CN105609478B - 电连接组件、半导体模块和用于制造半导体模块的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电连接组件、一种半导体模块和一种用于制造半导体模块的方法。本发明的一个方面涉及一种电连接组件系统。该电连接组件系统具有拥有第一连接端（10）和至少一个第一脚区段（11、12）的第一连接板（1）、以及第一螺母（41）和介电支架（3）。介电支架（3）具有用于容纳第一螺母（41）的第一容纳区域（31）。第一连接板（1）可以在第一螺母（41）被嵌入到第一容纳区域（31）中时被推到介电支架（3）上并且在此被带到第一目标位置中，使得第一螺母（41）被布置在介电支架（3）和第一连接端（10）之间并且通过第一连接端（10）防脱落地被保持在第一容纳区域（31）中。

Description

电连接组件、半导体模块和用于制造半导体模块的方法
技术领域
本发明涉及一种电连接组件、一种半导体模块和一种用于制造半导体模块的方法。
背景技术
半导体模块为了其外部的电连接而具有电端子。因为半导体模块经常开关很高的电流，所以电负载端子至少必须具有高的电流负荷能力。在迄今的解决方案中，电端子由金属板的连接端构成。
根据一种变型方案，金属板穿过模块壳体，使得连接端位于壳体的外侧上。随后每个连接端被弯曲，使得连接端遮盖被置于壳体的留空中的螺母。通过螺丝穿过连接端以及模块外部的连接导体并且被旋入到螺母中的方式，模块外部的连接导体可以与连接端导电连接。因为为了制造电端子由于所需的高的载流能力而使用厚的金属板，所以弯曲需要大的力，所述大的力通过金属板传输到模块内部中，由此可能发生模块内部中的损坏。此外，弯曲不能以所期望的精度执行导致，不能精确地设定半导体模块。如果模块外部的连接导体应该与相同或多个相邻的半导体模块的多个连接端拧紧，则这可以导致机械应力进而导致半导体模块和/或模块外部的连接导体的损坏。
根据一种变型方案，预弯曲的金属板在制造模块壳体时被注入到该模块壳体中，使得连接端从模块壳体中伸出。因为金属板和壳体塑料具有强烈不同的热膨胀系数，所以由于温度变换负荷同样可以发生机械应力进而随之发生半导体模块的损坏。
半导体模块中的另外的经常出现的问题是构造在模块中的导线的高的杂散电感，因为由此在快速的电流变化的情况下能够发生不期望的高的感应电压。为了低感应地配置两个输送高电压的导线，有利的是，这两个导线被构造为平带，所述平带以小的间距相互平行地伸展并且在此彼此电绝缘。然而，这样的导线仅可以以高的花费在半导体模块中产生。一种可能性在于，两个金属导体相互以小的间距并排地构造并且通过填料彼此电绝缘，该填料之后被填充到模块壳体中并且流到两个导体之间。为了在此不失误地发生导体之间的短路，在两个导体之间必须设定足够的安全间距。但是由于制造公差必须相对大地保持该安全间距。另一问题可能是填料中的气体杂质。如果这样的气体杂质例如在两个导体之间出现，则在那里绝缘强度局部地减小并且可能出现部分放电。将两个导体彼此电绝缘的另一可能性在于，其间施加预制的绝缘层。但是这在制造技术上伴随着高花费。此外，在之后填充可能的填料时空气杂质可能沉积在绝缘层处，又具有以下效应，在那里绝缘强度局部提高并且可能出现部分放电。
发明内容
本发明的任务在于，为所描述的问题提供改进的解决方案。该任务通过根据专利权利要求1的电连接组件系统、通过根据专利权利要求13的电连接组件、通过根据专利权利要求17的半导体模块或通过根据专利权利要求22的用于制造半导体模块的方法来解决。本发明的扩展方案和改进方案是从属权利要求的主题。
第一方面涉及电连接组件系统。该电连接组件系统具有拥有第一连接端和至少一个第一脚区段的连接板、第一螺母以及介电支架。介电支架具有用于容纳第一螺母的容纳区域。第一连接板可以在第一螺母被嵌入到第一容纳区域中时被推到介电支架上并且在此被带到第一目标位置中，使得第一螺母被布置在介电支架和第一连接端之间并且通过第一连接端防脱落地被保持在第一容纳区域中。
第二方面涉及具有第一连接板的电连接组件，该第一连接板具有第一连接端和至少一个第一脚区段。连接组件此外具有第一螺母以及介电支架，该介电支架具有用于容纳第一螺母的第一容纳区域。第一螺母被嵌入到第一容纳区域中并且第一连接板被推到介电支架上,使得第一螺母被布置在介电支架和第一连接端之间并且通过第一连接端防脱落地被保持在第一容纳区域中。
第三方面涉及一种半导体模块。该半导体模块具有模块壳体以及电路载体和根据第二方面构造的电连接组件，该电路载体具有第一金属化部。至少一个第一脚区段与第一金属化部导电连接。
第四方面涉及一种用于制造半导体模块的方法。对此，提供具有第一金属化部的电路载体、根据第二方面构造的电连接组件、以及模块壳体元件。模块壳体元件被布置在电路载体上并且在该模块壳体元件被布置在电路载体上之前或之后，电连接组件被推到模块壳体元件上，更确切地说，使得第一脚区域被布置在第一金属化部之上。在第一脚区域处，在第一金属化部和第一连接板之间建立有导电连接。
附图说明
随后借助实施例参考附图解释本发明的所述方面以及其他方面。在图中，相同的附图标记表示相同的或作用相同的元件。其中：
图1示出电连接组件的透视图。
图2示出在图1中示出的连接组件的侧视图。
图3示出在图1和图2中示出的连接组件的分解图。
图4示出在图1和图2中示出的连接组件的俯视图以及四个侧视图。
图5示出部分完成的半导体模块的俯视图，之后根据图1、2和4构造的连接组件被安放到该半导体模块上。
图6示出根据图5的部分完成的半导体模块的透视图。
图7示出部分完成的半导体模块在安放根据图1、2和4构造的连接组件之后的俯视图。
图8示出根据图7的部分完成的半导体模块的透视图。
图9示出根据图7和8的部分完成的半导体模块在将填料填充到模块壳体中之后的俯视图。
图10示出在将填料填充到模块壳体中之前根据图7和8的部分完成的半导体模块的连接组件的一个区段的横截面。
图11示出在将填料填充到模块壳体中之后根据图10的区段的横截面。
图12示出具有四个连接板的连接组件的分解图。
图13示出在图12中示出的连接组件的俯视图以及四个侧视图。
具体实施方式
图1示出电连接组件50的透视图，图2示出该连接组件的侧视图，图3示出分解图并且图4最后示出俯视图（中间的图）以及四个侧视图。
连接组件50具有拥有第一连接端10和两个第一脚区段11和12的导电的第一连接板1。第一连接板1基本上具有至少一个第一脚区段11、12，但是也可以具有正好两个或至少两个第一脚区段11、12。此外，连接组件50具有拥有第一螺纹轴a41的第一螺母41和介电支架3。介电支架3的第一容纳区域31用于容纳第一螺母41。
如果第一螺母41被嵌入到第一容纳区域31中（图3），则第一连接板1可以被推到介电支架3上并且在此被带到第一目标位置中（图1、2和4），使得第一螺母41被布置在介电支架3和第一连接端10之间并且通过第一连接板1的第一连接端10防脱落地保持在第一容纳区域31中。
可选地，介电支架3可以具有至少一个第一固定器元件33、例如弹簧的固定器钩，该第一固定器元件将第一连接板1保持在第一目标位置中。
同样可选地，第一连接端10可以具有第一套管15，当第一连接板1位于第一目标位置中时，第一螺丝穿过该第一套管并且可以与第一螺母41拧紧。第一套管15例如可以被构造为通孔（例如为钻孔），或被构造为U形区段，该U形区段从侧面延伸到第一连接端10中。
为了防止当螺丝被旋入到第一螺母中时该第一螺母41旋转，构造第一容纳区域31，使得该容纳区域在嵌入到该容纳区域中的第一螺母41围绕着其螺纹轴a41旋转时卡住该第一螺母41。第一螺母41在此可以松动地被嵌入到第一容纳区域31中。第一螺母也可以围绕着其螺纹轴a41具有一定的可动性，但是介电支架3在第一容纳区域31中具有挡板，当第一螺母在旋入螺丝的情况下而旋转时，第一螺母41停靠到该挡板上。
连接组件50还可以可选地具有第二连接板2，该第二连接板具有第二连接端20和至少一个第二脚区段21、22。第二连接板2基本上具有至少一个第二脚区段21、22，但是也可以具有正好两个或至少两个第二脚区段21、22。此外，连接组件50具有拥有第二螺纹轴a42的第二螺母42。介电支架3的第二容纳区域32用于容纳第二螺母42。
如果第二螺母42被嵌入到第二容纳区域32中（图3），则第二连接板2可以被推到介电支架3上并且在此被带到第二目标位置中（图1、2和4），使得第二螺母42被布置在介电支架3和第二连接端20之间并且通过第二连接板2的第二连接端20防脱落地保持在第二容纳区域32中。
可选地，介电支架3可以具有至少一个第二固定器元件34、例如弹簧的固定器钩，该第二固定器元件将第二连接板2保持在第二目标位置中。
同样可选地，第二连接端20可以具有第二套管25，当第二连接板2位于第二目标位置中时，第二螺丝穿过该第二套管并且可以与第二螺母42拧紧。第二套管25例如可以被构造为通孔（例如为钻孔），或被构造为U形区段，该U形区段从侧面延伸到第二连接端20中。
为了防止当螺丝被旋入到第二螺母中时该第二螺母42旋转，构造第二容纳区域32，使得该容纳区域在嵌入到该容纳区域中的第二螺母42围绕着其螺纹轴a42旋转时卡住该第二螺母42。第二螺母42在此可以松动地被嵌入到第二容纳区域32中。第二螺母也可以围绕着其螺纹轴a42具有一定的可动性，但是介电支架3在第二容纳区域32中具有挡板，当第二螺母在旋入螺丝的情况下而旋转时，第二螺母42停靠到该挡板上。
可选地，可以构造介电支架3，使得第一连接板1和第二连接板2可以从相对侧被推到介电支架上并且在此被带到其第一或第二目标位置中。
脚区段11、12、21、22（只要存在）分别具有底侧（在图2中仅仅可识别脚区段12或22的底侧12b和22b），在该底侧处，所述脚区段例如可以通过钎焊、烧结或熔焊（例如超声波或激光熔焊）与电路载体连接或另外电接触。脚区段11、12、21、22中的每个脚区段的底侧可以可选地具有平坦的区段。
如果第一螺母41和必要时第二螺母42如解释那样被嵌入到其相应的容纳区域31或32中并且第一连接板1和必要时第二连接板2位于其相应的目标位置中，则平坦的区段中的每个区段的面法线（在图2中仅仅可识别脚区段12或22的底侧12b和22b的平坦的区段的面法线n12和n22）可以可选地与第一或第二螺母41、42的螺纹轴a41、a42中的一个或两个平行地伸展。
介电支架3可以可选地具有例如舌头形的凸肩30，该介电支架被布置在第一连接板1的舌头形凸肩和第二连接板2的舌头形凸肩之间并且当连接板1、2处于介电支架3上的其相应的目标位置中时，连接板1、2彼此电绝缘。
可选地，连接组件50可以当其连接板1和2处于连接板的相应目标位置中时具有一个或多个通孔59（图1），所述通孔中的每个具有三个依次布置的子通孔19、29、39（图3），并且子通孔中的第一子通孔19在第一连接板1中构造，第二子通孔29在第二连接板2中构造并且第三子通孔39在介电支架3中、例如在其舌头形凸肩30中构造。
在此可以构造介电支架3，使得在通孔59的第一俯视图中第一子通孔19的边缘是完全可见的并且第二子通孔29的边缘完全被介电支架3所遮盖。替代地或附加地，可以构造介电支架3，使得在通孔59的第二俯视图中第二子通孔29的边缘是完全可见的并且第一子通孔19的边缘完全被介电支架3所遮盖。只要两个标准都适用，则第一俯视图和第二俯视图可以示出相反方向中的视图。这导致，在相反方向的每个方向中通孔59的边界仅由第三子通孔39来确定。
只要介电支架3具有固定器元件33和/或34，就可以一直推第一连接板1或第二连接板2，直至第一连接板1或第二连接板2在达到第一或第二目标位置时齿合在固定器元件33或34上。
在连接组件50的安装状态下，第一连接板1和/或第二连接板2可以松动地被推入到介电支架3中，即在第一或第二连接板1、2和介电支架3之间不存在材料决定的连接。
介电支架3可以单层或多层地来构造。介电支架可以由塑料构成或具有塑料。塑料例如可以是热固性塑料或热塑性塑料。介电支架3可以以任意方式制造。特别经济地，其可以通过注射成型来制造。
介电支架3用于容纳一个或多个连接板1、2并且将其固定在相应的目标位置中，以及用于分别提供容纳区域31、32以用于容纳一个或多个螺母41、42。
在两个或多个连接板1、2的情况下，介电支架3也可以用于相互电绝缘连接板1、2中的不同连接板。这特别是当在之后的运行中、例如当完成的连接组件50被用在半导体模块中高电压、例如至少300V、至少600V、至少900V、至少1.5kV、至少2.8kV或者甚至至少3.6kV施加在彼此要绝缘的连接板1、2之间时能够是有意义的。为了达到良好的绝缘强度，可以构造连接组件50，使得介电支架3的区段位于第一连接板1的每个第一位置和第二连接板2的每个与第一位置间隔小于预先给定的间距、例如2mm或4mm的第二位置之间。
连接组件50如其前面所描述那样例如适合于制造半导体模块。这随后借助在图5至8中示出的示例来解释。
图5示出部分完成的半导体模块100的透视图并且图6示出其俯视图。该半导体模块具有模块壳体6的壳体元件61以及电路载体2，壳体元件61被安放到该电路载体上。壳体元件61例如可以是壳体侧壁，特别是也可以是框形的壳体侧壁。
电路载体2具有：拥有上侧20t的介电绝缘载体20，上部金属化层21被施加到该上侧上；以及可选的下部金属化层（在图5至8中被遮盖），该下部金属化层被施加到介电绝缘载体20的背向上侧20t的下侧20b上。只要上部金属化层21和下部金属化层存在，其就可以位于绝缘载体20的彼此相反的侧上。上部金属化层21可以在需要时被结构化，使得其具有例如可以用于电连接和/或用于芯片安装的印制导线。介电绝缘载体20可以用于相互电绝缘上部金属化层21和下部金属化层。
电路载体2可以是陶瓷衬底，其中绝缘载体20被构造为薄层，该薄层具有陶瓷或由陶瓷构成。作为用于上部金属化层21和（只要存在）下部金属化层的材料，良好导电的金属、诸如铜或铜合金、铝或铝合金适合，但是任意其他金属或合金也适合。只要绝缘载体20具有陶瓷或由陶瓷构成，则该陶瓷例如可以是氧化铝（Al2O3）或氮化铝（AlN）或氮化硅（Si3N4）或氧化锆（ZrO2），或者是混合陶瓷，该混合陶瓷除了所述陶瓷材料中的至少一个外还具有至少一个另外的与该陶瓷材料不同的陶瓷材料。例如电路载体2可以被构造为DCB衬底（DCB＝直接铜接合）、DAB衬底（DAB＝直接铝接合）、AMB衬底（AMB＝活性金属钎焊）或IMS衬底（IMS＝绝缘金属衬底）。上部金属化层21和（只要存在）下部金属化层可以彼此无关地分别具有0.05mm至2.5mm的范围中的厚度。绝缘载体20的厚度例如可以位于0.1mm至2mm的范围中。比所说明的厚度更大或更小的厚度然而同样是可以的。
电路载体2可以利用一个或多个电子部件9来装配。基本上可以使用任意的电子部件9。这样的电子部件9特别是可以包含有源或无源的电子器件。也可以的是，在电子部件9中一个或多个有源电子器件以及一个或多个无源电子器件相互集成。例如电子部件9可以被构造为半导体芯片并且具有半导体本体。
部件9例如可以包含二极管、或可以通过控制输入端（例如栅极或基极输入端13）控制的可控半导体开关、例如MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）、晶闸管、JFET（结型场效应晶体管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）。
为了将实现在电路载体2上的电路电连接到模块外部的组件、例如导体卡、扁平带导体、总线汇流排等上，使用如前述的连接组件50。连接组件50例如可以被安放到壳体元件61上并且在此借助连接组件50的一个或多个固定器装置35（例如参见图1至4）可选地与该壳体元件61固定。对此，壳体元件61可以具有容纳区域60，连接组件50被置入该容纳区域60中。为了置入连接组件50，连接组件例如可以以平行于第一螺母41和/或（只要存在）第二螺母42的螺纹轴a41、a42的方向被推到壳体元件61上。
在将连接组件50安装在壳体元件61上之后并且在将壳体元件61安放在电路载体2上之后，脚区段11、12、21、22（只要存在）位于安装在电路载体2上的元件或电路载体2的金属化部的区域中的目标位置处并且现在可以以任意方式与有关的金属化部（例如上部金属化层21 的区段）导电地并且材料决定地连接。合适的连接技术例如是熔焊（例如超声波熔焊或激光熔焊）或钎焊（例如硬钎焊或软钎焊）或（例如金属粉末、例如银粉末的）烧结。连接组件在壳体元件61上的安装在此可以在壳体元件61被安放在电路载体2上之前或之后进行。
只要连接板1、2具有两个或更多个脚区段11、12或21、22，则该连接板1或2的全部脚区段11、12或21、22可以可选地与相同的第一或第二金属化部连接，但是也可以与不同的金属化部连接。可选地，在此连接可以分别在有关的脚区段11、12、21、22的下侧的平坦的区段处进行（参见图2中的脚区段12或22的下侧12b和22b）。
连接板1、2可以由金属构成。为了实现良好的导电性，连接板例如可以分别由铜构成、由铜合金构成，和/或具有至少90质量百分比的铜。
图7和8示出在连接组件50安装在壳体元件61上之后并且在壳体元件61被安放在电路载体2上之后以及在脚区段11、12或21、22与相应的金属化部材料决定地连接之后的部分完成的半导体模块100。在该状态下，第一螺母41的螺纹轴a41和第二螺母42的螺纹轴a42（只要后者存在）垂直于绝缘载体20的上侧20t伸展。
部分完成的半导体模块100现在可以完成地被提供。例如如在根据图9的俯视图中所示那样还可以将介电填料65、例如硅树脂凝胶填充到模块壳体6的内部空间、例如借助电路载体2和壳体元件61构成的凹地中，使得填料至少覆盖构建在电路载体2上的电子部件9并且可选地也覆盖铺设在电路载体2上的接合线。在此，（只要存在）一个或多个通孔59可以完全利用填料65来填充。在图9中，通过填料65遮盖的、在图7和8中示出的通孔59虚线地示出。
可选地，填料65的填充可以在低压下进行。对此，利用至少一个连接组件50来装配的部分完成的半导体模块、例如借助图7和8解释的部分完成的半导体模块被引入到可抽真空的腔200中并且在该腔200中主导的气体压力被减小到以下压力或压力范围，该压力或压力范围位于包围腔200的大气的压力p0以下，这在图10中示例性地借助根据图7和8的部分完成的半导体模块的连接组件50的具有通孔59的区段以截面平面E-E的横截面来示出。例如位于腔200中的减小的（绝对的）气体压力p1可以小于50hPa、小于20hPa、或者甚至小于10hPa。
填料65到模块壳体6的内部空间中的填充在减小的压力p1下进行，这结果在图11中示出。如在图11中同样可以看出，在此连接组件50的一个或多个通孔59可以完全利用填料65来填充。
在填充填料65之后，部分完成的半导体模块又通过以下方式承受环境压力p0，即打开腔200。填料65中的可能的气体杂质（例如空气）通过以下方式被挤压，即缩小填料的体积，这提高填料65的绝缘强度。
可以使用连接端10、20（只要存在）为半导体模块传输原则上任意的电流、电压、电信号等等。例如用于给半导体模块供电的供电电压、例如至少300V、至少600V、至少900V、至少1.5kV、至少2.8kV或者甚至至少3.6kV可以施加到连接端10和20之间。
为了避免电弧和/或延长漏电路径，介电支架3可以具有一个或多个棱条37（例如参见图1、3和4），所述棱条横向地在第一连接端10和第二连接端20之间伸展。
前述的连接组件50具有一个或两个连接板1、2。然而，连接组件50的连接板的数量可以任意选择。这借助示例性地具有四个连接板1、2、7、8的连接组件50来解释。图12示出对此的分解图，图13示出俯视图（中间的图）以及四个侧视图。
连接组件50具有导电的第一连接板1、导电的第二连接板2、导电的第三连接板7以及导电的第四连接板8，其中该第一连接板具有第一连接端10和两个第一脚区段11和12，该第二连接板具有第二连接端20和两个第二脚区段21和22，该第三连接板具有第三连接端70和两个第三脚区段71和72，该第四连接板具有第四连接端80和两个第四脚区段81和82，基本上每个连接板1、2、7、8具有至少一个脚区段11、12、21、22、71、72、81、82。
可选地，可以构造介电支架3，使得第一连接板1和第二连接板2（只要两者都存在）可以从相反侧被推到介电支架上并且在此被带到其第一或第二目标位置中。
如已经借助上面的实施例所解释的那样，连接组件50具有介电支架3以及拥有第一螺纹轴a41的第一螺母41和拥有第二螺纹轴a42的第二螺母42。介电支架3的第一和第二容纳区域31或32用于容纳第一或第二螺母41或42。
如果第一螺母41被嵌入到第一容纳区域31中，则第一连接板1可以被推到介电支架3上并且在此被带到第一目标位置中，使得第一螺母41被布置在介电支架3和第一连接端10之间并且通过第一连接板1的第一连接端10防脱落地保持在第一容纳区域31中。
相应地，如果第二螺母42被嵌入到第二容纳区域32中，则第二连接板2可以被推到介电支架3上并且在此被带到第二目标位置中，使得第二螺母42被布置在介电支架3和第二连接端20之间并且通过第二连接板2的第二连接端20防脱落地保持在第二容纳区域32中。
与在借助图1至4示出的连接组件50中不同，第一和第二连接板1、2在其处于相应的目标位置中时并排地布置，但是介电支架3的舌头形区段在连接板1和2处于其相应的目标位置中时也可以被布置在第一和第二连接板1和2之间。此外，借助图1至4解释的连接组件50（包括所解释的变型方案）的特征相应地适用。只要第三或第四连接板7、8存在，则所述连接板可以由已经针对第一和第二连接板1、2所述的材料之一构成。
不同于第一和第二连接板1、2，第三和第四连接板7、8不从相反的侧被推到介电支架3上，而是从介电支架3的相同侧以平行于螺纹轴a41和/或a42的方向被插到介电支架3上。
可选地，第三连接端70可以具有第一套管75和/或第四连接端80可以具有第四套管85。所述套管可以被构造为通孔（例如为钻孔），或被构造为U形区段，该U形区段从侧面延伸到第三或第四连接端70或80中。
在将螺母41、42（只要存在）嵌入到介电支架3的相应的容纳区域31或32中并且将第一和第二连接板1、2（只要存在）推到介电支架3上以后，连接组件50可以以已经借助图5至9解释的方式被安放到部分完成的半导体模块的壳体元件上并且在此借助连接组件50的一个或多个固定器装置35可选地与壳体元件固定。对此，壳体元件可以具有容纳区域，连接组件50被置入该容纳区域中。为了置入连接组件50，连接组件例如可以以平行于第一螺母41和/或（只要存在）第二螺母42的螺纹轴a41、a42的方向的方向被推到壳体元件上。螺纹轴a41、a42的方向在此在以下的情况下涉及其与介电支架3的相对位置，即有关螺母41、42被嵌入到介电支架3的所属容纳区域中。但是螺母41和/或42可以不必在为了插入第三或第四连接板7或8的情况下已经被嵌入到相应的容纳区域31或32中。
连接板1、2、3、4（只要存在）安装在介电支架3上并且在此被带到介电支架3上的其相应的目标位置中的顺序原则上是任意的。仅仅应该注意，在第一或第二连接板1或2被引入到相应的目标位置中之前，必须将螺母41、42（只要存在）嵌入到介电支架3的容纳区域31或32中。
如借助图12同样可以看出，可以与第一方向r1平行地将第一和/或第二连接板1、2推到介电支架3上并且以与第一方向r1不同的第二方向r2将第三和/或第四连接板7、8插到介电支架3上。第一方向r1和第二方向r2彼此不平行地伸展。两个方向可以包括任意的不同于0°和180°的角度、例如90°的角度。
在将连接组件50安装在壳体或壳体元件上之后，如前面已经解释的那样，还可以可选地将填料、例如硅树脂凝胶填充到壳体内部中。可选地，连接组件50可以同样具有对应于通孔57的通孔，只要在此连接板1、2、3、4或介电支架3的一个或多个舌头形区段30在有关的通孔的区域中相互堆叠地布置，则其可以分别具有子通孔。属于通孔的子通孔于是依次地布置，所述子通孔于是共同构成有关的通孔。
可以使用连接端10、20、70、80（只要存在）为半导体模块传输原则上任意的电流、电压、电信号等等。例如第一和第二连接板1、2可以在其脚区域11、12、21、22（只要存在）处例如借助电路载体2相互电连接，使得第一和第二连接板基本上位于共同的第一电位上，并且第三和第四连接板7、8可以在其脚区域71、72、81、82（只要存在）处例如借助电路载体2相互电连接，使得第三和第四连接板基本上位于共同的第二电位上。在运行半导体模块时，第一和第二电位可以显著不同，例如差至少300V、至少600V、至少900V、至少1.5kV、至少2.8kV或者甚至至少3.6kV。为了在此在一方面第一和第二连接板1、2（只要存在）与另一方面第三和第四连接板7、8（只要存在）之间避免电弧和/或延长漏电路径，介电支架3可以具有一个或多个棱条37（参见图12和13），所述棱条横向地在一方面第一和第二连接端10、20与另一方面第三和第四连接端70、80之间伸展。

Claims (20)

1.电连接组件系统，具有：
第一连接板（1），其具有第一连接端（10）和至少一个第一脚区段（11、12）；
第一螺母（41）；以及
介电支架（3），其具有用于容纳第一螺母（41）的第一容纳区域（31）；其中第一连接板（1）能在第一螺母（41）被嵌入到第一容纳区域（31）中时被推到介电支架（3）上并且在此被带到第一目标位置中，使得第一螺母（41）被布置在介电支架（3）和第一连接端（10）之间并且通过第一连接端（10）防脱落地被保持在第一容纳区域（31）中；
第二连接板（2），其具有第二连接端（20）和至少一个第二脚区段（21、22）；以及
第二螺母（42）；
其中介电支架（3）具有用于容纳第二螺母（42）的第二容纳区域（32）；并且第二连接板（2）能在第二螺母（42）被嵌入到第二容纳区域（32）中时被推到介电支架（3）上并且在此被带到第二目标位置中，使得第二螺母（42）被布置在介电支架（3）和第二连接端（20）之间并且通过第二连接端（20）防脱落地被保持在第二容纳区域（32）中；
其中当第一连接板（1）处于第一目标位置中并且第二连接板（2）处于第二目标位置中时，介电支架（3）的舌头形凸肩（30）被布置在第一连接板（1）和第二连接板（2）之间。
2.根据权利要求1所述的电连接组件系统，其中介电支架（3）具有至少一个第一固定器元件（33），所述固定器元件将第一连接板（1）保持在第一目标位置中。
3.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其中第一连接端（10）具有第一套管（15），当第一连接板（1）处于第一目标位置中时第一螺丝能穿过所述第一套管并且与第一螺母（41）拧紧。
4.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其中构造第一容纳区域（31），使得第一容纳区域在嵌入到所述第一容纳区域中的第一螺母（41）围绕着其螺纹轴旋转时卡住所述第一螺母（41）。
5.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其中介电支架（3）具有至少一个第二固定器元件（34），所述固定器元件将第二连接板（2）保持在第二目标位置中。
6.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其中第二连接端（20）具有第二套管（25），当第二连接板（2）处于第二目标位置中时第二螺丝能穿过所述第二套管并且与第二螺母（42）拧紧。
7.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其中构造第二容纳区域（32），使得第二容纳区域在嵌入到所述第二容纳区域中的第二螺母（42）围绕着其螺纹轴旋转时卡住所述第二螺母（42）。
8.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其中构造介电支架（3），使得第一连接板（1）和第二连接板（2）能够从相反侧被推到介电支架（3）上并且在此被带到第一或第二目标位置中。
9.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其具有一个或多个通孔（59），所述通孔中的每个具有三个依次布置的子通孔（19、29、39），其中
第一子通孔（19）被构造在第一连接板（1）中；
第二子通孔（29）被构造在第二连接板（2）中；并且
第三子通孔（39）被构造在介电支架（3）中。
10.根据权利要求1或2所述的电连接组件系统，其具有至少一个另外的连接板（7、8），所述另外的连接板具有另外的连接端（70、80）和至少一个另外的脚区段（71、72、81、82）并且能够被插到介电支架（3）上直至达到所属的另外的目标位置。
11.电连接组件，具有：
第一连接板（1），其具有第一连接端（10）和至少一个第一脚区段（11、12）；
第一螺母（41）；以及
介电支架（3），其具有用于容纳第一螺母（41）的第一容纳区域（31）；其中第一螺母（41）被嵌入到第一容纳区域（31）中并且第一连接板（1）被推到介电支架（3）上，使得第一螺母（41）被布置在介电支架（3）和第一连接端（10）之间并且通过第一连接端（10）防脱落地被保持在第一容纳区域（31）中；
第二连接板（2），其具有第二连接端（20）和至少一个第二脚区段（21、22）；
第二螺母（42）；
其中介电支架（3）具有用于容纳第二螺母（42）的第二容纳区域（32）；并且第二螺母（42）被嵌入到第二容纳区域（32）中并且第二连接板（2）被推到介电支架（3）上，使得第二螺母（42）被布置在介电支架（3）和第二连接端（20）之间并且通过第二连接端（20）防脱落地被保持在第二容纳区域（32）中；
其中当第一螺母（41）被布置在介电支架（3）和第一连接端（10）之间并且第二螺母（42）被布置在介电支架（3）和第二连接端（20）之间时，介电支架（3）的舌头形凸肩（30）被布置在第一连接板（1）和第二连接板（2）之间。
12.根据权利要求11所述的电连接组件，其中在第一连接板（1）和介电支架（3）之间不存在材料决定的连接。
13.根据权利要求11或12所述的电连接组件，其中在第二连接板（2）和介电支架（3）之间不存在材料决定的连接。
14.半导体模块，其具有：
具有模块壳体元件（61）的模块壳体（6）；
具有第一金属化部的电路载体（2）；以及
根据权利要求11至13之一构造的电连接组件（50），其中至少一个第一脚区段（11、12）与第一金属化部导电连接。
15.根据权利要求14所述的半导体模块，其中至少一个第一脚区段（11、12）与第一金属化部熔焊或钎焊或烧结。
16.根据权利要求14或15所述的半导体模块，其中
电路载体（2）具有第二金属化部；
电连接组件（50）根据权利要求11至13之一来构造；以及
至少一个第二脚区段（21、22）与第二金属化部导电连接。
17.根据权利要求16所述的半导体模块，其中至少一个第二脚区段（21、22）与第二金属化部熔焊或钎焊或烧结。
18.根据权利要求14或15所述的半导体模块，其中连接组件（50）具有根据权利要求10构造的电连接组件系统，其中
所述另外的连接板（7、8）被插到介电支架（3）上并且处于其另外的目标位置；
另外的螺母被嵌入到模块壳体（6）的留空中并且被布置在模块壳体（6）和另外的连接端（70、80）之间，使得所述另外的螺母通过另外的连接端（70、80）防脱落地被保持在另外的容纳区域中。
19.用于制造半导体模块的方法，具有以下步骤：
提供电路载体（2），其具有第一金属化部；
提供根据权利要求11至13之一构造的电连接组件（50）；
提供模块壳体元件（61）；
将模块壳体元件（61）布置在电路载体（2）上；并且
在将模块壳体元件（61）布置在电路载体（2）上之前或之后，将电连接组件（50）插到模块壳体元件（61）上，使得第一脚区域（11、12）被布置在第一金属化部之上；以及
在第一脚区域（11、12）处在第一金属化部和第一连接板（1）之间建立导电连接。
20.根据权利要求19所述的方法，具有另外的步骤：
对模块壳体（6）进行抽真空；
在将电连接组件（50）插到模块壳体元件（61）上之后，在模块壳体处于真空状态下期间，将填料（65）填充到模块壳体（6）的内部空间中；
通过将电路载体（2）连同布置在所述电路载体上的模块壳体元件（61）和所填充的填料（65）引入到具有正常的环境压力（p0）的大气中来结束真空状态。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6672944B2 (ja) * 2016-03-28 2020-03-25 Tdk株式会社 端子台および電子機器
JP6884567B2 (ja) * 2016-12-15 2021-06-09 株式会社三社電機製作所 接続端子
US11076477B2 (en) * 2017-10-03 2021-07-27 Mks Instruments, Inc. Cooling and compression clamp for short lead power devices
JP7152160B2 (ja) * 2018-01-26 2022-10-12 矢崎総業株式会社 バスバー及びバスバー固定構造
DE102018207226A1 (de) * 2018-05-09 2019-11-14 Volkswagen Aktiengesellschaft Vorrichtung zur Kontaktverschraubung, elektrische Maschine mit Vorrichtung zur Kontaktverschraubung und Kontaktverschraubung
DE102019209252A1 (de) * 2019-06-26 2020-12-31 Te Connectivity Germany Gmbh Trägerstruktur, Zellkontaktiersystem und Herstellungsverfahren
JP2021141222A (ja) 2020-03-06 2021-09-16 富士電機株式会社 半導体モジュール
US11277128B1 (en) * 2020-11-04 2022-03-15 Switch Gear Automotive LLC High current solid-state bidirectional relay

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471089A (en) * 1992-06-30 1995-11-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor power module
US5956231A (en) * 1994-10-07 1999-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having power semiconductor elements
CN1231575A (zh) * 1998-04-03 1999-10-13 阿尔卑斯电气株式会社 印刷电路板上的端子安装结构
CN2672859Y (zh) * 2003-12-23 2005-01-19 上海凯虹电子有限公司 一种大功率的微电子产品
CN201181702Y (zh) * 2008-04-18 2009-01-14 苏州固锝电子股份有限公司 薄型焊接式整流桥堆
CN102013422A (zh) * 2009-09-07 2011-04-13 比亚迪股份有限公司 绝缘栅双极型功率管模块

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2882143B2 (ja) 1991-12-10 1999-04-12 富士電機株式会社 半導体装置の内部配線構造
US6714414B1 (en) * 2003-02-07 2004-03-30 Morningstar Corporation Spring spacer assemblies for maintaining electrical components in contact with thermal transfer surfaces
JP5113815B2 (ja) 2009-09-18 2013-01-09 株式会社東芝 パワーモジュール
KR101443985B1 (ko) * 2012-12-14 2014-11-03 삼성전기주식회사 전력 모듈 패키지
JP5954491B2 (ja) 2013-03-21 2016-07-20 三菱電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471089A (en) * 1992-06-30 1995-11-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor power module
US5956231A (en) * 1994-10-07 1999-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having power semiconductor elements
CN1231575A (zh) * 1998-04-03 1999-10-13 阿尔卑斯电气株式会社 印刷电路板上的端子安装结构
CN2672859Y (zh) * 2003-12-23 2005-01-19 上海凯虹电子有限公司 一种大功率的微电子产品
CN201181702Y (zh) * 2008-04-18 2009-01-14 苏州固锝电子股份有限公司 薄型焊接式整流桥堆
CN102013422A (zh) * 2009-09-07 2011-04-13 比亚迪股份有限公司 绝缘栅双极型功率管模块

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