CN105633094B - 一种有机发光显示装置及其制备方法 - Google Patents

一种有机发光显示装置及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105633094B
CN105633094B CN201511022270.3A CN201511022270A CN105633094B CN 105633094 B CN105633094 B CN 105633094B CN 201511022270 A CN201511022270 A CN 201511022270A CN 105633094 B CN105633094 B CN 105633094B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
organic light
display device
emitting display
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201511022270.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105633094A (zh
Inventor
杜哲
王瑞彬
高利朋
卢明伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd filed Critical Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority to CN201511022270.3A priority Critical patent/CN105633094B/zh
Publication of CN105633094A publication Critical patent/CN105633094A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105633094B publication Critical patent/CN105633094B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Abstract

本发明所述的有机发光显示装置，包括基板、设置在所述基板上方的薄膜晶体管，薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使有源层、栅极、源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层；源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间由绝缘阻隔壁隔开。采用绝缘的阻隔壁将源/漏电极层与其同层制备的导电组件隔开，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，从而有效提高了产品的良率。本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，通过在绝缘层中形成能够填充所述导电层图案的沟槽，从而使得在源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间设置绝缘阻隔壁，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题；而且，工艺简单易实施。

Description

一种有机发光显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，具体涉及一种有机发光显示装置及其制备方法。
背景技术
有源矩阵有机发光显示装置(英文全称Active Matrix organic lightingemitting display，简称AMOLED)，是主动发光器件，具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
如图1所示，AMOLED利用薄膜晶体管1(TFT)，搭配电容存储信号，来控制有机发光二极管2(OLED)的亮度和灰阶表现。每个单独的有机发光二极管2具有完整的阴极、有机功能层和阳极，阳极覆盖一个薄膜晶体管1阵列，形成一个矩阵。AMOLED具有可大尺寸化，较省电，高解析度，面板寿命较长等特点，因此在显示技术领域得到了高度重视。
随着显示面板的大尺寸化以及产品的分辨率要求越来越高，面板中各层图形越来越密集，即各种线宽、线距均变小。因此，由于短路、断线造成的不良产品比例也会增加，大大降低了产品的良率。如图1所示，以低温多晶硅基板为例，薄膜晶体管1包括层叠设置在基板10上的有源层3、第一绝缘层4、栅极5、第二绝缘层6、源极71、漏极72，源极71和漏极72通过设置在第一绝缘层4和第二绝缘层6之间孔道与半导体层3接触连接。在制备工艺中，第三金属层(metal3)图案化后一般用于制备薄膜晶体管2的源极71、漏极72以及其他导电结构8。由于在前工艺产生大量的倾斜角和台阶结构，第三金属层在图案化过程中极易出现短路问题，如源极71与其他导电组件8的短接，进而影响产品良率。
发明内容
为此，本发明所要解决的是现有有机发光显示装置良率低的问题，提供一种高良率的有机发光显示装置及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
本发明所述的一种有机发光显示装置，包括：
基板；
设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使所述有源层、所述栅极、所述源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层，所述源极/漏极与所述有源层接触连接；
设置在所述基板上方的有机发光二极管；
所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间由绝缘阻隔壁隔开。
优选地，所述阻隔壁的高度为
优选地，所述薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构。
本发明所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；
S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充所述导电层图案的沟槽；
S3、在所述绝缘层上直接形成所述导电层并图案化，形成所述源/漏电极层与其他导电组件。
优选地，所述沟槽的深度为
优选地，所述沟槽的宽度比填充在其内的所述导电层图案的宽度大1μm～2μm。
优选地，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括：通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露所述有源层两端的电极孔的步骤。
优选地，所述导电层的厚度为
优选地，所述步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上包括层叠设置的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极板与所述所述源/漏电极层电连接。
优选地，步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、本发明实施例所述的有机发光显示装置，包括基板、设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使所述有源层、所述栅极、源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层，所述源极/漏极与所述有源层接触连接；设置在基板上方的有机发光二极管；所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间由绝缘阻隔壁隔开。所述的有机发光显示装置，采用绝缘的阻隔壁将所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件隔开，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，从而有效提高了产品的良率。
2、本发明实施例所述的种有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充所述导电层图案的沟槽；S3、在所述绝缘层上直接形成导电层并图案化，形成所述源/漏电极层与其他导电组件。通过在绝缘层中形成能够填充所述导电层图案的沟槽，从而使得在所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件之间设置绝缘阻隔壁，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，有效提高了产品的良率；而且，工艺简单易实施。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是现有技术中有机发光显示装置的剖视图；
图2a～图2e是本发明实施例中所述有机发光显示装置在制备过程中的剖视图；
图中附图标记表示为：1-薄膜晶体管、2-有机发光二极管、3-有源层、4-第一绝缘层、5-栅极、6-第二绝缘层、71-源极、72-漏极、8-其他导电组件、91-源极孔、92-漏极孔、10-基板、11-沟槽、12-阻隔壁、13-导电层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。
本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”或“上方”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
实施例
本实施例提供一种有机发光显示装置，如图2e所示包括基板10，设置在所述基板10上方的薄膜晶体管1和有机发光二极管(为了清晰起见，图中未示出)。
作为本发明的一个实施例，本实施例中，薄膜晶体管1为顶栅结构，所述薄膜晶体管1进一步包括层叠设置在基板10上的有源层3、第一绝缘层4、栅极层5、第二绝缘层6、源/漏电极层，源极/漏极中源极71和漏极72与有源层3接触连接。所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件8之间由绝缘阻隔壁12隔开。采用绝缘的阻隔壁12将所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件8隔开，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，从而有效提高了产品的良率。
作为本发明的一个实施例，本实施例中，阻隔壁12的高度为作为本发明的可变换实施例，阻隔壁12的高度为均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
作为本发明的可变换实施例，所述薄膜晶体管1还可以为底栅结构，亦可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
所述的有机发光显示装置的制备方法，包括如下步骤：
S1、如图2a所示，在基板10上自下而上依次制备薄膜晶体管2中的有源层3、第一绝缘层4、栅极层5、第二绝缘层6。
有源层3选自但不限于单晶硅、非晶硅、多晶硅、氧化物半导体等半导体层；本实施例优选多晶硅层，制备方法同现有技术：先由化学气相沉积工艺制备单晶硅层，再通过准分子激光晶化(ELA)工艺将单晶硅进行退火处理得到多晶硅层，然后再通过光刻工艺和刻蚀工艺对得到的多晶硅层进行图案化处理，最后进行清洗处理得到有源层3。
第一绝缘层4选自但不限于氮化硅、氧化硅、氧化铝，本实施例优选氧化硅，由化学气相沉积工艺制备。
栅极层5选自但不限于铝、铜、钼、钼钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选钼钨合金，先由物理气相沉积工艺沉积金属层，再通过光刻工艺和刻蚀工艺进行图案化。
第二绝缘层6选自但不限于氮化硅、氧化硅、氧化铝等绝缘材料层，本实施例优选氮化硅和氧化硅堆叠层，由化学气相沉积工艺制备。
本实施例中，薄膜晶体管1为顶栅结构，优选地，如图2b所示，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括：通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘层4、6进行刻蚀，形成暴露所述有源层3两端的源极孔91、漏极孔92的步骤。
作为本发明的可变换实施例，当薄膜晶体管为底栅结构时，源/漏电极层直接层叠设置在栅极5上，则无需设置源极孔91、漏极孔92的步骤，亦可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S2、如图2c所示，通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层13的图案，对所述绝缘层4、6进行刻蚀，形成能填充导电层13的图案的沟槽11。
作为本发明的一个实施例，本实施例中，所述沟槽的深度为 所述沟槽的宽度比填充在其内的导电层图案宽度大1μm～2μm。作为本发明的可变换实施例，沟槽11根据导电层图案确定，沟槽11能填充导电层图案且不穿透绝缘层即可实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S3、如图2d所示，在绝缘层4、6上直接形成导电层13。如图2e所示，对导电层13图案化，形成所述源/漏电极层与其他导电组件8。
导电层13选自但不限于铝、铜、钼、钛、钼钨合金、铟锡氧化物中的一种或多种的堆叠层，本实施例优选铝/钛堆叠层，通过物理气相沉积工艺制备。导电层13的厚度为本实施例中厚度为
所述步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上包括层叠设置的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极板与所述所述源/漏电极层电连接；具体实施工艺同现有技术。
作为本发明的其他实施例，步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤，缓冲层选自但不限于氮化硅，氧化硅等绝缘材料层，本实施例优选氧化硅层，通过化学气相沉积工艺制备。
所述的种有机发光显示装置的制备方法，通过在绝缘层4、6中形成能够填充所述导电层图案的沟槽11，从而使得在所述源/漏电极层与其同层制备的导电组件8之间设置绝缘阻隔壁12，有效避免了导电层在图案化过程中极易出现的短路问题，有效提高了产品的良率；而且，工艺简单易实施。
为了方便解释本发明所述有机发光显示装置的，上述实施例中所述有机发光显示装置的剖视图仅示出了一个薄膜晶体管和一个有机发光二极管，本发明在不增加工序的情况下，本发明所述的有机发光显示装置可以包括若干薄膜晶体管以及若干发光二极管。
为了方便解释本发明所述有机发光显示装置的，上述实施例中所述有机发光显示装置的剖视图仅示出了一个导电组件8，本发明在不增加工序的情况下，导电组件8可以为电容极板、数据信号线、电源线等若干其它组件，均可实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板；
设置在所述基板上方的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管进一步包括有源层、栅极层、源/漏电极层，以及使所述有源层、所述栅极层、所述源/漏电极层极彼此分开的一层或多层绝缘层，源极/漏极与所述有源层接触连接；
设置在所述基板上方的有机发光二极管；
其特征在于，
还包括与源/漏电极层同层制备的导电组件；所述绝缘层上刻蚀有容纳所述源极/漏极以及所述导电组件的沟槽。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述沟槽的深度为
3.根据权利要求1或2所述的一种有机发光显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构或顶栅结构。
4.一种如权利要求1-3任一项所述的有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在基板上方制备薄膜晶体管中的有源层、绝缘层、栅极；
S2、通过光刻与刻蚀工艺，根据导电层图案，对所述绝缘层进行刻蚀，形成能填充所述导电层图案的沟槽；
S3、在所述绝缘层上直接形成所述导电层并图案化，形成源/漏电极层与其他导电组件。
5.根据权利要求4所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度为
6.根据权利要求4或5所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述沟槽的宽度比填充在其内的所述导电层图案的宽度大1μm～2μm。
7.根据权利要求4所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括：通过光刻与刻蚀工艺，对所述绝缘层进行刻蚀，形成暴露所述有源层两端的电极孔的步骤。
8.根据权利要求4或7所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述导电层的厚度为
9.根据权利要求4或7所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述步骤S3之后还包括制备有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管由下至上包括层叠设置的第一电极、有机功能层和第二电极，所述第一电极与所述源/漏电极层电连接。
10.根据权利要求9所述的一种有机发光显示装置的制备方法，其特征在于，步骤S1中还包括在所述基板上直接形成缓冲层的步骤。
CN201511022270.3A 2015-12-30 2015-12-30 一种有机发光显示装置及其制备方法 Active CN105633094B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511022270.3A CN105633094B (zh) 2015-12-30 2015-12-30 一种有机发光显示装置及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201511022270.3A CN105633094B (zh) 2015-12-30 2015-12-30 一种有机发光显示装置及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105633094A CN105633094A (zh) 2016-06-01
CN105633094B true CN105633094B (zh) 2018-12-18

Family

ID=56047846

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201511022270.3A Active CN105633094B (zh) 2015-12-30 2015-12-30 一种有机发光显示装置及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105633094B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109742053A (zh) * 2018-12-19 2019-05-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种具有电容的阵列基板及其制备方法
CN109755260A (zh) * 2018-12-24 2019-05-14 惠科股份有限公司 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040012200A (ko) * 2002-08-01 2004-02-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 제조방법
CN1871883A (zh) * 2003-10-22 2006-11-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 一种在衬底上制造导电层的方法
CN101447490A (zh) * 2007-11-14 2009-06-03 三星电子株式会社 阵列基板及其制造方法
CN104716156A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN105047675A (zh) * 2015-08-06 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101433613B1 (ko) * 2007-11-01 2014-08-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치의 제조방법 및 이에 의한 표시장치
KR101820326B1 (ko) * 2010-11-30 2018-01-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040012200A (ko) * 2002-08-01 2004-02-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치의 제조방법
CN1871883A (zh) * 2003-10-22 2006-11-29 皇家飞利浦电子股份有限公司 一种在衬底上制造导电层的方法
CN101447490A (zh) * 2007-11-14 2009-06-03 三星电子株式会社 阵列基板及其制造方法
CN104716156A (zh) * 2013-12-13 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN105047675A (zh) * 2015-08-06 2015-11-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105633094A (zh) 2016-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100557846C (zh) 电致发光器件及其制造
US9450101B2 (en) Thin film transistor, array substrate and display apparatus
WO2016176886A1 (zh) 柔性oled及其制作方法
CN104716156A (zh) 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN109119440B (zh) Oled背板及其制作方法
CN109244107B (zh) Oled背板及其制作方法
CN104733492B (zh) 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN107331669A (zh) Tft驱动背板的制作方法
WO2016150082A1 (zh) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板
WO2013120366A1 (zh) 一种阵列基板及其制造方法和显示设备
CN109378326A (zh) 显示面板及其制作方法
WO2018049744A1 (zh) Amoled像素驱动电路的制作方法
KR101922937B1 (ko) 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
WO2015123915A1 (zh) 有源矩阵有机发光二极管阵列基板及制作方法和显示装置
US20190157355A1 (en) Touch screen panel and manufacturing method thereof
CN107359177A (zh) 一种柔性背板的制作方法、液晶显示面板以及oled显示面板
WO2018205587A1 (zh) 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109427820A (zh) 一种基板及其制备方法、显示面板
CN108550711A (zh) Oled器件及其制造方法、oled显示器
CN104752464B (zh) 一种有机发光显示装置及其制备方法
CN105633094B (zh) 一种有机发光显示装置及其制备方法
WO2020118988A1 (zh) 显示面板及其制作方法
KR20100133725A (ko) 유기발광다이오드 표시장치와 그의 제조방법
WO2018028605A1 (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN109148381B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant