CN105556382A - 显示部件和显示装置 - Google Patents

Abstract

阵列基板(11b)包括：被划分为显示区域(AA)和非显示区域(NAA)的玻璃基板(GS)；以跨越显示区域(AA)和非显示区域(NAA)的方式配置的有机绝缘膜(40)；以与有机绝缘膜(40)的表面重叠的方式设置的阵列基板侧取向膜(11e)；配置在非显示区域(NAA)并且以使有机绝缘膜(40)的表面部分地凹陷的方式设置的成膜范围限制部(28)；和取向膜材料储存部(29)，其配置在非显示区域(NAA)中比成膜范围限制部(28)更靠近显示区域(AA)的位置，并且以使有机绝缘膜(40)部分地凹陷的方式设置，并且，其侧面的至少一部分相对于玻璃基板(GS)的板面的法线方向形成的角度，大于成膜范围限制部(28)的侧面相对于上述法线方向形成的角度。

Description

显示部件和显示装置

技术领域

本发明涉及显示部件和显示装置。

背景技术

以往，作为构成液晶显示装置的主要部件的液晶面板采用以下那样的结构。即，液晶面板至少包括：一对玻璃制的基板；被夹持在一对基板间的液晶；和分别设置在一对基板的内侧的板面上，使液晶取向的取向膜。作为这样的液晶面板的一个例子，已知有下述专利文献1中记载的液晶面板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2011/155133号

发明要解决的技术问题

在上述的专利文献1中记载有如下结构的液晶面板：在具有在支承基板上形成的配线层、以覆盖配线层的方式在支承基板上形成的绝缘膜和通过具有流动性的取向膜材料固化而形成的取向膜的第一基板，在绝缘膜的表面形成有不贯通绝缘膜而凹下设置的凹陷部，利用该凹陷部的边缘部支承取向膜的端缘部，并且凹陷部的底从取向膜露出。由此，虽然使非显示区域大幅变窄，但是能够抑制取向膜材料的扩展。

可是，在取向膜的成膜时在绝缘膜的表面扩展的取向膜的材料，由于被凹陷部的边缘部支承，被限制进一步扩展，被限制了扩展的材料返回到显示区域侧。因此，在取向膜，以由凹陷部的边缘部形成的支承位置为起点产生膜厚局部变厚的部分、即厚膜部分。当该在取向膜产生的厚膜部分延及显示区域内时，在显示区域，取向膜的膜厚产生不均匀，由此，在液晶面板上显示的图像的显示品质有可能降低。特别是在液晶显示装置被窄边框化时，存在更容易在显示区域内形成上述厚膜部分的趋势。

发明内容

本发明是基于上述那样的情况完成的，其目的在于实现取向膜的膜厚的均匀化。

用于解决技术问题的手段

本发明的第一显示部件包括：基板，该基板被划分为显示区域和包围上述显示区域的非显示区域；绝缘膜，该绝缘膜以跨越上述显示区域和上述非显示区域的方式配置并且设置在上述基板上；取向膜，该取向膜以跨越上述显示区域和上述非显示区域的方式配置并且以与上述绝缘膜的表面重叠的方式设置；成膜范围限制部，该成膜范围限制部配置在上述非显示区域并且以使上述绝缘膜的表面部分地凹陷的方式设置；和取向膜材料储存部，该取向膜材料储存部配置在上述非显示区域中比上述成膜范围限制部更靠近上述显示区域的位置，并且以使上述绝缘膜部分地凹陷的方式设置，并且，上述取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于上述基板的板面的法线方向形成的角度，大于上述成膜范围限制部的侧面相对于上述法线方向形成的角度。

在取向膜的成膜时，向基板的显示区域供给液体状态的取向膜的材料，该材料在设置在基板上的绝缘膜的表面以扩展的方式流动，由此，以与绝缘膜的表面重叠的方式形成取向膜。取向膜以跨越显示区域和非显示区域的方式配置，由此，没有缺损地配置在显示区域的可靠性高。

在此，在非显示区域，以使绝缘膜的表面部分地凹陷的方式设置有成膜范围限制部，因此，能够利用成膜范围限制部避免在成膜时在绝缘膜的表面从显示区域侧向非显示区域侧扩展的取向膜的材料与成膜范围限制部相比向外侧扩展。由此，取向膜的成膜范围被限制。在成膜时在绝缘膜的表面扩展的取向膜的材料，在到达成膜范围限制部时，该材料由成膜范围限制部的侧面支承，由此被限制进一步扩展，但是被限制了扩展的材料会返回到显示区域侧，因此，以由上述侧面进行支承的支承位置为起点在取向膜产生膜厚局部变厚的部分、即厚膜部分。当该在取向膜产生的厚膜部分延及显示区域内时，在显示区域，取向膜的膜厚产生不均匀。特别是在非显示区域的宽度变窄的、所谓的窄边框化进一步发展时，存在容易在显示区域内形成上述厚膜部分的趋势。

因此，在非显示区域中比成膜范围限制部更靠近显示区域的位置，以使绝缘膜部分地凹陷的方式设置取向膜材料储存部，该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于基板的板面的法线方向形成的角度，大于成膜范围限制部的侧面相对于该法线方向形成的角度，因此，在取向膜材料储存部的侧面的至少一部分难以限制取向膜的材料的扩展，由此。该材料储存在取向膜材料储存部内。因此，即使伴随着取向膜的材料由于被成膜范围限制部的侧面支承而返回到显示区域侧，在取向膜产生厚膜部分，厚膜部分的形成范围也与取向膜的材料储存在取向膜材料储存部内的量相应地变窄，因此，该厚膜部分难以延及显示区域内。由此，在显示区域，取向膜的膜厚均匀，因此，能够实现使用该显示部件进行的显示的显示品质的提高。在实现窄边框化方面特别优选。

作为本发明的第一显示部件的实施方式，优选以下结构。

(1)上述取向膜材料储存部设置成比上述成膜范围限制部宽。这样，能够在取向膜材料储存部内更多地储存取向膜的材料，因此，能够在显示区域将取向膜的膜厚更适当地均匀化。此外，例如在通过利用光刻法对绝缘膜进行图案化来设置取向膜材料储存部和成膜范围限制部的情况下，在假设要通过使取向膜材料储存部的深度比成膜范围限制部深而取得取向膜材料储存部内的容积的情况下，与使用光掩模对绝缘膜进行曝光时的曝光量的控制困难相比，能够容易地设置取向膜材料储存部。

(2)上述绝缘膜为将膜厚相对薄的无机绝缘膜和膜厚相对厚的有机绝缘膜叠层的结构，上述取向膜材料储存部通过至少使上述有机绝缘膜凹陷而设置。这样，因为通过至少使膜厚相对厚的有机绝缘膜凹陷来设置取向膜材料储存部，所以容易确保取向膜材料储存部的深度、即容积，因此，能够在取向膜材料储存部内更多地储存取向膜的材料，由此，能够在显示区域更适当地使取向膜的膜厚均匀化。

(3)上述取向膜材料储存部以遍及全周地包围上述显示区域的方式设置。这样，能够遍及显示区域的全周地实现取向膜的膜厚的均匀化。

(4)上述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于上述法线方向形成的角度的最小值，大于上述成膜范围限制部的侧面中支承上述取向膜的材料的部位相对于上述法线方向形成的角度。这样，取向膜的材料被取向膜材料储存部的侧面的至少一部分支承而使其扩展被限制的情况更难以发生，因此，该材料被储存在取向膜材料储存部内的可靠性高。

(5)上述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于上述法线方向形成的角度的最小值为60°～80°的范围。在假设上述角度超过80°的情况下，为了确保取向膜材料储存部的容积，需要扩大基板的板面内的取向膜材料储存部的形成范围，因此，难以实现使非显示区域的宽度变窄的窄边框化。另一方面，在假设上述角度低于60°的情况下，在形成取向膜时取向膜的材料容易被取向膜材料储存部的侧面支承，有可能产生该材料难以被储存在取向膜材料储存部内的问题。关于这一点，通过以上述角度为60°～80°的范围的方式设置取向膜材料储存部，在实现窄边框化方面优选，并且能够使取向膜的材料被储存在取向膜材料储存部内的可靠性更高。

(6)上述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于上述法线方向形成的角度的最小值为70°～80°的范围。这样，通过使上述角度的范围的下限值为70°，能够使取向膜的材料被储存在取向膜材料储存部内的可靠性进一步提高。

(7)上述成膜范围限制部设置成：该成膜范围限制部的侧面相对于上述法线方向形成的角度的最小值，小于上述取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于上述法线方向形成的角度的最小值。这样，能够更加可靠地利用成膜范围限制部的侧面支承取向膜的材料，因此，对取向膜的成膜范围进行限制的可靠性高。

(8)上述成膜范围限制部设置成：该成膜范围限制部的侧面相对于上述法线方向形成的角度的最小值为50°以下。在假设上述角度超过50°的情况下，在形成取向膜时难以利用成膜范围限制部的侧面支承取向膜的材料，有可能产生不能限制该材料的扩展的问题。另一方面，存在成膜范围限制部的侧面相对于法线方向形成的角度越小，越容易利用该侧面支承取向膜的材料的趋势。因此，通过以上述角度为50°以上的方式设置成膜范围限制部，对取向膜的成膜范围进行限制的可靠性更高。

(9)上述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面整个区域相对于上述法线方向形成的角度的最小值，大于上述成膜范围限制部的侧面中支承上述取向膜的材料的部位相对于上述法线方向形成的角度。这样，在取向膜的成膜时，在取向膜材料储存部的侧面的整个区域难以支承取向膜的材料，由此，该材料更顺利地被储存在取向膜材料储存部内。由此，能够在显示区域更适当地使取向膜的膜厚均匀化。

(10)上述取向膜材料储存部设置成：在从上述法线方向看时呈包括在中途弯曲的弯曲部的平面形状，并且，上述弯曲部的侧面相对于上述法线方向形成的角度的最小值，大于上述成膜范围限制部的侧面中支承上述取向膜的材料的部位相对于上述法线方向形成的角度。这样，在取向膜的成膜时，在取向膜材料储存部中的弯曲部的侧面，难以支承取向膜的材料，由此，该材料被储存在取向膜材料储存部内。因此，即使例如取向膜材料储存部中除弯曲部以外的部分的侧面相对于法线方向形成的角度与成膜范围限制部的侧面相对于法线方向形成的角度为相同程度，也能够使取向膜的材料储存在取向膜材料储存部内。当在绝缘膜设置包括这样的弯曲部的取向膜材料储存部时，例如在利用光刻法对绝缘膜进行图案化的情况下，能够使对绝缘膜的曝光量在取向膜材料储存部的预定形成部位和成膜范围限制部的预定形成部位相同。由此，能够容易地设置取向膜材料储存部和成膜范围限制部。

本发明的第二显示部件包括：基板，该基板被划分为显示区域和包围上述显示区域的非显示区域；绝缘膜，该绝缘膜以跨越上述显示区域和上述非显示区域的方式配置并且设置在上述基板上；取向膜，该取向膜以跨越上述显示区域和上述非显示区域的方式配置并且以与上述绝缘膜的表面重叠的方式设置；成膜范围限制部，该成膜范围限制部配置在上述非显示区域并且以从上述绝缘膜的表面突出的方式设置；和取向膜材料储存部，该取向膜材料储存部配置在上述非显示区域中比上述成膜范围限制部更靠近上述显示区域的位置，并且以使上述绝缘膜部分地凹陷的方式设置。

在取向膜的成膜时，向基板的显示区域供给液体状态的取向膜的材料，该材料在设置在基板上的绝缘膜的表面以扩展的方式流动，由此，以与绝缘膜的表面重叠的方式形成取向膜。取向膜以跨越显示区域和非显示区域的方式配置，由此，没有缺损地配置在显示区域的可靠性高。

在此，在非显示区域，以从绝缘膜的表面突出的方式设置有成膜范围限制部，因此，能够利用成膜范围限制部避免在成膜时在绝缘膜的表面从显示区域侧向非显示区域侧扩展的取向膜的材料与成膜范围限制部相比向外侧扩展。由此，取向膜的成膜范围被限制。在成膜时在绝缘膜的表面扩展的取向膜的材料，由于从绝缘膜的表面突出的成膜范围限制部可以说是作为堤坝发挥作用而被限制进一步扩展，但是被限制了扩展的材料会返回到显示区域侧，因此，以由上述成膜范围限制部进行限制的限制位置为起点在取向膜产生膜厚局部变厚的部分、即厚膜部分。当该在取向膜产生的厚膜部分延及显示区域内时，在显示区域，取向膜的膜厚产生不均匀。特别是在非显示区域的宽度变窄的、所谓的窄边框化进一步发展时，存在容易在显示区域内形成上述厚膜部分的趋势。

因此，在非显示区域中比成膜范围限制部更靠近显示区域的位置，以使绝缘膜部分地凹陷的方式设置取向膜材料储存部，取向膜的材料被储存在取向膜材料储存部内，因此，即使伴随着取向膜的材料由于成膜范围限制部而返回到显示区域侧，在取向膜产生厚膜部分，厚膜部分的形成范围也与取向膜的材料被储存在取向膜材料储存部内的量相应地变窄，因此，该厚膜部分难以延及显示区域内。由此，在显示区域，取向膜的膜厚均匀，因此，能够实现使用该显示部件进行的显示的显示品质的提高。在实现窄边框化方面特别优选。

本发明的显示装置包括：上述的第一显示部件或第二显示部件；相对于上述第一显示部件或上述第二显示部件空出间隔地呈相对状贴合的对置显示部件；被夹持在上述第一显示部件或上述第二显示部件与上述对置显示部件之间的液晶；和包围上述液晶并且设置在上述第一显示部件或上述第二显示部件与上述对置显示部件之间而将上述液晶密封的密封部，上述成膜范围限制部配置在比上述密封部更靠近上述显示区域的位置，并且以遍及全周地包围上述显示区域的方式设置。

根据这样的显示装置，通过在第一显示部件或第二显示部件所具备的取向膜材料储存部内储存取向膜的材料，在取向膜可能产生的厚膜部分难以延及显示区域内，因此，在显示区域，取向膜的膜厚均匀，由此能够实现该显示装置的显示品质的提高。通过利用配置在比密封部更靠近显示区域的位置并且以遍及全周地包围显示区域的方式设置的成膜范围限制部来限制取向膜的成膜范围，难以产生取向膜与密封部重叠配置的情况。由此，难以产生对密封部的密封性能产生不良影响的情况，因此，难以发生水分从外部进入液晶内等情况。

作为本发明的显示装置的实施方式，优选以下结构。

(1)在上述第一显示部件或上述第二显示部件、或者上述对置显示部件的上述液晶侧设置有用于显示图像的显示元件，上述显示元件包含由氧化物半导体构成的半导体膜。这样，能够利用显示元件在显示区域显示图像。构成显示元件中所包含的半导体膜的氧化物半导体，当被暴露于水分时，其电特性容易发生变化，但是如上所述，难以发生取向膜与密封部重叠配置的情况，由此，水分难以从外部进入液晶内，因此，氧化物半导体的电特性难以发生变化，由此，显示元件难以发生性能劣化。

(2)上述氧化物半导体含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)。这样，含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)的氧化物半导体的电特性难以发生变化，因此，显示元件难以发生性能劣化。

(3)上述氧化物半导体具有结晶性。这样，含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)并且具有结晶性的氧化物半导体的电特性难以发生变化，因此，显示元件难以发生性能劣化。

发明效果

根据本发明，能够实现取向膜的膜厚的均匀化。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的安装有驱动器的液晶面板、柔性基板和控制电路基板的连接结构的概略平面图。

图2是表示液晶显示装置的沿长边方向的截面结构的概略截面图。

图3是表示液晶面板整体的截面结构的概略截面图。

图4是表示液晶面板的显示区域的截面结构的概略截面图。

图5是表示构成液晶面板的阵列基板的显示区域的像素的平面结构的平面图。

图6是图5的vi-vi线截面图。

图7是阵列基板的平面图。

图8是将图7的一部分(配置有驱动器等的一侧的端部)放大的平面图。

图9是图7的ix-ix线截面图。

图10是将图9的一部分(成膜范围限制部和取向膜材料储存部)放大的截面图。

图11是表示阵列基板的制造工序中的使用半色调掩模将有机绝缘膜曝光的工序的与图9相同的截面图。

图12是表示在阵列基板的制造工序中，向显示区域供给了阵列基板侧取向膜的材料的状态的截面图。

图13是本发明的实施方式2的阵列基板的放大平面图。

图14是图13的xiv-xiv线截面图。

图15是图13的xv-xv线截面图。

图16是表示本发明的实施方式3的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

图17是表示本发明的实施方式4的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

图18是本发明的实施方式5的阵列基板的放大平面图。

图19是表示本发明的实施方式6的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

图20是表示本发明的实施方式7的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

图21是表示本发明的实施方式8的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

图22是表示本发明的实施方式9的阵列基板的制造工序中的使用半色调掩模将有机绝缘膜曝光的工序的截面图。

图23是本发明的实施方式10的阵列基板的放大平面图。

图24是本发明的实施方式11的阵列基板的放大平面图。

图25是表示本发明的实施方式12的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

图26是表示本发明的实施方式13的液晶面板的端部的截面结构的截面图。

具体实施方式

＜实施方式1＞

使用图1至图12对本发明的实施方式1进行说明。在本实施方式中，对液晶显示装置10进行例示。另外，在各图的一部分中表示出了X轴、Y轴和Z轴，以各轴方向成为在各图中表示的方向的方式进行了绘图。此外，关于上下方向，以图2至图4等为基准，且以该图上侧为表侧并且以该图下侧为里侧。

如图1和图2所示，液晶显示装置10包括：液晶面板(显示装置、显示面板)11，其具有能够显示图像并且配置在中央侧的显示区域(有效区域)AA和以包围显示区域AA的方式配置在外周侧的非显示区域(非有效区域)NAA；驱动液晶面板11的驱动器(面板驱动部)21；从外部对驱动器21供给各种输入信号的控制电路基板(外部的信号供给源)12；将液晶面板11与外部的控制电路基板12电连接的柔性基板(外部连接部件)13；和背光源装置(照明装置)14，其是向液晶面板11供给光的外部光源。此外，液晶显示装置10还包括用于收容和保持相互组装后的液晶面板11和背光源装置14的表里一对的外部包装部件15、16，其中，在表侧的外部包装部件15形成有开口部15a，该开口部15a用于从外部视认在液晶面板11的显示区域AA显示的图像。本实施方式的液晶显示装置10可用于便携式电话(包括智能手机等)、笔记本型个人计算机(包括平板型笔记本型个人计算机等)、便携式信息终端(包括电子书和PDA等)、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备(未图示)。因此，构成液晶显示装置10的液晶面板11的画面尺寸为几英寸～几十英寸左右，一般为分类为小型或中小型的大小。

首先，对背光源装置14进行简单说明。如图2所示，背光源装置14包括：向表侧(液晶面板11侧)开口的呈大致箱形的底座14a；配置在底座14a内的未图示的光源(例如冷阴极管、LED、有机EL等)；和以覆盖底座14a的开口部的方式配置的未图示的光学部件。光学部件是具有将从光源发出的光转换为面状等功能的部件。

接着，对液晶面板11进行说明。如图1所示，液晶面板11整体呈纵长的方形状(矩形状)，在靠近其长边方向的一个端部侧(图1所示的上侧)的位置配置有显示区域AA，并且在靠近长边方向的另一个端部侧(图1所示的下侧)的位置分别安装有驱动器21和柔性基板13。在该液晶面板11中，显示区域AA外的区域为不显示图像的非显示区域NAA，该非显示区域NAA包括包围显示区域AA的大致框状的区域(后述的CF基板11a的边框部分)和在长边方向的另一个端部侧被确保的区域(后述的阵列基板11b中不与CF基板11a重叠而露出的部分)，在其中的在长边方向的另一个端部侧被确保的区域包括驱动器21的柔性基板13的安装区域。液晶面板11的短边方向与各图的X轴方向一致，长边方向与各图的Y轴方向一致。另外，在图1和图7中，比CF基板11a小一圈的框状的点划线表示显示区域AA的外形，该点划线的外侧的区域为非显示区域NAA。

接着，对与液晶面板11连接的部件进行说明。如图1和图2所示，控制电路基板12通过螺丝等安装在背光源装置14的底座14a的背面(与液晶面板11侧相反的一侧的外表面)。该控制电路基板12在酚醛纸或玻璃环氧树脂制的基板上安装用于向驱动器21供给各种输入信号的电子部件并且配置形成有未图示的规定的图案的配线(导电路)。柔性基板13的一个端部(一端侧)通过未图示的ACF(AnisotropicConductiveFilm：各向异性导电膜)与该控制电路基板12电连接并且机械地连接。

如图2所示，柔性基板(FPC基板)13包括由具有绝缘性和挠性的合成树脂材料(例如聚酰亚胺类树脂等)构成的基材，在该基材上具有很多条配线图案(未图示)，长度方向上的一个端部与如上所述配置在底座14a的背面侧的控制电路基板12连接，而长度方向上的另一个端部(另一端侧)与液晶面板11的阵列基板11b连接，因此，在液晶显示装置10内以截面形状成为大致U型的方式呈折叠状弯曲。在柔性基板13的长度方向上的两端部，配线图案露出到外部而构成端子部(未图示)，这些端子部分别与控制电路基板12和液晶面板11电连接。由此，能够将从控制电路基板12侧供给的输入信号传送至液晶面板11侧。

如图1所示，驱动器21由在内部具有驱动电路的LSI芯片构成，根据从作为信号供给源的控制电路基板12供给的信号进行动作，由此，对从作为信号供给源的控制电路基板12供给的输入信号进行处理而生成输出信号，将该输出信号向液晶面板11的显示区域AA输出。该驱动器21在俯视时呈横长的方形状(沿液晶面板11的短边呈长条状)，并且直接安装、即COG(ChipOnGlass：玻璃衬底芯片)安装在液晶面板11(后述的阵列基板11b)的非显示区域NAA。另外，驱动器21的长边方向与X轴方向(液晶面板11的短边方向)一致，驱动器21的短边方向与Y轴方向(液晶面板11的长边方向)一致。

再次对液晶面板11进行说明。如图3所示，液晶面板11至少具有：一对基板11a、11b，该一对基板11a、11b相互相对，并且在它们之间具有内部空间IS；液晶层(液晶)11c，该液晶层(液晶)11c被夹持在两基板11a、11b间并且配置在内部空间IS，含有液晶分子，该液晶分子为光学特性随着电场施加而变化的物质；和密封部11j，该密封部11j设置在两基板11a、11b间，以将内部空间IS和配置在该内部空间IS的液晶层11c包围的方式配置，并且将内部空间IS和配置在该内部空间IS的液晶层11c密封。一对基板11a、11b中，表侧(正面侧)为CF基板(对置显示部件)11a，里侧(背面侧)为阵列基板(TFT基板、有源矩阵基板、显示部件)11b。另外，在两基板11a、11b的外表面侧分别贴附有偏光板11f、11g。

液晶层11c通过所谓的滴下注入法被封入两基板11a、11b间，具体而言，在将形成液晶层11c的液晶材料滴下在CF基板11a上之后，相对于CF基板11a贴合阵列基板11b时，液晶材料在形成于两基板11a、11b间的内部空间IS遍及整个内部空间地扩展，由此形成液晶层11c。密封部11j配置在液晶面板11中的非显示区域NAA，并且在俯视时(在从相对于各基板11a、11b的板面的法线方向看时)呈沿着非显示区域NAA的纵长的大致框状(图1和图7)。密封部11j在液晶面板11的制造过程中在一对基板11a、11b中的CF基板11a上形成。在两基板11a、11b的外周端部，两基板11a、11b间的间隔(液晶层11c的厚度)、即单元间隙由该密封部11j维持为一定，该单元间隙的具体数值例如为3μm～3.6μm左右。密封部11j至少含有例如通过照射紫外线而固化的紫外线固化性树脂材料(固化性树脂材料)和分散配合在紫外线固化性树脂材料中的大量的间隔物颗粒。紫外线固化性树脂材料在受到紫外线的照射之前为具有流动性的液体状态，但是当受到紫外线的照射时固化而成为固体状态。间隔物颗粒为合成树脂制，呈球状，在紫外线固化性树脂材料中以规定的浓度(例如约1wt％左右)配合，并且其直径尺寸与液晶面板11的单元间隙大致相等。此外，密封部11j中在液晶面板11的除驱动器21和柔性基板13的安装区域以外的剩余的3边的端部(非安装侧端部)配置的部分，配置在非显示区域NAA的最外端位置(图1)。

本实施方式的液晶面板11的动作模式是将IPS(In-PlaneSwitching：面内开关)模式进一步改良而得到的FFS(FringeFieldSwitching：边缘场开关)模式，如图4所示，在一对基板11a、11b中的阵列基板11b侧一起形成后述的像素电极(第二透明电极)18和共用电极(第一透明电极)22，并且将这些像素电极18和共用电极22配置在不同的层。CF基板11a和阵列基板11b分别包括大致透明的(具有高的透光性的)玻璃基板(基板)GS，在该玻璃基板GS上叠层形成有各种膜(构造物)。其中，CF基板11a，如图1和图2所示，虽然短边尺寸与阵列基板11b大致相等，但是长边尺寸比阵列基板11b小，并且以长边方向的一个(图1所示的上侧)端部一致的状态与阵列基板11b贴合。因此，阵列基板11b中的长边方向的另一个(图1所示的下侧)端部，在规定范围与CF基板11a不重合，成为正反两板面露出到外部的状态，在此确保驱动器21和柔性基板13的安装区域。另外，图4和图7概略地表示各基板11a、11b具备的膜(构造物)，图示的各构造物的大小(厚度、高度等)和配置并不一定与实物的大小和配置一致。

首先，对在阵列基板11b的内表面侧(液晶层11c侧、与CF基板11a相对的相对面侧)利用已知的光刻法叠层形成的各种膜进行说明。在阵列基板11b，如图6所示，从下层(玻璃基板GS)侧起依次叠层形成有第一金属膜(栅极金属膜)34、栅极绝缘膜35、半导体膜36、保护膜(蚀刻阻挡膜、绝缘膜、无机绝缘膜)37、第二金属膜(源极金属膜)38、第一层间绝缘膜(绝缘膜、无机绝缘膜)39、有机绝缘膜(绝缘膜)40、第一透明电极膜23、第二层间绝缘膜(绝缘膜、无机绝缘膜)41、第二透明电极膜24、阵列基板侧取向膜(取向膜)11e。另外，在图5中，对于第一金属膜34、半导体膜36和第二金属膜38，分别以阴影状图示。

第一金属膜34由钛(Ti)和铜(Cu)的叠层膜形成。栅极绝缘膜35至少叠层在第一金属膜34的上层侧，例如由氧化硅(SiO2)构成。半导体膜36由使用氧化物半导体作为材料的薄膜构成，作为具体的氧化物半导体，例如使用以In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)为主成分的In-Ga-Zn-O类半导体(氧化铟镓锌)。在此，In-Ga-Zn-O类半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元类氧化物，In、Ga和Zn的比例(组成比)并无特别限定，例如包括In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。在本实施方式中，使用按1:1:1的比例含有In、Ga和Zn的In-Ga-Zn-O类半导体。构成半导体膜36的氧化物半导体(In-Ga-Zn-O类半导体)也可以为非晶，但是优选为包含结晶质部分的具有结晶性的氧化物半导体。作为具有结晶性的氧化物半导体，例如优选c轴与层面大致垂直地取向的结晶质In-Ga-Zn-O类半导体。这样的氧化物半导体(In-Ga-Zn-O类半导体)的结晶结构例如在日本特开2012-134475号公报中公开。为了参考，在本说明书中援用日本特开2012-134475号公报的全部公开内容。

保护膜37为由作为无机材料的氧化硅(SiO2)构成的无机绝缘膜。第二金属膜38由钛(Ti)和铜(Cu)的叠层膜形成。第一层间绝缘膜39为由作为无机材料的氧化硅(SiO2)构成的无机绝缘膜。有机绝缘膜40由作为具有感光性的有机材料的丙烯酸类树脂材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA))构成，在阵列基板11b的制造工序中利用已知的光刻法被图案化。第一透明电极膜23和第二透明电极膜24均由ITO(IndiumTinOxide：氧化铟锡)或ZnO(ZincOxide：氧化锌)等透明电极材料构成。第二层间绝缘膜41为由作为无机材料的氮化硅(SiNx)构成的无机绝缘膜。这些各绝缘膜37、39～41中，有机绝缘膜40的膜厚比其它的无机绝缘膜37、39、41厚，具体而言，例如为2μm(二万)左右，作为平坦化膜发挥作用。各绝缘膜37、39～41中，除有机绝缘膜40以外的各无机绝缘膜37、39、41的膜厚比有机绝缘膜40薄，具体而言，例如为0.3μm(三千)左右。阵列基板侧取向膜11e用于使液晶层11c中包含的液晶分子取向，例如由聚酰亚胺构成。阵列基板侧取向膜11e以面临液晶层11c的方式覆盖第二层间绝缘膜41和像素电极18的表面，并且以遍及跨越阵列基板11b的显示区域AA和非显示区域NAA的范围的方式整面地形成，详细而言，遍及显示区域AA的整个区域和非显示区域NAA的内周侧部分(与显示区域AA相邻的部分)地配置。该阵列基板侧取向膜11e为能够通过被照射特定的波长区域的光(例如紫外线等)而使液晶分子沿该光的照射方向取向的光取向膜。上述的各膜中，第一透明电极膜23和第二透明电极膜24仅在阵列基板11b的显示区域AA形成，在非显示区域NAA不形成，而栅极绝缘膜35、保护膜37、第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41等由绝缘材料构成的各绝缘膜，形成为遍及阵列基板11b的大致整个面的整面状的图案(在一部分具有开口)。此外，第一金属膜34、半导体膜36和第二金属膜38在阵列基板11b的显示区域AA和非显示区域NAA两者以规定的图案形成。

接着，对阵列基板11b的显示区域AA内存在的结构依次进行详细说明。在阵列基板11b的显示区域AA，如图5所示，作为开关元件的TFT(薄膜晶体管、显示元件)17和像素电极18每多个排列成矩阵状地设置，并且在这些TFT17和像素电极18的周围，形成为格子状的栅极配线(扫描信号线、行控制线)19和源极配线(列控制线、数据线)20以包围的方式配置。换言之，在形成为格子状的栅极配线19和源极配线20的交叉部，TFT17和像素电极18呈行列状并列配置。栅极配线19由第一金属膜34构成，而源极配线20由第二金属膜38构成，以在相互的交叉部位间设置有栅极绝缘膜35和保护膜37的方式配置。栅极配线19和源极配线20分别与TFT17的栅极电极17a和源极电极17b连接，像素电极18与TFT17的漏极电极17c连接(图6)，详细情况将在下面说明。栅极配线19与像素电极18的一个(图5所示的下侧)端部在俯视时(在从相对于阵列基板11b(玻璃基板GS)的板面的法线方向看时)重叠地配置。另外，在阵列基板11b，设置有与栅极配线19平行并且与像素电极18的一部分在俯视时重叠的辅助电容配线(存储电容配线、Cs配线)25。辅助电容配线25与栅极配线19同样由第一金属膜34构成，与像素电极18的另一个(图5所示的上侧)端部在俯视时重叠地配置，即，在Y轴方向上在与栅极配线19之间夹着像素电极18的中央侧部分配置在相反侧。换言之，辅助电容配线25与栅极配线19之间在Y轴方向上空出规定的间隔相邻地配置，该栅极配线19通过TFT17与相对于该辅助电容配线25重叠的像素电极18在图5所示的上侧相邻的像素电极18连接。辅助电容配线25在Y轴方向上与栅极配线19交替地配置。

如图5所示，TFT17以设置在栅极配线19上的方式、即以其整体与栅极配线19在俯视时重叠的方式配置，栅极配线19的一部分构成TFT17的栅极电极17a，并且源极配线20中与栅极配线19在俯视时重叠的部分构成TFT17的源极电极17b。TFT17具有通过在与源极电极17b之间在X轴方向上空出规定的间隔相对配置而形成为岛状的漏极电极17c。漏极电极17c与源极电极17b(源极配线20)同样由第二金属膜38构成，与像素电极18的一个端部(不形成后述的狭缝18a的部位)在俯视时重叠地配置。此外，同样由第二金属膜38构成的漏极配线27与漏极电极17c连接，该漏极配线27从所连接的漏极电极17c起沿Y轴方向向图5所示的下侧、即辅助电容配线25侧延伸，并且在其延伸端形成有电容形成部27a，该电容形成部27a通过与辅助电容配线25以及相邻的像素电极18(详细而言为相对于与该漏极电极17c连接的像素电极18在图5所示的下侧相邻的像素电极18)在俯视时重叠而形成电容。另外，栅极配线19中与源极配线20在俯视时不重叠的部分，以线宽度比与源极配线20在俯视时重叠的部分的线宽度宽的方式形成，而源极配线20中与栅极配线19以及辅助电容配线25在俯视时重叠的部分，以线宽度比与栅极配线19以及辅助电容配线25在俯视时不重叠的部分的线宽度宽的方式形成。

如图6所示，TFT17具有：由第一金属膜34构成的栅极电极17a；沟道部17d，其由半导体膜36构成，与栅极电极17a在俯视时重叠；保护部17e，其由保护膜37构成，在与沟道部17d在俯视时重叠的位置贯通形成有2个开口部17e1、17e2；源极电极17b，其由第二金属膜38构成，通过2个开口部17e1、17e2中的一个开口部17e1与沟道部17d连接；和漏极电极17c，其由第二金属膜38构成，通过2个开口部17e1、17e2中的另一个开口部17e2与沟道部17d连接。其中，栅极电极17a包括栅极配线19中至少与源极电极17b、漏极电极17c以及沟道部17d在俯视时重叠的部分。沟道部17d沿X轴方向延伸，并且将源极电极17b与漏极电极17c桥接，使得电子能够在两电极17b、17c间迁移。在此，形成沟道部17d的半导体膜36如上所述为氧化物半导体薄膜，该氧化物半导体薄膜的电子迁移率与非晶硅薄膜等相比例如高20倍～50倍左右，因此，能够容易地使TFT17小型化从而使像素电极18的透射光量极大化，并且在实现高精细化和背光源装置14的低消耗电力化方面优选。而且，通过使沟道部17d的材料为氧化物半导体，与假如使用非晶硅作为沟道部的材料的情况相比，TFT17的截止特性高，截止漏电流例如为100分之1左右，极少，因此，像素电极18的电压保持率高，并且在实现液晶面板11的低消耗电力化等方面有用。这样的具有氧化物半导体薄膜的TFT17为栅极电极17a配置在最下层、在其上层侧隔着栅极绝缘膜35叠层有沟道部17d的底栅型，是与通常的具有非晶硅薄膜的TFT同样的叠层结构。

如图6所示，像素电极18由第二透明电极膜24构成，在被栅极配线19和源极配线20包围的区域作为整体在俯视时呈纵长的大致方形状(大致矩形状)。像素电极18的一个端部与栅极配线19在俯视时重叠，而除该重叠部分以外的部分与栅极配线19在俯视时不重叠，并且在该不重叠部分通过设置多个(在图5中为2个)纵长的狭缝18a而形成为大致梳齿状。另外，该狭缝18a延伸至像素电极18中与栅极配线19在俯视时重叠的部分的一部分。此外，像素电极18的图5所示的下端位置，位于在栅极配线19的下端位置与漏极电极17c的下端位置之间，详细而言靠近漏极电极17c的下端位置。像素电极18形成在第二层间绝缘膜41上，第二层间绝缘膜41设置在像素电极18与下述的共用电极22之间。在配置在像素电极18的下层侧的第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41中与漏极电极17c以及像素电极18在俯视时重叠的位置，以上下贯通的方式形成有接触孔26，像素电极18通过该接触孔26与漏极电极17c连接。由此，当将TFT17的栅极电极17a通电时，电流通过沟道部17d在源极电极17b与漏极电极17c之间流动，并且对像素电极18施加规定的电位。

共用电极22由第一透明电极膜23构成，为遍及阵列基板11b的显示区域AA的大致整个面的、所谓的整面状的图案。如图6所示，共用电极22以被夹在有机绝缘膜40与第二层间绝缘膜41之间的方式配置。从未图示的共用配线对共用电极22施加共用电位(基准电位)，因此，能够通过如上述那样利用TFT17对施加至像素电极18的电位进行控制，使两电极18、22间产生规定的电位差。当在两电极18、22间产生电位差时，由于像素电极18的狭缝18a，液晶层11c被施加边缘电场(倾斜电场)，该边缘电场(倾斜电场)不仅包含沿着阵列基板11b的板面的成分，而且包含相对于阵列基板11b的板面的法线方向的成分，因此，不仅能够适当地改变液晶层11c所包含的液晶分子中存在于狭缝18a的液晶分子的取向状态，而且也能够适当地改变液晶层11c所包含的液晶分子中存在于像素电极18上的液晶分子的取向状态。由此，液晶面板11的开口率高，能够获得充分的透射光量，并且能够获得高的视野角性能。另外，在共用电极22，在与TFT17的一部分在俯视时重叠的部分(详细而言，在图5中由双点划线包围的大致方形状的范围)形成有开口部22a。

接着，对CF基板11a的显示区域AA内存在的结构进行详细说明。在CF基板11a的内表面侧(液晶层11c侧、与阵列基板11b相对的相对面侧)，如图4所示，以与表面重叠的方式设置有彩色滤光片11h和遮光部(黑矩阵)11i。其中，彩色滤光片11h相对配置在上层侧，遮光部11i相对配置在下层侧。彩色滤光片11h是使感光性树脂材料中含有用于着色的颜料而构成的，通过在制造工序中利用已知的光刻法在CF基板11a上图案化而形成。彩色滤光片11h由在CF基板11a的显示区域AA、在与阵列基板11b侧的各像素电极18在俯视时重叠的位置呈行列状(矩阵状)平面配置的多个着色部11hR、11hG、11hB构成。各着色部11hR、11hG、11hB的外形与相对的像素电极18的外形一致地在俯视时呈纵长的方形状，与相对的像素电极18一起构成像素(单位像素)。彩色滤光片11h通过将分别呈红色、绿色、蓝色的各着色部11hR、11hG、11hB沿行方向(X轴方向)交替地重复排列而构成着色部组，该着色部组沿列方向(Y轴方向)排列配置多个。遮光部11i通过使感光性树脂材料中含有遮光材料(例如炭黑)而具有高的遮光性，通过在制造工序中利用已知的光刻法在CF基板11a上图案化而形成。遮光部11i由像素间遮光部(格子状遮光部)和边框状遮光部构成，该像素间遮光部(格子状遮光部)通过在CF基板11a的显示区域AA以将彼此相邻的各着色部11hR、11hG、11hB之间隔开的方式配置而防止像素间的混色，该边框状遮光部在CF基板11a的非显示区域NAA形成为边框状。其中，像素间遮光部以与阵列基板11b侧的栅极配线19和源极配线20在俯视时重叠的方式形成为格子状。

在CF基板11a，如图4所示，以覆盖上述的彩色滤光片11h和遮光部11i的方式形成有OC层(覆盖层(overcoatlayer)、绝缘膜)11k。OC层11k与阵列基板11b侧的有机绝缘膜40同样地，例如由作为具有感光性的有机材料的丙烯酸类树脂材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA))构成，在CF基板11a的制造工序中利用已知的光刻法被图案化。OC层11k的膜厚比彩色滤光片11h和遮光部11i厚，由此作为平坦化膜发挥作用。在CF基板11a，以与OC层11k的一部分叠层的方式形成有间隔物部(感光间隔物)11l。间隔物部11l形成为以从OC层11k向阵列基板11b侧贯通液晶层11c的方式突出的柱状，并且其立起前端部与相对的阵列基板侧取向膜11e抵接，由此，能够在显示区域AA将一对基板11a、11b间的间隔(内部空间IS的厚度)、即单元间隙维持为一定，在显示区域AA内按各颜色像素的每种颜色的像素分散配置有多个。间隔物部11l由大致透明的感光性树脂材料构成，通过在制造工序中利用已知的光刻法在CF基板11a上图案化而形成。间隔物部11l配置在与遮光部11i的像素间遮光部在俯视时重叠的位置，由此难以妨碍从阵列基板11b侧向各着色部去的光。详细而言，间隔物部11l与阵列基板11b侧的栅极配线19和源极配线20的交叉部(源极电极17b)在俯视时重叠地平面配置。在OC层11k的表面，如图7所示，以面临液晶层11c的方式形成有用于使液晶层11c所包含的液晶分子取向的CF基板侧取向膜(取向膜)11d。CF基板侧取向膜11d例如由聚酰亚胺构成，以遍及跨越CF基板11a的显示区域AA和非显示区域NAA的范围的方式整面地形成，详细而言遍及显示区域AA的整个区域和非显示区域NAA的内周侧部分(与显示区域AA相邻的部分)地配置。该CF基板侧取向膜11d为能够通过被照射特定的波长区域的光(例如紫外线等)而使液晶分子沿该光的照射方向取向的光取向膜。

在此，对上述的液晶面板11的驱动方法进行说明。在驱动液晶面板11时，通过利用控制电路基板12经由驱动器21向液晶面板11供给各种信号，控制各TFT17的动作。具体而言，控制电路基板12通过经由驱动器21向各栅极配线19供给扫描信号并且向各源极配线20供给数据信号，对构成沿行方向排列的像素组的TFT17组沿列方向依次进行扫描，由此，对构成像素组的像素电极18组沿列方向依次进行充电。在该驱动时，如果采用在对所有的栅极配线19进行扫描以进行画面的刷新的扫描期间(刷新期间、刷新帧)后接着设置使所有的栅极配线19为非扫描状态以使画面的刷新休止的休止期间(非刷新期间、非刷新帧)的驱动方式(休止驱动)，则控制电路基板12和驱动器21的动作被休止，由此能够降低液晶显示装置10的消耗电力。当进行这样的休止驱动时，担心伴随着扫描被充电至像素电极18的电压在休止期间降低。即，假如从TFT17或像素电极18流动漏电流时，在扫描期间被充电至像素电极18的电压在休止期间容易降低，由此，液晶层11c的取向状态变化，并且该像素的光的透射光量变化，其结果，显示品质有可能降低。关于这一点，在本实施方式中，因为使用氧化物半导体作为TFT17的半导体膜36，所以TFT17的截止漏电流少。由此，像素电极18的电压保持率高，在进行上述那样的休止驱动方面极为合适。该休止驱动主要在液晶面板11显示静止图像时使用。

在形成上述结构的液晶面板11的阵列基板11b，如图7和图9所示，设置有用于限制阵列基板侧取向膜11e的成膜范围的成膜范围限制部28。阵列基板侧取向膜11e的成膜通过在阵列基板11b的制造工序中利用喷墨装置将阵列基板侧取向膜11e的材料供给至显示区域AA、该材料沿阵列基板11b的板面扩展而进行，此时，利用成膜范围限制部28对阵列基板侧取向膜11e的材料扩展的范围进行限制，由此，能够避免该材料附着在密封部11j的预定形成部位、或者附着在驱动器21和柔性基板13的安装区域(相对于驱动器21和柔性基板13的连接端子)的情况。以下，对成膜范围限制部28进行详细说明。另外，在图7中，根据纸面的情况，利用粗线图示了成膜范围限制部28。

如图7和图9所示，成膜范围限制部28在阵列基板11b的非显示区域NAA以使有机绝缘膜40的表面部分地凹陷的方式设置，由截面形状弯曲成大致圆弧状的槽构成。成膜范围限制部28配置在非显示区域NAA中比密封部11j更靠近显示区域AA的位置，并且以遍及全周地包围显示区域AA的方式在俯视时呈框状(无端环状)。换言之，成膜范围限制部28配置在非显示区域NAA中密封部11j的内周侧的位置，并且以沿密封部11j遍及其全周地平行的方式形成为框状。如图8和图9所示，成膜范围限制部28在非显示区域NAA在内周侧(离显示区域AA相对近的一侧)和外周侧(离密封部11j相对近的一侧)以相互平行的方式设置有2个，在其间空出规定的间隔。由此，在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，即使在假设不能利用内周侧的成膜范围限制部28限制阵列基板侧取向膜11e的材料的流动的情况下，也能够利用外周侧的成膜范围限制部28限制阵列基板侧取向膜11e的材料的流动。在设置有这样的成膜范围限制部28的有机绝缘膜40的上层侧叠层的第二层间绝缘膜41，与成膜范围限制部28在俯视时重叠的部分的截面形状沿着成膜范围限制部28弯曲成大致圆弧状。

如图9所示，成膜范围限制部28的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向(Z轴方向)呈倾斜状，其倾斜角度被设定为规定的值，由此，能够在形成阵列基板侧取向膜11e时支承从显示区域AA侧向外侧扩展的阵列基板侧取向膜11e的材料，限制该材料进一步扩展。详细而言，如图10所示，成膜范围限制部28的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度，根据成膜范围限制部28的宽度方向(X轴方向或Y轴方向)上的位置连续地变化，对阵列基板侧取向膜11e的材料进行支承的支承部位设定成：相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度θ1不成为最小值θ2。换言之，成膜范围限制部28的侧面的对阵列基板侧取向膜11e的材料进行支承的支承部位设定成：与成膜范围限制部28的侧面中相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度成为最小值θ2的位置相比，更靠近显示区域AA。即，成膜范围限制部28的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ2被设定为在阵列基板侧取向膜11e的成膜时能够可靠地支承其材料以可靠地限制进一步扩展的值。具体而言，成膜范围限制部28被设置成：成膜范围限制部28的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ2为50°以下。在图10中例示了成膜范围限制部28的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ2为约50°的情况。另外，成膜范围限制部28的侧面中对阵列基板侧取向膜11e的材料进行支承的支承部位相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度θ1，能够改称为限制阵列基板侧取向膜11e的材料的流动的“流动限制角度”，如果侧面相对于上述法线方向形成的角度比流动限制角度θ1大，则能够限制阵列基板侧取向膜11e的材料的流动，相反如果比流动限制角度θ1小，则难以限制阵列基板侧取向膜11e的材料的流动。该流动限制角度θ1由阵列基板侧取向膜11e的材料的表面张力和粘度等决定。此外，成膜范围限制部28的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度越小倾斜越陡，相反该角度越大倾斜越缓。如以上所述，成膜范围限制部28配置在阵列基板11b的非显示区域NAA，并且以使绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面部分地凹陷的方式设置，由此，能够限制阵列基板侧取向膜11e的成膜范围。

在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，由成膜范围限制部28的侧面支承的阵列基板侧取向膜11e的材料，如图9所示，以其支承位置(阵列基板侧取向膜11e的最外端位置)为起点返回到显示区域AA。该返回的材料以隆起的形式固化，由此，在阵列基板侧取向膜11e，从作为上述材料的支承位置的最外端位置起遍及规定宽度地形成膜厚局部变厚的厚膜部分FP。当该厚膜部分FP以不仅延及阵列基板侧取向膜11e中配置在非显示区域NAA的部分、而且延及配置在显示区域AA的部分的形式形成时，在显示区域AA，阵列基板侧取向膜11e的膜厚产生不均匀。当这样在显示区域AA内产生阵列基板侧取向膜11e的膜厚不均匀时，在液晶面板11上显示的图像的显示品质有可能降低。特别是在液晶显示装置10被窄边框化时，从成膜范围限制部28对阵列基板侧取向膜11e的材料进行支承的支承位置至显示区域AA的距离变短，因此，上述厚膜部分FP更容易配置在显示区域AA内，处于更容易产生显示品质降低的趋势。

因此，在本实施方式的阵列基板11b，如图7和图9所示，设置有能够在阵列基板侧取向膜11e的成膜时储存阵列基板侧取向膜11e的材料的取向膜材料储存部29。取向膜材料储存部29在阵列基板11b的非显示区域NAA以使有机绝缘膜40的表面部分地凹陷的方式设置，由截面形状弯曲成大致圆弧状的槽构成。取向膜材料储存部29设置成：其侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度大于成膜范围限制部28的侧面相对于该法线方向形成的角度。根据这样的结构，难以利用取向膜材料储存部29的侧面限制阵列基板侧取向膜11e的材料的扩展，由此，该材料容易被储存在取向膜材料储存部29内。因而，即使伴随着阵列基板侧取向膜11e的材料由于被成膜范围限制部28的侧面支承而返回到显示区域AA侧，在阵列基板侧取向膜11e产生厚膜部分FP，厚膜部分FP的形成范围也与阵列基板侧取向膜11e的材料储存在取向膜材料储存部29内的量相应地变窄，因此该厚膜部分FP难以延及显示区域AA内。由此，在显示区域AA，阵列基板侧取向膜11e的膜厚变得均匀，因此，能够实现在具备CF基板11a的液晶面板11进行的显示的显示品质的提高，在实现窄边框化方面特别优选。以下，对取向膜材料储存部29进行详细说明。

取向膜材料储存部29配置在非显示区域NAA中比成膜范围限制部28更靠近显示区域AA的位置，并且以遍及全周地包围显示区域AA的方式在俯视时呈框状(无端环状)。换言之，取向膜材料储存部29配置在非显示区域NAA中成膜范围限制部28的内周侧的位置，并且以沿成膜范围限制部28遍及其全周地平行的方式形成为框状。进一步换言之，在阵列基板11b上，在从显示区域AA至成膜范围限制部28之间必须横穿取向膜材料储存部29地配置。由此，在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，在阵列基板侧取向膜11e的材料从显示区域AA侧向外侧扩展时，必然经由取向膜材料储存部29，在将取向膜材料储存部29内充满之后，以向成膜范围限制部28去的方式流动。因此，阵列基板侧取向膜11e的膜厚遍及显示区域AA的全周地均匀化。

如图8和图9所示，取向膜材料储存部29设置成：其深度尺寸与成膜范围限制部28的深度尺寸大致相同，但是宽度尺寸大于成膜范围限制部28的宽度尺寸。由此，能够在取向膜材料储存部29内更多地储存阵列基板侧取向膜11e的材料，因此，能够更适当地使显示区域AA中阵列基板侧取向膜11e的膜厚均匀化。除此以外，在利用光刻法对有机绝缘膜40进行图案化来设置取向膜材料储存部29时，在假设要通过使取向膜材料储存部的深度比成膜范围限制部28深来取得取向膜材料储存部内的容积的情况下，与使用光掩模对有机绝缘膜40进行曝光时的曝光量的控制困难相比，能够容易地设置取向膜材料储存部29。取向膜材料储存部29配置在与配置在内周侧的成膜范围限制部28之间空出规定的间隔的位置，该间隔比在2个成膜范围限制部28间空出的间隔和在外周侧的成膜范围限制部28与密封部11j之间空出的间隔大。在设置有这样的取向膜材料储存部29的有机绝缘膜40的上层侧叠层的第二层间绝缘膜41，与取向膜材料储存部29在俯视时重叠的部分的截面形状沿着取向膜材料储存部29弯曲成大致圆弧状。即，有机绝缘膜40由于在非显示区域NAA设置成膜范围限制部28和取向膜材料储存部29，部分地凹陷，膜厚发生变化，而第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41在非显示区域NAA遍及整个区域为大致一定的膜厚。

如图9所示，取向膜材料储存部29的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向(Z轴方向)呈倾斜状，通过如以下那样设定其倾斜角度，在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，阵列基板侧取向膜11e的材料不被取向膜材料储存部29的侧面支承而流入取向膜材料储存部29内。详细而言，如图10所示，取向膜材料储存部29的侧面设定成：相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度根据取向膜材料储存部29的宽度方向(X轴方向或Y轴方向)上的位置连续地变化，其最小值θ3大于成膜范围限制部28的侧面中的对阵列基板侧取向膜11e的材料进行支承的支承部位相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度(流动限制角度)θ1。由此，能够避免阵列基板侧取向膜11e的材料在取向膜材料储存部29的侧面被限制，因此，该材料流入取向膜材料储存部29内而被储存的可靠性高。而且，就取向膜材料储存部29而言，其侧面在大致整个区域为大致相同的截面形状，并且无论周方向上的截面位置如何，相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度都大致一定。因此，取向膜材料储存部29设定成：在其侧面的大致整个区域，相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ3，大于上述流动限制角度θ1。具体而言，取向膜材料储存部29设置成：侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ3为60°～80°的范围。更优选取向膜材料储存部29设置成：侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ3为70°～80°的范围。在图10中例示了取向膜材料储存部29的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ3为约75°的情况。另外可以说，取向膜材料储存部29的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度越小，倾斜越陡，相反该角度越大，倾斜越缓。即，取向膜材料储存部29的侧面与成膜范围限制部28的侧面相比一般为更缓的倾斜，相反成膜范围限制部28的侧面与取向膜材料储存部29的侧面相比一般为更陡的倾斜。如以上所述，取向膜材料储存部29配置在在阵列基板11b的非显示区域NAA中比成膜范围限制部28更靠近显示区域AA的位置，并且以使绝缘膜所包含的有机绝缘膜40的表面部分地凹陷的方式设置，并且，其侧面的至少一部分相对于玻璃基板GS的板面的法线方向形成的角度大于成膜范围限制部28的侧面相对于该法线方向形成的角度，由此，能够储存阵列基板侧取向膜11e的材料。

本实施方式为以上那样的结构，接着对液晶面板11的制造方法进行说明。本实施方式的液晶面板11经过制造阵列基板11b的阵列基板制造工序、制造CF基板11a的CF基板制造工序、和将阵列基板11b与CF基板11a贴合的贴合工序制造。在本实施方式中，对于CF基板制造工序和贴合工序，省略说明，对阵列基板制造工序进行详细说明。

对阵列基板制造工序进行说明。在阵列基板制造工序中，通过在构成阵列基板11b的玻璃基板GS上依次形成第一金属膜34、栅极绝缘膜35、半导体膜36、保护膜37、第二金属膜38、第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40、第一透明电极膜23、第二层间绝缘膜41、第二透明电极膜24、阵列基板侧取向膜11e各膜而制造阵列基板11b。其中，在有机绝缘膜40的成膜时，利用光刻法对构成在玻璃基板GS上形成的有机绝缘膜40的感光性树脂材料进行图案化，此时，为了设置具有比成膜范围限制部28的侧面缓的倾斜的侧面的取向膜材料储存部29，使用如下那样的结构的半色调掩模(halftonemask)30。

如图11所示，半色调掩模30包括：透明的玻璃基材30a；在玻璃基材30a的板面形成，对来自光源的曝光光进行遮光的遮光膜30b；和在玻璃基材30a的板面形成，使来自光源的曝光光以规定的透射率透射的半透射膜30c。曝光光从遮光膜30b透射的透射率大致为0％。半透射膜30c以相对于遮光膜30b在玻璃基材30a侧的相反侧叠层的方式形成，曝光光的透射率例如为10％～70％左右。在该半色调掩模30具备的遮光膜30b和半透射膜30c，在与有机绝缘膜40中的接触孔26、成膜范围限制部28和取向膜材料储存部29的各预定形成位置对应的位置分别形成有开口部。具体而言，遮光膜30b和半透射膜30c中，在与接触孔26的预定形成位置对应的位置形成有接触孔用开口部，在与成膜范围限制部28的预定形成位置对应的位置形成有限制部用开口部30b1、30c1，在与取向膜材料储存部29的预定形成位置对应的位置形成有储存部用开口部30b2、30b3、30c2。另外，对于接触孔用开口部省略图示。限制部用开口部30b1、30c1在遮光膜30b和半透射膜30c中彼此整个区域在俯视时重叠地配置，因此，成为来自光源的曝光光大致100％透射的透射区域TA。另一方面，储存部用开口部30b2、30b3、30c2包括在遮光膜30b分别形成的第一储存部用开口部30b2和第二储存部用开口部30b3以及在半透射膜30c形成的第三储存部用开口部30c2，其中的第一储存部用开口部30b2与第三储存部用开口部30c2彼此整个区域在俯视时重叠地配置，而第二储存部用开口部30b3与第三储存部用开口部30c2在俯视时不重叠地配置。因此，彼此重叠的第一储存部用开口部30b2和第三储存部用开口部30c2成为来自光源的曝光光大致100％透射的透射区域TA，而仅在遮光膜30b形成的第二储存部用开口部30b3成为来自光源的曝光光以与半透射膜30c的透射率大致相同的比例透射的半透射区域HTA。第二储存部用开口部30b3以将第一储存部用开口部30b2和第二储存部用开口部30b3从内周侧(显示区域AA侧)和外周侧(成膜范围限制部28侧)夹入的方式设置有一对。另外，形成有遮光部30b的区域是无论有没有半透射膜30c，曝光光的透射率都大致为0％的遮光区域。

当来自光源的曝光光通过这样的结构的半色调掩模30照射至有机绝缘膜40之后进行显影时，如图11所示，在有机绝缘膜40中的与透射区域TA在俯视时重叠的部分，分别形成接触孔26、成膜范围限制部28和取向膜材料储存部29的中央侧部分，而在有机绝缘膜40中的与半透射区域HTA在俯视时重叠的部分，形成取向膜材料储存部29的两端侧部分。由此，取向膜材料储存部29形成为其侧面的倾斜比成膜范围限制部28的侧面的倾斜缓的截面形状。

接着，对阵列基板侧取向膜11e的成膜工序进行详细说明。在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，从喷墨装置具备的喷嘴向构成阵列基板11b的玻璃基板GS上喷出作为阵列基板侧取向膜11e的材料的液滴PIM，使该液滴PIM着落于显示区域AA。如图12所示，着落于构成阵列基板11b的玻璃基板GS的显示区域AA的液滴PIM，在第二层间绝缘膜41的表面从着落位置润湿扩展，由此与同样扩展的相邻的液滴PIM相连，由此构成阵列基板侧取向膜11e。在此，着落于显示区域AA的最靠外端的位置的液滴PIM，在向非显示区域NAA侧润湿扩展的过程中，首先到达取向膜材料储存部29。因为该取向膜材料储存部29设置成侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值θ3大于流动限制角度θ1，所以阵列基板侧取向膜11e的液滴PIM不被取向膜材料储存部29的侧面支承而顺利地流入取向膜材料储存部29内。阵列基板侧取向膜11e的液滴PIM在将取向膜材料储存部29内充满之后从取向膜材料储存部29进一步向外侧润湿扩展。

当阵列基板侧取向膜11e的液滴PIM到达成膜范围限制部28时，在成膜范围限制部28的侧面的规定位置被该侧面支承，由此限制该液滴PIM进一步向外侧扩展。由此，能够避免阵列基板侧取向膜11e的材料附着在密封部11j的预定形成位置、或者附着在驱动器21和柔性基板13的安装区域，因此，能够良好地确保密封部11j的密封性能，并且驱动器21和柔性基板13难以发生连接不良。通过良好地确保密封部11j的密封性能，外部的水分难以进入液晶层11c内，因此，能够避免TFT17具备的由氧化物半导体构成的半导体膜36暴露于水分。由此，半导体膜36的电特性难以发生变化，因此，TFT17难以发生性能劣化，并且液晶面板11难以发生显示不良。此外，由于水分难以进入液晶层11c内，在TFT17和像素电极18可能产生的漏电流足够小，因此，被充电至该像素电极18的电压难以降低，在进行休止驱动方面特别优选。

在此，由成膜范围限制部28的侧面支承的阵列基板侧取向膜11e的液滴PIM以其支承位置为起点返回到内侧，因此，由于该返回的液滴PIM而产生隆起的部分。当该隆起的部分照原样固化时，以由成膜范围限制部28的侧面对阵列基板侧取向膜11e的材料进行支承的支承位置为起点，遍及规定宽度地形成膜厚局部变厚的厚膜部分FP。即使产生这样的厚膜部分FP，由于在上述阵列基板侧取向膜11e的成膜时，与在使有机绝缘膜40凹陷而设置的取向膜材料储存部29内储存阵列基板侧取向膜11e的材料的量相应地，该材料的隆起被抑制，所以厚膜部分FP的形成范围也变窄。由此，阵列基板侧取向膜11e的厚膜部分FP难以以延及显示区域AA内的方式配置，因此，在显示区域AA，阵列基板侧取向膜11e的膜厚均匀。由此，能够实现在具备CF基板11a的液晶面板11进行的显示的显示品质的提高，在实现窄边框化方面特别优选。

如以上说明的那样，本实施方式的阵列基板(显示部件)11b包括：被划分为显示区域AA和包围显示区域AA的非显示区域NAA的玻璃基板(基板)GS；以跨越显示区域AA和非显示区域NAA的方式配置并且设置在玻璃基板GS上的绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40；以跨越显示区域AA和非显示区域NAA的方式配置并且以与绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面重叠的方式设置的阵列基板侧取向膜(取向膜)11e；配置在非显示区域NAA并且以使绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面部分地凹陷的方式设置的成膜范围限制部28；和取向膜材料储存部29，其配置在非显示区域NAA中比成膜范围限制部28更靠近显示区域AA的位置，并且以使绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40部分地凹陷的方式设置，并且，其侧面的至少一部分相对于玻璃基板GS的板面的法线方向形成的角度大于成膜范围限制部28的侧面相对于法线方向形成的角度。

在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，向玻璃基板GS的显示区域AA供给液体状态的阵列基板侧取向膜11e的材料，该材料在设置于玻璃基板GS上的绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面以扩展的方式流动，由此，以与绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面重叠的方式形成阵列基板侧取向膜11e。阵列基板侧取向膜11e以跨越显示区域AA和非显示区域AA的方式配置，由此，没有缺损地配置在显示区域AA的可靠性高。

在此，在非显示区域NAA，以使绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面部分地凹陷的方式设置有成膜范围限制部28，因此，能够利用成膜范围限制部28避免在成膜时在绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面从显示区域AA侧向非显示区域NAA侧扩展的阵列基板侧取向膜11e的材料与成膜范围限制部28相比向外侧扩展。由此，阵列基板侧取向膜11e的成膜范围被限制。因此，在成膜时在绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40的表面扩展的阵列基板侧取向膜11e的材料在到达成膜范围限制部28时，该材料由成膜范围限制部28的侧面支承，由此被限制进一步扩展，但是被限制了扩展的材料会返回到显示区域AA侧，因此，以由上述侧面进行支承的支承位置为起点在阵列基板侧取向膜11e产生膜厚局部变厚的部分、即厚膜部分FP。当在该阵列基板侧取向膜11e产生的厚膜部分FP延及显示区域AA内时，在显示区域AA，阵列基板侧取向膜11e的膜厚产生不均匀。特别是在非显示区域NAA的宽度变窄的、所谓的窄边框化进一步发展时，存在容易在显示区域AA内形成上述厚膜部分FP的趋势。

因此，在非显示区域NAA中比成膜范围限制部28更靠近显示区域AA的位置，以使绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40部分地凹陷的方式设置取向膜材料储存部29，该取向膜材料储存部29的侧面的至少一部分相对于玻璃基板GS的板面的法线方向形成的角度，大于成膜范围限制部28的侧面相对于该法线方向形成的角度，因此，在取向膜材料储存部29的侧面的至少一部分难以限制阵列基板侧取向膜11e的材料的扩展，由此，该材料被储存在取向膜材料储存部29内。因此，即使伴随着阵列基板侧取向膜11e的材料由于被成膜范围限制部28的侧面支承而返回到显示区域AA侧，在阵列基板侧取向膜11e产生厚膜部分FP，厚膜部分FP的形成范围也与阵列基板侧取向膜11e的材料储存在取向膜材料储存部29内的量相应地变窄，因此，该厚膜部分FP难以延及显示区域AA内。由此，在显示区域AA，阵列基板侧取向膜11e的膜厚均匀，因此，能够实现使用该阵列基板11b进行的显示的显示品质的提高。在实现窄边框化方面特别优选。

此外，取向膜材料储存部29设置成比成膜范围限制部28宽。这样，能够在取向膜材料储存部29内更多地储存阵列基板侧取向膜11e的材料，因此，能够在显示区域AA将阵列基板侧取向膜11e的膜厚更适当地均匀化。此外，例如在通过利用光刻法对绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40进行图案化来设置取向膜材料储存部29和成膜范围限制部28的情况下，在假设要通过使取向膜材料储存部29的深度比成膜范围限制部28深而取得取向膜材料储存部29内的容积的情况下，与使用光掩模对绝缘膜中所包含的有机绝缘膜40进行曝光时的曝光量的控制困难相比，能够容易地设置取向膜材料储存部29。

此外，绝缘膜为将膜厚相对薄的各层间绝缘膜(无机绝缘膜)39、41和膜厚相对厚的有机绝缘膜40叠层的结构，取向膜材料储存部29通过至少使有机绝缘膜40凹陷而设置。这样，因为通过至少使膜厚相对厚的有机绝缘膜40凹陷来设置取向膜材料储存部29，所以容易确保取向膜材料储存部29的深度、即容积，因此，能够在取向膜材料储存部29内更多地储存阵列基板侧取向膜11e的材料，由此，能够在显示区域AA更适当地使阵列基板侧取向膜11e的膜厚均匀。

此外，取向膜材料储存部29以遍及全周地包围显示区域AA的方式设置。这样，能够遍及显示区域AA的全周地实现阵列基板侧取向膜11e的膜厚的均匀化。

此外，取向膜材料储存部29设置成：其侧面的至少一部分相对于法线方向形成的角度的最小值θ3，大于成膜范围限制部28的侧面中支承阵列基板侧取向膜11e的材料的部位相对于法线方向形成的角度θ1。这样，阵列基板侧取向膜11e的材料被取向膜材料储存部29的侧面的至少一部分支承而使其扩展被限制的情况更难以发生，因此，该材料被储存在取向膜材料储存部29内的可靠性高。

此外，取向膜材料储存部29设置成：其侧面的至少一部分相对于法线方向形成的角度的最小值θ3为60°～80°的范围。在假设上述角度超过80°的情况下，为了确保取向膜材料储存部29的容积，需要扩大玻璃基板GS的板面内的取向膜材料储存部29的形成范围，因此，难以实现使非显示区域NAA的宽度变窄的窄边框化。另一方面，在假设上述角度低于60°的情况下，在形成阵列基板侧取向膜11e时阵列基板侧取向膜11e的材料容易被取向膜材料储存部29的侧面支承，有可能产生该材料难以被储存在取向膜材料储存部29内的问题。关于这一点，通过以上述角度为60°～80°的范围的方式设置取向膜材料储存部29，在实现窄边框化方面优选，并且能够使阵列基板侧取向膜11e的材料被储存在取向膜材料储存部29内的可靠性更高。

此外，取向膜材料储存部29设置成：其侧面的至少一部分相对于法线方向形成的角度的最小值θ3为70°～80°的范围。这样，通过使上述角度的范围的下限值为70°，能够使阵列基板侧取向膜11e的材料被储存在取向膜材料储存部29内的可靠性进一步提高。

此外，成膜范围限制部28设置成：其侧面相对于法线方向形成的角度的最小值θ2小于取向膜材料储存部29的侧面的至少一部分相对于法线方向形成的角度的最小值θ3。这样，能够更加可靠地利用成膜范围限制部28的侧面支承阵列基板侧取向膜11e的材料，因此，对阵列基板侧取向膜11e的成膜范围进行限制的可靠性高。

此外，成膜范围限制部28设置成其侧面相对于法线方向形成的角度的最小值θ2为50°以下。在假设上述角度超过50°的情况下，在形成阵列基板侧取向膜11e时难以利用成膜范围限制部28的侧面支承阵列基板侧取向膜11e的材料，有可能不能限制该材料的扩展。另一方面，存在成膜范围限制部28的侧面相对于法线方向形成的角度越小，越容易利用该侧面支承阵列基板侧取向膜11e的材料的趋势。因此，通过以上述角度为50°以上的方式设置成膜范围限制部28，对阵列基板侧取向膜11e的成膜范围进行限制的可靠性更高。

此外，取向膜材料储存部29设置成：其侧面整个区域相对于法线方向形成的角度的最小值θ3，大于成膜范围限制部28的侧面中支承阵列基板侧取向膜11e的材料的部位相对于法线方向形成的角度θ1。这样，在阵列基板侧取向膜11e的成膜时，在取向膜材料储存部29的侧面的整个区域难以支承阵列基板侧取向膜11e的材料，由此，该材料更顺利地被储存在取向膜材料储存部29内。由此，能够在显示区域AA更适当地使阵列基板侧取向膜11e的膜厚均匀。

此外，本实施方式的液晶面板(显示装置)11包括：上述的阵列基板11b；相对于阵列基板11b空出间隔地呈相对状贴合的CF基板(对置显示部件)11a；被夹持在阵列基板11b与CF基板11a之间的液晶层(液晶)11c；和包围液晶层11c并且设置在阵列基板11b与CF基板11a之间而将液晶层11c密封的密封部11j，成膜范围限制部28配置在比密封部11j更靠近显示区域AA的位置，并且以遍及全周地包围显示区域AA的方式设置。根据这样的液晶面板11，通过在阵列基板11b所具备的取向膜材料储存部29内储存阵列基板侧取向膜11e的材料，在阵列基板侧取向膜11e可能产生的厚膜部分FP难以延及显示区域AA内，因此，在显示区域AA，阵列基板侧取向膜11e的膜厚均匀，由此能够实现该显示装置的显示品质的提高。通过利用配置在比密封部11j更靠近显示区域AA的位置并且以遍及全周地包围显示区域AA的方式设置的成膜范围限制部28来限制阵列基板侧取向膜11e的成膜范围，难以产生阵列基板侧取向膜11e与密封部11j重叠配置的情况。由此，难以产生对密封部11j的密封性能产生不良影响的情况，因此，难以发生水分从外部进入液晶层11c内等情况。

此外，在阵列基板11b或CF基板11a的液晶层11c侧设置有用于显示图像的TFT(显示元件)17，TFT17包含由氧化物半导体构成的半导体膜36。这样，能够利用TFT17在显示区域AA显示图像。构成TFT17中所包含的半导体膜36的氧化物半导体，当被暴露于水分时，其电特性容易发生变化，但是如上所述，难以发生阵列基板侧取向膜11e与密封部11j重叠配置的情况，由此，水分难以从外部进入液晶层11c内，因此，氧化物半导体的电特性难以发生变化，由此，TFT17难以发生性能劣化。

此外，氧化物半导体含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)。这样，含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)的氧化物半导体的电特性难以发生变化，因此，TFT17难以发生性能劣化。

此外，氧化物半导体具有结晶性。这样，含有In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)和氧(O)并且具有结晶性的氧化物半导体的电特性难以发生变化，因此，TFT17难以发生性能劣化。

＜实施方式2＞

使用图12至图14对本发明的实施方式2进行说明。在该实施方式2中，给出将取向膜材料储存部129的平面形状等改变而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图13所示，本实施方式的取向膜材料储存部129在俯视时为重复蛇行弯曲的平面形状。详细而言，取向膜材料储存部129通过将与成膜范围限制部128(显示区域AA的外形)平行的平行部31和与成膜范围限制部128的延伸方向交叉的交叉部32交替地重复相连，整体的平面形状成为蛇行弯曲的结构，在平行部31与交叉部32的边界处形成有弯曲部33。上述的交叉部32与成膜范围限制部128的延伸方向正交，与平行部31形成的角度为大致直角。

如图14所示，取向膜材料储存部129中所包含的平行部31的宽度尺寸和深度尺寸与成膜范围限制部128的宽度尺寸和深度尺寸大致相同。进一步，平行部31的截面形状与成膜范围限制部128大致相同，侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值、以及该角度相对于取向膜材料储存部129的宽度方向上的位置的变化率，也均与成膜范围限制部128的侧面大致相同。另外，交叉部32的截面形状与上述的平行部31大致相同，因此省略图示。另一方面，关于取向膜材料储存部129中所包含的弯曲部33，如图15所示，深度尺寸与成膜范围限制部128的深度尺寸大致相同，但是宽度尺寸比成膜范围限制部128的宽度尺寸大。进一步，弯曲部33的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值，大于成膜范围限制部128的侧面中的对阵列基板侧取向膜111e的材料进行支承的支承部位相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度。因此，在阵列基板侧取向膜111e的成膜时，阵列基板侧取向膜111e的材料并不直接流入取向膜材料储存部129中的平行部31和交叉部32，而是从弯曲部33的侧面流入取向膜材料储存部129内，不久将取向膜材料储存部129内充满之后向成膜范围限制部128流动。这样，即使作为取向膜材料储存部129中除弯曲部33以外的部分的平行部31和交叉部32的侧面相对于法线方向形成的角度与成膜范围限制部128的侧面相对于法线方向形成的角度为相同程度，也能够使阵列基板侧取向膜111e的材料储存在取向膜材料储存部129内。

当在有机绝缘膜140设置这样的包括弯曲部33的取向膜材料储存部129时，在利用光刻法对有机绝缘膜140进行图案化的情况下，能够使对有机绝缘膜140的曝光量在取向膜材料储存部129的预定形成部位和成膜范围限制部128的预定形成部位相同。由此，能够容易地设置取向膜材料储存部129和成膜范围限制部128。

如以上说明的那样，根据本实施方式，取向膜材料储存部129设置成：在从法线方向看时呈包括在中途弯曲的弯曲部33的平面形状，并且，弯曲部33的侧面相对于法线方向形成的角度的最小值，大于成膜范围限制部128的侧面中支承阵列基板侧取向膜111e的材料的部位相对于法线方向形成的角度。这样，在阵列基板侧取向膜111e的成膜时，在取向膜材料储存部129中的弯曲部33的侧面，难以支承阵列基板侧取向膜111e的材料，由此，该材料被储存在取向膜材料储存部129内。因此，即使例如取向膜材料储存部129中除弯曲部33以外的部分的侧面相对于法线方向形成的角度与成膜范围限制部128的侧面相对于法线方向形成的角度为相同程度，也能够使阵列基板侧取向膜111e的材料储存在取向膜材料储存部129内。在绝缘膜中所包含的有机绝缘膜140设置包括这样的弯曲部33的取向膜材料储存部129时，例如在利用光刻法对绝缘膜中所包含的有机绝缘膜140进行图案化的情况下，能够使对有机绝缘膜140的曝光量在取向膜材料储存部129的预定形成部位和成膜范围限制部128的预定形成部位相同。由此，能够容易地设置取向膜材料储存部129和成膜范围限制部128。

＜实施方式3＞

使用图16对本发明的实施方式3进行说明。该实施方式3与上述的实施方式1的不同点在于，在CF基板211a侧设置成膜范围限制部42和取向膜材料储存部43。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

在本实施方式的CF基板211a的非显示区域NAA，如图16所示，设置有用于限制CF基板侧取向膜211d的成膜范围的成膜范围限制部42和能够储存CF基板侧取向膜211d的材料的取向膜材料储存部43。其中，成膜范围限制部42以从设置于CF基板211a的作为绝缘膜的OC层211k的表面突出的方式设置，截面形状呈大致棱柱状。因此，在CF基板侧取向膜211d的成膜时，对于沿OC层211k的表面从显示区域AA侧向外侧扩展的CF基板侧取向膜211d的材料，成膜范围限制部42作为堤坝发挥作用，由此，能够限制CF基板侧取向膜211d的材料向成膜范围限制部42的外侧扩展。成膜范围限制部42与设置在CF基板211a的间隔物部211l由相同的材料构成，在利用光刻法将间隔物部211l图案化时同时(在同一工序中)被图案化。成膜范围限制部42在内周侧和外周侧以相互平行的方式设置有2个，在其间空出规定的间隔。如以上所述，成膜范围限制部42配置在CF基板211a的非显示区域NAA，并且以从绝缘膜中所包含的OC层211k的表面突出的方式设置，由此，能够限制CF基板侧取向膜211d的成膜范围。另外，成膜范围限制部42的平面形状和在俯视时的形成范围等，与阵列基板211b侧的成膜范围限制部228同样。

另一方面，取向膜材料储存部43以使OC层211k部分地凹陷的方式设置，由截面形状弯曲成大致圆弧状的槽构成。取向膜材料储存部43的侧面相对于玻璃基板GS的法线方向形成的角度的最小值，与阵列基板211b侧的取向膜材料储存部229的该角度的最小值大致相同。因此，在CF基板侧取向膜211d的成膜时，能够将沿OC层211k的表面从显示区域AA侧向外侧扩展的CF基板侧取向膜211d的材料储存在取向膜材料储存部43内。由此，在CF基板侧取向膜211d的成膜时，即使在CF基板侧取向膜211d的材料由于被成膜范围限制部42的侧面支承而返回到显示区域AA侧，与此相伴在CF基板侧取向膜211d的外周端侧产生厚膜部分FP的情况下，上述厚膜部分FP的形成范围也与CF基板侧取向膜211d的材料被储存在取向膜材料储存部43内的量相应地变窄。由此，上述厚膜部分FP难以延及显示区域AA内，因此，在显示区域AA，CF基板侧取向膜211d的膜厚均匀化，并且能够实现液晶面板211的显示的显示品质的提高。如以上所述，取向膜材料储存部43配置在CF基板211a的非显示区域NAA中比成膜范围限制部42更靠近显示区域AA的位置，并且以使绝缘膜中所包含的OC层211k的表面部分地凹陷的方式设置，由此，能够储存CF基板侧取向膜211d的材料。另外，取向膜材料储存部43的平面形状和在俯视时的形成范围等，与阵列基板211b侧的取向膜材料储存部229同样。

如以上说明的那样，本实施方式的CF基板(显示部件)211a包括：被划分为显示区域AA和包围显示区域AA的非显示区域NAA的玻璃基板GS；以跨越显示区域AA和非显示区域NAA的方式配置并且设置在玻璃基板GS上的绝缘膜中所包含的OC层211k；以跨越显示区域AA和非显示区域NAA的方式配置并且以与绝缘膜中所包含的OC层211k的表面重叠的方式设置的CF基板侧取向膜(取向膜)211d；配置在非显示区域NAA并且以从绝缘膜中所包含的OC层211k的表面突出的方式设置的成膜范围限制部42；和取向膜材料储存部43，其配置在非显示区域NAA中比成膜范围限制部42更靠近显示区域AA的位置，并且以使绝缘膜中所包含的OC层211k部分地凹陷的方式设置。

在CF基板侧取向膜211d的成膜时，向玻璃基板GS的显示区域AA供给液体状态的CF基板侧取向膜211d的材料，该材料在设置在玻璃基板GS上的绝缘膜中所包含的OC层211k的表面以扩展的方式流动，由此，以与绝缘膜中所包含的OC层211k的表面重叠的方式形成CF基板侧取向膜211d。CF基板侧取向膜211d以跨越显示区域AA和非显示区域NAA的方式配置，由此，没有缺损地配置在显示区域AA的可靠性高。

在此，在非显示区域NAA，以从绝缘膜中所包含的OC层211k的表面突出的方式设置有成膜范围限制部42，因此，能够利用成膜范围限制部42避免在成膜时在绝缘膜中所包含的OC层211k的表面从显示区域AA侧向非显示区域NAA侧扩展的CF基板侧取向膜211d的材料与成膜范围限制部42相比向外侧扩展。由此，CF基板侧取向膜211d的成膜范围被限制。在成膜时在绝缘膜中所包含的OC层211k的表面扩展的CF基板侧取向膜211d的材料，由于从绝缘膜中所包含的OC层211k的表面突出的成膜范围限制部42可以说是作为堤坝发挥作用而被限制进一步扩展，但是被限制了扩展的材料会返回到显示区域AA侧，因此，以由成膜范围限制部42进行限制的限制位置为起点在CF基板侧取向膜211d产生膜厚局部变厚的部分、即厚膜部分FP。当该在CF基板侧取向膜211d产生的厚膜部分FP延及显示区域AA内时，在显示区域AA，CF基板侧取向膜211d的膜厚产生不均匀。特别是在非显示区域NAA的宽度变窄的、所谓的窄边框化进一步发展时，存在容易在显示区域AA内形成上述厚膜部分FP的趋势。

因此，在非显示区域NAA中比成膜范围限制部42更靠近显示区域AA的位置，以使绝缘膜中所包含的OC层211k部分地凹陷的方式设置取向膜材料储存部43，使得CF基板侧取向膜211d的材料被储存在取向膜材料储存部43内，因此，即使伴随着CF基板侧取向膜211d的材料由于成膜范围限制部42而返回到显示区域AA侧，在CF基板侧取向膜211d产生厚膜部分FP，厚膜部分FP的形成范围也与CF基板侧取向膜211d的材料被储存在成膜范围限制部43内的量相应地变窄，因此，该厚膜部分FP难以延及显示区域AA内。由此，在显示区域AA，CF基板侧取向膜211d的膜厚均匀，因此，能够实现使用该CF基板211a进行的显示的显示品质的提高。在实现窄边框化方面特别优选。

＜实施方式4＞

使用图17对本发明的实施方式4进行说明。在该实施方式4中，给出从上述的实施方式1改变成膜范围限制部328和取向膜材料储存部329的设置数量而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图17所示，本实施方式的成膜范围限制部328在阵列基板311b的非显示区域NAA在密封部311j与取向膜材料储存部329之间以并列的方式设置有3个。取向膜材料储存部329在阵列基板311b的非显示区域NAA在成膜范围限制部328与显示区域AA之间以并列的方式设置有2个。内周侧的取向膜材料储存部329的平面形状呈比外周侧的取向膜材料储存部329小一圈的框状。

＜实施方式5＞

使用图18对本发明的实施方式5进行说明。在该实施方式5中，给出从上述的实施方式1改变取向膜材料储存部429的平面形状而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图18所示，本实施方式的取向膜材料储存部429由在俯视时为方形状的槽(凹部)构成，并且沿显示区域AA的外形以隔开间隔排列的方式配置有多个。多个取向膜材料储存部429以遍及全周地包围显示区域AA的方式排列配置。即使是这样的结构，在阵列基板侧取向膜的成膜时，阵列基板侧取向膜的材料也被储存在多个取向膜材料储存部429内，由此，能够适当地使显示区域AA的阵列基板侧取向膜的膜厚均匀化。

＜实施方式6＞

使用图19对本发明的实施方式6进行说明。在该实施方式6中，给出从上述的实施方式1改变成膜范围限制部528和取向膜材料储存部529的深度而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图19所示，本实施方式的成膜范围限制部528和取向膜材料储存部529均以贯通有机绝缘膜540的深度形成。即，成膜范围限制部528和取向膜材料储存部529的各深度尺寸与有机绝缘膜540的膜厚大致相同。采用这样的结构，能够在取向膜材料储存部529内更多地储存阵列基板侧取向膜511e的材料，因此，能够更适当地实现显示区域AA的阵列基板侧取向膜511e的膜厚的均匀化。

＜实施方式7＞

使用图20对本发明的实施方式7进行说明。在该实施方式7中，给出从上述的实施方式6进一步改变成膜范围限制部628和取向膜材料储存部629的深度而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式6同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图20所示，本实施方式的成膜范围限制部628和取向膜材料储存部629均以贯通有机绝缘膜640和第一层间绝缘膜639的深度形成。即，成膜范围限制部628和取向膜材料储存部629的各深度尺寸与将有机绝缘膜640和第一层间绝缘膜639的膜厚相加而得到的大小大致相同。采用这样的结构，能够在取向膜材料储存部629内更多地储存阵列基板侧取向膜611e的材料，因此，能够更适当地实现显示区域AA的阵列基板侧取向膜611e的膜厚的均匀化。

＜实施方式8＞

使用图21对本发明的实施方式8进行说明。在该实施方式8中，给出从上述的实施方式1改变取向膜材料储存部729的形成方法而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图21所示，本实施方式的取向膜材料储存部729通过在第一层间绝缘膜739形成开口部44，并使配置在其上层侧的有机绝缘膜740中与开口部44重叠的部分成为凹陷的形状而形成。即，有机绝缘膜740在取向膜材料储存部729的形成部位也为与其它部位(除接触孔726和成膜范围限制部728的形成部位以外)大致相同的膜厚。采用这样的结构，在利用光刻法对有机绝缘膜740进行图案化时，作为光掩模不需要使用半色调掩模，因此，能够实现制造成本的降低等。

＜实施方式9＞

使用图22对本发明的实施方式9进行说明。在该实施方式9中，给出从上述的实施方式1改变对有机绝缘膜840进行曝光的光掩模而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

在本实施方式中，在利用光刻法对有机绝缘膜840进行图案化时，作为光掩模，使用灰色调掩模(graytonemask)45。如图22所示，灰色调掩模45包括：透明的玻璃基材45a和在玻璃基材45a的板面形成，对来自光源的曝光光进行遮光的遮光膜45b。在该遮光膜45b形成有成为曝光装置的分辨率以上的开口部45b1、45b2和成为曝光装置的分辨率以下的狭缝45b3。各开口部45b1、45b2形成在与有机绝缘膜840中的成膜范围限制部828和取向膜材料储存部829的各预定形成位置对应的位置。另外，在与未图示的接触孔的预定形成位置对应的位置也形成有同样的开口部。这些开口部45b1、45b2为曝光光的透射率大致为100％的透射区域TA。另一方面，狭缝45b3在从内周侧和外周侧将上述开口部45b1、45b2中用于形成取向膜材料储存部829的储存部用开口部45b2夹入的位置分别排列形成有多个。该狭缝45b3为曝光光的透射率例如为10％～70％左右的半透射区域HTA。

当来自光源的曝光光通过这样的结构的灰色调掩模45被照射到有机绝缘膜840之后进行显影时，在有机绝缘膜840中的与透射区域TA在俯视时重叠的部分，分别形成接触孔、成膜范围限制部828和取向膜材料储存部829的中央侧部分，而在有机绝缘膜840中的与半透射区域HTA在俯视时重叠的部分，形成取向膜材料储存部829的两端侧部分。由此，取向膜材料储存部829形成为其侧面的倾斜比成膜范围限制部828的侧面的倾斜缓的截面形状。

＜实施方式10＞

使用图23对本发明的实施方式10进行说明。在该实施方式10中，给出从上述的实施方式2改变取向膜材料储存部929的平面形状而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式2同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图23所示，本实施方式的取向膜材料储存部929包括：与成膜范围限制部928(显示区域AA的外形)平行的平行部931；和相对于成膜范围限制部928以形成钝角的方式交叉的交叉部932。在各平行部931的两端部，分别连接有不同的交叉部932，而在各交叉部932中与平行部931侧相反的一侧的端部，连接有其它的交叉部932。由此，在平行部931与交叉部932的边界处形成的弯曲部933，在俯视时弯曲角度为锐角，而在交叉部932彼此的边界处形成的弯曲部933，在俯视时弯曲角度为钝角。即使是这样的结构，也能够与上述的实施方式2同样地使阵列基板侧取向膜的材料从各弯曲部933流入取向膜材料储存部929内。

＜实施方式11＞

使用图24对本发明的实施方式11进行说明。在该实施方式11中，给出从上述的实施方式2进一步改变取向膜材料储存部1029的平面形状而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式1同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图24所示，本实施方式的取向膜材料储存部1029通过将与成膜范围限制部1028(显示区域AA的外形)平行的平行部1031和相对于成膜范围限制部1028以形成钝角的方式交叉的交叉部1032交替地重复相连，整体的平面形状成为蛇行弯曲的结构，在平行部1031与交叉部1032的边界处形成有弯曲部1033。即使是这样的结构，也能够与上述的实施方式2同样地使阵列基板侧取向膜的材料从各弯曲部1033流入取向膜材料储存部1029内。

＜实施方式12＞

使用图25对本发明的实施方式12进行说明。在该实施方式12中，给出从上述的实施方式3改变成膜范围限制部1142的形成方法而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式3同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

在本实施方式的CF基板1111a的非显示区域NAA，如图25所示，在成膜范围限制部1142的预定形成位置，叠层配置与构成彩色滤光片1111h的各着色部1111hR、1111hG由相同的材料构成的加高层46～48，由此，配置在其上层侧的OC层1111k成为被部分地加高而突出的形态，其突出部分构成成膜范围限制部1142。另外，对于蓝色的着色部省略了图示。该加高层46～48包括：与红色的着色部1111hR由相同材料构成的第一加高层46；与绿色的着色部1111hG由相同材料构成的第二加高层47；和与未图示的蓝色的着色部由相同材料构成的第三加高层48。第一加高层46的厚度与红色的着色部1111hR的厚度大致相同，第二加高层47与绿色的着色部1111hG的厚度大致相同，第三加高层48与蓝色的着色部的厚度大致相同。因此，作为在利用光刻法对各着色部1111hR、1111hG和各加高层46～48进行图案化时使用的光掩模，不需要使用半色调掩模或灰色调掩模等。

＜实施方式13＞

使用图26对本发明的实施方式13进行说明。在该实施方式13中，给出从上述的实施方式3改变成膜范围限制部1242的结构而得到的实施方式。另外，对于与上述的实施方式3同样的结构、作用和效果，省略重复的说明。

如图26所示，本实施方式的成膜范围限制部1242通过使CF基板1211a具备的OC层1211k部分地凹陷而形成，由其截面形状弯曲成大致圆弧状的槽构成。即，成膜范围限制部1242形成为与阵列基板1211b侧具备的成膜范围限制部1228同样的截面形状，侧面与玻璃基板GS的法线方向形成的角度等也与成膜范围限制部1228同样。

＜其它实施方式＞

本发明并不限定于根据上述记载和附图说明的实施方式，例如以下那样的实施方式也包含在本发明的技术范围内。

(1)在上述的各实施方式中，例示了取向膜材料储存部的宽度尺寸比成膜范围限制部的宽度尺寸大的情况，但是能够使取向膜材料储存部的宽度尺寸与成膜范围限制部的宽度尺寸相同，进一步也可以设定为使得前者比后者小。

(2)在上述的各实施方式中，例示了取向膜材料储存部的深度尺寸与成膜范围限制部的深度尺寸相同的情况，但是也能够设定为使得前者比后者大，或者相反地设定为使得前者比后者小。

(3)在上述的各实施方式中，例示了成膜范围限制部和取向膜材料储存部分别以包围显示区域的方式配置的情况，但是也可以仅对从构成显示区域AA的4个边中选择的特定的边，有选择地配置成膜范围限制部或取向膜材料储存部。

(4)除了上述的各实施方式以外，取向膜材料储存部的侧面相对于玻璃基板的法线方向形成的具体角度和该角度的变化率等，也能够根据使用的取向膜(阵列基板侧取向膜、CF基板侧取向膜)的材料的物性等适当地改变。同样，成膜范围限制部的侧面相对于玻璃基板的法线方向形成的具体角度和该角度的变化率等，也能够根据使用的取向膜的材料的物性等适当地改变。

(5)除了上述的各实施方式以外，取向膜材料储存部和成膜范围限制部的具体设置数量也能够适当地改变。例如，能够采用取向膜材料储存部的设置数量与成膜范围限制部的设置数量相同的结构、或取向膜材料储存部的设置数量比成膜范围限制部的设置数量少的结构等。此外，也能够使成膜范围限制部的设置数量为1个或4个以上，或者使取向膜材料储存部的设置数量为3个以上。

(6)在上述的各实施方式中，例示了使用通过显影将曝光部位除去的正型感光性树脂材料作为有机绝缘膜的材料的情况，但是也能够使用通过显影将非曝光部位除去的负型感光性树脂材料作为有机绝缘膜的材料。

(7)在上述的各实施方式中，例示了阵列基板具备的有机绝缘膜和CF基板具备的OC层分别由感光性树脂材料构成的情况，但是也能够使用非感光性树脂材料作为它们的材料。

(8)除了上述的实施方式2、10、11以外，取向膜材料储存部的具体的平面形状也能够适当地改变。

(9)在上述的实施方式5中，例示了沿显示区域的外形排列的多个取向膜材料储存部为大致相同的平面形状的情况，但是也可以在沿显示区域的外形排列的多个取向膜材料储存部中包括平面形状彼此不同的取向膜材料储存部。

(10)在上述的实施方式12中，例示了在成膜范围限制部的预定形成位置设置有与构成彩色滤光片的3种颜色的着色部由相同的材料构成的加高层的方式，但是，加高层为与从3种颜色的着色部中任意选择的2种颜色的着色部由相同的材料构成的2层结构的方式也包括在本发明中。此外，加高层为与从3种颜色的着色部中任意选择的1个着色部由相同的材料构成的单层结构的方式也包含在本发明中。

(11)在上述的实施方式12中，例示了在成膜范围限制部的预定形成位置设置有与彩色滤光片的着色部由相同的材料构成的加高层的方式，但是，除此以外，也可以例如通过在成膜范围限制部的预定形成位置将遮光部部分地加高，在OC层设置成膜范围限制部。

(12)也能够在上述的实施方式13中记载的CF基板侧的取向膜材料储存部和成膜范围限制部应用在上述的实施方式2、4～11中分别记载的阵列基板侧的取向膜材料储存部和成膜范围限制部的结构。

(13)也能够将上述的实施方式2、4～11中记载的各结构彼此适当地组合。

(14)在上述的各实施方式中，例示了在形成阵列基板侧取向膜和CF基板侧取向膜时使用喷墨装置的情况，但是也能够使用例如丝网印刷装置或柔性版印刷装置等。

(15)在上述的各实施方式中，例示了使用光取向材料作为阵列基板侧取向膜和CF基板侧取向膜的材料，形成通过紫外线的照射进行取向处理的光取向膜的情况，但是，本发明也能够应用于形成通过摩擦进行取向处理的阵列基板侧取向膜和CF基板侧取向膜的情况。

(16)在上述的各实施方式中，例示了使用聚酰亚胺作为取向膜的材料的情况，但是也能够使用聚酰亚胺以外的液晶取向材料作为取向膜的材料。

(17)在上述的各实施方式中，例示了在CF基板设置有利用光刻法形成的间隔物部(感光间隔物)的情况，但是，代替该间隔物部而在显示区域内散布球状间隔物(间隔珠)的情况也包含在本发明中。

(18)在上述的各实施方式中，例示了构成液晶面板的阵列基板和CF基板具备玻璃制的玻璃基板的情况，但是，也能够使用例如大致透明的合成树脂制的树脂基板(塑料基板)代替玻璃制的玻璃基板。

(19)在上述的各实施方式中，例示了第一金属膜和第二金属膜由钛(Ti)和铜(Cu)的叠层膜形成的情况，但是例如也能够使用钼(Mo)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、钨(W)、铌(Nb)、钼钛合金(MoTi)、钼钨合金(MoW)等代替钛。除此以外，也能够使用钛、铜、铝等的单层的金属膜。

(20)在上述的各实施方式中，例示了动作模式为FFS模式的液晶面板，但是，除此以外，本发明也能够应用于IPS(In-PlaneSwitching：面内开关)模式或VA(VerticalAlignment：垂直取向)模式等其它动作模式的液晶面板。特别是在动作模式为VA模式的液晶面板中，能够不在阵列基板侧而在CF基板侧形成对置电极并且省略OC层。

(21)在上述的各实施方式中，作为在构成TFT的沟道部使用的氧化物半导体，例示了In-Ga-Zn-O类半导体，但是也能够使用其它的氧化物半导体。例如可以包括Zn-O类半导体(ZnO)、In-Zn-O类半导体(IZO(注册商标))、Zn-Ti-O类半导体(ZTO)、Cd-Ge-O类半导体、Cd-Pb-O类半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O类半导体、In-Sn-Zn-O类半导体(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O类半导体等。

(22)在上述的各实施方式中，例示了作为构成液晶面板的TFT的半导体膜的材料使用氧化物半导体的情况，但是，除此以外也能够使用非晶硅或多晶硅。在使用多晶硅的情况下，优选使用CG硅(ContinuousGrainSilicon：连续晶界结晶硅)。

(23)在上述的各实施方式中，例示了彩色滤光片为红色、绿色和蓝色的3色结构的情况，但是本发明也能够应用于具备在红色、绿色和蓝色的各着色部增加黄色的着色部而成为4色结构的彩色滤光片的情况。

(24)除了上述的(23)以外，本发明也能够应用于具备在红色、绿色和蓝色的各着色部追加能够几乎使所有可见光透射、不具有波长选择性的无着色部而得到的彩色滤光片的情况。

(25)在上述的各实施方式中，作为液晶显示装置具备的背光源装置，例示了边光型的背光源装置，但是，使用正下方型的背光源装置的情况也包含在本发明中。

(26)在上述的各实施方式中，例示了具备作为外部光源的背光源装置的透射型液晶显示装置，但是本发明也能够应用于利用外部光进行显示的反射型液晶显示装置，在该情况下，能够省略背光源装置。

(27)在上述的各实施方式中，作为液晶显示装置的开关元件，使用TFT，但是也能够应用于使用TFT以外的开关元件(例如薄膜二极管(TFD))的液晶显示装置，此外，除了进行彩色显示的液晶显示装置以外，也能够应用于进行黑白显示的液晶显示装置。

(28)在上述的各实施方式中，例示了被分类为小型或中小型、在便携式信息终端、便携式电话(包括智能手机)、笔记本型个人计算机(包括平板型笔记本型个人计算机)、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备等中使用的液晶面板，但是，本发明也能够应用于画面尺寸例如为20英寸～90英寸、被分类为中型或大型(超大型)的液晶面板。在该情况下，能够将液晶面板用于电视接收装置、电子广告牌(数字标牌(digitalsignage))、电子黑板等电子设备。

符号说明

11、211液晶面板(显示装置)

11aCF基板(对置显示部件)

11b、211b、311b、1211b阵列基板(显示部件)

11c液晶层(液晶)

11e、111e、511e、611e阵列基板侧取向膜(取向膜)

11j、311j密封部

17TFT(显示元件)

28、128、228、328、528、628、728、828、928、1028、1228成膜范围限制部

29、129、229、329、429、529、629、729、829、929、1029取向膜材料储存部

33、933、1033弯曲部

36半导体膜

39、639、739第一层间绝缘膜(绝缘膜、无机绝缘膜)

40、140、540、640、740、840有机绝缘膜(绝缘膜)

41第二层间绝缘膜(绝缘膜、无机绝缘膜)

42、1142、1242成膜范围限制部

43取向膜材料储存部

211a、1111a、1211aCF基板(显示部件)

211b、1211b阵列基板(对置显示部件)

211dCF基板侧取向膜(取向膜)

211k、1111k、1211kOC层(绝缘膜)

AA显示区域

FP厚膜部分

GS玻璃基板(基板)

NAA非显示区域

θ1角度

θ2最小值

θ3最小值

Claims (15)

1.一种显示部件，其特征在于，包括：

基板，该基板被划分为显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；

绝缘膜，该绝缘膜以跨越所述显示区域和所述非显示区域的方式配置并且设置在所述基板上；

取向膜，该取向膜以跨越所述显示区域和所述非显示区域的方式配置并且以与所述绝缘膜的表面重叠的方式设置；

成膜范围限制部，该成膜范围限制部配置在所述非显示区域并且以使所述绝缘膜的表面部分地凹陷的方式设置；和

取向膜材料储存部，该取向膜材料储存部配置在所述非显示区域中比所述成膜范围限制部更靠近所述显示区域的位置，并且以使所述绝缘膜部分地凹陷的方式设置，并且，所述取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于所述基板的板面的法线方向形成的角度，大于所述成膜范围限制部的侧面相对于所述法线方向形成的角度。

2.如权利要求1所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部设置成比所述成膜范围限制部宽。

3.如权利要求1或2所述的显示部件，其特征在于：

所述绝缘膜为将膜厚相对薄的无机绝缘膜和膜厚相对厚的有机绝缘膜叠层的结构，

所述取向膜材料储存部通过至少使所述有机绝缘膜凹陷而设置。

4.如权利要求1～3中任一项所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部以遍及全周地包围所述显示区域的方式设置。

5.如权利要求1～4中任一项所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于所述法线方向形成的角度的最小值，大于所述成膜范围限制部的侧面中支承所述取向膜的材料的部位相对于所述法线方向形成的角度。

6.如权利要求5所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于所述法线方向形成的角度的最小值为60°～80°的范围。

7.如权利要求6所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于所述法线方向形成的角度的最小值为70°～80°的范围。

8.如权利要求1～7中任一项所述的显示部件，其特征在于：

所述成膜范围限制部设置成：该成膜范围限制部的侧面相对于所述法线方向形成的角度的最小值，小于所述取向膜材料储存部的侧面的至少一部分相对于所述法线方向形成的角度的最小值。

9.如权利要求8所述的显示部件，其特征在于：

所述成膜范围限制部设置成：该成膜范围限制部的侧面相对于所述法线方向形成的角度的最小值为50°以下。

10.如权利要求1～9中任一项所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部设置成：该取向膜材料储存部的侧面整个区域相对于所述法线方向形成的角度的最小值，大于所述成膜范围限制部的侧面中支承所述取向膜的材料的部位相对于所述法线方向形成的角度。

11.如权利要求1～9中任一项所述的显示部件，其特征在于：

所述取向膜材料储存部设置成：在从所述法线方向看时呈包括在中途弯曲的弯曲部的平面形状，并且，所述弯曲部的侧面相对于所述法线方向形成的角度的最小值，大于所述成膜范围限制部的侧面中支承所述取向膜的材料的部位相对于所述法线方向形成的角度。

12.一种显示部件，其特征在于，包括：

基板，该基板被划分为显示区域和包围所述显示区域的非显示区域；

绝缘膜，该绝缘膜以跨越所述显示区域和所述非显示区域的方式配置并且设置在所述基板上；

取向膜，该取向膜以跨越所述显示区域和所述非显示区域的方式配置并且以与所述绝缘膜的表面重叠的方式设置；

成膜范围限制部，该成膜范围限制部配置在所述非显示区域并且以从所述绝缘膜的表面突出的方式设置；和

取向膜材料储存部，该取向膜材料储存部配置在所述非显示区域中比所述成膜范围限制部更靠近所述显示区域的位置，并且以使所述绝缘膜部分地凹陷的方式设置。

13.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求1～12中任一项所述的显示部件；

相对于所述显示部件空出间隔地呈相对状贴合的对置显示部件；

被夹持在所述显示部件与所述对置显示部件之间的液晶；和

包围所述液晶并且设置在所述显示部件与所述对置显示部件之间而将所述液晶密封的密封部，

所述成膜范围限制部配置在比所述密封部更靠近所述显示区域的位置，并且以遍及全周地包围所述显示区域的方式设置。

14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：

在所述显示部件或所述对置显示部件的所述液晶侧设置有用于显示图像的显示元件，

所述显示元件包含由氧化物半导体构成的半导体膜。

15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于：

所述氧化物半导体含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)。