CN109148381B - 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以降低无机绝缘层的应力。该阵列基板包括基底、位于基底上的有源层和栅极，其中，还包括：第一无机绝缘层和第二无机绝缘层；第一无机绝缘层位于有源层上，第一无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第一开孔；第二无机绝缘层位于栅极上，第二无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第二开孔。第一开孔和第二开孔的设置，能够降低第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的应力，提升可折叠产品的弯折性能，改善弯折断裂现象，进而提升产品良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)是指利用有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的二极管。OLED发光原理是用ITO(氧化铟锡)透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子注入层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子注入层和空穴传输层迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，发光分子经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED具有更薄更轻、主动发光(不需要背光源)、无视角问题、高清晰、高亮度、响应快速、能耗低、使用温度范围广、抗震能力强、成本低和可实现柔性显示等优点，OLED显示面板得到了越来越广泛的应用。
本申请的发明人对现有技术OLED显示面板进行研究发现，OLED显示面板包括的无机绝缘层的应力较大，多次弯折应力难以释放，容易导致OLED显示面板断折而造成产品失效。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以降低无机绝缘层的应力。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种阵列基板，包括基底、位于所述基底上的有源层和栅极，其中，还包括：第一无机绝缘层和第二无机绝缘层；
所述第一无机绝缘层位于所述有源层上，所述第一无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第一开孔；
所述第二无机绝缘层位于所述栅极上，所述第二无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第二开孔。
优选地，部分所述第一开孔的位置与部分所述第二开孔的位置相同。
优选地，所述第一开孔的尺寸与所述第二开孔的尺寸相同。
优选地，阵列基板还包括位于所述栅极上的辅助栅极，所述第二无机绝缘层位于所述栅极和所述辅助栅极之间。
优选地，阵列基板还包括位于所述辅助栅极上的第三无机绝缘层，位于所述第三无机绝缘层上的源极和漏极；
所述第三无机绝缘层在预设位置设置有至少两个第三开孔，其中一个所述第三开孔位置处暴露出有源层的第一掺杂区域，另一个所述第三开孔位置处暴露出有源层的第二掺杂区域；
所述源极通过其中一个所述第三开孔与所述第一掺杂区域电连接，所述漏极通过另一个所述第三开孔与所述第二掺杂区域电连接。
优选地，所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层的材料相同。
优选地，阵列基板包括至少一个第一区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域；
所述第一区域的位置与所述第一开孔和所述第二开孔的位置对应，包括位于所述基底上的第三无机绝缘层；
所述第二区域的位置与所述第一开孔的位置对应，包括位于所述基底上叠层设置的第二无机绝缘层和第三无机绝缘层；
所述第三区域的位置与所述第二开孔的位置对应，包括位于所述基底上叠层设置的第一无机绝缘层和第三无机绝缘层。
一种显示面板，包括上述的阵列基板。
一种显示装置，包括上述的显示面板。
一种上述的阵列基板的制作方法，包括在所述基底上制作所述有源层和所述栅极的方法，该方法还包括：
在所述有源层上形成一层第一无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第一无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第一开孔，形成第一无机绝缘层；
在所述栅极上形成一层第二无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第二无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第二开孔，形成第二无机绝缘层。
相比于现有技术，本发明的方案具有以下有益效果：
本发明实施例提供的阵列基板包括第一无机绝缘层和第二无机绝缘层，第一无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第一开孔，第二无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第二开孔；由于本发明实施例中的第一无机绝缘层和第二无机绝缘层不再是整面覆盖在基底上，在预设位置设置有至少一个第一开孔和至少一个第二开孔，这样，能够降低部分区域位置处第一无机绝缘层和第二无机绝缘层叠加的厚度，减少第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的面积，从而降低了第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的应力，提升可折叠产品的弯折性能，改善弯折断裂现象，进而提升产品良率。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是现有技术OLED显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一阵列基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的又一阵列基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法流程图；
图6-图8是本发明实施例提供的阵列基板的制作过程中不同制作阶段的结构示意图。
下面说明本发明实施例各附图标记表示的含义：
111-衬底基板；112-有机层；113-无机层；114-缓冲层；115-有源层；116-栅极绝缘层；117-栅极；118-绝缘层；119-辅助栅极；120-层间绝缘层；121-源极；122-漏极；01-第一过孔；02-第二过孔；1151-有源层的第一掺杂区域；1152-有源层的第二掺杂区域；1、2、3-层间绝缘层、绝缘层和栅极绝缘层的叠加区域；
210-基底；211-第一无机绝缘层；212-第二无机绝缘层；213-第三无机绝缘层；4-第一区域；5-第二区域；6-第三区域。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本发明的发明人对现有进行研究，发现如下问题。
如图1所示，现有技术OLED显示面板包括：衬底基板111、位于衬底基板111上交替设置的多层有机层112(图中仅示出了两层有机层112)和多层无机层113(图中仅示出了两层无机层113)、位于无机层113上的缓冲层114、位于缓冲层114上的有源层115、位于有源层115上的栅极绝缘层116、位于栅极绝缘层116上的栅极117、位于栅极117上的绝缘层118、位于绝缘层118上的辅助栅极119、位于辅助栅极119上的层间绝缘层120、位于层间绝缘层120上的源极121和漏极122；源极121通过贯穿层间绝缘层120、绝缘层118和栅极绝缘层116的第一过孔01与有源层115的第一掺杂区域1151电连接，漏极122通过贯穿层间绝缘层120、绝缘层118和栅极绝缘层116的第二过孔02与有源层115的第二掺杂区域1152电连接。
在研究过程中，发明人发现，现有技术无机绝缘层(层间绝缘层120、绝缘层118和栅极绝缘层116)除搭接过孔(第一过孔01和第二过孔02)外为整面覆盖，无机绝缘层叠加总厚度较厚，如：图1中区域1、区域2和区域3位置处，这三个区域位置均为层间绝缘层120、绝缘层118和栅极绝缘层116的叠加，叠加总厚度较厚。
发明人发现，现有技术由于无机绝缘层叠加总厚度较厚且接近整面覆盖，无机绝缘层的这种设置方式会对OLED显示面板弯折性能造成一定影响，使得多次弯折应力难以释放，容易导致OLED显示面板断折而造成产品失效。
下面结合附图介绍本发明实施例的技术方案。
本发明的发明人，鉴于现有技术存在的不足，提供一种阵列基板。
如图2所示，图2是本发明具体实施例提供的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括基底210、位于基底210上的有源层115和栅极117，本发明具体实施例提供的阵列基板还包括第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212；
第一无机绝缘层211位于有源层115上，第一无机绝缘层211在预设位置设置有至少一个第一开孔(如：图2中第一区域4和第二区域5对应位置处设置有第一开孔)；
第二无机绝缘层212位于栅极117上，第二无机绝缘层212在预设位置设置有至少一个第二开孔(如：图2中第一区域4和第三区域6对应位置处设置有第二开孔)。
本发明具体实施例提供的阵列基板包括第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212，第一无机绝缘层211在预设位置设置有至少一个第一开孔，第二无机绝缘层212在预设位置设置有至少一个第二开孔；与现有技术相比，本发明具体实施例中的第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212不再是整面覆盖在基底上，在预设位置设置有至少一个第一开孔和至少一个第二开孔，这样，能够降低部分区域位置处第一无机绝缘层和第二无机绝缘层叠加的厚度，减少第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的面积，从而降低了第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的应力，提升可折叠产品的弯折性能，改善弯折断裂现象，进而提升产品良率。
具体地，本发明具体实施例中的基底210包括衬底基板111、位于衬底基板111上交替设置的多层有机层112和多层无机层113，具体实施时，衬底基板111为玻璃基板；本发明具体实施例中基底210的具体设置方式与现有技术类似，这里不再赘述。
具体地，本发明具体实施例中有源层115可以位于栅极117的下方，如图2所示，此时阵列基板包括的薄膜晶体管结构为顶栅型结构；当然，有源层115也可以位于栅极117的上方，此时阵列基板包括的薄膜晶体管结构为底栅型结构；本发明具体实施例有源层115和栅极117的具体设置方式与现有技术类似，这里不再赘述。
本发明以下具体实施例仅以阵列基板包括的薄膜晶体管结构为顶栅型结构为例进行介绍。
本发明具体实施例中第一无机绝缘层211在预设位置设置有至少一个第一开孔，该预设位置根据实际生产情况选择，只要第一开孔位置不会对产品特性造成影响即可。
本发明具体实施例中第二无机绝缘层212在预设位置设置有至少一个第二开孔，该预设位置同样根据实际生产情况选择，只要第二开孔位置不会对产品特性造成影响即可。
具体地，本发明具体实施例中第一无机绝缘层211的材料包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiN)；第二无机绝缘层212的材料包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiN)；当然，在实际生产过程中，第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212还可以选择其它类型的无机绝缘材料，本发明具体实施例并不对第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212的材料做限定。
优选地，本发明具体实施例第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212的材料相同，这样，能够节省选材成本。
在一种较佳的实施方式中，本发明具体实施例中部分第一开孔的位置与部分第二开孔的位置相同，如图2，第一区域4对应位置处，既设置有第一开孔，也设置有第二开孔；这样，第一区域4对应位置处，第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212的叠加厚度更低，该位置处能够进一步降低无机绝缘层的应力。
在一种较佳的实施方式中，本发明具体实施例中第一开孔的尺寸与第二开孔的尺寸相同，这样，当采用构图工艺制作第一开孔和第二开孔时，可以采用一块光刻掩膜版同时制作出第一开孔和第二开孔，能够降低生产成本；且对于相同位置处的第一开孔和第二开孔(如第一区域4对应位置处的第一开孔和第二开孔)，可以采用一次构图工艺，同时制作出第一开孔和第二开孔，节约了生产时间，降低了生产成本。
具体地，如图3所示，本发明具体实施例的阵列基板还包括位于栅极117上的辅助栅极119，第二无机绝缘层212位于栅极117和辅助栅极119之间，辅助栅极119可以设置在需要形成电容的位置处，图3中，辅助栅极119与栅极117之间形成电容。
具体地，辅助栅极119的材料与栅极117的材料相同，具体实施时，材料可以选择铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)等单层金属膜层，也选择多种金属组成的复合金属膜层。
具体地，如图4所示，本发明具体实施例的阵列基板还包括位于辅助栅极119上的第三无机绝缘层213，位于第三无机绝缘层213上的源极121和漏极122；第三无机绝缘层213在预设位置设置有至少两个第三开孔(图中仅示出了两个第三开孔，实际生产过程中，在不影响产品特性的情况下，第三无机绝缘层213还可以设置更多个第三开孔，第三开孔的设置减小了第三无机绝缘层213的面积，从而使得可弯折性得以提升)。
具体地，如图4所示，其中一个第三开孔位置处暴露出有源层115的第一掺杂区域1151，另一个第三开孔位置处暴露出有源层115的第二掺杂区域1152；源极121通过其中一个第三开孔与第一掺杂区域1151电连接，漏极122通过另一个第三开孔与第二掺杂区域1152电连接。
本发明具体实施例中，有源层115的第一掺杂区域1151和有源层115的第二掺杂区域1152的具体掺杂位置、掺杂浓度等掺杂参数与现有技术类似，这里不再赘述。源极121和漏极122的具体设置方式也与现有技术类似，这里不再赘述。
较佳地，第一无机绝缘层211、第二无机绝缘层212和第三无机绝缘层213的材料相同，这样，能够降低选材成本；具体实施时，第一无机绝缘层211、第二无机绝缘层212和第三无机绝缘层213的材料包括SiO2和/或SiN，当然，在实际生产过程中，还可以选择其它类型的无机绝缘材料，本发明具体实施例并不对第一无机绝缘层211、第二无机绝缘层212和第三无机绝缘层213的材料做限定。
在一种较佳的实施方式中，如图4所示，本发明具体实施例中的阵列基板包括至少一个第一区域4、至少一个第二区域5和至少一个第三区域6；
第一区域4的位置与第一开孔(第一无机绝缘层211设置的开孔)和第二开孔(第二无机绝缘层212设置的开孔)的位置对应，包括位于基底210上的第三无机绝缘层213，此时，第三无机绝缘层213嵌合于第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212中；
第二区域5的位置与第一开孔的位置对应，包括位于基底210上叠层设置的第二无机绝缘层212和第三无机绝缘层213，此时，第二无机绝缘层212嵌合于第一无机绝缘层211中；
第三区域6的位置与第二开孔的位置对应，包括位于基底210上叠层设置的第一无机绝缘层211和第三无机绝缘层213，此时，第三无机绝缘层213嵌合于第二无机绝缘层212中。
具体来讲，本发明实施例通过在不影响产品特性的情况下，对无机绝缘层(第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层)设置开孔(第一开孔、第二开孔和第三开孔)来减小无机绝缘层的面积，并且使得弯折性能较差的无机绝缘层之间相互嵌合，这样能够有效释放层内及层间应力，提升可折叠产品的弯折性能，改善无机绝缘层的弯折断裂现象，提升产品良率。
基于同一发明构思，本发明具体实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明具体实施例提供的上述阵列基板。
具体地，本发明具体实施例中的显示面板为OLED显示面板，该OLED显示面板包括位于上述阵列基板上的阳极层、发光层和阴极层；当然，还可以包括位于阴极层和发光层之间的电子注入层和位于阳极层和发光层之间的空穴传输层等膜层，这些膜层的具体设置方式均与现有技术类似，这里不再赘述。
基于同一发明构思，本发明具体实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明具体实施例提供的上述显示面板，该显示装置可以为液晶面板、液晶显示器、液晶电视、OLED面板、OLED显示器、OLED电视或电子纸等显示装置。
基于同一发明构思，本发明具体实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括在基底上制作有源层和栅极的方法，如图5所示，该方法还包括：
S501、在有源层上形成一层第一无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第一无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第一开孔，形成第一无机绝缘层；
S502、在栅极上形成一层第二无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第二无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第二开孔，形成第二无机绝缘层。
具体地，本发明具体实施例中在基底上制作有源层和栅极的方法与现有技术相同，这里不再赘述。本发明具体实施例中的构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀和去除光刻胶的部分或全部过程。
下面以一个具体的实施例详细介绍本发明实施例中阵列基板的制作方法。
如图6所示，在衬底基板111交替制作有机层112和无机层113，在无机层113上制作缓冲层114；具体实施时，有机层112的材料为PI(Polyimide，聚酰亚胺)，无机层113和缓冲层114的材料为SiO2和/或SiN；有机层112、无机层113和缓冲层114的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
如图6所示，在缓冲层114上通过构图工艺制作有源层115，并对部分有源层115的特定区域进行离子注入，形成第一掺杂区域1151和第二掺杂区域1152，有源层115的具体制作方法，以及第一掺杂区域1151和第二掺杂区域1152的形成方法均与现有技术类似，这里不再赘述。
如图6所示，在有源层115上，首先沉积一层第一无机绝缘薄膜，如：通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)的方法沉积一层第一无机绝缘薄膜；接着通过构图工艺在该第一无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第一开孔(如在第一区域4和第二区域5对应位置处制作第一开孔)，形成第一无机绝缘层211。
如图6所示，在第一无机绝缘层211上通过构图工艺制作栅极117，栅极117的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
如图7所示，在栅极117上首先沉积一层第二无机绝缘薄膜，如：通过PECVD的方法沉积一层第二无机绝缘薄膜；接着通过构图工艺在该第二无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第二开孔(如在第一区域4和第三区域6对应位置处制作第二开孔)，形成第二无机绝缘层212。
如图7所示，在第二无机绝缘层212上通过构图工艺制作辅助栅极119，辅助栅极119的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
如图8所示，在辅助栅极119上通过构图工艺制作第三无机绝缘层213，第三无机绝缘层213在预设位置设置有至少两个第三开孔，第三无机绝缘层213的具体制作方法与第一无机绝缘层211和第二无机绝缘层212的制作方法类似，这里不再赘述。
如图8所示，在第三无机绝缘层213上通过构图工艺制作源极121和漏极122，源极121和漏极122的具体制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
本发明具体实施例中在制作完成源极121和漏极122后，阵列基板需要的其它结构的制作方法与现有技术类似，这里不再赘述。
综上所述，本发明具体实施例提供的阵列基板包括：基底、位于基底上的有源层和栅极，其中，还包括：第一无机绝缘层和第二无机绝缘层；第一无机绝缘层位于有源层上，第一无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第一开孔；第二无机绝缘层位于栅极上，第二无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第二开孔。由于本发明具体实施例中的第一无机绝缘层和第二无机绝缘层不再是整面覆盖在基底上，在预设位置设置有至少一个第一开孔和至少一个第二开孔，这样，能够降低部分区域位置处第一无机绝缘层和第二无机绝缘层叠加的厚度，减少第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的面积，从而降低了第一无机绝缘层和第二无机绝缘层的应力，提升可折叠产品的弯折性能，改善弯折断裂现象，进而提升产品良率。
以上所述仅是本发明的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (7)
1.一种阵列基板，包括基底、位于所述基底上的有源层和栅极，其特征在于，还包括：第一无机绝缘层、第二无机绝缘层、位于所述栅极上的辅助栅极、位于所述辅助栅极上的第三无机绝缘层、以及位于所述第三无机绝缘层上的源极和漏极；
所述阵列基板包括至少一个第一区域、至少一个第二区域和至少一个第三区域；所述第一无机绝缘层位于所述有源层上，所述第一无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第一开孔；
所述第二无机绝缘层位于所述栅极上且位于所述栅极和所述辅助栅极之间，所述第二无机绝缘层在预设位置设置有至少一个第二开孔；
所述第三无机绝缘层在预设位置设置有至少两个第三开孔，其中一个所述第三开孔位置处暴露出有源层的第一掺杂区域，另一个所述第三开孔位置处暴露出有源层的第二掺杂区域；
所述源极通过其中一个所述第三开孔与所述第一掺杂区域电连接，所述漏极通过另一个所述第三开孔与所述第二掺杂区域电连接；
所述第一区域的位置与所述第一开孔和所述第二开孔的位置对应，包括位于所述基底上的第三无机绝缘层；
所述第二区域的位置与所述第一开孔的位置对应，包括位于所述基底上叠层设置的第二无机绝缘层和第三无机绝缘层；
所述第三区域的位置与所述第二开孔的位置对应，包括位于所述基底上叠层设置的第一无机绝缘层和第三无机绝缘层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，部分所述第一开孔的位置与部分所述第二开孔的位置相同。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开孔的尺寸与所述第二开孔的尺寸相同。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层的材料相同。
5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。
7.一种如权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，包括在所述基底上制作所述有源层和所述栅极的方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述有源层上形成一层第一无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第一无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第一开孔，形成第一无机绝缘层；
在所述栅极上形成一层第二无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第二无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少一个第二开孔，形成第二无机绝缘层；
在所述第二无机绝缘层上形成辅助栅极，所述辅助栅极位于所述栅极上；
在所述辅助栅极上形成第三无机绝缘薄膜，通过构图工艺在该第三无机绝缘薄膜的预设位置处制作至少两个第三开孔，形成第三无机绝缘层；
在所述第三无机绝缘层上形成源极和漏极。
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