JPWO2015045581A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

アレイ基板１１ｂは、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに区分されるガラス基板ＧＳと、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配される有機絶縁膜４０と、有機絶縁膜４０の表面に重なる形で設けられるアレイ基板側配向膜１１ｅと、非表示領域ＮＡＡに配されるとともに有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で設けられる成膜範囲規制部２８と、非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部２８よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに有機絶縁膜４０を部分的に凹ませる形で設けられ且つその側面の少なくとも一部がガラス基板ＧＳの板面に係る法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部２８の側面が同法線方向に対してなす角度よりも大きい配向膜材料貯留部２９と、を備える。

Description

本発明は、表示部品及び表示装置に関する。

従来、液晶表示装置を構成する主要部品である液晶パネルは、次のような構成とされる。すなわち、液晶パネルは、一対のガラス製の基板と、一対の基板間に挟持される間に液晶と、一対の基板の内側の板面上にそれぞれ設けられて液晶を配向させる配向膜とを少なくとも備えている。このような液晶パネルの一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。

国際公開第２０１１／１５５１３３号

（発明が解決しようとする課題）
上記した特許文献１には、支持基板上に形成された配線層と、配線層を覆うように支持基板上に形成された絶縁膜と、流動性を有する配向膜材料が硬化することによって形成された配向膜とを有する第１基板において、絶縁膜の表面に、絶縁膜を貫通せずに窪んで設けられた凹陥部が形成され、その凹陥部の縁部によって配向膜の端縁部が支持されるとともに、凹陥部の底が配向膜から露出する構成のものが記載されている。これにより、非表示領域を大幅に狭くしながらも、配向膜材料の広がりを抑制することができる。

ところで、配向膜の成膜時に絶縁膜の表面を広がる配向膜の材料は、凹陥部の縁部によって支持されることで、それ以上の広がりが規制されるのであるが、広がりが規制された材料は表示領域側に戻されることになる。このため、配向膜には、凹陥部の縁部による支持位置を起点として膜厚が局所的に厚くなる部分、つまり肉厚部分が生じることになる。そして、この配向膜に生じる肉厚部分が表示領域内に及ぶ形となると、表示領域において配向膜の膜厚にムラが生じ、それに起因して液晶パネルに表示される画像に係る表示品位が低下するおそれがあった。特に、液晶表示装置が狭額縁化されると、上記肉厚部分が表示領域内により配され易くなる傾向にあった。

本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、配向膜の膜厚の均一化を図ることを目的とする。

（課題を解決するための手段）
本発明の第１の表示部品は、表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される基板と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記基板に設けられる絶縁膜と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記絶縁膜の表面に重なる形で設けられる配向膜と、前記非表示領域に配されるとともに前記絶縁膜の表面を部分的に凹ませる形で設けられる成膜範囲規制部と、前記非表示領域において前記成膜範囲規制部よりも前記表示領域寄りの位置に配されるとともに前記絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられ、且つその側面の少なくとも一部が前記基板の板面に係る法線方向に対してなす角度が、前記成膜範囲規制部の側面が前記法線方向に対してなす角度よりも大きい配向膜材料貯留部と、を備える。

配向膜の成膜に際しては、液体状態とされる配向膜の材料を、基板における表示領域に供給するようにしており、その材料が基板に設けられた絶縁膜の表面において広がるよう流動することで、絶縁膜の表面に重なる形で配向膜が成膜されるようになっている。配向膜は、表示領域と非表示領域とに跨る形で配されることで、表示領域に欠損なく配置される確実性が高いものとなっている。

ここで、非表示領域には、絶縁膜の表面を部分的に凹ませる形で成膜範囲規制部が設けられているので、成膜時に絶縁膜の表面において表示領域側から非表示領域側へと広がる配向膜の材料が成膜範囲規制部によってそれよりも外側に広がるのが避けられる。これにより、配向膜の成膜範囲が規制される。ところで、成膜時に絶縁膜の表面を広がる配向膜の材料は、成膜範囲規制部に到達すると、同材料が成膜範囲規制部の側面にて支持されることでそれ以上の広がりが規制されるのであるが、広がりが規制された材料は表示領域側に戻されることになるため、上記側面による支持位置を起点として配向膜に膜厚が局所的に厚くなる部分、つまり肉厚部分が生じることになる。この配向膜に生じる肉厚部分が表示領域内に及ぶ形となると、表示領域において配向膜の膜厚にムラが生じてしまう。特に、非表示領域の幅が狭くなる、いわゆる狭額縁化が進行すると、上記肉厚部分が表示領域内に配され易くなる傾向にあった。

そこで、非表示領域において成膜範囲規制部よりも表示領域寄りの位置に、絶縁膜を部分的に凹ませる形で配向膜材料貯留部を設け、その配向膜材料貯留部における側面の少なくとも一部が基板の板面に係る法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部の側面が同法線方向に対してなす角度よりも大きくされているので、配向膜材料貯留部における側面の少なくとも一部にて配向膜の材料の広がりが規制され難く、それにより同材料が配向膜材料貯留部内に貯留される。従って、配向膜の材料が成膜範囲規制部の側面にて支持されることで表示領域側に戻されるのに伴って配向膜に肉厚部分が生じても、配向膜の材料が配向膜材料貯留部内に貯留される分だけ、肉厚部分の形成範囲が狭くなるので、同肉厚部分が表示領域内に及ぶ形とはなり難くなっている。これにより、表示領域において配向膜の膜厚が均一なものとなるので、当該表示部品を用いてなされる表示に係る表示品位の向上が図られる。特に、狭額縁化を図る上で好適となる。

本発明の第１の表示部品の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記配向膜材料貯留部は、前記成膜範囲規制部よりも幅広になるよう設けられている。このようにすれば、配向膜材料貯留部内に配向膜の材料をより多く貯留することができるので、表示領域において配向膜の膜厚をより好適に均一化することができる。また、例えば絶縁膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることで配向膜材料貯留部及び成膜範囲規制部を設ける場合において、仮に配向膜材料貯留部の深さを成膜範囲規制部よりも深くすることで配向膜材料貯留部内の容積を稼ごうとした場合、フォトマスクを用いて絶縁膜を露光する際の露光量の制御が難しくなるのに比べると、容易に配向膜材料貯留部を設けることができる。

（２）前記絶縁膜は、相対的に膜厚が薄い無機絶縁膜と、相対的に膜厚が厚い有機絶縁膜とを積層した構成とされており、前記配向膜材料貯留部は、少なくとも前記有機絶縁膜を凹ませることで設けられている。このようにすれば、少なくとも相対的に膜厚が厚い有機絶縁膜を凹ませることで配向膜材料貯留部を設けるようにしているので、配向膜材料貯留部の深さ、つまり容積を確保し易くなるので、配向膜材料貯留部内に配向膜の材料をより多く貯留することができ、それにより表示領域において配向膜の膜厚をより好適に均一化することができる。

（３）前記配向膜材料貯留部は、前記表示領域を全周にわたって取り囲む形で設けられている。このようにすれば、表示領域の全周にわたって配向膜の膜厚における均一化を図ることができる。

（４）前記配向膜材料貯留部は、その側面の少なくとも一部における前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記成膜範囲規制部の側面のうち前記配向膜の材料を支持する部位が前記法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている。このようにすれば、配向膜材料貯留部における側面の少なくとも一部にて配向膜の材料が支持されてその広がりが規制される事態がより生じ難くなるので、同材料が配向膜材料貯留部内に貯留される確実性が高いものとなる。

（５）前記配向膜材料貯留部は、その側面の少なくとも一部が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、６０°〜８０°の範囲となるよう設けられている。仮に上記角度が８０°を上回る場合、配向膜材料貯留部の容積を確保するには、基板の板面内における配向膜材料貯留部の形成範囲を広くする必要が生じることになるため、非表示領域の幅を狭くする狭額縁化を図るのが困難となる。その一方、仮に上記角度が６０°を下回る場合には、配向膜を成膜する際に配向膜の材料が配向膜材料貯留部の側面によって支持され易くなってしまい、同材料が配向膜材料貯留部内に貯留され難くなる、という問題が生じるおそれがある。その点、上記角度が６０°〜８０°の範囲となるよう配向膜材料貯留部が設けられることで、狭額縁化を図る上で好適になるとともに配向膜の材料が配向膜材料貯留部内に貯留される確実性をより高いものとすることができる。

（６）前記配向膜材料貯留部は、その側面の少なくとも一部が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、７０°〜８０°の範囲となるよう設けられている。このようにすれば、上記角度の範囲における下限値を７０°とすることで、配向膜の材料が配向膜材料貯留部内に貯留される確実性をさらに高いものとすることができる。

（７）前記成膜範囲規制部は、その側面における前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記配向膜材料貯留部の側面の少なくとも一部が前記法線方向に対してなす角度の最小値よりも小さくなるよう設けられている。このようにすれば、成膜範囲規制部における側面によって配向膜の材料をより確実に支持することができるので、配向膜の成膜範囲を規制する確実性が高いものとなる。

（８）前記成膜範囲規制部は、その側面が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、５０°以下となるよう設けられている。仮に上記角度が５０°を上回る場合には、配向膜を成膜する際に配向膜の材料が成膜範囲規制部の側面によって支持され難くなってしまい、同材料の広がりを規制できなくなる、という問題が生じるおそれがある。その一方、成膜範囲規制部の側面が法線方向に対してなす角度は、小さくなるほど、同側面によって配向膜の材料を支持し易くなる傾向にある。従って、上記角度が５０°以下となるよう成膜範囲規制部が設けられることで、配向膜の成膜範囲を規制する確実性がより高いものとなる。

（９）前記配向膜材料貯留部は、その側面の全域に関して、前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記成膜範囲規制部の側面のうち前記配向膜の材料を支持する部位が前記法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている。このようにすれば、配向膜の成膜時に、配向膜材料貯留部における側面の全域にわたって配向膜の材料が支持され難くなっていることで、同材料が配向膜材料貯留部内により円滑に貯留される。これにより、表示領域において配向膜の膜厚をより好適に均一化することができる。

（１０）前記配向膜材料貯留部は、前記法線方向から視て途中に屈曲された屈曲部が含まれる平面形状をなすとともに、前記屈曲部の側面が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記成膜範囲規制部の側面のうち前記配向膜の材料を支持する部位が前記法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている。このようにすれば、配向膜の成膜時に、配向膜材料貯留部のうちの屈曲部の側面では、配向膜の材料が支持され難くなっていることで、同材料が配向膜材料貯留部内に貯留される。従って、例えば配向膜材料貯留部のうち屈曲部を除いた部分における側面が法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部の側面が法線方向に対してなす角度と同じ程度であっても、配向膜材料貯留部内に配向膜の材料を貯留させることが可能とされる。このような屈曲部を含む配向膜材料貯留部を絶縁膜に設けるにあたって、例えば絶縁膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングする場合には、絶縁膜に対する露光量を、配向膜材料貯留部の形成予定箇所と、成膜範囲規制部の形成予定箇所とで同等にすることが可能となる。これにより、配向膜材料貯留部及び成膜範囲規制部を容易に設けることができる。

本発明の第２の表示部品は、表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される基板と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記基板に設けられる絶縁膜と、前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記絶縁膜の表面に重なる形で設けられる配向膜と、前記非表示領域に配されるとともに前記絶縁膜の表面から突出する形で設けられる成膜範囲規制部と、前記非表示領域において前記成膜範囲規制部よりも前記表示領域寄りの位置に配されるとともに前記絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられる配向膜材料貯留部と、を備える。

配向膜の成膜に際しては、液体状態とされる配向膜の材料を、基板における表示領域に供給するようにしており、その材料が基板に設けられた絶縁膜の表面において広がるよう流動することで、絶縁膜の表面に重なる形で配向膜が成膜されるようになっている。配向膜は、表示領域と非表示領域とに跨る形で配されることで、表示領域に欠損なく配置される確実性が高いものとなっている。

ここで、非表示領域には、絶縁膜の表面から突出する形で成膜範囲規制部が設けられているので、成膜時に絶縁膜の表面において表示領域側から非表示領域側へと広がる配向膜の材料が成膜範囲規制部によってそれよりも外側に広がるのが避けられる。これにより、配向膜の成膜範囲が規制される。ところで、成膜時に絶縁膜の表面を広がる配向膜の材料は、絶縁膜の表面から突出する成膜範囲規制部がいわば堰として機能することによってそれ以上の広がりが規制されるのであるが、広がりが規制された材料は表示領域側に戻されることになるため、上記成膜範囲規制部による規制位置を起点として配向膜に膜厚が局所的に厚くなる部分、つまり肉厚部分が生じることになる。この配向膜に生じる肉厚部分が表示領域内に及ぶ形となると、表示領域において配向膜の膜厚にムラが生じてしまう。特に、非表示領域の幅が狭くなる、いわゆる狭額縁化が進行すると、上記肉厚部分が表示領域内に配され易くなる傾向にあった。

そこで、非表示領域において成膜範囲規制部よりも表示領域寄りの位置に、絶縁膜を部分的に凹ませる形で配向膜材料貯留部を設けるようにし、配向膜の材料が配向膜材料貯留部内に貯留されるようになっているので、配向膜の材料が成膜範囲規制部によって表示領域側に戻されるのに伴って配向膜に肉厚部分が生じても、配向膜の材料が配向膜材料貯留部内に貯留される分だけ、肉厚部分の形成範囲が狭くなるので、同肉厚部分が表示領域内に及ぶ形とはなり難くなっている。これにより、表示領域において配向膜の膜厚が均一なものとなるので、当該表示部品を用いてなされる表示に係る表示品位の向上が図られる。特に、狭額縁化を図る上で好適となる。

本発明の表示装置は、上記した第１の表示部品または第２の表示部品と、前記第１の表示部品または前記第２の表示部品に対して間隔を空けて対向状に貼り合わせられる対向表示部品と、前記第１の表示部品または前記第２の表示部品と前記対向表示部品との間に挟持される液晶と、前記液晶を取り囲むとともに前記第１の表示部品または前記第２の表示部品と前記対向表示部品との間に介在することで前記液晶を封止するシール部と、を備えており、前記成膜範囲規制部は、前記シール部よりも前記表示領域寄りの位置に配されるとともに前記表示領域を全周にわたって取り囲む形で設けられている。

このような表示装置によれば、第１の表示部品または第２の表示部品に備えられる配向膜材料貯留部内に配向膜の材料が貯留されることで、配向膜に生じ得る肉厚部分が表示領域内に及ぶ形とはなり難くなっているので、表示領域において配向膜の膜厚が均一なものとなり、もって当該表示装置における表示品位の向上が図られる。そして、シール部よりも表示領域寄りの位置に配されるとともに表示領域を全周にわたって取り囲む形で設けられる成膜範囲規制部により配向膜の成膜範囲が規制されることで、配向膜がシール部と重なる配置とされる事態が生じ難くなる。これにより、シール部のシール性能に悪影響が及ぶ事態が生じ難くなるので、液晶内に外部から水分が浸入する、などといった事態が生じ難くなる。

本発明の表示装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
（１）前記第１の表示部品若しくは前記第２の表示部品、または前記対向表示部品における前記液晶側には、画像を表示するための表示素子が設けられており、前記表示素子には、酸化物半導体からなる半導体膜が含まれている。このようにすれば、表示素子によって表示領域に画像を表示することが可能とされる。表示素子に含まれる半導体膜をなす酸化物半導体は、水分に曝されると、その電気的な特性が変化し易くなるものの、上記したように配向膜がシール部と重なる配置とされる事態が生じ難くされることで、液晶内に外部から水分が浸入し難くなっているので、酸化物半導体の電気的な特性が変化し難くなり、もって表示素子に性能劣化が生じ難いものとされる。

（２）前記酸化物半導体は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含んでいる。このようにすれば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含む酸化物半導体の電気的な特性が変化し難くなるので、表示素子に性能劣化が生じ難いものとされる。

（３）前記酸化物半導体は、結晶性を有している。このようにすれば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含有し且つ結晶性を有する酸化物半導体の電気的な特性が変化し難くなるので、表示素子に性能劣化が生じ難いものとされる。

（発明の効果）
本発明によれば、配向膜の膜厚の均一化を図ることができる。

本発明の実施形態１に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図 液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図 液晶パネル全体の断面構成を示す概略断面図 液晶パネルの表示領域における断面構成を示す概略断面図 液晶パネルを構成するアレイ基板の表示領域における画素の平面構成を示す平面図 図５のvi-vi線断面図 アレイ基板の平面図 図７の一部（ドライバなどが配された側の端部）を拡大した平面図 図７のix-ix線断面図 図９の一部（成膜範囲規制部及び配向膜材料貯留部）を拡大した断面図 アレイ基板の製造工程のうち、ハーフトーンマスクを用いて有機絶縁膜を露光する工程を示す図９と同じ断面図 アレイ基板の製造工程において、表示領域にアレイ基板側配向膜の材料を供給した状態を示す断面図 本発明の実施形態２に係るアレイ基板の拡大平面図 図１３のxiv-xiv線断面図 図１３のxv-xv線断面図 本発明の実施形態３に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態４に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態５に係るアレイ基板の拡大平面図 本発明の実施形態６に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態７に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態８に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態９に係るアレイ基板の製造工程のうち、ハーフトーンマスクを用いて有機絶縁膜を露光する工程を示す断面図 本発明の実施形態１０に係るアレイ基板の拡大平面図 本発明の実施形態１１に係るアレイ基板の拡大平面図 本発明の実施形態１２に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図 本発明の実施形態１３に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図

＜実施形態１＞
本発明の実施形態１を図１から図１２によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置１０について例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図２から図４などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

液晶表示装置１０は、図１及び図２に示すように、画像を表示可能で且つ中央側に配される表示領域（アクティブエリア）ＡＡ、及び表示領域ＡＡを取り囲む形で外周側に配される非表示領域（ノンアクティブエリア）ＮＡＡを有する液晶パネル（表示装置、表示パネル）１１と、液晶パネル１１を駆動するドライバ（パネル駆動部）２１と、ドライバ２１に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板（外部の信号供給源）１２と、液晶パネル１１と外部の制御回路基板１２とを電気的に接続するフレキシブル基板（外部接続部品）１３と、液晶パネル１１に光を供給する外部光源であるバックライト装置（照明装置）１４とを備える。また、液晶表示装置１０は、相互に組み付けた液晶パネル１１及びバックライト装置１４を収容・保持するための表裏一対の外装部材１５，１６をも備えており、このうち表側の外装部材１５には、液晶パネル１１の表示領域ＡＡに表示された画像を外部から視認させるための開口部１５ａが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置１０は、携帯電話（スマートフォンなどを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンなどを含む）、携帯型情報端末（電子ブックやＰＤＡなどを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器（図示せず）に用いられるものである。このため、液晶表示装置１０を構成する液晶パネル１１の画面サイズは、数インチ〜１０数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。

先に、バックライト装置１４について簡単に説明する。バックライト装置１４は、図２に示すように、表側（液晶パネル１１側）に向けて開口した略箱形をなすシャーシ１４ａと、シャーシ１４ａ内に配された図示しない光源（例えば冷陰極管、ＬＥＤ、有機ＥＬなど）と、シャーシ１４ａの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。

続いて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図１に示すように、全体として縦長な方形状（矩形状）をなしており、その長辺方向における一方の端部側（図１に示す上側）に片寄った位置に表示領域ＡＡが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側（図１に示す下側）に片寄った位置にドライバ２１及びフレキシブル基板１３がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル１１において表示領域ＡＡ外の領域が、画像が表示されない非表示領域ＮＡＡとされ、この非表示領域ＮＡＡは、表示領域ＡＡを取り囲む略枠状の領域（後述するＣＦ基板１１ａにおける額縁部分）と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域（後述するアレイ基板１１ｂのうちＣＦ基板１１ａとは重畳せずに露出する部分）とからなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域（取付領域）が含まれている。液晶パネル１１における短辺方向が各図面のＸ軸方向と一致し、長辺方向が各図面のＹ軸方向と一致している。なお、図１及び図７では、ＣＦ基板１１ａよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示領域ＡＡの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域ＮＡＡとなっている。

続いて、液晶パネル１１に接続される部材について説明する。制御回路基板１２は、図１及び図２に示すように、バックライト装置１４におけるシャーシ１４ａの裏面（液晶パネル１１側とは反対側の外面）にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板１２は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ２１に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線（導電路）が配索形成されている。この制御回路基板１２には、フレキシブル基板１３の一方の端部（一端側）が図示しないＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を介して電気的に且つ機械的に接続されている。

フレキシブル基板（ＦＰＣ基板）１３は、図２に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料（例えばポリイミド系樹脂等）からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン（図示せず）を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ１４ａの裏面側に配された制御回路基板１２に接続されるのに対し、他方の端部（他端側）が液晶パネル１１におけるアレイ基板１１ｂに接続されているため、液晶表示装置１０内では断面形状が略Ｕ型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板１３における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部（図示せず）を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板１２及び液晶パネル１１に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板１２側から供給される入力信号を液晶パネル１１側に伝送することが可能とされている。

ドライバ２１は、図１に示すように、内部に駆動回路を有するＬＳＩチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板１２から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板１２から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル１１の表示領域ＡＡへ向けて出力するものとされる。このドライバ２１は、平面に視て横長の方形状をなす（液晶パネル１１の短辺に沿って長手状をなす）とともに、液晶パネル１１（後述するアレイ基板１１ｂ）の非表示領域ＮＡＡに対して直接実装され、つまりＣＯＧ（Chip On Glass）実装されている。なお、ドライバ２１の長辺方向がＸ軸方向（液晶パネル１１の短辺方向）と一致し、同短辺方向がＹ軸方向（液晶パネル１１の長辺方向）と一致している。

改めて、液晶パネル１１について説明する。液晶パネル１１は、図３に示すように、互いに対向状をなすとともに間に内部空間ＩＳを有する一対の基板１１ａ，１１ｂと、両基板１１ａ，１１ｂ間に挟持されるとともに内部空間ＩＳに配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層（液晶）１１ｃと、両基板１１ａ，１１ｂ間に介在し、内部空間ＩＳ及びそこに配された液晶層１１ｃを取り囲む形で配されるとともに内部空間ＩＳ及びそこに配された液晶層１１ｃを封止するシール部１１ｊと、を少なくとも有している。一対の基板１１ａ，１１ｂのうち表側（正面側）がＣＦ基板（対向表示部品）１１ａとされ、裏側（背面側）がアレイ基板（ＴＦＴ基板、アクティブマトリクス基板、表示部品）１１ｂとされる。なお、両基板１１ａ，１１ｂの外面側には、それぞれ偏光板１１ｆ，１１ｇが貼り付けられている。

液晶層１１ｃは、いわゆる滴下注入法により両基板１１ａ，１１ｂ間に封入されており、具体的にはＣＦ基板１１ａ上に液晶層１１ｃをなす液晶材料を滴下した後に、ＣＦ基板１１ａに対してアレイ基板１１ｂを貼り合わせると、液晶材料が両基板１１ａ，１１ｂ間に形成される内部空間ＩＳにおいて万遍なく拡げられることで形成されている。シール部１１ｊは、液晶パネル１１のうち非表示領域ＮＡＡに配されるとともに平面に視て（各基板１１ａ，１１ｂの板面に対する法線方向から視て）非表示領域ＮＡＡに倣う縦長の略枠状をなしている（図１及び図７）。シール部１１ｊは、液晶パネル１１の製造過程において一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのＣＦ基板１１ａに対して形成されている。このシール部１１ｊにより両基板１１ａ，１１ｂの外周端部において両基板１１ａ，１１ｂ間の間隔（液晶層１１ｃの厚み）、つまりセルギャップが一定に維持されており、このセルギャップの具体的な数値は、例えば３μｍ〜３．６μｍ程度とされる。シール部１１ｊは、例えば紫外線を照射することで硬化する紫外線硬化性樹脂材料（硬化性樹脂材料）と、紫外線硬化性樹脂材料中に分散配合される多数のスペーサ粒子とを少なくとも含有している。紫外線硬化性樹脂材料は、紫外線の照射を受ける前では流動性を有する液体状態とされるものの、紫外線の照射を受けると硬化して固体状態となる。スペーサ粒子は、合成樹脂製で球状をなしており、紫外線硬化性樹脂材料中に所定の濃度（例えば約１ｗｔ％程度）でもって配合されるとともに、その径寸法が液晶パネル１１のセルギャップと概ね等しいものとされる。また、シール部１１ｊのうち、液晶パネル１１におけるドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域を除いた残りの３辺の端部（非実装側端部）に配された部分は、非表示領域ＮＡＡにおける最外端位置に配されている（図１）。

本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＩＰＳ（In-Plane Switching）モードをさらに改良したＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードであり、図４に示すように、一対の基板１１ａ，１１ｂのうちのアレイ基板１１ｂ側に後述する画素電極（第２透明電極）１８及び共通電極（第１透明電極）２２を共に形成し、且つこれら画素電極１８と共通電極２２とを異なる層に配してなるものである。ＣＦ基板１１ａ及びアレイ基板１１ｂは、それぞれほぼ透明な（高い透光性を有する）ガラス基板（基板）ＧＳを備えており、当該ガラス基板ＧＳ上に各種の膜（構造物）を積層形成してなるものとされる。このうち、ＣＦ基板１１ａは、図１及び図２に示すように、短辺寸法がアレイ基板１１ｂと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板１１ｂよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板１１ｂに対して長辺方向についての一方（図１に示す上側）の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板１１ｂのうち長辺方向についての他方（図１に示す下側）の端部は、所定範囲にわたってＣＦ基板１１ａが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ２１及びフレキシブル基板１３の実装領域が確保されている。なお、図４及び図７は、各基板１１ａ，１１ｂに備えられる膜（構造物）を概略的に表したものであり、図示された各構造物の大きさ（厚み、高さなど）や配置が必ずしも実物の大きさや配置と一致したものとはなっていない。

まず、アレイ基板１１ｂの内面側（液晶層１１ｃ側、ＣＦ基板１１ａとの対向面側）に既知のフォトリソグラフィ法によって積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板１１ｂには、図６に示すように、下層（ガラス基板ＧＳ）側から順に第１金属膜（ゲート金属膜）３４、ゲート絶縁膜３５、半導体膜３６、保護膜（エッチングストッパ膜、絶縁膜、無機絶縁膜）３７、第２金属膜（ソース金属膜）３８、第１層間絶縁膜（絶縁膜、無機絶縁膜）３９、有機絶縁膜（絶縁膜）４０、第１透明電極膜２３、第２層間絶縁膜（絶縁膜、無機絶縁膜）４１、第２透明電極膜２４、アレイ基板側配向膜（配向膜）１１ｅが積層形成されている。なお、図５では、第１金属膜３４、半導体膜３６、及び第２金属膜３８については、それぞれ網掛け状にして図示している。

第１金属膜３４は、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。ゲート絶縁膜３５は、少なくとも第１金属膜３４の上層側に積層されるものであり、例えば酸化珪素（ＳｉＯ２）からなるものとされる。半導体膜３６は、材料として酸化物半導体を用いた薄膜からなるものとされており、具体的な酸化物半導体として、例えば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を主成分としたＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体（酸化インジウムガリウム亜鉛）が用いられている。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。本実施形態では、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを１：１：１の割合で含むＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を用いる。半導体膜３６をなす酸化物半導体（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体）は、アモルファスでもよいが、好ましくは結晶質部分を含む結晶性を有するものとされる。結晶性を有する酸化物半導体としては、例えば、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体が好ましい。このような酸化物半導体（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体）の結晶構造は、例えば、特開２０１２−１３４４７５号公報に開示されている。参考のために、特開２０１２−１３４４７５号公報の開示内容の全てを本明細書に援用する。

保護膜３７は、無機材料である酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる、無機絶縁膜とされている。第２金属膜３８は、チタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。第１層間絶縁膜３９は、無機材料である酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる、無機絶縁膜とされている。有機絶縁膜４０は、感光性を有する有機材料であるアクリル系樹脂材料（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））からなるものとされており、アレイ基板１１ｂの製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされるようになっている。第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、共にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＺｎＯ（Zinc Oxide）といった透明電極材料からなる。第２層間絶縁膜４１は、無機材料である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる、無機絶縁膜とされる。これら各絶縁膜３７，３９〜４１のうち、有機絶縁膜４０は、その膜厚が他の無機絶縁膜３７，３９，４１に比べて厚く、具体的には例えば２μｍ（二万Å）程度とされており、平坦化膜として機能するものである。各絶縁膜３７，３９〜４１のうち、有機絶縁膜４０を除いた各無機絶縁膜３７，３９，４１は、その膜厚が有機絶縁膜４０に比べて薄く、具体的には例えば０．３μｍ（三千Å）程度とされる。アレイ基板側配向膜１１ｅは、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるためのものであり、例えばポリイミドからなるものとされる。アレイ基板側配向膜１１ｅは、液晶層１１ｃに臨むよう第２層間絶縁膜４１及び画素電極１８の表面を覆うとともに、アレイ基板１１ｂにおける表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲にわたるようベタ状に形成され、詳しくは表示領域ＡＡの全域と非表示領域ＮＡＡの内周側部分（表示領域ＡＡに隣り合う部分）とにわたって配されている。このアレイ基板側配向膜１１ｅは、特定の波長領域の光（例えば紫外線など）が照射されることで、その光の照射方向に沿って液晶分子を配向させることが可能な光配向膜とされる。上記した各膜のうち、第１透明電極膜２３及び第２透明電極膜２４は、アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡにのみ形成され、非表示領域ＮＡＡには形成されていないのに対し、ゲート絶縁膜３５、保護膜３７、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１といった絶縁材料からなる各絶縁膜については、アレイ基板１１ｂのほぼ全面にわたるベタ状のパターン（一部に開口を有する）として形成されている。また、第１金属膜３４、半導体膜３６及び第２金属膜３８は、アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡ及び非表示領域ＮＡＡの双方に所定のパターンでもって形成されている。

続いて、アレイ基板１１ｂにおける表示領域ＡＡ内に存在する構成について順次に詳しく説明する。アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡには、図５に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ（薄膜トランジスタ、表示素子）１７及び画素電極１８が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これらＴＦＴ１７及び画素電極１８の周りには、格子状をなすゲート配線（走査信号線、行制御線）１９及びソース配線（列制御線、データ線）２０が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線１９及びソース配線２０の交差部に、ＴＦＴ１７及び画素電極１８が行列状に並列配置されている。ゲート配線１９は、第１金属膜３４からなるのに対し、ソース配線２０は、第２金属膜３８からなり、相互の交差部位間にはゲート絶縁膜３５及び保護膜３７が介在する形で配されている。詳しくは次述するが、ゲート配線１９とソース配線２０とが、それぞれＴＦＴ１７のゲート電極１７ａとソース電極１７ｂとに接続され、画素電極１８がＴＦＴ１７のドレイン電極１７ｃに接続されている（図６）。ゲート配線１９は、画素電極１８における一方（図５に示す下側）の端部に対して平面に視て（アレイ基板１１ｂ（ガラス基板ＧＳ）の板面に対する法線方向から視て）重畳する配置とされる。さらには、アレイ基板１１ｂには、ゲート配線１９に並行するとともに画素電極１８の一部に対して平面に視て重畳する補助容量配線（蓄積容量配線、Ｃｓ配線）２５が設けられている。補助容量配線２５は、ゲート配線１９と同じ第１金属膜３４からなり、画素電極１８における他方（図５に示す上側）の端部に対して平面に視て重畳する配置、つまりＹ軸方向についてゲート配線１９との間に画素電極１８の中央側部分を挟んで反対側に配されている。言い換えると、補助容量配線２５は、自身が重畳した画素電極１８に対して図５に示す上側に隣り合う画素電極１８にＴＦＴ１７を介して接続されたゲート配線１９との間に、Ｙ軸方向について所定の間隔を空けつつ隣り合う配置とされる。補助容量配線２５は、Ｙ軸方向についてゲート配線１９と交互に配されている。

ＴＦＴ１７は、図５に示すように、ゲート配線１９上に載る形、つまりその全体がゲート配線１９と平面に視て重畳する形で配されており、ゲート配線１９の一部がＴＦＴ１７のゲート電極１７ａを構成するとともに、ソース配線２０のうちゲート配線１９と平面に視て重畳する部分がＴＦＴ１７のソース電極１７ｂを構成している。ＴＦＴ１７は、ソース電極１７ｂとの間にＸ軸方向について所定の間隔を空けつつ対向状に配されることで島状をなすドレイン電極１７ｃを有している。ドレイン電極１７ｃは、ソース電極１７ｂ（ソース配線２０）と同じ第２金属膜３８からなり、画素電極１８における一方の端部（後述するスリット１８ａの非形成部位）と平面に視て重畳する配置とされる。また、ドレイン電極１７ｃには、同じ第２金属膜３８からなるドレイン配線２７が連ねられており、このドレイン配線２７は、連ねられたドレイン電極１７ｃからＹ軸方向に沿って図５に示す下側、つまり補助容量配線２５側に向けて延出するとともにその延出端には、補助容量配線２５及び隣の画素電極１８（詳しくは当該ドレイン電極１７ｃに接続された画素電極１８に対して図５に示す下側に隣り合う画素電極１８）に対して平面に視て重畳することで容量を形成する容量形成部２７ａが形成されている。なお、ゲート配線１９のうちソース配線２０とは平面に視て非重畳とされる部分は、ソース配線２０と平面に視て重畳する部分に比べて線幅が広くなるよう形成されているのに対し、ソース配線２０のうちゲート配線１９及び補助容量配線２５と平面に視て重畳する部分は、ゲート配線１９及び補助容量配線２５とは平面に視て非重畳とされる部分に比べて線幅が広くなるよう形成されている。

ＴＦＴ１７は、図６に示すように、第１金属膜３４からなるゲート電極１７ａと、半導体膜３６からなりゲート電極１７ａと平面に視て重畳するチャネル部１７ｄと、保護膜３７からなりチャネル部１７ｄと平面に視て重畳する位置に２つの開口部１７ｅ１，１７ｅ２が貫通して形成されてなる保護部１７ｅと、第２金属膜３８からなり２つの開口部１７ｅ１，１７ｅ２のうちの一方の開口部１７ｅ１を通してチャネル部１７ｄに接続されるソース電極１７ｂと、第２金属膜３８からなり２つの開口部１７ｅ１，１７ｅ２のうちの他方の開口部１７ｅ２を通してチャネル部１７ｄに接続されるドレイン電極１７ｃとを有している。このうち、ゲート電極１７ａは、ゲート配線１９のうち少なくともソース電極１７ｂ、ドレイン電極１７ｃ及びチャネル部１７ｄと平面に視て重畳する部分を含んでいる。チャネル部１７ｄは、Ｘ軸方向に沿って延在するとともにソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとを架け渡して両電極１７ｂ，１７ｃ間での電子の移動を可能としている。ここで、チャネル部１７ｄをなす半導体膜３６は、既述した通り酸化物半導体薄膜であり、この酸化物半導体薄膜は、電子移動度がアモルファスシリコン薄膜などに比べると、例えば２０倍〜５０倍程度と高くなっているので、ＴＦＴ１７を容易に小型化して画素電極１８の透過光量を極大化することができ、もって高精細化及びバックライト装置１４の低消費電力化などを図る上で好適とされる。しかも、チャネル部１７ｄの材料を酸化物半導体とすることで、仮にチャネル部の材料としてアモルファスシリコンを用いた場合に比べると、ＴＦＴ１７のオフ特性が高く、オフリーク電流が例えば１００分の１程度と極めて少なくなるので、画素電極１８の電圧保持率が高いものとなり、もって液晶パネル１１の低消費電力化などを図る上で有用とされる。このような酸化物半導体薄膜を有するＴＦＴ１７は、ゲート電極１７ａが最下層に配され、その上層側にゲート絶縁膜３５を介してチャネル部１７ｄが積層されてなる、逆スタガ型とされており、一般的なアモルファスシリコン薄膜を有するＴＦＴと同様の積層構造とされる。

画素電極１８は、図６に示すように、第２透明電極膜２４からなり、ゲート配線１９とソース配線２０とに囲まれた領域において全体として平面に視て縦長の略方形状（略矩形状）をなしている。画素電極１８における一方の端部がゲート配線１９と平面に視て重畳するのに対し、この重畳部分を除いた部分は、ゲート配線１９とは平面に視て非重畳とされるとともに、この非重畳部分には、縦長のスリット１８ａが複数本（図５では２本）設けられることで略櫛歯状に形成されている。なお、このスリット１８ａは、画素電極１８のうちゲート配線１９と平面に視て重畳される部分の一部にまで延びている。また、画素電極１８における図５に示す下端位置は、ゲート配線１９の同下端位置と、ドレイン電極１７ｃの同下端位置との間とされ、詳細にはドレイン電極１７ｃの同下端位置寄りの配置とされる。画素電極１８は、第２層間絶縁膜４１上に形成されており、次述する共通電極２２との間に第２層間絶縁膜４１が介在している。画素電極１８の下層側に配された第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０及び第２層間絶縁膜４１のうち、ドレイン電極１７ｃ及び画素電極１８と平面に視て重畳する位置には、コンタクトホール２６が上下に貫通する形で形成されており、このコンタクトホール２６を通して画素電極１８がドレイン電極１７ｃに接続されている。これにより、ＴＦＴ１７のゲート電極１７ａを通電すると、チャネル部１７ｄを介してソース電極１７ｂとドレイン電極１７ｃとの間に電流が流されるとともに画素電極１８に所定の電位が印加される。

共通電極２２は、第１透明電極膜２３からなり、アレイ基板１１ｂの表示領域ＡＡにおけるほぼ全面にわたる、いわゆるベタ状のパターンとされる。共通電極２２は、図６に示すように、有機絶縁膜４０と第２層間絶縁膜４１との間に挟まれる形で配されている。共通電極２２には、図示しない共通配線から共通電位（基準電位）が印加されるので、上記のようにＴＦＴ１７により画素電極１８に印加する電位を制御することで、両電極１８，２２間に所定の電位差を生じさせることができる。両電極１８，２２間に電位差が生じると、液晶層１１ｃには、画素電極１８のスリット１８ａによってアレイ基板１１ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が印加されるので、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子のうち、スリット１８ａに存在するものに加えて、画素電極１８上に存在するものもその配向状態を適切にスイッチングすることができる。もって、液晶パネル１１の開口率が高くなって十分な透過光量が得られるとともに、高い視野角性能を得ることができる。なお、共通電極２２には、ＴＦＴ１７の一部と平面に視て重畳する部分（詳しくは、図５において二点鎖線にて囲んだ略方形状の範囲）に開口部２２ａが形成されている。

続いて、ＣＦ基板１１ａにおける表示領域ＡＡ内に存在する構成について詳しく説明する。ＣＦ基板１１ａにおける内面側（液晶層１１ｃ側、アレイ基板１１ｂとの対向面側）には、図４に示すように、表面に重なる形でカラーフィルタ１１ｈ及び遮光部（ブラックマトリクス）１１ｉが設けられている。このうち、カラーフィルタ１１ｈは、相対的に上層側に、遮光部１１ｉは、相対的に下層側にそれぞれ配されている。カラーフィルタ１１ｈは、感光性樹脂材料に着色のための顔料を含有させてなり、ＣＦ基板１１ａに製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで形成されている。カラーフィルタ１１ｈは、ＣＦ基板１１ａの表示領域ＡＡにおいて、アレイ基板１１ｂ側の各画素電極１８と平面に視て重畳する位置に行列状（マトリクス状）に平面配置される多数の着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢから構成されている。各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢは、その外形が対向する画素電極１８の外形に倣って平面に視て縦長の方形状をなしており、対向する画素電極１８と共に画素（単位画素）を構成している。カラーフィルタ１１ｈは、赤色、緑色、青色をそれぞれ呈する各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢが行方向（Ｘ軸方向）に沿って交互に繰り返し並ぶことで着色部群を構成し、その着色部群が列方向（Ｙ軸方向）に沿って多数並ぶ配置とされる。遮光部１１ｉは、感光性樹脂材料に遮光材料（例えばカーボンブラック）を含有させることで高い遮光性を有しており、ＣＦ基板１１ａに製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで形成されている。遮光部１１ｉは、ＣＦ基板１１ａの表示領域ＡＡにおいて、互いに隣り合う各着色部１１ｈＲ，１１ｈＧ，１１ｈＢ間を仕切るよう配されることで画素間の混色を防止する画素間遮光部（格子状遮光部）と、ＣＦ基板１１ａの非表示領域ＮＡＡにおいて、額縁状をなす額縁状遮光部とから構成されている。このうち、画素間遮光部は、アレイ基板１１ｂ側のゲート配線１９及びソース配線２０に対して平面に視て重畳するよう格子状に形成されている。

ＣＦ基板１１ａには、図４に示すように、上記したカラーフィルタ１１ｈ及び遮光部１１ｉを覆う形でＯＣ層（オーバーコート層、絶縁膜）１１ｋが形成されている。ＯＣ層１１ｋは、アレイ基板１１ｂ側の有機絶縁膜４０と同様に、例えば感光性を有する有機材料であるアクリル系樹脂材料（例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ））からなり、ＣＦ基板１１ａの製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされるようになっている。ＯＣ層１１ｋは、その膜厚がカラーフィルタ１１ｈや遮光部１１ｉよりも厚くされることで、平坦化膜として機能するものである。ＣＦ基板１１ａには、ＯＣ層１１ｋの一部に対して積層する形でスペーサ部（フォトスペーサ）１１ｌが形成されている。スペーサ部１１ｌは、ＯＣ層１１ｋからアレイ基板１１ｂ側に向けて液晶層１１ｃを貫く形で突出する柱状をなすとともにその立ち上がり先端部が対向するアレイ基板側配向膜１１ｅに対して当接されることで、表示領域ＡＡにおいて一対の基板１１ａ，１１ｂ間の間隔（内部空間ＩＳの厚み）、つまりセルギャップを一定に維持することが可能とされており、表示領域ＡＡ内に多数が各色の画素毎に分散配置されている。スペーサ部１１ｌは、ほぼ透明な感光性樹脂材料からなり、ＣＦ基板１１ａに製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで形成されている。スペーサ部１１ｌは、遮光部１１ｉの画素間遮光部と平面に視て重畳する位置に配されており、それによりアレイ基板１１ｂ側から各着色部へ向かう光の妨げとなり難いものとされる。詳しくは、スペーサ部１１ｌは、アレイ基板１１ｂ側のゲート配線１９とソース配線２０との交差部（ソース電極１７ｂ）と平面に視て重畳する平面配置とされる。ＯＣ層１１ｋの表面には、図７に示すように、液晶層１１ｃに含まれる液晶分子を配向させるためのＣＦ基板側配向膜（配向膜）１１ｄが液晶層１１ｃに臨む形で形成されている。ＣＦ基板側配向膜１１ｄは、例えばポリイミドからなるものとされており、ＣＦ基板１１ａにおける表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る範囲にわたるようベタ状に形成され、詳しくは表示領域ＡＡの全域と非表示領域ＮＡＡの内周側部分（表示領域ＡＡに隣り合う部分）とにわたって配されている。このＣＦ基板側配向膜１１ｄは、特定の波長領域の光（例えば紫外線など）が照射されることで、その光の照射方向に沿って液晶分子を配向させることが可能な光配向膜とされる。

ここで、上記した液晶パネル１１に係る駆動方法に関して説明する。液晶パネル１１の駆動に際しては、制御回路基板１２によりドライバ２１を介して液晶パネル１１に各種信号を供給することで、各ＴＦＴ１７の動作を制御している。具体的には、制御回路基板１２は、ドライバ２１を介して各ゲート配線１９に走査信号を供給するとともに各ソース配線２０にデータ信号を供給することで、行方向に沿って並ぶ画素群を構成するＴＦＴ１７群を列方向に沿って順次に走査し、それにより画素群を構成する画素電極１８群を列方向に沿って順次に充電するようにしている。この駆動に際しては、全てのゲート配線１９を走査して画面のリフレッシュを行う走査期間（リフレッシュ期間、リフレッシュフレーム）に続いて、全てのゲート配線１９を非走査状態として画面のリフレッシュを休止する休止期間（ノンリフレッシュ期間、ノンリフレッシュフレーム）を設ける駆動方式（休止駆動）を採れば、制御回路基板１２及びドライバ２１の動作が休止されることで液晶表示装置１０の消費電力を低減することができる。このような休止駆動を行うと、走査に伴って画素電極１８に充電された電圧が休止期間において低下することが懸念される。つまり、仮にＴＦＴ１７や画素電極１８からリーク電流が流れると、走査期間にて画素電極１８に充電された電圧が休止期間の間に低下し易くなり、それにより液晶層１１ｃの配向状態が変化するとともにその画素における光の透過光量が変化し、結果として表示品位が低下するおそれがある。その点、本実施形態では、ＴＦＴ１７の半導体膜３６として酸化物半導体を用いるようにしているので、ＴＦＴ１７のオフリーク電流が少なくなっている。これにより、画素電極１８の電圧保持率が高いものとなり、上記のような休止駆動を行う上で極めて好適となっている。この休止駆動は、主に液晶パネル１１に静止画を表示する際に用いられる。

ところで、上記した構成の液晶パネル１１をなすアレイ基板１１ｂには、図７及び図９に示すように、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜範囲を規制するための成膜範囲規制部２８が設けられている。アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜は、アレイ基板１１ｂの製造工程において、インクジェット装置によりアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を表示領域ＡＡに供給し、その材料がアレイ基板１１ｂの板面に沿って広がることでなされるのであるが、このときにアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が広がる範囲を成膜範囲規制部２８により規制することで、同材料がシール部１１ｊの形成予定箇所に付着したり、ドライバ２１やフレキシブル基板１３の実装領域（ドライバ２１やフレキシブル基板１３に対する接続端子）に付着する事態を回避することができる。以下、成膜範囲規制部２８について詳しく説明する。なお、図７では、紙面の都合上、成膜範囲規制部２８を太線により図示している。

成膜範囲規制部２８は、図７及び図９に示すように、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいて、有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で設けられており、断面形状が略円弧状に湾曲した溝からなるものとされる。成膜範囲規制部２８は、非表示領域ＮＡＡのうち、シール部１１ｊよりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに、表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲むよう平面に視て枠状（無端環状）をなしている。言い換えると、成膜範囲規制部２８は、非表示領域ＮＡＡのうち、シール部１１ｊの内周側の位置に配されるとともに、シール部１１ｊに沿ってその全周にわたって並行する形で枠状をなしている。成膜範囲規制部２８は、図８及び図９に示すように、非表示領域ＮＡＡにおいて内周側（相対的に表示領域ＡＡに近い側）と外周側（相対的にシール部１１ｊに近い側）とに２つが互いに並行する形で設けられており、その間には所定の間隔が空けられている。これにより、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜に際して、仮に内周側の成膜範囲規制部２８によりアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の流動を規制できなかった場合でも、外周側の成膜範囲規制部２８によってアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の流動を規制することが可能とされる。このような成膜範囲規制部２８が設けられた有機絶縁膜４０の上層側に積層される第２層間絶縁膜４１は、成膜範囲規制部２８と平面に視て重畳する部分については、成膜範囲規制部２８に倣って略円弧状に湾曲した断面形状とされている。

そして、成膜範囲規制部２８の側面は、図９に示すように、ガラス基板ＧＳの法線方向（Ｚ軸方向）に対して傾斜状をなしており、その傾斜角度が所定の値に設定されることで、アレイ基板側配向膜１１ｅを成膜する際に表示領域ＡＡ側から外側に向けて広がるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を支持し、同材料がそれ以上広がるのを規制することが可能とされる。詳しくは、成膜範囲規制部２８の側面は、図１０に示すように、ガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部２８の幅方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）についての位置に応じて連続的に変化しており、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料に対する支持部位がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度θ１が最小値θ２とはならない設定とされる。言い換えると、成膜範囲規制部２８の側面におけるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料に対する支持部位は、成膜範囲規制部２８の側面のうちガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ２となる位置よりも表示領域ＡＡ寄りとなる設定とされる。つまり、成膜範囲規制部２８の側面におけるガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ２は、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜時にその材料を確実に支持してそれ以上の広がりを確実に規制することができるような値に設定されている。具体的には、成膜範囲規制部２８は、側面におけるガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ２が、５０°以下となるよう設けられている。図１０では、成膜範囲規制部２８の側面におけるガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ２が約５０°とされるものを例示している。なお、成膜範囲規制部２８の側面のうちアレイ基板側配向膜１１ｅの材料に対する支持部位がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度θ１は、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料の流動を規制する「流動規制角度」と言い換えることができ、側面が上記法線方向に対してなす角度が、流動規制角度θ１よりも大きければアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の流動を規制可能とされ、逆に流動規制角度θ１よりも小さければアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の流動を規制するのが難しくなる。この流動規制角度θ１は、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料に係る表面張力及び粘度などによって決まるものとされる。また、成膜範囲規制部２８の側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度は、小さいほど急な傾斜であり、逆に大きいほど緩やかな傾斜である、と言える。以上のように成膜範囲規制部２８は、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡに配されるとともに絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で設けられることで、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜範囲を規制することができるものとされる。

ところで、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜に際して、成膜範囲規制部２８の側面にて支持されたアレイ基板側配向膜１１ｅの材料は、図９に示すように、その支持位置（アレイ基板側配向膜１１ｅの最外端位置）を起点として表示領域ＡＡに戻されることになる。そして、この戻された材料が盛り上がった形で固化することで、アレイ基板側配向膜１１ｅには、上記材料の支持位置である最外端位置から所定幅にわたって膜厚が局所的に厚い肉厚部分ＦＰが形成されることになる。この肉厚部分ＦＰは、アレイ基板側配向膜１１ｅのうち、非表示領域ＮＡＡに配される部分のみならず、表示領域ＡＡに配される部分にまで及ぶ形で形成されると、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚にムラが生じてしまう。このようにアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚ムラが表示領域ＡＡ内に生じると、液晶パネル１１に表示される画像に係る表示品位が低下するおそれがあった。特に、液晶表示装置１０が狭額縁化されると、成膜範囲規制部２８によるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の支持位置から表示領域ＡＡまでの距離が短くなるため、上記肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内により配され易くなり、表示品位の低下がより生じ易くなる傾向にあった。

そこで、本実施形態に係るアレイ基板１１ｂには、図７及び図９に示すように、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜時にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を貯留することが可能な配向膜材料貯留部２９が設けられている。配向膜材料貯留部２９は、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいて、有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で設けられており、断面形状が略円弧状に湾曲した溝からなるものとされる。そして、配向膜材料貯留部２９は、その側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部２８の側面が同法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている。このような構成により、配向膜材料貯留部２９における側面にてアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の広がりが規制され難く、それにより同材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留され易くなっている。従って、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が成膜範囲規制部２８の側面にて支持されることで表示領域ＡＡ側に戻されるのに伴ってアレイ基板側配向膜１１ｅに肉厚部分ＦＰが生じても、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留される分だけ、肉厚部分ＦＰの形成範囲が狭くなるので、同肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形とはなり難くなる。これにより、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚が均一なものとなるので、ＣＦ基板１１ａを備えた液晶パネル１１においてなされる表示に係る表示品位の向上が図られ、特に狭額縁化を図る上で好適となる。以下、配向膜材料貯留部２９について詳しく説明する。

配向膜材料貯留部２９は、非表示領域ＮＡＡのうち、成膜範囲規制部２８よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに、表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲むよう平面に視て枠状（無端環状）をなしている。言い換えると、配向膜材料貯留部２９は、非表示領域ＮＡＡのうち、成膜範囲規制部２８の内周側の位置に配されるとともに、成膜範囲規制部２８に沿ってその全周にわたって並行する形で枠状をなしている。さらに別言すると、アレイ基板１１ｂにおいて、表示領域ＡＡから成膜範囲規制部２８に至るまでの間に必ず配向膜材料貯留部２９を横切る配置となっている。これにより、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜に際して、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が表示領域ＡＡ側から外側に向けて広がる際に、必ず配向膜材料貯留部２９を経由し、配向膜材料貯留部２９内を満たしてから、成膜範囲規制部２８へ向かうよう流動することになる。従って、表示領域ＡＡの全周にわたってアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚が均一化されるようになっている。

配向膜材料貯留部２９は、図８及び図９に示すように、その深さ寸法が成膜範囲規制部２８の深さ寸法とほぼ同じとされるものの、幅寸法が成膜範囲規制部２８の幅寸法よりも大きくなるよう設けられている。これにより、配向膜材料貯留部２９内にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料をより多く貯留することができるので、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚をより好適に均一化することができる。それに加えて、有機絶縁膜４０をフォトリソグラフィ法によりパターニングして配向膜材料貯留部２９を設けるに際して、仮に配向膜材料貯留部の深さを成膜範囲規制部２８よりも深くすることで配向膜材料貯留部内の容積を稼ごうとした場合、フォトマスクを用いて有機絶縁膜４０を露光する際の露光量の制御が難しくなるのに比べると、容易に配向膜材料貯留部２９を設けることができる。配向膜材料貯留部２９は、内周側に配された成膜範囲規制部２８との間に所定の間隔を空けた位置に配されており、その間隔が、２つの成膜範囲規制部２８の間に空けられた間隔や、外周側の成膜範囲規制部２８とシール部１１ｊとの間に空けられた間隔よりも大きなものとされる。このような配向膜材料貯留部２９が設けられた有機絶縁膜４０の上層側に積層される第２層間絶縁膜４１は、配向膜材料貯留部２９と平面に視て重畳する部分については、配向膜材料貯留部２９に倣って略円弧状に湾曲した断面形状とされている。つまり、有機絶縁膜４０は、非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部２８及び配向膜材料貯留部２９が設けられることで、部分的に凹んでいて膜厚が変化しているのに対し、第１層間絶縁膜３９及び第２層間絶縁膜４１は、非表示領域ＮＡＡにおいて全域にわたってほぼ一定の膜厚とされている。

そして、配向膜材料貯留部２９の側面は、図９に示すように、ガラス基板ＧＳの法線方向（Ｚ軸方向）に対して傾斜状をなしており、その傾斜角度が以下のように設定されることで、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜時に、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が配向膜材料貯留部２９の側面にて支持されることなく、配向膜材料貯留部２９内に流入するようになっている。詳しくは、配向膜材料貯留部２９の側面は、図１０に示すように、ガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度が、配向膜材料貯留部２９の幅方向（Ｘ軸方向またはＹ軸方向）についての位置に応じて連続的に変化しており、その最小値θ３が、成膜範囲規制部２８の側面のうちのアレイ基板側配向膜１１ｅの材料に対する支持部位がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度（流動規制角度）θ１よりも大きくなる設定とされる。これにより、配向膜材料貯留部２９における側面において、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料の流動が規制されることが避けられるので、同材料が配向膜材料貯留部２９内に流入して貯留される確実性が高いものとなっている。しかも、配向膜材料貯留部２９は、その側面がほぼ全域にわたってほぼ同じ断面形状とされるとともに、周方向についての断面位置に関わらずガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度がほぼ一定とされている。従って、配向膜材料貯留部２９は、その側面のほぼ全域に関して、ガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、上記流動規制角度θ１よりも大きくなる設定とされる。具体的には、配向膜材料貯留部２９は、側面におけるガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、６０°〜８０°の範囲となるよう設けられている。より好ましくは、配向膜材料貯留部２９は、側面におけるガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、７０°〜８０°の範囲となるよう設けられている。図１０では、配向膜材料貯留部２９の側面におけるガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ３が約７５°とされるものを例示している。なお、配向膜材料貯留部２９の側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度は、小さいほど急な傾斜であり、逆に大きいほど緩やかな傾斜である、と言える。つまり、配向膜材料貯留部２９は、その側面が成膜範囲規制部２８の側面に比べると、概して緩やかな傾斜とされており、逆に成膜範囲規制部２８は、その側面が配向膜材料貯留部２９の側面に比べると、概して急な傾斜とされている。以上のように配向膜材料貯留部２９は、アレイ基板１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいて、成膜範囲規制部２８よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で設けられ、且つその側面の少なくとも一部がガラス基板ＧＳの板面に係る法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部２８の側面が同法線方向に対してなす角度よりも大きくされることで、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料を貯留することができるものとされる。

本実施形態は以上のような構造であり、続いて液晶パネル１１の製造方法を説明する。本実施形態に係る液晶パネル１１は、アレイ基板１１ｂを製造するアレイ基板製造工程と、ＣＦ基板１１ａを製造するＣＦ基板製造工程と、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を経ることで製造されるものとされる。本実施形態ではＣＦ基板製造工程及び貼り合わせ工程について説明を省略し、アレイ基板製造工程について詳しく説明する。

アレイ基板製造工程について説明する。アレイ基板製造工程では、アレイ基板１１ｂをなすガラス基板ＧＳ上に、第１金属膜３４、ゲート絶縁膜３５、半導体膜３６、保護膜３７、第２金属膜３８、第１層間絶縁膜３９、有機絶縁膜４０、第１透明電極膜２３、第２層間絶縁膜４１、第２透明電極膜２４、アレイ基板側配向膜１１ｅの順で各膜を成膜することでアレイ基板１１ｂが製造される。このうち、有機絶縁膜４０の成膜に際しては、フォトリソグラフィ法によりガラス基板ＧＳ上に形成された有機絶縁膜４０をなす感光性樹脂材料をパターニングするのであるが、このときに成膜範囲規制部２８の側面に比べて緩やかな傾斜とされる側面を有する配向膜材料貯留部２９を設けるため、次のような構成のハーフトーンマスク３０が用いられている。

ハーフトーンマスク３０は、図１１に示すように、透明なガラス基材３０ａと、ガラス基材３０ａの板面に形成されて光源からの露光光を遮光する遮光膜３０ｂと、ガラス基材３０ａの板面に形成されて光源からの露光光を所定の透過率でもって透過する半透過膜３０ｃとからなる。遮光膜３０ｂは、露光光の透過率がほぼ０％とされる。半透過膜３０ｃは、遮光膜３０ｂに対してガラス基材３０ａ側とは反対側に積層される形で形成されており、露光光の透過率が例えば１０％〜７０％程度とされている。そして、このハーフトーンマスク３０に備えられる遮光膜３０ｂ及び半透過膜３０ｃには、有機絶縁膜４０のうちのコンタクトホール２６、成膜範囲規制部２８及び配向膜材料貯留部２９の各形成予定位置に対応付けられた位置に、それぞれ開口部が形成されている。具体的には、遮光膜３０ｂ及び半透過膜３０ｃのうち、コンタクトホール２６の形成予定位置に対応付けられた位置にコンタクトホール用開口部が、成膜範囲規制部２８の形成予定位置に対応付けられた位置に規制部用開口部３０ｂ１，３０ｃ１が、配向膜材料貯留部２９の形成予定位置に対応付けられた位置に貯留部用開口部３０ｂ２，３０ｂ３，３０ｃ２が、それぞれ形成されている。なお、コンタクトホール用開口部については図示を省略する。規制部用開口部３０ｂ１，３０ｃ１は、遮光膜３０ｂ及び半透過膜３０ｃにおいて互いに全域が平面に視て重畳する配置とされているので、光源からの露光光がほぼ１００％透過される透過領域ＴＡとされている。一方、貯留部用開口部３０ｂ２，３０ｂ３，３０ｃ２には、遮光膜３０ｂにそれぞれ形成された第１貯留部用開口部３０ｂ２及び第２貯留部用開口部３０ｂ３と、半透過膜３０ｃに形成された第３貯留部用開口部３０ｃ２とが含まれており、このうちの第１貯留部用開口部３０ｂ２と第３貯留部用開口部３０ｃ２とが互いに全域が平面に視て重畳する配置とされるのに対し、第２貯留部用開口部３０ｂ３は第３貯留部用開口部３０ｃ２とは平面に視て非重畳となる配置とされる。従って、互いに重畳する第１貯留部用開口部３０ｂ２及び第３貯留部用開口部３０ｃ２は、光源からの露光光がほぼ１００％透過される透過領域ＴＡとされるのに対し、遮光膜３０ｂのみに形成された第２貯留部用開口部３０ｂ３は、光源からの露光光が半透過膜３０ｃの透過率とほぼ同じ割合でもって透過される半透過領域ＨＴＡとされる。第２貯留部用開口部３０ｂ３は、第１貯留部用開口部３０ｂ２及び第２貯留部用開口部３０ｂ３を内周側（表示領域ＡＡ側）と外周側（成膜範囲規制部２８側）とから挟み込む形で一対設けられている。なお、遮光部３０ｂが形成された領域は、半透過膜３０ｃの有無を問わず露光光の透過率がほぼ０％とされる遮光領域とされる。

このような構成のハーフトーンマスク３０を介して光源からの露光光が有機絶縁膜４０に照射された後に現像がなされると、図１１に示すように、有機絶縁膜４０のうちの透過領域ＴＡと平面に視て重畳する部分に、コンタクトホール２６、成膜範囲規制部２８、及び配向膜材料貯留部２９の中央側部分がそれぞれ形成されるのに対し、半透過領域ＨＴＡと平面に視て重畳する部分に、配向膜材料貯留部２９の両端側部分が形成される。これにより、配向膜材料貯留部２９は、その側面が成膜範囲規制部２８の側面よりも緩やかな傾斜となる断面形状に形成される。

次に、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜工程について詳しく説明する。アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜に際しては、インクジェット装置に備えられるノズルからアレイ基板側配向膜１１ｅの材料である液滴ＰＩＭをアレイ基板１１ｂをなすガラス基板ＧＳ上に吐出し、表示領域ＡＡに着弾させる。アレイ基板１１ｂをなすガラス基板ＧＳの表示領域ＡＡに着弾した液滴ＰＩＭは、図１２に示すように、第２層間絶縁膜４１の表面において着弾位置から濡れ広がることで、同様に広がる隣の液滴ＰＩＭと繋がることで、アレイ基板側配向膜１１ｅを構成していく。ここで、表示領域ＡＡにおける最も外端寄りの位置に着弾した液滴ＰＩＭは、非表示領域ＮＡＡ側へと濡れ広がる過程で、まず配向膜材料貯留部２９に達する。この配向膜材料貯留部２９は、側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、流動規制角度θ１よりも大きくなるよう設けられているので、アレイ基板側配向膜１１ｅの液滴ＰＩＭが配向膜材料貯留部２９の側面にて支持されることなく、スムーズに配向膜材料貯留部２９内に流入することになる。アレイ基板側配向膜１１ｅの液滴ＰＩＭは、配向膜材料貯留部２９内を満たした後にそこからさらに外側へと濡れ広がる。

そして、アレイ基板側配向膜１１ｅの液滴ＰＩＭが成膜範囲規制部２８に達すると、成膜範囲規制部２８の側面における所定位置において同側面により支持されることで、それ以上外側に広がるのが規制される。これにより、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料がシール部１１ｊの形成予定位置に付着したり、ドライバ２１やフレキシブル基板１３の実装領域に付着するのが回避されるので、シール部１１ｊのシール性能が良好に保たれるとともに、ドライバ２１及びフレキシブル基板１３に接続不良が生じ難くなる。シール部１１ｊのシール性能が良好に保たれることで、外部の水分が液晶層１１ｃ内に入り難くなるので、ＴＦＴ１７に備えられた、酸化物半導体からなる半導体膜３６が水分に曝されることが避けられる。これにより、半導体膜３６の電気的な特性が変化し難くなるので、ＴＦＴ１７に性能劣化が生じ難くなるとともに、液晶パネル１１に表示不良が生じ難くなる。また、液晶層１１ｃ内に水分が取り込まれ難くなることで、ＴＦＴ１７や画素電極１８に生じ得るリーク電流が十分に小さなものとなるので、当該画素電極１８に充電された電圧が低下し難くなり、特に休止駆動を行う上で好適となる。

ここで、成膜範囲規制部２８の側面にて支持されたアレイ基板側配向膜１１ｅの液滴ＰＩＭは、その支持位置を起点として内側に戻されるため、その戻された液滴ＰＩＭによって盛り上がった部分が生じる。この盛り上がった部分がそのまま固化すると、成膜範囲規制部２８の側面によるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の支持位置を起点として所定幅にわたって膜厚が局所的に厚い肉厚部分ＦＰが形成される。このような肉厚部分ＦＰが生じたとしても、有機絶縁膜４０を凹ませて設けられた配向膜材料貯留部２９内にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が貯留される分だけ、上記アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜時にその材料の盛り上がりが抑制されることで、肉厚部分ＦＰの形成範囲が狭くなる。これにより、アレイ基板側配向膜１１ｅの肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形で配され難くなるので、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚が均一なものとなる。もって、ＣＦ基板１１ａを備えた液晶パネル１１においてなされる表示に係る表示品位の向上が図られ、特に狭額縁化を図る上で好適となる。

以上説明したように本実施形態のアレイ基板（表示部品）１１ｂは、表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡとに区分されるガラス基板（基板）ＧＳと、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されるとともにガラス基板ＧＳに設けられる絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０と、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されるとともに絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面に重なる形で設けられるアレイ基板側配向膜（配向膜）１１ｅと、非表示領域ＮＡＡに配されるとともに絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で設けられる成膜範囲規制部２８と、非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部２８よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０を部分的に凹ませる形で設けられ、且つその側面の少なくとも一部がガラス基板ＧＳの板面に係る法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部２８の側面が法線方向に対してなす角度よりも大きい配向膜材料貯留部２９と、を備える。

アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜に際しては、液体状態とされるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を、ガラス基板ＧＳにおける表示領域ＡＡに供給するようにしており、その材料がガラス基板ＧＳに設けられた絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面において広がるよう流動することで、絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面に重なる形でアレイ基板側配向膜１１ｅが成膜されるようになっている。アレイ基板側配向膜１１ｅは、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されることで、表示領域ＡＡに欠損なく配置される確実性が高いものとなっている。

ここで、非表示領域ＮＡＡには、絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面を部分的に凹ませる形で成膜範囲規制部２８が設けられているので、成膜時に絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面において表示領域ＡＡ側から非表示領域ＮＡＡ側へと広がるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が成膜範囲規制部２８によってそれよりも外側に広がるのが避けられる。これにより、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜範囲が規制される。ところで、成膜時に絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０の表面を広がるアレイ基板側配向膜１１ｅの材料は、成膜範囲規制部２８に到達すると、同材料が成膜範囲規制部２８の側面にて支持されることでそれ以上の広がりが規制されるのであるが、広がりが規制された材料は表示領域ＡＡ側に戻されることになるため、上記側面による支持位置を起点としてアレイ基板側配向膜１１ｅに膜厚が局所的に厚くなる部分、つまり肉厚部分ＦＰが生じることになる。このアレイ基板側配向膜１１ｅに生じる肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形となると、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚にムラが生じてしまう。特に、非表示領域ＮＡＡの幅が狭くなる、いわゆる狭額縁化が進行すると、上記肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に配され易くなる傾向にあった。

そこで、非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部２８よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に、絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０を部分的に凹ませる形で配向膜材料貯留部２９を設け、その配向膜材料貯留部２９における側面の少なくとも一部がガラス基板ＧＳの板面に係る法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部２８の側面が同法線方向に対してなす角度よりも大きくされているので、配向膜材料貯留部２９における側面の少なくとも一部にてアレイ基板側配向膜１１ｅの材料の広がりが規制され難く、それにより同材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留される。従って、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が成膜範囲規制部２８の側面にて支持されることで表示領域ＡＡ側に戻されるのに伴ってアレイ基板側配向膜１１ｅに肉厚部分ＦＰが生じても、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留される分だけ、肉厚部分ＦＰの形成範囲が狭くなるので、同肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形とはなり難くなっている。これにより、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚が均一なものとなるので、当該アレイ基板１１ｂを用いてなされる表示に係る表示品位の向上が図られる。特に、狭額縁化を図る上で好適となる。

また、配向膜材料貯留部２９は、成膜範囲規制部２８よりも幅広になるよう設けられている。このようにすれば、配向膜材料貯留部２９内にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料をより多く貯留することができるので、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚をより好適に均一化することができる。また、例えば絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることで配向膜材料貯留部２９及び成膜範囲規制部２８を設ける場合において、仮に配向膜材料貯留部２９の深さを成膜範囲規制部２８よりも深くすることで配向膜材料貯留部２９内の容積を稼ごうとした場合、フォトマスクを用いて絶縁膜に含まれる有機絶縁膜４０を露光する際の露光量の制御が難しくなるのに比べると、容易に配向膜材料貯留部２９を設けることができる。

また、絶縁膜は、相対的に膜厚が薄い各層間絶縁膜（無機絶縁膜）３９，４１と、相対的に膜厚が厚い有機絶縁膜４０とを積層した構成とされており、配向膜材料貯留部２９は、少なくとも有機絶縁膜４０を凹ませることで設けられている。このようにすれば、少なくとも相対的に膜厚が厚い有機絶縁膜４０を凹ませることで配向膜材料貯留部２９を設けるようにしているので、配向膜材料貯留部２９の深さ、つまり容積を確保し易くなるので、配向膜材料貯留部２９内にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料をより多く貯留することができ、それにより表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚をより好適に均一化することができる。

また、配向膜材料貯留部２９は、表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲む形で設けられている。このようにすれば、表示領域ＡＡの全周にわたってアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚における均一化を図ることができる。

また、配向膜材料貯留部２９は、その側面の少なくとも一部における法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、成膜範囲規制部２８の側面のうちアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を支持する部位が法線方向に対してなす角度θ１よりも大きくなるよう設けられている。このようにすれば、配向膜材料貯留部２９における側面の少なくとも一部にてアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が支持されてその広がりが規制される事態がより生じ難くなるので、同材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留される確実性が高いものとなる。

また、配向膜材料貯留部２９は、その側面の少なくとも一部が法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、６０°〜８０°の範囲となるよう設けられている。仮に上記角度が８０°を上回る場合、配向膜材料貯留部２９の容積を確保するには、ガラス基板ＧＳの板面内における配向膜材料貯留部２９の形成範囲を広くする必要が生じることになるため、非表示領域ＮＡＡの幅を狭くする狭額縁化を図るのが困難となる。その一方、仮に上記角度が６０°を下回る場合には、アレイ基板側配向膜１１ｅを成膜する際にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が配向膜材料貯留部２９の側面によって支持され易くなってしまい、同材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留され難くなる、という問題が生じるおそれがある。その点、上記角度が６０°〜８０°の範囲となるよう配向膜材料貯留部２９が設けられることで、狭額縁化を図る上で好適になるとともにアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留される確実性をより高いものとすることができる。

また、配向膜材料貯留部２９は、その側面の少なくとも一部が法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、７０°〜８０°の範囲となるよう設けられている。このようにすれば、上記角度の範囲における下限値を７０°とすることで、アレイ基板側配向膜１１ｅの材料が配向膜材料貯留部２９内に貯留される確実性をさらに高いものとすることができる。

また、成膜範囲規制部２８は、その側面における法線方向に対してなす角度の最小値θ２が、配向膜材料貯留部２９の側面の少なくとも一部が法線方向に対してなす角度の最小値θ３よりも小さくなるよう設けられている。このようにすれば、成膜範囲規制部２８における側面によってアレイ基板側配向膜１１ｅの材料をより確実に支持することができるので、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜範囲を規制する確実性が高いものとなる。

また、成膜範囲規制部２８は、その側面が法線方向に対してなす角度の最小値θ２が、５０°以下となるよう設けられている。仮に上記角度が５０°を上回る場合には、アレイ基板側配向膜１１ｅを成膜する際にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が成膜範囲規制部２８の側面によって支持され難くなってしまい、同材料の広がりを規制できなくなる、という問題が生じるおそれがある。その一方、成膜範囲規制部２８の側面が法線方向に対してなす角度は、小さくなるほど、同側面によってアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を支持し易くなる傾向にある。従って、上記角度が５０°以下となるよう成膜範囲規制部２８が設けられることで、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜範囲を規制する確実性がより高いものとなる。

また、配向膜材料貯留部２９は、その側面の全域に関して、法線方向に対してなす角度の最小値θ３が、成膜範囲規制部２８の側面のうちアレイ基板側配向膜１１ｅの材料を支持する部位が法線方向に対してなす角度θ１よりも大きくなるよう設けられている。このようにすれば、アレイ基板側配向膜１１ｅの成膜時に、配向膜材料貯留部２９における側面の全域にわたってアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が支持され難くなっていることで、同材料が配向膜材料貯留部２９内により円滑に貯留される。これにより、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚をより好適に均一化することができる。

また、本実施形態に係る液晶パネル（表示装置）１１は、上記したアレイ基板１１ｂと、アレイ基板１１ｂに対して間隔を空けて対向状に貼り合わせられるＣＦ基板（対向表示部品）１１ａと、アレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に挟持される液晶層（液晶）１１ｃと、液晶層１１ｃを取り囲むとともにアレイ基板１１ｂとＣＦ基板１１ａとの間に介在することで液晶層１１ｃを封止するシール部１１ｊと、を備えており、成膜範囲規制部２８は、シール部１１ｊよりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲む形で設けられている。このような液晶パネル１１によれば、アレイ基板１１ｂに備えられる配向膜材料貯留部２９内にアレイ基板側配向膜１１ｅの材料が貯留されることで、アレイ基板側配向膜１１ｅに生じ得る肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形とはなり難くなっているので、表示領域ＡＡにおいてアレイ基板側配向膜１１ｅの膜厚が均一なものとなり、もって当該表示装置における表示品位の向上が図られる。そして、シール部１１ｊよりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲む形で設けられる成膜範囲規制部２８によりアレイ基板側配向膜１１ｅの成膜範囲が規制されることで、アレイ基板側配向膜１１ｅがシール部１１ｊと重なる配置とされる事態が生じ難くなる。これにより、シール部１１ｊのシール性能に悪影響が及ぶ事態が生じ難くなるので、液晶層１１ｃ内に外部から水分が浸入する、などといった事態が生じ難くなる。

また、アレイ基板１１ｂまたはＣＦ基板１１ａにおける液晶層１１ｃ側には、画像を表示するためのＴＦＴ（表示素子）１７が設けられており、ＴＦＴ１７には、酸化物半導体からなる半導体膜３６が含まれている。このようにすれば、ＴＦＴ１７によって表示領域ＡＡに画像を表示することが可能とされる。ＴＦＴ１７に含まれる半導体膜３６をなす酸化物半導体は、水分に曝されると、その電気的な特性が変化し易くなるものの、上記したようにアレイ基板側配向膜１１ｅがシール部１１ｊと重なる配置とされる事態が生じ難くされることで、液晶層１１ｃ内に外部から水分が浸入し難くなっているので、酸化物半導体の電気的な特性が変化し難くなり、もってＴＦＴ１７に性能劣化が生じ難いものとされる。

また、酸化物半導体は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含んでいる。このようにすれば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含む酸化物半導体の電気的な特性が変化し難くなるので、ＴＦＴ１７に性能劣化が生じ難いものとされる。

また、酸化物半導体は、結晶性を有している。このようにすれば、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含有し且つ結晶性を有する酸化物半導体の電気的な特性が変化し難くなるので、ＴＦＴ１７に性能劣化が生じ難いものとされる。

＜実施形態２＞
本発明の実施形態２を図１２から図１４によって説明する。この実施形態２では、配向膜材料貯留部１２９の平面形状などを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る配向膜材料貯留部１２９は、図１３に示すように、平面に視て繰り返し蛇行した平面形状とされる。詳しくは、配向膜材料貯留部１２９は、成膜範囲規制部１２８（表示領域ＡＡの外形）に並行する並行部３１と、成膜範囲規制部１２８の延在方向に対して交差する交差部３２とを交互に繰り返し繋ぐことで、全体の平面形状が蛇行した構成となっており、並行部３１と交差部３２との境界箇所に屈曲部３３が形成されている。上記した交差部３２は、成膜範囲規制部１２８の延在方向に対して直交しており、並行部３１に対してなす角度がほぼ直角とされている。

配向膜材料貯留部１２９に含まれる並行部３１は、図１４に示すように、その幅寸法及び深さ寸法が成膜範囲規制部１２８の幅寸法及び深さ寸法とほぼ同じとされる。さらには、並行部３１は、その断面形状が成膜範囲規制部１２８とほぼ同じとされており、側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値、及び同角度における配向膜材料貯留部１２９の幅方向についての位置に対する変化率についても、共に成膜範囲規制部１２８の側面とほぼ同じとされる。なお、交差部３２の断面形状は、上記した並行部３１とほぼ同じとされるため、図示を省略している。一方、配向膜材料貯留部１２９に含まれる屈曲部３３に関しては、図１５に示すように、深さ寸法が成膜範囲規制部１２８の深さ寸法とほぼ同じとされるものの、幅寸法が成膜範囲規制部１２８の幅寸法よりも大きなものとされる。さらには、屈曲部３３は、側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値が、成膜範囲規制部１２８の側面のうちのアレイ基板側配向膜１１１ｅの材料に対する支持部位がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度よりも大きなものとされている。従って、アレイ基板側配向膜１１１ｅの成膜に際しては、アレイ基板側配向膜１１１ｅの材料は、配向膜材料貯留部１２９のうち、並行部３１及び交差部３２には直接流れ込むことがないものの、屈曲部３３の側面から配向膜材料貯留部１２９内に流れ込むものとされ、やがては配向膜材料貯留部１２９内を満たしてから成膜範囲規制部１２８へと流動するようになっている。このように、配向膜材料貯留部１２９のうち屈曲部３３を除いた部分である並行部３１及び交差部３２における側面が法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部１２８の側面が法線方向に対してなす角度と同じ程度であっても、配向膜材料貯留部１２９内にアレイ基板側配向膜１１１ｅの材料を貯留させることが可能とされる。

そして、このような屈曲部３３を含む配向膜材料貯留部１２９を有機絶縁膜１４０に設けるにあたって、有機絶縁膜１４０をフォトリソグラフィ法によりパターニングする場合には、有機絶縁膜１４０に対する露光量を、配向膜材料貯留部１２９の形成予定箇所と、成膜範囲規制部１２８の形成予定箇所とで同等にすることが可能となる。これにより、配向膜材料貯留部１２９及び成膜範囲規制部１２８を容易に設けることができる。

以上説明したように本実施形態によれば、配向膜材料貯留部１２９は、法線方向から視て途中に屈曲された屈曲部３３が含まれる平面形状をなすとともに、屈曲部３３の側面が法線方向に対してなす角度の最小値が、成膜範囲規制部１２８の側面のうちアレイ基板側配向膜１１１ｅの材料を支持する部位が法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている。このようにすれば、アレイ基板側配向膜１１１ｅの成膜時に、配向膜材料貯留部１２９のうちの屈曲部３３の側面では、アレイ基板側配向膜１１１ｅの材料が支持され難くなっていることで、同材料が配向膜材料貯留部１２９内に貯留される。従って、例えば配向膜材料貯留部１２９のうち屈曲部３３を除いた部分における側面が法線方向に対してなす角度が、成膜範囲規制部１２８の側面が法線方向に対してなす角度と同じ程度であっても、配向膜材料貯留部１２９内にアレイ基板側配向膜１１１ｅの材料を貯留させることが可能とされる。このような屈曲部３３を含む配向膜材料貯留部１２９を絶縁膜に含まれる有機絶縁膜１４０に設けるにあたって、例えば絶縁膜に含まれる有機絶縁膜１４０をフォトリソグラフィ法によりパターニングする場合には、絶縁膜に含まれる有機絶縁膜１４０に対する露光量を、配向膜材料貯留部１２９の形成予定箇所と、成膜範囲規制部１２８の形成予定箇所とで同等にすることが可能となる。これにより、配向膜材料貯留部１２９及び成膜範囲規制部１２８を容易に設けることができる。

＜実施形態３＞
本発明の実施形態３を図１６によって説明する。この実施形態３は、上記した実施形態１とは、ＣＦ基板２１１ａ側に成膜範囲規制部４２及び配向膜材料貯留部４３を設けるようにした点で相違している。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るＣＦ基板２１１ａにおける非表示領域ＮＡＡには、図１６に示すように、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜範囲を規制するための成膜範囲規制部４２と、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料を貯留可能な配向膜材料貯留部４３とが設けられている。このうち、成膜範囲規制部４２は、ＣＦ基板２１１ａに備えられる絶縁膜であるＯＣ層２１１ｋの表面から突出する形で設けられており、断面形状が略角柱状をなしている。従って、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜に際しては、ＯＣ層２１１ｋの表面に沿って表示領域ＡＡ側から外側に広がるＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料に対して成膜範囲規制部４２が堰として機能することで、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が成膜範囲規制部４２よりも外側に広がるのを規制することができる。成膜範囲規制部４２は、ＣＦ基板２１１ａに備えられるスペーサ部２１１ｌと同じ材料からなり、スペーサ部２１１ｌをフォトリソグラフィ法によりパターニングする際に同時に（同一工程にて）パターニングされている。成膜範囲規制部４２は、内周側と外周側とに２つが互いに並行する形で設けられており、その間には所定の間隔が空けられている。以上のように成膜範囲規制部４２は、ＣＦ基板２１１ａの非表示領域ＮＡＡに配されるとともに絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面から突出する形で設けられることで、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜範囲を規制することができるものとされる。なお、成膜範囲規制部４２の平面形状及び平面に視た形成範囲などは、アレイ基板２１１ｂ側の成膜範囲規制部２２８と同様である。

一方、配向膜材料貯留部４３は、ＯＣ層２１１ｋを部分的に凹ませる形で設けられており、断面形状が略円弧状に湾曲した溝からなるものとされる。配向膜材料貯留部４３は、その側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度の最小値が、アレイ基板２１１ｂ側の配向膜材料貯留部２２９における同角度の最小値とほぼ同じとされる。従って、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜に際しては、ＯＣ層２１１ｋの表面に沿って表示領域ＡＡ側から外側に広がるＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料を配向膜材料貯留部４３内に貯留することが可能とされる。これにより、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜に際し、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が成膜範囲規制部４２の側面により支持されることで表示領域ＡＡ側に戻され、それに伴ってＣＦ基板側配向膜２１１ｄの外周端側に肉厚部分ＦＰが生じた場合でも、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が配向膜材料貯留部４３内に貯留される分だけ、上記肉厚部分ＦＰの形成範囲が狭くなる。もって、上記肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形とはなり難くなるので、表示領域ＡＡにおいてＣＦ基板側配向膜２１１ｄの膜厚が均一化されるとともに液晶パネル２１１の表示に係る表示品位の向上が図られる。以上のように配向膜材料貯留部４３は、ＣＦ基板２１１ａの非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部４２よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面を部分的に凹ませる形で設けられることで、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料を貯留することができるものとされる。なお、配向膜材料貯留部４３の平面形状及び平面に視た形成範囲などは、アレイ基板２１１ｂ側の配向膜材料貯留部２２９と同様である。

以上説明したように本実施形態のＣＦ基板（表示部品）２１１ａは、表示領域ＡＡと表示領域ＡＡを取り囲む非表示領域ＮＡＡとに区分されるガラス基板ＧＳと、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されるとともにガラス基板ＧＳに設けられる絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋと、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されるとともに絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面に重なる形で設けられるＣＦ基板側配向膜（配向膜）２１１ｄと、非表示領域ＮＡＡに配されるとともに絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面から突出する形で設けられる成膜範囲規制部４２と、非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部４２よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に配されるとともに絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋを部分的に凹ませる形で設けられる配向膜材料貯留部４３と、を備える。

ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜に際しては、液体状態とされるＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料を、ガラス基板ＧＳにおける表示領域ＡＡに供給するようにしており、その材料がガラス基板ＧＳに設けられた絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面において広がるよう流動することで、絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面に重なる形でＣＦ基板側配向膜２１１ｄが成膜されるようになっている。ＣＦ基板側配向膜２１１ｄは、表示領域ＡＡと非表示領域ＮＡＡとに跨る形で配されることで、表示領域ＡＡに欠損なく配置される確実性が高いものとなっている。

ここで、非表示領域ＮＡＡには、絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面から突出する形で成膜範囲規制部４２が設けられているので、成膜時に絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面において表示領域ＡＡ側から非表示領域ＮＡＡ側へと広がるＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が成膜範囲規制部４２によってそれよりも外側に広がるのが避けられる。これにより、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの成膜範囲が規制される。ところで、成膜時に絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面を広がるＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料は、絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋの表面から突出する成膜範囲規制部４２がいわば堰として機能することによってそれ以上の広がりが規制されるのであるが、広がりが規制された材料は表示領域ＡＡ側に戻されることになるため、上記成膜範囲規制部４２による規制位置を起点としてＣＦ基板側配向膜２１１ｄに膜厚が局所的に厚くなる部分、つまり肉厚部分ＦＰが生じることになる。このＣＦ基板側配向膜２１１ｄに生じる肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形となると、表示領域ＡＡにおいてＣＦ基板側配向膜２１１ｄの膜厚にムラが生じてしまう。特に、非表示領域ＮＡＡの幅が狭くなる、いわゆる狭額縁化が進行すると、上記肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に配され易くなる傾向にあった。

そこで、非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部４２よりも表示領域ＡＡ寄りの位置に、絶縁膜に含まれるＯＣ層２１１ｋを部分的に凹ませる形で配向膜材料貯留部４３を設けるようにし、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が配向膜材料貯留部４３内に貯留されるようになっているので、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が成膜範囲規制部４２によって表示領域ＡＡ側に戻されるのに伴ってＣＦ基板側配向膜２１１ｄに肉厚部分ＦＰが生じても、ＣＦ基板側配向膜２１１ｄの材料が配向膜材料貯留部４３内に貯留される分だけ、肉厚部分ＦＰの形成範囲が狭くなるので、同肉厚部分ＦＰが表示領域ＡＡ内に及ぶ形とはなり難くなっている。これにより、表示領域ＡＡにおいてＣＦ基板側配向膜２１１ｄの膜厚が均一なものとなるので、当該ＣＦ基板２１１ａを用いてなされる表示に係る表示品位の向上が図られる。特に、狭額縁化を図る上で好適となる。

＜実施形態４＞
本発明の実施形態４を図１７によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態１から成膜範囲規制部３２８及び配向膜材料貯留部３２９の設置数を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る成膜範囲規制部３２８は、図１７に示すように、アレイ基板３１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいてシール部３１１ｊと配向膜材料貯留部３２９との間に３つが並ぶ形で設けられている。配向膜材料貯留部３２９は、アレイ基板３１１ｂの非表示領域ＮＡＡにおいて成膜範囲規制部３２８と表示領域ＡＡとの間に２つが並ぶ形で設けられている。内周側の配向膜材料貯留部３２９は、その平面形状が外周側の配向膜材料貯留部３２９に比べて一回り小さな枠状をなしている。

＜実施形態５＞
本発明の実施形態５を図１８によって説明する。この実施形態５では、上記した実施形態１から配向膜材料貯留部４２９の平面形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る配向膜材料貯留部４２９は、図１８に示すように、平面に視て方形状の溝（凹部）からなるとともに、表示領域ＡＡの外形に沿って複数が間欠的に並ぶ形で配されている。複数の配向膜材料貯留部４２９は、表示領域ＡＡを全周にわたって取り囲むよう並んで配されている。このような構成であっても、アレイ基板側配向膜の成膜に際しては、アレイ基板側配向膜の材料が複数の配向膜材料貯留部４２９内に貯留されることで、表示領域ＡＡにおけるアレイ基板側配向膜の膜厚を好適に均一化することができる。

＜実施形態６＞
本発明の実施形態６を図１９によって説明する。この実施形態６では、上記した実施形態１から成膜範囲規制部５２８及び配向膜材料貯留部５２９の深さを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る成膜範囲規制部５２８及び配向膜材料貯留部５２９は、図１９に示すように、共に有機絶縁膜５４０を貫通する深さでもって形成されている。つまり、成膜範囲規制部５２８及び配向膜材料貯留部５２９の各深さ寸法は、有機絶縁膜５４０の膜厚とほぼ同じとされている。このような構成とすれば、配向膜材料貯留部５２９内にアレイ基板側配向膜５１１ｅの材料をより多く貯留することができるので、表示領域ＡＡにおけるアレイ基板側配向膜５１１ｅの膜厚の均一化をより好適に図ることができる。

＜実施形態７＞
本発明の実施形態７を図２０によって説明する。この実施形態７では、上記した実施形態６から成膜範囲規制部６２８及び配向膜材料貯留部６２９の深さをさらに変更したものを示す。なお、上記した実施形態６と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る成膜範囲規制部６２８及び配向膜材料貯留部６２９は、図２０に示すように、共に有機絶縁膜６４０及び第１層間絶縁膜６３９を貫通する深さでもって形成されている。つまり、成膜範囲規制部６２８及び配向膜材料貯留部６２９の各深さ寸法は、有機絶縁膜６４０の膜厚と、第１層間絶縁膜６３９の膜厚とを足し合わせた大きさとほぼ同じとされている。このような構成とすれば、配向膜材料貯留部６２９内にアレイ基板側配向膜６１１ｅの材料をより多く貯留することができるので、表示領域ＡＡにおけるアレイ基板側配向膜６１１ｅの膜厚の均一化をより好適に図ることができる。

＜実施形態８＞
本発明の実施形態８を図２１によって説明する。この実施形態８では、上記した実施形態１から配向膜材料貯留部７２９の形成方法を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る配向膜材料貯留部７２９は、図２１に示すように、第１層間絶縁膜７３９に開口部４４を形成することで、その上層側に配される有機絶縁膜７４０のうち開口部４４との重畳部分が凹んだ形状となることでもって形成されている。つまり、有機絶縁膜７４０は、配向膜材料貯留部７２９の形成部位においても他の部位（コンタクトホール７２６や成膜範囲規制部７２８の形成部位を除く）とほぼ同じ膜厚とされている。このような構成とすれば、有機絶縁膜７４０をフォトリソグラフィ法によりパターニングするに際して、フォトマスクとしてハーフトーンマスクを使用する必要がなくなるので、製造コストの低減などを図ることができる。

＜実施形態９＞
本発明の実施形態９を図２２によって説明する。この実施形態９では、上記した実施形態１から有機絶縁膜８４０を露光するフォトマスクを変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態では、有機絶縁膜８４０をフォトリソグラフィ法によりパターニングするに際して、フォトマスクとしてグレートーンマスク４５を用いている。グレートーンマスク４５は、図２２に示すように、透明なガラス基材４５ａと、ガラス基材４５ａの板面に形成されて光源からの露光光を遮光する遮光膜４５ｂとからなる。この遮光膜４５ｂには、露光装置の解像度以上となる開口部４５ｂ１，４５ｂ２と、露光装置の解像度以下となるスリット４５ｂ３とが形成されている。各開口部４５ｂ１，４５ｂ２は、有機絶縁膜８４０のうちの成膜範囲規制部８２８及び配向膜材料貯留部８２９の各形成予定位置に対応付けられた位置に形成されている。なお、同様の開口部が図示しないコンタクトホールの形成予定位置に対応付けられた位置にも形成されている。これらの開口部４５ｂ１，４５ｂ２は、露光光の透過率がほぼ１００％とされる透過領域ＴＡとされる。一方、スリット４５ｂ３は、上記開口部４５ｂ１，４５ｂ２のうち配向膜材料貯留部８２９を形成するための貯留部用開口部４５ｂ２を内周側と外周側とから挟み込む位置にそれぞれ複数本ずつ並んで形成されている。このスリット４５ｂ３は、露光光の透過率が例えば１０％〜７０％程度とされる半透過領域ＨＴＡとされる。

このような構成のグレートーンマスク４５を介して光源からの露光光が有機絶縁膜８４０に照射された後に現像がなされると、有機絶縁膜８４０のうちの透過領域ＴＡと平面に視て重畳する部分に、コンタクトホール、成膜範囲規制部８２８、及び配向膜材料貯留部８２９の中央側部分がそれぞれ形成されるのに対し、半透過領域ＨＴＡと平面に視て重畳する部分に、配向膜材料貯留部８２９の両端側部分が形成される。これにより、配向膜材料貯留部８２９は、その側面が成膜範囲規制部８２８の側面よりも緩やかな傾斜となる断面形状に形成される。

＜実施形態１０＞
本発明の実施形態１０を図２３によって説明する。この実施形態１０では、上記した実施形態２から配向膜材料貯留部９２９の平面形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態２と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る配向膜材料貯留部９２９は、図２３に示すように、成膜範囲規制部９２８（表示領域ＡＡの外形）に並行する並行部９３１と、成膜範囲規制部９２８に対して鈍角をなす形で交差する交差部９３２とからなる。各並行部９３１の両端部には、それぞれ別の交差部９３２が連なっているのに対し、各交差部９３２のうち並行部９３１側とは反対側の端部には、別の交差部９３２が連ねられている。これにより、並行部９３１と交差部９３２との境界箇所に形成された屈曲部９３３は、平面に視た屈曲角度が鋭角をなしているのに対し、交差部９３２同士の境界箇所に形成された屈曲部９３３は、平面に視た屈曲角度が鈍角をなしている。このような構成であっても、上記した実施形態２と同様に各屈曲部９３３からアレイ基板側配向膜の材料を配向膜材料貯留部９２９内に流入させることができる。

＜実施形態１１＞
本発明の実施形態１１を図２４によって説明する。この実施形態１１では、上記した実施形態２から配向膜材料貯留部１０２９の平面形状をさらに変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る配向膜材料貯留部１０２９は、図２４に示すように、成膜範囲規制部１０２８（表示領域ＡＡの外形）に並行する並行部１０３１と、成膜範囲規制部１０２８に対して鈍角をなす形で交差する交差部１０３２とを交互に繰り返し繋ぐことで、全体の平面形状が蛇行した構成となっており、並行部１０３１と交差部１０３２との境界箇所に屈曲部１０３３が形成されている。このような構成であっても、上記した実施形態２と同様に各屈曲部１０３３からアレイ基板側配向膜の材料を配向膜材料貯留部１０２９内に流入させることができる。

＜実施形態１２＞
本発明の実施形態１２を図２５によって説明する。この実施形態１２では、上記した実施形態３から成膜範囲規制部１１４２の形成方法を変更したものを示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るＣＦ基板１１１１ａの非表示領域ＮＡＡには、図２５に示すように、成膜範囲規制部１１４２の形成予定位置に、カラーフィルタ１１１１ｈをなす各着色部１１１１ｈＲ，１１１１ｈＧと同じ材料からなる嵩上げ層４６〜４８を積層配置することで、その上層側に配されるＯＣ層１１１１ｋが部分的に嵩上げされて突出する形態となり、その突出部分が成膜範囲規制部１１４２を構成している。なお、青色の着色部については図示を省略している。この嵩上げ層４６〜４８は、赤色の着色部１１１１ｈＲと同じ材料からなる第１嵩上げ層４６と、緑色の着色部１１１１ｈＧと同じ材料からなる第２嵩上げ層４７と、図示しない青色の着色部と同じ材料からなる第３嵩上げ層４８と、からなる。第１嵩上げ層４６の厚みは、赤色の着色部１１１１ｈＲの厚みとほぼ同じとされ、第２嵩上げ層４７は、緑色の着色部１１１１ｈＧの厚みとほぼ同じとされ、第３嵩上げ層４８は、青色の着色部の厚みとほぼ同じとされる。従って、各着色部１１１１ｈＲ，１１１１ｈＧ及び各嵩上げ層４６〜４８をフォトリソグラフィ法によりパターニングする際に用いるフォトマスクとしてハーフトーンマスクやグレートーンマスクなどを用いる必要がないものとされる。

＜実施形態１３＞
本発明の実施形態１３を図２６によって説明する。この実施形態１３では、上記した実施形態３から成膜範囲規制部１２４２の構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る成膜範囲規制部１２４２は、図２６に示すように、ＣＦ基板１２１１ａに備えられるＯＣ層１２１１ｋを部分的に凹ませることで形成されており、その断面形状が略円弧状に湾曲した溝からなるものとされる。つまり、成膜範囲規制部１２４２は、アレイ基板１２１１ｂ側に備えられた成膜範囲規制部１２２８と同様の断面形状をなしており、側面がガラス基板ＧＳの法線方向に対してなす角度などに関しても成膜範囲規制部１２２８と同様とされる。

＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記した各実施形態では、配向膜材料貯留部の幅寸法が成膜範囲規制部の幅寸法よりも大きなものとされる場合を例示したが、配向膜材料貯留部の幅寸法と成膜範囲規制部の幅寸法とを同じとすることができ、さらには前者が後者よりも小さくなる設定としても構わない。

（２）上記した各実施形態では、配向膜材料貯留部の深さ寸法が成膜範囲規制部の深さ寸法と同じとされる場合を例示したが、前者が後者よりも大きくなる設定としたり、逆に前者が後者よりも小さくなる設定とすることも可能である。

（３）上記した各実施形態では、成膜範囲規制部及び配向膜材料貯留部がそれぞれ表示領域を取り囲むよう配されるものを示したが、表示領域ＡＡを構成する４つの辺の中から選択される特定の辺についてのみ成膜範囲規制部または配向膜材料貯留部が選択的に配置される構成としても構わない。

（４）上記した各実施形態以外にも、配向膜材料貯留部の側面がガラス基板の法線方向に対してなす具体的な角度や同角度の変化率などは、使用する配向膜（アレイ基板側配向膜、ＣＦ基板側配向膜）の材料に係る物性などに応じて適宜に変更可能である。同様に、成膜範囲規制部の側面がガラス基板の法線方向に対してなす具体的な角度や同角度の変化率などは、使用する配向膜の材料に係る物性などに応じて適宜に変更可能である。

（５）上記した各実施形態以外にも、配向膜材料貯留部や成膜範囲規制部の具体的な設置数は適宜に変更可能である。例えば、配向膜材料貯留部の設置数と成膜範囲規制部の設置数とが同一とされる構成や、配向膜材料貯留部の設置数が成膜範囲規制部の設置数よりも少なくなる構成などを採ることが可能である。また、成膜範囲規制部の設置数を１つまたは４つ以上としたり、配向膜材料貯留部の設置数を３つ以上とすることも可能である。

（６）上記した各実施形態では、有機絶縁膜の材料として、露光箇所が現像によって除去されるポジ型の感光性樹脂材料を用いた場合を示したが、非露光箇所が現像によって除去されるネガ型の感光性樹脂材料を有機絶縁膜の材料として用いることも可能である。

（７）上記した各実施形態では、アレイ基板に備えられる有機絶縁膜、及びＣＦ基板に備えられるＯＣ層がそれぞれ感光性樹脂材料からなる場合を例示したが、これらの材料として非感光性樹脂材料を用いることも可能である。

（８）上記した実施形態２，１０，１１以外にも、配向膜材料貯留部の具体的な平面形状は適宜に変更可能である。

（９）上記した実施形態５では、表示領域の外形に沿って並ぶ複数の配向膜材料貯留部がほぼ同じ平面形状とされた場合を示したが、表示領域の外形に沿って並ぶ複数の配向膜材料貯留部に互いに異なる平面形状とされるものが含まれていても構わない。

（１０）上記した実施形態１２では、成膜範囲規制部の形成予定位置にカラーフィルタをなす３色の着色部と同じ材料からなる嵩上げ層を設けたものを例示したが、嵩上げ層が３色の着色部の中から任意に選択される２色の着色部と同じ材料からなる２層構造とされるものも本発明に含まれる。また、嵩上げ層が３色の着色部の中から任意に選択される１つの着色部と同じ材料からなる単層構造とされるものも本発明に含まれる。

（１１）上記した実施形態１２では、成膜範囲規制部の形成予定位置にカラーフィルタの着色部と同じ材料からなる嵩上げ層を設けたものを例示したが、それ以外にも例えば成膜範囲規制部の形成予定位置において遮光部を部分的に嵩上げすることで、ＯＣ層に成膜範囲規制部を設けるようにしても構わない。

（１２）上記した実施形態１３に記載したＣＦ基板側の配向膜材料貯留部及び成膜範囲規制部に、上記した実施形態２，４〜１１にそれぞれ記載したアレイ基板側の配向膜材料貯留部及び成膜範囲規制部に係る構成を適用することも可能である。

（１３）上記した実施形態２，４〜１１に記載した各構成同士を適宜に組み合わせることも可能である。

（１４）上記した各実施形態では、アレイ基板側配向膜及びＣＦ基板側配向膜を成膜する際にインクジェット装置を用いた場合を示したが、例えばスクリーン印刷装置やフレキソ印刷装置などを用いることも可能である。

（１５）上記した各実施形態では、アレイ基板側配向膜及びＣＦ基板側配向膜の材料として光配向材料を用い、紫外線の照射によって配向処理がなされる光配向膜を形成するようにした場合を示したが、ラビングによって配向処理がなされるアレイ基板側配向膜及びＣＦ基板側配向膜を形成したものにも本発明は適用可能である。

（１６）上記した各実施形態では、配向膜の材料としてポリイミドを用いた場合を示したが、配向膜の材料としてポリイミド以外の液晶配向材を用いることも可能である。

（１７）上記した各実施形態では、ＣＦ基板にフォトリソグラフィ法によって形成されるスペーサ部（フォトスペーサ）が設けられたものを例示したが、それに代えて球状スペーサ（スペーサビーズ）を表示領域内に散布するようにしたものも本発明に含まれる。

（１８）上記した各実施形態では、液晶パネルをなすアレイ基板及びＣＦ基板がガラス製のガラス基板を備える構成としたものを示したが、ガラス製のガラス基板に代えて、例えばほぼ透明な合成樹脂製の樹脂基板（プラスチック基板）を用いることも可能である。

（１９）上記した各実施形態では、第１金属膜及び第２金属膜がチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成される場合を示したが、例えばチタンに代えてモリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン−チタン合金（ＭｏＴｉ）、モリブデン−タングステン合金（ＭｏＷ）などを用いることも可能である。それ以外にも、チタン、銅、アルミニウムなどの単層の金属膜を用いることも可能である。

（２０）上記した各実施形態では、動作モードがＦＦＳモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。特に、動作モードがＶＡモードとされる液晶パネルにおいては、対向電極をアレイ基板ではなくＣＦ基板側に形成するとともにＯＣ層を省略することが可能である。

（２１）上記した各実施形態では、ＴＦＴをなすチャネル部に用いる酸化物半導体としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体を例示したが、他の酸化物半導体を用いることも可能である。例えばＺｎ−Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ−Ｔｉ−Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ−Ｇｅ−Ｏ系半導体、Ｃｄ−Ｐｂ−Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドニウム）、Ｍｇ−Ｚｎ−Ｏ系半導体、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｚｎ―Ｏ系半導体（例えばＩｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２−ＺｎＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

（２２）上記した各実施形態では、液晶パネルのＴＦＴをなす半導体膜の材料として酸化物半導体を用いた場合を示したが、それ以外にもアモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いることも可能である。多結晶シリコンを用いる場合には、ＣＧシリコン（Continuous Grain Silicon）を用いるのが好ましい。

（２３）上記した各実施形態では、カラーフィルタが赤色、緑色及び青色の３色構成とされたものを例示したが、赤色、緑色及び青色の各着色部に、黄色の着色部を加えて４色構成としたカラーフィルタを備えたものにも本発明は適用可能である。

（２４）上記した（２３）以外にも、赤色、緑色及び青色の各着色部に、全可視光を殆ど透過することができ、波長選択性を有さない無着色部を追加したカラーフィルタを備えたものにも本発明は適用可能である。

（２５）上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。

（２６）上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。

（２７）上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、ＴＦＴ以外のスイッチング素子（例えば薄膜ダイオード（ＴＦＤ））を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。

（２８）上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話（スマートフォンを含む）、ノートパソコン（タブレット型ノートパソコンを含む）、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば２０インチ〜９０インチで、中型または大型（超大型）に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板（デジタルサイネージ）、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。

１１，２１１…液晶パネル（表示装置）、１１ａ…ＣＦ基板（対向表示部品）、１１ｂ，２１１ｂ，３１１ｂ，１２１１ｂ…アレイ基板（表示部品）、１１ｃ…液晶層（液晶）、１１ｅ，１１１ｅ，５１１ｅ，６１１ｅ…アレイ基板側配向膜（配向膜）、１１ｊ，３１１ｊ…シール部、１７…ＴＦＴ（表示素子）、２８，１２８，２２８，３２８，５２８，６２８，７２８，８２８，９２８，１０２８，１２２８…成膜範囲規制部、２９，１２９，２２９，３２９，４２９，５２９，６２９，７２９，８２９，９２９，１０２９…配向膜材料貯留部、３３，９３３，１０３３…屈曲部、３６…半導体幕、３９，６３９，７３９…第１層間絶縁膜（絶縁膜、無機絶縁膜）、４０，１４０，５４０，６４０，７４０，８４０…有機絶縁膜（絶縁膜）、４１…第２層間絶縁膜（絶縁膜、無機絶縁膜）、４２，１１４２，１２４２…成膜範囲規制部、４３…配向膜材料貯留部、２１１ａ，１１１１ａ，１２１１ａ…ＣＦ基板（表示部品）、２１１ｂ，１２１１ｂ…アレイ基板（対向表示部品）、２１１ｄ…ＣＦ基板側配向膜（配向膜）、２１１ｋ，１１１１ｋ，１２１１ｋ…ＯＣ層（絶縁膜）、ＡＡ…表示領域、ＦＰ…肉厚部分、ＧＳ…ガラス基板（基板）、ＮＡＡ…非表示領域、θ１…角度、θ２…最小値、θ３…最小値

本発明は、表示装置に関する。

Claims (15)

1. 表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される基板と、
   前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記基板に設けられる絶縁膜と、
   前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記絶縁膜の表面に重なる形で設けられる配向膜と、
   前記非表示領域に配されるとともに前記絶縁膜の表面を部分的に凹ませる形で設けられる成膜範囲規制部と、
   前記非表示領域において前記成膜範囲規制部よりも前記表示領域寄りの位置に配されるとともに前記絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられ、且つその側面の少なくとも一部が前記基板の板面に係る法線方向に対してなす角度が、前記成膜範囲規制部の側面が前記法線方向に対してなす角度よりも大きい配向膜材料貯留部と、を備える表示部品。
2. 前記配向膜材料貯留部は、前記成膜範囲規制部よりも幅広になるよう設けられている請求項１記載の表示部品。
3. 前記絶縁膜は、相対的に膜厚が薄い無機絶縁膜と、相対的に膜厚が厚い有機絶縁膜とを積層した構成とされており、
   前記配向膜材料貯留部は、少なくとも前記有機絶縁膜を凹ませることで設けられている請求項１または請求項２記載の表示部品。
4. 前記配向膜材料貯留部は、前記表示領域を全周にわたって取り囲む形で設けられている請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の表示部品。
5. 前記配向膜材料貯留部は、その側面の少なくとも一部における前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記成膜範囲規制部の側面のうち前記配向膜の材料を支持する部位が前記法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示部品。
6. 前記配向膜材料貯留部は、その側面の少なくとも一部が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、６０°〜８０°の範囲となるよう設けられている請求項５記載の表示部品。
7. 前記配向膜材料貯留部は、その側面の少なくとも一部が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、７０°〜８０°の範囲となるよう設けられている請求項６記載の表示部品。
8. 前記成膜範囲規制部は、その側面における前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記配向膜材料貯留部の側面の少なくとも一部が前記法線方向に対してなす角度の最小値よりも小さくなるよう設けられている請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示部品。
9. 前記成膜範囲規制部は、その側面が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、５０°以下となるよう設けられている請求項８記載の表示部品。
10. 前記配向膜材料貯留部は、その側面の全域に関して、前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記成膜範囲規制部の側面のうち前記配向膜の材料を支持する部位が前記法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示部品。
11. 前記配向膜材料貯留部は、前記法線方向から視て途中に屈曲された屈曲部が含まれる平面形状をなすとともに、前記屈曲部の側面が前記法線方向に対してなす角度の最小値が、前記成膜範囲規制部の側面のうち前記配向膜の材料を支持する部位が前記法線方向に対してなす角度よりも大きくなるよう設けられている請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の表示部品。
12. 表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される基板と、
    前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記基板に設けられる絶縁膜と、
    前記表示領域と前記非表示領域とに跨る形で配されるとともに前記絶縁膜の表面に重なる形で設けられる配向膜と、
    前記非表示領域に配されるとともに前記絶縁膜の表面から突出する形で設けられる成膜範囲規制部と、
    前記非表示領域において前記成膜範囲規制部よりも前記表示領域寄りの位置に配されるとともに前記絶縁膜を部分的に凹ませる形で設けられる配向膜材料貯留部と、を備える表示部品。
13. 請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の表示部品と、
    前記表示部品に対して間隔を空けて対向状に貼り合わせられる対向表示部品と、
    前記表示部品と前記対向表示部品との間に挟持される液晶と、
    前記液晶を取り囲むとともに前記表示部品と前記対向表示部品との間に介在することで前記液晶を封止するシール部と、を備えており、
    前記成膜範囲規制部は、前記シール部よりも前記表示領域寄りの位置に配されるとともに前記表示領域を全周にわたって取り囲む形で設けられている表示装置。
14. 前記表示部品または前記対向表示部品における前記液晶側には、画像を表示するための表示素子が設けられており、
    前記表示素子には、酸化物半導体からなる半導体膜が含まれている請求項１３記載の表示装置。
15. 前記酸化物半導体は、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸素（Ｏ）を含んでいる請求項１４記載の表示装置。

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