CN105580065A - 显示面板和具备该显示面板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

在显示区域内设有将栅极线切换为选择或者非选择的状态的驱动电路的情况下也能减少显示区域中显示不均匀的发生。本发明的显示面板具备：有源矩阵基板，其具备多个栅极线和多个源极线；以及相对基板。有源矩阵基板具备驱动电路，在显示区域内按每个栅极线设有该驱动电路，该驱动电路将该栅极线切换为选择或者非选择的状态。在显示面板中，为了使得设有驱动电路的设置区域和未设有驱动电路的非设置区域之间的亮度差变小，在非设置区域中具备使非设置区域的开口率分段地变化的开口率调整构件。

Description

显示面板和具备该显示面板的显示装置
技术领域
本发明涉及显示面板和具备该显示面板的显示装置，特别是涉及栅极驱动器的配置。
背景技术
以往，已知在有源矩阵基板的相邻的2个边形成有栅极驱动器和源极驱动器的显示面板。特表2004-538511号公报公开了如下技术：将驱动接收数据信号的列地址导体的行驱动电路和驱动接收行选择信号的行地址导体的列驱动电路设置在像素元件阵列的1边。在特表2004-538511号公报中，通过这种构成，保持像素元件阵列等的支撑体中的像素元件阵列的周边区域不会被这些驱动电路所限制。
发明内容
如上述特表2004-538511号公报那样，将栅极驱动器和源极驱动器设于有源矩阵基板的1边侧，从而能使其它3边窄边框化。然而，在上述专利文献1中，引导栅极线的距离比以往更长，会使栅极线的负荷变大。其结果是，提供给栅极线的电位钝化，难以高速驱动栅极线。本申请的申请人发明并且申请了在显示区域内设有将栅极线切换为选择或者非选择的状态的驱动电路的有源矩阵基板(特愿2012-238805)。通过在显示区域内设置驱动电路来减少栅极线的钝化，并且谋求窄边框化。然而，由于在显示区域内设置驱动电路，设有驱动电路的像素的开口率会比未设有驱动电路的像素小，在显示区域中会产生像素的开口率的差。其结果是，在显示区域中产生亮度差，发生显示不均匀。
本发明的目的在于提供一种技术，在显示区域内设有将栅极线切换为选择或者非选择的状态的驱动电路的情况下，减少显示区域中的显示不均匀的发生。
第1发明的显示面板具备：有源矩阵基板，其具备包括多个栅极线和多个源极线的配线；以及相对基板，其中，上述有源矩阵基板具备驱动电路，在显示区域内按每个上述栅极线设有上述驱动电路，上述驱动电路将该栅极线切换为选择或者非选择的状态，为了使得设有上述驱动电路的设置区域和未设有上述驱动电路的非设置区域之间的亮度差变小，在上述非设置区域中具备使上述非设置区域中的开口率分段地变化的开口率调整构件。
第2发明是在第1发明中，上述开口率调整构件是调整用配线，在上述非设置区域中设有上述调整用配线，使得在上述非设置区域中随着靠近上述设置区域而开口率变小。
第3发明是在第2发明中，上述调整用配线由与上述配线中的任一配线相同的构件构成，是在将该配线形成于上述有源矩阵基板的过程中同时形成的。
在第4发明中，上述相对基板具备黑矩阵，上述开口率调整构件是上述黑矩阵，上述黑矩阵形成于上述相对基板，使得在上述非设置区域中随着靠近上述设置区域而开口率变小。
第5发明是在第1至第4发明中，上述相对基板还具备彩色滤光片，上述显示区域具备包括多种颜色的子像素的像素，上述驱动电路在上述设置区域中配置在与上述多种颜色中的一种颜色对应的子像素中，设有上述驱动电路的上述子像素比包括该子像素的上述像素中的其它子像素大，上述非设置区域中的像素的子像素为大致同等的大小。
第6发明的显示装置具备第1至第5发明中的任一项所述的显示面板；以及照射部，其从上述显示面板的有源矩阵基板一侧照射光，使得上述设置区域与上述非设置区域之间的亮度差变小。
根据本发明的构成，在显示区域内设有将栅极线切换为选择或者非选择的状态的驱动电路的情况下，也能减少显示区域中发生显示不均匀的情况。
附图说明
图1是示出第1实施方式的液晶显示装置的概要构成的示意图。
图2是示出图1所示的显示面板的概要构成的示意图。
图3是示出图1所示的相对基板的概要构成的截面图。
图4A是示出图2所示的有源矩阵基板的概要构成的示意图。
图4B是示出图2所示的有源矩阵基板的概要构成的示意图。
图5是示出图4B所示的栅极驱动器的等效电路的一个例子的图。
图6A是示出图4B所示的栅极驱动器的显示区域内的配置例的示意图。
图6B是示出图4B所示的栅极驱动器的显示区域内的配置例的示意图。
图6C是示出图4B所示的栅极驱动器的显示区域内的配置例的示意图。
图7是将形成有图6B所示的TFT-A的像素区域放大的俯视图。
图8A是将图7中的TFT-PIX的部分用I-I线切断的截面的示意图。
图8B是将图7中的接触部CH1用II-II线切断的截面的示意图。
图8C是将图7中的TFT-A的部分用III-III线切断的截面的示意图。
图8D是将图7中的接触部CH2用IV-IV线切断的截面的示意图。
图9A是将图6B所示的像素区域204R放大的俯视图。
图9B是将图6B所示的像素区域205R放大的俯视图。
图9C是将图6A所示的像素区域203R放大的俯视图。
图9D是将图6C所示的像素区域205B放大的俯视图。
图9E是将图6B所示的像素区域203B放大的俯视图。
图9F是将图6A所示的像素区域201B和202R放大的俯视图。
图10是图5所示的栅极驱动器扫描栅极线时的时序图。
图11是将图4B所示的有源矩阵基板的概要构成简化的示意图。
图12是将图11所示的有源矩阵基板的一部分放大的示意图。
图13是表示栅极驱动器设置区域和栅极驱动器非设置区域的开口率变化的图。
图14是示出栅极驱动器设置区域和栅极驱动器非设置区域的开口率的差与调整区域的宽度的关系的图。
图15A是举例示出图12所示的区域S1和S5的像素区域的图。
图15B是举例示出图12所示的区域S2和S4的像素区域的图。
图15C是举例示出图12所示的区域S3的像素区域的图。
图16是说明第2实施方式的栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域的遮光区域的图。
图17A是举例示出第2实施方式的图12所示的区域S1和S5的像素区域的图。
图17B是举例示出第2实施方式的图12所示的区域S2和S4的像素区域的图。
图18是示出第3实施方式的有源矩阵基板的概要构成的示意图。
图19是示出第3实施方式的背光源的构成的示意图。
图20是表示图19所示的背光源的显示区域中的亮度变化的。
图21是示出第3实施方式的栅极驱动器设置区域和栅极驱动器非设置区域的开口率的差与调整区域的宽度的关系的图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的显示面板具备：有源矩阵基板，其具备包括多个栅极线和多个源极线的配线；以及相对基板，上述有源矩阵基板具备驱动电路，在显示区域内按每个上述栅极线设有上述驱动电路，上述驱动电路将该栅极线切换为选择或者非选择的状态，为了使得设有上述驱动电路的设置区域和未设有上述驱动电路的非设置区域之间的亮度差变小，在上述非设置区域中具备使上述非设置区域中的开口率分段地变化的开口率调整构件。(第1构成)。
根据第1构成，利用设置在显示区域内的驱动电路，将多个栅极线分别切换为选择状态或者非选择的状态。在显示区域中，在驱动电路的设置区域与非设置区域之间产生开口率的差。非设置区域具备开口率调整构件，其使开口率分段地变化从而使设置区域与非设置区域之间的亮度差变小。因此，在显示区域内设置驱动电路的情况下，与在非设置区域中不具备开口率调整构件的情况相比，能使显示区域的开口率的差导致的亮度差减少，能减少显示不均匀。
第2构成也可以是在第1构成中，上述开口率调整构件是调整用配线，在上述非设置区域中设有上述调整用配线，使得在上述非设置区域中随着靠近上述设置区域而开口率变小。
根据第2构成，在非设置区域中设有调整用配线，使得随着靠近设置区域而使开口率变小，因此设置区域与非设置区域之间的亮度差不会急剧变化，能减少显示不均匀。
第3构成也可以是在第2构成中，上述调整用配线由与上述配线中的任一配线相同的构件构成，是在上述有源矩阵基板上形成该配线的过程中同时形成的。
根据第3构成，在形成有源矩阵基板上的任一配线的过程中同时形成调整用配线。因此，不用增加用于设置调整用配线的工序就能制造有源矩阵基板。
第4构成也可以是在第1构成中，上述相对基板具备黑矩阵，上述开口率调整构件是上述黑矩阵，上述黑矩阵形成于上述相对基板，使得在上述非设置区域中随着靠近上述设置区域而开口率变小。
根据第4构成，黑矩阵形成于相对基板，使得在非设置区域中随着靠近设置区域而使开口率变小。即，在非设置区域中随着靠近设置区域而使被黑矩阵遮光的区域变大。因此，设置区域与非设置区域之间的亮度差不会急剧变化，能减少显示不均匀。
第5构成也可以是在第1至第4构成中的任一构成中，上述相对基板还具备彩色滤光片，上述显示区域具备包括多种颜色的子像素的像素，上述驱动电路在上述设置区域中配置在与上述多种颜色中的一种颜色对应的子像素中，设有上述驱动电路的上述子像素比包括该子像素的上述像素中的其它子像素大，上述非设置区域中的像素的子像素为大致同等的大小。
根据第5构成，在设置区域中，配置有驱动电路的子像素构成为比其它颜色的子像素大。另外，非设置区域中的各子像素构成为大致同等的大小。通过将设有驱动电路的子像素构成得比其它子像素大，与构成为与其它子像素同等的大小的情况相比，能使设有驱动电路的子像素的开口率变大。另外，构成为非设置区域的开口率分段地变化以使非设置区域与设置区域的亮度差变小，因此能使驱动电路的设置区域与非设置区域的开口率的差变小，能使设置区域与非设置区域之间的亮度差变小。另外，在子像素的尺寸小的情况下，也能通过将设置区域中的1种颜色的子像素的尺寸构成得比其它子像素大来配置驱动电路。
本发明的一个实施方式的显示装置具备：第1至第5构成中的任一构成的显示面板；以及照射部，其从上述显示面板的有源矩阵基板一侧照射光，使得上述设置区域与上述非设置区域之间的亮度差变小(第6构成)。
根据第6构成，在非设置区域设有使开口率分段地变化的开口率调整构件以使驱动电路的设置区域与非设置区域之间的亮度差变小，并且从照射部照射光。由此，能进一步减少设置区域与非设置区域之间的亮度差，因此能使显示面的亮度均匀化，能进一步减少显示不均匀。
以下，参照附图详细说明本发明的实施方式。对图中相同或者相当部分标注相同附图标记，不重复进行其说明。
＜第1实施方式＞
(液晶显示装置的构成)
图1是示出本实施方式的液晶显示装置的概要构成的示意图。液晶显示装置1具有：显示面板2、源极驱动器3、显示控制电路4、电源5和背光源单元6。显示面板2与形成于柔性基板的源极驱动器3电连接。显示控制电路4与显示面板2、源极驱动器3和电源5电连接。显示控制电路4对源极驱动器3和形成于显示面板2的后述的驱动电路(以下称为栅极驱动器)输出控制信号。控制信号中包括用于使显示面板2显示图像的复位信号(CLR)、时钟信号(CKA，CKB)、数据信号等。电源5与显示面板2、源极驱动器3、显示控制电路4和背光源单元6电连接，分别提供电源电压信号。
背光源单元6包括：具有光源的背光源；以及用于驱动背光源的逆变器(均省略图示)。背光源例如是边光型背光源。背光源设置在显示面板2的下方，以规定的亮度照射光使得显示区域的背光源的亮度大致均匀。
图2是示出图1所示的显示面板2的概要构成的示意图。如图2所示，显示面板2具有：有源矩阵基板20a、相对基板20b以及被这些基板夹持的液晶层(图示略)。另外，显示面板2在有源矩阵基板20a的下表面侧和相对基板20b的上表面侧具有偏振板21a、21b。
图3是表示图2所示的相对基板20b的截面的示意图。如图3所示，相对基板20b在玻璃基板10上形成有对后述的有源矩阵基板20a的像素区域的开口部以外的区域进行遮光的黑矩阵BM。在黑矩阵BM上形成有红(R)、绿(G)、蓝(B)3色的彩色滤光片101。在彩色滤光片101上形成有保护层102，在保护层102上形成有由ITO等透明导电膜构成的共用电极103。
接下来说明有源矩阵基板20a的构成。图4A是示出有源矩阵基板20a的概要构成的俯视图。在有源矩阵基板20a中，从x轴方向的一端到另一端以固定的间隔大致平行地形成有多个栅极线13G(13G(1)～13G(n))。以下，在不对栅极线13G(1)～13G(n)进行区别时，称为栅极线13G。另外，在有源矩阵基板20a中，以与栅极线13G群交叉的方式形成有多个源极线15S。由栅极线13G和源极线15S包围的区域是与相对基板20b中的彩色滤光片101的RGB的任一种颜色对应的子像素区域。1个像素由RGB的子像素区域构成。
图4B省略了图4A所示的有源矩阵基板20a中的源极线15S的图示，是示出与有源矩阵基板20a连接的各部的概要构成的俯视图。如图4B所示，在有源矩阵基板20a中，在设有源极驱动器3的一边侧的显示区域外形成有端子部12g。端子部12g与显示控制电路4和电源5连接。端子部12g接受从显示控制电路4和电源5输出的控制信号(CKA，CKB)、电源电压信号等信号。将输入到端子部12g的控制信号(CKA，CKB)和电源电压信号等信号通过配线15L1提供给栅极驱动器群11A、11B、11C、11D。
栅极驱动器群11A、11B、11C、11D分别包括设于显示区域中的同一列的栅极驱动器。以下，在不对这些栅极驱动器群的栅极驱动器进行区别时称为栅极驱动器11。在该例子中，1个栅极线13G连接有4个栅极驱动器11。栅极驱动器11设置在栅极线13G之间。栅极驱动器11通过配线15L1与配置于同一列的其它栅极驱动器11连接。栅极驱动器11通过配线15L1接受从端子部12g提供的信号。然后，对所连接的栅极线13G输出表示选择状态或者非选择状态中的一方的电压信号，并且对下一级的栅极线13G输出该电压信号。在以下的说明中，有时将与选择状态和非选择状态分别对应的电压信号称为扫描信号。另外，将选择了栅极线13G的状态称为栅极线13G的驱动。
与同一个栅极线13G连接的栅极驱动器11是同步的，利用从这些栅极驱动器11输出的扫描信号同时驱动1条栅极线13G。在本实施方式中，相对于对1条栅极线13G，多个栅极驱动器11按大致等间隔与栅极线13G连接。
另外，在有源矩阵基板20a中，在设有源极驱动器3的一边侧的显示区域外形成有连接源极驱动器3和源极线15S(参照图3)的端子部12s。源极驱动器3响应于从显示控制电路4输入的控制信号对源极线15S输出数据信号。
接下来说明栅极驱动器11的构成。图5是示出配置在栅极线13G(n-1)与栅极线13G(n-2)之间，驱动栅极线13G(n-1)的栅极驱动器11的等效电路的一个例子的图。如图5所示，栅极驱动器11具有：作为开关元件的由薄膜晶体管(TFT：ThinFilmTransistor)构成的TFT-A～TFT-J、电容器Cbst、端子111～120以及用于输入低电平的电源电压信号的端子群。
端子111、112通过前级的栅极线13G(n-2)接受置位信号(S)。此外，与栅极线13G(1)连接的栅极驱动器11的端子111、112接受从显示控制电路4输出的栅极开始脉冲信号(S)。端子113～115接受从显示控制电路4输出的复位信号(CLR)。端子116、117接受输入的时钟信号(CKA)。端子118、119接受输入的时钟信号(CKB)。端子120将置位信号(OUT)输出到后级的栅极线13G。
时钟信号(CKA)和时钟信号(CKB)是按每一水平扫描期间相位反转的2相的时钟信号(参照图10)。图5举例示出了驱动栅极线13G(n-1)的栅极驱动器11，在驱动栅极线13G(n)的后级的栅极驱动器11的情况下，端子116、117接受时钟信号(CKB)，该栅极驱动器11的端子118、119接受时钟信号(CKA)。也就是说，各栅极驱动器11的端子116和117以及端子118和119接受与相邻行的栅极驱动器11所接受的时钟信号相反相位的时钟信号。
在图5中，将连接TFT-B的源极端子、TFT-A的漏极端子、TFT-C的源极端子以及TFT-F的栅极端子的配线称为netA。另外，将连接TFT-C的栅极端子、TFT-G的源极端子、TFT-H的漏极端子、TFT-I的源极端子以及TFT-J的源极端子的配线称为netB。
TFT-A是将2个TFT(A1，A2)以串联的方式连接而构成的。TFT-A的各栅极端子与端子113连接，A1的漏极端子与netA连接，A2的源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-B是将2个TFT(B1，B2)以串联的方式连接而构成的。TFT-B的各栅极端子和B1的漏极端子与端子111连接(连接成二极管)，B2的源极端子与netA连接。
TFT-C是将2个TFT(C1，C2)以串联的方式连接而构成的。TFT-C的各栅极端子与netB连接，C1的漏极端子与netA连接，C2的源极端子与电源电压端子VSS连接。
电容器Cbst的一方电极与netA连接，另一方电极与端子120连接。
TFT-D的栅极端子与端子118连接，漏极端子与端子120连接，源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-E的栅极端子与端子114连接，漏极端子与端子120连接，源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-F的栅极端子与netA连接，漏极端子与端子116连接，源极端子与输出端子120连接。
TFT-G是将2个TFT(G1，G2)以串联的方式连接而构成的。TFT-G的各栅极端子和G1的漏极端子与端子119连接(连接成二极管)，G2的源极端子与netB连接。
TFT-H的栅极端子与端子117连接，漏极端子与netB连接，源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-I的栅极端子与端子115连接，漏极端子与netB连接，源极端子与电源电压端子VSS连接。
TFT-J的栅极端子与端子112连接，漏极端子与netB连接，源极端子与电源电压端子VSS连接。
(栅极驱动器的整体布局)
接下来，说明显示区域中的栅极驱动器11的各元件的配置。图6A～图6C是示出配置在栅极线13G(n)与栅极线13G(n-1)之间和栅极线13G(n-1)与栅极线13G(n-2)之间的1个栅极驱动器11的配置例的图。在图6A～图6C中，为了方便而将栅极线13G(n)与栅极线13G(n-1)之间的像素区域211R～217B以及栅极线13G(n-1)与栅极线13G(n-2)之间的像素区域201R～207B分离记载，但是实际上在栅极线13G(n-1)中重叠，上下像素区域是连续的。此外，表示像素区域的附图标记中包括的R、G、B表示形成于相对基板20b的彩色滤光片101的颜色。
如图6A～图6C所示，在像素区域211R～217B(以下称为上段像素区域)和像素区域201R～207B(以下称为下段像素区域)中源极线15S与栅极线13G交叉处附近形成有用于显示图像的TFT(以下称为TFT-PIX)。
另外，在上段像素区域和下段像素区域中，构成1个栅极驱动器11的元件(TFT-A～TFT-J，电容器cbst)被分散配置。在这些像素区域中的配置有接受时钟信号(CKA，CKB)、复位信号(CLR)、电源电压信号中的任一个信号的开关元件(TFT-A、C～F、H～J、Cbst)的像素区域中形成有用于提供这些信号的配线15L1。配线15L1被形成为与源极线15S大致平行，跨于上段像素区域和下段像素区域。另外，在上段像素区域和下段像素区域中形成有netA和netB的配线13N。配线13N在上段像素区域和下段像素区域中与栅极线13G大致平行地形成，跨于配置有与netA和netB连接的元件(TFT-A～C、F、G～J、Cbst)的像素区域。
此外，在本实施方式中，配置为分别提供给栅极驱动器11中的TFT-D、TFT-F、TFT-H和TFT-G的时钟信号与提供给相邻行的栅极驱动器11的这些TFT的时钟信号的相位相反。也就是说，TFT-D、TFT-F、TFT-H和TFT-G配置在与相邻行的形成有这些TFT的像素区域在水平方向上错开的像素区域。
具体地说，如图6A所示，上段像素区域的TFT-D形成于像素区域211R和211G，而下段像素区域的TFT-D形成于像素区域201B和202R。上段像素区域的TFT-F形成于像素区域213G，而下段像素区域的TFT-F形成于像素区域203R。另外，如图6C所示，上段像素区域的TFT-H形成于像素区域215G和215B，而下段像素区域的TFT-H形成于像素区域206R和206G。上段像素区域的TFT-G形成于像素区域216G，而下段像素区域的TFT-G形成于像素区域205B。根据这种构成，对上段像素区域的TFT-D提供时钟信号(CKA)，对下段像素区域的TFT-D提供相位与时钟信号(CKA)相反的时钟信号(CKB)。针对TFT-F、TFT-H、TFT，如图6A和图6C所示，在上段像素区域和下段像素区域中也提供相位相反的时钟信号(CKA或者CKB)。
另外，上段像素区域的TFT-B和TFT-J与栅极线13G(n-1)连接，下段像素区域的TFT-B和TFT-J与栅极线13G(n-2)连接。另外，上段像素区域的TFT-D和TFT-F与栅极线13G(n)连接，下段像素区域的TFT-D和TFT-F与栅极线13G(n-1)连接。配置于下段像素区域的栅极驱动器11通过栅极线13G(n-2)接受置位信号(S)，对栅极线13G(n)输出置位信号(S)来驱动栅极线13G(n-1)。配置于上段像素区域的栅极驱动器11通过栅极线13G(n-1)接受置位信号(S)，对栅极线13G(n+1)输出置位信号(S)来驱动栅极线13G(n)。
接下来，说明构成栅极驱动器11的各元件的具体连接方法。图7是将图6B所示的形成有TFT-A的像素区域204G和204B的部分放大的俯视图。TFT-A和TFT-H、I、J是用2个像素区域构成的，连接方法是共用的，因此用TFT-A进行说明。此外，在图7中，用双点划线表示的区域BM是被相对基板20b的黑矩阵BM遮光的区域(以下，遮光区域BM)。遮光区域BM包括栅极线13G、构成栅极驱动器11的各元件和形成有源极线15S的区域。
如图7所示，在栅极线13G与源极线15S交叉处附近形成有图像显示用的TFT-PIX。TFT-PIX和像素电极17在接触部CH1处连接。另外，像素区域中形成有与源极线15S大致平行的配线15L1，配线15L1与栅极线13G交叉。对像素区域204G中的配线15L1提供电源电压信号(VSS)，对像素区域204B中的配线15L1提供复位信号(CLR)。
如图7所示，TFT-A的栅极端子13g形成为从像素区域204B跨至像素区域204G。在像素区域204G和204B中，源极线15S和配线15L1交叉，与栅极线13G大致平行地形成有配线13N。配线13N是上述的netA和netB的配线。TFT-A在像素区域204B的接触部CH2处与配线15L1连接，在像素区域204G的接触部CH2处与配线13N连接。另外，在本实施方式中，在像素电极17、TFT-A与配线13N和15L1之间形成有屏蔽层16。
在此，图8A示出了将图7中的TFT-PIX的部分用I-I线切断的截面图，图8B示出了将接触部CH1用II-II线切断的截面图。另外，图8C示出了将图7中的TFT-A的部分用III-III线切断的截面图，图8D示出了将接触部CH2用IV‐IV线切断的截面图。
如图8A、8C和8D所示，通过在基板20上形成栅极配线层13，从而同时形成栅极线13G、TFT-A的栅极端子13g以及配线13N。如图8A和图8C所示，在栅极配线层13的上层，在形成有TFT-PIX的部分和形成有TFT-A部分隔着栅极绝缘膜21形成有包括氧化物半导体的半导体层14。另外，在形成有半导体层14的基板20上以与半导体层14的上部分离的方式形成有源极配线层15。如图8A～图8C所示，通过形成源极配线层15来同时地形成源极线15S、TFT-PIX的源极-漏极端子15SD、TFT-A的源极-漏极端子15sd(包括15sd1、15sd2)以及配线15L1。
如图8D所示，在像素区域204B的接触部CH2处，在栅极绝缘膜21中形成有贯通至栅极层13的表面的接触孔H2。源极配线层15(15L1)以在接触孔H2中与栅极配线层13(13g)接触的方式形成在栅极绝缘膜21上。由此，TFT-A的栅极端子13g与配线15L1在像素区域204B的接触部CH2处连接。另外，由源极配线层15构成的TFT-A的A1侧的漏极端子15sd1和由栅极配线层13构成的配线13N也同样在像素区域204G的接触部CH2处连接。由此，TFT-A与netA连接，通过配线15L1向TFT-A提供复位信号(CLR)。
另外，如图8A～图8D所示，在源极配线层15的上层以覆盖源极配线层15的方式层叠有保护层22和保护层23。保护层22例如由SiO2等的无机绝缘膜构成。保护层23例如由正型感光性树脂膜等的有机绝缘膜构成。而且，如图8A～图8D所示，在保护层23的上层形成有屏蔽层16。屏蔽层16例如由ITO等的透明导电膜构成。并且，在屏蔽层16的上层形成有例如由SiO2等的无机绝缘膜构成的层间绝缘层24。如图8C和图8D所示，在层间绝缘层24的上层形成有包括ITO等的透明导电膜的像素电极17。
如图8B所示，在接触部CH1处，在TFT-PIX的漏极端子15D的上部形成有贯通层间绝缘层24、屏蔽层16、保护层22、23的接触孔H1。像素电极17以在接触孔H1处与漏极端子15D接触的方式形成于层间绝缘层24的上层。通过形成屏蔽层16，在像素电极17与屏蔽层16之间形成电容Cs，利用电容Cs使像素电极17的电位稳定化。
这样，与TFT-A和TFT-A连接的配线13N和配线15L1以跨于2个像素区域的方式形成，由此与形成于1个像素区域的情况相比抑制了开口率的降低。另外，在像素电极17与TFT-A、配线13N以及配线15L1之间形成有屏蔽层16，因此减少了TFT-A等与像素电极17之间的干扰。
(TFT-B)
接下来说明TFT-B的连接方法。图9A是将图6B所示的像素区域204R放大的俯视图。如图9A所示，在像素区域204R中，与上述像素区域204G同样，TFT-PIX和像素电极17在接触部CH1处连接。另外，利用源极配线层15形成有TFT-B的源极-漏极端子15sd(包括15sd1、15sd2)。通过形成栅极配线层13来同时地形成TFT-B的栅极端子13g、栅极线13G(n-2)和配线13N。
B1侧的漏极端子15sd1以与栅极线13G(n-2)和配线13N交叉的方式形成。与上述的接触部CH2同样，在接触部CH3和CH4处，在栅极绝缘膜21中形成有用于连接栅极配线层13和源极配线层15的接触孔H2。
漏极端子15sd1在接触部CH3处与栅极线13G(n-2)连接，在接触部CH4处与栅极端子13g连接。另外，B2侧的源极端子15sd2在接触部CH2处与配线13N连接。由此，TFT-B与netA连接，通过栅极线13G(n-2)接受置位信号(S)。
(TFT-C)
接下来说明TFT-C的连接方法。图9B是将图6B所示的像素区域205R放大的俯视图。如图9B所示，在像素区域205R中，与上述像素区域204G和204B同样，TFT-PIX和像素电极17在接触部CH1处连接。另外，通过形成栅极配线层13来同时地形成TFT-C的栅极端子13g、栅极线13G和配线13N(13Na、13Nb)。通过形成源极配线层15来同时地形成TFT-C的源极-漏极端子15sd(包括15sd1、15sd2)和配线15L1。C1侧的漏极端子15sd1和配线13Na在接触部CH2处连接。TFT-C通过配线13Na与netA连接，通过配线13Nb与netB连接。另外，TFT-C通过配线15L1接受电源电压信号(VSS)。
(TFT-F)
接下来说明TFT-F的连接方法。图9C是将图6A所示的像素区域203R放大的俯视图。如图9C所示，在像素区域203R中，与像素区域204G和204B同样，TFT-PIX和像素电极17在接触部CH1处连接。另外，通过形成栅极配线层13来同时地形成TFT-C的栅极端子13g、栅极线13G和配线13N。通过形成源极配线层15来同时地形成TFT-F的源极端子15s和漏极端子15d、配线15L1。
与上述的接触部CH2同样，在接触部CH5处形成有连接栅极配线层13和源极配线层15的接触孔H2。在接触部CH5处，TFT-F的源极端子15s与栅极线13G(n-1)连接，TFT-F的栅极端子与netA连接。TFT-F的漏极端子通过配线15L1接受时钟信号(CKA)。另外，TFT-F通过接触部CH5对栅极线13G(n-1)输出扫描信号。
(TFT-G)
接下来说明TFT-G的连接方法。图9D是将图6C所示的像素区域205B放大的俯视图。如图9D所示，在像素区域205B中，与像素区域204G和204B同样，TFT-PIX和像素电极17在接触部CH1处连接。另外，通过形成栅极配线层13来形成TFT-G的栅极端子13g、栅极线13G和配线13N。通过形成源极配线层15来形成TFT-G的源极-漏极端子15sd(包括15sd1、15sd2)和配线15L1。TFT-G的G2侧的源极端子15sd2在接触部CH2处与配线13N连接。另外，TFT-G的栅极端子13g在接触部CH4处与G1侧的漏极端子15sd1和配线15L1连接。由此，TFT-G与netB连接，通过配线15L1接受时钟信号(CKB)。
(Cbst)
接下来说明电容器Cbst的连接方法。图9E是将图6B所示的像素区域203B放大的俯视图。在像素区域203B中，与上述像素区域204G和204B同样，TFT-PIX和像素电极17在接触部CH1处连接。另外，通过形成栅极配线层13来形成构成电容器Cbst的一方电极13c、栅极线13G和配线13N。通过形成源极配线层15来形成构成电容器Cbst的另一方电极15c、连接部15Lc、配线15L2。如图9E所示，连接部15Lc具有与配线13N大致相同的宽度，形成为从电极15c延伸到接触部CH2，在接触部CH2处与配线13N连接。另外，配线15L2形成为从连接部15Lc的接触部CH2侧的端部延伸到接触部CH1的附近。在本实施方式中，通过形成配线15L2来使形成有电容器Cbst的像素区域的开口率与形成有其它元件的像素区域的开口率一致。电极15c在接触部CH2处通过连接部15Lc与配线13N连接。由此，电容器Cbst与netA连接。
(TFT-D、E)
接下来说明TFT-D和TFT-E的连接方法。TFT-D和TFT-E与上述的TFT-A同样，以跨越相邻的2个像素区域的方式形成有栅极端子13g，与形成于一方像素区域的配线15L1和栅极端子13g连接。TFT-D和TFT-E的区别在于提供给栅极端子的信号是复位信号(CLR)还是时钟信号(CKA)，因此以下说明TFT-D的连接方法。
图9F是将图6A所示的像素区域201B和202R放大的俯视图。像素区域201B和202R与上述的像素区域204G和204B同样，利用源极配线层15形成有TFT-D的源极端子15s和漏极端子15d、配线15L1。漏极端子15d在像素区域201R的接触部CH5处与栅极线13G(n-1)连接。TFT-D通过像素区域201B和202R的配线15L1接受电源电压信号(VSS)、时钟信号(CKA)，通过接触部CH5驱动栅极线13G(n-1)，对栅极线13G(n)输出置位信号。
以上是栅极驱动器11的构成和构成栅极驱动器11的各元件的连接例。此外，省略了形成有TFT-B～TFT-E、TFT-F、TFT-G、电容器Cbst、TFT-D的像素区域中的说明，与形成有TFT-A的像素区域同样，在这些像素区域中，在源极配线层15的上层层叠有保护层22和23、屏蔽层16、层间绝缘膜24、像素电极17。
(栅极驱动器11的动作)
接下来，参照图5和图10说明1个栅极驱动器11的动作。图10是栅极驱动器11对栅极线13G进行扫描时的时序图。在图10中，t3到t4的期间是栅极线13G(n)被选择的期间。从显示控制电路4提供的相位按每一水平扫描期间反转的时钟信号(CKA)和时钟信号(CKB)通过端子116～119输入到栅极驱动器11。另外，虽然在图10中省略了图示，在每一垂直扫描期间按固定期间变为高电平的复位信号(CLR)从显示控制电路4通过端子113～115输入到栅极驱动器11。当输入了复位信号(CLR)时，netA、netB、栅极线13G转为低电平。
在图10的时刻t0至t1，对端子116、117输入低电平的时钟信号(CKA)，对端子118、119输入高电平的时钟信号(CKB)。由此，TFT-G为导通状态，TFT-H为截止状态，因此netB被充电为高电平。另外，TFT-C和TFT-D为导通状态，TFT-F为截止状态，因此netA被充电为低电平的电源电压(VSS)，从端子120输出低电平的电位。
接下来，在时刻t1，当时钟信号(CKA)为高电平，时钟信号(CKB)为低电平，则TFT-G为截止状态，TFT-H为导通状态，因此netB被充电为低电平。并且，TFT-C和TFT-D为截止状态，因此netA的电位维持低电平，从端子120输出低电平的电位。
在时刻t2，时钟信号(CKA)为低电平，时钟信号(CKB)为高电平，通过栅极线13G(n-1)将置位信号(S)输入到端子111、112。由此，TFT-B为导通状态，netA被充电为高电平。另外，TFT-J为导通状态，TFT-G为导通状态，TFT-H为截止状态，因此netB维持为低电平的状态。TFT-C和TFT-F为截止状态，因此netA的电位维持而不会下降。在此期间，TFT-D为导通状态，因此从端子120输出低电平的电位。
在时刻t3，时钟信号(CKA)为高电平，时钟信号(CKB)为低电平，则TFT-F为导通状态，TFT-D为截止状态。在netA与端子120之间设有电容器Cbst，因此随着TFT-F的端子116的电位上升，netA被充电到比时钟信号(CKA)的高电平更高的电位为止。在此期间，TFT-G和TFT-J为截止状态，TFT-H为导通状态，因此netB的电位维持低电平。TFT-C为截止状态，因此netA的电位不会下降，从端子120输出时钟信号(CKA)的高电平的电位。由此，与端子120连接的栅极线13G(n)被充电到高电平，成为被选择的状态。
在时刻t4，时钟信号(CKA)为低电平，时钟信号(CKB)为高电平，则TFT-G为导通状态，TFT-H为截止状态，因此netB被充电为高电平。由此TFT-C为导通状态，netA被充电为低电平。在此期间，TFT-D为导通状态，TFT-F为截止状态，因此从端子120输出低电平的电位，栅极线13G(n)被充电为低电平。
这样，从栅极驱动器11的端子120对栅极线13G输出置位信号(S)，由此该栅极线13为被选择的状态。在液晶显示装置1中，由与栅极线13G连接的栅极驱动器11依次扫描栅极线13G，由源极驱动器3对源极线15S提供数据信号，由此使显示面板2显示图像。
接下来，说明在有源矩阵基板20a中未设有栅极驱动器11的像素区域(以下称为栅极驱动器非设置区域)。图11是将图4B所示的有源矩阵基板20a简化的示意图。图11中的虚线框200表示显示区域与显示区域外的边界。
如上所述，一个栅极驱动器11跨越同一行的多个像素而形成。如图6A～6C所示，栅极驱动器群中的各栅极驱动器11的栅极驱动器设置区域在x轴方向上的宽度是相同的。将配置有构成一个栅极驱动器11的元件和对元件提供控制信号的配线15L1的像素区域称为栅极驱动器设置区域。
在图11的例子中，栅极驱动器群11A的栅极驱动器设置区域与栅极驱动器群11B的栅极驱动器设置区域之间隔开固定的距离L。同样，在栅极驱动器群11B的栅极驱动器设置区域与栅极驱动器群11C的栅极驱动器设置区域之间、栅极驱动器群11C的栅极驱动器设置区域与栅极驱动器群11D的栅极驱动器设置区域之间也隔开固定的距离L。此外，在该例子中，示出了栅极驱动器设置区域间的距离固定的例子，但是栅极驱动器设置区域间的距离也可以不是固定的。
图12示出了将配置有图11所示的栅极驱动器群11B和栅极驱动器群11C的部分放大的图。栅极驱动器群11B与栅极驱动器群11C之间的区域是栅极驱动器非设置区域。在栅极驱动器群11B和栅极驱动器群11C的栅极驱动器设置区域设有构成栅极驱动器11的元件和配线15L1，因此栅极驱动器设置区域的开口率比栅极驱动器非设置区域低。当栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的开口率的差大时，就会产生肉眼可见的亮度差，导致显示不均匀。
在本实施方式中，为了使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的亮度差难以视觉识别，调整栅极驱动器非设置区域的开口率以使栅极驱动器非设置区域的开口率分段地变化。具体地说，根据栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差而在栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域(以下，调整区域)设置用于调整开口率的调整用配线(开口率调整构件)。
图13是表示进行了栅极驱动器非设置区域的开口率的调整的情况下的栅极驱动器非设置区域的开口率变化的图。如图13所示，栅极驱动器非设置区域的调整区域的开口率变化的斜率(开口率的一次微分)在调整区域的大致中间位置P0处最大。另外，在栅极驱动器设置区域附近P1和栅极驱动器非设置区域中不进行开口率调整的区域(以下称为非调整区域)附近P2处，开口率变化的斜率最小。开口率变化的斜率是根据栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差和调整区域的宽度而决定的。
图14是示出开口率的差与调整区域的宽度的关系的图。在图14中，在栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差例如为10％的情况下，调整区域的宽度优选为60mm程度，在20％的情况下优选为110mm程度。也就是说，优选构成为栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差越大，则调整区域的宽度越大。
在图12的例子中，说明了在栅极驱动器群11B与栅极驱动器群11C之间的栅极驱动器非设置区域中，将区域S1和S2以及区域S4和S5分别设为调整区域，将区域S3设为非调整区域来调整开口率的情况。
图15A是举例示出图12所示的区域S1和S5中的一部分的像素区域的示意图。在图15A中省略了遮光区域BM的图示。如图15A中举例所示，在区域S1和S5的像素区域中形成有与源极线15S大致平行的调整用配线15L3。调整用配线15L3与配线15L1同样，是在形成源极配线层15的过程中同时形成的。配线15L3位于像素区域的x轴方向的宽度的大致中心，以跨于上下(y轴方向)的像素区域的方式形成。在像素区域中，调整用配线15L3具有像素区域的y轴方向上的宽度ly1的长度。因此，由于调整用配线15L3，在区域S1和S5中的像素区域中，与不设置调整用配线15L3的情况相比开口率降低。
图15B是举例示出图12所示的区域S2和S4中的一部分的像素区域的示意图。在图15B中省略了遮光区域BM的图示。如图15B举例所示，在区域S2和S4的像素区域中形成有与源极线15S大致平行的调整用配线15L4。调整用配线15L4与调整用配线15L3同样，在形成源极配线层15的过程中同时形成。调整用配线15L4与调整用配线15L3同样，位于各像素区域的x轴方向上的宽度的大致中心，以跨于上下(y轴方向)的像素区域的方式形成，而其长度为Ly2比调整用配线15L3短。调整用配线15L4和调整用配线15L3在x轴方向上的宽度大致相等。因此，在区域S2和S4中的像素区域中，由于调整用配线15L4，与不设置调整用配线15L4的情况相比开口率降低，而与区域S1和S5相比开口率变高。
此外，本实施方式是调整用配线15L3与调整用配线15L4的x轴方向上的宽度大致相同，y轴方向上的长度不同的例子，但是不限于此，只要设定调整用配线15L3、15L4的宽度和长度以成为如图13所示的开口率那样即可。
图15C是举例示出图12所示的区域S3中的一部分的像素区域的示意图。在图15C中省略了遮光区域BM的图示。如图15C举例示出的那样，在区域S3的像素区域中不设置调整用配线。因此，在显示区域中，区域S3中的像素区域的开口率在显示区域中最大(Kmax)。
在图12的例子中，说明了栅极驱动器群11B与栅极驱动器群11C之间的栅极驱动器非设置区域的开口率的调整，在图11中，栅极驱动器群11A与栅极驱动器群11B之间的栅极驱动器非设置区域、栅极驱动器群11C与栅极驱动器群11D之间的栅极驱动器非设置区域与上述同样地分别设有调整用配线15L3、15L4。另外，在图11中，在栅极驱动器群11A的栅极驱动器设置区域与显示区域外的边界200间、栅极驱动器群11D的栅极驱动器设置区域与显示区域外的边界200之间的栅极驱动器非设置区域中也基于图13所示的表示开口率变化的曲线设置调整用配线。
在图12的例子中，为了方便而说明了在区域S1和S2以及区域S4和S5中设置调整用配线，在栅极驱动器非设置区域中使开口率按3段变化的例子，但是只要将栅极驱动器非设置区域中的调整区域分割，设定每个分割的区域中像素区域的调整用配线所占的比例，从而实现图13所示的调整区域的开口率变化即可。简而言之，只要在栅极驱动器非设置区域的一部分设有调整用配线，使得栅极驱动器非设置区域的开口率随着靠近栅极驱动器设置区域而平滑变化为栅极驱动器设置区域的开口率即可。
这样，在有源矩阵基板20a中，在栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域中按与栅极驱动器设置区域和栅极驱动器非设置区域的开口率的差相应的比例设置调整用配线，由此能使开口率不会在栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间急剧变化，能使显示区域中的亮度差变小。其结果是与不设置调整用配线的情况相比，能减少将栅极驱动器11配置在显示区域内造成的显示不均匀。
此外，上述例子是在栅极驱动器非设置区域的一部分的像素区域中设有包括源极配线层15的调整用配线15L3、15L4的例子，但是调整用配线也可以由栅极配线层13构成。简而言之，调整用配线只要使用形成于有源矩阵基板20a的配线中的不使光透过的配线来构成即可。
＜第2实施方式＞
在上述第1实施方式中，说明了在栅极驱动器非设置区域按与栅极驱动器非设置区域和栅极驱动器设置区域之间的开口率差相应的比例设置调整用配线的例子。在本实施方式中，说明利用相对基板20b的黑矩阵BM(开口率调整构件)来调整栅极驱动器非设置区域的像素区域的开口率的例子。以下，以上述的图12为例说明本实施方式的开口率的调整。
如上述的图7和图9A～9F所示，栅极驱动器设置区域中的各像素区域被遮光区域BM遮光。在图7和图9A～9F中，遮光区域BM包括栅极线13G、源极线15S、除了配线15L1的一部分以外的构成栅极驱动器11的元件以及TFT-PIX。另一方面，栅极驱动器非设置区域中的像素区域未设置构成栅极驱动器11的元件和配线15L1。因此，在栅极驱动器非设置区域中不调整开口率的情况下，在相对基板20b中形成黑矩阵BM从而利用图16所示的遮光区域BM0对栅极驱动器非设置区域的像素区域进行遮光。如图16所示，栅极驱动器非设置区域的遮光区域BM0包括栅极线13G、源极线15S和TFT-PIX，开口部S0比栅极驱动器设置区域的像素区域大。也就是说，栅极驱动器非设置区域未设置栅极驱动器11，而且使遮光区域BM0所占的比例小于栅极驱动器设置区域，因此开口率大于栅极驱动器设置区域。其结果是，在显示区域中，会在栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间产生亮度差，发生显示不均匀。
在本实施方式中，为了使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的亮度差不容易被视觉识别，调整栅极驱动器非设置区域的像素区域中遮光区域BM所占的比例，使得在栅极驱动器非设置区域中开口率分段地变化。也就是说，改变遮光区域BM占栅极驱动器非设置区域的像素区域的比例，使得栅极驱动器非设置区域的开口率变化成为如用上述图13所示的曲线表示的开口率的变化。
图17A是举例示出图12所示的区域S1和S5中的一部分的像素区域的示意图。区域S1和S5的像素区域被形成于相对基板20b的黑矩阵在遮光区域BM1中遮光。遮光区域BM1与图16所示的遮光区域BM0相比，涉及像素区域中在x轴方向上±Δlx1，在y轴方向上±Δly1的内侧范围。也就是说，区域S1和S5的像素区域的开口部S1与图16所示的像素区域的开口部S0相比小了斜线部分的量，开口率降低。
图17B是举例示出图12所示的区域S2和S4的一部分的像素区域的示意图。区域S2和S4的像素区域被形成于相对基板20b的黑矩阵在遮光区域BM2中进行遮光。遮光区域BM2与图16所示的遮光区域BM0相比，在像素区域中涉及在x轴方向上±Δlx2(Δlx1＞Δlx2)，在y轴方向上±Δly2(Δly1＞Δly2)的内侧范围。也就是说，区域S2和S4的像素区域的开口部S2(S2＜S1)与图16所示的像素区域的开口部S0相比小了斜线部分的量，但比区域S1和S5的像素区域的开口部S1大。因此，区域S2和S4的像素区域虽然与图16所示的像素区域相比开口率降低，但是与区域S1和S5的像素区域相比开口率提高。
图12所示的区域S3的像素区域被形成于相对基板20b的黑矩阵在图16所示的遮光区域BM0中进行遮光。因此，区域S3的像素区域的开口率在显示区域中最大(Kmax)。
在上述的例子中，说明了栅极驱动器群11B与栅极驱动器群11C之间的栅极驱动器非设置区域的开口率的调整，而图11所示的栅极驱动器群11A与栅极驱动器群11B之间的栅极驱动器非设置区域、栅极驱动器群11C与栅极驱动器群11D之间的栅极驱动器非设置区域也可以与上述同样，具有被形成于相对基板20b的黑矩阵遮光的遮光区域。另外，在图11中，在栅极驱动器群11A与边界200(显示区域与显示区域外的边界)之间的栅极驱动器非设置区域，以及栅极驱动器群11D与边界200之间的栅极驱动器非设置区域中，均由于形成于相对基板20b的黑矩阵而具有基于表示图13所示的开口率的变化的曲线的遮光区域。
此外，上述例子中，为了方便而使栅极驱动器非设置区域的开口率按3段变化，不过，只要在栅极驱动器非设置区域中对调整区域进行分割，按分割出的每个区域设定像素区域中遮光区域BM所占的比例来实现图13所示的调整区域的开口率的变化即可。简而言之，只要将栅极驱动器非设置区域的遮光区域BM设置成使栅极驱动器非设置区域的开口率随着靠近栅极驱动器设置区域而平滑地变化为栅极驱动器设置区域的开口率即可。
在上述第2实施方式中，按与栅极驱动器设置区域和栅极驱动器非设置区域的开口率的差相应的比例由黑矩阵对栅极驱动器非设置区域进行遮光，从而随着靠近栅极驱动器设置区域而遮光区域变大。由此，在显示区域中栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域之间的亮度差变小，与不对栅极驱动器非设置区域的遮光区域BM进行调整的情况相比，能减少显示不均匀。
＜第3实施方式＞
上述第1实施方式和第2实施方式是显示区域的背光源的亮度大致固定地照射光的例子，在本实施方式中，说明根据显示区域中的开口率的差而使背光源的亮度在显示区域中变化的例子。
此外，上述第1实施方式和第2实施方式是在显示区域内设有栅极驱动器群11A、11B、11C、11D的例子，在本实施方式中，为了便于说明，如图18所示，说明在显示区域内设有栅极驱动器群11A、11D的情况。另外，在图18中，栅极驱动器群11A的栅极驱动器设置区域和栅极驱动器群11D的栅极驱动器设置区域之间的栅极驱动器非设置区域S20与上述第1实施方式或者第2实施方式同样，设有使栅极驱动器非设置区域S20的开口率分段地变化的开口率调整用构件从而使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的亮度差变小。即，在栅极驱动器非设置区域中设有调整用配线或者遮光区域BM，使得随着靠近栅极驱动器设置区域而开口率变小(图示略)。
图19是示出本实施方式的背光源单元6的背光源的概要构成的示意图。图19(a)是背光源的俯视图，图19(b)是用图19(a)的A-A′线切断背光源的截面图。
如图19(a)所示，背光源60具有：导光板61；设于导光板61的侧面的LED(LightEmittingDiode：发光二极管)62a、62b；以及根据需要设置在导光板61的上部的扩散片(图示略)。在导光板61中设有多个用于使LED62a、62b的光扩散的散射体63。如图19(b)所示，散射体63具有半球形状。在导光板61中配置有散射体63，使得图18所示的区域S21、S22所对应的区域与区域S23所对应的区域相比散射体63的密度高。也就是说，散射体63被分布在在显示区域中，使得随着靠近开口率低的区域而亮度变高，随着靠近开口率高的区域而亮度变小。此外，在该例子中，示出了设有散射体63的例子，但是也可以在导光板61中设有用于使光扩散的例如楔形的凹凸。另外，也可以为了调整亮度而使用带有黑色等渐变的网点膜来使透过率分段地变化。简而言之，为了使显示面的亮度均匀化，在有源矩阵基板20a中，调整照射到有源矩阵基板20a的光亮，使从背光源60对栅极驱动器设置区域照射的光量大于对栅极驱动器非设置区域的光量，使从背光源60对栅极驱动器非设置区域照射的光量小于对栅极驱动器设置区域的光量即可。
由此，显示区域中的背光源60的亮度如图20所示那样变化。也就是说，区域S20中的背光源60的亮度是大致固定的，分别配置有栅极驱动器群11A和栅极驱动器群11D的区域S31和区域S32中的背光源60的亮度在边界200(参照图18、19)附近最大，随着靠近区域S20而变小，在区域S20收敛到背光源60的亮度。
在上述第1实施方式和第2实施方式中，背光源60的亮度在显示区域中是大致固定的。因此，为了使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差导致的显示面的亮度差不会被肉眼识别，需要与图13所示的开口率的差相应地调整区域的宽度。而通过如本实施方式那样根据显示区域的开口率变化(差)来改变显示区域中的背光源60的亮度分布，与第1实施方式和第2实施方式相比，减少了由于开口率的差而产生的显示面的亮度差，因此能使显示面的亮度均匀化，减少显示不均匀。另外，栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的显示面的亮度差变小，由此能使调整区域的宽度与第1实施方式和第2实施方式相比变小。
图21是示出使显示区域的亮度变化的情况下的开口率的差与调整区域的宽度的关系的图。图20中的实线A示出与开口率的差相应的理想的调整区域的宽度，实线B示出与开口率的差相应的调整区域的宽度的最小值。此外，图21中的虚线示出了显示区域中的亮度大致固定的情况，也就是说，示出了图14所示的开口率的差与调整区域的宽度的关系。
如图21的实线A、B所示，开口率的差为10％的情况下的调整区域的宽度为5mm以下，开口率的差为20％的情况下的调整区域的宽度为30mm以下。如实线A、B所示，在根据显示区域的开口率变化而改变亮度的情况下，与背光源60的亮度大致固定的情况相比调整区域的宽度小。因此，与显示区域中背光源60的亮度大致固定的情况相比，能使驱动一个栅极线13G的栅极驱动器11的数量增加，能减少1个栅极驱动器11驱动栅极线13G的负荷。
＜变形例＞
以上，说明了本发明的实施方式，但是上述实施方式不过是为了实施本发明的例子。因此，本发明不限于上述实施方式，能在不脱离其主旨的范围内对上述实施方式适当地变形或者组合实施。以下，说明本发明的变形例。
(1)在上述第1实施方式至第3实施方式中，也可以构成为与在RGB中1种颜色对应的像素区域中设有构成栅极驱动器11的各元件。另外，在这种情况下，也可以构成为使设有构成栅极驱动器11的元件的子像素区域的x轴方向的宽度大于包括该子像素区域的像素中的其它子像素区域，栅极驱动器非设置区域中的各子像素区域在x轴方向上的宽度为大致同等的大小。在栅极驱动器设置区域中，构成为使设有栅极驱动器11的子像素区域大于其它子像素区域，由此能使设有栅极驱动器11的子像素区域的开口率变大。其结果是，能使栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的开口率的差变小，使显示区域中栅极驱动器设置区域与栅极驱动器非设置区域的亮度差变小。另外，在子像素区域的尺寸小的情况下，也能通过使栅极驱动器设置区域中的1种颜色的子像素区域的尺寸大于其它子像素区域的构成来将栅极驱动器11配置在子像素区域内。
(2)在上述第1实施方式中，说明了构成栅极驱动器11的开关元件的半导体层14由氧化物半导体构成的例子，但是半导体层14也可以由多晶硅、非晶硅等构成。
(3)在上述第1实施方式中，说明了在有源矩阵基板20a的基板20上形成栅极线13G、源极线15S、栅极驱动器11、输入对栅极驱动器11的控制信号等的端子部12g、输入对源极线15S的数据信号等的端子部12s的例子，但是除此以外也可以形成有源极驱动器3和显示控制电路4。
工业上的可利用性
本发明能用于液晶显示器等显示装置。

Claims (6)

1.一种显示面板，具备：有源矩阵基板，其具备包括多个栅极线和多个源极线的配线；以及相对基板，上述显示面板的特征在于，
上述有源矩阵基板具备驱动电路，在显示区域内按每个上述栅极线设有上述驱动电路，上述驱动电路将该栅极线切换为选择或者非选择的状态，
为了使得设有上述驱动电路的设置区域和未设有上述驱动电路的非设置区域之间的亮度差变小，在上述非设置区域中具备使上述非设置区域中的开口率分段地变化的开口率调整构件。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
上述开口率调整构件是调整用配线，
在上述非设置区域中设有上述调整用配线，使得在上述非设置区域中随着靠近上述设置区域而开口率变小。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
上述调整用配线由与上述配线中的任一配线相同的构件构成，是在上述有源矩阵基板上形成该配线的过程中同时形成的。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
上述相对基板具备黑矩阵，
上述开口率调整构件是上述黑矩阵，
上述黑矩阵形成于上述相对基板，使得在上述非设置区域中随着靠近上述设置区域而开口率变小。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的显示面板，其中，
上述相对基板还具备彩色滤光片，
上述显示区域具备包括多种颜色的子像素的像素，
上述驱动电路在上述设置区域中配置在与上述多种颜色中的一种颜色对应的子像素中，
设有上述驱动电路的上述子像素比包括该子像素的上述像素中的其它子像素大，上述非设置区域中的像素的子像素为大致同等的大小。
6.一种显示装置，其特征在于，具备：
权利要求1至5中的任一项所述的显示面板；以及
照射部，其从上述显示面板的有源矩阵基板一侧照射光，使得上述设置区域与上述非设置区域之间的亮度差变小。
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