经通过各种方式尝试使介电层和内电极纤薄且多层。最近,已经制造了其中的介电层的厚度纤薄且堆叠的层的数量增加的多层陶瓷电子组件。
随着电子产品的小型化和多功能结合,已经需要使多层陶瓷电子组件小型化且具有大的电容和优异的耐受电压特性。
因此,已经执行了各种方法来尝试使介电层和内电极纤薄化且多层化。最近,已经制造出了其中的介电层的厚度相对薄且堆叠的层的数量为500或更多的多层陶瓷电子组件。
通常,在使堆叠的生片塑化时,生片中的有机材料从生片的中央部分向外扩散并移动。
由于有机材料从生片的内部扩散(如上所述),因此根据生片的各个位置而在生片的中央部分和边缘产生有机材料的浓度梯度。
由于如上所述的根据生片的每个位置的有机材料的浓度梯度(具体地,残留碳的浓度梯度),所以在烧结生片时,中央部分的烧结驱动力与边缘的烧结驱动力之间会产生差异,因此不应产生浓度梯度。
因此,已经需要对针对抑制如上所述的有机材料或残留碳根据生片的每个位置的浓度梯度的设计而进行研究。
发明内容
因此,本公开的一方面可提供一种通过控制残留碳的流动和浓度梯度而具有优异的可靠性和高电容的多层陶瓷电子组件和具有该多层陶瓷电子组件的板。
根据本公开的一方面,一种多层陶瓷电子组件可包括:陶瓷主体,包括彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介电层,并且各个介电层置于第一内电极与第二内电极之间;外电极,设置在陶瓷主体的外表面上。第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个在陶瓷主体的宽度方向上的相反的边缘部分可比其中央部分厚,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)可满足1.0<T2/T1≤2.0。
根据本公开的另一方面,一种多层陶瓷电子组件可包括:陶瓷主体,包括彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介电层,并且各个介电层置于第一内电极与第二内电极之间;外电极,设置在陶瓷主体的外表面上。第一内电极和第二内电极中的至少一个在陶瓷主体的长度方向上的一个边缘部分可比其中央部分厚,并且可满足0.2≤w1/w≤0.4,其中,w1为边缘部分的宽度,w为第一内电极或第二内电极的总宽度。
根据本公开的另一方面,一种多层陶瓷电子组件可包括:陶瓷主体,包括彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介电层,并且各个介电层置于第一内电极与第二内电极之间;外电极,设置在陶瓷主体的外表面上。第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个在陶瓷主体的长度方向上的一个边缘部分可比其中央部分厚,并可满足0.3≤b1/b≤0.7,其中,b为第一内电极或第二内电极的总长度,b1为边缘部分的长度。
根据本公开的另一方面,一种具有多层陶瓷电子组件的板可包括其上设置有多个电极焊盘的印刷电路板以及安装在印刷电路板上的如上所述的多层陶瓷电子组件。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其它方面、特征或优势将更加清楚地理解,在附图中:
图1是根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图;
图2是沿图1的A-A′线截取的根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件的截面图;
图3是图2的区域S的放大图;
图4是沿图1的B-B′线截取的根据本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的截面图;
图5是根据本公开的另一示例性实施例的具有多层陶瓷电子组件的板的透视图;
图6是示出根据内电极的印刷厚度而变化的残留碳的量的曲线图;
图7是示出根据在陶瓷主体的沿长度-厚度方向的截面中的内电极的印刷长度而变化的残留碳的量的曲线图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述本公开的实施例。
然而,本公开可按照很多不同的形式来实现,并不应该被解释为局限于在此阐述的实施例。确切地说,这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的,且将本公开的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中,为了清晰起见,会夸大元件的形状和尺寸,并将始终使用相同的附图标记来表示相同或相似的元件。
多层陶瓷电子组件
在下文中,将参照附图描述示例性实施例。
图1是根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的透视图。
图2是沿图1的A-A′线截取的根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的截面图。
图3是图2的区域S的放大图。
参照图1至图3,根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括:陶瓷主体110,包括设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122以及介电层111,并且每个介电层111置于第一内电极121与第二内电极122之间;外电极131和132,设置在陶瓷主体110的外表面上,其中,第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个的在陶瓷主体110的宽度方向上的两个边缘部分比其中央部分厚,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)满足1.0<T2/T1≤2.0。
在下文中,将描述根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件(具体地,多层陶瓷电容器)。然而,根据本公开的示例性实施例的多层陶瓷电子组件不限于此。
陶瓷主体110的形状不受具体限制,但可以为例如六面体。
同时,在所述多层陶瓷电容器中,根据示例性实施例,“长度方向”指图1的“L”方向,“宽度方向”指图1的“W方向”,“厚度方向”指图1的“T”方向。这里,“厚度方向”指的是介电层堆叠的方向(例如,“堆叠方向”),“长度方向”指的是第一内电极121和第二内电极122暴露于陶瓷主体110的一个表面以使暴露的内电极可电连接到设置在陶瓷主体110的外表面上的外电极131和132中的一个的方向。此外,L-W平面是垂直于厚度方向的平面。
根据示例性实施例的多层陶瓷电容器可包括陶瓷主体110,陶瓷主体110包括在陶瓷主体110中的设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122以及介电层111,并且每个介电层111置于第一内电极121和第二内电极122之间。第一内电极121和第二内电极122在陶瓷主体110的宽度方向上的相反(opposite)的边缘部分比其中央部分厚。
形成第一内电极121和第二内电极122的材料不受具体限制,但可以是由从例如由贵金属(钯(Pd)、钯-银(Pd-Ag)合金等)、镍(Ni)和铜(Cu)组成的组中选择的一种或更多种形成的导电膏。
为了形成电容,第一外电极131和第二外电极132形成在陶瓷主体110的外表面上,并分别电连接到第一内电极121和第二内电极122。
第一外电极131和第二外电极132可由与内电极的导电材料相同的导电材料形成,但不限于此。例如,第一外电极131和第二外电极132可由铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)等形成。
第一外电极131和第二外电极132可通过以下操作来形成:涂敷通过将玻璃料添加到金属粉末而制备的导电膏,然后对其进行焙烧。
根据示例性实施例,第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个的在陶瓷主体110的宽度方向上的相反的边缘部分比其中央部分厚,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)满足1.0<T2/T1≤2.0。
在第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个中,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)可被调节为满足1.0<T2/T1≤2.0,以控制残留碳的流动和浓度梯度,从而可实现具有优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。
例如,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)可满足1.0<T2/T1≤2.0,从而残留碳的去除效果将会是优异的。
在边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)为1.0的情况(根据现有技术的多层陶瓷电容器的情况)下,残留碳的浓度高,从而在多层陶瓷电容器中可能会出现可靠性问题。
同时,在边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)超过2.0的情况下,内电极的边缘部分会过厚,从而可能会出现诸如短路的缺陷。
具有在陶瓷主体110的宽度方向上比中央部分厚的相反的边缘部分的第一内电极121或第二内电极122可与具有均匀厚度的第一内电极和第二内电极交替地堆叠。
例如,在堆叠具有比中央部分厚的相反的边缘部分的第一内电极121或第二内电极122时,具有比中央部分厚的相反的边缘部分的相邻的第一内电极121或者相邻的第二内电极122之间可堆叠有插入其中的边缘与中央部分的厚度的比值为1.0的至少一个或更多个内电极。
例如,在第一内电极121与第二内电极122之间,具有比中央部分厚的相反的边缘部分的相邻的第一内电极或相邻的第二内电极可堆叠有置于相邻的第一内电极之间或相邻的第二内电极之间的一个至十九个内电极层(例如,小于十九个),其中,所述一个至十九个内电极层(例如,小于十九个)具有均匀的厚度。
如上所述,具有比中央部分厚的相反的边缘部分的第一内电极121和第二内电极122可不连续地堆叠与设置,具有不变的厚度的一个至十九个(例如,小于十九个)内电极层可堆叠在具有比中央部分厚的相反的边缘部分的相邻的内电极之间,从而,表示具有沿陶瓷主体110的宽度方向比中央部分厚的相反的边缘部分的第一内电极121以及第二内电极122的数量与所有的第一内电极121以及第二内电极122的数量的比值的阶比值(steprate)可以被调节为大约30%,从而可降低裂纹产生率。
虽然在假定堆叠的层的总数为100的情况下堆叠了一个至十九个(例如,小于十九个)具有均匀厚度的内电极层,但堆叠的具有均匀厚度的内电极层的数量(为1至19,例如小于19)可根据堆叠的层的总数来调节。
在具有比第一内电极121和第二内电极122的中央部分厚的相反的边缘部分的内电极连续地堆叠与设置的情况下,阶比值会增大,从而会出现诸如裂纹的缺陷。
另一方面,在假定堆叠的层的总数为100的情况下,如果在十九个或更多个具有均匀厚度的内电极层堆叠在具有比中央部分厚的两个边缘部分的一个内电极与相邻的内电极之间,则会难以控制残留碳的流动和浓度梯度(本公开的目的),从而在多层陶瓷电容器的可靠性方面会出现问题。
根据示例性实施例,当第一内电极121或第二内电极122的总宽度为w,并且边缘部分的宽度为w1时,w和w1可满足0.2≤w1/w≤0.4。
第一内电极121或第二内电极122的相对厚的部分的宽度w1与总宽度w的比值可被调节为满足0.2≤w1/w≤0.4,从而残留碳的去除效果将会是优异的,从而可提高多层陶瓷电子组件的可靠性。
在第一内电极121或第二内电极122的相对厚的部分的宽度w1与总宽度w的比值(w1/w)小于0.2或超过0.4的情况下,将不会出现残留碳的去除效果,因而在多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
图4是沿图1的B-B′线截取的本公开的另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件的截面图。
参照图4,在根据另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件中,第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个在陶瓷主体110的长度方向上的一个边缘部分可比其中央部分厚,当第一内电极121或第二内电极122的总长度为b、相对厚的部分的长度为b1时,b和b1可满足0.3≤b1/b≤0.7。
当第一内电极121或第二内电极122的总长度为b、并且相对厚的部分的长度为b1时,第一内电极121或第二内电极122的相对厚的部分的长度b1与总长度b的比值(b1/b)可被调节为满足0.3≤b1/b≤0.7,从而残留碳的去除效果将会是优异的,从而可提高多层陶瓷电子组件的可靠性。
在第一内电极121或第二内电极122的相对厚的部分的长度b1与总长度b的比值(b1/b)小于0.3或超过0.7的情况下,将不会出现残留碳的去除效果,因而多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
根据示例性实施例,介电层111的平均厚度可以为0.6μm或更小。
在示例性实施例中,介电层111的厚度指的是设置在内电极121与122之间的介电层111的平均厚度。
介电层111的平均厚度可从通过扫描电子显微镜(SEM)扫描的陶瓷主体110在宽度方向上的截面(如图2所示)的图像来测量。
例如,对于从陶瓷主体110的通过SEM扫描的在陶瓷主体110的长度(L)方向上的中央部分处沿宽度-厚度(W-T)方向切割的截面(如图2所示)的图像提取的任何介电层,可在宽度方向上以相等间隔设置的三十个点处测量介电层的厚度,从而测量其平均值。
可在电容形成部中测量以相等间隔设置的三十个点,其中,电容形成部被限定为第一内电极121和第二内电极122彼此叠置的区域。
另外,当测量十个或更多个介电层的平均厚度时,还可使介电层的平均厚度进一步一般化。
不具体限定焙烧后的第一内电极121和第二内电极122的平均厚度,只要可产生电容即可,但可以是例如0.6μm或更小。
在至少一个或更多个第一内电极121和第二内电极122中,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)满足1.0<T2/T1≤2.0的内电极在焙烧后的平均厚度可以是中央部分的厚度。
根据另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件100可包括:陶瓷主体110,陶瓷主体110包括设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122以及介电层111,并且每个介电层111置于第一内电极121和第二内电极122之间;外电极131和132,设置在陶瓷主体110的外表面上。第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个在陶瓷主体110的宽度方向上的相反的边缘部分比其中央部分厚,当相对厚的部分的宽度为w1、第一内电极121或第二内电极122的总宽度为w时,w1和w满足0.2≤w1/w≤0.4。
根据另一示例性实施例,相对厚的部分的宽度w1与第一内电极121或第二内电极122的总宽度w的比值可被调节为满足0.2≤w1/w≤0.4,从而残留碳的去除效果将会是优异的,从而可改善多层陶瓷电子组件的可靠性。
在相对厚的部分的宽度w1与第一内电极121或第二内电极122的总宽度w的比值(w1/w)小于0.2或超过0.4的情况下,将不会出现残留碳的去除效果,从而在多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
根据另一示例性实施例,第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个在陶瓷主体110的长度方向上的一个边缘部分可比其中央部分厚,当第一内电极121或第二内电极122的总长度为b、且相对厚的部分的长度为b1时,b和b1可满足0.3≤b1/b≤0.7。
除了上述描述之外,将省略与以上描述的根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的特征重复的特征的描述。
根据另一示例性实施例的多层陶瓷电子组件可包括:陶瓷主体110,包括设置为彼此面对的第一内电极121和第二内电极122以及介电层111,并且每个介电层111置于第一内电极121和第二内电极122之间;外电极131和132,设置在陶瓷主体110的外表面上。第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个的在陶瓷主体110的长度方向上的一个边缘部分比其中央部分厚,当第一内电极121或第二内电极122的总长度为b,且相对厚的部分的长度为b1时,b和b1满足0.3≤b1/b≤0.7。
当第一内电极121或第二内电极122的总长度为b,且相对厚的部分的长度为b1时,相对厚的部分的长度b1与第一内电极121或第二内电极122的总长度b的比值可被调节为满足0.3≤b1/b≤0.7,从而残留碳的去除效果可以是优异的,从而可改善多层陶瓷电子组件的可靠性。
在相对厚的部分的长度b1与第一内电极121或第二内电极122的总长度b的比值(b1/b)小于0.3或超过0.7的情况下,不会存在残留碳的去除效果,从而在多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
根据另一示例性实施例,第一内电极121和第二内电极122中的至少一个或更多个的在陶瓷主体110的宽度方向上的相反的边缘部分比其中央部分厚,边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)满足1.0<T2/T1≤2.0。
除了上述描述之外,将省略与以上描述的根据示例性实施例的多层陶瓷电子组件的特征重复的特征的描述。
在下文中,虽然将参照实施例详细地描述本公开,但不限于此。
如下制造根据本公开的实施例的多层陶瓷电容器。
首先,将包括具有0.1μm的平均粒径的粉末(诸如,碳酸钡(BaTiO3)粉末等)的浆料涂敷到载体膜上,并对其干燥,以制备具有1.05μm和0.95μm的厚度的陶瓷生片,从而形成介电层。
接下来,制备用于内电极的导电膏,其中,该导电膏含有40重量份至50重量份的镍粉末,镍粉末的平均粒径为0.1μm至0.2μm。
通过丝网印刷法将用于内电极的导电膏涂敷到陶瓷生片上以形成内电极,堆叠其上形成有内电极的400个到500个陶瓷生片以形成多层主体。
这里,根据本公开的实施例,按照比内电极的中央部分的厚度厚的厚度来形成内电极的边缘部分。
按照根据本公开的实施例的数值范围的厚度、宽度以及长度来形成内电极的边缘部分和中央部分。
然后,压制并切割多层主体来制造片(chip),在H2的体积百分比为0.1%或更少的还原气氛下,以1050℃至1200℃的温度来烧结所述片。
接下来,执行诸如形成外电极的工艺(镀覆工艺)等的工艺以制造多层陶瓷电容器。
除了在第一内电极和第二内电极的中央部分和边缘部分的印刷厚度、宽度和长度之间不存在区别之外,通过与根据本公开的实施例的制造多层陶瓷电容器的方法相同的方法来制造根据对比示例的多层陶瓷电容器。
下面的表1是用于根据第一内电极和第二内电极的边缘部分的厚度T2与第一内电极和第二内电极的中央部分的厚度T1的比值(T2/T1)来将短路发生率与残留碳的量彼此进行比较的表格。
边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)为1.0的情况(根据现有技术的多层陶瓷电容器)对应于对比示例。
[表1]
T2/T1 | 1.0 | 1.2 | 1.4 | 1.6 | 1.8 | 2.0 | 2.2 | 2.4 |
短路发生率(%) | 3 | 3 | 4 | 3 | 8 | 7 | 11 | 15 |
残留碳的量(ppm) | 150 | 145 | 141 | 132 | 125 | 123 | 124 | 113 |
参照上面的表1,可理解的是,在边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)为1.0的情况(对比示例)下,残留碳的量为150ppm,这比本公开的实施例的残留碳的量高。
另外,可理解的是,在边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)变成2.2和2.4的情况下,短路发生率增大。
另一方面,可理解的是,在边缘部分的厚度(T2)与中央部分的厚度(T1)的比值(T2/T1)为2.0或更小的情况(本公开的实施例)下,残留碳的量少且短路发生率不成问题。
具有多层陶瓷电子组件的板
图5是根据另一示例性实施例的具有多层陶瓷电子组件的板的透视图。
参照图5,根据另一示例性实施例的具有多层陶瓷电子组件的板200可包括多层陶瓷组件100以及其上安装有多层陶瓷电子组件100的印刷电路板210。
印刷电路板210可包括形成在其上表面上的电极焊盘221和222。
多层陶瓷电子组件100可以是根据以上所述的示例性实施例的多层陶瓷电子组件。因此,在下文中,将省略对多层陶瓷电子组件100的详细描述以避免重复描述。
电极焊盘221和222可以是分别连接到多层陶瓷电子组件100的第一外电极131和第二外电极132的第一电极焊盘221和第二电极焊盘222。
这里,在多层陶瓷电子组件100的第一外电极131和第二外电极132分别位于第一电极焊盘221和第二电极焊盘222上并分别接触第一电极焊盘221和第二电极焊盘222的状态下,多层陶瓷电子组件100的第一外电极131和第二外电极132可通过焊料230电连接到印刷电路板210。
图6是示出根据内电极的印刷厚度而变化的残留碳的量的曲线图。
参照图6,可理解的是,在厚的部分的宽度w1与第一内电极121或第二内电极122的总宽度w的比值满足0.2≤w1/w≤0.4的情况(本公开的实施例)下,残留碳的量少,从而残留碳的去除效果将是优异的,从而可改善多层陶瓷电子组件的可靠性。
另一方面,可理解的是,在相对厚的部分的宽度w1与第一内电极121或第二内电极122的总宽度w的比值(w1/w)小于0.2或超过0.4的情况下,将不会存在残留碳的去除效果,从而在多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
图7是示出根据在陶瓷主体的沿长度-厚度方向的截面中的内电极印刷长度而变化的残留碳的量的曲线图。
参照图7,可理解的是,在相对厚的部分的长度b1与第一内电极121或第二内电极122的总长度b的比值(b1/b)满足0.3≤b1/b≤0.7的情况(本公开的实施例)下,残留碳的量为150ppm或更小(为许可量),从而可改善多层陶瓷电子组件的可靠性。
另一方面,在相对厚的部分的长度b1与第一内电极121或第二内电极122的总长度b的比值(b1/b)小于0.3或超过0.7的情况下,将不会存在残留碳的去除效果,从而在多层陶瓷电子组件的可靠性方面会出现问题。
如上所述,根据示例性实施例,沿陶瓷主体的长度方向和宽度方向设置的内电极的中央部分和边缘部分可具有不同的厚度,以控制残留碳的流动和浓度梯度,从而可实现具有优异的可靠性的多层陶瓷电子组件。
虽然已经在上面示出和描述了示例性实施例,但本领域技术人员将清楚的是,在不脱离由权利要求限定的本公开的范围的情况下,可以做出修改和变型。
Claims (9)
1.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介电层,并且各个介电层置于第一内电极与第二内电极之间;
外电极,设置在陶瓷主体的外表面上,
其中,第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个在陶瓷主体的宽度方向上的相反的边缘部分比中央部分厚,并且满足1.0<T2/T1≤2.0,其中,T2为边缘部分的厚度,T1为中央部分的厚度。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,所述多层陶瓷电子组件满足0.2≤w1/w≤0.4,其中,w为第一内电极或第二内电极在宽度方向上的总宽度,w1为在宽度方向上的边缘部分的宽度。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个的在陶瓷主体的长度方向上的一个边缘部分比中央部分厚,并满足0.3≤b1/b≤0.7,其中,b为第一内电极或第二内电极在长度方向上的总长度,b1为在长度方向上的边缘部分的长度。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子组件,其中,具有在宽度方向上比中央部分厚的相反的边缘部分的第一内电极或第二内电极与具有均匀的厚度的第一内电极或第二内电极交替地堆叠。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷电子组件,其中,在第一内电极与第二内电极之间,具有在宽度方向上比中央部分厚的相反的边缘部分的相邻的第一内电极或相邻的第二内电极堆叠有一个至十九个内电极,所述一个至十九个内电极置于所述具有在宽度方向上比中央部分厚的相反的边缘部分的相邻的第一内电极或第二内电极之间,所述一个至十九个内电极具有均匀的厚度。
6.一种多层陶瓷电子组件,包括:
陶瓷主体,包括彼此面对的第一内电极和第二内电极以及介电层,并且各个介电层置于第一内电极与第二内电极之间;
外电极,设置在陶瓷主体的外表面上,
其中,第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个在陶瓷主体的长度方向上的一个边缘部分比中央部分厚,并满足0.3≤b1/b≤0.7,其中,b为第一内电极或第二内电极在长度方向上的总长度,b1为在长度方向上的边缘部分的长度。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件,其中,第一内电极和第二内电极中的至少一个或更多个在陶瓷主体的宽度方向上的相反的边缘部分比中央部分厚,并满足1.0<T2/T1≤2.0,其中,T2为边缘部分的厚度,T1为中央部分的厚度。
8.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件,其中,在第一内电极与第二内电极之间,具有在宽度方向上比中央部分厚的相反的边缘部分的相邻的第一内电极或相邻的第二内电极堆叠有一个至十九个内电极,所述一个至十九个内电极置于所述相邻的第一内电极或第二内电极之间,所述一个至十九个内电极具有均匀的厚度。
9.根据权利要求6所述的多层陶瓷电子组件,其中,具有在长度方向上比中央部分厚的边缘部分的第一内电极或第二内电极与具有均匀厚度的第一内电极或第二内电极交替地堆叠。
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