CN105489548A

CN105489548A - 一种半导体器件的制作方法

Info

Publication number: CN105489548A
Application number: CN201410537891.4A
Authority: CN
Inventors: 邓浩
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2014-10-13
Filing date: 2014-10-13
Publication date: 2016-04-13
Anticipated expiration: 2034-10-13
Also published as: CN109003939B; CN109003939A; CN105489548B

Abstract

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构；步骤二、采用含铝元素和氮元素的高分子化合物浸润和清洗所述层间介电层和所述铜互连结构的顶面；步骤三、进行氮气或氨气处理，以形成氮化铝层；步骤四、交替重复所述步骤二和步骤三，直到所述氮化铝层的厚度达到预定值；步骤五、在所述氮化铝层上形成电介质覆盖层。根据本发明提供的采用氮化铝层作为铜互连结构的覆盖层的方法，为器件提供更好的附着性和良好的电迁移性能，提高了器件的可靠性和良品率。

Description

一种半导体器件的制作方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

随着半导体制造技术越来越精密，集成电路也发生着重大的变革，集成在同一芯片上的元器件数量已从最初的几十、几百个增加到现在的数以百万个。为了达到复杂度和电路密度的要求，半导体集成电路芯片的制作工艺利用批量处理技术，在衬底上形成各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能，目前大多采用在导线之间以低k层间介电层作为隔离各金属内连线的介电材料，互连结构用于提供在IC芯片上的器件和整个封装之间的布线。在该技术中，在半导体衬底表面首先形成例如场效应晶体管(FET)的器件，然后在BEOL(集成电路制造后段制程)中形成互连结构。在降低互连线的RC延迟、改善电迁移等方面，金属铜与金属铝相比具有低电阻系数，高熔点和优良的电迁移耐力，在较高的电流密度和低功率的条件下也可以使用。目前，由金属铜和低k层间介电层组成的互连结构具有金属互连线层数目少，芯片速度高、功耗低、制造成本低、高抗电迁移性能等优势。

在当前的铜互连工艺中，作为布线材料的铜具有几个严重的缺点：它可以快速进入相邻的层间介电质区域，可导致在两互连线之间形成导通路径，产生短路；同时铜与层间介电层的附着力也很差，很容易产生脱落(peeling)现象。目前，在铜互连结构形成后，需要在其上形成电介质覆盖层，由于铜与电介质覆盖层的附着力很差，仍然会有铜扩散的现象出现，进而使互连线之间的击穿电压降低，引发器件的可靠性问题。为了解决铜与电介质覆盖层的粘附性问题，同时减少铜的电迁移，人们已提出了一种金属覆盖层的概念，即在金属铜上覆盖一层其他的物质，然后再沉积电介质覆盖层，以提高金属铜与电介质覆盖层间的附着力。

然而，不断缩小的半导体器件的尺寸，以及在半导体衬底上由金属铜和低k层间介电层构成的互连结构所产生的电迁移(EM，electromigration)性能和线电阻(lineresistance)两者之间的权衡已成为目前研究的重点。在半导体器件的互连结构中电迁移是重要的金属失效机理。根据现有技术在形成CuSiN金属覆盖层的过程中大量的硅原子进入半导体器件中，硅原子可以使器件具有较长的电迁移寿命，但是，如图1所示，在形成CuSiN金属覆盖层的过程中提供给半导体器件较多的硅原子时，过量的硅原子会扩散到金属铜连线中，将增加线电阻的阻值，影响互连结构的电学性能。

因此，针对上述问题，有必要提出一种新的制作方法。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在问题，本发明实施例一提出一种半导体器件的制作方法，包括：

步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构；

步骤二、采用含铝元素和氮元素的高分子化合物浸润和清洗所述层间介电层和所述铜互连结构的顶面；

步骤三、进行氮气或氨气处理，以形成氮化铝层；

步骤四、交替重复所述步骤二和步骤三，直到所述氮化铝层的厚度达到预定值；

步骤五、在所述氮化铝层上形成电介质覆盖层。

可选地，在所述步骤二之前，还包括使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构顶面的步骤。

可选地，所述含铝元素和氮元素的高分子化合物为三(二乙氨基)铝。

可选地，所述氮化铝层的厚度预定值为30～60埃。

可选地，在所述步骤二之前，还包括采用硅烷处理所述铜互连结构的顶面以形成硅化铜层的步骤。

可选地，所述氮化铝层中的硅含量自下而上逐渐减少。

可选地，在进行所述步骤四时，所述硅化铜层转变为CuAlSiN层。

本发明实施例二提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构；

采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面，以形成金属覆盖层；

在所述层间介电层和所述金属覆盖层上形成电介质覆盖层。

可选地，在采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面之前，还包括使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构的顶面的步骤。

可选地，所述含硼化合物选自硼烷及其烷基取代衍生物；碳硼烷；硼氮苯分子及其烷基取代衍生物；胺类硼烷；及其组合。

可选地，所述含氮及硅的化合物选自三硅基氮、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、四甲基硅氮烷、六甲基环三硅氮烷和九甲基三硅氮烷中的一种或几种。

可选地，所述含硼化合物为三甲基硼，所述含氮及硅的化合物为三硅基氮。

可选地，形成所述金属覆盖层的工艺参数为：所述含氮及硅的化合物的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，通入所述含硼化合物的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，反应室内压力为0.1毫托～100毫托，反应温度为150℃～400℃，等离子体处理的时间为5s～300s。

可选地，所述金属覆盖层的材料包括CuSiBN。

可选地，在形成所述电介质覆盖层之前还包括采用氨气和氮气软氮化所述金属覆盖层的步骤。

本发明实施例一或实施例二的半导体器件的制作方法，还包括：

可选地，所述层间介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。

可选地，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。

综上所述，根据本发明实施例一提供的采用氮化铝层作为铜互连结构的覆盖层的方法，为器件提供更好的附着性和良好的电迁移性能，提高了器件的可靠性和良品率。

根据本发明实施例二提供的形成金属覆盖层的方法，在形成的金属覆盖层中引入硼原子，使金属覆盖层的抗氧性得以提高，与电介质覆盖层间的附着力更强，同时硼原子可以阻挡硅原子向金属互连线中的扩散，为器件提供较低的线电阻和良好的电迁移性能，进而提高器件的可靠性和良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1为根据现有技术制作的具有金属覆盖层的铜互连结构中硅原子扩散到金属铜连线的示意图；

图2A-2E为根据本发明实施例一的方法依次实施相关步骤所获得的器件的剖面示意图；

图3为根据本发明实施例一的方法依次实施的工艺流程图；

图4A-4D为根据本发明实施例二的方法依次实施相关步骤所获得的器件的剖面示意图；

图5为根据本发明实施例二的方法依次实施的工艺流程图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

实施例一

下面，参照图2A-图2E以及图3来描述根据本发明实施例一的方法在铜互连结构上形成氮化铝覆盖层的详细步骤。

首先，执行步骤301，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构。

如图2A所示，提供半导体衬底200，所述半导体衬底200可包括任何半导体材料，此半导体材料可包括但不限于：Si、SiC、SiGe、SiGeC、Ge合金、GeAs、InAs、InP，以及其它Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。半导体衬底200包括各种隔离结构，例如浅沟槽绝缘。半导体衬底200还可以包括有机半导体或者如Si/SiGe、绝缘体上硅(SOI)、或者绝缘体上SiGe(SGOI)的分层半导体。

在半导体衬底200上沉积形成刻蚀停止层201，其材料为含碳的氮化硅(NDC)，制备的方法可选用化学气相沉积(CVD)。作为一个实例，在进行化学气相沉积时，功率为200～400W，加热使腔体内的温度至300～400℃，腔体内的压力为2～5Torr，采用的三甲基硅烷(3MS)或者四甲基硅烷(4MS)的气体流量为100～200立方厘米/分钟(sccm)，He的气体流量为350～450立方厘米/分钟(sccm)，NH3气体流量为300～500立方厘米/分钟(sccm)，沉积时间持续3s。

然后，在刻蚀停止层201上沉积形成层间介电层202，所述层间介电层202的材料可以为低k介电材料(形成的为低k介电层)，也可以为超低k介电材料(形成的为超低k介电层)。一般而言，低k介电材料是指介电常数(k值)小于4的介电材料，超低k介电材料是指介电常数(k值)小于2的介电材料。通常采用化学气相旋涂工艺(SOG)、甩胶技术或化学气相沉积技术制备，其材料可以为硅玻璃(FSG)、氧化硅(siliconoxide)、含碳材料、孔洞性材料(porous-likematerial)或相似物。作为一个实例，层间介电层202为低k介电材料，所述低k介电材料为孔洞性材料包含有致孔剂，致孔剂可以是任何合适产生孔的材料，致孔剂材料可以是碳氢化合物、含有抗蚀剂的丙烯酸盐(丙烯酸脂)族的聚合物、氟化的聚合物等。可以在熔炉中或者通过其他工艺实施固化，例如紫外线固化、快速热固化、闪光灯固化、激光固化等。

形成所述铜互连结构203的过程包括以下步骤：刻蚀层间介电层202和刻蚀停止层201，以露出半导体衬底200，形成沟槽。在所述沟槽中依次形成有扩散阻挡层(未示出)和铜金属层，其中扩散阻挡层的制备方法可选用物理气相沉积(PVD)，阻挡层可于介于-40℃～400℃的温度与约介于0.1毫托(mTorr)～100毫托(mTorr)的压力下形成。扩散阻挡层材料为金属或金属化合物层的材质例如钽、氮化钽、钛、氮化钛、氮化锆、氮化钛锆、钨、氮化钨、其合金或其组成物。此外，扩散阻挡层亦可能包括多个膜层。优选在扩散阻挡层上先形成一层钴(Co)增强层(enhancementlayer)(未示出)，然后再形成铜晶种层(未示出)。钴增强层能够提高铜互连的电迁移耐力，同时可以有效地加强在较小几何沟槽/结构中的铜填充能力。在铜晶种层上使用电化学电镀的方法形成铜金属层，通过对有机物和无机物水浴成分和补给的即时分析可以维持稳定的电镀工艺，其中优选的铜电镀化学添加剂和电流波形可以完成对0.07um～0.1um的间隙填充。接着，采用化学机械研磨(CMP)工艺处理铜金属层，以去除多余的铜金属层，直到露出层间介电层202，使铜金属层与层间介电层202的顶部齐平则停止化学机械研磨。由于空气氧化造成铜金属层的表面被氧化生成氧化铜。采用氨气(NH3)或氮气等离子体处理铜金属层，通入的氨气还原互连结构中的氧化铜，最终去除互连结构中的氧化铜。作为一个实例，采用氨气(NH3)等离子体处理铜金属层，气体的流量为200～300立方厘米/分钟(sccm)，反应室内压力可为5～10毫托(mTorr)，功率为900W～1100W，等离子体处理的时间为5s～10s。

参考图2B，采用硅烷处理所述铜互连结构203的顶面，以形成硅化铜层204。将硅烷通入反应室内，经分解的硅烷中的硅与铜互连结构203的顶面的铜金属发生反应，在铜互连结构203的顶面形成硅化铜层204。

执行步骤S302，采用含铝元素和氮元素的高分子化合物浸润和清洗所述层间介电层和所述铜互连结构的顶面。

参考图2C，可选地采用含铝元素和氮元素的高分子化合物为三(二乙氨基)铝。示例性地，在反应室内通入三(二乙氨基)铝，对所述铜互连结构203和层间介电层202的顶面进行浸润和清洗，在顶面发生化学吸附反应，形成具有高分子量的含铝元素聚合物。同时，所述三(二乙氨基)铝中的铝元素和氮元素还可进一步与硅化铜层204发生反应，形成CuAlSiN层205。铝元素和氮元素的引入阻挡硅原子向金属铜连线中的扩散。

步骤S303：进行氮气或氨气处理，以形成氮化铝层；

氮气或者氨气经过等离子体分解，与吸附在所述铜互连结构203和层间介电层202顶面的具有高分子量的含铝元素聚合物发生反应，形成氮化铝层。由于吸附在所述铜互连结构203和层间介电层202顶面的具有高分子量的含铝元素聚合物厚度非常薄，因此生成的氮化铝层的厚度也非常薄，还不能满足工艺的要求。

步骤S304：交替重复步骤S302和步骤S303，直到所述氮化铝层的厚度达到预定值；

参考图2D，多次交替重复步骤S302和步骤S303，直到形成氮化铝层206的厚度达到预定值。在一个示例中，所述氮化铝层206的厚度预定值为30～60埃。在氮化铝层的沉积过程中，氮化铝层下方的硅化铜层中的硅会扩散进入氮化铝层，随着氮化铝层的厚度逐渐增加，扩散进入氮化铝层的硅原子也逐渐减少，因此所述氮化铝层的硅含量自下而上逐渐减少，使其与铜互连结构之间具有良好的附着性。氮化铝层做为一种新型的用于铜互连结构覆盖层的材料，其可以提高电迁移性能，由于氮化铝层中的硅含量自下而上逐渐减少使其与铜互连结构之间具有良好的附着性，同时氮化铝层还是一种很好的刻蚀停止层的材料，与传统的刻蚀停止层相比其具有更好的刻蚀选择比。

我们相信在表面上物理吸附、吸附、吸收或者化学吸附单层反应物所用的表面吸引力是自限式的，这是因为由于衬底表面具有有限个反应物可利用的位点，所以在引入气体源期间仅有一个单层被沉积在表面上。一旦有限个位点被反应物占据，则反应物的进一步沉积将受阻。可重复这个循环来达到期望厚度的层。

一般地，每次将反应表面暴露在气体源中的时间可在几微秒到几毫秒，到几秒，甚至到几分钟的范围内。一般，应保持足够长的时间，从而为一定体积的反应物提供充足的时间吸附/化学吸附到整个反应表面上，并在其上形成化合物层。

步骤S305：在所述氮化铝层上形成电介质覆盖层。

如图2E所示，在所述氮化铝层206形成电介质覆盖层207。电介质覆盖层207的材料为掺碳的氮化硅或者氮化硅，优选氮化硅材料。其可以防止铜扩散到周围的低k层间介电层，电介质覆盖层207的粘合性、物理性能和电气性能对其下层的低k层间介电层和金属层的气密性、内应力性和弹性模量等性能和可靠性是非常重要的。作为一个实例，电介质覆盖层具有压应力，厚度范围为100埃～500埃。具有压应力的电介质覆盖层有良好的附着力、抑制铜的扩散并提供较强的机械结构，还具有较高的击穿电压、良好的气密性和钝化铜金属层。

综上所示，根据本发明实施例一的制作方法，采用氮化铝层作为铜互连结构的覆盖层，为器件提供更好的附着性和良好的电迁移性能，提高了器件的可靠性和良品率。

实施例二

参照图4A-图4D以及图5来描述根据本发明实施例二的方法在铜互连结构上形成金属覆盖层的详细步骤。

如图4A所示，提供半导体衬底400，所述半导体衬底400可包括任何半导体材料，此半导体材料可包括但不限于：Si、SiC、SiGe、SiGeC、Ge合金、GeAs、InAs、InP，以及其它Ⅲ-Ⅴ或Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体。半导体衬底200包括各种隔离结构，例如浅沟槽绝缘。半导体衬底200还可以包括有机半导体或者如Si/SiGe、绝缘体上硅(SOI)、或者绝缘体上SiGe(SGOI)的分层半导体。

在半导体衬底400上沉积形成刻蚀停止层401，其材料为含碳的氮化硅(NDC)，制备的方法可选用化学气相沉积(CVD)。作为一个实例，在进行化学气相沉积时，功率为200～400W，加热使腔体内的温度至300～400℃，腔体内的压力为2～5Torr，采用的三甲基硅烷(3MS)或者四甲基硅烷(4MS)的气体流量为100～200立方厘米/分钟(sccm)，He的气体流量为350～450立方厘米/分钟(sccm)，NH₃气体流量为300～500立方厘米/分钟(sccm)，沉积时间持续3s。

然后，在刻蚀停止层401上沉积形成层间介电层402，所述层间介电层402的材料可以为低k介电材料(形成的为低k介电层)，也可以为超低k介电材料(形成的为超低k介电层)。一般而言，低k介电材料是指介电常数(k值)小于4的介电材料，超低k介电材料是指介电常数(k值)小于2的介电材料。通常采用化学气相旋涂工艺(SOG)、甩胶技术或化学气相沉积技术制备，其材料可以为硅玻璃(FSG)、氧化硅(siliconoxide)、含碳材料、孔洞性材料(porous-likematerial)或相似物。作为一个实例，层间介电层402为低k介电材料，所述低k介电材料为孔洞性材料包含有致孔剂，致孔剂可以是任何合适产生孔的材料，致孔剂材料可以是碳氢化合物、含有抗蚀剂的丙烯酸盐(丙烯酸脂)族的聚合物、氟化的聚合物等。可以在熔炉中或者通过其他工艺实施固化，例如紫外线固化、快速热固化、闪光灯固化、激光固化等。

刻蚀层间介电层402和刻蚀停止层401，以露出半导体衬底400，形成沟槽。在所述沟槽中依次形成有扩散阻挡层(未示出)和铜金属层，其中扩散阻挡层的制备方法可选用物理气相沉积(PVD)，阻挡层可于介于-40℃～400℃的温度与约介于0.1毫托(mTorr)～100毫托(mTorr)的压力下形成。扩散阻挡层材料为金属或金属化合物层的材质例如钽、氮化钽、钛、氮化钛、氮化锆、氮化钛锆、钨、氮化钨、其合金或其组成物。此外，扩散阻挡层亦可能包括多个膜层。优选在扩散阻挡层上先形成一层钴(Co)增强层(enhancementlayer)(未示出)，然后再形成铜晶种层(未示出)。钴增强层能够提高铜互连的电迁移耐力，同时可以有效地加强在较小几何沟槽/结构中的铜填充能力。在铜晶种层上使用电化学电镀的方法形成铜金属层，通过对有机物和无机物水浴成分和补给的即时分析可以维持稳定的电镀工艺，其中优选的铜电镀化学添加剂和电流波形可以完成对0.07um～0.1um的间隙填充。接着，采用化学机械研磨(CMP)工艺处理铜金属层，以去除多余的铜金属层，直到露出层间介电层402，使铜金属层与层间介电层402的顶部齐平则停止化学机械研磨，形成铜互连结构403。

由于空气氧化造成铜金属层的表面被氧化生成氧化铜。采用氨气(NH3)或氮气等离子体处理铜互连结构403的顶面，通入的氨气还原铜互连结构403中的氧化铜，最终去除铜互连结构403中的氧化铜。作为一个实例，采用氨气(NH₃)等离子体处理铜互连结构403的顶面，气体的流量为200～300立方厘米/分钟(sccm)，反应室内压力可为5～10毫托(mTorr)，功率为900W～1100W，等离子体处理的时间为5s～10s。

如图4B所示，采用含铝元素和氮元素的高分子化合物浸润和清洗所述层间介电层402和所述铜互连结构403的顶面，以形成金属覆盖层404。可选地，所述含硼化合物选自硼烷及其烷基取代衍生物；碳硼烷；硼氮苯分子及其烷基取代衍生物；胺类硼烷；及其组合。可选地，所述含氮及硅的化合物选自三硅基氮、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、四甲基硅氮烷、六甲基环三硅氮烷和九甲基三硅氮烷中的一种或几种。在本实施例中，所述含硼化合物优选为三甲基硼，所述含氮及硅的化合物优选为三硅基氮。

在一个示例中，在反应室内通入三甲基硼和三硅基氮，并对其进行分解，形成所述金属覆盖层的工艺参数为：所述三硅基氮的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，通入所述三甲基硼的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，反应室内压力为0.1毫托～100毫托，反应温度为150℃～400℃，等离子体处理的时间为5s～300s。电离产生的硼离子、硅离子和氮离子与铜互连结构顶面的铜金属反应生成CuSiBN金属覆盖层404。由于可能发生不完全电离的情况，故金属覆盖层404中还可能包含有部分CuSiB。

如图4C所示，可选地，采用氨气和氮气软氮化所述金属覆盖层404，以使金属覆盖层404完全形成为CuSiBN金属覆盖层405。作为一个实例，使用50％氨气和50％氮气作为处理气体，工艺温度为560-570℃。

如图4D所示，在所述金属覆盖405和层间介电层402上形成电介质覆盖层406。电介质覆盖层406的材料为掺碳的氮化硅或者氮化硅，优选氮化硅材料。其可以防止铜扩散到周围的层间介电层，电介质覆盖层的粘合性、物理性能和电气性能对下面低k层间介电层和金属层的气密性、内应力性和弹性模量等性能和可靠性是非常重要的。作为一个实例，电介质覆盖层具有压应力，厚度范围为100埃～500埃。具有压应力的电介质覆盖层有良好的附着力、抑制铜的扩散并提供较强的机械结构，还具有较高的击穿电压、良好的气密性和钝化铜金属层。

综上所述，根据本发明实施例二提供的形成金属覆盖层的方法，在形成的金属覆盖层中引入硼原子，使金属覆盖层的抗氧性得以提高，与电介质覆盖层间的附着力更强，同时硼原子可以阻挡硅原子向金属互连线中的扩散，为器件提供较低的线电阻和良好的电迁移性能，进而提高了器件的可靠性和良率。

参照图5，示出了根据本发明一个实施方式制作具有金属覆盖层的铜互连结构的工艺流程图，用于简要示出整个制造工艺的流程。

在步骤S501中，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成层间介电层和位于所述层间介电层中的铜互连结构。

在步骤S502中，使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构的顶面。

在步骤S503中，采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面，以形成金属覆盖层。

在步骤S504中，采用氨气和氮气软氮化所述金属覆盖层。

在步骤S505中，在所述层间介电层和所述金属覆盖层上形成电介质覆盖层。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

步骤三、进行氮气或氨气处理，以形成氮化铝层；

步骤五、在所述氮化铝层上形成电介质覆盖层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤二之前，还包括使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构顶面的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含铝元素和氮元素的高分子化合物为三(二乙氨基)铝。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度预定值为30～60埃。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤二之前，还包括采用硅烷处理所述铜互连结构的顶面以形成硅化铜层的步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氮化铝层中的硅含量自下而上逐渐减少。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在进行所述步骤四时，所述硅化铜层转变为CuAlSiN层。

8.一种半导体器件的制作方法，包括：

在所述层间介电层和所述金属覆盖层上形成电介质覆盖层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在采用含硼化合物和含氮及硅的化合物的混合气体处理所述铜互连结构的顶面之前，还包括使用氮气或者氨气处理所述铜互连结构的顶面的步骤。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述含硼化合物选自硼烷及其烷基取代衍生物；碳硼烷；硼氮苯分子及其烷基取代衍生物；胺类硼烷；及其组合。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述含氮及硅的化合物选自三硅基氮、六甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、四甲基硅氮烷、六甲基环三硅氮烷和九甲基三硅氮烷中的一种或几种。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述含硼化合物为三甲基硼，所述含氮及硅的化合物为三硅基氮。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述金属覆盖层的工艺参数为：所述含氮及硅的化合物的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，通入所述含硼化合物的流量为200立方厘米/分钟～1500立方厘米/分钟，反应室内压力为0.1毫托～100毫托，反应温度为150℃～400℃，等离子体处理的时间为5s～300s。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属覆盖层的材料包括CuSiBN。

15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在形成所述电介质覆盖层之前还包括采用氨气和氮气软氮化所述金属覆盖层的步骤。

16.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述层间介电层和所述半导体衬底之间形成有刻蚀停止层。

17.如权利要求1或8所述的方法，其特征在于，所述电介质覆盖层材料为氮化硅或者掺碳的氮化硅。