CN105723208A - 检查系统、检查方法和可读记录介质 - Google Patents

Abstract

通过全部进行电特性检查，对光学特性进行抽样检查，从而能够进行更加稳定的等级划分，使生产品质良好。具有作为控制部的CPU(2)，其基于光学特性检查部(7)对每规定数量的光学元件进行抽样检查而使抽样检查部(21)收集的发光元件的光学特性值、检查插补部(23)基于光学特性检查部(7)抽样检查到的多个光学特性值通过插补运算求出的未检查的发光元件的光学特性值、和DC检查部(8)对晶片整个面的多个光学元件全部检查电特性(DC特性)而使合格与否判断部(22)判断出的合格与否信息(合格品/不合格品信息)合成而得到的图像信息，控制等级划分部(24)制作对每等级的发光元件组进行等级划而得的信息。

Description

检查系统、检查方法和可读记录介质

技术领域

本发明涉及对半导体晶片上的多个半导体芯片进行各种检查的检查系统、使用该检查系统的检查方法、以及存储有记载了用于使计算机执行该检查方法的各步骤的处理流程的控制程序的计算机可读取的可读存储介质。

背景技术

在使用半导体工艺的制造工艺中，半导体芯片在晶片上形成为矩阵状。形成了的半导体芯片在产品化的阶段进行良与不良检查。例如，存在：以晶片状态进行检查的情况；以从晶片分割出单个芯片的状态进行检查的情况；和搭载于封装体之后进行最终检查的情况等。该半导体芯片的检查中，即使在以LED等为代表的发光元器件中也同样地以晶片状态检查多个半导体芯片，或者在粘接带上将半导体晶片单片化后，将粘接带拉伸了的状态下，检测被切割出的多个半导体芯片。

作为半导体芯片的检查，一般实施半导体芯片的电特性检查，但是，在半导体晶片上形成有多个半导体元件，所以它们的特性值产生偏差，或存在制造缺陷。因此，通常将半导体芯片的整体作为对象来实施检查，但是为了使检查简化，有时在每一定的元件个数的区域中进行抽样检查，有时基于按每个品种预先决定的抽样规则进行抽样检查。

但是，仅进行这样的抽样检查，虽然检查时间缩短，但无法进一步进行适当的良与不良区分和等级划分。为了解决上述的问题而提出了专利文献1。

图14是表示专利文献1公开的现有的检查系统的主要部分结构例的框图。

在图14中，现有的检查系统100包括抽样检查装置101、抽样检查部102、检查插补部103、等级划分部104、信息制作部105、抽样条件设定部106和检查块分割部107。

抽样检查部102从抽样检查装置101收集基于抽样检查得到的部件的特性值。抽样检查是将使用半导体工艺一并制造的多个部件分割为预先确定的多个检查块，按分割后的每个检查块依次连续进行检查。

检查插补部103使用规定的插补法求出未进行抽样检查的未检查的部件的特性值。在使用一定的半导体工艺一并制造部件的情况下，能够得知部件的特性值连续变化的情况，因此，基于由抽样检查检查到的部件的特性值，能够使未检查的部件的特性值作为它们的连续值而求得。即，能够使用规定的插补法使抽样检查的部件与部件之间的未检查的部件的特性值为连续的数值。作为规定的插补法例如能够使用样条插补法等。

等级划分部104基于由抽样检查部102收集到的部件的特性值和由检查插补部103求出的未检查的部件的特性值，能够按等级制作关于部件的组的信息。

信息制作部105基于从等级划分部104提供的关于等级和部件的组的信息，制作期望的信息(出货信息)。

抽出条件设定部106在因工艺变动等而产生特性值的偏差的情况下，以相同的采样间隔来检查特性值的变化大的区域和特性值的变化小的区域时，在特性值的变化大的区域中有可能发生特性值的推测故障。另外，在特性值的变化小的区域中成为冗长的检查，检查工时的分配发生浪费。另外，在基于特性值将部件分类为几个等级的情况下，不需要知道各个特性值，仅知道关于等级的属性即可，所以其以上的检查变得多余。抽出条件设定部106以检查对象区域的一部分(例如，一行)作为代表来进行检查，基于由检查对象区域的一部分的检查而求出的特性值的变化，进行采样点的设定的优化。

检查块分割部107以检查块所含的部件的数量为相同程度的方式对检查对象区域进行分割时，有可能导致每个检查块中的特性值的离散较大地不同。因此，检查块分割部107进行检查对象区域的分割的优化，使得各检查块的特性值的离散变小。作为评价各检查块的特性值的离散的指标，例如，可以为特性值的离散的最大值，也可以为特性值的离散的差等。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-204350号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

在专利文献1所公开的上述现有的检查系统100中，根据由抽样检查求得的检查数据，使用规定的插补法求取未检查的部件的特性值。

但是，在利用上述现有的检查系统100进行的检查中，完全不考虑：DC特性检查，即对端子间施加规定电压时的电流检查；和在端子间流过规定电流时的电压检查，即发光元件的发光特性检查。并且，除了发光元件的发光特性检查之外，对于为了对其进行补充而全部进行DC特性检查的情况也完全不被考虑。

另外，在上述现有的检查系统100中，对于利用运算进行的插补方法更可靠地除去不合格品来保障生产品质的方法也没有确定。

本发明是用于解决上述现有的问题而完成的，其目的在于提供一种通过全部进行DC特性检查，对光学特性进行抽样检查而能够稳定地划分等级，使生产品质良好的检查系统和使用该检查系统的检查方法，以及存储有记载了用于使计算机执行该检查方法的各步骤的处理流程的控制程序的计算机可读取的可读存储介质。

用于解决问题的技术方案

本发明的检查系统，在用于检查多个光学元件的光学特性和电特性的检查系统中，具有控制部，该控制部基于合成以下数据而得到的信息来控制制作关于每个等级的发光元件组的信息：对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个发光元件的光学特性值；基于该抽样检查得到的多个光学特性值，通过插补运算求出的未检查的多个发光元件的光学特性值；和对基板整个面的多个光学元件全部检查该电特性而得到的合格与否信息(良与不良信息)以及各个电特性值，由此来实现上述目的。此外，进行全部测定的电特性不仅是合格与否判断的主要因素，也是特性值的等级划分的特性主要因素之一。

此外，优选本发明的检查系统中的控制部包括：抽样检查部，其收集对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个光学元件的光学特性值；检查插补部，其使用规定的插补法，基于该抽样检查得到的多个光学元件的光学特性值，求出未进行该抽样检查的未检查的多个发光元件的光学特性值；合格与否判断部，其分别进行对基板整个面的多个光学元件全部检查而得到的多个上述电特性的合格与否判断(良与不良判断)，获得该多个电特性的合格与否信息(良与不良信息)；和等级划分部，其基于将该抽样检查部收集的多个发光元件的光学特性值、该检查插补部求出的未检查的多个发光元件的光学特性值、该多个电特性的合格与否信息和各个电特性值合成而得到的图像信息，制作上述关于每个等级的发光元件组的信息。

另外，优选对本发明的检查系统的测定光学特性的步骤和测量上述电特性的步骤进行处理流程的分离，并且在各步骤中使用与测量的内容相应的设备进行检查。本发明的检查方法，以发光器件为对象，通过将测定光学特性的步骤与测量上述电特性的步骤分离，在测量电特性的设备中，能够有效利用通常确立的同时测定设备和同时测定技术。

另外，优选本发明的检查系统中的发光特性由发光特性检查部检查，上述电特性由电特性检查部检查。

另外，优选本发明的检查系统中的发光特性由发光特性检查部通过进行按顺序的发光控制而连续多个地检查，上述电特性由电特性检查部以多个同时测量的方式进行检查。

另外，优选在本发明的检查系统中利用发光特性检查装置检查发光特性时，利用该电特性检查部检查上述电特性。

另外，优选本发明的检查系统中的等级划分部对将上述电特性的不合格数据(不良数据)从全部光学特性值中除去后的测定对象的发光元件进行等级划分(级别划分)。

另外，优选本发明的检查系统中的测定光学特性的设备能够检测光学特性和上述电特性双方。

另外，优选本发明的检查系统中的根据抽样检查作为基准获得的测定光学特性，根据与其相邻位置的测定光学特性的离散值(差值)进行合格与否判断。

另外，优选将本发明的检查系统中的与相邻位置的测定光学特性的离散值(差值)与基准值比较来进行合格与否判断，当该离散值(差值)低于基准值时进行根据上述抽样检查作为基准获得的测定光学特性的追加校正。

另外，优选本发明的检查系统中的追加校正使用上述相邻位置的测定光学特性的X轴方向和Y轴方向的离散值(差值)中的、该离散值(差值)小的测定光学特性值进行校正运算。

另外，关于本发明的检查系统中的事先设定的抽样规则的妥当性，优选在事先的评价中，将实测整体基数后统计的级别组的个数与根据抽样测定数据通过插补法进行运算后得到的级别组的个数进行比较，根据级别个数的相差数是否为容许值的范围内，来进行抽样规则的妥当性的判断，该容许值在光学特性测定的反复测定偏差和测定精度的偏差引起的差值以下。

另外，在本发明的检查系统中的抽样规则的判断中，优选适当与否的余量的控制，根据事先的评价中的抽样个数与抽样区域的设定来进行实施，根据来自晶片整个面的检查测定值的面内倾向性(相邻芯片的差值、相邻区域的差值)，来调整抽样区域的抽样部位和抽样个数。在该情况下，当“有余量”时，利用抽样个数的缩小来实现测定时间的缩短，当“无余量”时，利用抽样个数的增加来实现插补运算的精度提高。

本发明的检查方法，在用于检查多个光学元件的光学特性和电特性的检查方法中，具有控制步骤，使控制部基于合成以下数据而得到的信息来控制制作关于每个等级的发光元件组的信息：对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的发光元件的光学特性值；基于该抽样检查得到的多个光学特性值，通过插补运算求出的未检查的发光元件的光学特性值；和对该多个光学元件全部检查电特性而得到的合格与否信息(良与不良信息)以及各个电特性值，由此来实现上述目的。

此外，本发明的检查方法中，上述控制步骤包括：抽样检查步骤，抽样检查部收集对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个光学元件的光学特性值；检查插补步骤，检查插补部使用规定的插补法，基于该抽样检查得到的多个光学元件的光学特性值，求出未进行该抽样检查的未检查的多个发光元件的光学特性值；合格与否判断步骤，合格与否判断部分别进行对基板整个面的多个光学元件全部检查而得到的多个上述电特性的合格与否判断(良与不良判断)，获得该多个电特性的合格与否信息(良与不良信息)；和等级划分步骤，等级划分部基于将该抽样检查部收集的多个发光元件的光学特性值、该检查插补部求出的未检查的多个发光元件的光学特性值、该多个电特性的合格与否信息和各个电特性值合成而得到的图像信息，制作上述关于每个等级的发光元件组的信息。

本发明的可读存储介质是存储有记载了用于使计算机执行本发明的上述检查方法中的控制步骤的处理流程的控制程序，由此来实现上述目的。

以下，根据上述结构来说明本发明的作用。

本发明中，在检测多个光学元件的光学特性和电特性的检查系统中，具有控制部，该控制部基于合成以下数据而得到的信息来控制制作关于每个等级的发光元件组的信息：对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个发光元件的光学特性值；基于该抽样检查得到的多个光学特性值，通过插补运算求出的未检查的多个发光元件的光学特性值；和对基板整个面的多个光学元件全部检查电特性而得到的合格与否信息以及各个电特性值。

由此，通过全部进行电特性检查(例如DC特性检查)，对光学特性进行抽样检查，从而能够进行稳定的等级划分，使生产品质良好。

发明效果

如上所述，根据本发明，通过全部进行电特性检查(例如DC特性检查)，对光学特性进行抽样检查，从而能够进行稳定的等级划分，使生产品质良好。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1中的检查系统的主要部分硬件结构例的框图。

图2是表示本发明的实施方式1中的多芯片探针的概略结构的主要部分结构图。

图3是表示使用图2的多芯片探针，同时接触芯片化后的多个电极焊盘，以多个同时检测的方式进行检查的情形的示意图。

图4是用于说明图1的检查系统的动作的步骤流程图。

图5是表示利用光学插补进行的光学特性检查和DC特性检查的流程事例的图，(a)是表示发光元件测试的一般的处理流程的图，(b)是表示本实施方式1的流程事例A的图，(c)是表示本实施方式1的流程事例B的图，(d)和(e)是表示利用一台设备实施本实施方式1的流程事例的情况下的实施方式2的流程的一例的图。

图6是用于说明半导体晶片W中的形成为矩阵状的多个发光元件中的抽样区域及其中的采样芯片的晶片俯视图。

图7(a)是示意地表示令半导体晶片W整个面为一定的抽样区域E的情况下的采样芯片SC(测定芯片)的俯视图，(b)是示意地表示取出(a)的一部分而得到的多个发光元件的抽样区域E及其中央的采样芯片SC(测定芯片)的图。

图8(a)是示意地表示将半导体晶片整个面分为中央部及其周边部地设定抽样区域E的情况下的采样芯片SC(测定芯片)的俯视图，(b)是示意地表示将(a)的一边界部取出而得到的多个发光元件的抽样区域E1、E2及其中央的采样芯片SC(测定芯片)的图。

图9(a)是示意地表示将半导体晶片整个面分为多个级别(例如3个级别；亮度级别)地设定抽样区域E的情况下的采样芯片SC(测定芯片)的俯视图，(b)是示意地表示在(a)的一边界部使抽样区域E移动的情况下的图。

图10是表示用于说明插补检查评价的判断基准的正规分布的图。

图11是表示包含中央的测定芯片Z的单位抽样区域在X轴方向和Y轴方向上相邻的4个单位抽样区域和测定芯片A_X的俯视图。

图12是用于说明相对于X轴方向和Y轴方向上的中央的测定芯片Z的、上下左右的各区域的测定芯片(A_X；A～A3)的变动率的图。

图13是按图12的插补方向(X轴方向，Y轴方向)不同的亮度PO分布比较图。

图14是表示专利文献1公开的现有的检查系统的主要部分结构例的框图。

附图标记说明

1检查系统

2控制部(CPU；中央运算处理装置)

21抽样检查部

22合格与否判断部

23检查插补部

24等级划分部

25信息制作部

3显示部

4操作部

5ROM(可读记录介质)

6RAM

7光学特性检查部

71探针卡

711探针

72积分球

73多芯片探针

74基台

75移动台

8DC特性检查部

81粘接带

82半导体元件芯片(芯片)

9数据库

10位置控制装置

W半导体晶片

E、E1、E2抽样区域

SC采样芯片(测定芯片)。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明本发明的检查系统和使用该检查系统的检查方法，以及存储有记载了用于使计算机执行该检查方法的各步骤的处理流程的控制程序的计算机可读取的可读存储介质。此外，各图中的结构部件各自的厚度和长度等从附图制作方面的观点出发，不限于图示的结构。

(实施方式1)

图1是表示本发明的实施方式1的检查系统的主要部分硬件结构例的框图。

在图1中，本实施方式1的检查系统1由计算机系统构成，包括：作为进行整体的控制的控制部的CPU2(中央运算处理装置)；在显示屏上显示初始画面、选择场景、CPU2的控制结果画面和操作输入画面等的显示部3；用于对CPU2输入指令的键盘、鼠标、触摸面板，另外经由通信网络(例如因特网、内部网)接收输入的输入装置等的操作部4；作为存储有控制程序及其数据等的计算机可读取的可读记录介质的ROM5；在启动时读取控制程序及其数据等，在由CPU2进行的每个控制中读取和存储数据的作为工作存储器运行的存储部的RAM6；使用后述的多芯片探针检查光学特性的光学特性检查部7；作为使用后述的多芯片探针检查各种电特性(例如DC特性)的电特性检查部的DC特性检查部8；用于存储作为光学特性检查部7和DC特性检查部8的检查结果的各种数据并且能够对其进行参照的数据库9；和控制后述的多芯片探针的位置的位置控制装置10。

作为控制部的CPU2，进行控制，基于合成以下数据而得到的信息来制作关于每个等级的发光元件组的信息：对多个光学元件进行抽样检查而得到的发光元件的光学特性值；基于该发光元件的光学特性值，通过检查插补来求出的未检查的发光元件的光学特性值；和对全部光学元件检查电特性(DC特性)而得到的判断信息以及各个电特性值。

即，作为控制部的CPU2，除了来自操作输入部3的输入指令之外，还基于从ROM5内读出到RAM6内的控制程序及其所使用的各种数据，具有抽样检查部21、合格与否判断部22、检查插补部23、等级划分部24和信息制作部25，检查多个光学元件的光学特性和电特性(DC特性)，基于该检查结果实施DC特性和光学特性的等级划分。

作为可读记录介质的ROM5，除了硬盘之外，还可以由能够携带的光盘、光磁盘、磁盘和IC存储器等构成。该控制程序及其数据等存储在ROM5中，但该控制程序及其数据也可以从其它的可读记录介质或者经由无线、有线或网络下载到ROM5中。

抽样检查部21收集基于抽样检查得到的关于多个光学元件的光学特性(亮度特性(光量)和波长特性(颜色)等)的信息。

合格与否判断部22在收集了全部进行DC测定而得到的DC特性(电特性)的测定数据(将规定电流供给到芯片端子间时的电压数据等)后，对规格所规定的判断值(例如规定电压范围)，以全部发光元件的样本为对象进行DC测定的合格品/不合格品(良品/不良品)的合格与否判断。

检查插补部23使用规定的插补法，基于由抽样检查部21检测光学特性而得到的特性值，通过规定的运算求取未进行抽样检查的未检查的发光元件的特性值。在此，根据特性值实施几十个至几百个程度的插补运算。作为插补运算，能够使用根据单纯进行平均化的程度的运算、或根据矢量运算、加权运算、连续的多个值的平均值和离散值、差值求取的运算方法等。并且，能够使用样条插补法、拉格朗日插补法、多项式插补法等统计学上确立的插补方法。无论如何，在使用一定的半导体工艺一并制造发光元件的情况下，能够形成发光元件的光学特性值连续变化的发光元件，因此，基于由抽样检查得到的发光元件的光学特性值，能够求取作为位于与其连续的位置的值的未检查的发光元件的光学特性值。

等级划分部24基于抽样检查部21收集的发光元件的光学特性值、检查插补部基于该发光元件的特性值求得的未检查的发光元件的光学特性值、电特性数据(全部芯片的DC特性数据的合格与否判断结果信息)以及各个电特性值合成而得到的信息，制作关于每个等级的发光元件组的信息。

信息制作部25基于从等级划分部24提供的关于等级和部件的组的信息，制作期望的信息(例如出货信息)。

(光学特性检查部7和DC特性检查部8的说明)

在此，对光学特性检查部7和DC特性检查部8进行更加详细的说明。

图2是表示本发明的实施方式1中的多芯片探针的概略结构的主要部分结构图。

在图2中，光学特性检查部7是用于测量亮度和发光色等的光学特性测试器，从探针卡71的中央窗，使发光元件(例如LED芯片)的发光依次入射积分球72，或使出射光依次入射在此未图示的在LED芯片的光轴上设置有多个的多个PD(光电二极管)等的受光单元，对于发光色(波长特性等)和发光量(亮度特性等)等的光学特性，进行按顺序的发光控制，由此连续多个地进行检查。

DC特性检查部8是检查电特性(DC特性)的动作特性测试器，从探针卡71输入电信号(电压或电流)，对要检查的器件例如发光元件(LED芯片)的IV特性等的电动作特性以多个同时检测的方式进行检查。

在探针卡71设置有与下表面的多个探针711各对连接的各端子，各端子与光学特性检查部7(光学特性测试器)、DC特性检查部8(动作特性测试器)连接，对各半导体芯片的电极焊盘施加规定电压或流过规定电流而使其发光，来进行规定的检查。

多芯片探针73能够将切断后的各半导体芯片(例如LED芯片)固定在上表面，对于设置在基台74上的移动台75，在将半导体晶片W搭载在其上表面的状态下，利用位置控制装置10能够在X轴、Y轴和Z轴的3轴方向和旋转方向上进行移动控制。

图3是表示使用图2的多芯片探针，同时接触芯片化后的多个电极焊盘，以多个同时检测的方式进行检查的情形的示意图。

在图3中，在中央具有大孔的平板状的支承架的背面粘贴的能够伸缩的粘接带81上，粘贴有切断后(芯片化后)的多个半导体元件芯片82(以下简称为芯片)。来自半导体晶片W的切断后的多个芯片82的各电极焊盘的配置，具有在纵方向上排列的情况，也具有在横方向上排列的情况。无论哪个情况，该粘接带81上的各芯片82的位置，随着粘接带81被向外方拉伸而使各芯片82的间隔扩展。因此，各芯片82的间隔发生变化，各芯片82成为不规则排列的状态。对于该不规则排列的切断后的多个芯片82上的电极焊盘的配置，相对于固定在探针卡71的各探针711的对，利用位置控制装置10对移动台75的3轴位置和旋转位置进行移动控制，能够使得各探针711与各电极焊盘最大限度地相互接触。

位置控制装置10，在此未图示但具有探针位置检测单元和焊盘位置检测单元，基于来自探针位置检测单元和焊盘位置检测单元的各图像数据，检测多个探针711的前端和各芯片82上的各电极焊盘的各位置，基于检测到的多个探针前端和各电极焊盘的各位置，以多个探针711的对的前端位置与检查对象的各芯片82的各电极焊盘对应的方式控制移动台75上的该各电极焊盘的3轴坐标位置并且控制绕Z轴的旋转位置。由此，各探针711能够与各电极焊盘最大限度地相互接触。

(检查系统1的动作)

以下，根据上述结构说明其动作。

图4是用于说明图1的检查系统1的动作的步骤流程图。

如图4所示，在步骤S1的光学特性的测定及其数据收集步骤中，基于预先确定的抽样规则进行发光元件的光学特性值的抽样检查。即，使光学特性检查部7和移动台75(位置控制装置10)起动，抽样检查部21收集在晶片W的面内部分地抽取规定的测定点来进行光学测定而得到的光学特性数据。

接着，在步骤S2的DC特性的测定及其数据收集步骤中，步骤S1的光学特性的测定及其数据收集后或在其过程中，使DC特性检查部8和移动台75(位置控制装置10)起动，对在晶片W上呈矩阵状排列的多个发光元件全部实施检查(DC测定)，合格与否判断部22收集该DC测定得到的DC特性数据。即，为了除去IR/VF不良，对晶片整个面的全部芯片实施DC测定而获得DC特性数据。

进而，在步骤S3的检查插补步骤中，在步骤S1的光学特性的测定及其数据收集后，检查插补部23使用规定的插补法，通过运算求取抽样检查部21未进行抽样检查的未检查的发光元件的光学特性值。即，检查插补部23对于未测定的多个芯片的各光学特性，基于已检查到的光学特性数据，通过进行规定的运算来求取未测定的光学特性数据。

进而，在步骤S4的合格与否判断步骤中，在收集了步骤S2的全部DC测定得到的DC特性数据后，合格与否判断部22对规格所规定的判断值，以全部发光元件的样本为对象，判断DC测定的合格品/不合格品，获得发光元件的合格与否信息。

接着，在步骤S5的等级划分步骤中，在步骤S4的合格与否判断后，等级划分部24合成由抽样检查部21抽样检查到的发光元件的光学特性值、由检查插补部23插补而得到的未检查的发光元件的光学特性值、由合格与否判断部22进行合格与否判断而得到的DC测定的DC特性值(合格品/不合格品)以及各个电特性值，按每个等级收集发光元件组，形成等级划分信息。将该等级划分信息存储在数据库9中。总之，等级划分部24通过合成光学特性数据和DC特性数据，获得从晶片坐标面上的多个光学特性数据中除去了与DC特性数据的不合格品对应的数据而得到的光学特性数据，对其按等级区分，形成等级划分数据。此外，获得从DC特性数据中除去了与DC特性数据的不合格品对应的数据而得到的DC特性数据，对其按等级区分，能够形成等级划分数据。

总之，本实施方式1的检查方法具有控制步骤，使作为控制部的CPU2基于合成以下数据而得到的信息(位置坐标上的图像信息)来控制制作关于每个等级(级别)的发光元件组的信息：光学特性检查部7对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的发光元件的光学特性值；基于由光学特性检查部7抽样检查而得到的多个光学特性值，通过插补运算求取的未检查的发光元件的光学特性值；和DC特性检查部8对多个光学元件全部检查电特性(DC特性)，由合格与否判断部22判断出的合格与否信息(合格品/不合格品信息)以及各个电特性值。

该控制步骤具有：抽样检查步骤，收集抽样检查部21收集由光学特性检查部7对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个光学元件的光学特性值；检查插补步骤，检查插补部23使用规定的插补法，基于进行抽样检查而得到的光学元件的光学特性值，求取未进行抽样检查的未检查的多个发光元件的特性值；合格与否判断步骤，合格与否判断部22进行DC特性检查部8对晶片(基板)整个面的多个光学元件进行全部检查而得到的电特性(DC特性)的合格与否判断；和等级划分步骤，等级划分部24基于将抽样检查部21收集的多个发光元件的光学特性值、检查插补部23求出的未检查的多个发光元件的光学特性值、合格与否判断部22判断出的电特性(DC特性)的合格与否信息(合格品/不合格品信息)以及各个电特性值合成而得到的图像信息(图像化信息)，制作关于每个等级的发光元件组的信息。

在该情况下，对测定光学特性的步骤和测量电特性(DC特性)的步骤进行处理流程的分离，且在这两个步骤中利用与测量的内容相应的设备进行检查。

(等级划分的变形例)

虽然说明了等级划分部24基于将抽样检查部21收集的发光元件的光学特性值、检查插补部基于该发光元件的特性值求取的未检查的发光元件的光学特性值、和电特性数据(全芯片的DC特性数据的合格与否判断结果信息)合成而得的信息，制作关于每个等级的发光元件组的信息，但是也可以如以下的方式进行等级划分。

在步骤S3的检查插补步骤中，在检查插补部23对于未测定的多个芯片的各光学特性，基于检查得到的光学特性数据进行规定的运算而求出未测定(未检查)的光学特性数据后，等级划分部24基于将抽样检查部21收集到的发光元件的光学特性值、和检查插补部基于该发光元件的特性值求出的未检查的发光元件的光学特性值合成而得到的信息，制作关于每个等级的发光元件组的信息A(光学特性等级划分数据)。

另外，在步骤S4的合格与否判断步骤中，在收集了步骤S2的全部DC测定的DC特性数据后，合格与否判断部22对于规格所规定的判断值，以全部发光元件的样本为对象，判断DC测定的合格品/不合格品而得到发光元件的合格与否信息后，等级划分部24基于将电特性(DC特性)的合格与否信息(合格品/不合格品信息)和各个电特性值合成而得到的图像信息，制作关于每个等级的发光元件组的信息B(电特性等级划分数据)。

然后，在步骤S5的等级划分步骤中，等级划分部24合成关于每个等级的发光元件组的信息A(光学特性等级划分数据)和关于每个等级的发光元件组的信息B(电特性等级划分数据)，按每个等级收集发光元件组，形成等级划分信息。如上所述，对光学特性数据和电特性数据各自进行等级划分后，即使将光学特性等级划分数据和电特性等级划分数据合成，也能够获得与之前说明的检查系统1的动作相同的结果。

(检查流程事例)

图5是表示利用光学插补进行的光学特性检查和DC特性检查的流程事例的图，(a)是表示发光元件测试的一般的处理流程的图，(b)是表示本实施方式1的流程事例A的图，(c)是表示本实施方式1的流程事例B的图。

如图5(a)所示，在发光元件测试的一般的处理流程中，并不是一开始就测定晶片面内的全部芯片，而在(晶片测试WT)的流程中，实施部分的抽样测定。在此的抽样检查中，测定光学特性和电特性双方，根据该测定结果来判断芯片形成的完成情况。

其目的在于，形成的LED芯片与大规模集成电路芯片相比非常小，搭载于一个晶片的芯片数非常多，因此，以向芯片化加工等后工序转移前的转移判断和测定出的特性数据为基础，向前半工序反馈特性信息。

(晶片测试WT)完成时，在芯片化加工的流程中，从半导体晶片单片化(芯片化)为多个芯片，加工成在粘接带上使芯片位置向外方拉伸的扩展状态。

在(芯片测试CT)流程中，以在粘接带上处于扩展状态的全部芯片为对象，测定光学特性和电特性。

在排序流程中，利用在芯片测试流程中测定的各个光学特性数据和电特性数据，对各种的各级别进行等级划分，按各等级进行排序处理，对多个芯片按等级进行区分，按各等级收集发光元件芯片。

图5(b)是本实施方式1的检查系统1进行的一个方法(流程事例A)，通过抽样进行光学特性检查(OPT)，利用插补运算求出未检查品的光学特性数据，在从半导体晶片W单片化(芯片化)为多个芯片后，在粘接带上使芯片位置向外方拉伸的扩展状态下对全部芯片以4个同时测量(或多个同时测量)的方式进行DC特性测定。

之后，根据光学特性数据和DC特性数据对各种的各级别进行等级划分，按各等级进行排序处理，分配多个芯片，按各等级收集多个芯片。

如图5(c)所示，是本实施方式1的检查系统1进行的另一方法(流程事例B)，通过抽样进行光学特性检查(OPT)，通过插补运算求出未检查品的光学特性数据，在晶片状态下以32个同时测量(或者多个同时测量)来对全部芯片进行DC特性测定。

接着，在从半导体晶片W单片化为(芯片化)多个芯片后，根据光学特性数据和DC特性数据对各种的各级别进行等级划分，按各等级进行排序处理，分配多个芯片，按各等级收集多个芯片。

以上的流程事例A、B各自离线实施光学插补运算和DC测定结果的图像合成处理。流程事例A、B中不同的是更换“DC测定”和“芯片化”的顺序。即，在晶片状态下进行DC测定的情况下，以32个同时测量的方式对32个一并进行检查，在芯片化状态进行DC测定的情况下，以4个同时测量的方式对4个一并进行检查，与流程事例A相比，流程事例B的检查效率大幅提高。此外，在流程事例B中，以光学特性检查(OPT)、DC测定、芯片化来说明了流程顺序，但是，也可以是以DC测定、光学特性检查(OPT)、芯片化的DC测定为先的流程顺序。

对于以上的流程事例A、B的选择而言，根据芯片化步骤(单片化步骤)的加工精度决定。在芯片化步骤(单片化步骤)中不合格品比基准数(容许范围)多的情况下，选择流程事例A，通过在实施“芯片化”后实施“DC测定”(4个同时测定)，不仅能够去除在晶片处理阶段的芯片形成异常导致的不良芯片，还能够去除因芯片化加工时的割裂、缺口(受漏电流影响而芯片不良)而引起不良的芯片等全部的不良芯片，因此能够提高芯片的检查品质。

另一方面，在芯片化步骤(单片化步骤)中不良数比基准数(許容范围)少的情况下，选择流程事例B，在“DC测定”(32个同时测定)的后实施“芯片化”能够使检查效率大幅提高。这是因为，在晶片状态下进行DC测定，不需要考虑扩展后的状态下的单片化后的芯片的间隔、倾斜，对均匀排列的芯片容易保持同样的电接触状态，能够将同时测量个数设定得较多。

在该情况下，需要用于多个同时测量(多个一并检查)的探针卡的运用或者小型化的机械手探针。

另外，在图5(b)和图5(c)的流程事例A、B中使用的设备中，能够不进行改造地有效利用搭载有一个用于测定光学特性的单元、一个用于测量电特性的测定单元的、用于对发光元件进行检查、测定的通用设备，总之，测定光学特性的设备能够测量光学特性和电特性(DC特性)双方，因此，在光学特性检查(OPT)的测定流程中，可以实施DC测定，在该情况下能够使芯片的检查品质进一步大幅提高。

(插补数据数；抽样芯片数)

作为抽样芯片数，能够决定例如以发光元件(芯片)的5个×5个(1个/25个)、10个×10个(1个/100个)、15个×15个(1个/225个)、···5n个×5n个(1个/5n个×5n个)(n为自然数)等、n个×n个(1个/n个×n个)(n为2以上的自然数)，如图6所示在半导体晶片W中形成为矩阵状的多个发光元件(芯片)中的抽样区域E和每个抽样区域E中1个采样芯片SC(在此，中央位置的发光元件为测定芯片)。

因制造装置而存在DC测定级别和光学测定级别在晶片面内变动性少的情况和变动性多的情况。作为抽样芯片数的导入事先评价，对于DC测定级别和光学测定级别在晶片面内变动性比基准值多的半导体晶片W而言，将抽样区域E设定得较小(例如5个×5个)。另外，对于DC测定级别和光学测定级别在晶片面内变动性比基准值少的半导体晶片W而言，将抽样区域E设定得较大(例如15个×15个)。

总之，作为抽样芯片数的导入事先评价，根据制造装置的级别变动性设定抽样区域E的尺寸。实际上，在每个制造装置中，作为抽样芯片数的导入事先评价，调整抽样区域E的尺寸，并且比较各种级别(等级)的个数，实际测量直至抽样检查与全部检查没有差的程度后，设定抽样区域E的尺寸。其调整方法基于图7(a)和图7(b)～图9(a)和图9(b)进行说明。

(抽样芯片数的导入事先评价的事例)

图7(a)是示意地表示令半导体晶片W整个面为一定的抽样区域E的情况下的采样芯片(测定芯片)的俯视图，图7(b)是示意地表示将图7(a)的一部分取出后的多个发光元件的抽样区域E及其中央的采样芯片SC(测定芯片)的图。

如图7(a)和图7(b)所示，在令单位抽样区域E1为例如发光元件(芯片)的5个×5个(25个)的一定的情况下，在半导体晶片W中每25个的单位抽样区域E1依次呈矩阵状存在。在每个单位抽样区域E1中，采样芯片SC(测定芯片)设置在中央，作为整体以1个/25个的比率存在测定芯片。在该状态下，基于进行光学测定和DC测定获得的特性数据没有级别变动的情况下，如图8(a)和图8(b)所示，能够分为中央区域和外周区域地设定为单位抽样区域E1、E2。

图8(a)是示意地表示将半导体晶片整个面分为中央部及其周边部地设定抽样区域E的情况下的采样芯片SC(测定芯片)的俯视图，图8(b)是示意地表示将图8(a)的一边界部取出而得到的多个发光元件的抽样区域E1、E2及其中央的采样芯片SC(测定芯片)的图。

如图8(a)和图8(b)所示，一般来说，对于半导体晶片而言，中央部难以产生级别变动因而比较稳定，其周边部比较容易产生级别变动。因此，半导体晶片的周边部例如设定为发光元件(芯片)的5个×5个(25个)的单位抽样区域E1，但是级别变动少的晶片中央部能够设定为比单位抽样区域E1大。总之，使单位抽样区域E的大小在半导体晶片的周边部和中央部不同。晶片中央部较大地设定为发光元件(芯片)的15个×15个(225个)的单位抽样区域E2时，能够与此相应地大幅提高检查时间效率。

总之，例如即使以发光元件(芯片)的15个×15个(225个)的单位抽样区域E2进行检查，或以发光元件(芯片)的5个×5个(25个)的单位抽样区域E1进行检查，级别个数与全部检查相比均没有变动的情况下，能够设为较大的光学元件(芯片)的15个×15个(225个)的单位抽样区域E2。在该情况下，级别变动在晶片中央稳定，因此能够在晶片中央设定更大的单位抽样区域E2的尺寸。

图9(a)是示意地表示将半导体晶片整个面分为多个级别(例如3个级别；亮度级别)地设定抽样区域E的情况下的采样芯片SC(测定芯片)的俯视图，图9(b)是示意地表示在图9(a)的一边界部使抽样区域E移动的情况下的图。

如图9(a)和图9(b)所示，在将半导体晶片整个面分为多个级别(例如3个级别；亮度级别)的情况下，当用MOCVD装置等改善了面内倾向等时，也应该能够较大地改善单位抽样区域E。需要评价被决定的单位抽样区域E是否正确。

(抽样芯片数的导入事先评价的判断基准；插补检查评价的判断基准)

图10是表示用于说明插补检查评价的判断基准的正规分布的图。

如图10所示，用虚线表示等级划分部24划分的每个等级的发光元件组的情况下的等级边界值(级别边界值)，阴影区域表示测量精度、反复误差范围的宽度，其中的双线表示插补级别差。

总之，作为插补检查评价的判断基准，在用虚线表示的级别边界值周边中，与阴影区域的测量精度、反复误差范围的宽度相比双线的插补级别差的范围小时，能够判断设定的单位抽样区域E是“没有问题”。即，能够用插补检查和晶片整个面芯片光学检查的实测值与级别计数的相差数(插补级别差)进行判断。

由此，当插补检查和晶片整个面芯片光学检查的实测值与级别计数的相差数(插补级别差)小于测量精度、反复测定精度、单片化芯片测定时的测定误差等的误差区域所包含的级别计数时，能够获得与现有的晶片整个面芯片光学检查同等的级别识别精度，作为插补检查评价的判断能够判断为“没有问题”。在“有问题”的情况下，需要使插补区域(抽样区域)抽样数进一步变得精细，对相差数进行再评价。

(抽样测定芯片的测定光学特性值的插补)

接着，说明抽样测定芯片(采样芯片SC)的光学特性的校正。

存在光学测定的特性值自身包含误差而成为不良的情况，即在半导体晶片状态下的光学测定中探针711与发光元件(芯片)的端子的接触不完全的情况。在本实施方式1中，不进行接触更不稳定的芯片化状态下的光学测定，光学测定在晶片状态下进行测定，所以能够在更可靠的状态下测量光学特性。晶片状态下的光学测定与单片化后的光学测定，因为测定值产生不同所以为了使彼此的测定值一致，需要对一方进行校正。作为抽样测定芯片(采样芯片SC)的测定特性值的判断方法使用图11～图13进行说明。

图11是表示包含中央的测定芯片Z的单位抽样区域在X轴方向和Y轴方向上相邻的4个单位抽样区域和测定芯片A_X的俯视图。

如图11所示，计算出相邻区域光学特性变动率(亮度值变动率；Z/A_X×100)，通过相邻区域光学特性变动率是否在暂定值(95％)以上，来判断是否对Z值(光学特性值)进行校正。即，比较中央的测定芯片Z的Z值(光学特性值)及其上下左右的各区域的测定芯片(A_X；A～A3)的光学特性值，在相对于Z值(光学特性值)的相邻区域的测定芯片的光学特性值的变动率在暂定值(95％)以上的情况下，对中央的测定芯片Z的Z值(光学特性值)不进行校正，使用Z值(光学特性值)对包含中央的测定芯片Z的单位抽样区域(Z区域)内的未检查芯片进行插补。

比较中央的测定芯片Z的Z值(光学特性值)及其上下左右(A_X；A～A3)的各区域的测定芯片的光学特性值，在相对于Z值(光学特性值)的相邻区域的测定芯片的光学特性值的变动率小于暂定值(95％)的情况下，对于中央的测定芯片Z的Z值(光学特性值)，使用其上下左右(A_X；A～A3)的各区域的测定芯片的光学特性值进行校正。

图12是用于说明相对于X轴方向和Y轴方向上的中央的测定芯片Z的、其上下左右的各区域的测定芯片(A_X；A～A3)的变动率的图。图13是按图12的插补方向(X轴方向.Y轴方向)不同的亮度PO分布比较图。

如图12所示，相对于X轴方向上的中央区域的测定芯片Z的光学特性值(亮度值PO)的、其左右的各区域的测定芯片A2和A3的光学特性值(亮度值PO)的变动率为93.4％、92.0％，相邻区域的测定芯片的光学特性值的变动率小于暂定值(95％)，因此中央区域的测定芯片Z为NG芯片。

另外，相对于Y轴方向上的中央区域的测定芯片Z的光学特性值(亮度值PO)的、其上下的各区域的测定芯片A和A1的光学特性值(亮度值PO)的变动率为92.4％、92.2％，相邻区域的测定芯片的光学特性值的变动率小于暂定值(95％)，因此在该情况下中央区域的测定芯片Z也为NG芯片。

X轴方向上的变动率93.4％、92.0％的变动率差为1.4％，Y轴方向上的变动率92.4％、92.2％的变动率差为0.2％，与X轴方向的变动率差相比，Y轴方向的变动率差较小。利用变动率差小的Y轴方向的亮度差小的区域，对中央区域的测定芯片Z的光学特性值(亮度值PO)进行插补，由此能够减少插补区域(中央区域)的误差。具体来说，X轴方向(A3-A2)的变动率为1.4％、Y轴方向(A1-A)的变动率为0.2％，因此最大能够提高约1％的精度。

如图13所示，可知在位置坐标的亮度值PO中与Y轴方向相比X轴方向的亮度变化较大。

(总结)在此，对本实施方式1的检查系统1进行总结说明。

将由光学特性检查部7进行的光学测定(亮度LPO，波长LWD等)与由DC特性检查部8进行的DC测定(表示正方向电压特性的VF、逆偏置电压施加时的漏电流测定IR等)的流程分离，用各自的专用设备分别或同时进行检查。另外，光学测定，需要花费大量时间，所以不进行全部检查(一个晶片1中发光元件例如为10万个)，例如进行从每10个×10个的100个的区域中抽取1个的抽样检查，从而大幅削减检查数量(1/100)。对于一并多个同时测量比较困难的光学测定，使用抽样检查，能够大幅缩短检查时间。对于光学测定而言，抽样检查部21通过规定比率(例如1/100个)的抽样检查能够缩短抽样测定数/全部测定数的时间(1/100)。检查插补部22根据收集了的部分的抽样测定数据(例如1/100个)，对其周边区域(例如99/100个)离线地进行数据插补运算，使其一致，生成半导体晶片W的晶片面内全部芯片的光学特性数据。

DC测定通过使用半导体集成电路(LSI)进行VF、IR的合格/不合格的区分，例如容易进行几十个同时测量、几百个同时测量等多个同时测量，能够实现多个同时测量的短时间处理。

DC测定通过进行全部检查而使不合格品的发光元件明确，将其从光学测定数据中去除。如上述方式，通过将DC特性的全部测定数据和光学特性数据(包含插补数据)合成，能够保证对于插补方法的生产品质。在DC测定中，能够以可测定的特性精度高的方式获得使几μA～几百mA的电流在芯片端子间流动时的电压特性，因此在DC测定中电流值越小越能够进行精度高的合格/不合格的区分(例如能够测定1μA输入时的正向电压VF)。在光学测定的情况下，在1μA的电流中难以进行发光，例如流过几十mA～几百mA的电流进行发光，但是，与其相比，即使DC测定一方明显为低的电流值，也能够测定芯片的特性输出值，因此，对于合格/不合格的区分而言，与光学测定相比DC测定一方能够高精度区分芯片的合格/不合格。此时，光学测定的光学特性与DC测定的DC特性彼此具有相关性。因此，DC测定的不合格品在光学测定中也判断为不合格品，在DC测定中进行合格/不合格的区分，由此，即使在抽样检查之后的插补处理进行的光学测定中也不会漏掉不合格品。在DC测定的DC特性中将不合格品从各发光元件的光学特性数据中去除，能够高精度地区分各发光元件的光学特性自身的合格/不合格。

在晶片状态下的检查实施的情况下，使用LSI的测量技术(探测技术)。一并同时测量几十至数百个发光元件，例如能够缩短至1/256的时间。

在芯片化后(单片化后)检查实施的情况下，能够使用4个一并同时测量法等的n个一并同时测量法(n为4以上的自然数)。

另外，对于图5(b)的实施流程而言，在上述为止记载的芯片化后(单片化后)实施检查的情况下，记载了4个一并同时测量法的事例，但是，在实施扩展即芯片化加工的最终步骤之前进行DC测定时，与芯片排列的间隔偏差、芯片的倾斜无关地，对与晶片状态同样处于整列状态的芯片进行探针接触，因此能够几十至几百个一并同时测量。

并且，在实施了扩展后，进行DC测定的情况下，也能够通过调整扩展率，从而不限于4个同时测量地以其以上的同时测量数实施DC测试。这是因为，当将扩展率设定得较小时，扩大率变小，芯片排列的间隔偏差和芯片的倾斜的偏差误差也成比例地变小，因此芯片的电极PAD位置的偏差也变小，所以能够增加可一并接触同时测量的芯片数。总之，通过紧接在扩展率的变更、扩展之前实施DC测试，能够扩大同时测量数。

光学测定，通过抽样检查，大幅削减多个光学元件的检查个数。当光学测定和DC测定以测定大致同时结束的方式并行进行时，能够大幅削减检查工时。通过对发光元件的10个×10个的区域一并同时进行DC测定，同时判断半导体晶片W上的各坐标位置的合格/不合格，将其判断结果与晶片坐标数据一起存储在数据库9中。此时，在实施1个光学元件的发光测定后，检查插补部22通过规定的插补法对未进行抽样检查的未检查的发光元件的光学特性值进行插补。并且，通过光学晶片面内的光学特性的倾向性/变动性数据(事先的全数评价结果)决定的运算算法，能够获得级别分类在实测与运算中没有差别的结果。

总之，通过DC全部测定，能够仅以DC全部测定所需的短时间，获得与光学特性的全部测定相同的结果。特性级别的级别个数、即各级别的总计个数能够通过光学插补法获得与全部光学测定相同的结果。

虽然依赖于晶片的制造工艺的做工和出货(分类)的标准级别的特性范围，标准级别相对于1个半导体晶片W收敛于2种～3种的情况下，能够容易确保等级划分的精度。对除DC测定不良之外的DC特性数据进行多个等级划分，其中，能够进行光学特性的等级划分。在光学特性的等级划分中，亮度特性的等级划分可以为多个，并且在其中可以存在波长特性的等级划分。

如上所述，根据本实施方式1，具有作为控制部的CPU2，该控制部基于将光学特性检查部7对每规定数量的光学元件进行抽样检查而使抽样检查部21收集的发光元件的光学特性值、检查插补部23基于光学特性检查部7抽样检查而得到的多个光学特性值通过插补运算求出的未检查的发光元件的光学特性值、DC特性检查部8对晶片整个面的多个光学元件全部检查电特性(DC特性)而由合格与否判断部22判断出的合格与否信息(合格品/不合格品信息)合成而得到的图像信息，控制等级划分部24制作对每个等级的发光元件组进行级别划分而得到的信息。

由此，通过进行全部DC特性检查，对光学特性进行抽样检查，也能够得到更加稳定的等级划分，使生产品质良好。

(实施方式2)

对以上的实施方式1的图5(b)和图5(c)的流程事例而言，说明了利用不同的流程实施光学特性的抽样检查和DC特性的全部检查的情况，但是，在本实施方式2中，如图5(d)和图5(e)的流程事例那样，对在1台设备中集中光学特性的元件单体测定和DC特性的多个同时测量功能来进行检查(OPT+DC)的情况进行说明。此外，在本实施方式2中，除了图5(d)和图5(e)的流程事例以外，其余内容例如(插补数据数；抽样芯片数)、(抽样芯片数的导入事先评价的事例)、(抽样芯片数的导入事先评价的判断基准；插补检查评价的判断基准)、(抽样测定芯片的测定光学特性值的插补)等与上述实施方式1的情况相同。

图5(d)和图5(e)是表示通过一台设备实施本实施方式1的流程事例的情况的本实施方式2的流程事例的一例的图。在此，“OPT”表示抽样测定，“DC”表示全部测定(电)。

在图5(d)的情况下，使用图3记载的多芯片探针，进行处于晶片状态的发光元件的检查。同时与均匀整列的电极焊盘接触，一边反复进行以全部测定为对象的DC特性的测定(多个同时接触)，一边在适当时刻，通过光学特性检查部7实施抽样测定。

图5(e)的情况也同样，在芯片化后的以多个同时测量的方式进行检查的状态下，一边反复进行以全部测定为对象的DC特性的测定(多个同时接触)，一边在适当时刻，通过光学特性检查部7实施抽样测定。

适当时刻是指图4的流程中的、基于预先确定的抽样规则的与发光元件接触的时刻。

就DC特性和光学特性的测定时刻而言，DC特性的测量能够同时测定，但是，就光学特性而言，当进行同时测量时在元件间产生光的干渉，无法测量正确的光量，因此，具有能够进行使接触的发光元件单独发光的按顺序的发光/测定控制的功能。

此外，如以上所示，使用本发明的优选的实施方式1、2例示了本发明，但是本发明不限于解释为该实施方式1、2。本发明应理解为仅根据专利申请的范围来解释其范围。应理解为本领域技术人员根据本发明的具体的优选的实施方式1、2，基于本发明的记载和技术常识能够实施等效的范围。在本说明书中引用的专利、专利申请和文献，应理解为其内容自身与具体在本说明书中记载的内容同样，其内容作为对本说明书的参考而被引用。

工业上的可利用性

本发明在进行半导体晶片上的多个半导体芯片的各种检查的检查系统、使用该检查系统的检查方法、和存储有记载了用于使计算机执行该检查方法的各步骤的处理流程的控制程序的计算机可读取的可读存储介质的领域中，通过进行全部检查DC特性，抽样检查光学特性，能够进行更加稳定的等级划分，使生产品质良好。

Claims (5)

1.一种检查多个光学元件的光学特性和电特性的检查系统，其特征在于：

具有控制部，该控制部基于合成以下数据而得到的信息来控制制作关于每个等级的发光元件组的信息：对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个发光元件的光学特性值；基于该抽样检查得到的多个光学特性值，通过插补运算求出的未检查的多个发光元件的光学特性值；和对基板整个面的多个光学元件全部检查该电特性而得到的合格与否信息以及各个电特性值。

2.如权利要求1所述的检查系统，其特征在于：

所述控制部包括：

抽样检查部，其收集对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的多个光学元件的光学特性值；

检查插补部，其使用规定的插补法，基于该抽样检查得到的多个光学元件的光学特性值，求出未进行该抽样检查的未检查的多个发光元件的光学特性值；

合格与否判断部，其分别进行对基板整个面的多个光学元件全部检查而得到的多个所述电特性的合格与否判断，获得该多个电特性的合格与否信息；和

等级划分部，其基于将该抽样检查部收集的多个发光元件的光学特性值、该检查插补部求出的未检查的多个发光元件的光学特性值、该多个电特性的合格与否信息和各个电特性值合成而得到的图像信息，制作所述关于每个等级的发光元件组的信息。

3.如权利要求1所述的检查系统，其特征在于：

对测定所述光学特性的步骤和测量所述电特性的步骤进行处理流程的分离，并且在各步骤中使用与测量的内容相应的设备进行检查。

4.一种检查多个光学元件的光学特性和电特性的检查方法，其特征在于：

具有控制步骤，使控制部基于合成以下数据而得到的信息来控制制作关于每个等级的发光元件组的信息：对每规定数量的光学元件进行抽样检查而得到的发光元件的光学特性值；基于该抽样检查得到的多个光学特性值，通过插补运算求出的未检查的发光元件的光学特性值；和对该多个光学元件全部检查电特性而得到的合格与否信息以及各个电特性值。

5.一种计算机可读取的可读存储介质，其特征在于：

存储有记载了用于使计算机执行权利要求4所述的检查方法中的控制步骤的处理流程的控制程序。