CN105531630A - 电子照相设备用半导电部件 - Google Patents

电子照相设备用半导电部件 Download PDF

Info

Publication number
CN105531630A
CN105531630A CN201480049393.3A CN201480049393A CN105531630A CN 105531630 A CN105531630 A CN 105531630A CN 201480049393 A CN201480049393 A CN 201480049393A CN 105531630 A CN105531630 A CN 105531630A
Authority
CN
China
Prior art keywords
structural unit
photographing device
electronic photographing
methyl
crosslinked
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480049393.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105531630B (zh
Inventor
宇野和树
大贯孝司
宇渡真一
安田和敬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osaka Soda Co Ltd
Original Assignee
Daiso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daiso Co Ltd filed Critical Daiso Co Ltd
Publication of CN105531630A publication Critical patent/CN105531630A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105531630B publication Critical patent/CN105531630B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151Copolymers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/02Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/02Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
    • G03G15/0208Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices by contact, friction or induction, e.g. liquid charging apparatus
    • G03G15/0216Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices by contact, friction or induction, e.g. liquid charging apparatus by bringing a charging member into contact with the member to be charged, e.g. roller, brush chargers
    • G03G15/0233Structure, details of the charging member, e.g. chemical composition, surface properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/307Other macromolecular compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/06Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing
    • G03G15/08Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer
    • G03G15/0806Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer on a donor element, e.g. belt, roller
    • G03G15/0818Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for developing using a solid developer, e.g. powder developer on a donor element, e.g. belt, roller characterised by the structure of the donor member, e.g. surface properties
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G15/00Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
    • G03G15/14Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base
    • G03G15/16Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer
    • G03G15/1665Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer by introducing the second base in the nip formed by the recording member and at least one transfer member, e.g. in combination with bias or heat
    • G03G15/167Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for transferring a pattern to a second base of a toner pattern, e.g. a powder pattern, e.g. magnetic transfer by introducing the second base in the nip formed by the recording member and at least one transfer member, e.g. in combination with bias or heat at least one of the recording member or the transfer member being rotatable during the transfer
    • G03G15/1685Structure, details of the transfer member, e.g. chemical composition

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
  • Electrophotography Configuration And Component (AREA)
  • Rolls And Other Rotary Bodies (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

本发明提供了一种电子照相设备用半导电部件,其含有交联体,所述交联体是利用具有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。

Description

电子照相设备用半导电部件
技术领域
本发明涉及一种电子照相设备用半导电部件。本发明的电子照相设备用半导电部件,作为复印机、打印机等中进行电子照相处理的带电、显影、转印等的半导电辊或半导电带是有用的。
背景技术
近年来,在接触带电方式中使用的带电辊、转印辊、显影辊中,要求有与更高图像品质且更高速化相对应的部件。
通常,作为带电辊、转印辊、显影辊的电特性,半导电性是必需的;另外,由于与感光体(photoreceptor)相接触,因此,还被要求有难以致使感光体破损或者对感光体的污染性小的特性,人们在大量采用作为材料使用了橡胶材料的部件。
作为带电辊等的材料,目前,作为半导电橡胶的环氧氯丙烷类聚合物,由于其导电性而得到广泛应用。作为环氧氯丙烷类聚合物的交联方法,一般而言,有添加交联剂和交联促进剂并加热的方法。但是,在使用了交联剂的交联方法中,已知交联时的热引起所添加的交联剂的残渣成为污染感光体的主要原因(参照专利文献1)。
此处,作为在导电辊等的电子照相设备中使用的材料,被要求是具有半导电性、对感光体污染性小的材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平6-208289号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是以上述情况为背景而完成的,目的在于提供一种电子照相设备用半导电部件,其是能够在复印机、打印机等中使用的电子照相处理的带电、显影、转印等的半导电辊和半导电带中所应用的电子照相设备用半导电部件,其显著降低了对感光体等的污染性。
解决技术问题的手段
本发明人等,使用含有交联体的电子照相设备用半导电部件,其中该交联体是利用具有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷(alkyleneoxide)的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的,由此,显著降低了作为导致感光体等产生污染的原因的交联剂等的使用量,从而解决了上述问题,基于该发现完成了本发明。
第1项方案一种电子照相设备用半导电部件,其含有交联体,所述交联体是利用具有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。
第2项方案如第1项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,所述(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元,是来自从丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷以及3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。
第3项方案如第1项或第2项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,所述(a)来自环氧卤丙烷的结构单元,是来自从环氧氯丙烷和环氧溴丙烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。
第4项方案如第1~3项中任一项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,所述(b)来自环氧烷的结构单元,是来自从环氧乙烷、环氧丙烷以及环氧丁烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。
第5项方案如第1~4项中任一项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,在根据JISK6253的类型A的硬度试验中,所述交联体的硬度为10~80。
第6项方案如第1~5项中任一项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,其是在基材上层叠有交联体的半导电辊,所述交联体是利用具有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。
第7项方案一种电子照相设备,其中,使用了第1~6项中任一项所述的电子照相设备用半导电部件。
发明效果
本发明所得到的电子照相设备用半导电部件,不仅具有与迄今为止在带电辊、显影辊、转印辊等中使用的部件相同的半导电性,还显著降低了对感光体等的污染性,因此在复印机、打印机等的半导电辊和半导电带中非常有用。
具体实施方式
下面,对本发明进行详细说明。
本发明的电子照相设备用半导电部件含有交联体,该交联体是,将含有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物,通过利用来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性来进行交联而得到。
在本发明的共聚物中,作为(a)来自环氧卤丙烷的结构单元,优选为来自从环氧氯丙烷和环氧溴丙烷构成的组中选出的至少一种的结构单元,更优选为来自环氧氯丙烷的结构单元。
在本发明的共聚物中,作为(a)来自环氧卤丙烷的结构单元,优选含有9.9~39.9mol%,更优选含有9.9~34.5mol%,特别优选含有9.9~29.5mol%。
在本发明的共聚物中,作为(b)来自环氧烷的结构单元,优选为来自从环氧乙烷、环氧丙烷以及环氧丁烷构成的组中选出的至少一种的结构单元,从半导电性的观点出发,特别优选为来自环氧乙烷的结构单元。
在本发明的共聚物中,作为(b)来自环氧烷的结构单元,优选含有60~90mol%,更优选含有60~80mol%,特别优选含有65~80mol%。
在本发明的共聚物中,作为(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元,优选为来自从丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷以及3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷构成的组中选出的至少一种的结构单元,更优选为来自甲基丙烯酸缩水甘油酯和/或3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷的结构单元。另外,上述(甲基)丙烯酰基是丙烯酰基和/或甲基丙烯酰基的意思。
在本发明的共聚物中,作为(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元,优选含有0.1~10mol%,更优选含有0.1~8mol%,特别优选含有1~8mol%。
本发明的交联体是,将含有(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、(b)来自环氧烷的结构单元、(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物,通过利用(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性来进行交联而得到的。也就是说,由于不使用导致污染性的原因的交联剂就能够使共聚物交联,因此,能够降低最终得到的电子照相设备用半导电部件对感光体等的污染性。而且,在制造构成本发明的电子照相设备用半导电部件的交联体时,除了使上述(c)成分交联以外,能够并用在环氧氯丙烷类聚合物的交联中通常使用的交联剂,例如多胺类交联剂、喹喔啉类交联剂、硫脲类交联剂、三嗪类交联剂、双酚类交联剂、硫类交联剂、过氧化物交联剂。但是,如上所述,若构成电子照相用半导电部件的材料含有交联剂,则可能会成为污染感光体等的原因,因此在共聚物的总量为100重量%时,其配合量优选设为3重量%以下,更优选设为1重量%以下,进一步优选为不足0.1重量%,特别优选不使用交联剂。
作为多胺类交联剂,可列举乙二胺、六亚甲基二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、六亚甲基四胺、对苯二胺、异丙基苯二胺(cumenediamine)、N,N’-双肉桂醛缩-1,6-己二胺、己二胺氨基甲酸酯、六亚甲基二胺氨基甲酸酯等。
作为喹喔啉类交联剂,可列举2,3-二巯基喹喔啉、喹喔啉-2,3-二硫代碳酸酯、6-甲基喹喔啉-2,3-二硫代碳酸酯、5,8-甲基喹喔啉-2,3-二硫代碳酸酯等。
作为硫脲类交联剂,可列举2-巯基咪唑啉、1,3-二乙硫脲、1,3-二丁硫脲、三甲基硫脲等。
作为三嗪类交联剂,可列举2,4,6-三巯基-1,3,5-三嗪、2-己基氨基-4,6-二巯基三嗪、2-二乙基氨基-4,6-二巯基三嗪、2-环己基氨基-4,6-二巯基三嗪、2-二丁基氨基-4,6-二巯基三嗪、2-苯胺基-4,6-二巯基三嗪、2-苯基氨基-4,6-二巯基三嗪等。
作为双酚类交联剂,可列举双酚AF、双酚S等。
作为硫类交联剂,可列举硫或一硫化四甲基秋兰姆、二硫化四甲基秋兰姆、二硫化四乙基秋兰姆、一硫化四丁基秋兰姆、二硫化四丁基秋兰姆、N,N’-二甲基-N,N’-二硫化二苯基秋兰姆、一硫化双五亚甲基秋兰姆、二硫化双五亚甲基秋兰姆、四硫化双五亚甲基秋兰姆、六硫化双五亚甲基秋兰姆等释放活性硫的化合物。
作为过氧化物交联剂,可列举叔丁基过氧化氢、对萜烷过氧化氢、过氧化二异丙苯、过氧化叔丁基、1,3-二(叔丁基过氧基异丙基)苯、2,5-二甲基-2,5-二(叔丁基过氧基)己烷、过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化苯甲酸酯等。
本发明的交联体,在利用共聚物中的(甲基)丙烯酰基来交联的情况下,优选利用热、紫外线、电子射线等的活性能量线来交联。在利用热来进行交联的情况下,在100℃~200℃的温度条件下在3分钟~5小时内交联反应结束。另外,在利用紫外线、电子射线等的活性能量线的情况下,一般使用增敏剂,通常在10℃~150℃的温度条件下在0.1秒~1小时内交联反应结束。
本发明的交联体,在利用烷氧基甲硅烷基来交联的情况下,优选用热、蒸汽来交联。在用热来交联的情况下,在100℃~200℃的温度条件下在3分钟~1小时内交联反应结束。另外,在利用蒸汽来交联的情况下,在5分钟~1小时内交联反应结束。
在本发明的电子照相设备用半导电部件中,也可以含有在对具有(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、(b)来自环氧烷的结构单元、(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物进行交联时使用的缚酸剂(acidaccepter)。
作为在本发明中使用的缚酸剂,能够使用公知的缚酸剂,但优选为金属化合物和/或无机微孔晶体。作为金属化合物,可列举:元素周期表第II族(第2族和第12族)金属的氧化物、氢氧化物、碳酸盐、羧酸盐、硅酸盐、硼酸盐、亚磷酸盐,周期表第III族(第3族和第13族)金属的氧化物、氢氧化物、羧酸盐、硅酸盐、硫酸盐、硝酸盐、磷酸盐,周期表第IV族(第4族和第14族)金属的氧化物、碱式碳酸盐、碱式羧酸盐、碱式亚磷酸盐、碱式亚硫酸盐、三碱式硫酸盐等。
作为所述金属化合物的具体例子,可列举:氧化镁、氢氧化镁、氢氧化铝、氢氧化钡、碳酸钠、碳酸镁、碳酸钡、生石灰、熟石灰、碳酸钙、硅酸钙、硬脂酸钙、硬脂酸锌、邻苯二甲酸钙、亚磷酸钙、锌白、氧化锡、一氧化铅、铅丹、铅白、二碱式邻苯二甲酸铅、二碱式碳酸铅、硬脂酸锡、碱式亚磷酸铅、碱式亚磷酸锡、碱式亚硫酸铅、三碱式硫酸铅等,优选为碳酸钠、氧化镁、氢氧化镁、生石灰、熟石灰、硅酸钙、锌白等。
所述无机微孔晶体是指结晶性的多孔体,其能够与无定型的多孔体例如硅胶、氧化铝等明显地区分开。作为这种无机微孔晶体的例子,可列举沸石类、磷酸铝型分子筛、层状硅酸盐、合成水滑石、钛酸碱金属盐等。作为特别优选的缚酸剂,可列举合成水滑石等。
所述沸石类,除了天然沸石以外,还有A型、X型、Y型的合成沸石、方钠石类、天然或合成的丝光沸石、ZSM-5等各种沸石及其金属取代物,这些可以单独使用也可组合两种以上来使用。另外,金属取代物的金属通常是钠。作为沸石类,优选为接受酸的能力大的,优选为A型沸石。
上述合成水滑石用下述通式(1)表示。
MgxZnyAlz(OH)(2(x+y)+3z-2)CO3·wH2O(1)
(式中,分别地,x和y各表示具有x+y=1~10的关系的0~10的实数,z表示1~5的实数,w表示0~10的实数。)
作为上述通式(1)所表示的水滑石类的例子,可列举Mg4.5Al2(OH)13CO3·3.5H2O、Mg4.5Al2(OH)13CO3、Mg4Al2(OH)12CO3·3.5H2O、Mg6Al2(OH)16CO3·4H2O、Mg5Al2(OH)14CO3·4H2O、Mg3Al2(OH)10CO3·1.7H2O、Mg3ZnAl2(OH)12CO3·3.5H2O、Mg3ZnAl2(OH)12CO3等。
在本发明的电子照相设备用半导电部件中,可含有抗老化剂,能够使用公知的抗老化剂。
作为抗老化剂的例子,可列举:苯基-α-萘胺、对甲苯磺酰胺-二苯胺、4,4-α,α-二甲基苄基二苯胺、二苯胺与丙酮的高温反应产物、二苯胺与丙酮的低温反应产物、二苯胺、苯胺、丙酮的低温反应产物、二苯胺与二异丁烯的反应产物、辛基化二苯胺、取代二苯胺、烷基化二苯胺、二苯胺衍生物、N,N’-二苯基-对苯二胺、N-异丙基-N’-苯基-对苯二胺、N,N’-二-2-萘基-对苯二胺、N-苯基-N’-3-甲基丙烯酰氧基-2-羟丙基对苯二胺、N,N’-双1-甲基庚基-对苯二胺、N,N’-双1,4-二甲基戊基对苯二胺、N-1,3-二甲基丁基-N’-苯基-对苯二胺、二烯丙基-对苯二胺的混合物、苯基,辛基对苯二胺、苯基-α-萘胺和二苯基对苯二胺的混合物、2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉的聚合物、6-乙氧基-2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉、2,5-二叔戊基氢醌、2,5-二叔丁基氢醌、1-氧基-3-甲基-4-异丙基苯、2,6-二叔丁基-4-乙基苯酚、丁基羟基茴香醚、2,6-二叔丁基-α-二甲胺基-对甲酚、2,6-二叔丁基苯酚和2,4,6-三叔丁基苯酚和邻叔丁基苯酚的混合物、苯乙烯化苯酚、烷基化苯酚、烷基以及芳烷基取代的苯酚的混合物、苯酚衍生物、2,2’-亚甲基双-4-甲基-6-叔丁基苯酚、2,2’-亚甲基双-4-甲基-6-环己基苯酚、2,2’-亚甲基双-4-乙基-6-叔丁基苯酚、4,4-亚甲基-双-2,6-二叔丁基苯酚、亚甲基交联的多价烷基酚、烷基化双酚、对甲酚与二环戊二烯的丁基化反应产物、聚丁基化双酚A的混合物、4,4-硫代双-6-叔丁基-3-甲酚、4,4-亚丁基双-3-甲基-6-叔丁基苯酚、2,4-双辛基硫代甲基-邻甲酚、受阻酚、受阻双酚、2-巯基苯并咪唑、2-巯基甲基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑的锌盐、2-巯基甲基苯并咪唑的锌盐、4-巯基甲基苯并咪唑和5-巯基甲基苯并咪唑、4-巯基甲基苯并咪唑和5-巯基甲基苯并咪唑的锌盐、双十八烷基二硫醚、二乙基二硫代氨基甲酸镍、二丁基硫代氨基甲酸镍、1,3-双二甲基氨基丙基-2-硫脲、三丁基硫脲、双-2-甲基-4-3-正烷基硫代丙酰氧基-5-叔丁基苯基硫醚、双-3,5-二叔丁基-4-羟基苄基硫醚、混合月桂硬脂酸硫二丙酸酯(混合ラウリルステアリンチオジプロピオネート)、环状缩醛、60%聚合物多元醇和40%氢化石英(hydrofinedsilica)的混合物、聚乙烯和聚乙二醇的两种分子结构所产生的特殊聚乙二醇加工物、惰性填料和聚合物多元醇的特殊设计的混合物、复合类抗老化剂、烯醇醚、1,2,3-苯并三唑、3-N-水杨酰氨基-1,2,4-三唑、三嗪类衍生物聚合物、十亚甲基二羧酸双水杨酰肼、N,N’-双3-3,5-二叔丁基-4-羟基苯基丙酰肼、四亚甲基-3-3’,5’-二叔丁基-4’-羟基苯基丙酸酯甲烷等。
对于本发明的电子照相设备用半导电部件,只要不损失本发明的效果,能够任意配合除上述之外的在本技术领域内使用的各种填充剂、增强剂、增塑剂、导电剂、加工助剂、阻燃剂、颜料、交联剂、交联促进剂等配合剂。进而,在不损失本发明的特性的范围内,能够进行在本技术领域内通常实施的其他的橡胶、树脂等的混合操作。
上述配合剂、其他的橡胶、树脂的配合能够以下述方式进行:与具有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物一起混炼。通过对混炼得到的含有共聚物和配合剂的组合物进行交联,能够得到交联体,能够制成含有交联体的电子照相设备用半导电部件。
作为用于制作本发明的电子照相设备用半导电部件的混炼方法,能够使用以往在聚合物加工领域中使用的任意装置,例如能够使用混合辊、班伯里密炼机、各种捏合机类等。
作为本发明的电子照相设备用半导电部件的成型方法,可以例举模具压缩成型、挤出成型、注射成型等,但优选为挤出成型、注射成型。
在本发明的电子照相设备用半导电部件中,交联体的硬度优选在根据JISK6253的类型A进行的硬度试验中为10~80,更优选为20~70。
在本发明的电子照相设备用半导电部件中,根据JISK6271来测量23℃×50%RH(相对湿度)下的交联体的体积电阻率优选为1.0×106~1.0×1010Ω·cm,更优选为1.0×106~1.0×109Ω·cm。
本发明的电子照相设备用半导电部件,可通过在基材上层叠本发明的交联体来形成。基材虽然根据用途而不同,但是可以例举树脂或铝、铁等金属。另外,也可以在基材和交联体之间设置中间层,还可以在交联体上设置另外的表层。本发明的电子照相设备用半导电部件可作为复印机、打印机等的电子照相设备中的半导电辊和半导电带等来使用。
下面,通过实施例以及比较例进行更具体的说明,并且本发明不限定于此。
聚合催化剂的合成
在装配有温度计和搅拌装置的三口烧瓶中,加入10.0g的二丁基氧化锡、23.4g的磷酸三丁酯,在氮气流下搅拌的同时在260℃下加热15分钟并蒸发掉馏出物,得到作为残留物的固体状缩合物质。将该缩合物质作为聚合催化剂来使用。
实施例1
对内容量为20L的SUS反应器(带有温度计和搅拌装置)的内部进行氮气置换,装入7.2g的上述缩合物质催化剂、4500g的含水量10ppm以下的正己烷、607g的环氧氯丙烷、820g的60%量的环氧乙烷、61g的3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷,在35℃下反应20小时。而且,在反应时间的第1.5小时和第2.5小时分别添加820g的25%量、15%量的环氧乙烷。去除反应溶液后,在减压下40℃下干燥8小时,得到共聚物。
实施例2
对内容量为20L的SUS反应器(带有温度计和搅拌装置)的内部进行氮气置换,装入7.2g的上述缩合物质催化剂、4500g的含水量10ppm以下的正己烷、587g的环氧氯丙烷、839g的60%量的环氧乙烷、74g的甲基丙烯酸缩水甘油酯,在35℃下反应20小时。而且,在反应时间的第1.5小时和第2.5小时分别添加839g的25%量、15%量的环氧乙烷。去除反应溶液后,在减压下40℃下干燥8小时,得到共聚物。
比较例1
对内容量为20L的SUS反应器(带有温度计和搅拌装置)的内部进行氮气置换,装入7.2g的上述缩合物质催化剂、4500g的含水10ppm以下的正己烷、304g的环氧氯丙烷、661g的60%量的环氧乙烷、534g的3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷,在35℃下反应20小时。而且,在反应时间的第1.5小时和第2.5小时分别添加661g的25%量、15%量的环氧乙烷。去除反应溶液后,在减压下、40℃下干燥8小时,得到共聚物。但是,由于比较例1的共聚物的粘度大大降低,变成粘附性高的糊状,因此难以从反应器中取出,无法进行以下的评价。
根据1H-NMR分析、氯含量来求出实施例1得到的共聚物的共聚组成,根据氯含量、碘值来求出实施例2得到的共聚物的共聚组成。
按照JISK7229中记载的方法,通过电位差滴定法来求出氯含量。电位差滴定法是使用在电极中包括复合电极C-878的京都电子工业株式会社制造的AT-420N电位差测量装置来进行的,从得到的氯含量算出来自环氧氯丙烷的结构单元的摩尔分数。
碘值是用根据JISK6235的方法来测量的。在带塞的烧瓶中加入约0.70g的样品和80ml的三氯甲烷,在40℃下加热溶解样品后,加入20ml的韦氏试剂和10ml的醋酸钠水溶液并充分摇匀,在暗处静置20分钟。接着,加入5ml的20%碘化钾水溶液后充分摇匀。此后,使用具备微量复合白金电极(氧化还原滴定)的自动滴定装置,用0.1N的硫代硫酸钠水溶液来进行电位差滴定,根据所得到的碘值计算来自甲基丙烯酸缩水甘油酯的结构单元的摩尔分数。
通过使用1H-NMR分析,算出来自3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷的结构单元的摩尔分数。测量设备是使用日本电子株式会社制造的JNM-GSX270。
来自环氧烷的结构单元的摩尔分数,是以使其与来自其他单体单元的结构单元的摩尔分数共计为100mol%的方式来算出。
对上述实施例1~2得到的共聚物在开放式辊(openroll)上进行片状化,在170℃下进行15分钟的加压交联,得到交联片。
体积电阻率
对通过上述制成的交联片在23℃/50%RH的环境下进行状态调整后,根据JISK6271,使用对双环电极加以利用的三菱油化株式会社制造的Hiresta(ハイレスタ),外加10V,测定了在1分钟后的体积电阻率。
硬度
使用上述所制备的交联片,实施根据JISK6253的类型A的硬度试验,测定了硬度。将结果示于表2中。
污染性
将制备的交联片按每2cm进行裁断,对每1平方厘米施加5g的负荷,压贴在感光体上,在40℃×90%RH的环境下放置一周,确认感光体上的附着物,进行以下的评价。将结果示于表2中。
○:在使用试验后的感光体进行印刷时,在图像上没有印刷污染痕迹。
×:在使用试验后的感光体进行印刷时,在图像上印刷有污染痕迹。
在表1中示出了实施例1~2、比较例1得到的共聚物的组成比例,在表2中示出了使实施例1~2得到的共聚物进行交联所得到的交联片的体积电阻率。
表1
表2
实施例1 实施例2
23℃×50%RH 1.1×108 1.3×108
硬度 36 29
污染性
实施例1是具有由26mol%的(a)来自环氧氯丙烷的结构单元、73mol%的(b)来自环氧乙烷的结构单元、1mol%的(c)来自3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷的结构单元所形成的共聚物的交联体的电子照相设备用半导电部件,实施例2是具有由含有24mol%的(a)来自环氧氯丙烷的结构单元、74mol%的(b)来自环氧乙烷的结构单元、2mol%的(c)来自甲基丙烯酸缩水甘油酯的结构单元的共聚物的交联体的电子照相设备用半导电部件。比较例1以使(c)来自3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷的结构单元成为11mol%的状态进行聚合,但是,由于共聚物的粘度大大降低且变成粘附性高的糊状,因此难以从反应器中取出,无法进行评价。
另外,如表2所示,可知作为本发明的电子照相设备用半导电部件的实施例1~2的共聚物的交联体,在23℃/50%RH下体积电阻率保持1.1×108、1.3×108的半导电性,同时电子照相设备用半导电部件,特别地作为构成半导电辊的弹性材料具有合适的硬度。进而可知,由于共聚物的交联体的污染性显著降低,因此,能够适合用作电子照相设备用半导电部件。
工业实用性
另外,本发明的电子照相设备用半导电电子部件,具有半导电性且在复印机、打印机等的电子照相设备中的半导电辊和半导电带等的用途上非常有用。

Claims (7)

1.一种电子照相设备用半导电部件,其中,其含有交联体,所述交联体是利用具有9.9~39.9mol%的(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。
2.如权利要求1所述的电子照相设备用半导电部件,其中,所述(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元,是来自从丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷以及3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。
3.如权利要求1或2所述的电子照相设备用半导电部件,其中,所述(a)来自环氧卤丙烷的结构单元,是来自从环氧氯丙烷和环氧溴丙烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。
4.如权利要求1~3中任一项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,所述(b)来自环氧烷的结构单元,是来自从环氧乙烷、环氧丙烷以及环氧丁烷所构成的组中选出的至少一种的结构单元。
5.如权利要求1~4中任一项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,在根据JISK6253的类型A的硬度试验中,所述交联体的硬度为10~80。
6.如权利要求1~5中任一项所述的电子照相设备用半导电部件,其中,其是在基材上层叠有交联体的半导电辊,所述交联体是利用具有9.9~39.9mol%的所述(a)来自环氧卤丙烷的结构单元、60~90mol%的所述(b)来自环氧烷的结构单元、0.1~10mol%的所述(c)来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的共聚物中的来自含(甲基)丙烯酰基或烷氧基甲硅烷基的环醚单体的结构单元的反应性进行交联而形成的。
7.一种电子照相设备,其中,使用了权利要求1~6中任一项所述的电子照相设备用半导电部件。
CN201480049393.3A 2013-10-15 2014-10-14 电子照相设备用半导电部件 Expired - Fee Related CN105531630B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-214338 2013-10-15
JP2013214338 2013-10-15
PCT/JP2014/077324 WO2015056670A1 (ja) 2013-10-15 2014-10-14 電子写真機器用半導電性部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105531630A true CN105531630A (zh) 2016-04-27
CN105531630B CN105531630B (zh) 2019-03-12

Family

ID=52828114

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480049393.3A Expired - Fee Related CN105531630B (zh) 2013-10-15 2014-10-14 电子照相设备用半导电部件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10158082B2 (zh)
JP (1) JP6233416B2 (zh)
KR (1) KR101869803B1 (zh)
CN (1) CN105531630B (zh)
WO (1) WO2015056670A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002038001A (ja) * 2000-07-19 2002-02-06 Nippon Zeon Co Ltd ゴム組成物、ゴム架橋物およびゴムロール
JP2004182786A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Nippon Zeon Co Ltd 半導電性ゴムロール用ゴム組成物及び半導電性ゴムロール
JP2011032339A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Nippon Zeon Co Ltd ポリエーテル重合体の製造方法、ならびにポリエーテル重合体組成物、架橋物、および導電性ロール
JP2012036289A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Daiso Co Ltd 半導電性ゴム材料

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3121163B2 (ja) 1993-01-11 2000-12-25 昭和電線電纜株式会社 導電性ローラ
JP2004204968A (ja) 2002-12-25 2004-07-22 Nippon Zeon Co Ltd 半導電性ゴムロール用ゴム組成物及び半導電性ゴムロール
KR102096372B1 (ko) 2013-03-27 2020-04-02 제온 코포레이션 도전성 롤용 가교성 고무 조성물, 도전성 롤용 고무 가교물, 및 도전성 롤

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002038001A (ja) * 2000-07-19 2002-02-06 Nippon Zeon Co Ltd ゴム組成物、ゴム架橋物およびゴムロール
JP2004182786A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Nippon Zeon Co Ltd 半導電性ゴムロール用ゴム組成物及び半導電性ゴムロール
JP2011032339A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Nippon Zeon Co Ltd ポリエーテル重合体の製造方法、ならびにポリエーテル重合体組成物、架橋物、および導電性ロール
JP2012036289A (ja) * 2010-08-06 2012-02-23 Daiso Co Ltd 半導電性ゴム材料

Also Published As

Publication number Publication date
US20160225997A1 (en) 2016-08-04
JPWO2015056670A1 (ja) 2017-03-09
CN105531630B (zh) 2019-03-12
WO2015056670A1 (ja) 2015-04-23
KR20160072093A (ko) 2016-06-22
JP6233416B2 (ja) 2017-11-22
US10158082B2 (en) 2018-12-18
KR101869803B1 (ko) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100558122B1 (ko) 고분자고체전해질
TWI518113B (zh) A mercaptan group-containing polymer and a hardened composition thereof
EP0897941B1 (en) Cross-linked solid polyelectrolyte and use thereof
CN103857746A (zh) 半导电性橡胶组合物
JP5660453B2 (ja) 半導電性ゴム組成物及びその加硫物
KR19990082380A (ko) 폴리에테르 공중합체 및 고분자 고체 전해질
CN101563421A (zh) 可硫化橡胶组合物
CN102746637B (zh) 半导电性橡胶组合物
CN105531630A (zh) 电子照相设备用半导电部件
KR101622164B1 (ko) 할로겐 말단 황함유 중합체
KR20120085799A (ko) 반도전성 고무용 조성물, 고무 가교체 및 반도전성 부품
CN106795365B (zh) 电子照相设备部件用组合物
JP5582343B2 (ja) 半導電性ゴム材料
Donaldson et al. Curing of a polysulfide sealant with sodium birnessite
JP7192767B2 (ja) ポリエーテル重合体
CN110382652A (zh) 电阻调节剂
JP4974417B2 (ja) 硬化性組成物およびその硬化物
JP6976523B2 (ja) 硬化型組成物
WO2019130947A1 (ja) ゴム組成物
JP2022057662A (ja) ポリエーテル重合体架橋物
JP6962181B2 (ja) 半導電性ゴム組成物
WO2022071281A1 (ja) ゴム組成物
TW202222970A (zh) 交聯物
JP2019085498A (ja) ポリエーテル系重合体含有組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190312