CN105531796B - 为使沉积留存增加而用于表面纹理化的几何形状和图案 - Google Patents
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Abstract
提供一种处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。所述处理腔室部件以在此描述的方式制造，并包括在腔室部件的表面上至少一宏观纹理的产生。所述宏观纹理由多个经设计的特征结构所限定，所述经设计的特征结构在腔室部件的表面上以预定方向布置。在某些实施方式中，这些经设计的特征结构避免在这些特征结构之间限定的视线表面的形成，以增强在腔室部件上沉积的膜留存。
Description
技术领域
在此描述的实施方式大体涉及处理腔室部件以及制造这些处理腔室部件的方法。更具体地，在此描述的实施方式涉及为增加沉积留存而用于表面纹理化的几何形状和图案。
背景技术
半导体处理腔室部件通常因为在这些腔室中所执行的处理结果，而于这些腔室部件上沉积有膜。于这些部件上沉积的这些膜最终会剥离或剥落，并可能将颗粒掉落在被处理的基板上。这些颗粒可导致在形成于基板上的集成电路中产生缺陷。
这些处理腔室部件已经被粗糙化，以加强这些沉积膜的留存，由此延长为了避免这些膜从腔室部件上剥落并成为污染源而需要清洁该腔室部件的时间。粗糙化处理常见的实例包括喷砂处理和施加双丝电弧喷涂(twin wire arc spray)涂层。然而，随着表面已经被粗糙化为越来越大的表面粗糙度(RA)及更长时间间隔留存膜的目的，在这些粗糙化表面的尖峰上的涂层有折断情形增加的倾向，因此本身成为一种频繁的污染源，并使得许多高度粗糙化表面并不适合用于关键应用。
甚至更进一步的，已经证实腔室部件表面粗糙化的处理限制是一种进一步的困难的来源。例如，如果需要高热来执行表面粗糙化处理，则此高热可能造成部件扭曲，诸如造成塑性变形，或造成融合微裂隙，而降低部件的完整性。此外，传统用于表面纹理化的处理可能是昂贵且耗时的。最后，各种表面纹理化仍然遇到缺乏膜留存的情况，这造成在处理腔室中的颗粒形成。
因此，本领域仍需要一种改良的处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。
发明内容
在一个实施方式中，提供一种具有经图案化的表面以强化沉积膜留存的物件。所述物件可包括处理腔室部件，所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观(macro)纹理化表面，这些经设计的特征结构被布置为避免形成跨越该宏观纹理化表面的视线表面(line of sight surface)。这些经设计的特征结构之一或更多者具有凹表面。
在另一实施方式中，提供一种具有经图案化的表面以强化沉积膜留存的物件。所述物件可包括处理腔室部件，所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面，这些经设计的特征结构被布置为预定图案，以避免形成跨越该宏观纹理化表面的视线表面。这些经设计的特征结构可被布置为预定图案，且这些经设计的特征结构可以具有多个表面，这些表面具有凹形。
在又一实施方式中，提供一种制造半导体腔室部件的方法。所述方法可包括利用掩模覆盖腔室部件的表面。可从所述腔室部件的表面移除材料，以形成多个经设计的特征结构，这些经设计的特征结构限定纹理化表面。这些经设计的特征结构可被布置为避免形成跨越该宏观纹理化表面的视线表面，且这些经设计的特征结构可以具有多个表面，这些表面具有凹形。
附图说明
可通过参照实施方式(一些实施方式描绘于附图中)来详细理解本公开内容的上述特征，以及以上简要概述的有关本公开内容更具体的描述。然而，要注意的是，这些附图仅描绘本公开内容的典型实施方式，因此不被视为对本公开内容范围的限制，因为本公开内容可以允许其他等效的实施方式。
图1为一个实施方式的处理腔室部件的纹理化表面的局部平面图。
图2为图1的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。
图3为其上设置有抗蚀掩模的图2的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。
图4为抗蚀掩模的一个实施方式的局部平面图。
图5为处理腔室部件的纹理化表面的另一实施方式的局部截面图。
图6为其上设置有抗蚀掩模的图5的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。
图7至图8为具有一个或更多个纹理化表面的处理腔室部件的示例性实施方式。
图9为另一实施方式的处理腔室部件的纹理化表面的顶视平面图。
图10A至图10B为根据各种实施方式，沿着图9的截面线10A--10A截取的处理腔室部件的纹理化表面的截面图。
图11为一个实施方式的处理腔室部件的纹理化表面的局部平面图。
图12为沿着图11的截面线12--12截取的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。
图13A至图13E为处理腔室部件的局部截面图，显示了用于在处理腔室部件上形成纹理化表面的一个实施方式的制造工序的不同阶段。
图14描绘显示膜应力与特征结构形状之间关系的示图。
为了便于理解，已在尽可能的情况下使用相同的参考数字来标示这些图共有的相同元件。预期一个实施方式中的元件和特征结构也可以有利地并入其他实施方式中，而无需进一步的说明。
具体实施方式
在此描述的各个实施方式涉及延长处理腔室中的配件寿命的方法，以及由该方法制造的处理腔室部件。以在此描述的方法制造的处理腔室部件包括在腔室部件的表面上建立至少一宏观纹理，其具有强化的膜留存，由此延长保养间隔并额外的减少颗粒污染。因此，这些新颖处理腔室部件有助于减少工具停工时间并降低购置成本。预期“处理腔室部件”包括在用于制造集成电路、平板显示器、太阳能板、有机发光二极管、发光二极管和类似物的各种处理腔室中使用的各种部件。亦预期在此描述的纹理化技术可以在想要将膜留存于表面上的其他应用中找到其功用。
在此描述的实施方式涉及到使用光刻方法结合化学蚀刻处理的方式，意在于处理配件表面(例如，腔室部件的表面)上形成宏观纹理。可利用对这些膜性质的知识对该宏观纹理加以设计，以使留存膜的百分比最大化。在压缩金属膜的实例中，可以使用凹槽纹理，以即使在该膜破裂的情况下进行膜留存。此方法可允许在处理配件的部件上形成针对特定膜的性质进行调整的图案，以及无法承受其他热图案化技术的热负载的图案部分。这种用于将处理腔室部件进行纹理化的方法也避免了与建立具有生产价值的高粗糙度涂层相关的挑战。在某些情况中，已经实质减少缺陷数量以及降低膜应力，导致膜粘着性增加，同样的也实质延长了配件寿命。在此描述的处理可以用在处理腔室的所有对缺陷敏感的部件上。对于不具备原位清洗能力的处理(例如，PVD腔室和某些金属CVD腔室)而言，这是特别有用的。
图1为根据某些实施方式的处理腔室部件100宏观纹理化表面102的局部平面图。所述宏观纹理化表面102包括经设计的特征结构104的重复性预定图案。该术语“经设计的特征结构”是指这些特征结构的一般形状和布置是利用掩模或其他精密加工技术转移到腔室部件的表面的，所述掩模或其他精密加工技术预先确定从腔室部件表面的何处移除材料，从而形成预定的孔图案，例如利用通过掩模形成的孔的形状和布置来限定这些特征结构104的布置。例如，不使用掩模的表面蚀刻或喷砂处理便无法形成经设计的特征结构。这些特征结构104至少部分凹进至腔室部件100的预先纹理化的表面以下，例如，这些特征结构104的顶部可以实质上与腔室部件100的预先纹理化的表面共面。
这些特征结构104可连续地连接，或是可以具有离散形式。例如，这些特征结构104可为连续地连接的凹槽，其利用从腔室部件100的预先纹理化的表面移除材料，以剩余材料“支柱”的方式形成，如图2和图11中所描绘的实施方式所示；这些特征结构104可具有多个互连壁或脊形式的离散凹槽，这些互连壁或脊将形成在腔室部件100的预先纹理化的表面的多个凹槽区域分离，如图5和图9中所描绘的示例性实施方式所示；或是可为连续地连接的特征结构与离散特征结构的组合。形成在表面102中的特征结构104可以重复图案或随机方式布置。例如，特征结构104可被布置成避免在这些特征结构104之间形成不间断的平坦表面，例如，通过将这些特征结构104布置为一种避免在跨越纹理化表面102的这些特征结构104之间形成视线表面的图案或其他布置。
以下参照图9和图11来描绘和描述特征结构104的实例，这些特征结构布置成一图案，所述图案不具有在跨越纹理化表面102的这些特征结构104之间限定的视线表面。有利的是，具有纹理化表面102但不具有在形成纹理化表面102的这些特征结构104之间限定的视线表面的处理腔室部件100，可以消除长型不间断的线性表面，而这种线性表面易受沉积材料的剥离和/或颗粒容易脱落的影响。因此，具有纹理化表面102但不具有在这些特征结构104之间限定的视线表面的处理腔室部件100，可在清洗之间形成较长的保养间隔，并且沉积膜剥落的风险减少。因此，可以提高产品产量，减少维护需求，且在使用纹理化处理腔室部件100的情况下能够实现处理腔室更高的收益操作。
将这些特征结构104应用至处理腔室部件100的容易程度，使得能够形成宏观纹理化表面102，其中传统的纹理化方法将无法形成或可能对腔室部件100形成潜在伤害。例如，这些特征结构104和宏观纹理化表面102可形成于由不锈钢、铝、陶瓷或其他可图案化的材料制造的处理腔室部件100上。
如以上讨论的，这些特征结构104可以具有任何数量的几何形状，并且这些形状在整个纹理化表面102上不需要相同。虽然这些特征结构104在平面图中显示为圆形(也就是，圆柱状)，但这些特征结构104可具有沟槽、多边形或不规则形状、凹部(dimple)或其他类似特征结构。替代的，在整个纹理化表面102上，这些特征结构104之间的间隔可具有均匀或不规则的形状、尺寸和分布。
图2为图1的处理腔室部件100的纹理化表面102的局部截面图。这些特征结构104被图示为形成在纹理化表面102中至深度200，具有宽度或平均直径202和平均间隔204。当纹理化表面102可在特征结构形成之后被微观纹理化时，这些特征结构104可被视为宏观纹理，如以下进一步讨论的。深度200可在100微米至大约200微米的范围内，并且甚至可多达大约1毫米的深度。宽度或平均直径202可在大约100微米至大约200微米之间，并且甚至可多达大约1毫英寸(mil)的宽度。平均直径202对于深度200的比例范围可以从大约1.0:0.5至大约0.5:1.0。这些特征结构104之间的平均间隔204可至少为约0.5毫米，以形成足够的表面区域(例如，在相邻的特征结构104的边缘之间限定的剩余在纹理化表面102上的网状构造208)，以对以下讨论用于形成这些特征结构104的抗蚀掩模形成良好粘着。
图3为图2的处理腔室部件100的特征结构104的局部截面图，显示了设置在纹理化表面102的网状构造208上的抗蚀掩模300的一个实施方式。抗蚀掩模300可被图案化为形成多数开口302，这些特征结构104通过这些开口以机械方式和/或化学方式形成于部件100中。在一个实施方式中，可利用穿过抗蚀掩模300这些开口302，对处理腔室部件100进行湿式或干式蚀刻的方式，将这些开口302的形状转移至这些特征结构104。在此方法中，可以预定图案形成离散特征结构104的转移图案。抗蚀掩模300可被施加至处理腔室部件100上，以作为稍后进行图案化的液体或胶状材料层；或作为预先成型的抗蚀片。
抗蚀掩模300可利用光刻方法或其他适当的技术被图案化，以形成开口302。在一个实施方式中，可在进行纹理化之前将抗蚀材料层图案化在表面102上，因此该抗蚀材料的一些部分变的易脆。当该抗蚀材料层被蚀刻时，该抗蚀材料层的易脆部分断裂并脱离，以限定开口302，利用这些开口302通过继续对目前暴露的表面102进行蚀刻的方式形成这些特征结构104。例如，如果腔室部件100包括铝，则可将腔室部件100浸在三氯化铁和二氯化铜的溶液中，以对表面102进行蚀刻。在另一实例中，如果腔室部件100包括不锈钢，可利用诸如三氯化铁、氯化氢、氯化钠和类似的蚀刻剂对腔室部件100进行化学蚀刻，。例如，可将三氯化铁(在大约38波美(Baume))以压力喷涂至表面102上。三氯化铁可在大约20psi至大约60psi之间的压力(诸如在大约40psi)进行喷涂。该喷涂过程可在大约75摄氏度和大约125摄氏度之间的温度条件下进行，诸如大约100摄氏度。
在表面102上剩余的抗蚀材料层的这些部分，于蚀刻期间可避免材料从处理腔室部件100移除，由此形成该网状构造208。在其他实施方式中，可利用适当的技术移除未显影的抗蚀材料层这些部分，诸如利用动力清洗的技术，以在抗蚀掩模300中形成开口302。
在另一实施方式中，被用作抗蚀掩模300的抗蚀材料层具有抗蚀片的形式，其可在施加至处理腔室部件100的表面102之前或之后被图案化。例如，抗蚀片310可包括设置在背衬314上的抗蚀层312。抗蚀片310可包括压敏粘着剂316，用于将抗蚀片310固定至处理腔室部件100。抗蚀片310可在耦接至处理腔室部件100之前或之后被图案化。在一个实施方式中，可将工艺设计图案施加至作为光刻胶的抗蚀片310，紫外光可通过该工艺设计图案暴露于抗蚀掩模300。可执行化学蚀刻处理，以将未受抗蚀掩模300保护的表面102移除，以形成特征结构104，而剩余的抗蚀掩模300可被剥除、洗净、干式蚀刻移除或类似者。这种处理有利地使该抗蚀掩模300粘着至表面102，以形成均匀的特征结构104。
而在又一实施方式中，抗蚀层312(于图4中可另外看到，其中抗蚀层312不具有背衬314，在将抗蚀层312贴附至部件100之前，于抗蚀层312中形成开口302)在耦接至处理腔室部件100之前与抗蚀片310的其他部分分离。因为分离的抗蚀层312具有高度弹性，因此抗蚀层312相较于完整的抗蚀片310而言，可以被更容易的共形地(conformally)施加至具有复杂或明显轮廓的表面的处理腔室部件100的表面，由此避免抗蚀掩模300的皱折，并使得可以通过开口302更精确地形成这些特征结构104的形状。在不具又背衬314的抗蚀层312中的开口302可在耦接至处理腔室部件100之前或之后被图案化。
图5和图6为处理腔室部件500的宏观纹理化表面502的另一实施方式的局部截面图。特征结构504实质上如上所述形成于处理腔室部件500中，不同之处在于形成在抗蚀掩模300下方的在相邻的特征结构504之间的网状构造208可实质上小于特征结构504，因此，相对于诸如在图5中所示凸起的网状构造208而言，出现在纹理化表面502上的主要结构为凹槽特征结构504。
可在施加抗蚀掩模300之前或移除抗蚀掩模300之后，对宏观纹理化表面102、502进行选择性的微观纹理化。微观纹理化应用于特征结构104、504的表面轮廓，并且可以利用对腔室部件100、500的特征结构104、504和网状构造208进行喷砂处理，以机械方式形成。在一个实施方式中，在此描述的纹理化表面102、502可经喷砂处理成具有大约100至大约300RA(μin)的表面光洁度(surface finish)。微观纹理化可选择性通过非机械方法完成，诸如酸性蚀刻、等离子体处理或其他可以产生合适的表面光洁度的适当步骤。
图9为处理腔室部件900的宏观纹理化表面902的另一实施方式的局部截面图。形成宏观纹理化表面902的经设计的特征结构104实质上如以上所述形成于处理腔室部件900的表面中，不同之处在于在特征结构104之间限定的结构904可以具有圆形边缘908，这于图10A中较清楚可见。这些结构904可为具有支柱或凸丘形式的材料，其由在形成纹理化表面期间所移除的材料形成的特征结构104限定。凹槽906可形成于结构904中，这将在以下针对图10A至图10B进一步详细说明。所述支柱可从处理腔室部件900延伸并且可以具有任何适合的几何轮廓，诸如圆柱、多边形、椭圆形或其他适合的形状。在整个纹理化表面上，从处理腔室部件900延伸的这些支柱可在形状、尺寸和分布上为均匀的，或可以在形状、尺寸和分布之一或更多者中变化。这些支柱可为分离的并不与相邻的支柱连接，或者两个或更多个支柱可由网状材料加以连接。
图10A至图10B为根据各种实施方式，沿着图9的截面线10A--10A截取的处理腔室部件的纹理化表面的截面图。在图10A描绘的实施方式中，凹槽906可在结构904的中心处的位置形成于结构904中。凹槽906(诸如凹部)可以具有半圆形截面。特征结构104相较于凹槽906可以进一步延伸至部件100中。如以上所提到的，结构904在邻近特征结构104处可以具有实质上为圆形的边缘908。
图10B为根据另一实施方式，也沿着图9的截面线10A--10A截取的处理腔室部件的纹理化表面的截面图。在此，当于截面中观察时，这些特征结构104可具有曲线形外观。特征结构104的表面1004可以邻接圆形边缘908以形成突出结构1002。因此，突出结构1002可为结构904的一部分，结构904在特征结构104的一部分上侧向朝外延伸。与针对图10A所述的实施方式类似，凹槽906可形成于结构904中。
凹槽906的表面1004可为实质上凹形，并可以有利地增强将膜粘着至表面1004。人们认为凹形表面可以对沉积于凹槽906内的膜施加压缩力。因此，可以提高膜对表面1004的粘着性，其可以减少在处理腔室内的颗粒产生。
在一个实施方式中，这些圆形边缘908与表面1004可有利地在如以上描述的化学蚀刻处理期间形成，如以下参照图13A至图13E所描述的，或是以其他不需要进行后续喷砂处理的适当处理形成。因为某些材料和薄的腔室部件无法经受喷砂处理的热和应力，而化学蚀刻使得这些特征结构104、结构904的圆形边缘908和表面1004以及各种其他具有小于0.1英寸厚度的腔室部件100，可以根据在此描述的实施方式进行处理。在图9和图10A至图10B描绘的实施方式中，由这些特征结构104限定的结构904被布置成紧密堆积的圆形图案，因此在这些特征结构之间并不存在视线表面，以强化纹理化表面902的膜留存特性。例如，如图10A中所示，这些结构904形成一种在彼此后方交错的结构，阻挡在整个纹理化表面902上的视线，由此增强膜粘着性。
图11为根据另一实施方式的处理腔室部件100的宏观纹理化表面1100的局部平面图。特征结构104形成于腔室部件100的表面中，并由各个互连壁1104分离，因此在跨越纹理化表面1100的壁上不限定有视线表面。在一个实施方式中，这些互连壁1104可以形成多个圆柱形、椭圆形或多边形，例如，这些壁1104可被布置成限定蜂窝图案。这些壁1104的顶表面1106(参见图12)可被磨圆，以减少纹理化表面1100和沉积于其上的膜两者上的应力。此外，由这些特征结构104限定的壁1104的外边缘1106可有利地在这些经设计的特征结构104的形成期间被磨圆。在化学蚀刻处理中，如以上所述，光刻胶在工艺技术图案的边缘处不完全显影，因此光刻胶在这些特征结构104的化学或机械形成期间将被腐蚀，以形成如图12所示的圆形边缘1106，因此便不需要后续边缘磨圆的砂磨步骤。
图12为沿着图11的截面线12--12截取的处理腔室部件的纹理化表面的局部截面图。形成于腔室部件100的表面中并由多个互连壁1104分离的这些特征结构104可以具有任何适当的几何轮廓，诸如圆柱形、多边形、椭圆形或其他适合的形状。形成在处理腔室部件100中的这些特征结构104可在形状、尺寸和分布上为均匀的，或可以在整个宏观纹理化表面1100上于形状、尺寸和分布之一或更多者中变化。沟槽1102可形成于可由这些特征结构104所限定的各个相邻的壁1104之间。沟槽1102可以根据沟槽1102延伸至腔室部件100中的深度1108，而包括实质上为凹形的截面。在一个实施方式中，沟槽的深度1108可实质上与这些特征结构104的深度相等。
图13A至图13E为处理腔室部件100的局部截面图，显示了用于在处理腔室部件100上使用经设计的特征结构104形成纹理化表面的一个实施方式的制造工序的不同阶段。有利的是，在图13A至图13E中描述的处理，使得由这些经设计的特征结构104所限定的这些结构能够形成为具有突出结构1002，所述突出结构1002具有多个圆形边缘908，由此形成一种更加不具应力的纹理化表面，而更容易地留存沉积膜。
首先参照图13A，处理腔室部件100可被光刻胶层314涂布。工艺图1302可设置于光刻胶层314之上或放置于光刻胶层314的顶部上。该工艺图1302可包括一种或更多种区域形式，例如：多个透明区域1306，能量1304可通过这些透明区域1306，以使下方的光刻胶层314曝光；不透明区域1308；以及非透明区域1310，其实质上阻挡能量1304对下方的光刻胶层314曝光。这些不透明区域1308可具有经选择的灰阶，以使能量1304的一部分将下方的光刻胶层314部分曝光。
下方的光刻胶层314可以通过工艺图1302进行曝光以如图13B中所示形成显影区域1312、部分显影区域1314和非显影区域1316。所述非显影区域1316可被移除，例如利用喷砂处理、蚀刻或动力清洗的方式以形成多个开口1318、1317，这些开口1317、1318使腔室部件100的上表面1324通过经图案化的光刻胶层314暴露，如图13C中所示。
现在参照图13D至图13E，特征结构104可以通过从处理腔室部件100的上表面1324移除材料的方式形成。如以上讨论的，所述材料可利用喷砂处理、蚀刻或动力清洗的方式移除。所述部分显影区域1314为较软或更为易脆(根据所使用的光刻胶)，可以该材料移除处理期间快速腐蚀，因此在特征结构104形成的同时增加开口1318的孔径(宽度或直径1322)。在某些实施方式中，诸如在形成这些开口1317时，可以不使用所述部分显影区域1314。在接近完成材料移除处理时，所述部分显影区域1314可以被腐蚀到下方的处理腔室部件100的上表面1324变为暴露于外的程度，因此限定特征结构104的突出结构1002具有变为圆形的边缘908。突出结构1002有利地减少纹理化表面1100和沉积于其上的膜两者上的应力。
如果在以上方法中使用蚀刻处理，可以使用各向异性蚀刻剂或各向同性蚀刻剂以形成需要的特征结构104。例如，图10A的这些特征结构可通过利用各向异性蚀刻剂形成，以形成实质上与特征结构104的底部垂直的侧壁。在此实例中，沟槽的表面实质上可为线性的。在另一实例中，图10B的这些特征结构可通过利用各向同性蚀刻剂形成，以使特征结构104的表面形成为实质上可为曲线形的。此外，突出结构1002可以利用各向同性蚀刻剂形成。
要注意在以上描述的任何实施方式中，用于形成纹理化表面102、502、902、1100的这些经设计的特征结构可为选择性地被微观纹理化为具有大约100至大约300RA(μin)的表面光洁度。微观纹理化的进行，可以通过喷砂处理、酸性蚀刻、等离子体处理或其他可以产生合适的表面光洁度的适当步骤应用。
图14描绘显示膜压力与特征结构104形状之间关系的示图。曲线1402和1404描绘具有实质上为线性表面的宏观结构，其具有形成于其中的多个特征结构。曲线1406描绘具有实质上为凹形弯曲表面的宏观结构及所产生的膜应力。从中可以看出，在曲线1402和1404中的膜应力实质上大于曲线1406中的膜应力。较大程度的膜应力可能造成膜留存的减少，并增加颗粒形成。这些凹形表面产生大约25％的膜应力降低，其提高膜对于纹理化表面的宏观特征结构的粘着性。据此，具有凹形特征结构和形成于其中的凹槽的结构，可以有利地提供增强的膜粘着性，并减少颗粒形成，同时延长处理配件的寿命。
返回参照图7和图8，图7描绘根据某些实施方式的PVD腔室屏蔽件。屏蔽件700包括至少一个如以上描述的纹理化表面。例如，屏蔽件700的外径表面702或内径表面704(以切开形式示出)的至少之一如以上讨论经宏观纹理化，以形成经设计的特征结构，并且这些经设计的特征结构可被选择性地微观纹理化。现在参照图8，根据某些实施方式提供处理配件环800。该环800包括利用以上实施方式中所描述的经设计的特征结构所形成的至少一个宏观纹理化表面，其中这些经设计的特征结构可被选择性地微观纹理化。例如，至少环800的上方盘形表面802可被宏观和微观纹理化。环800可为沉积环、夹环、盖环、聚焦环(focusring)、边缘环或在半导体处理腔室中使用的其他环。以上参照图7和图8讨论的半导体腔室部件是作为举例说明，其他的半导体腔室部件也可被宏观和微观纹理化，以形成具有延长的使用寿命和低颗粒产生特性的纹理化半导体腔室部件，诸如腔室主体、基座、衬垫、准直器、阴影框架(shadow frame)和盖环及其他部件，但并不限于此。
虽然前述内容涉及本公开内容的各实施方式，但在不背离本公开内容的基本范围的情况下，可设计出本公开内容的其他和进一步的实施方式，并且本公开内容的范围由以下要求保护的范围所确定。
Claims (17)
1.一种物件，所述物件具有经图案化的表面以增强沉积膜的留存，所述物件包括：
处理腔室部件，所述处理腔室部件具有一个或更多个经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面，所述一个或更多个经设计的特征结构被布置成避免跨越所述宏观纹理化表面形成视线表面，其中所述宏观纹理化表面包括一个或更多个结构，所述一个或更多个结构包括：
顶表面；和
突出结构，所述突出结构具有圆形边缘，所述突出结构沿着所述一个或更多个结构的侧壁设置，其中所述突出结构始于所述一个或更多个结构的顶表面，并且在所述一个或更多个结构的每一个的所述顶表面的中央区域内形成凹槽，所述凹槽位于所述突出结构径向向内。
2.如权利要求1所述的物件，其中一个或更多个结构包括圆柱形，所述圆柱形具有圆形顶表面，其中在所述一个或更多个结构中形成凹槽。
3.如权利要求2所述的物件，其中所述经设计的特征结构的深度大于所述凹槽的深度。
4.如权利要求2所述的物件，其中所述凹槽具有凹表面。
5.如权利要求4所述的物件，其中所述凹槽的所述凹表面适于对沉积在所述凹槽的所述表面上的膜施加压缩力。
6.如权利要求1所述的物件，其中所述经设计的特征结构由形成六角形蜂窝图案的壁所界定。
7.如权利要求6所述的物件，其中在形成所述六角形蜂窝图案的所述壁之间形成沟槽。
8.如权利要求7所述的物件，其中所述沟槽的表面为凹形。
9.如权利要求1所述的物件，其中形成所述纹理化表面的所述经设计的特征结构在整个所述纹理化表面上具有均匀的形状、尺寸和分布的至少之一。
10.如权利要求1所述的物件，其中所述经设计的特征结构被布置成预定图案。
11.如权利要求1所述的物件，其中所述经设计的特征结构被紧密堆积。
12.如权利要求1所述的物件，其中所述经设计的特征结构的一个或更多个特征结构具有凹表面。
13.如权利要求1所述的物件，其中所述经设计的特征结构形成分离的支柱。
14.一种物件，所述物件具有经图案化的表面以增强沉积膜留存，所述物件包括：
处理腔室部件，所述处理腔室部件具有经设计的特征结构所形成的宏观纹理化表面，所述经设计的特征结构被布置为预定图案，以避免跨越所述宏观纹理化表面形成视线表面，所述经设计的特征结构被布置为预定图案，其中所述经设计的特征结构包括具有凹形的表面和一个或更多个结构，所述一个或更多个结构限定所述宏观纹理化表面，所述结构包括：
圆形突出结构，所述圆形突出结构沿着所述一个或更多个结构的侧壁设置，并且所述圆形突出结构从所述一个或更多个结构的顶表面径向向外延伸，其中在所述一个或更多个结构的所述顶表面的中央区域内形成凹形的凹槽，并且所述凹槽位于所述圆形突出结构径向向内。
15.如权利要求14所述的物件，其中所述经设计的特征结构由形成六角形蜂窝图案的壁所界定。
16.如权利要求15所述的物件，其中所述经设计的特征结构由形成凸丘的结构所界定，所述凸丘具有形成于其中的凹形凹槽。
17.如权利要求14所述的物件，其中所述经设计的特征结构被紧密堆积，并且其中所述经设计的特征结构形成分离的支柱。
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