JP6496739B2 - 堆積保持力を増大させるための表面テクスチャリングのための形状寸法およびパターン - Google Patents
堆積保持力を増大させるための表面テクスチャリングのための形状寸法およびパターン Download PDFInfo
- Publication number
- JP6496739B2 JP6496739B2 JP2016544338A JP2016544338A JP6496739B2 JP 6496739 B2 JP6496739 B2 JP 6496739B2 JP 2016544338 A JP2016544338 A JP 2016544338A JP 2016544338 A JP2016544338 A JP 2016544338A JP 6496739 B2 JP6496739 B2 JP 6496739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- article
- processing chamber
- structures
- features
- chamber component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 title description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
- B05C21/005—Masking devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24149—Honeycomb-like
- Y10T428/24165—Hexagonally shaped cavities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Treatment Of Fiber Materials (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
本明細書に記載する実施形態は、一般に、処理チャンバ構成要素およびその製造方法に関する。より詳細には、本明細書に記載する実施形態は、堆積保持力を増大させるための表面テクスチャリングのための形状寸法およびパターンに関する。
半導体プロセスチャンバ構成要素上には、チャンバ内で実行されるプロセスの結果、膜が堆積されることが多い。構成要素上に堆積された膜は、最終的に剥離または薄片化することがあり、場合によっては処理されている基板上へ粒子を落とすことがある。これらの粒子は、基板上に形成されている集積回路内で欠陥を引き起こすことがある。
処理チャンバ構成要素は、堆積された膜の保持力を高めるために粗面化されており、それによって、膜がチャンバ構成要素から薄片化して汚染源となるのを防止するために、チャンバ構成要素を清浄にしなければならない時間が延びる。粗面化プロセスの共通の例には、グリットブラスティングを行うことおよびツインワイヤアーク噴霧コーティングを施すことが含まれる。しかし、さらに長い間隔にわたって膜を保持する意図で、ますます大きい表面粗さ（ＲA）まで表面が粗面化されているとき、粗面化された表面の尖頭上のコーティングはますます割れやすくなり、したがってコーティング自体が頻繁な汚染源となり、そのため多くの非常に粗面化された表面は重大な用途に適さなくなる。
さらに、チャンバ構成要素の表面を粗面化する処理の制限は、さらなる難題の原因となることが分かっている。たとえば、表面の粗面化プロセスを実行するために高い熱が必要な場合、高い熱は、プラスチックの変形を引き起こすことなどによって構成要素を歪ませることがあり、または融合による微小な亀裂を引き起こすことがあり、これは構成要素の完全性を低減させる。加えて、表面テクスチャリングのための従来のプロセスは、高価で時間がかかることがある。最後に、様々な表面テクスチャではさらに、膜の保持力が欠如し、これは処理チャンバ内で粒子の生成を招く。
処理チャンバ構成要素は、堆積された膜の保持力を高めるために粗面化されており、それによって、膜がチャンバ構成要素から薄片化して汚染源となるのを防止するために、チャンバ構成要素を清浄にしなければならない時間が延びる。粗面化プロセスの共通の例には、グリットブラスティングを行うことおよびツインワイヤアーク噴霧コーティングを施すことが含まれる。しかし、さらに長い間隔にわたって膜を保持する意図で、ますます大きい表面粗さ（ＲA）まで表面が粗面化されているとき、粗面化された表面の尖頭上のコーティングはますます割れやすくなり、したがってコーティング自体が頻繁な汚染源となり、そのため多くの非常に粗面化された表面は重大な用途に適さなくなる。
さらに、チャンバ構成要素の表面を粗面化する処理の制限は、さらなる難題の原因となることが分かっている。たとえば、表面の粗面化プロセスを実行するために高い熱が必要な場合、高い熱は、プラスチックの変形を引き起こすことなどによって構成要素を歪ませることがあり、または融合による微小な亀裂を引き起こすことがあり、これは構成要素の完全性を低減させる。加えて、表面テクスチャリングのための従来のプロセスは、高価で時間がかかることがある。最後に、様々な表面テクスチャではさらに、膜の保持力が欠如し、これは処理チャンバ内で粒子の生成を招く。
したがって、改善された処理チャンバ構成要素およびその作製方法が当技術分野で必要とされている。
一実施形態では、堆積された膜の保持力を高めるようにパターニングされた表面を有する物品が提供される。物品は、マクロテクスチャ表面を有する処理チャンバ構成要素を備えることができ、マクロテクスチャ表面は、マクロテクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止するように配置された加工特徴から形成される。加工特徴の１つまたは複数は、凹形の表面を有する。
別の実施形態では、堆積された膜の保持力を高めるようにパターニングされた表面を有する物品が提供される。物品は、マクロテクスチャ表面を有する処理チャンバ構成要素を備えることができ、マクロテクスチャ表面は、テクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止する事前定義されたパターンで配置された加工特徴から形成される。加工特徴は、事前定義されたパターンで配置することができ、加工特徴は、凹形の形状を有する表面を有することができる。
さらに別の実施形態では、半導体チャンバ構成要素を製造する方法が提供される。方法は、チャンバ構成要素の表面をマスクで覆うことを含むことができる。テクスチャ表面を画定する複数の加工特徴を形成するために、チャンバ構成要素の表面から材料を除去することができる。加工特徴は、テクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止するように配置することができ、加工特徴は、凹形の形状を有する表面を備えることができる。
別の実施形態では、堆積された膜の保持力を高めるようにパターニングされた表面を有する物品が提供される。物品は、マクロテクスチャ表面を有する処理チャンバ構成要素を備えることができ、マクロテクスチャ表面は、テクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止する事前定義されたパターンで配置された加工特徴から形成される。加工特徴は、事前定義されたパターンで配置することができ、加工特徴は、凹形の形状を有する表面を有することができる。
さらに別の実施形態では、半導体チャンバ構成要素を製造する方法が提供される。方法は、チャンバ構成要素の表面をマスクで覆うことを含むことができる。テクスチャ表面を画定する複数の加工特徴を形成するために、チャンバ構成要素の表面から材料を除去することができる。加工特徴は、テクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止するように配置することができ、加工特徴は、凹形の形状を有する表面を備えることができる。
本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、実施形態を参照することによって、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を得ることができる。実施形態の一部を添付の図面に示す。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容することができるため、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本開示の範囲を限定すると見なされるべきでないことに留意されたい。
理解を容易にするために、可能な場合、図に共通の同一の要素を指すために、同一の参照番号を使用した。また、一実施形態の要素および特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態に有益に組み込むことができることが企図される。
本明細書に記載する実施形態は、それによって製造される処理チャンバおよび処理チャンバ構成要素のキット寿命を延ばす方法に関する。本明細書に記載される方法で製造される処理チャンバ構成要素は、膜の保持力が高められたチャンバ構成要素の表面上に少なくともマクロテクスチャを生成することを含み、それによってサービス間隔を延ばし、加えて粒子汚染を低減させる。したがって、新規な処理チャンバ構成要素は、器具のダウンタイムを低減させ、所有コストをより低くすることに寄与する。「処理チャンバ構成要素」は、集積回路、フラットパネルディスプレイ、ソーラーパネル、ＯＬＥＤ、ＬＥＤなどの製造に使用される処理チャンバ内で利用される構成要素を含むことが企図される。また、本明細書に記載するテクスチャ化技法は、表面に対する膜の保持力が所望される他の適用分野でも有用性を見出すことができることが企図される。
本明細書に記載する実施形態は、それによって製造される処理チャンバおよび処理チャンバ構成要素のキット寿命を延ばす方法に関する。本明細書に記載される方法で製造される処理チャンバ構成要素は、膜の保持力が高められたチャンバ構成要素の表面上に少なくともマクロテクスチャを生成することを含み、それによってサービス間隔を延ばし、加えて粒子汚染を低減させる。したがって、新規な処理チャンバ構成要素は、器具のダウンタイムを低減させ、所有コストをより低くすることに寄与する。「処理チャンバ構成要素」は、集積回路、フラットパネルディスプレイ、ソーラーパネル、ＯＬＥＤ、ＬＥＤなどの製造に使用される処理チャンバ内で利用される構成要素を含むことが企図される。また、本明細書に記載するテクスチャ化技法は、表面に対する膜の保持力が所望される他の適用分野でも有用性を見出すことができることが企図される。
本明細書に記載する実施形態は、化学エッチングプロセスとともにリソグラフィ方法を使用してプロセスキット表面（たとえば、チャンバ構成要素の表面）上にマクロテクスチャを作為的に生成することを伴う。マクロテクスチャは、保持される膜の割合を最大にするように、膜の特性に関する知識を使用して設計することができる。圧縮金属膜の例では、膜が裂けた場合でも、凹んだテクスチャを使用して膜を保持することができる。この方法は、特有の膜の特性に合わせて調整されたプロセスキット部分上にパターンを生成すること、ならびに代替の熱パターニング技法の熱負荷を受ける可能性のないパターン部分を生成することを可能にする。処理チャンバ構成要素をテクスチャ化する方法はまた、非常に粗いコーティングを作製する価値のあるものにすることに関連する難題を回避する。場合によっては、欠陥数が実質上低減され、膜応力が低減され、その結果、膜の接着力が増大し、ならびにキット寿命が実質上延びる。本明細書に記載するプロセスは、プロセスチャンバの欠陥の影響を受けやすいすべての部分上で使用することができる。このプロセスは、インシトゥ洗浄能力のないプロセス（たとえば、ＰＶＤチャンバおよび一部の金属ＣＶＤチャンバ）で特に有用である。
図１は、特定の実施形態による処理チャンバ構成要素１００のマクロテクスチャ表面１０２の部分平面図である。マクロテクスチャ表面１０２は、加工特徴１０４の事前定義された反復パターンを含む。「加工特徴」という用語は、開孔の事前定義されたパターンが形成されるようにチャンバ構成要素の表面から材料が除去される位置を事前定義するマスクまたは他の精密機械加工技法を利用して、たとえば特徴１０４の配置を画定するようにマスクによって形成された開孔の形状および配置を利用することによって、特徴の全体的な形状および配置がチャンバ構成要素の表面に転写されることを意味する。たとえば、マスクを使用しない表面エッチングまたはビードブラスティングは、加工特徴を形成することができない。特徴１０４は、チャンバ構成要素１００の事前テクスチャ表面の下に少なくとも部分的に凹んでおり、たとえば特徴１０４の頂部は、チャンバ構成要素１００の事前テクスチャ表面と実質上同一平面上とすることができる。
特徴１０４は、隣接して接続することができ、または個別の形態とすることができる。たとえば、特徴１０４は、図２および図１１に示す実施形態に示すように、チャンバ構成要素１００の事前テクスチャ表面から材料を除去して材料の「ピラー」を残すことによって形成された隣接して接続された凹みとすることができる。特徴１０４は、図５および図９に示す例示的な実施形態に示すように、チャンバ構成要素１００の事前テクスチャ表面内に形成された凹んだ区域を分離する複数の相互接続された壁もしくは隆起の形の個別の凹みとすることができ、または隣接して接続された特徴と個別の特徴の組合せとすることができる。表面１０２内に形成される特徴１０４は、反復パターンでまたはランダムに配置することができる。たとえば、特徴１０４は、たとえばテクスチャ表面１０２全体にわたって特徴１０４間に見通し面が形成されるのを防止するパターンまたは他の配置で特徴１０４を配置することによって、特徴１０４間に連続する平面の表面が生成されるのを回避するように配置することができる。
テクスチャ表面１０２全体にわたって特徴１０４間に画定された見通し面のないパターンで配置された特徴１０４の例を示し、図９および図１１を参照しながら後述する。有益には、テクスチャ表面１０２を形成する特徴１０４間に画定された見通し面のないテクスチャ表面１０２を有する処理チャンバ構成要素１００は、堆積された材料の剥離を受けやすくかつ／または粒子を容易に落とす長い連続する線形の表面をなくす。したがって、特徴１０４間に画定された見通し面のないテクスチャ表面１０２を有する処理チャンバ構成要素１００は、洗浄間でより長いサービス間隔を可能にしながら、堆積された膜が薄片化するリスクを減らすことができる。その結果、収量を改善することができ、保守要件を低減させることができ、テクスチャ化された処理チャンバ構成要素１００が利用される処理チャンバのより収益性の高い動作を実現することができる。
処理チャンバ構成要素１００に特徴１０４を容易に施すことができることで、従来のテクスチャリングでは可能でないはずの位置、または場合によってはチャンバ構成要素１００を損傷しうる位置でも、マクロテクスチャ表面１０２を形成することが可能になる。たとえば、特徴１０４およびマクロテクスチャ表面１０２は、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミック、または他のパターニング可能な材料から製造された処理チャンバ構成要素１００上に形成することができる。
上記で論じたように、特徴１０４は、任意の数の幾何形状を有することができ、これらの形状は、テクスチャ表面１０２全体にわたって均一である必要はない。特徴１０４を平面内に円形（すなわち、円筒）として示すが、特徴１０４は、溝、多角形または不規則な形状、凹部、および他の類似の特徴を有することができる。別法として、特徴１０４間の間隔は、テクスチャ表面１０２全体にわたって均一または不規則な形状、寸法、および分布を有することができる。
処理チャンバ構成要素１００に特徴１０４を容易に施すことができることで、従来のテクスチャリングでは可能でないはずの位置、または場合によってはチャンバ構成要素１００を損傷しうる位置でも、マクロテクスチャ表面１０２を形成することが可能になる。たとえば、特徴１０４およびマクロテクスチャ表面１０２は、ステンレス鋼、アルミニウム、セラミック、または他のパターニング可能な材料から製造された処理チャンバ構成要素１００上に形成することができる。
上記で論じたように、特徴１０４は、任意の数の幾何形状を有することができ、これらの形状は、テクスチャ表面１０２全体にわたって均一である必要はない。特徴１０４を平面内に円形（すなわち、円筒）として示すが、特徴１０４は、溝、多角形または不規則な形状、凹部、および他の類似の特徴を有することができる。別法として、特徴１０４間の間隔は、テクスチャ表面１０２全体にわたって均一または不規則な形状、寸法、および分布を有することができる。
図２は、図１の処理チャンバ構成要素１００のテクスチャ表面１０２の部分断面図である。テクスチャ表面１０２内へ深さ２００まで形成され、幅または平均径２０２および平均間隔２０４を有する特徴１０４を示す。特徴１０４は、以下でさらに論じるように、特徴形成後、テクスチャ表面１０２にミクロテクスチャリングを施すことができるため、マクロテクスチャと見なされる。深さ２００は、１００μｍ〜約２００μｍの範囲内とすることができ、さらに深さ約１ｍｍとすることができる。幅または平均径２０２は、約１００μｍ〜約２００μｍとすることができ、さらに幅約１ミルとすることができる。平均径２０２と深さ２００の比は、約１．０：０．５〜約０．５：１．０の範囲とすることができる。特徴１０４間の平均間隔２０４は、特徴１０４を形成するために利用される以下に論じるレジストマスクの良好な接着にとって十分な表面積（たとえば、隣接する特徴１０４のエッジ間に画定されたテクスチャ表面１０２上に残っているウェブ２０８）を可能にするために、少なくとも約０．５ｍｍとすることができる。
図３は、テクスチャ表面１０２のウェブ２０８上に配置されたレジストマスク３００の一実施形態を示す図２の処理チャンバ構成要素１００の特徴１０４の部分断面図である。レジストマスク３００は、開口３０２を形成するようにパターニングすることができ、特徴１０４は、開口３０２を通って構成要素１００内に機械的および／または化学的に形成される。一実施形態では、開口３０２の形状は、レジストマスク３００の開口３０２を通って処理チャンバ構成要素１００に湿式または乾式エッチングを施すことによって、特徴１０４へ転写することができる。このようにして、個別の特徴１０４の転写されたパターンを、事前定義されたパターンで形成することができる。レジストマスク３００は、後にパターニングされる液体もしくはゲル材料層として、または事前形成されたレジストシートとして、処理チャンバ構成要素１００上に施すことができる。
レジストマスク３００は、開口３０２を形成するように、リソグラフィまたは他の適した技法を使用してパターニングすることができる。一実施形態では、レジスト材料層は、レジスト材料の一部分が脆化するように、テクスチャリング前に表面１０２上にパターニングすることができる。レジスト材料層がエッチングされたとき、レジスト材料層の脆性部分は裂けて分離して、開口３０２を画定し、現在露出されている表面１０２を、開口３０２を通って引き続きエッチングすることによって、特徴１０４が形成される。たとえば、チャンバ構成要素１００がアルミニウムを含む場合、チャンバ構成要素１００は、表面１０２をエッチングするためにＦｅＣｌ3およびＣｕＣｌ2の溶液中に浸すことができる。別の例では、チャンバ構成要素１００がステンレス鋼を含む場合、チャンバ構成要素１００は、ＦｅＣｌ3、ＨＣｌ、ＮａＣｌなどのエッチング剤によって化学的にエッチングすることができる。たとえば、ＦｅＣｌ3（約３８ボーメ度）を表面１０２上へ圧力噴霧することができる。ＦｅＣｌ3は、約４０ｐｓｉなど、約２０ｐｓｉ〜約６０ｐｓｉの圧力で噴霧することができる。噴霧プロセスは、約１００℃など、約７５℃〜約１２５℃の温度を有する条件下で進めることができる。
レジスト材料層のうちエッチング中に表面１０２上に残っている部分は、処理チャンバ構成要素１００からの材料の除去を防止し、それによってウェブ２０８を形成する。他の実施形態では、レジスト材料層のうち成長していない部分は、レジストマスク３００内に開口３０２を形成するために、パワー洗浄などの適した技法によって除去することができる。
レジスト材料層のうちエッチング中に表面１０２上に残っている部分は、処理チャンバ構成要素１００からの材料の除去を防止し、それによってウェブ２０８を形成する。他の実施形態では、レジスト材料層のうち成長していない部分は、レジストマスク３００内に開口３０２を形成するために、パワー洗浄などの適した技法によって除去することができる。
別の実施形態では、レジストマスク３００として利用されるレジスト材料層は、レジストシートの形であり、処理チャンバ構成要素１００の表面１０２へ施す前または後にパターニングすることができる。たとえば、レジストシート３１０は、バッキング３１４上に配置されたレジスト層３１２を含むことができる。レジストシート３１０は、レジストシート３１０を処理チャンバ構成要素１００に固定する感圧接着剤３１６を含むことができる。レジストシート３１０は、処理チャンバ構成要素１００に結合する前または後にパターニングすることができる。一実施形態では、フォトレジストであるレジストシート３００にアートパターンを施すことができ、アートパターンを通ってレジスト３００にＵＶ光を露出させることができる。化学エッチングプロセスを実行して、レジスト３００によって保護されていない表面１０２を除去して特徴１０４を形成することができ、残りのレジスト３００は、剥ぎ取り、洗浄、乾燥エッチングなどにより取り除くことができる。このプロセスは、有利には、レジスト３００が表面１０２に粘着して均一の特徴１０４を形成することを可能にする。
さらに別の実施形態では、レジスト層３１２（図４にさらに見られるように、バッキング３１４を有しておらず、構成要素１００に取り付ける前に開口３０２が形成されている）は、処理チャンバ構成要素１００に結合する前にレジストシート３１０の他の部分から分離される。分離されたレジスト層３１２は非常に可撓性が高いため、レジスト層３１２は、レジストシート３１０全体より容易に、複雑なまたは非常に起伏のある表面を有する処理チャンバ構成要素１００の表面により共形に施すことができ、それによってマスク層３００のしわを防止し、開口３０２を通って特徴１０４の形状をより精密に形成することを可能にすることができる。バッキング３１４を有していないレジスト層３１２内の開口３０２は、処理チャンバ構成要素１００に結合する前または後にパターニングすることができる。
図５および図６は、処理チャンバ構成要素５００のマクロテクスチャ表面５０２の別の実施形態の部分断面図である。実質上上記のように、処理チャンバ構成要素５００内に特徴５０４が形成されるが、レジストマスク３００の下で隣接する特徴５０４間に形成されるウェブ２０８は、特徴５０４より実質上小さくすることができ、それにより、テクスチャ表面５０２上に存在する主要な構造は、図２に示すような凹んだ特徴５０４とは対照的に、浮き出しのウェブ２０８になる。
マクロテクスチャ表面１０２、５０２には、任意選択で、レジストマスク３００の適用前またはレジストマスク３００の除去後に、ミクロテクスチャリングを施すことができる。ミクロテクスチャリングは、特徴１０４、５０４の表面の輪郭に施され、チャンバ構成要素１００、５００の特徴１０４、５０４とウェブ２０８の両方にビードブラスティングをかけることによって機械的に形成することができる。一実施形態では、本明細書に記載するテクスチャ表面１０２、５０２には、約１００〜約３００ＲA（μインチ）の表面仕上げまでビードブラスティングをかけることができる。ミクロテクスチャリングは、任意選択で、適した表面仕上げをもたらすことができる酸腐蝕、プラズマ処理、または他の適した手順など、非機械的な方法によって実現することができる。
マクロテクスチャ表面１０２、５０２には、任意選択で、レジストマスク３００の適用前またはレジストマスク３００の除去後に、ミクロテクスチャリングを施すことができる。ミクロテクスチャリングは、特徴１０４、５０４の表面の輪郭に施され、チャンバ構成要素１００、５００の特徴１０４、５０４とウェブ２０８の両方にビードブラスティングをかけることによって機械的に形成することができる。一実施形態では、本明細書に記載するテクスチャ表面１０２、５０２には、約１００〜約３００ＲA（μインチ）の表面仕上げまでビードブラスティングをかけることができる。ミクロテクスチャリングは、任意選択で、適した表面仕上げをもたらすことができる酸腐蝕、プラズマ処理、または他の適した手順など、非機械的な方法によって実現することができる。
図９は、処理チャンバ構成要素９００のマクロテクスチャ表面９０２の別の実施形態の部分断面図である。マクロテクスチャ表面９０２を形成する加工特徴１０４は、実質上上記のように、処理チャンバ構成要素９００の表面内に形成することができるが、特徴１０４間に画定される構造９０４は、図１０Ａによりよく見られるように、丸くしたエッジ９０８を有することができる。構造９０４は、テクスチャ表面の生成中に除去される材料によって形成された特徴１０４によって囲まれた材料のピラーまたはマウンドの形とすることができる。図１０Ａ〜１０Ｂに関してより詳細に説明するように、構造９０４内に凹み９０６を形成することができる。ピラーは、処理チャンバ構成要素９００から延びることができ、円筒形、多角形、楕円形、または他の適した形状などの任意の適した幾何プロファイルを有することができる。処理チャンバ構成要素９００から延びるピラーは、均一の形状、寸法、および分布とすることができ、またはテクスチャ表面全体にわたって形状、寸法、および分布の１つまたは複数が変動することができる。ピラーは、個別の接続されていない隣接するピラーとすることができ、または２つ以上のピラーを材料のウェブによって接続することができる。
図１０Ａ〜１０Ｂは、様々な実施形態による断面線１０Ａ−−１０Ａで切り取った図９の処理チャンバ構成要素のテクスチャ表面の横断面図である。図１０Ａに示す実施形態では、構造９０４内で構造９０４の中心の位置に、凹み９０６を形成することができる。凹部などの凹み９０６は、半円形の横断面を有することができる。特徴１０４は、凹み９０６より構成要素１００内へさらに延びることができる。前述のように、構造９０４は、特徴１０４に隣接して実質上丸くしたエッジ９０８を有することができる。
図１０Ｂは、別の実施形態による同じく断面線１０Ａ−−１０Ａで切り取った図９の処理チャンバ構成要素のテクスチャ表面の横断面図である。ここで、特徴１０４は、断面で見ると曲線の外観を有することができる。特徴１０４の表面１００４は、丸くしたエッジ９０８に当接して、張り出し１００２を形成することができる。したがって、張り出し１００２は、構造９０４のうち特徴１０４の一部分の上へ横方向に外方へ延びる部分とすることができる。図１０Ａに関連して記載した実施形態と同様に、構造９０４内に凹み９０６を形成することができる。
凹み９０６の表面１００４は、実質上凹形の形状とすることができ、有利には、表面１００４に対する膜の接着力を高めることができる。凹形の形状の表面は、凹み９０６内に堆積された膜に圧縮力を作用させることができると考えられる。その結果、表面１００４に対する膜の接着力を増大させることができ、これにより処理チャンバ内の粒子の生成を低減させることができる。
一実施形態では、丸くしたエッジ９０８および表面１００４は、有利には、図１３Ａ〜１３Ｅを参照しながら後述するように、上記の化学エッチングプロセス中、または他の適したプロセス中に形成することができ、後のビードブラスティングを必要としない。特定の材料および薄いチャンバ構成要素は、ビードブラスティングの熱および応力に耐えることができないため、化学エッチングは、特徴１０４、構造９０４の丸くしたエッジ９０８、および表面１００４、ならびに０．１インチ未満の厚さを有する様々な他のチャンバ構成要素１００を、本明細書に記載する実施形態によって処理することを可能にする。図９および図１０Ａ〜１０Ｂに示す実施形態では、特徴１０４によって画定された構造９０４は、テクスチャ表面９０２の膜保持特性を高めるため、特徴間の見通し面が存在しないように、密集した円形のパターンで配置される。たとえば、図１０Ａに示すように、互い違いに形成された構造９０４は、マクロテクスチャ表面９０２全体にわたって見通し線を阻止し、それによって膜の接着力を高める。
一実施形態では、丸くしたエッジ９０８および表面１００４は、有利には、図１３Ａ〜１３Ｅを参照しながら後述するように、上記の化学エッチングプロセス中、または他の適したプロセス中に形成することができ、後のビードブラスティングを必要としない。特定の材料および薄いチャンバ構成要素は、ビードブラスティングの熱および応力に耐えることができないため、化学エッチングは、特徴１０４、構造９０４の丸くしたエッジ９０８、および表面１００４、ならびに０．１インチ未満の厚さを有する様々な他のチャンバ構成要素１００を、本明細書に記載する実施形態によって処理することを可能にする。図９および図１０Ａ〜１０Ｂに示す実施形態では、特徴１０４によって画定された構造９０４は、テクスチャ表面９０２の膜保持特性を高めるため、特徴間の見通し面が存在しないように、密集した円形のパターンで配置される。たとえば、図１０Ａに示すように、互い違いに形成された構造９０４は、マクロテクスチャ表面９０２全体にわたって見通し線を阻止し、それによって膜の接着力を高める。
図１１は、別の実施形態による処理チャンバ構成要素１００のマクロテクスチャ表面１１００の部分平面図である。チャンバ構成要素１００の表面内に特徴１０４が形成され、相互接続壁１１０４によって分離され、それによりテクスチャ表面１１００全体にわたって壁上に見通し面が画定されないようになっている。一実施形態では、相互接続壁１１０４は、複数の円筒形、楕円形、または多角形の形状を形成することができ、たとえば、はちの巣状のパターンを画定するように壁１１０４を配置することができる。壁１００４の頂面１１０６（図１２参照）は、テクスチャ表面１１００とその上に堆積された膜との両方にかかる応力を低減させるために、丸くすることができる。加えて、特徴１０４によって画定された壁１００４の外側エッジ１００６は、有利には、加工特徴１０４の形成中に丸くすることができる。化学エッチングプロセスでは、上記のように、フォトレジストは、アートパターンのエッジでは完全には成長せず、その結果、フォトレジストは、特徴１０４の化学または機械的形成中に浸食され、図１２に示すように、丸くしたエッジ１００６をもたらし、したがって、エッジを丸めるために後にブラスティングを施す必要がなくなる。
図１２は、断面線１２−−１２で切り取った図１１の処理チャンバ構成要素のテクスチャ表面の部分横断面図である。チャンバ構成要素１００の表面内に形成され、相互接続壁１００４によって分離される特徴１０４は、円筒形、多角形、楕円形、または他の適した形状など、任意の適した幾何プロファイルを有することができる。処理チャンバ構成要素１００内に形成された特徴１０４は、均一の形状、寸法、および分布とすることができ、またはマクロテクスチャ表面１１００全体にわたって形状、寸法、および分布の１つまたは複数が変動することができる。特徴１０４によって画定することができる隣接する壁１１０４間に、トレンチ１１０２を形成することができる。トレンチ１１０２は、トレンチ１１０４がチャンバ構成要素１００内へ延びる深さ１１０８に応じて、実質上凹形の横断面を含むことができる。一例では、トレンチの深さ１１０８は、特徴１０４の深さに実質上等しくすることができる。
図１３Ａ〜１３Ｅは、加工特徴１０４を使用して処理チャンバ構成要素１００上にテクスチャ表面の一実施形態を形成するために利用される製造シーケンスの異なる段階を示す処理チャンバ構成要素１００の部分横断面図である。有利には、図１３Ａ〜３Ｅに示すプロセスは、張り出し１００２が丸くしたエッジ９０８を有するように、加工特徴１０４によって画定された構造を形成することを可能にし、それによって堆積された膜をより容易に保持するより応力のかからないテクスチャ表面を形成する。
図１３Ａをまず参照すると、処理チャンバ構成要素１００は、フォトレジスト層３１４で被覆することができる。フォトレジスト層３１４を覆って、またはフォトレジスト層３１４の上に、アートワーク１３０２を配置することができる。アートワーク１３０２は、１つまたは複数のタイプの領域を含むことができ、たとえば、エネルギー１３０４が通過して下にあるフォトレジスト層３１４を露出させることができる複数の透過領域１３０６と、不透明領域１３０８と、エネルギー１３０４が下にあるフォトレジスト層３１４を露出させるのを実質上阻止する非透過領域１３１０とを含むことができる。不透明領域１３０８は、エネルギー１３０４の一部分が下にあるフォトレジスト層３１４を部分的に露出させることを可能にするように選択されたグレースケールを有することができる。
下にあるフォトレジスト層３１４は、図１３Ｂに示すように、成長した領域１３１２、部分的に成長した領域１３１４、および成長していない領域１３１６を形成するように、アートワーク１３０２を通って露出させることができる。成長していない領域１３１６は、図１３Ｃに示すように、パターニングされたフォトレジスト層３１４を通ってチャンバ構成要素１００の上面１３２４を露出させる開口１３１８、１３１７を形成するために、たとえばビードブラスティング、エッチング、またはパワー洗浄によって除去することができる。
図１３Ａをまず参照すると、処理チャンバ構成要素１００は、フォトレジスト層３１４で被覆することができる。フォトレジスト層３１４を覆って、またはフォトレジスト層３１４の上に、アートワーク１３０２を配置することができる。アートワーク１３０２は、１つまたは複数のタイプの領域を含むことができ、たとえば、エネルギー１３０４が通過して下にあるフォトレジスト層３１４を露出させることができる複数の透過領域１３０６と、不透明領域１３０８と、エネルギー１３０４が下にあるフォトレジスト層３１４を露出させるのを実質上阻止する非透過領域１３１０とを含むことができる。不透明領域１３０８は、エネルギー１３０４の一部分が下にあるフォトレジスト層３１４を部分的に露出させることを可能にするように選択されたグレースケールを有することができる。
下にあるフォトレジスト層３１４は、図１３Ｂに示すように、成長した領域１３１２、部分的に成長した領域１３１４、および成長していない領域１３１６を形成するように、アートワーク１３０２を通って露出させることができる。成長していない領域１３１６は、図１３Ｃに示すように、パターニングされたフォトレジスト層３１４を通ってチャンバ構成要素１００の上面１３２４を露出させる開口１３１８、１３１７を形成するために、たとえばビードブラスティング、エッチング、またはパワー洗浄によって除去することができる。
図１３Ｄ〜１３Ｅを次に参照すると、特徴１０４は、処理チャンバ構成要素１００の上面１３２４から材料を除去することによって形成することができる。上記で論じたように、材料は、ビードブラスティング、エッチング、またはパワー洗浄によって除去することができる。より柔軟性または脆性の高い（利用されるフォトレジストに応じる）部分的に成長した領域１３１４は、材料除去プロセス中に迅速に浸食することができ、したがって、特徴１０４が形成される間に開口１３１８の開孔（幅または直径１３２２）を増大させることができる。開口１３１７の形成などの特定の実施形態では、部分的に成長した領域１３１４を使用することはできない。材料除去プロセスの完成が近づくと、特徴１０４を囲む張り出し１００２が丸くしたエッジ９０８を有するように、処理チャンバ構成要素１００の下にある上面１３２４が露出される点まで、部分的に成長した領域１３１４を浸食することができる。張り出し１００２は、有利には、テクスチャ表面１１００とその上に堆積された膜との両方にかかる応力を低減させる。
上記の方法でエッチングプロセスが利用される場合、所望の特徴１０４を形成するために、異方性エッチング剤または等方性エッチング剤を利用することができる。たとえば、図１０Ａの特徴は、異方性エッチング剤を利用して特徴１０４の底部に実質上直交する側壁を形成することによって形成することができる。この例では、トレンチの表面は、実質上線形とすることができる。別の例では、図１０Ｂの特徴は、等方性エッチング剤を利用して特徴１０４の表面を形成することによって形成することができ、特徴１０４の表面は、実質上曲線とすることができる。さらに、等方性エッチング剤を利用することで、張り出し１００２を得ることができる。
上記の実施形態のいずれにおいても、テクスチャ表面１０２、５０２、９０２、１１００を形成する加工特徴には、任意選択で、約１００〜約３００ＲA（μインチ）の表面仕上げまでミクロテクスチャリングを施すことができることに留意されたい。ミクロテクスチャリングは、適した表面仕上げをもたらすことができるビードブラスティング、酸腐蝕、プラズマ処理、または他の適した手順によって施すことができる。
上記の実施形態のいずれにおいても、テクスチャ表面１０２、５０２、９０２、１１００を形成する加工特徴には、任意選択で、約１００〜約３００ＲA（μインチ）の表面仕上げまでミクロテクスチャリングを施すことができることに留意されたい。ミクロテクスチャリングは、適した表面仕上げをもたらすことができるビードブラスティング、酸腐蝕、プラズマ処理、または他の適した手順によって施すことができる。
図１４は、膜応力と特徴１０４の形状との間の関係を示すグラフを示す。線１４０２および１４０４は、特徴が形成された実質上線形の表面を有するマクロ構造を示す。線１４０６は、実質上凹形で曲線の表面およびその結果生じる膜応力を有するマクロ構造を示す。見ることができるように、線１４０２および１４０４の膜応力は、線１４０６の膜応力より実質上大きい。膜応力の程度が大きいほど、膜の保持力が減少し、粒子生成の増大を招くことがある。凹形の表面は、膜応力の約２５％の低減を提供し、テクスチャ表面のマクロ特徴に対する膜の接着力を増大させる。したがって、凹形の特徴およびその中に形成された凹形の凹みを有する構造は、有利には、膜の接着力を高め、粒子の生成を低減させながら、プロセスキットの寿命を延ばすことができる。
図７および図８を再び参照すると、図７は、特定の実施形態によるＰＶＤチャンバシールドを示す。シールド７００は、上記のようにテクスチャリングされた少なくとも１つの表面を含む。たとえば、シールド７００の外径表面７０２または内径表面７０４（切欠図で示す）の少なくとも１つは、上記で論じた加工特徴を形成するようにマクロテクスチャリングを受け、これらの加工特徴には、任意選択で、ミクロテクスチャリングを施すことができる。図８を次に参照すると、特定の実施形態によってプロセスキットリング８００が提供される。リング８００は、上記の実施形態に記載の加工特徴を使用して形成された少なくとも１つのマクロテクスチャ表面を含み、加工特徴には、任意選択で、ミクロテクスチャリングを施すことができる。たとえば、少なくともリング８００の上部ディスク状表面８０２には、マクロおよびミクロの両方のテクスチャリングを施すことができる。リング８００は、半導体処理チャンバ内で利用される堆積リング、クランプリング、カバーリング、フォーカスリング、エッジリング、または他のリングとすることができる。図７および図８を参照して上記で論じた半導体チャンバ構成要素は、例示を目的としており、サービス寿命が延び、粒子生成特性が小さくなったテクスチャリングされた半導体チャンバ構成要素を形成するために、それだけに限定されるものではないが、とりわけチャンバ本体、ペデスタル、ライナ、コリメータ、シャドウフレーム、およびカバーリングなどの他の半導体チャンバ構成要素にマクロおよびミクロテクスチャリングを施すことができる。
上記は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
上記は、本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。
Claims (12)
- 半導体処理チャンバにおいて使用するための物品であって、
マクロテクスチャ表面を有する処理チャンバ構成要素を備え、前記マクロテクスチャ表面は、前記マクロテクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止するように配置された１つまたは複数の加工特徴から形成され、前記マクロテクスチャ表面が、１つまたは複数の構造を備え、前記１つまたは複数の構造が、
頂面と、
張り出しとを含み、前記張り出しが、丸くしたエッジを有し、前記１つまたは複数の構造の側壁に沿って位置し、前記張り出しが、前記１つまたは複数の構造の頂面から始まり、前記張り出しから径方向に内方へ位置する前記１つまたは複数の構造のそれぞれの前記頂面の中心区域内に凹みが形成される、物品。 - １つまたは複数の構造が、丸くした頂面を有する円筒形の形状を備え、前記構造内に凹みが形成される、請求項１に記載の物品。
- 前記加工特徴の深さが、前記凹みの深さより大きい、請求項２に記載の物品。
- 前記凹みの表面が凹形である、請求項２に記載の物品。
- 前記凹みの前記凹形の表面が、前記凹みの前記表面上に堆積された膜に圧縮力を作用させるように適合される、請求項４に記載の物品。
- 前記加工特徴が、六角形のはちの巣状パターンを形成する壁によって囲まれる、請求項１に記載の物品。
- 前記六角形のはちの巣状パターンを形成する前記壁間にトレンチが形成される、請求項６に記載の物品。
- 前記トレンチの表面が凹形である、請求項７に記載の物品。
- 前記テクスチャ表面を形成する前記加工特徴が、前記テクスチャ表面の全体にわたって均一の形状、寸法、および分布の少なくとも１つを有する、請求項１に記載の物品。
- 半導体処理チャンバにおいて使用するための物品であって、
マクロテクスチャ表面を有する処理チャンバ構成要素を備え、前記マクロテクスチャ表面が、前記テクスチャ表面全体にわたって見通し面の形成を防止する事前定義されたパターンで配置された加工特徴から形成され、前記加工特徴が、事前定義されたパターンで配置され、前記加工特徴が、凹形の形状を有する表面を含み、１つまたは複数の構造が、前記マクロテクスチャ表面を画定し、前記１つまたは複数の構造が、
丸くした張り出しを含み、前記張り出しが、側壁に沿って位置し、前記１つまたは複数の構造の頂面から径方向に外方へ延び、前記１つまたは複数の構造の前記頂面の中心区域内に実質上凹形の凹みが形成され、前記丸くした張り出しから径方向に内方へ位置する、物品。 - 前記加工特徴が、六角形のはちの巣状パターンを形成する壁によって囲まれる、請求項１０に記載の物品。
- 前記加工特徴が、凹形の凹みが中に形成されたマウンドを形成する構造によって囲まれる、請求項１１に記載の物品。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/029,108 | 2013-09-17 | ||
| US14/029,108 US9101954B2 (en) | 2013-09-17 | 2013-09-17 | Geometries and patterns for surface texturing to increase deposition retention |
| PCT/US2014/052727 WO2015041812A1 (en) | 2013-09-17 | 2014-08-26 | Geometries and patterns for surface texturing to increase deposition retention |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016532316A JP2016532316A (ja) | 2016-10-13 |
| JP6496739B2 true JP6496739B2 (ja) | 2019-04-03 |
Family
ID=52668200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016544338A Active JP6496739B2 (ja) | 2013-09-17 | 2014-08-26 | 堆積保持力を増大させるための表面テクスチャリングのための形状寸法およびパターン |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9101954B2 (ja) |
| EP (1) | EP3047516B1 (ja) |
| JP (1) | JP6496739B2 (ja) |
| KR (3) | KR102407620B1 (ja) |
| CN (2) | CN105531796B (ja) |
| SG (2) | SG11201601090WA (ja) |
| TW (1) | TWI632592B (ja) |
| WO (1) | WO2015041812A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017015191A1 (en) * | 2015-07-23 | 2017-01-26 | Honeywell International Inc. | Improved sputtering coil product and method of making |
| US11114289B2 (en) | 2016-04-27 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Non-disappearing anode for use with dielectric deposition |
| CN210156345U (zh) * | 2016-09-13 | 2020-03-17 | 应用材料公司 | 用于处理腔室的腔室部件、用于处理腔室的屏蔽的设计膜以及处理腔室 |
| US10434604B2 (en) * | 2016-10-14 | 2019-10-08 | Applied Materials, Inc. | Texturizing a surface without bead blasting |
| US10655212B2 (en) | 2016-12-15 | 2020-05-19 | Honeywell Internatonal Inc | Sputter trap having multimodal particle size distribution |
| US20180211819A1 (en) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | Honeywell International Inc. | Particle trap for sputtering coil and method of making |
| JP2020516770A (ja) | 2017-04-07 | 2020-06-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板端部上のプラズマ密度制御 |
| US20190062908A1 (en) * | 2017-08-22 | 2019-02-28 | Suranjan Dabare | Semiconductor process kit with nano structures |
| US11077410B2 (en) * | 2017-10-09 | 2021-08-03 | Applied Materials, Inc. | Gas injector with baffle |
| US11183373B2 (en) * | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
| US11926157B2 (en) | 2021-03-05 | 2024-03-12 | Funai Electric Co., Ltd. | Photoresist imaging and development for enhanced nozzle plate adhesion |
Family Cites Families (52)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3482082A (en) | 1966-03-18 | 1969-12-02 | Techicon Corp | Sample identification apparatus |
| US3451577A (en) * | 1967-01-16 | 1969-06-24 | Food Systems Inc | Egg tray construction |
| US4355731A (en) * | 1981-03-16 | 1982-10-26 | Phillips Petroleum Company | Egg supporting tray |
| DE3523958A1 (de) | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen behandlung von keramikkoerpern mit nachfolgender metallisierung |
| IT1235332B (it) | 1989-06-05 | 1992-06-26 | Diaprint S P A | Granitura elettrochimica di superfici in alluminio o in lega di alluminio |
| US5391275A (en) | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5228245A (en) | 1992-03-10 | 1993-07-20 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Non-machining surface strengthening of transformation toughened materials |
| FR2692599B1 (fr) | 1992-06-17 | 1994-09-16 | Prod Ind Cfpi Franc | Procédé de traitement de substrats à base d'aluminium en vue de leur anodisation, bain mis en Óoeuvre dans ce procédé et concentré pour préparer le bain. |
| US5401319A (en) | 1992-08-27 | 1995-03-28 | Applied Materials, Inc. | Lid and door for a vacuum chamber and pretreatment therefor |
| US5433794A (en) * | 1992-12-10 | 1995-07-18 | Micron Technology, Inc. | Spacers used to form isolation trenches with improved corners |
| US5474649A (en) | 1994-03-08 | 1995-12-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus employing a textured focus ring |
| JP3744964B2 (ja) * | 1995-04-06 | 2006-02-15 | 株式会社アルバック | 成膜装置用構成部品及びその製造方法 |
| JP3507185B2 (ja) * | 1995-04-11 | 2004-03-15 | 大日本印刷株式会社 | エッチング加工方法 |
| US5695825A (en) | 1995-05-31 | 1997-12-09 | Amorphous Technologies International | Titanium-containing ferrous hard-facing material source and method for hard facing a substrate |
| US5614071A (en) * | 1995-06-28 | 1997-03-25 | Hmt Technology Corporation | Sputtering shield |
| EP0803900A3 (en) | 1996-04-26 | 1999-12-29 | Applied Materials, Inc. | Surface preparation to enhance the adhesion of a dielectric layer |
| US5916454A (en) | 1996-08-30 | 1999-06-29 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for reducing byproduct particle generation in a plasma processing chamber |
| KR100238244B1 (ko) * | 1996-12-17 | 2000-01-15 | 윤종용 | 트랜치 소자분리방법 |
| KR20000069523A (ko) | 1997-01-16 | 2000-11-25 | 보텀필드 레인, 에프. | 기상 증착 요소 및 기상 증착 방법 |
| TW322619B (en) * | 1997-04-15 | 1997-12-11 | Winbond Electronics Corp | The method for forming trench isolation |
| JP3449459B2 (ja) * | 1997-06-02 | 2003-09-22 | 株式会社ジャパンエナジー | 薄膜形成装置用部材の製造方法および該装置用部材 |
| US6090683A (en) * | 1997-06-16 | 2000-07-18 | Micron Technology, Inc. | Method of etching thermally grown oxide substantially selectively relative to deposited oxide |
| ATE189440T1 (de) * | 1997-08-15 | 2000-02-15 | Hartmann As Brdr | Eiertragplatte |
| JPH11131254A (ja) | 1997-10-24 | 1999-05-18 | Nippon Parkerizing Co Ltd | アルミニウム含有金属材料の表面処理方法 |
| TW353797B (en) * | 1997-12-27 | 1999-03-01 | United Microelectronics Corp | Method of shallow trench isolation |
| KR100265289B1 (ko) | 1998-01-26 | 2000-09-15 | 윤종용 | 플라즈마식각장치의 캐소우드 제조방법 및 이에 따라 제조되는 캐소우드 |
| US5976948A (en) * | 1998-02-19 | 1999-11-02 | Advanced Micro Devices | Process for forming an isolation region with trench cap |
| JP3483494B2 (ja) | 1998-03-31 | 2004-01-06 | キヤノン株式会社 | 真空処理装置および真空処理方法、並びに該方法によって作成される電子写真感光体 |
| TW445577B (en) * | 1998-06-22 | 2001-07-11 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of shallow trench isolation structure for avoiding the generation of microscratch on the surface of shallow trench isolation structure |
| US6447853B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-09-10 | Kawasaki Microelectronics, Inc. | Method and apparatus for processing semiconductor substrates |
| US6347861B1 (en) * | 1999-03-02 | 2002-02-19 | Hewlett-Packard Company | Fluid ejection device having mechanical intercoupling structure embedded within chamber layer |
| EP1049133A3 (en) * | 1999-04-30 | 2001-05-16 | Applied Materials, Inc. | Enhancing adhesion of deposits on exposed surfaces in process chamber |
| KR100315088B1 (ko) | 1999-09-29 | 2001-11-24 | 윤종용 | 포커스 링을 갖는 반도체 웨이퍼 제조 장치 |
| US6423175B1 (en) | 1999-10-06 | 2002-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Apparatus and method for reducing particle contamination in an etcher |
| US6227435B1 (en) | 2000-02-02 | 2001-05-08 | Ford Global Technologies, Inc. | Method to provide a smooth paintable surface after aluminum joining |
| US6623595B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Wavy and roughened dome in plasma processing reactor |
| US6805952B2 (en) | 2000-12-29 | 2004-10-19 | Lam Research Corporation | Low contamination plasma chamber components and methods for making the same |
| US6777045B2 (en) | 2001-06-27 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Chamber components having textured surfaces and method of manufacture |
| US20030047464A1 (en) | 2001-07-27 | 2003-03-13 | Applied Materials, Inc. | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces |
| US6933508B2 (en) | 2002-03-13 | 2005-08-23 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
| US6812471B2 (en) | 2002-03-13 | 2004-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method of surface texturizing |
| US6613646B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-09-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods for reduced trench isolation step height |
| US6569747B1 (en) * | 2002-03-25 | 2003-05-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methods for trench isolation with reduced step height |
| US20030188685A1 (en) | 2002-04-08 | 2003-10-09 | Applied Materials, Inc. | Laser drilled surfaces for substrate processing chambers |
| US20060105182A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Applied Materials, Inc. | Erosion resistant textured chamber surface |
| US20040245089A1 (en) * | 2003-06-04 | 2004-12-09 | John Lawson | Method of surface treating a processing element in a processing system |
| US7618769B2 (en) | 2004-06-07 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Textured chamber surface |
| US20060005767A1 (en) | 2004-06-28 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Chamber component having knurled surface |
| JP2008270595A (ja) | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Texas Instr Japan Ltd | 反応生成物剥離防止構造及びその製作方法、並びに当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
| US20090206521A1 (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-20 | Bakir Begovic | Method of manufacturing liner for semiconductor processing chamber, liner and chamber including the liner |
| US20120258280A1 (en) * | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Applied Materials, Inc. | Extended life textured chamber components and method for fabricating same |
| KR20130036620A (ko) | 2011-10-04 | 2013-04-12 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 처리 장치 및 이에 포함되는 전극부 |
-
2013
- 2013-09-17 US US14/029,108 patent/US9101954B2/en active Active
-
2014
- 2014-08-26 CN CN201480050497.6A patent/CN105531796B/zh active Active
- 2014-08-26 EP EP14845559.5A patent/EP3047516B1/en active Active
- 2014-08-26 CN CN201811076686.7A patent/CN109599327B/zh active Active
- 2014-08-26 SG SG11201601090WA patent/SG11201601090WA/en unknown
- 2014-08-26 KR KR1020217030141A patent/KR102407620B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-26 KR KR1020167009984A patent/KR102305853B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-26 JP JP2016544338A patent/JP6496739B2/ja active Active
- 2014-08-26 KR KR1020227018844A patent/KR102513445B1/ko active IP Right Grant
- 2014-08-26 WO PCT/US2014/052727 patent/WO2015041812A1/en active Application Filing
- 2014-08-26 SG SG10201808864SA patent/SG10201808864SA/en unknown
- 2014-08-29 TW TW103129985A patent/TWI632592B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102513445B1 (ko) | 2023-03-22 |
| US9101954B2 (en) | 2015-08-11 |
| US20150079336A1 (en) | 2015-03-19 |
| CN109599327A (zh) | 2019-04-09 |
| EP3047516A4 (en) | 2017-03-15 |
| KR20160055914A (ko) | 2016-05-18 |
| KR102407620B1 (ko) | 2022-06-10 |
| CN105531796A (zh) | 2016-04-27 |
| EP3047516B1 (en) | 2019-10-02 |
| CN109599327B (zh) | 2023-06-23 |
| KR20220082933A (ko) | 2022-06-17 |
| SG11201601090WA (en) | 2016-04-28 |
| KR20210119557A (ko) | 2021-10-05 |
| KR102305853B1 (ko) | 2021-09-27 |
| TWI632592B (zh) | 2018-08-11 |
| WO2015041812A1 (en) | 2015-03-26 |
| CN105531796B (zh) | 2018-10-12 |
| EP3047516A1 (en) | 2016-07-27 |
| SG10201808864SA (en) | 2018-11-29 |
| JP2016532316A (ja) | 2016-10-13 |
| TW201517119A (zh) | 2015-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6496739B2 (ja) | 堆積保持力を増大させるための表面テクスチャリングのための形状寸法およびパターン | |
| JP6096756B2 (ja) | 寿命が長いテクスチャ加工チャンバ部品及びその作製方法 | |
| US20090206521A1 (en) | Method of manufacturing liner for semiconductor processing chamber, liner and chamber including the liner | |
| JP2012057251A (ja) | 保護膜とその形成方法、並びに半導体製造装置およびプラズマ処理装置 | |
| KR101407066B1 (ko) | 아치형 표면을 갖는 유리 기판의 제조 방법 | |
| AU2009291494B2 (en) | A cathode and a method of forming a cathode | |
| US20180211819A1 (en) | Particle trap for sputtering coil and method of making | |
| JP2006083244A (ja) | 超撥水性表面を有する成形物およびその製造方法 | |
| US20180218890A1 (en) | Sputtering coil product and method of making | |
| JP6250239B2 (ja) | 段差付ウエハおよびその製造方法 | |
| JP4999264B2 (ja) | 薄膜製造装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160322 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170526 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180326 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180402 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180629 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180903 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190207 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190311 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6496739 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |