CN105583186A - 一种极紫外光学基底的清洁处理方法 - Google Patents

一种极紫外光学基底的清洁处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105583186A
CN105583186A CN201510962204.8A CN201510962204A CN105583186A CN 105583186 A CN105583186 A CN 105583186A CN 201510962204 A CN201510962204 A CN 201510962204A CN 105583186 A CN105583186 A CN 105583186A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
extreme ultraviolet
cleaning
ultrasonic
ultraviolet optics
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510962204.8A
Other languages
English (en)
Inventor
姚舜
喻波
金春水
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Original Assignee
Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS filed Critical Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS
Priority to CN201510962204.8A priority Critical patent/CN105583186A/zh
Publication of CN105583186A publication Critical patent/CN105583186A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)

Abstract

本发明涉及一种极紫外光学基底的清洁处理方法，解决现有清洗光学基底的方法均会对其面形造成影响的技术问题。该方法包括以下步骤：第一步：使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭；第二步：将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗；第三步：将经过超声波清洗的极紫外光学基底进行慢拉脱水处理；第四步：酒精烘干第三步处理后的极紫外光学基底。本发明提供的方法通过手工擦拭、低功率超声波清洗、慢拉脱水、酒精烘干流程实现了能够有效并极大降低清洗过程对基底产生的影响。使用手工擦拭，在超声波功率较小的情况下依然可以做到对极紫外光学基底的有效的清洁作用。使用较小的超声波功率，极大的降低了超声波清洗对基底表面面形等的影响。

Description

一种极紫外光学基底的清洁处理方法
技术领域
本发明涉及光学基底的清洁处理领域，具体涉及一种极紫外光学基底的清洁处理方法。
背景技术
极紫外光刻(ExtremeUltravioletLithography，EUV)技术是使用EUV波段，主要是13.5nm波段，进行光刻的微纳加工技术。目前，EUVL技术已经能够实现7nm线宽的刻蚀工艺，并具备进一步缩小刻蚀线宽的可能性。这在大规模集成电路制造领域具有重要意义，能够实现更大密度的元件集成，以及更低的能耗。
由于物质对EUV的吸收，EUVL系统使用了全部反射式的设计结构。所用反射镜一般由光学基底和EUV高反膜构成。由于EUV极短的波长，其对反射镜的要求也极其苛刻。EUV光学基底一般采用超低热膨胀系数材料，如ULE等。这种材料在温度变化下，体积变化极小，保证了反射镜的面形基本不变。此外，EUV光学基底还需进行超光滑抛光，使表面高频粗糙度在0.2nm以下，才能保证EUV高反膜的反射率在65％以上。以上各种因素使得在对极紫外光学基底进行清洁处理时，需要严格控制基底面形及高频粗糙度的变化。
目前，关于光学基底的清洗技术主要包括，人工擦拭、超声波清洗，紫外辐照清洗、等离子体清洗、和CO2雪清洗等。其中人工擦拭使用蘸有有机溶剂的擦镜布进行有针对性的去污处理，能够有效的去除基底表面肉眼可见的污染物，但造成的有机溶剂残留是不容忽视的。超声波清洗是利用超声波在液体中传播时产生的空化作用，传递的能量，以及搅拌作用实现对样品的清洗。其中空化作用是指超声波作为压力波在液体中传播时，由于负压作用产生空穴，在正压时，空穴又被压碎产生强大的冲击力，由此使样品表面污染物剥离脱落的现象。传递的能量是超声波本身在液体中传播时，所携带的能量使样品表面污染物震荡剥离的现象。搅拌作用是指，超声波在液体中传播引起的水流变化，将样品表面污染物带离的作用。在恰当的液体温度、超声波频率、功率以及清洗溶剂的选择下，超声波可以实现较为理想的光学基底的清洗。但是超声波清洗过程中，十分容易破坏基底表面，尤其在EUV基底的清洁处理中，超声波清洗会造成一定的面形变化，甚至引起高频粗糙度的变化，这对EUVL技术是致命的。其他几种清洗技术，主要是对已经清洁的光学基底进行进一步处理所使用的，如紫外辐照清洗，是利用紫外灯辐射的183.9nm和253.7nm波段紫外光激发空气中的臭氧，进而使基底表面有机物被氧化成CO2和H2O的一种清洗方法。
综上所述，现有清洗光学基底的方法均会对其面形造成一定的影响。因此开发一种能够有效并极大降低清洗过程对光学基底产生影响的极紫外光学基底的清洁处理方法是具有十分重要意义的。
发明内容
本发明为解决现有清洗光学基底的方法均会对其面形造成影响的技术问题，提供一种能够有效并极大降低清洗过程对光学基底产生影响的极紫外光学基底的清洁处理方法。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案具体如下：
一种极紫外光学基底的清洁处理方法，该方法包括以下步骤：
第一步：使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭；
第二步：将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗；
第三步：将经过超声波清洗的极紫外光学基底进行慢拉脱水处理；
第四步：酒精烘干第三步处理后的极紫外光学基底。
在上述技术方案中，所述使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭的具体步骤为：使用蘸有有机溶剂的无尘布在聚光灯下对极紫外光学基底进行擦拭。
在上述技术方案中，所述有机溶剂为酒精、石油醚和丙酮中的一种或多种。
在上述技术方案中，所述将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗的具体步骤为：利用清洗工装夹持待清洗极紫外光学基底，并将其放入超声波水槽中进行清洗。
在上述技术方案中，所述清洗工装能够将圆形极紫外光学基底侧立固定，并不与待清洗面接触。
在上述技术方案中，所述超声波水槽是具有三个不同超声波频率的清洗槽体，三个不同超声波频率依次为40kHz、68kHz、120kHz。
在上述技术方案中，将极紫外光学基底放入超声波水槽中进行清洗的具体步骤为：将超声波水槽中充入去离子水，并在40kHz水槽中放入配置的有机溶剂，水温设置为50℃，超声波功率设置为总功率的25％-30％，清洗时间为3min，将待清洗极紫外光学基底依次放入40kHz、68kHz、120kHz的三个清洗槽体进行清洗。
在上述技术方案中，所述将经过超声波清洗的极紫外光学基底进行慢拉脱水处理的具体步骤为：将极紫外光学基底浸没在去离子水中，再缓慢提升，使液面在所述极紫外光学基底表面形成一条水线，利用表面张力使基底表面脱水，水温设置为60℃。
在上述技术方案中，所述酒精烘干第三步处理后的极紫外光学基底具体步骤为：将极紫外光学基底放置在酒精槽上方，并对酒精进行加热使其沸腾汽化形成大量酒精蒸汽，并通过所述极紫外光学基底表面，进一步使基底脱水烘干。
本发明的有益效果是：
1、本发明提供的方法通过手工擦拭、低功率超声波清洗、慢拉脱水、酒精烘干流程实现了能够有效并极大降低清洗过程对极紫外光学基底产生的影响。
2、使用手工擦拭，在超声波功率较小的情况下依然可以对极紫外光学基底做到有效的清洁处理。
3、使用较小的超声波功率，极大的降低了超声波清洗对极紫外光学基底表面面形等的影响。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1为极紫外光学基底的清洁处理流程。
图2擦拭后极紫外光学基底的面形图。
图3为利用80％超声波功率清洗极紫外光学基底的面形图。
图4为利用30％超声波功率清洗极紫外光学基底的面形图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做以详细说明。
一种极紫外光学基底的清洁处理方法，具体步骤如下：
第一步：使用蘸有酒精、石油醚和丙酮中的一种或多种的无尘布在聚光灯下对极紫外光学基底进行擦拭。
第二步：利用清洗工装夹持待清洗的手工擦拭后的极紫外光学基底，并将其放入超声波水槽中进行清洗；所述清洗工装能够将圆形极紫外光学基底侧立固定，并不与待清洗面接触；所述超声波水槽是具有三个不同超声波频率的清洗槽体，三个不同超声波频率依次为40kHz、68kHz、120kHz；将极紫外光学基底放入超声波水槽中进行清洗的具体步骤为：将超声波水槽中充入去离子水，并在40kHz水槽中放入配置的有机溶剂，水温设置为50℃，超声波功率设置为总功率的25％-30％，清洗时间为3min，将待清洗极紫外光学基底依次放入40kHz、68kHz、120kHz的三个清洗槽体进行清洗。
第三步：将经过超声波清洗的极紫外光学基底浸没在去离子水中，再缓慢提升，使液面在所述极紫外光学基底表面形成一条水线，利用表面张力使基底表面脱水，水温设置为60℃。
第四步：将第三步处理后的极紫外光学基底放置在酒精槽上方，并对酒精进行加热使其沸腾汽化形成大量酒精蒸汽，并通过所述极紫外光学基底表面，进一步使基底脱水烘干。
上述全部操作流程均在超净间完成，避免清洗过程中的污染。
实施例：
下面以一直径220mm的熔石英凹面镜的清洁处理为例介绍本发明提出的极紫外光学基底的清洁处理方法。
如图1所示，首先将待清洗基底放置在超净台上，使用聚光灯观察基底表面的污染物情况。利用胶头滴管取酒精和石油醚的混合溶液若干，滴在折叠的无尘布的宽厚一端，使其浸润。手持无尘布，使浸润端紧贴基底，在基底表面沿圆周方向进行擦拭，从中心开始，螺旋向外直至擦遍基底表面，再次使用聚光灯观察基底表面，再次擦拭，直至观察不到污染物。通过干涉仪检测，手工擦拭后，基底表面会残留由有机溶剂构成的螺旋状污染物，如图2。
将基底固定到清洗工装上，放入溶有清洗剂的40kHz超声波去离子水清洗槽中，之后依次放入68kHz和120kHz的超声波水槽中进行清洗。水温均为50℃，清洗3min，超声波功率为总功率的25％，清洗过程配合基底的上下浮动。
将基底放置到慢拉脱水槽中，将基底下放至浸没在60℃的去离子水中，缓慢提拉，利用水的表面张力使基底的光学面脱水。
将基底放置到酒精槽上方，酒精加热至80℃，使其沸腾汽化。利用酒精蒸汽对基底进行进一步烘干。
如图3和4所示，利用80％、30％超声波功率清洗光学基底后的面形变化。使用80％超声波功率的清洗使基底面形发生了较大的变化，全波面偏差0.464nmRMS，36项Zernike拟合波面偏差0.448nmRMS。而使用30％超声波功率的清洗明显降低了超声波对基底面形的影响，全波面偏差0.245nmRMS，36项Zernike拟合波面偏差0.166nmRMS。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (9)

1.一种极紫外光学基底的清洁处理方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
第一步：使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭；
第二步：将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗；
第三步：将经过超声波清洗的极紫外光学基底进行慢拉脱水处理；
第四步：酒精烘干第三步处理后的极紫外光学基底。
2.根据权利要求1所述的清洁处理方法，其特征在于，所述使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭的具体步骤为：使用蘸有有机溶剂的无尘布在聚光灯下对极紫外光学基底进行擦拭。
3.根据权利要求2所述的清洁处理方法，其特征在于，所述有机溶剂为酒精、石油醚和丙酮中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的清洁处理方法，其特征在于，所述将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗的具体步骤为：利用清洗工装夹持待清洗极紫外光学基底，并将其放入超声波水槽中进行清洗。
5.根据权利要求4所述的清洁处理方法，其特征在于，所述清洗工装能够将圆形极紫外光学基底侧立固定，并不与待清洗面接触。
6.根据权利要求4所述的清洁处理方法，其特征在于，所述超声波水槽是具有三个不同超声波频率的清洗槽体，三个不同超声波频率依次为40kHz、68kHz、120kHz。
7.根据权利要求6所述的清洁处理方法，其特征在于，将极紫外光学基底放入超声波水槽中进行清洗的具体步骤为：将超声波水槽中充入去离子水，并在40kHz水槽中放入配置的有机溶剂，水温设置为50℃，超声波功率设置为总功率的25％-30％，清洗时间为3min，将待清洗极紫外光学基底依次放入40kHz、68kHz、120kHz的三个不同的清洗槽体进行清洗。
8.根据权利要求1所述的清洁处理方法，其特征在于，所述将经过超声波清洗的极紫外光学基底进行慢拉脱水处理的具体步骤为：将极紫外光学基底浸没在去离子水中，再缓慢提升，使液面在所述极紫外光学基底表面形成一条水线，利用表面张力使基底表面脱水，水温设置为60℃。
9.根据权利要求1所述的清洁处理方法，其特征在于，所述酒精烘干第三步处理后的极紫外光学基底具体步骤：将极紫外光学基底放置在酒精槽上方，并对酒精进行加热使其沸腾汽化形成大量酒精蒸汽，并通过所述极紫外光学基底表面，进一步使基底脱水烘干。
CN201510962204.8A 2015-12-21 2015-12-21 一种极紫外光学基底的清洁处理方法 Pending CN105583186A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510962204.8A CN105583186A (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种极紫外光学基底的清洁处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510962204.8A CN105583186A (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种极紫外光学基底的清洁处理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105583186A true CN105583186A (zh) 2016-05-18

Family

ID=55923303

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510962204.8A Pending CN105583186A (zh) 2015-12-21 2015-12-21 一种极紫外光学基底的清洁处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105583186A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107790456A (zh) * 2017-09-29 2018-03-13 佛山华国光学器材有限公司 一种红外硫系玻璃镜片的清洗工艺
CN108906830A (zh) * 2018-06-27 2018-11-30 东莞市兰光光学科技有限公司 一种大口径精密光学元件表面洁净处理方法
CN109013526A (zh) * 2018-07-25 2018-12-18 中国建筑材料科学研究总院有限公司 石英玻璃摆片的清洗方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09206713A (ja) * 1996-02-07 1997-08-12 Furontetsuku:Kk 洗浄方法および洗浄装置
CN1418737A (zh) * 2001-11-14 2003-05-21 深圳欧菲光网络有限公司 超声波清洗玻璃慢拉脱水方法
JP2005158132A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッドの洗浄方法、及びそれを用いた磁気ヘッド
CN103042008A (zh) * 2012-12-25 2013-04-17 同济大学 一种激光薄膜元件用光学基板的清洗方法
CN103721969A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 中国科学院大连化学物理研究所 一种光学基片镀膜前的清洗方法
CN105022235A (zh) * 2015-07-15 2015-11-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有半波带结构的极紫外光源收集镜的制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09206713A (ja) * 1996-02-07 1997-08-12 Furontetsuku:Kk 洗浄方法および洗浄装置
CN1418737A (zh) * 2001-11-14 2003-05-21 深圳欧菲光网络有限公司 超声波清洗玻璃慢拉脱水方法
JP2005158132A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッドの洗浄方法、及びそれを用いた磁気ヘッド
CN103721969A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 中国科学院大连化学物理研究所 一种光学基片镀膜前的清洗方法
CN103042008A (zh) * 2012-12-25 2013-04-17 同济大学 一种激光薄膜元件用光学基板的清洗方法
CN105022235A (zh) * 2015-07-15 2015-11-04 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有半波带结构的极紫外光源收集镜的制作方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107790456A (zh) * 2017-09-29 2018-03-13 佛山华国光学器材有限公司 一种红外硫系玻璃镜片的清洗工艺
CN108906830A (zh) * 2018-06-27 2018-11-30 东莞市兰光光学科技有限公司 一种大口径精密光学元件表面洁净处理方法
CN109013526A (zh) * 2018-07-25 2018-12-18 中国建筑材料科学研究总院有限公司 石英玻璃摆片的清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10816895B2 (en) Photomask cleaning processes
CN105583186A (zh) 一种极紫外光学基底的清洁处理方法
CN104259132B (zh) 一种蓝宝石晶片清洗工艺
CN103042008B (zh) 一种激光薄膜元件用光学基板的清洗方法
US20040194798A1 (en) Method of cleaning substrate
JPH03503975A (ja) 表面および液体の洗浄方法
CN105251745B (zh) 一种光学元件精密抛光后的清洗方法
CN109693039B (zh) 一种硅片表面激光抛光的方法
CN101372748A (zh) 清洗铝合金零件的方法
TW200732862A (en) Cleaning liquid for photolithography and method of cleaning exposure equipment using the same
JP2000330262A (ja) フォトマスクの洗浄方法、洗浄装置およびフォトマスクの洗浄液
CN102366750A (zh) 深曲面玻璃反光镜的超声波清洗干燥方法
CN105637619A (zh) 紫外线透过性基板的清洗装置以及清洗方法
JP2000070885A (ja) 基板洗浄装置及び基板洗浄方法
KR102081378B1 (ko) 초음파 세정장치 및 세정방법
JP2013157480A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
CN103170467B (zh) 铸锭循环料清洁处理方法
JP3916526B2 (ja) シリコン基板のエッチング方法
CN102873048B (zh) 一种激光薄膜的清洗方法
CN106378334A (zh) 精密光学元件的超声清洗方法
JP2006055775A (ja) ダイコータの塗工方法およびこの方法によって作製されたフォトリソグラフィ用ペリクル
CN105921453B (zh) 一种高功率激光装置的大型箱体表面的洁净处理方法
JP2013158664A (ja) ガラス基板の洗浄方法
CN108405487A (zh) 一种无损激光清洗方法
CN101261931A (zh) 一种短波长光辅助硅片直接键合方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160518