TWI651571B - 顯示零件及顯示裝置 - Google Patents

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TWI651571B
TWI651571B TW103127510A TW103127510A TWI651571B TW I651571 B TWI651571 B TW I651571B TW 103127510 A TW103127510 A TW 103127510A TW 103127510 A TW103127510 A TW 103127510A TW I651571 B TWI651571 B TW I651571B
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日商夏普股份有限公司
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Abstract

本發明之陣列基板11b包含：玻璃基板GS，其劃分為顯示區域AA與非顯示區域NAA；有機絕緣膜40，其係以跨越顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式配設；陣列基板側配向膜11e，其係以重疊於有機絕緣膜40之表面之方式設置；成膜範圍限制部28，其配設於非顯示區域NAA，並且係以使有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置；及配向膜材料貯存部29，其於非顯示區域NAA中配設於較成膜範圍限制部28更靠顯示區域AA之位置，並且以使有機絕緣膜40局部地凹陷之方式設置，且其側面之至少一部分相對於玻璃基板GS之板面之法線方向所成之角度大於成膜範圍限制部28之側面相對於該法線方向所成之角度。

Description

顯示零件及顯示裝置
本發明係關於一種顯示零件及顯示裝置。
先前，作為構成液晶顯示裝置之主要零件之液晶面板形成為如下構成。即，液晶面板至少包含：一對玻璃製之基板；液晶，其夾於一對基板間；及配向膜，其分別設置於一對基板之內側之板面上而使液晶配向。作為此種液晶面板之一例，已知有下述專利文獻1中所記載者。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
國際公開第2011/155133號
於上述專利文獻1中，記載有如下構成之第1基板。該第1基板包含：配線層，其形成於支持基板上；絕緣膜，其係以覆蓋配線層之方式形成於支持基板上；及配向膜，其係藉由使具有流動性之配向膜材料硬化而形成；且於絕緣膜之表面，形成有凹陷但不貫通絕緣膜地設置之凹陷部，藉由該凹陷部之緣部支持配向膜之端緣部，並且凹陷部之底部自配向膜露出。藉此，可一面大幅縮窄非顯示區域，一面抑制配向膜材料之擴散。
然而，雖於成膜配向膜時，在絕緣膜之表面擴散之配向膜之材料係藉由凹陷部之緣部而支持，藉此限制較此更進一步之擴散，但擴散被限制之材料返回至顯示區域側。因此，於配向膜上，以凹陷部之緣部之支持位置為起點產生膜厚局部變厚之部分、即壁厚部分。而且，有如下之虞，即一旦成為產生於該配向膜之壁厚部分波及顯示區域內之狀態，則於顯示區域，配向膜之膜厚產生不均，由此導致顯示於液晶面板之圖像之顯示品質下降。尤其是存在以下傾向，即一旦液晶顯示裝置窄邊框化，則上述壁厚部分易於配設於顯示區域內。
本發明係基於如上所述之情況而完成者，其目的在於謀求配向膜之膜厚之均一化。
本發明之第1顯示零件包含：基板，其劃分為顯示區域、及包圍上述顯示區域之非顯示區域；絕緣膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且設置於上述基板上；配向膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且係以重疊於上述絕緣膜之表面之方式設置；成膜範圍限制部，其配設於上述非顯示區域，並且係以使上述絕緣膜之表面局部地凹陷之方式設置；及配向膜材料貯存部，其於上述非顯示區域中配設於較上述成膜範圍限制部更靠上述顯示區域之位置，並且以使上述絕緣膜局部地凹陷之方式設置，且其側面之至少一部分相對於上述基板之板面之法線方向所成之角度大於上述成膜範圍限制部之側面相對於上述法線方向所成之角度。
於成膜配向膜時，將呈液體狀態之配向膜之材料供給至基板之顯示區域，該材料以在設置於基板上之絕緣膜之表面擴散之方式流動，藉此以重疊於絕緣膜之表面之方式成膜配向膜。配向膜藉由以跨越顯示區域與非顯示區域之方式配設而成為毫無缺損地配置於顯示區 域之確實性較高者。
此處，於非顯示區域，以使絕緣膜之表面局部地凹陷之方式設置有成膜範圍限制部，故而可藉由成膜範圍限制部而避免於成膜時，在絕緣膜之表面自顯示區域側向非顯示區域側擴散之配向膜之材料向較其更外側擴散。藉此，限制配向膜之成膜範圍。然而，雖於成膜時當於絕緣膜之表面擴散之配向膜之材料達到成膜範圍限制部時該材料由成膜範圍限制部之側面支持，藉此限制較此更進一步之擴散，但擴散被限制之材料返回至顯示區域側，因此以上述側面之支持位置為起點，於配向膜上產生膜厚局部變厚之部分、即壁厚部分。當成為產生於該配向膜之壁厚部分波及顯示區域內之狀態時，於顯示區域，配向膜之膜厚產生不均。尤其是存在以下傾向，即當非顯示區域之寬度變窄即所謂之窄邊框化推進時，上述壁厚部分易於配設於顯示區域內。
因此，於非顯示區域，在較成膜範圍限制部更靠顯示區域之位置以使絕緣膜局部地凹陷之方式設置有配向膜材料貯存部，且該配向膜材料貯存部之側面之至少一部分相對於基板之板面之法線方向所成之角度，大於成膜範圍限制部之側面相對於該法線方向所成之角度，故而難以藉由配向膜材料貯存部之側面之至少一部分限制配向膜之材料之擴散，藉此該材料貯存於配向膜材料貯存部內。從而，即便隨著配向膜之材料藉由利用成膜範圍限制部之側面支持而返回至顯示區域側，而於配向膜上產生壁厚部分，壁厚部分之形成範圍亦以與配向膜之材料貯存於配向膜材料貯存部內相應之程度變窄，故而難以成為該壁厚部分波及顯示區域內之狀態。藉此，於顯示區域，配向膜之膜厚變得均一，故而可謀求使用該顯示零件而實施之顯示之顯示品質之提昇。尤其是，於謀求窄邊框化上較佳。
作為本發明之第1顯示零件之實施態樣，較佳為以下構成。
(1)上述配向膜材料貯存部設置為較上述成膜範圍限制部更寬。 若如此，則可於配向膜材料貯存部內貯存更多配向膜之材料，故而可使配向膜之膜厚於顯示區域更佳地均一化。又，例如於藉由利用光微影法使絕緣膜圖案化而設置配向膜材料貯存部及成膜範圍限制部之情形時，假若欲藉由使配向膜材料貯存部之深度較成膜範圍限制部深而爭取配向膜材料貯存部內之容積，則難以控制使用遮罩使絕緣膜曝光時之曝光量，相比於此可易於設置配向膜材料貯存部。
(2)上述絕緣膜構成為積層有膜厚相對較薄之無機絕緣膜、及膜厚相對較厚之有機絕緣膜，且上述配向膜材料貯存部係藉由至少使上述有機絕緣膜凹陷而設置。若如此，則藉由至少使膜厚相對較厚之有機絕緣膜凹陷而設置有配向膜材料貯存部，故而易於確保配向膜材料貯存部之深度即容積，因此可於配向膜材料貯存部內貯存更多配向膜之材料，藉此可使配向膜之膜厚於顯示區域更佳地均一化。
(3)上述配向膜材料貯存部係以遍及全周而包圍上述顯示區域之方式設置。若如此，則可遍及全周地謀求顯示區域之配向膜之膜厚之均一化。
(4)上述配向膜材料貯存部以如下方式設置，即其側面之至少一部分之相對於上述法線方向所成之角度之最小值，大於上述成膜範圍限制部之側面中支持上述配向膜之材料之部位相對於上述法線方向所成之角度。若如此，則更難產生藉由配向膜材料貯存部之側面之至少一部分支持配向膜之材料而限制其擴散之事態，故而該材料貯存於配向膜材料貯存部內之確實性較高。
(5)上述配向膜材料貯存部以其側面之至少一部分相對於上述法線方向所成之角度之最小值成為60°~80°之範圍的方式設置。於上述角度超過80°之情形時，若要確保配向膜材料貯存部之容積，則必須擴大基板之板面內之配向膜材料貯存部之形成範圍，因此難以謀求使非顯示區域之寬度變窄之窄邊框化。另一方面，於上述角度小於60° 之情形時，有產生如下問題之虞，即於成膜配向膜時，配向膜之材料易於藉由配向膜材料貯存部之側面而支持，該材料難以貯存於配向膜材料貯存部內。就該點而言，藉由以使上述角度處於60°~80°之範圍之方式設置配向膜材料貯存部，於謀求窄邊框化上較佳，並且可使配向膜之材料貯存於配向膜材料貯存部內之確實性更高。
(6)上述配向膜材料貯存部以其側面之至少一部分相對於上述法線方向所成之角度之最小值成為70°~80°之範圍的方式設置。若如此，則藉由使上述角度之範圍之下限值為70°，可使配向膜之材料貯存於配向膜材料貯存部內之確實性更高。
(7)上述成膜範圍限制部以如下方式設置，即其側面之相對於上述法線方向所成之角度之最小值，小於上述配向膜材料貯存部之側面之至少一部分相對於上述法線方向所成之角度之最小值。若如此，則可藉由成膜範圍限制部之側面更確實地支持配向膜之材料，故而限制配向膜之成膜範圍之確實性較高。
(8)上述成膜範圍限制部以其側面相對於上述法線方向所成之角度之最小值成為50°以下的方式設置。於上述角度超過50°之情形時，有產生如下問題之虞，即於成膜配向膜時，配向膜之材料難以藉由成膜範圍限制部之側面而支持，無法限制該材料之擴散。另一方面，存在如下傾向，即成膜範圍限制部之側面相對於法線方向所成之角度越小，越易於藉由該側面支持配向膜之材料。從而，藉由以使上述角度為50°以下之方式設置成膜範圍限制部，限制配向膜之成膜範圍之確實性更高。
(9)上述配向膜材料貯存部以如下方式設置，即於其側面之全域，該側面相對於上述法線方向所成之角度之最小值，大於上述成膜範圍限制部之側面中支持上述配向膜之材料之部位相對於上述法線方向所成之角度。若如此，則於成膜配向膜時，難以遍及配向膜材料貯 存部之側面之全域而支持配向膜之材料，藉此該材料藉由配向膜材料貯存部內而順利地貯存。藉此，可使配向膜之膜厚於顯示區域更佳地均一化。
(10)上述配向膜材料貯存部以如下方式設置，即自上述法線方向觀察形成為包含中途彎曲之彎曲部之平面形狀，並且上述彎曲部之側面相對於上述法線方向所成之角度之最小值，大於上述成膜範圍限制部之側面中支持上述配向膜之材料之部位相對於上述法線方向所成之角度。若如此，則於成膜配向膜時，難以利用配向膜材料貯存部中之彎曲部之側面支持配向膜之材料，藉此該材料貯存於配向膜材料貯存部內。從而，即便例如配向膜材料貯存部中除彎曲部以外之部分之側面相對於法線方向所成之角度與成膜範圍限制部之側面相對於法線方向所成之角度為相同之程度，亦可使配向膜之材料貯存於配向膜材料貯存部內。當將包含此種彎曲部之配向膜材料貯存部設置於絕緣膜上時，例如於藉由光微影法使絕緣膜圖案化之情形時，可使相對於絕緣膜之曝光量於配向膜材料貯存部之形成預定位置和成膜範圍限制部之形成預定位置相等。藉此，可易於設置配向膜材料貯存部及成膜範圍限制部。
本發明之第2顯示零件包含：基板，其劃分為顯示區域、及包圍上述顯示區域之非顯示區域；絕緣膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且設置於上述基板上；配向膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且係以重疊於上述絕緣膜之表面之方式設置；成膜範圍限制部，其配設於上述非顯示區域，並且係以自上述絕緣膜之表面突出之方式設置；及配向膜材料貯存部，其於上述非顯示區域中配設於較上述成膜範圍限制部更靠上述顯示區域之位置，並且係以使上述絕緣膜局部地凹陷之方式設置。
於成膜配向膜時，將呈液體狀態之配向膜之材料供給至基板之 顯示區域，該材料以在設置於基板上之絕緣膜之表面擴散之方式流動，藉此以重疊於絕緣膜之表面之方式成膜配向膜。配向膜成為藉由以跨越顯示區域與非顯示區域之方式配設，而毫無缺損地配置於顯示區域之確實性較高者。
此處，於非顯示區域，以自絕緣膜之表面突出之方式設置有成膜範圍限制部，故而可藉由成膜範圍限制部而避免於成膜時，在絕緣膜之表面自顯示區域側向非顯示區域側擴散之配向膜之材料向較其更外側擴散。藉此，限制配向膜之成膜範圍。然而，雖藉由自絕緣膜之表面突出之成膜範圍限制部作為所謂之堰堤發揮功能，而於成膜時限制在絕緣膜之表面擴散之配向膜之材料較此更進一步之擴散，但擴散被限制之材料返回至顯示區域側，因此以上述成膜範圍限制部之限制位置為起點於配向膜上產生膜厚局部變厚之部分、即壁厚部分。當成為產生於該配向膜之壁厚部分波及顯示區域內之狀態時，於顯示區域，配向膜之膜厚產生不均。尤其是存在以下傾向，即當非顯示區域之寬度變窄即所謂之窄邊框化推進時，上述壁厚部分易於配設於顯示區域內。
因此，於非顯示區域，在較成膜範圍限制部更靠顯示區域之位置，以使絕緣膜局部地凹陷之方式設置有配向膜材料貯存部，且配向膜之材料貯存於配向膜材料貯存部內，故而即便隨著配向膜之材料藉由成膜範圍限制部返回至顯示區域側，而於配向膜上產生壁厚部分，壁厚部分之形成範圍亦以與配向膜之材料貯存於配向膜材料貯存部內相應之程度變窄，故而難以形成該壁厚部分波及顯示區域內之狀態。藉此，於顯示區域，配向膜之膜厚變得均一，故而可謀求使用該顯示零件而實施之顯示之顯示品質之提昇。尤其是，於謀求窄邊框化上較佳。
本發明之顯示裝置包含：上述第1顯示零件或第2顯示零件；對 向顯示零件，其相對於上述第1顯示零件或上述第2顯示零件空開間隔而呈對向狀貼合；液晶，其夾於上述第1顯示零件或上述第2顯示零件與上述對向顯示零件之間；及密封部，其藉由包圍上述液晶並且介置於上述第1顯示零件或上述第2顯示零件與上述對向顯示零件之間而密封上述液晶；且上述成膜範圍限制部配設於較上述密封部更靠上述顯示區域之位置，並且係以遍及全周而包圍上述顯示區域之方式設置。
根據此種顯示裝置，藉由於第1顯示零件或第2顯示零件中所具備之配向膜材料貯存部內貯存配向膜之材料，難以成為有可能產生於配向膜之壁厚部分波及顯示區域內之狀態，故而於顯示區域，配向膜之膜厚變得均一，從而可謀求該顯示裝置之顯示品質之提昇。而且，利用配設於較密封部更靠顯示區域之位置且係以遍及全周而包圍顯示區域之方式設置之成膜範圍限制部，限制配向膜之成膜範圍，藉此難以產生形成為配向膜與密封部重疊之配置之事態。藉此，難以產生不良影響波及密封部之密封性能之事態，故而難以產生水分自外部浸入至液晶內等事態。
作為本發明之顯示裝置之實施態樣，較佳為以下構成。
(1)於上述第1顯示零件或上述第2顯示零件或上述對向顯示零件之上述液晶側，設置有用以顯示圖像之顯示元件，且於上述顯示元件中，含有包含氧化物半導體之半導體膜。若如此，則可藉由顯示元件於顯示區域顯示圖像。形成顯示元件中所包含之半導體膜之氧化物半導體雖一旦暴露於水分中，其電氣特性便易於產生變化，但如上所述難以產生形成為配向膜與密封部重疊之配置之事態，藉此水分難以自外部浸入至液晶內，故而氧化物半導體之電氣特性難以產生變化，從而難以使顯示元件產生性能惡化。
(2)上述氧化物半導體含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)。若如此，則含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)之氧化物半導體之電氣特 性難以產生變化，故而難以使顯示元件產生性能惡化。
(3)上述氧化物半導體具有結晶性。若如此，則含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)且具有結晶性之氧化物半導體之電氣特性難以產生變化，故而難以使顯示元件產生性能惡化。
根據本發明，可謀求配向膜之膜厚之均一化。
11‧‧‧液晶面板(顯示裝置)
11a‧‧‧CF基板(對向顯示零件)
11b‧‧‧陣列基板(顯示零件)
11c‧‧‧液晶層(液晶)
11d‧‧‧CF基板側配向膜
11e‧‧‧陣列基板側配向膜(配向膜)
11f‧‧‧偏光板
11g‧‧‧偏光板
11h‧‧‧彩色濾光片
11hB‧‧‧藍色之著色部
11hG‧‧‧綠色之著色部
11hR‧‧‧紅色之著色部
11i‧‧‧遮光部
11j‧‧‧密封部
11k‧‧‧OC層
11l‧‧‧間隔部
12‧‧‧控制電路基板(外部之信號供給源)
13‧‧‧軟性基板
14‧‧‧背光裝置
14a‧‧‧底座
15‧‧‧外裝構件
15a‧‧‧開口部
16‧‧‧外裝構件
17‧‧‧TFT(顯示元件)
17a‧‧‧閘極電極
17b‧‧‧源極電極
17c‧‧‧汲極電極
17d‧‧‧通道部
17e‧‧‧保護部
17e1‧‧‧開口部
17e2‧‧‧開口部
18‧‧‧像素電極
18a‧‧‧狹縫
19‧‧‧閘極配線
20‧‧‧源極配線
21‧‧‧驅動器
22‧‧‧共用電極
22a‧‧‧開口部
23‧‧‧第1透明電極膜
24‧‧‧第2透明電極膜
25‧‧‧輔助電容配線
26‧‧‧接觸孔
27‧‧‧汲極配線
27a‧‧‧電容形成部
28‧‧‧成膜範圍限制部
29‧‧‧配向膜材料貯存部
30‧‧‧半色調遮罩
30a‧‧‧玻璃基材
30b‧‧‧遮光膜
30b1‧‧‧限制部用開口部
30b2‧‧‧貯存部用開口部
30b3‧‧‧貯存部用開口部
30c‧‧‧半透過膜
30c1‧‧‧限制部用開口部
30c2‧‧‧貯存部用開口部
31‧‧‧並行部
32‧‧‧交叉部
33‧‧‧彎曲部
34‧‧‧第1金屬膜(閘極金屬膜)
35‧‧‧閘極絕緣膜
36‧‧‧半導體膜
37‧‧‧保護膜(蝕刻終止膜、絕緣膜、無機絕緣膜)
38‧‧‧第2金屬膜(源極金屬膜)
39‧‧‧第1層間絕緣膜(絕緣膜、無機絕緣膜)
40‧‧‧有機絕緣膜(絕緣膜)
41‧‧‧第2層間絕緣膜(絕緣膜、無機絕緣膜)
42‧‧‧成膜範圍限制部
43‧‧‧配向膜材料貯存部
44‧‧‧開口部
45‧‧‧灰色調遮罩
45a‧‧‧玻璃基材
45b‧‧‧遮光膜
45b1‧‧‧開口部
45b2‧‧‧開口部
45b3‧‧‧狹縫
46‧‧‧加高層
47‧‧‧加高層
48‧‧‧加高層
111e‧‧‧陣列基板側配向膜(配向膜)
128‧‧‧成膜範圍限制部
129‧‧‧配向膜材料貯存部
140‧‧‧有機絕緣膜(絕緣膜)
211‧‧‧液晶面板(顯示裝置)
211a‧‧‧CF基板(顯示零件)
211b‧‧‧陣列基板(對向顯示零件、顯示零件)
211d‧‧‧CF基板側配向膜(配向膜)
211k‧‧‧OC層(絕緣膜)
211l‧‧‧間隔部
228‧‧‧成膜範圍限制部
229‧‧‧配向膜材料貯存部
311b‧‧‧陣列基板(顯示零件)
311j‧‧‧密封部
328‧‧‧成膜範圍限制部
329‧‧‧配向膜材料貯存部
429‧‧‧配向膜材料貯存部
511e‧‧‧陣列基板側配向膜(配向膜)
528‧‧‧成膜範圍限制部
529‧‧‧配向膜材料貯存部
540‧‧‧有機絕緣膜(絕緣膜)
611e‧‧‧陣列基板側配向膜(配向膜)
628‧‧‧成膜範圍限制部
629‧‧‧配向膜材料貯存部
639‧‧‧第1層間絕緣膜(絕緣膜、無機絕緣膜)
640‧‧‧有機絕緣膜(絕緣膜)
726‧‧‧接觸孔
728‧‧‧成膜範圍限制部
729‧‧‧配向膜材料貯存部
739‧‧‧第1層間絕緣膜(絕緣膜、無機絕緣膜)
740‧‧‧有機絕緣膜(絕緣膜)
828‧‧‧成膜範圍限制部
829‧‧‧配向膜材料貯存部
840‧‧‧有機絕緣膜(絕緣膜)
928‧‧‧成膜範圍限制部
929‧‧‧配向膜材料貯存部
931‧‧‧並行部
932‧‧‧交叉部
933‧‧‧彎曲部
1028‧‧‧成膜範圍限制部
1029‧‧‧配向膜材料貯存部
1031‧‧‧並行部
1032‧‧‧交叉部
1033‧‧‧彎曲部
1111a‧‧‧CF基板(顯示零件)
1111h‧‧‧彩色濾光片
1111k‧‧‧OC層(絕緣膜)
1111hG‧‧‧綠色之著色部
1111hR‧‧‧紅色之著色部
1142‧‧‧成膜範圍限制部
1211a‧‧‧CF基板(顯示零件)
1211b‧‧‧陣列基板(顯示零件、對向顯示零件)
1211k‧‧‧OC層(絕緣膜)
1228‧‧‧成膜範圍限制部
1242‧‧‧成膜範圍限制部
AA‧‧‧顯示區域
FP‧‧‧壁厚部分
GS‧‧‧玻璃基板(基板)
HTA‧‧‧半透過區域
IS‧‧‧內部空間
NAA‧‧‧非顯示區域
PIM‧‧‧液滴
TA‧‧‧透過區域
θ1‧‧‧角度
θ2‧‧‧最小值
θ3‧‧‧最小值
圖1係表示本發明之實施形態1之安裝有驅動器之液晶面板、軟性基板及控制電路基板之連接構成之概略俯視圖。
圖2係表示沿液晶顯示裝置之長邊方向之剖面構成之概略剖面圖。
圖3係表示液晶面板整體之剖面構成之概略剖面圖。
圖4係表示液晶面板之顯示區域之剖面構成之概略剖面圖。
圖5係表示構成液晶面板之陣列基板之顯示區域的像素之平面構成之俯視圖。
圖6係圖5之vi-vi線剖面圖。
圖7係陣列基板之俯視圖。
圖8係將圖7之一部分(配設有驅動器等之側之端部)放大之俯視圖。
圖9係圖7之ix-ix線剖面圖。
圖10係將圖9之一部分(成膜範圍限制部及配向膜材料貯存部)放大之剖面圖。
圖11係表示陣列基板之製造步驟中之使用半色調遮罩使有機絕緣膜曝光之步驟之與圖9相同之剖面圖。
圖12係表示於陣列基板之製造步驟中將陣列基板側配向膜之材料供給至顯示區域之狀態之剖面圖。
圖13係本發明之實施形態2之陣列基板之放大俯視圖。
圖14係圖13之xiv-xiv線剖面圖。
圖15係圖13之xv-xv線剖面圖。
圖16係表示本發明之實施形態3之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
圖17係表示本發明之實施形態4之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
圖18係本發明之實施形態5之陣列基板之放大俯視圖。
圖19係表示本發明之實施形態6之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
圖20係表示本發明之實施形態7之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
圖21係表示本發明之實施形態8之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
圖22係表示本發明之實施形態9之陣列基板之製造步驟中之使用半色調遮罩使有機絕緣膜曝光之步驟之剖面圖。
圖23係本發明之實施形態10之陣列基板之放大俯視圖。
圖24係本發明之實施形態11之陣列基板之放大俯視圖。
圖25係表示本發明之實施形態12之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
圖26係表示本發明之實施形態13之液晶面板之端部的剖面構成之剖面圖。
<實施形態1>
藉由圖1至圖12對本發明之實施形態1進行說明。於本實施形態中，對液晶顯示裝置10進行例示。再者，於各圖式之一部分表示有X 軸、Y軸及Z軸，各軸方向係以成為各圖式中表示之方向之方式繪製。又，關於上下方向，以圖2至圖4等為基準，且以該圖上側為表側，並以該圖下側為背側。
如圖1及圖2所示，液晶顯示裝置10包含：液晶面板(顯示裝置、顯示面板)11，其具有可顯示圖像且配設於中央側之顯示區域(工作區域(Active Area))AA、及以包圍顯示區域AA之方式配設於外周側之非顯示區域(非工作區域(Non-Active Area))NAA；驅動器(面板驅動部)21，其驅動液晶面板11；控制電路基板(外部之信號供給源)12，其自外部對驅動器21供給各種輸入信號；軟性基板(外部連接零件)13，其將液晶面板11與外部之控制電路基板12電性連接；以及背光裝置(照明裝置)14，其係向液晶面板11供給光之外部光源。又，液晶顯示裝置10亦包含正背一對外裝構件15、16，其等用以收容、保持相互組裝之液晶面板11及背光裝置14；於其中之表側之外裝構件15上，形成有用以使顯示於液晶面板11之顯示區域AA之圖像得以自外部視認之開口部15a。本實施形態之液晶顯示裝置10係可用於行動電話(包括智慧型電話等)、筆記本電腦(包括平板型筆記本電腦等)、可攜式資訊終端(包括電子書籍或PDA(Personal Digital Assistant，個人數位助理)等)、數位相框(Digital Photoframe)、可攜式遊戲機、電子墨水紙等各種電子機器(未圖示)中者。因此，構成液晶顯示裝置10之液晶面板11之畫面尺寸設定為數英吋~十數英吋左右，設定為一般歸類於小型或中小型之大小。
首先，簡單地對背光裝置14進行說明。如圖2所示，背光裝置14包含：底座14a，其形成為朝向表側(液晶面板11側)開口之大致箱形；光源(例如冷陰極管、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)、有機EL(Electro Luminescence，電致發光)等)，其配設於底座14a內，且未圖示；及光學構件，其係以覆蓋底座14a之開口部之方式配設， 且未圖示。光學構件係具有將自光源發出之光轉換成面狀等之功能者。
其次，對液晶面板11進行說明。如圖1所示，液晶面板11整體上形成縱長之方形狀(矩形狀)，於靠近其長邊方向上之一端部側(圖1所示之上側)之位置配設有顯示區域AA，並且於靠近長邊方向之另一端部側(圖1所示之下側)之位置分別安裝有驅動器21及軟性基板13。於該液晶面板11，顯示區域AA以外之區域設定為不顯示圖像之非顯示區域NAA，該非顯示區域NAA包含：包圍顯示區域AA之大致框狀之區域(下述CF(Color Filter，彩色濾光片)基板11a之邊框部分)；及確保於長邊方向之另一端部側之區域(下述之陣列基板11b中不與CF基板11a重疊而露出之部分)，於其中之確保於長邊方向之另一端部側之區域，包含驅動器21及軟性基板13之安裝區域(安裝區域)。液晶面板11之短邊方向與各圖式之X軸方向一致，長邊方向與各圖式之Y軸方向一致。再者，於圖1及圖7中，較CF基板11a小一圈之框狀之一點鏈線表示顯示區域AA之外形，該一點鏈線之外側之區域成為非顯示區域NAA。
繼而，對連接於液晶面板11之構件進行說明。如圖1及圖2所示，控制電路基板12藉由螺絲等安裝於背光裝置14之底座14a之背面(與液晶面板11側為相反側之外表面)。該控制電路基板12係於酚醛紙或玻璃環氧樹脂製之基板上，安裝有用以將各種輸入信號供給至驅動器21之電子零件，並且佈線形成有未圖示之特定之圖案之配線(導電路)。於該控制電路基板12，經由未圖示之ACF(Anisotropic Conductive Film，各向異性導電膜)電性且機械性地連接有軟性基板13之一端部(一端側)。
如圖2所示，軟性基板(FPC(Flexible Printed Circuit，軟性印刷電路)基板)13具備包含具有絕緣性及可撓性之合成樹脂材料(例如聚醯亞 胺系樹脂等)之基材，於該基材上具有多根配線圖案(未圖示)，長度方向上之一端部如上文所述，與配設於底座14a之背側之控制電路基板12連接，相對於此，另一端部(另一端側)與液晶面板11之陣列基板11b連接，因此於液晶顯示裝置10內，以剖面形狀成為大致U型之方式彎曲成回折狀。於軟性基板13之長度方向上之兩端部，配線圖案露出於外部而構成端子部(未圖示)，該等端子部分別相對於控制電路基板12及液晶面板11而電性連接。藉此，可將自控制電路基板12側供給之輸入信號傳輸至液晶面板11側。
如圖1所示，驅動器21設定為包含於內部具有驅動電路之LSI(Large Scale Integration，大型積體電路)晶片者，且設定為基於自作為信號供給源之控制電路基板12供給之信號而作動，藉此處理自作為信號供給源之控制電路基板12供給之輸入信號，產生輸出信號，並將該輸出信號向液晶面板11之顯示區域AA輸出者。該驅動器21於俯視時形成為橫長之方形狀(沿液晶面板11之短邊形成為長條狀)，並且相對於液晶面板11(下述陣列基板11b)之非顯示區域NAA而直接安裝，即COG(Chip On Glass，玻璃上晶片)安裝。再者，驅動器21之長邊方向與X軸方向(液晶面板11之短邊方向)一致，其短邊方向與Y軸方向(液晶面板11之長邊方向)一致。
再次，對液晶面板11進行說明。如圖3所示，液晶面板11至少包含：一對基板11a、11b，其等相互形成為對向狀，並且中間具有內部空間IS；液晶層(液晶)11c，其夾於兩基板11a、11b間，並配設於內部空間IS，且含有液晶分子，該液晶分子係隨著電場施加，光學特性產生變化之物質；以及密封部11j，其介置於兩基板11a、11b間，以包圍內部空間IS及配設於內部空間IS之液晶層11c之方式配設，並且密封內部空間IS及配設於內部空間IS之液晶層11c。一對基板11a、11b中，表側(正面側)設定為CF基板(對向顯示零件)11a，背側(背面側)設 定為陣列基板(TFT(Thin-Film Transistor，薄膜電晶體)基板、主動矩陣基板、顯示零件)11b。再者，於兩基板11a、11b之外表側，分別貼附有偏光板11f、11g。
液晶層11c係藉由所謂之滴下注入法封入至兩基板11a、11b間，具體而言，藉由如下過程形成：若於向CF基板11a上滴下形成液晶層11c之液晶材料之後，相對於CF基板11a貼合陣列基板11b，則液晶材料遍擴於形成在兩基板11a、11b間之內部空間IS。密封部11j配設於液晶面板11中之非顯示區域NAA，並且於俯視(自相對於各基板11a、11b之板面之法線方向觀察)時形成為仿效非顯示區域NAA之縱向之大致框狀(圖1及圖7)。密封部11j係於液晶面板11之製造過程中，相對於一對基板11a、11b中之CF基板11a而形成。藉由該密封部11j，維持於兩基板11a、11b之外周端部，兩基板11a、11b間之間隔(液晶層11c之厚度)，即單元間隙固定，該單元間隙之具體數值設定為例如3μm~3.6μm左右。密封部11j至少含有：例如藉由照射紫外線而硬化之紫外線硬化性樹脂材料(硬化性樹脂材料)、及分散調配於紫外線硬化性樹脂材料中之多個間隔粒子。紫外線硬化性樹脂材料雖於受到紫外線之照射之前，形成為具有流動性之液體狀態，但一旦受到紫外線之照射便硬化而成為固體狀態。間隔粒子係由合成樹脂製成，且形成為球狀，於紫外線硬化性樹脂材料中以特定之濃度(例如約1wt%左右)調配，並且其徑尺寸設定為與液晶面板11之單元間隙大體相等者。又，密封部11j之中，配設於除液晶面板11中之驅動器21及軟性基板13之安裝區域以外之剩餘3邊之端部(非安裝側端部)的部分配設於非顯示區域NAA之最外端位置(圖1)。
本實施形態之液晶面板11係動作模式為進而改良IPS(In-Plane Switching，平面內切換)模式之FFS(Fringe Field Switching，邊緣電場切換)模式，如圖4所示，於一對基板11a、11b中之陣列基板11b側一 併形成有下述像素電極(第2透明電極)18及共用電極(第1透明電極)22，且將該等像素電極18與共用電極22配設於不同之層者。CF基板11a及陣列基板11b設定為分別包含大致透明(具有高透光性)之玻璃基板(基板)GS，且於該玻璃基板GS上積層形成有各種膜(構造物)而成者。如圖1及圖2所示，其中，CF基板11a設定為雖短邊尺寸與陣列基板11b大體相等，但長邊尺寸較陣列基板11b小者，並且相對於陣列基板11b以使長邊方向上之一(圖1所示之上側)端部對齊之狀態貼合。從而，陣列基板11b中長邊方向上之另一(圖1所示之下側)端部遍及特定範圍地不與CF基板11a重疊，而形成為正面及背面之兩板面露出於外部之狀態，此處確保有驅動器21及軟性基板13之安裝區域。再者，圖4及圖7係概略地表示各基板11a、11b上所具備之膜(構造物)者，圖示之各構造物之大小(厚度、高度等)或配置並不一定必須與實物之大小或配置一致。
首先，對藉由已知之光微影法於陣列基板11b之內面側(液晶層11c側、與CF基板11a為對向面之側)積層形成之各種膜進行說明。如圖6所示，於陣列基板11b上，自下層(玻璃基板GS)側依序積層形成有第1金屬膜(閘極金屬膜)34、閘極絕緣膜35、半導體膜36、保護膜(蝕刻終止膜、絕緣膜、無機絕緣膜)37、第2金屬膜(源極金屬膜)38、第1層間絕緣膜(絕緣膜、無機絕緣膜)39、有機絕緣膜(絕緣膜)40、第1透明電極膜23、第2層間絕緣膜(絕緣膜、無機絕緣膜)41、第2透明電極膜24、陣列基板側配向膜(配向膜)11e。再者，於圖5中，對於第1金屬膜34、半導體膜36、及第2金屬膜38，分別以影線狀圖示。
第1金屬膜34係藉由鈦(Ti)及銅(Cu)之積層膜而形成。閘極絕緣膜35係至少積層於第1金屬膜34之上層側者，設定為含有例如氧化矽(SiO2)者。半導體膜36設定為包含使用氧化物半導體作為材料之薄膜者，作為具體之氧化物半導體，例如使用以銦(In)、鎵(Ga)、鋅 (Zn)、氧(O)為主成分之In-Ga-Zn-O系半導體(氧化銦鎵鋅)。此處，In-Ga-Zn-O系半導體係In(銦)、Ga(鎵)、Zn(鋅)之三元系氧化物，In、Ga及Zn之比例(組成比)不特別限定，包括例如In：Ga：Zn=2：2：1、In：Ga：Zn=1：1：1、In：Ga：Zn=1：1：2等。於本實施形態中，使用以1：1：1之比例含有In、Ga及Zn之In-Ga-Zn-O系半導體。 形成半導體膜36之氧化物半導體(In-Ga-Zn-O系半導體)亦可為非晶形，但較佳設定為包含結晶質部分之具有結晶性者。作為具有結晶性之氧化物半導體，較佳為例如c軸大體垂直於層面而配向之結晶質In-Ga-Zn-O系半導體。此種氧化物半導體(In-Ga-Zn-O系半導體)之結晶構造於例如日本專利特開2012-134475號公報中所有揭示。將日本專利特開2012-134475號公報之揭示內容之全部援用於本說明書中，以供參考。
保護膜37設定為含有作為無機材料之氧化矽(SiO2)之無機絕緣膜。第2金屬膜38係藉由鈦(Ti)及銅(Cu)之積層膜而形成。第1層間絕緣膜39設定為含有作為無機材料之氧化矽(SiO2)之無機絕緣膜。有機絕緣膜40設定為含有作為具有感光性之有機材料之丙烯酸系樹脂材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA))者，於陣列基板11b之製造步驟中，藉由已知之光微影法圖案化。第1透明電極膜23及第2透明電極膜24均含有ITO(Indium Tin Oxide，氧化銦錫)或ZnO(Zinc Oxide，氧化鋅)等透明電極材料。第2層間絕緣膜41設定為含有作為無機材料之氮化矽(SiNx)之無機絕緣膜。該等各絕緣膜37、39~41之中，有機絕緣膜40係其膜厚較其他無機絕緣膜37、39、41厚，具體而言設定為例如2μm(二萬Å)左右，作為平坦化膜而發揮功能者。各絕緣膜37、39~41之中，除有機絕緣膜40以外之各無機絕緣膜37、39、41之膜厚較有機絕緣膜40薄，具體而言設定為例如0.3μm(三千Å)左右。陣列基板側配向膜11e係用以使液晶層11c中所含有之液晶分子配向者，設定為 例如含有聚醯亞胺者。陣列基板側配向膜11e係以面向液晶層11c之方式覆蓋第2層間絕緣膜41及像素電極18之表面，並且係以遍及跨越陣列基板11b之顯示區域AA與非顯示區域NAA之範圍之方式形成為立體狀，詳細而言，遍及顯示區域AA之全域與非顯示區域NAA之內周側部分(與顯示區域AA相鄰之部分)而配設。該陣列基板側配向膜11e設定為可藉由照射特定之波長區域之光(例如紫外線等)，使液晶分子沿該光之照射方向配向之光配向膜。上述各膜之中，第1透明電極膜23及第2透明電極膜24僅形成於陣列基板11b之顯示區域AA，而未形成於非顯示區域NAA，相對於此，閘極絕緣膜35、保護膜37、第1層間絕緣膜39、有機絕緣膜40及第2層間絕緣膜41等含有絕緣材料之各絕緣膜係作為遍及陣列基板11b之大致整個面之立體狀之圖案(於一部分具有開口)而形成。又，第1金屬膜34、半導體膜36及第2金屬膜38以特定之圖案形成於陣列基板11b之顯示區域AA及非顯示區域NAA兩者。
繼而，依次詳細地對存在於陣列基板11b之顯示區域AA內之構成進行說明。如圖5所示，於陣列基板11b之顯示區域AA，呈矩陣狀排列而設置有多個作為開關元件之TFT(薄膜電晶體、顯示元件)17及多個像素電極18，並且於該等TFT17及像素電極18之周邊，以包圍之方式配設有形成為格子狀之閘極配線(掃描信號線、列控制線)19及源極配線(行控制線、資料線)20。換言之，於形成為格子狀之閘極配線19及源極配線20之交叉部，呈矩陣狀並列配置有TFT17及像素電極18。閘極配線19包含第1金屬膜34，相對於此，源極配線20包含第2金屬膜38，於彼此之交叉部位間以介置之方式配設有閘極絕緣膜35及保護膜37。詳情將於下文敍述，閘極配線19與源極配線20分別連接於TFT17之閘極電極17a與源極電極17b，像素電極18連接於TFT17之汲極電極17c(圖6)。閘極配線19配置為在俯視(自相對於陣列基板11b(玻璃基板 GS)之板面之法線方向觀察)時相對於像素電極18之一(圖5所示之下側)端部重疊。進而，於陣列基板11b上，設置有平行於閘極配線19，並且在俯視時相對於像素電極18之一部分重疊之輔助電容配線(儲存電容配線、Cs(circuit-switched，電路交換)配線)25。輔助電容配線25與閘極配線19相同地包含第1金屬膜34，配置為在俯視時相對於像素電極18之另一(圖5所示之上側)端部重疊，即於Y軸方向上，在其與閘極配線19之間夾著像素電極18之中央側部分而配設於相反側。換言之，輔助電容配線25配置為在其與經由TFT17連接於與圖5所示之上側相鄰之像素電極18之閘極配線19之間，於Y軸方向上空開特定之間隔且相對於自身重疊之像素電極18而相鄰。輔助電容配線25係於Y軸方向上，與閘極配線19交替地配設。
如圖5所示，TFT17係以搭載於閘極配線19上之方式，即其整體於俯視時與閘極配線19重疊之方式配設，閘極配線19之一部分構成TFT17之閘極電極17a，並且源極配線20之中於俯視時與閘極配線19重疊之部分構成TFT17之源極電極17b。TFT17於其與源極電極17b之間，包含藉由於X軸方向上空開特定之間隔且呈對向狀配設而形成為島狀之汲極電極17c。汲極電極17c與源極電極17b(源極配線20)相同地包含第2金屬膜38，且配置為於俯視時與像素電極18之一端部(下述狹縫18a之非形成部位)重疊。又，於汲極電極17c，連結有包含相同之第2金屬膜38之汲極配線27，該汲極配線27自連結之汲極電極17c沿Y軸方向朝向圖5所示之下側、即輔助電容配線25側外延，並且於該外延端，形成有電容形成部27a，該電容形成部27a藉由於俯視時相對於輔助電容配線25及相鄰之像素電極18(詳細而言，相對於與該汲極電極17c連接之像素電極18相鄰於圖5所示之下側之像素電極18)重疊而形成電容。再者，閘極配線19中於俯視時不與源極配線20重疊之部分係以與於俯視時與源極配線20重疊之部分相比其線寬較寬之方式形 成，相對於此，源極配線20中於俯視時與閘極配線19及輔助電容配線25重疊之部分係以與於俯視時不與閘極配線19及輔助電容配線25重疊之部分相比其線寬較寬之方式形成。
如圖6所示，TFT17包括：閘極電極17a，其包含第1金屬膜34；通道部17d，其包含半導體膜36，於俯視時與閘極電極17a重疊；保護部17e，其包含保護膜37，在於俯視時與通道部17d重疊之位置，貫通而形成有2個開口部17e1、17e2；源極電極17b，其包含第2金屬膜38，且通過2個開口部17e1、17e2之中之一開口部17e1而連接於通道部17d；及汲極電極17c，其包含第2金屬膜38，且通過2個開口部17e1、17e2中之另一開口部17e2而連接於通道部17d。其中，閘極電極17a包含閘極配線19中於俯視時至少與源極電極17b、汲極電極17c及通道部17d重疊之部分。通道部17d沿X軸方向延伸，並且架設於源極電極17b與汲極電極17c上而可使電子於兩電極17b、17c間移動。此處，形成通道部17d之半導體膜36如上所述為氧化物半導體薄膜，該氧化物半導體薄膜之電子移動率與非晶矽薄膜等相比較高，例如為20倍~50倍左右，故而可易於使TFT17小型化，使像素電極18之透過光量極大化，從而於謀求高精細化及背光裝置14之低耗電化等上較佳。而且，藉由將通道部17d之材料設定為氧化物半導體，與使用非晶矽作為通道部之材料之情形相比，TFT17之關斷特性變高，關斷漏電流變得極少，例如為100分之1左右，故而成為像素電極18之電壓保持率較高者，從而於謀求液晶面板11之低耗電化等上有用。此種具有氧化物半導體薄膜之TFT17形成為逆交錯型，且形成為與通常之具有非晶矽薄膜之TFT相同之積層構造，上述逆交錯型係閘極電極17a配設於最下層，於其上層側經由閘極絕緣膜35積層有通道部17d而成。
如圖6所示，像素電極18包含第2透明電極膜24，於由閘極配線19與源極配線20包圍之區域，整體上於俯視時形成為縱向之大致方形 狀(大致矩形狀)。像素電極18之一端部於俯視時與閘極配線19重疊，相對於此，除該重疊部分以外之部分於俯視時不與閘極配線19重疊，並且藉由於該非重疊部分設置複數根(於圖5中為2根)縱向之狹縫18a而形成為大致梳齒狀。再者，該狹縫18a延伸至像素電極18中於俯視時與閘極配線19重疊之部分之一部劃分為止。又，像素電極18之圖5所示之下端位置設定為閘極配線19之該下端位置與汲極電極17c之該下端位置之間，詳細而言，設定為更靠汲極電極17c之該下端位置之配置。像素電極18形成於第2層間絕緣膜41上，於像素電極18與下述共用電極22之間介置有第2層間絕緣膜41。在配設於像素電極18之下層側之第1層間絕緣膜39、有機絕緣膜40及第2層間絕緣膜41中於俯視時與汲極電極17c及像素電極18重疊之位置，以上下貫通之方式形成有接觸孔26，通過該接觸孔26，像素電極18連接於汲極電極17c。藉此，若對TFT17之閘極電極17a進行通電，則電流經由通道部17d流至源極電極17b與汲極電極17c之間，並且向像素電極18施加特定之電位。
共用電極22包含第1透明電極膜23，形成為遍及陣列基板11b之顯示區域AA之大致整個面的、所謂之立體狀之圖案。如圖6所示，共用電極22係以夾於有機絕緣膜40與第2層間絕緣膜41之間之方式配設。自未圖示之共用配線向共用電極22施加共用電位(基準電位)，故而藉由對如上所述利用TFT17向像素電極18施加之電位進行控制，可使兩電極18、22間產生特定之電位差。若兩電極18、22間產生電位差，則向液晶層11c施加橫向邊緣電場(斜向電場)，該橫向邊緣電場除藉由像素電極18之狹縫18a沿陣列基板11b之板面之成分以外，亦含有相對於陣列基板11b之板面之法線方向之成分，故而液晶層11c中所含有之液晶分子之中，除存在於狹縫18a者，存在於像素電極18上者亦可適當切換其配向狀態。從而，液晶面板11之開口率變高，而獲得充分之 透過光量，並且可獲得高視野角性能。再者，於共用電極22，在俯視時與TFT17之一部分重疊之部分(詳細而言，於圖5中以二點鏈線包圍之大致方形狀之範圍)形成有開口部22a。
繼而，詳細地對存在於CF基板11a之顯示區域AA內之構成進行說明。如圖4所示，於CF基板11a之內面側(液晶層11c側、與陣列基板11b為對向面之側)，以在表面重疊之方式設置有彩色濾光片11h及遮光部(黑矩陣)11i。其中，彩色濾光片11h配設於相對較上層側，遮光部11i配設於相對較下層側。彩色濾光片11h係使感光性樹脂材料含有用以著色之顏料而形成，於製造步驟中，藉由已知之光微影法圖案化而形成於CF基板11a上。彩色濾光片11h包含多個著色部11hR、11hG、11hB，其等於CF基板11a之顯示區域AA，呈矩陣狀(matrix)平面配置在於俯視時與陣列基板11b側之各像素電極18重疊之位置。各著色部11hR、11hG、11hB係其外形仿效所對向之像素電極18之外形，於俯視時形成為縱長之方形狀，與所對向之像素電極18一併構成像素(單位像素)。彩色濾光片11h藉由沿列方向(X軸方向)交替地重複排列有分別呈現紅色、綠色、藍色之各著色部11hR、11hG、11hB而構成著色部群，該著色部群配置為沿行方向(Y軸方向)排列有多個。
遮光部11i藉由使感光性樹脂材料含有遮光材料(例如碳黑)而具有高遮光性，於製造步驟中，藉由已知之光微影法圖案化而形成於CF基板11a上。遮光部11i包含：像素間遮光部(格子狀遮光部)，其於CF基板11a之顯示區域AA，以區隔彼此相鄰之各著色部11hR、11hG、11hB間之方式配設，藉此防止像素間之混色；及邊框狀遮光部，其於CF基板11a之非顯示區域NAA，形成為邊框狀。其中，像素間遮光部以在俯視時相對於陣列基板11b側之閘極配線19及源極配線20重疊之方式形成為格子狀。
如圖4所示，於CF基板11a上，以覆蓋上述彩色濾光片11h及遮光 部11i之方式形成有OC(over coat，保護)層(保護層、絕緣膜)11k。OC層11k與陣列基板11b側之有機絕緣膜40相同地，包含例如作為具有感光性之有機材料之丙烯酸系樹脂材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA))，於CF基板11a之製造步驟中，藉由已知之光微影法圖案化。OC層11k係藉由使其膜厚較彩色濾光片11h或遮光部11i厚，而作為平坦化膜發揮功能者。於CF基板11a上，以相對於OC層11k之一部分積層之方式形成有間隔部(感光性間隔件)11l。間隔部11l形成為自OC層11k朝向陣列基板11b側以貫穿液晶層11c之方式突出之柱狀，並且其上升前端部相對於所對向之陣列基板側配向膜11e而抵接，藉此可於顯示區域AA將一對基板11a、11b間之間隔(內部空間IS之厚度)、即單元間隙維持固定，於顯示區域AA內，針對各色像素之每一個而分散配置有多個。間隔部11l含有大致透明之感光性樹脂材料，於製造步驟中，藉由已知之光微影法圖案化而形成於CF基板11a上。間隔部11l配設於於俯視時與遮光部11i之像素間遮光部重疊之位置，藉此，不易妨礙自陣列基板11b側射向各著色部之光。詳細而言，間隔部11l形成為於俯視時與陣列基板11b側之閘極配線19與源極配線20之交叉部(源極電極17b)重疊之平面配置。如圖7所示，用以使液晶層11c中所含有之液晶分子配向之CF基板側配向膜(配向膜)11d以面向液晶層11c之方式形成於OC層11k之表面。CF基板側配向膜11d設定為例如含有聚醯亞胺者，以遍及跨越CF基板11a之顯示區域AA與非顯示區域NAA之範圍之方式形成為立體狀，詳細而言，遍及顯示區域AA之全域與非顯示區域NAA之內周側部分(與顯示區域AA相鄰之部分)而配設。該CF基板側配向膜11d設定為可藉由照射特定之波長區域之光(例如紫外線等)，使液晶分子沿該光之照射方向配向之光配向膜。
此處，對上述液晶面板11之驅動方法進行說明。於驅動液晶面板11時，藉由控制電路基板12經由驅動器21將各種信號供給至液晶面板 11，藉此控制各TFT17之動作。具體而言，控制電路基板12經由驅動器21將掃描信號供給至各閘極配線19，並且將資料信號供給至各源極配線20，藉此沿行方向依序對構成沿列方向排列之像素群之TFT17群進行掃描，藉此沿行方向依序對構成像素群之像素電極18群實施充電。於該驅動時，若採用如下驅動方式(暫停驅動)，即繼掃描全部閘極配線19而進行畫面之更新之掃描期間(更新期間、更新幀)之後，設置使全部閘極配線19為非掃描狀態而暫停畫面之更新之暫停期間(非更新期間、非更新幀)，則可藉由暫停控制電路基板12及驅動器21之動作而降低液晶顯示裝置10之消耗電力。若進行此種暫停驅動，則擔心對像素電極18實施充電之電壓隨著掃描於暫停期間下降。即，假若自TFT17或像素電極18流出漏電流，則於掃描期間對像素電極18實施充電之電壓易於在暫停期間之間下降，藉此液晶層11c之配向狀態產生變化，並且該像素之光之透過光量產生變化，作為結果，有顯示品質下降之虞。就該點而言，於本實施形態中，使用氧化物半導體作為TFT17之半導體膜36，故而TFT17之關斷漏電流變少。藉此，成為像素電極18之電壓保持率較高者，於進行如上所述之暫停驅動上極佳。 該暫停驅動主要用於在液晶面板11顯示靜止圖像時。
如圖7及圖9所示，於形成上述構成之液晶面板11之陣列基板11b上，設置有用以限制陣列基板側配向膜11e之成膜範圍之成膜範圍限制部28。陣列基板側配向膜11e之成膜係藉由於陣列基板11b之製造步驟中，利用噴墨裝置將陣列基板側配向膜11e之材料供給至顯示區域AA，該材料沿陣列基板11b之板面擴散而形成，此時藉由成膜範圍限制部28限制陣列基板側配向膜11e之材料擴散之範圍，藉此可避免該材料附著於密封部11j之形成預定部位、或附著於驅動器21或軟性基板13之安裝區域(相對於驅動器21或軟性基板13之連接端子)之事態。以下，詳細地對成膜範圍限制部28進行說明。再者，於圖7中，出於 紙面之考慮，藉由粗線圖示成膜範圍限制部28。
如圖7及圖9所示，成膜範圍限制部28形成為以使有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置於陣列基板11b之非顯示區域NAA，且剖面形狀包含彎曲成大致圓弧狀之槽者。成膜範圍限制部28配設於非顯示區域NAA中較密封部11j更靠顯示區域AA之位置，並且以遍及全周而包圍顯示區域AA之方式於俯視時形成為框狀(無端環狀)。換言之，成膜範圍限制部28配設於非顯示區域NAA中密封部11j之內周側之位置，並且以沿密封部11j遍及其全周地平行之方式形成為框狀。如圖8及圖9所示，成膜範圍限制部28於非顯示區域NAA，在內周側(相對靠顯示區域AA之側)與外周側(相對靠密封部11j之側)以相互平行之方式設置有2個，中間空開特定之間隔。藉此，於成膜陣列基板側配向膜11e時，即便為無法藉由內周側之成膜範圍限制部28限制陣列基板側配向膜11e之材料之流動之情形，亦可藉由外周側之成膜範圍限制部28限制陣列基板側配向膜11e之材料之流動。積層於設置有此種成膜範圍限制部28之機絕緣膜40之上層側之第2層間絕緣膜41對於在俯視時與成膜範圍限制部28重疊之部分，形成為仿效成膜範圍限制部28彎曲成大致圓弧狀之剖面形狀。
而且，如圖9所示，成膜範圍限制部28之側面相對於玻璃基板GS之法線方向(Z軸方向)形成為傾斜狀，其傾斜角度設定為特定之值，藉此於成膜陣列基板側配向膜11e時，可支持自顯示區域AA側向外側擴散之陣列基板側配向膜11e之材料，限制該材料較此更進一步地擴散。詳細而言，如圖10所示，成膜範圍限制部28之側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度根據成膜範圍限制部28之寬度方向(X軸方向或Y軸方向)上之位置而連續地變化，設定相對於陣列基板側配向膜11e之材料之支持部位相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度θ1無法為最小值θ2。換言之，設定成膜範圍限制部28之側面中相對於陣 列基板側配向膜11e之材料之支持部位較成膜範圍限制部28之側面中相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度為最小值θ2之位置更靠顯示區域AA。即，成膜範圍限制部28之側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ2設定為於成膜陣列基板側配向膜11e時可確實地支持其材料從而確實地限制較此更進一步之擴散之值。具體而言，成膜範圍限制部28以側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ2成為50°以下的方式設置。於圖10中，例示有成膜範圍限制部28之側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ2設定為約50°者。再者，成膜範圍限制部28之側面中相對於陣列基板側配向膜11e之材料之支持部位相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度θ1可換稱為限制陣列基板側配向膜11e之材料之流動之「流動限制角度」，關於側面相對於上述法線方向所成之角度，流動限制角度θ1越大越能限制陣列基板側配向膜11e之材料之流動，反之流動限制角度θ1越小越難以限制陣列基板側配向膜11e之材料之流動。該流動限制角度θ1係藉由陣列基板側配向膜11e之材料之表面張力及黏度等而決定。又，成膜範圍限制部28之側面可以說是，相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度越小則越急峻之傾斜，反之越大則越平緩之傾斜。綜上所述，成膜範圍限制部28配設於陣列基板11b之非顯示區域NAA，並且係以使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置，藉此可限制陣列基板側配向膜11e之成膜範圍。
然而，如圖9所示，於成膜陣列基板側配向膜11e時，藉由成膜範圍限制部28之側面支持之陣列基板側配向膜11e之材料以該支持位置(陣列基板側配向膜11e之最外端位置)為起點，返回至顯示區域AA。而且，該返回之材料以隆起之形狀固化，藉此於陣列基板側配向膜11e上，自作為上述材料之支持位置之最外端位置遍及特定寬度，形成膜厚局部較厚之壁厚部分FP。若該壁厚部分FP形成為不僅波及陣 列基板側配向膜11e中配設於非顯示區域NAA之部分，而且波及配設於顯示區域AA之部分之狀態，則於顯示區域AA，陣列基板側配向膜11e之膜厚產生不均。如此，若陣列基板側配向膜11e之膜厚不均產生於顯示區域AA內，則有顯示於液晶面板11之圖像之顯示品質下降之虞。尤其是，若液晶顯示裝置10窄邊框化，則自成膜範圍限制部28對於陣列基板側配向膜11e之材料之支持位置至顯示區域AA為止之距離變短，因此存在如下傾向，即上述壁厚部分FP易於藉由顯示區域AA內而配設，從而更易產生顯示品質之下降。
因此，如圖7及圖9所示，於本實施形態之陣列基板11b上，設置有可於成膜陣列基板側配向膜11e時貯存陣列基板側配向膜11e之材料之配向膜材料貯存部29。配向膜材料貯存部29形成為以使有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置於陣列基板11b之非顯示區域NAA，且剖面形狀包含彎曲成大致圓弧狀之槽者。而且，配向膜材料貯存部29以如下方式設置，即其側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度，較成膜範圍限制部28之側面相對於該法線方向所成之角度大。藉由此種構成，難以藉由配向膜材料貯存部29之側面限制陣列基板側配向膜11e之材料之擴散，藉此該材料易於貯存在配向膜材料貯存部29內。從而，即便隨著陣列基板側配向膜11e之材料利用成膜範圍限制部28之側面得到支持，藉此返回至顯示區域AA側，而於陣列基板側配向膜11e上產生壁厚部分FP，壁厚部分FP之形成範圍亦以與陣列基板側配向膜11e之材料貯存於配向膜材料貯存部29內相應之程度變窄，故而難以形成該壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態。藉此，於顯示區域AA，陣列基板側配向膜11e之膜厚變得均一，故而可謀求於包含CF基板11a之液晶面板11上實施之顯示之顯示品質之提昇，尤其是，於謀求窄邊框化上較佳。以下，詳細地對配向膜材料貯存部29進行說明。
配向膜材料貯存部29配設於非顯示區域NAA中較成膜範圍限制部28更靠顯示區域AA之位置，並且以遍及全周而包圍顯示區域AA之方式於俯視時形成為框狀(無端環狀)。換言之，配向膜材料貯存部29配設於非顯示區域NAA中成膜範圍限制部28之內周側之位置，並且以沿成膜範圍限制部28遍及其全周地平行之方式形成為框狀。進而換言之，於陣列基板11b，在自顯示區域AA至成膜範圍限制部28為止之間，必須形成橫切配向膜材料貯存部29之配置。藉此，於成膜陣列基板側配向膜11e時，當陣列基板側配向膜11e之材料自顯示區域AA側向外側擴散時，必然經由配向膜材料貯存部29，於充滿配向膜材料貯存部29內之後，以朝向成膜範圍限制部28之方式流動。從而，遍及顯示區域AA之全周地，使陣列基板側配向膜11e之膜厚均一化。
如圖8及圖9所示，配向膜材料貯存部29以如下方式設置，即雖其深度尺寸與成膜範圍限制部28之深度尺寸大致相同，但寬度尺寸較成膜範圍限制部28之寬度尺寸大。藉此，可於配向膜材料貯存部29內貯存更多陣列基板側配向膜11e之材料，故而可使陣列基板側配向膜11e之膜厚於顯示區域AA更佳地均一化。除此以外，於藉由光微影法使有機絕緣膜40圖案化而設置配向膜材料貯存部29時，假若欲藉由使配向膜材料貯存部之深度較成膜範圍限制部28深而爭取配向膜材料貯存部內之容積，則難以控制使用遮罩使有機絕緣膜40曝光時之曝光量，相比於此可易於設置配向膜材料貯存部29。配向膜材料貯存部29配設於與配設於內周側之成膜範圍限制部28之間空開特定之間隔之位置，該間隔設定為較2個成膜範圍限制部28之間空開之間隔、或外周側之成膜範圍限制部28與密封部11j之間空開之間隔大。積層於設置有此種配向膜材料貯存部29之有機絕緣膜40之上層側之第2層間絕緣膜41對於在俯視時與配向膜材料貯存部29重疊之部分，形成為仿效配向膜材料貯存部29彎曲成大致圓弧狀之剖面形狀。即，有機絕緣膜40 於非顯示區域NAA設置有成膜範圍限制部28及配向膜材料貯存部29，藉此局部地凹陷，膜厚產生變化，相對於此，第1層間絕緣膜39及第2層間絕緣膜41設定為於非顯示區域NAA，遍及全域地大致固定之膜厚。
而且，如圖9所示，配向膜材料貯存部29之側面相對於玻璃基板GS之法線方向(Z軸方向)形成為傾斜狀，其傾斜角度設定為如下，藉此於成膜陣列基板側配向膜11e時，陣列基板側配向膜11e之材料不藉由配向膜材料貯存部29之側面支持，而流入至配向膜材料貯存部29內。詳細而言，如圖10所示，配向膜材料貯存部29之側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度根據配向膜材料貯存部29之寬度方向(X軸方向或Y軸方向)上之位置而連續地變化，設定其最小值θ3較成膜範圍限制部28之側面中相對於陣列基板側配向膜11e之材料之支持部位相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度(流動限制角度)θ1大。藉此，避免於配向膜材料貯存部29之側面，限制陣列基板側配向膜11e之材料之流動，故而該材料流入並貯存於配向膜材料貯存部29內之確實性較高。而且，配向膜材料貯存部29形成為其側面遍及大致全域地大致相同之剖面形狀，並且無論周方向上之剖面位置如何，相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度大致固定。從而，配向膜材料貯存部29對於其側面之大致全域，相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ3設定為較上述流動限制角度θ1大。具體而言，配向膜材料貯存部29以側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ3成為60°~80°之範圍的方式設置。更佳為，配向膜材料貯存部29以側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ3成為70°~80°之範圍的方式設置。於圖10中，例示有配向膜材料貯存部29之側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ3設定為約75°。再者，配向膜材料貯存部29之側面可說為相對於玻璃基板GS 之法線方向所成之角度越小則越急峻之傾斜，反之越大則越平緩之傾斜。即，配向膜材料貯存部29之側面與成膜範圍限制部28之側面相比，形成為大體平緩之傾斜，反之成膜範圍限制部28之側面與配向膜材料貯存部29之側面相比，形成為大體急峻之傾斜。綜上所述，配向膜材料貯存部29於陣列基板11b之非顯示區域NAA，配設於較成膜範圍限制部28更靠顯示區域AA之位置，並係以使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置，且其側面之至少一部分相對於玻璃基板GS之板面之法線方向所成之角度較成膜範圍限制部28之側面相對於該法線方向所成之角度大，藉此可貯存陣列基板側配向膜11e之材料。
本實施形態係如上所述之構造，繼而對液晶面板11之製造方法進行說明。本實施形態之液晶面板11設定為藉由經過製造陣列基板11b之陣列基板製造步驟、製造CF基板11a之CF基板製造步驟、及使陣列基板11b與CF基板11a貼合之貼合步驟而製造者。於本實施形態中，對CF基板製造步驟及貼合步驟省略說明，而詳細地對陣列基板製造步驟進行說明。
對陣列基板製造步驟進行說明。於陣列基板製造步驟中，在形成陣列基板11b之玻璃基板GS上，依照第1金屬膜34、閘極絕緣膜35、半導體膜36、保護膜37、第2金屬膜38、第1層間絕緣膜39、有機絕緣膜40、第1透明電極膜23、第2層間絕緣膜41、第2透明電極膜24、陣列基板側配向膜11e之順序成膜各膜，藉此製造陣列基板11b。其中，於成膜有機絕緣膜40時，係藉由光微影法使形成玻璃基板GS上所形成之有機絕緣膜40之感光性樹脂材料圖案化，但此時設置有配向膜材料貯存部29，其具有形成較成膜範圍限制部28之側面平緩之傾斜之側面，因此使用如下構成之半色調遮罩30。
如圖11所示，半色調遮罩30包含：透明之玻璃基材30a；遮光膜 30b，其形成於玻璃基材30a之板面上，遮蔽來自光源之曝光之光；及半透過膜30c，其形成於玻璃基材30a之板面上，以特定之透過率使來自光源之曝光之光透過。遮光膜30b之曝光之光之透過率設定為大致0%。半透過膜30c係以相對於遮光膜30b積層於玻璃基材30a側之相反側之方式形成，曝光之光之透過率設定為例如10%~70%左右。而且，於該半色調遮罩30中所包含之遮光膜30b及半透過膜30c上，在與有機絕緣膜40中之接觸孔26、成膜範圍限制部28及配向膜材料貯存部29之各形成預定位置對應之位置，分別形成有開口部。具體而言，於遮光膜30b及半透過膜30c中與接觸孔26之形成預定位置對應之位置形成有接觸孔用開口部，在與成膜範圍限制部28之形成預定位置對應之位置形成有限制部用開口部30b1、30c1，在與配向膜材料貯存部29之形成預定位置對應之位置貯存部用開口部30b2、30b3、30c2。再者，關於接觸孔用開口部，省略圖示。限制部用開口部30b1、30c1配置為於遮光膜30b及半透過膜30c上全域在俯視時相互重疊，故而形成為使來自光源之曝光之光大致100%透過之透過區域TA。另一方面，於貯存部用開口部30b2、30b3、30c2中，包含分別形成於遮光膜30b上之第1貯存部用開口部30b2及第2貯存部用開口部30b3、以及形成於半透過膜30c上之第3貯存部用開口部30c2，其中之第1貯存部用開口部30b2與第3貯存部用開口部30c2配置為全域於俯視時相互重疊，相對於此，第2貯存部用開口部30b3配置為於俯視時不與第3貯存部用開口部30c2重疊。從而，相互重疊之第1貯存部用開口部30b2及第3貯存部用開口部30c2形成為使來自光源之曝光之光大致100%透過之透過區域TA，相對於此，僅形成於遮光膜30b上之第2貯存部用開口部30b3形成為使來自光源之曝光之光以與半透過膜30c之透過率大致相同之比例透過之半透過區域HTA。第2貯存部用開口部30b3係以自內周側(顯示區域AA側)與外周側(成膜範圍限制部28側)挾入第1貯存部用開 口部30b2及第2貯存部用開口部30b3之方式設置有一對。再者，形成有遮光部30b之區域形成為無論有無半透過膜30c均使曝光之光之透過率為大致0%之遮光區域。
若來自光源之曝光之光隔著此種構成之半色調遮罩30照射至有機絕緣膜40之後進行顯影，則如圖11所示，在有機絕緣膜40中之於俯視時與透過區域TA重疊之部分，分別形成有接觸孔26、成膜範圍限制部28、及配向膜材料貯存部29之中央側部分，相對於此，於在俯視時與半透過區域HTA重疊之部分，形成有配向膜材料貯存部29之兩端側部分。藉此，配向膜材料貯存部29形成為其側面呈較成膜範圍限制部28之側面平緩之傾斜之剖面形狀。
其次，詳細地對陣列基板側配向膜11e之成膜步驟進行說明。於成膜陣列基板側配向膜11e時，自噴墨裝置所具備之噴嘴將作為陣列基板側配向膜11e之材料之液滴PIM噴出至形成陣列基板11b之玻璃基板GS上，使其噴附於顯示區域AA。如圖12所示，噴附於形成陣列基板11b之玻璃基板GS之顯示區域AA之液滴PIM於第2層間絕緣膜41之表面，自噴附位置潤濕擴散，藉此與同樣擴散之相鄰之液滴PIM連結，從而構成陣列基板側配向膜11e。此處，噴附於顯示區域AA之靠最外端之位置之液滴PIM於向非顯示區域NAA側潤濕擴散之過程中，首先到達配向膜材料貯存部29。該配向膜材料貯存部29以如下方式設置，即側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值θ3較流動限制角度θ1大，故而陣列基板側配向膜11e之液滴PIM不藉由配向膜材料貯存部29之側面支持，而順暢地流入至配向膜材料貯存部29內。陣列基板側配向膜11e之液滴PIM於充滿配向膜材料貯存部29內之後，自配向膜材料貯存部29進而向外側潤濕擴散。
而且，當陣列基板側配向膜11e之液滴PIM到達成膜範圍限制部28時，於成膜範圍限制部28之側面之特定位置由該側面支持，藉此被 限制向較此更進一步之外側擴散。藉此，避免陣列基板側配向膜11e之材料附著於密封部11j之形成預定位置、或附著於驅動器21或軟性基板13之安裝區域，故而保持密封部11j之密封性能良好，並且難以於驅動器21及軟性基板13產生連接不良。藉由保持密封部11j之密封性能良好，外部之水分便難以進入至液晶層11c內，故而可避免TFT17中所包含之含有氧化物半導體之半導體膜36暴露於水分中。藉此，半導體膜36之電氣特性難以產生變化，故而難以使TFT17產生性能惡化，並且難以於液晶面板11產生顯示不良。又，藉由使水分難以被擷入至液晶層11c內，而使有可能於TFT17或像素電極18產生之漏電流充分小，故而對該像素電極18實施充電之電壓難以下降，尤其是，於進行暫停驅動上較佳。
此處，藉由成膜範圍限制部28之側面支持之陣列基板側配向膜11e之液滴PIM以該支持位置為起點返回至內側，因此產生藉由該返回之液滴PIM而隆起之部分。若該隆起之部分直接固化，則以成膜範圍限制部28之側面對於陣列基板側配向膜11e之材料之支持位置為起點，遍及特定寬度而形成膜厚局部較厚之壁厚部分FP。即便產生此種壁厚部分FP，亦以與藉由使有機絕緣膜40凹陷而設置之配向膜材料貯存部29內貯存有陣列基板側配向膜11e之材料相應之程度，於成膜上述陣列基板側配向膜11e時，抑制該材料之隆起，藉此使壁厚部分FP之形成範圍變窄。藉此，陣列基板側配向膜11e之壁厚部分FP難以配設為波及顯示區域AA內，故而於顯示區域AA，陣列基板側配向膜11e之膜厚變得均一。從而，可謀求於包含CF基板11a之液晶面板11進行之顯示之顯示品質之提昇，尤其是，於謀求窄邊框化上較佳。
如以上所說明般，本實施形態之陣列基板(顯示零件)11b包含：玻璃基板(基板)GS，其劃分為顯示區域AA、及包圍顯示區域AA之非顯示區域NAA；有機絕緣膜40，其係以跨越顯示區域AA與非顯示區 域NAA之方式配設，並且包含於設置在玻璃基板GS上之絕緣膜中；陣列基板側配向膜(配向膜)11e，其係以跨越顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式配設，並且係以重疊於絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面之方式設置；成膜範圍限制部28，其配設於非顯示區域NAA，並且係以使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置；及配向膜材料貯存部29，其於非顯示區域NAA，配設於較成膜範圍限制部28更靠顯示區域AA之位置，並係以使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40局部地凹陷之方式設置，且其側面之至少一部分相對於玻璃基板GS之板面之法線方向所成之角度較成膜範圍限制部28之側面相對於法線方向所成之角度大。
於成膜陣列基板側配向膜11e時，將呈液體狀態之陣列基板側配向膜11e之材料供給至玻璃基板GS之顯示區域AA，該材料以在設置於玻璃基板GS上之絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面擴散之方式流動，藉此以重疊於絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面之方式成膜陣列基板側配向膜11e。陣列基板側配向膜11e藉由以跨越顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式配設，而成為毫無缺損地配置於顯示區域AA之確實性較高者。
此處，於非顯示區域NAA，以使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面局部地凹陷之方式設置有成膜範圍限制部28，故而可藉由成膜範圍限制部28而避免於成膜時，在絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面自顯示區域AA側向非顯示區域NAA側擴散之陣列基板側配向膜11e之材料向更外側擴散。藉此，限制陣列基板側配向膜11e之成膜範圍。然而，雖當於成膜時在絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40之表面擴散之陣列基板側配向膜11e之材料到達成膜範圍限制部28時，該材料藉由成膜範圍限制部28之側面支持，藉此限制較此更進一步之擴散，但擴散被限制之材料返回至顯示區域AA側，因此以上述側面之 支持位置為起點，於陣列基板側配向膜11e產生膜厚局部變厚之部分、即壁厚部分FP。當成為產生於該陣列基板側配向膜11e之壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態時，於顯示區域AA，在陣列基板側配向膜11e之膜厚產生不均。尤其是存在以下傾向，即當非顯示區域NAA之寬度變窄即所謂之窄邊框化推進時，上述壁厚部分FP易於配設於顯示區域AA內。
因此，於非顯示區域NAA，在較成膜範圍限制部28更靠顯示區域AA之位置，以使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40局部地凹陷之方式設置有配向膜材料貯存部29，且該配向膜材料貯存部29之側面之至少一部分相對於玻璃基板GS之板面之法線方向所成之角度較成膜範圍限制部28之側面相對於該法線方向所成之角度大，故而難以藉由配向膜材料貯存部29之側面之至少一部分限制陣列基板側配向膜11e之材料之擴散，藉此該材料貯存於配向膜材料貯存部29內。從而，即便隨著陣列基板側配向膜11e之材料利用成膜範圍限制部28之側面得到支持，藉此返回至顯示區域AA側，而於陣列基板側配向膜11e上產生壁厚部分FP，壁厚部分FP之形成範圍亦以與陣列基板側配向膜11e之材料貯存於配向膜材料貯存部29內相應之程度變窄，故而難以成為該壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態。藉此，於顯示區域AA，陣列基板側配向膜11e之膜厚變得均一，故而可謀求使用該陣列基板11b而進行之顯示之顯示品質之提昇。尤其是，於謀求窄邊框化上較佳。
又，配向膜材料貯存部29設置為較成膜範圍限制部28寬。若如此，則可於配向膜材料貯存部29內貯存更多陣列基板側配向膜11e之材料，故而可使陣列基板側配向膜11e之膜厚於顯示區域AA更佳地均一化。又，例如於利用光微影法使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40圖案化，藉此設置配向膜材料貯存部29及成膜範圍限制部28之情形時，假若欲藉由使配向膜材料貯存部29之深度較成膜範圍限制部28深而爭 取配向膜材料貯存部29內之容積，則難以控制使用遮罩使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜40曝光時之曝光量，相比於此可易於設置配向膜材料貯存部29。
又，絕緣膜構成為積層有膜厚相對較薄之各層間絕緣膜(無機絕緣膜)39、41、及膜厚相對較厚之有機絕緣膜40，且配向膜材料貯存部29係藉由至少使有機絕緣膜40凹陷而設置。若如此，則藉由至少使膜厚相對較厚之有機絕緣膜40凹陷而設置有配向膜材料貯存部29，故而易於確保配向膜材料貯存部29之深度即容積，因此可於配向膜材料貯存部29內貯存更多陣列基板側配向膜11e之材料，藉此可使陣列基板側配向膜11e之膜厚於顯示區域AA更佳地均一化。
又，配向膜材料貯存部29係以遍及全周而包圍顯示區域AA之方式設置。若如此，則可遍及顯示區域AA之全周地而謀求陣列基板側配向膜11e之膜厚之均一化。
又，配向膜材料貯存部29以如下方式設置，即其側面之至少一部分相對於法線方向所成之角度之最小值θ3較成膜範圍限制部28之側面中支持陣列基板側配向膜11e之材料之部位相對於法線方向所成之角度θ1大。若如此，則更難以產生藉由配向膜材料貯存部29之側面之至少一部分支持陣列基板側配向膜11e之材料而限制其擴散之事態，故而該材料貯存於配向膜材料貯存部29內之確實性較高。
又，配向膜材料貯存部29以如下方式設置，即其側面之至少一部分相對於法線方向所成之角度之最小值θ3處於60°~80°之範圍。於上述角度超過80°之情形時，若要確保配向膜材料貯存部29之容積，則必須擴大玻璃基板GS之板面內之配向膜材料貯存部29之形成範圍，因此難以謀求使非顯示區域NAA之寬度變窄之窄邊框化。另一方面，於上述角度小於60°之情形時，有產生如下問題之虞，即於成膜陣列基板側配向膜11e時，陣列基板側配向膜11e之材料易於藉由配向 膜材料貯存部29之側面予以支持，使得該材料難以貯存於配向膜材料貯存部29內。就該點而言，藉由以使上述角度處於60°~80°之範圍之方式設置配向膜材料貯存部29，於謀求窄邊框化上較佳，並且可使陣列基板側配向膜11e之材料貯存於配向膜材料貯存部29內之確實性更高。
又，配向膜材料貯存部29以其側面之至少一部分相對於法線方向所成之角度之最小值θ3成為70°~80°之範圍的方式設置。若如此，則藉由使上述角度之範圍之下限值為70°，可使陣列基板側配向膜11e之材料貯存於配向膜材料貯存部29內之確實性更高。
又，成膜範圍限制部28以如下方式設置，即其側面相對於法線方向所成之角度之最小值θ2小於配向膜材料貯存部29之側面之至少一部分相對於法線方向所成之角度之最小值θ3。若如此，則可藉由成膜範圍限制部28之側面更確實地支持陣列基板側配向膜11e之材料，故而限制陣列基板側配向膜11e之成膜範圍之確實性較高。
又，成膜範圍限制部28以其側面相對於法線方向所成之角度之最小值θ2成為50°以下的方式設置。於上述角度超過50°之情形時，有產生如下問題之虞，即於成膜陣列基板側配向膜11e時，陣列基板側配向膜11e之材料難以藉由成膜範圍限制部28之側面予以支持，無法限制該材料之擴散。另一方面，存在如下傾向，即成膜範圍限制部28之側面相對於法線方向所成之角度越小，越易於藉由該側面支持陣列基板側配向膜11e之材料。從而，藉由以使上述角度為50°以下之方式設置成膜範圍限制部28，限制陣列基板側配向膜11e之成膜範圍之確實性更高。
又，配向膜材料貯存部29以如下方式設置，即於其側面之全域，該側面相對於法線方向所成之角度之最小值θ3，大於成膜範圍限制部28之側面中支持陣列基板側配向膜11e之材料之部位相對於法線 方向所成之角度θ1。若如此，則於陣列基板側配向膜11e之成膜時，難以遍及配向膜材料貯存部29之側面之全域而支持陣列基板側配向膜11e之材料，藉此該材料藉由配向膜材料貯存部29內而順利地貯存。藉此，可使陣列基板側配向膜11e之膜厚於顯示區域AA更佳地均一化。
又，本實施形態之液晶面板(顯示裝置)11包含：上述陣列基板11b；CF基板(對向顯示零件)11a，其相對於陣列基板11b空開間隔而呈對向狀貼合；液晶層(液晶)11c，其夾於陣列基板11b與CF基板11a之間；及密封部11j，其藉由包圍液晶層11c並且介置於陣列基板11b與CF基板11a之間，而密封液晶層11c；且成膜範圍限制部28配設於較密封部11j更靠顯示區域AA之位置，並且係以遍及全周而包圍顯示區域AA之方式設置。根據此種液晶面板11，藉由於陣列基板11b所具備之配向膜材料貯存部29內貯存陣列基板側配向膜11e之材料，難以形成為有可能產生於陣列基板側配向膜11e之壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態，故而於顯示區域AA，陣列基板側配向膜11e之膜厚變得均一，從而可謀求該顯示裝置之顯示品質之提昇。而且，利用配設於較密封部11j更靠顯示區域AA之位置且係以遍及全周而包圍顯示區域AA之方式設置之成膜範圍限制部28，限制陣列基板側配向膜11e之成膜範圍，藉此難以產生形成為陣列基板側配向膜11e與密封部11j重疊之配置之事態。藉此，難以產生不良影響波及密封部11j之密封性能之事態，故而難以產生水分自外部浸入至液晶層11c內等事態。
又，於陣列基板11b或CF基板11a之液晶層11c側，設置有用以顯示圖像之TFT(顯示元件)17，於TFT17中，含有包含氧化物半導體之半導體膜36。若如此，則可藉由TFT17於顯示區域AA顯示圖像。形成TFT17中所包含之半導體膜36之氧化物半導體雖一旦暴露於水分中，其電氣特性即易於產生變化，但如上所述難以產生形成為陣列基 板側配向膜11e與密封部11j重疊之配置之事態，藉此水分難以自外部浸入至液晶層11c內，故而氧化物半導體之電氣特性難以產生變化，從而難以使TFT17產生性能惡化。
又，氧化物半導體含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)。若如此，則含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)之氧化物半導體之電氣特性難以產生變化，故而難以使TFT17產生性能惡化。
又，氧化物半導體具有結晶性。若如此，則含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)且具有結晶性之氧化物半導體之電氣特性難以產生變化，故而難以使TFT17產生性能惡化。
<實施形態2>
藉由圖12至圖14對本發明之實施形態2進行說明。於該實施形態2中，表示變更配向膜材料貯存部129之平面形狀等者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖13所示，本實施形態之配向膜材料貯存部129於俯視時形成為重複蜿蜒之平面形狀。詳細而言，配向膜材料貯存部129構成為藉由交替地重複連接並行於成膜範圍限制部128(顯示區域AA之外形)之並行部31及相對於成膜範圍限制部128之延伸方向交叉之交叉部32，使整體之平面形狀蜿蜒；於並行部31與交叉部32之交界位置形成有彎曲部33。上述交叉部32相對於成膜範圍限制部128之延伸方向正交，相對於並行部31所成之角度設定為大致直角。
如圖14所示，配向膜材料貯存部129中所包含之並行部31設定為其寬度尺寸及深度尺寸與成膜範圍限制部128之寬度尺寸及深度尺寸大致相同。進而，並行部31形成為其剖面形狀與成膜範圍限制部128大致相同，側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值、及該角度下之相對於配向膜材料貯存部129之寬度方向上之位置之變化率亦均設定為與成膜範圍限制部128之側面大致相同。再者， 交叉部32之剖面形狀設定為與上述並行部31大致相同，故而省略圖示。另一方面，關於配向膜材料貯存部129中所包含之彎曲部33，如圖15所示，儘管深度尺寸設定為與成膜範圍限制部128之深度尺寸大致相同，但是寬度尺寸設定為較成膜範圍限制部128之寬度尺寸大。進而，彎曲部33形成為側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值較成膜範圍限制部128之側面中對於陣列基板側配向膜111e之材料之支持部位相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度大者。從而，於成膜陣列基板側配向膜111e時，陣列基板側配向膜111e之材料雖不直接流入至配向膜材料貯存部129中之並行部31及交叉部32，但自彎曲部33之側面流入至配向膜材料貯存部129內，不久充滿配向膜材料貯存部129內之後便向成膜範圍限制部128流動。如此，即便配向膜材料貯存部129中除彎曲部33以外之部分即並行部31及交叉部32之側面相對於法線方向所成之角度與成膜範圍限制部128之側面相對於法線方向所成之角度為相同之程度，亦可使陣列基板側配向膜111e之材料貯存於配向膜材料貯存部129內。
而且，當將包含此種彎曲部33之配向膜材料貯存部129設置於有機絕緣膜140上時，於藉由光微影法使有機絕緣膜140圖案化之情形時，可使相對於有機絕緣膜140之曝光量於配向膜材料貯存部129之形成預定位置和成膜範圍限制部128之形成預定位置相等。藉此，可易於設置配向膜材料貯存部129及成膜範圍限制部128。
如以上所說明，根據本實施形態，配向膜材料貯存部129以自法線方向觀察形成為包含中途彎曲之彎曲部33之平面形狀的方式設置，並且彎曲部33之側面相對於法線方向所成之角度之最小值較成膜範圍限制部128之側面中支持陣列基板側配向膜111e之材料之部位相對於法線方向所成之角度大。若如此，則於成膜陣列基板側配向膜111e時，難以在配向膜材料貯存部129中之彎曲部33之側面支持陣列基板 側配向膜111e之材料，藉此該材料便貯存於配向膜材料貯存部129內。從而，即便例如配向膜材料貯存部129中除彎曲部33以外之部分之側面相對於法線方向所成之角度與成膜範圍限制部128之側面相對於法線方向所成之角度為相同之程度，亦可使陣列基板側配向膜111e之材料貯存於配向膜材料貯存部129內。當將包含此種彎曲部33之配向膜材料貯存部129設置於絕緣膜中所包含之有機絕緣膜140上時，例如於藉由光微影法使絕緣膜中所包含之有機絕緣膜140圖案化之情形時，可使相對於絕緣膜中所包含之有機絕緣膜140之曝光量於配向膜材料貯存部129之形成預定位置和成膜範圍限制部128之形成預定位置相等。藉此，可易於設置配向膜材料貯存部129及成膜範圍限制部128。
<實施形態3>
藉由圖16對本發明之實施形態3進行說明。該實施形態3與上述實施形態1，在於CF基板211a側設置有成膜範圍限制部42及配向膜材料貯存部43之點上不同。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖16所示，於本實施形態之CF基板211a之非顯示區域NAA，設置有用以限制CF基板側配向膜211d之成膜範圍之成膜範圍限制部42、及可貯存CF基板側配向膜211d之材料之配向膜材料貯存部43。其中，成膜範圍限制部42係以自CF基板211a所具備之絕緣膜即OC層211k之表面突出之方式設置，剖面形狀形成為大致角柱狀。從而，於成膜CF基板側配向膜211d時，成膜範圍限制部42相對於沿OC層211k之表面自顯示區域AA側向外側擴散之CF基板側配向膜211d之材料，作為堰堤而發揮功能，藉此可限制CF基板側配向膜211d之材料向成膜範圍限制部42之外側擴散。成膜範圍限制部42含有與CF基板211a中所包含之間隔部211l相同之材料，且於藉由光微影法使間隔部211l圖 案化之同時(於同一步驟中)圖案化。成膜範圍限制部42係於內周側與外周側以相互平行之方式設置有2個，中間空開特定之間隔。如此，成膜範圍限制部42形成為配設於CF基板211a之非顯示區域NAA，並且以自絕緣膜中所包含之OC層211k之表面突出之方式設置，藉此可限制CF基板側配向膜211d之成膜範圍者。再者，成膜範圍限制部42之平面形狀及俯視時之形成範圍等與陣列基板211b側之成膜範圍限制部228相同。
另一方面，配向膜材料貯存部43形成為以使OC層211k局部地凹陷之方式設置，且剖面形狀包含彎曲成大致圓弧狀之槽者。配向膜材料貯存部43設定為其側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度之最小值與陣列基板211b側之配向膜材料貯存部229中之該角度之最小值大致相同。從而，於成膜CF基板側配向膜211d時，可將沿OC層211k之表面自顯示區域AA側向外側擴散之CF基板側配向膜211d之材料貯存於配向膜材料貯存部43內。藉此，即便在於成膜CF基板側配向膜211d時，CF基板側配向膜211d之材料由成膜範圍限制部42之側面支持，藉此返回至顯示區域AA側，隨之於CF基板側配向膜211d之外周端側產生壁厚部分FP之情形時，上述壁厚部分FP之形成範圍亦以與CF基板側配向膜211d之材料貯存於配向膜材料貯存部43內相應之程度變窄。從而，難以形成上述壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態，故而CF基板側配向膜211d之膜厚於顯示區域AA得以均一化，並且可謀求液晶面板211之顯示之顯示品質之提昇。如此，配向膜材料貯存部43形成為於CF基板211a之非顯示區域NAA，配設於較成膜範圍限制部42更靠顯示區域AA之位置，並且係以使絕緣膜中所包含之OC層211k之表面局部地凹陷之方式設置，藉此可貯存CF基板側配向膜211d之材料者。再者，配向膜材料貯存部43之平面形狀及俯視時之形成範圍等與陣列基板211b側之配向膜材料貯存部229相同。
如上所說明般，本實施形態之CF基板(顯示零件)211a包含：玻璃基板GS，其劃分為顯示區域AA及包圍顯示區域AA之非顯示區域NAA；OC層211k，其係以跨越顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式配設，並且包含於設置在玻璃基板GS上之絕緣膜中；CF基板側配向膜(配向膜)211d，其係以跨越顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式配設，並且係以重疊於絕緣膜中所包含之OC層211k之表面之方式設置；成膜範圍限制部42，其配設於非顯示區域NAA，並且係以自絕緣膜中所包含之OC層211k之表面突出之方式設置；及配向膜材料貯存部43，其於非顯示區域NAA，配設於較成膜範圍限制部42更靠顯示區域AA之位置，並且係以使絕緣膜中所包含之OC層211k局部地凹陷之方式設置。
於成膜CF基板側配向膜211d時，將呈液體狀態之CF基板側配向膜211d之材料供給至玻璃基板GS之顯示區域AA，該材料以在設置於玻璃基板GS上之絕緣膜中所包含之OC層211k之表面擴散之方式流動，藉此以重疊於絕緣膜中所包含之OC層211k之表面之方式成膜CF基板側配向膜211d。CF基板側配向膜211d藉由以跨越顯示區域AA與非顯示區域NAA之方式配設，而成為毫無缺損地配置於顯示區域AA之確實性較高者。
此處，於非顯示區域NAA，以自絕緣膜中所包含之OC層211k之表面突出之方式設置有成膜範圍限制部42，故而可藉由成膜範圍限制部42而避免於成膜時，在絕緣膜中所包含之OC層211k之表面自顯示區域AA側向非顯示區域NAA側擴散之CF基板側配向膜211d之材料向更外側擴散。藉此，限制CF基板側配向膜211d之成膜範圍。然而，雖藉由自絕緣膜中所包含之OC層211k之表面突出之成膜範圍限制部42作為所謂之堰堤而發揮功能，於成膜時，限制在絕緣膜中所包含之OC層211k之表面擴散之CF基板側配向膜211d之材料較此更進一步地 擴散，但擴散被限制之材料返回至顯示區域AA側，因此以上述成膜範圍限制部42之限制位置為起點，於CF基板側配向膜211d上產生膜厚局部變厚之部分，即壁厚部分FP。當成為產生於該CF基板側配向膜211d之壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態時，於顯示區域AA，CF基板側配向膜211d之膜厚產生不均。尤其是存在以下傾向，即當非顯示區域NAA之寬度變窄即所謂之窄邊框化推進，則上述壁厚部分FP易於配設於顯示區域AA內。
因此，於非顯示區域NAA，在較成膜範圍限制部42更靠顯示區域AA之位置，以使絕緣膜中所包含之OC層211k局部地凹陷之方式設置有配向膜材料貯存部43，且CF基板側配向膜211d之材料貯存於配向膜材料貯存部43內，故而即便隨著CF基板側配向膜211d之材料藉由成膜範圍限制部42返回至顯示區域AA側，而於CF基板側配向膜211d上產生壁厚部分FP，壁厚部分FP之形成範圍亦以與CF基板側配向膜211d之材料貯存於配向膜材料貯存部43內相應之程度變窄，故而難以形成該壁厚部分FP波及顯示區域AA內之狀態。藉此，於顯示區域AA，CF基板側配向膜211d之膜厚變得均一，故而可謀求使用該CF基板211a而實施之顯示之顯示品質之提昇。尤其是，於謀求窄邊框化上較佳。
<實施形態4>
藉由圖17對本發明之實施形態4進行說明。於該實施形態4中，表示自上述實施形態1變更成膜範圍限制部328及配向膜材料貯存部329之設置數量者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖17所示，本實施形態之成膜範圍限制部328係以於陣列基板311b之非顯示區域NAA，在密封部311j與配向膜材料貯存部329之間排列有3個之方式設置。配向膜材料貯存部329係以於陣列基板311b之 非顯示區域NAA，在成膜範圍限制部328與顯示區域AA之間排列有2個之方式設置。內周側之配向膜材料貯存部329之平面形狀形成為較外周側之配向膜材料貯存部329小一圈之框狀。
<實施形態5>
藉由圖18對本發明之實施形態5進行說明。於該實施形態5中，表示自上述實施形態1變更配向膜材料貯存部429之平面形狀者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖18所示，本實施形態之配向膜材料貯存部429包含於俯視時為方形狀之槽(凹部)，並且係以沿顯示區域AA之外形間歇性排列有複數個之方式配設。複數個配向膜材料貯存部429係以遍及全周而包圍顯示區域AA之方式排列而配設。即便為此種構成，亦可於成膜陣列基板側配向膜時，藉由陣列基板側配向膜之材料貯存於複數個配向膜材料貯存部429內，使顯示區域AA之陣列基板側配向膜之膜厚較佳地均一化。
<實施形態6>
藉由圖19對本發明之實施形態6進行說明。於該實施形態6中，表示自上述實施形態1變更成膜範圍限制部528及配向膜材料貯存部529之深度者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖19所示，本實施形態之成膜範圍限制部528及配向膜材料貯存部529均係以貫通有機絕緣膜540之深度形成。即，成膜範圍限制部528及配向膜材料貯存部529之各深度尺寸設定為與有機絕緣膜540之膜厚大致相同。若形成為此種構成，則可於配向膜材料貯存部529內貯存更多陣列基板側配向膜511e之材料，故而可更佳地謀求顯示區域AA之陣列基板側配向膜511e之膜厚之均一化。
<實施形態7>
藉由圖20對本發明之實施形態7進行說明。於該實施形態7中，表示自上述實施形態6進而變更成膜範圍限制部628及配向膜材料貯存部629之深度者。再者，對於與上述實施形態6相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖20所示，本實施形態之成膜範圍限制部628及配向膜材料貯存部629均係以貫通有機絕緣膜640及第1層間絕緣膜639之深度形成。即，成膜範圍限制部628及配向膜材料貯存部629之各深度尺寸設定為與機絕緣膜640之膜厚和第1層間絕緣膜639之膜厚之合計大小大致相同。若形成為此種構成，則可於配向膜材料貯存部629內貯存更多陣列基板側配向膜611e之材料，故而可更佳地謀求顯示區域AA之陣列基板側配向膜611e之膜厚之均一化。
<實施形態8>
藉由圖21對本發明之實施形態8進行說明。於該實施形態8中，表示自上述實施形態1變更配向膜材料貯存部729之形成方法者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖21所示，本實施形態之配向膜材料貯存部729係藉由於第1層間絕緣膜739上形成開口部44，形成為配設於其上層側之有機絕緣膜740中與開口部44重疊之局部地凹陷之形狀。即，有機絕緣膜740設定為於配向膜材料貯存部729之形成部位亦與其他部位(除接觸孔726和成膜範圍限制部728之形成部位以外)大致相同之膜厚。若形成為此種構成，則於藉由光微影法使有機絕緣膜740圖案化時，無需使用半色調遮罩作為遮罩，故而可謀求製造成本之降低等。
<實施形態9>
藉由圖22對本發明之實施形態9進行說明。於該實施形態9中， 表示自上述實施形態1變更使有機絕緣膜840曝光之遮罩者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
於本實施形態中，在藉由光微影法使有機絕緣膜840圖案化時，使用灰色調遮罩45作為遮罩。如圖22所示，灰色調遮罩45包含：透明之玻璃基材45a、及形成於玻璃基材45a之板面上且遮蔽來自光源之曝光之光之遮光膜45b。於該遮光膜45b上，形成有成為曝光裝置之解像度以上之開口部45b1、45b2、及成為曝光裝置之解像度以下之狹縫45b3。各開口部45b1、45b2形成於與有機絕緣膜840中之成膜範圍限制部828及配向膜材料貯存部829之各形成預定位置對應之位置。再者，相同之開口部亦形成於與未圖示之接觸孔之形成預定位置對應之位置。該等開口部45b1、45b2形成為曝光之光之透過率設定為大致100%之透過區域TA。另一方面，於上述開口部45b1、45b2中自內周側與外周側挾入用以形成配向膜材料貯存部829之貯存部用開口部45b2之位置，分別排列而形成有複數個狹縫45b3。該狹縫45b3形成為曝光之光之透過率設定為例如10%~70%左右之半透過區域HTA。
若於來自光源之曝光之光經由此種構成之灰色調遮罩45照射至有機絕緣膜840之後而進行顯影，則在有機絕緣膜840中於俯視時與透過區域TA重疊之部分，分別形成有接觸孔、成膜範圍限制部828、及配向膜材料貯存部829之中央側部分，相對於此，於在俯視時與半透過區域HTA重疊之部分，形成有配向膜材料貯存部829之兩端側部分。藉此，配向膜材料貯存部829形成為其側面呈較成膜範圍限制部828之側面平緩之傾斜之剖面形狀。
<實施形態10>
藉由圖23對本發明之實施形態10進行說明。於該實施形態10中，表示自上述實施形態2變更配向膜材料貯存部929之平面形狀者。再者，對於與上述實施形態2相同之構造、作用及效果，省略重複之 說明。
如圖23所示，本實施形態之配向膜材料貯存部929包含：並行部931，其並行於成膜範圍限制部928(顯示區域AA之外形)；及交叉部932，其係以相對於成膜範圍限制部928形成鈍角之方式交叉。於各並行部931之兩端部分別連接有不同之交叉部932，相對於此，於各交叉部932中與並行部931側為相反側之端部連接有其他交叉部932。藉此，形成於並行部931與交叉部932之交界位置之彎曲部933之俯視時之彎曲角度形成為銳角，相對於此，形成於交叉部932彼此之交界位置之彎曲部933之俯視時之彎曲角度形成為鈍角。即便為此種構成，亦可與上述實施形態2同樣地，使陣列基板側配向膜之材料自各彎曲部933流入至配向膜材料貯存部929內。
<實施形態11>
藉由圖24對本發明之實施形態11進行說明。於該實施形態11中，表示自上述實施形態2進而變更配向膜材料貯存部1029之平面形狀者。再者，對於與上述實施形態1相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖24所示，本實施形態之配向膜材料貯存部1029構成為藉由交替地重複連接並行於成膜範圍限制部1028(顯示區域AA之外形)之並行部1031、及以相對於成膜範圍限制部1028形成鈍角之方式交叉之交叉部1032，使整體之平面形狀蜿蜒，於並行部1031與交叉部1032之交界位置形成有彎曲部1033。即便為此種構成，亦可與上述實施形態2同樣地，使陣列基板側配向膜之材料自各彎曲部1033流入至配向膜材料貯存部1029內。
<實施形態12>
藉由圖25對本發明之實施形態12進行說明。於該實施形態12中，表示自上述實施形態3變更成膜範圍限制部1142之形成方法者。 再者，對於與上述實施形態3相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖25所示，於本實施形態之CF基板1111a之非顯示區域NAA，在成膜範圍限制部1142之形成預定位置，積層配置有加高層46~48，該等加高層46~48含有與形成彩色濾光片1111h之各著色部1111hR、1111hG相同之材料；藉此形成為配設於其上層側之OC層1111k局部地加高而突出之形態，該突出部分構成成膜範圍限制部1142。再者，對於藍色之著色部，省略圖示。該等加高層46~48包含：第1加高層46，其含有與紅色之著色部1111hR相同之材料；第2加高層47，其含有與綠色之著色部1111hG相同之材料；及第3加高層48，其含有與未圖示之藍色之著色部相同之材料。第1加高層46之厚度設定為與紅色之著色部1111hR之厚度大致相同，第2加高層47設定為與綠色之著色部1111hG之厚度大致相同，第3加高層48設定為與藍色之著色部之厚度大致相同。從而，無需使用半色調遮罩或灰色調遮罩等，作為於藉由光微影法使各著色部1111hR、1111hG及各加高層46~48圖案化時所使用之遮罩。
<實施形態13>
藉由圖26對本發明之實施形態13進行說明。於該實施形態13中，表示自上述實施形態3變更成膜範圍限制部1242之構成者。再者，對於與上述實施形態3相同之構造、作用及效果，省略重複之說明。
如圖26所示，本實施形態之成膜範圍限制部1242設定為藉由使CF基板1211a所具備之OC層1211k局部地凹陷而形成，且其剖面形狀包含彎曲成大致圓弧狀之槽者。即，成膜範圍限制部1242形成與包含於陣列基板1211b側之成膜範圍限制部1228相同之剖面形狀，側面相對於玻璃基板GS之法線方向所成之角度等亦設定為與成膜範圍限制 部1228相同。
<其他實施形態>
本發明並不限於藉由上述記述及圖式所說明之實施形態，例如以下實施形態亦包含於本發明之技術範圍中。
(1)於上述各實施形態中，例示有配向膜材料貯存部之寬度尺寸設定為大於成膜範圍限制部之寬度尺寸之情形，但亦可使配向膜材料貯存部之寬度尺寸與成膜範圍限制部之寬度尺寸相同，進而亦可設定為前者小於後者。
(2)於上述各實施形態中，例示有配向膜材料貯存部之深度尺寸設定為與成膜範圍限制部之深度尺寸相同之情形，但亦可設定為前者大於後者，或相反地設定為前者小於後者。
(3)於上述各實施形態中，表示有成膜範圍限制部及配向膜材料貯存部分別配設為包圍顯示區域，但亦可構成為僅對自構成顯示區域AA之4條邊中選擇之特定之邊，選擇性地配置成膜範圍限制部或配向膜材料貯存部。
(4)除上述各實施形態以外，配向膜材料貯存部之側面相對於玻璃基板之法線方向所成之具體之角度或該角度之變化率等亦可根據所使用之配向膜(陣列基板側配向膜、CF基板側配向膜)之材料之物性等適當變更。同樣地，成膜範圍限制部之側面相對於玻璃基板之法線方向所成之具體之角度或該角度之變化率等可根據所使用之配向膜之材料之物性等適當變更。
(5)除上述各實施形態以外，配向膜材料貯存部或成膜範圍限制部之具體之設置數量亦可適當變更。例如，可採用配向膜材料貯存部之設置數量與成膜範圍限制部之設置數量設定為相同之構成、或配向膜材料貯存部之設置數量較成膜範圍限制部之設置數量少之構成等。又，亦可將成膜範圍限制部之設置數量設定為1個或4個以上、將配向 膜材料貯存部之設置數量設定為3個以上。
(6)於上述各實施形態中，表示有使用藉由顯影除去曝光部位之正型感光性樹脂材料作為有機絕緣膜之材料之情形，但亦可使用藉由顯影除去非曝光部位之負型感光性樹脂材料作為有機絕緣膜之材料。
(7)於上述各實施形態中，例示有陣列基板所具備之有機絕緣膜、及CF基板所具備之OC層分別含有感光性樹脂材料之情形，但亦可使用非感光性樹脂材料作為該等材料。
(8)除上述實施形態2、10、11以外，配向膜材料貯存部之具體之平面形狀亦可適當變更。
(9)於上述實施形態5中，表示有沿顯示區域之外形排列之複數個配向膜材料貯存部形成為大致相同之平面形狀之情形，但沿顯示區域之外形排列之複數個配向膜材料貯存部亦可包括形成為互不相同之平面形狀者。
(10)於上述實施形態12中，例示有於成膜範圍限制部之形成預定位置設置有加高層者，該加高層含有與形成彩色濾光片之3種顏色之著色部相同之材料；但本發明中亦包含加高層形成為2層構造者，該2層構造者含有與自3種顏色之著色部中任意選擇之2種顏色之著色部相同之材料。又，本發明中亦包含加高層形成為單層構造者，該單層構造者含有與自3種顏色之著色部中任意選擇之1個著色部相同之材料。
(11)於上述實施形態12中，例示有於成膜範圍限制部之形成預定位置設置有加高層者，該加高層含有與彩色濾光片之著色部相同之材料；但除此以外，例如亦可於成膜範圍限制部之形成預定位置使遮光部局部地加高，藉此於OC層設置成膜範圍限制部。
(12)對於上述實施形態13中記載之CF基板側之配向膜材料貯存部及成膜範圍限制部，亦可應用上述實施形態2、4~11中分別記載之陣列基板側之配向膜材料貯存部及成膜範圍限制部之構成。
(13)亦可適當組合上述實施形態2、4~11中記載之各構成。
(14)於上述各實施形態中，表示有於成膜陣列基板側配向膜及CF基板側配向膜時使用噴墨裝置之情形，但亦可使用例如網版印刷裝置或軟版印刷裝置等。
(15)於上述各實施形態中，表示有使用光配向材料作為陣列基板側配向膜及CF基板側配向膜之材料，而形成藉由紫外線之照射實施配向處理之光配向膜之情形，但本發明亦可應用於形成有藉由磨擦實施配向處理之陣列基板側配向膜及CF基板側配向膜者。
(16)於上述各實施形態中，表示有使用聚醯亞胺作為配向膜之材料之情形，但亦可使用聚醯亞胺以外之液晶配向材料作為配向膜之材料。
(17)於上述各實施形態中，例示有於CF基板上設置有藉由光微影法而形成之間隔部(感光性間隔件)者，但本發明中亦包含代替此而將球狀間隔件(間隔珠粒)散佈於顯示區域內者。
(18)於上述各實施形態中，表示有形成液晶面板之陣列基板及CF基板形成為包含玻璃製之玻璃基板之構成者，但亦可使用例如大致透明之合成樹脂製之樹脂基板(塑膠基板)，代替玻璃製之玻璃基板。
(19)於上述各實施形態中，表示有藉由鈦(Ti)及銅(Cu)之積層膜形成第1金屬膜及第2金屬膜之情形，但例如亦可代替鈦而使用鉬(Mo)、氮化鉬(MoN)、氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鈮(Nb)、鉬-鈦合金(MoTi)、鉬-鎢合金(MoW)等。除此以外，亦可使用鈦、銅、鋁等之單層金屬膜。
(20)於上述各實施形態中，對動作模式設定為FFS模式之液晶面板進行了例示，但除此以外，本發明亦可應用於設定為IPS(In-Plane Switching)模式或VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式等其他動作模式之液晶面板，。尤其是，於動作模式設定為VA模式之液晶面板 中，可將對向電極形成於CF基板側而非陣列基板側，並且省略OC層。
(21)於上述各實施形態中，作為用於形成TFT之通道部之氧化物半導體，例示有In-Ga-Zn-O系半導體，但亦可使用其他氧化物半導體。例如亦可包含Zn-O系半導體(ZnO)、In-Zn-O系半導體(IZO(註冊商標))、Zn-Ti-O系半導體(ZTO)、Cd-Ge-O系半導體、Cd-Pb-O系半導體、CdO(氧化鎘)、Mg-Zn-O系半導體、In-Sn-Zn-O系半導體(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O系半導體等。
(22)於上述各實施形態中，表示有使用氧化物半導體作為形成液晶面板之TFT之半導體膜之材料之情形，但除此以外，亦可使用非晶矽或多晶矽。於使用多晶矽之情形時，較佳為使用CG矽(Continuous Grain Silicon，連續晶界矽)。
(23)於上述各實施形態中，例示有彩色濾光片形成為紅色、綠色及藍色之3色構成者，但本發明亦可應用於包含如下彩色濾光片者，即在紅色、綠色及藍色之各著色部之基礎上添加有黃色之著色部而形成4色構成。
(24)除上述(23)以外，本發明亦可應用於包含如下彩色濾光片者，即於紅色、綠色及藍色之各著色部之基礎上追加有幾乎可使所有可見光透過且不具有波長選擇性之無著色部。
(25)於上述各實施形態中，作為液晶顯示裝置所具備之背光裝置例示有邊緣照明型者，但本發明中亦包含使用直下型背光裝置者。
(26)於上述各實施形態中，例示有包含作為外部光源之背光裝置之透過型液晶顯示裝置，但本發明亦可應用於利用外光進行顯示之反射型液晶顯示裝置中，於該情形時，可省略背光裝置。
(27)於上述各實施形態中，使用TFT作為液晶顯示裝置之開關元件，但亦可應用於使用除TFT以外之開關元件(例如薄膜二極體(TFD)) 之液晶顯示裝置中，又除彩色顯示之液晶顯示裝置以外，亦可應用於黑白顯示之液晶顯示裝置中。
(28)於上述各實施形態中，例示有歸類於小型或中小型、用於可攜式資訊終端、行動電話(包括智慧型電話)、筆記本電腦(包括平板型筆記本電腦)、數位相框、可攜式遊戲機、電子墨水紙等各種電子機器等中之液晶面板，但本發明亦可應用於畫面尺寸為例如20英吋~90英吋、歸類於中型或大型(超大型)之液晶面板中。於該情形時，可將液晶面板用於電視接收裝置、電子看板(數位標牌)、電子黑板等電子機器中。

Claims (13)

  1. 一種顯示零件，其包含：基板，其劃分為顯示區域、及包圍上述顯示區域之非顯示區域；絕緣膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且設置於上述基板上；配向膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且係以重疊於上述絕緣膜之表面之方式設置；成膜範圍限制部，其配設於上述非顯示區域，並且係以使上述絕緣膜之表面局部地凹陷之方式設置；及配向膜材料貯存部，其於上述非顯示區域中配設於較上述成膜範圍限制部更靠上述顯示區域之位置，並且以使上述絕緣膜局部地凹陷之方式設置，且其側面之至少一部分相對於上述基板之板面之法線方向所成之角度大於上述成膜範圍限制部之側面相對於上述法線方向所成之角度；上述配向膜材料貯存部設置為較上述成膜範圍限制部更寬。
  2. 如請求項1之顯示零件，其中上述絕緣膜設為積層有膜厚相對較薄之無機絕緣膜、及膜厚相對較厚之有機絕緣膜之構成，且上述配向膜材料貯存部係藉由至少使上述有機絕緣膜凹陷而設置。
  3. 如請求項1或2之顯示零件，其中上述配向膜材料貯存部係以遍及全周而包圍上述顯示區域之方式設置。
  4. 如請求項1或2之顯示零件，其中上述配向膜材料貯存部以如下方式設置，即其側面之至少一部分之相對於上述法線方向所成之角度之 最小值，大於上述成膜範圍限制部之側面中支持上述配向膜之材料之部位相對於上述法線方向所成之角度。
  5. 如請求項4之顯示零件，其中上述配向膜材料貯存部以其側面之至少.一部分相對於上述法線方向所成之角度之最小值成為60。~80。之範圍的方式設置。
  6. 如請求項5之顯示零件，其中上述配向膜材料貯存部以其側面之至少一部分相對於上述法線方向所成之角度之最小值成為70°~80°之範圍的方式設置。
  7. 如請求項1或2之顯示零件，其中上述成膜範圍限制部以如下方式設置，即其側面之相對於上述法線方向所成之角度之最小值，小於上述配向膜材料貯存部之側面之至少一部分相對於上述法線方向所成之角度之最小值。
  8. 如請求項7之顯示零件，其中上述成膜範圍限制部以其側面相對於上述法線方向所成之角度之最小值成為50°以下的方式設置。
  9. 如請求項1或2之顯示零件，其中上述配向膜材料貯存部以如下方式設置，即於其側面之全域，該側面相對於上述法線方向所成之角度之最小值，大於上述成膜範圍限制部之側面中支持上述配向膜之材料之部位相對於上述法線方向所成之角度。
  10. 如請求項1或2之顯示零件，其中上述配向膜材料貯存部以如下方式設置，即自上述法線方向觀察形成為包含中途彎曲之彎曲部之平面形狀，並且上述彎曲部之側面相對於上述法線方向所成之角度之最小值，大於上述成膜範圍限制部之側面中支持上述配向膜之材料之部位相對於上述法線方向所成之角度。
  11. 一種顯示裝置，其包含： 顯示零件；對向顯示零件，其相對於上述顯示零件空開間隔而呈對向狀貼合；液晶，其夾於上述顯示零件與上述對向顯示零件之間；及密封部，其藉由包圍上述液晶並且介置於上述顯示零件與上述對向顯示零件之間而密封上述液晶；上述顯示零件，包含：基板，其劃分為顯示區域、及包圍上述顯示區域之非顯示區域；絕緣膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且設置於上述基板上；配向膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且係以重疊於上述絕緣膜之表面之方式設置；成膜範圍限制部，其配設於上述非顯示區域，並且係以使上述絕緣膜之表面局部地凹陷之方式設置；及配向膜材料貯存部，其於上述非顯示區域中配設於較上述成膜範圍限制部更靠上述顯示區域之位置，並且以使上述絕緣膜局部地凹陷之方式設置，且其側面之至少一部分相對於上述基板之板面之法線方向所成之角度大於上述成膜範圍限制部之側面相對於上述法線方向所成之角度；上述成膜範圍限制部配設於較上述密封部更靠上述顯示區域之位置，並且係以遍及全周而包圍上述顯示區域之方式設置；於上述顯示零件或上述對向顯示零件之上述液晶側，設置有用以顯示圖像之顯示元件，且於上述顯示元件中包含含有氧化物半導體之半導體膜。
  12. 一種顯示裝置，其包含： 顯示零件；對向顯示零件，其相對於上述顯示零件空開間隔而呈對向狀貼合；液晶，其夾於上述顯示零件與上述對向顯示零件之間；及密封部，其藉由包圍上述液晶並且介置於上述顯示零件與上述對向顯示零件之間而密封上述液晶；上述顯示零件，包含：基板，其劃分為顯示區域、及包圍上述顯示區域之非顯示區域；絕緣膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且設置於上述基板上；配向膜，其係以跨越上述顯示區域與上述非顯示區域之方式配設，並且係以重疊於上述絕緣膜之表面之方式設置；成膜範圍限制部，其配設於上述非顯示區域，並且係以自上述絕緣膜之表面突出之方式設置；及配向膜材料貯存部，其於上述非顯示區域中配設於較上述成膜範圍限制部更靠上述顯示區域之位置，並且係以使上述絕緣膜局部地凹陷之方式設置；於上述顯示零件或上述對向顯示零件之上述液晶側，設置有用以顯示圖像之顯示元件，且於上述顯示元件中包含含有氧化物半導體之半導體膜。
  13. 如請求項11或12之顯示裝置，其中上述氧化物半導體含有銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、氧(O)。
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