CN111029298A - 一种铜互连层的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种铜互连层的制造方法，在衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层，而后进行铜清洁工艺，在氮气和氢气的气氛中进行清洁，以利用氮气的轰击力，清除介质层表面的铜残留。该方法在氮气和氢气的气氛中，利用氢气的还原作用，将介质层表面残留的铜离子还原为铜，而后利用氮气的轰击力去除介质层表面的铜残留，实现介质层上的铜清洁，避免介质层上的铜残留对器件性能的影响。

Description

一种铜互连层的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种铜互连层的制造方 法。
背景技术
在半导体器件的制造工艺中，尤其是在55nm以下的后段工艺中，铜作为 互连层具有更好的电学性能而得到了广泛的应用。而在形成铜互连层时，尤 其是在采用低介电常数的介质层后，会存在铜在介质层上的残留的问题，这 会导致介质层的击穿电压降低以及其器件其他电学性能受到影响，甚至影响 器件的使用寿命。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种铜互连层的制造方法，避免铜残 留，提高器件性能。
为实现上述目的，本发明有如下技术方案：
一种铜互连层的制造方法，包括：
提供衬底；
所述衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层；
进行铜清洁工艺，包括：在氮气和氢气的气氛中进行清洁，以利用氮气 的轰击力，清除介质层表面的铜残留。
可选的，所述介质层包括含碳的氧化硅。
可选的，所述衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层，包括：
在所述衬底上依次沉积介质层以及刻蚀停止层；
在所述介质层以及刻蚀停止层中形成刻蚀结构；
进行金属铜的填充；
以介质层为停止层，进行平坦化工艺，以在介质层中形成镶嵌的铜互连 层。
可选的，在形成铜互连层之后，还包括：
在所述介质层以及铜互连层上形成铜的扩散停止层。
可选的，所述扩散停止层包括：含碳氮化硅，形成碳氮化硅的扩散停止 层的方法，包括：
进行碳氮化硅的沉积工艺，沉积工艺采用的气体包括：NH3和TMS；
所述沉积工艺包括：
进行腔室的预处理，在所述预处理工艺中进行所述铜清洁工艺，所述预 处理采用NH3的解离进行，以产生铜清洁工艺中的氮气和氢气；
利用NH3和TMS进行碳氮化硅的沉积。
可选的，在所述预处理中，解离时的功率大于650W，持续时间大于30S。
可选的，在所述预处理中，解离时的功率范围为650-750W，持续时间的 范围为30-60S。
可选的，在形成铜互连层之后、进行铜清洁工艺之前，还包括：
采用清洁剂进行铜残留的清洗。
本发明实施例提供的铜互连层的制造方法，在衬底上形成介质层以及介 质层中镶嵌的铜互连层，而后进行铜清洁工艺，在氮气和氢气的气氛中进行 清洁，以利用氮气的轰击力，清除介质层表面的铜残留。该方法在氮气和氢 气的气氛中，利用氢气的还原作用，将介质层表面残留的铜离子还原为铜， 而后利用氮气的轰击力去除介质层表面的铜残留，实现介质层上的铜清洁， 避免介质层上的铜残留对器件性能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不 付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1示出了根据本发明实施例铜互连层的制造方法的流程示意图；
图2-6示出了根据本发明实施例的制造方法形成铜互连层过程中的结构 示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图 对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发 明还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以 在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体 实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便 于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意 图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包 含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
正如背景技术中的描述，在半导体器件的制造工艺中，尤其是在55nm以 下的后段工艺中，铜作为互连层具有更好的电学性能而得到了广泛的应用。 而在形成铜互连层时，尤其是在采用低介电常数的介质层后，会存在铜在介 质层上的残留的问题，这会导致介质层的击穿电压降低以及其器件其他电学 性能受到影响，甚至影响器件的使用寿命。
为此，本申请实施例提供一种铜互连层的制造方法，在衬底上形成介质 层以及介质层中镶嵌的铜互连层，而后进行铜清洁工艺，在氮气和氢气的气 氛中进行清洁，以利用氮气的轰击力，清除介质层表面的铜残留。该方法在 氮气和氢气的气氛中，利用氢气的还原作用，将介质层表面残留的铜离子还 原为铜，而后利用氮气的轰击力去除介质层表面的铜残留，实现介质层上的 铜清洁，避免介质层上的铜残留对介质层以及器件性能的影响。
为了更好的理解本申请的技术方案和技术效果，以下将结合流程图1和 附图2-6，对具体的实施例进行详细的描述。
参考图1所示，在步骤S01中，提供衬底100；以及在步骤S02中，在衬 底100上形成介质层102以及介质层102中镶嵌的铜互连层105，参考图5所 示。
在本申请实施例中，在本申请实施例中，衬底100为半导体衬底，例如 可以为Si衬底、Ge衬底、SiGe衬底、SOI(绝缘体上硅，Silicon On Insulator) 或GOI(绝缘体上锗，Germaniun On Insulator)等。在其他实施例中，衬底 100还可以包括其他元素半导体或化合物半导体衬底，例如GaAs、InP或SiC 等，还可以为叠层结构，例如Si/SiGe等，还可以为其他外延结构，例如SGOI (绝缘体上硅锗)等。在本实施例中，该衬底100可以为硅衬底。
衬底100上可以已形成有器件结构，器件结构可以包括MOS器件、传感 器件或存储器件或电容以外其他无源器件等，器件结构可以为平面型器件或 立体器件。还可以形成有器件结构的部分互连结构，部分的互连结构可以包 括接触塞，还可以进一步包括连线层和过孔，互连结构可以为金属材料，例 如可以为钨、铝、铜等。器件结构及部分的互连结构可以由有介质材料的覆 盖层101覆盖，参考图2所示，该覆盖层101可以为单层结构，也可以为叠 层结构。
在本申请实施例中，在衬底100之上形成的介质层102，该介质层102中 将形成铜互连层105，参考图5所示，根据不同的需要，该铜互连层105可以 是器件结构的任一互连层，该铜互连层105可以仅为包括铜连线层或铜过孔 的单大马士革结构，也可以为包括铜连线层和铜过孔的双大马士革结构。
在本实施例中，参考图5所示，在衬底100上形成介质层102以及介质 层102中镶嵌的铜互连层105，可以采用大马士革镶嵌工艺形成该铜互连层 105，具体的可以包括，在步骤S201中，在衬底100上依次沉积介质层102 以及刻蚀停止层103，参考图2所示，在衬底100上沉积介质层102，介质层 102可以为单层或多层，介质层102的材料可以为氧化物、含碳氧化硅或他们 的叠层，通过一次或多次沉积形成介质层102，而后在介质层102上沉积刻蚀停止层103，刻蚀停止层103为后续形成刻蚀结构103时的掩膜层，在刻蚀介 质层102从而在介质层102中形成刻蚀结构103的过程中，可能会对顶层介 质层造成过多的损耗，在介质层102上形成刻蚀停止层103可以避免对顶层 的介质层造成损耗，从而在介质层102中形成顶部和底部宽度相同的刻蚀结 构103。刻蚀停止层103的材料可以与介质层102的材料不同，例如刻蚀停止 层103可以为氮化物，例如可以为氮化硅、氮化钛、氮化钽或他们的组合。 本实施例中，介质层102可以为含碳的氧化硅。
在步骤S202中，在所述介质层102以及刻蚀停止层103中形成刻蚀结构 104，参考图3所示，刻蚀结构可以仅包括过孔或互连层的刻蚀图案，还可以 包括过孔以及过孔上的互连层的刻蚀图案，具体的，可以在刻蚀停止层103 上形成光刻胶层，利用一次或多次光刻技术及刻蚀技术，在光刻工艺中通过 如烘烤、曝光、显影等步骤，将刻蚀结构104的过孔或互连层的图案转移至 光刻胶层中，在光刻胶的遮蔽下，进行刻蚀停止层103以及介质层102的刻 蚀，例如可以采用反应离子刻蚀，可以先刻蚀部分的刻蚀停止层103，而后继 续刻蚀至介质层102中，从而在刻蚀停止层103以及介质层102中形成刻蚀 结构104，而后去除光刻胶层。
在步骤S203中，进行金属铜的填充，参考图4所示，在介质层102以及 刻蚀停止层103中形成刻蚀结构104，在刻蚀结构104中填充金属铜，可以采 用物理气相沉积在刻蚀结构104中沉积金属铜，可以使得金属铜很好地充分 填充于刻蚀结构104中，同时会在刻蚀停止层103的表面上沉积金属铜，参 考图4所示。
在步骤S204中，以介质层102为停止层，进行平坦化工艺，以在介质层 102中形成镶嵌的铜互连层105，参考图5所示，具体的，可以为采用化学机 械研磨去除刻蚀停止层103表面上沉积的金属铜，而后去除刻蚀停止层103， 刻蚀停止层103的材料可以与介质层102的材料不同，例如刻蚀停止层103 为氮化硅，介质层102为含碳氧化硅，从而可以刻蚀去除刻蚀停止层103的 同时不会对介质层102造成损耗，在刻蚀去除刻蚀停止层103的过程中，同 时将刻蚀结构104中填充的铜部分去除，使得刻蚀结构104中填充的金属铜 与介质层102平齐，从而在介质层102中形成镶嵌的铜互连层105，参考图5 所示。
在具体的应用中，在形成铜互连层105之后，可以采用清洁剂进行清洗， 清洗后可以去除一部分介质层102表面的铜残留，防止铜离子在介质层102 表面的扩散，清洁剂例如可以为EKC溶液，EKC溶液包括羟胺，乙醇，邻苯 二酚和水。
在步骤S03中，进行铜清洁工艺。
在刻蚀金属铜形成铜互连层105的过程中，会在介质层102的表面残留 铜或者氧化铜，氧化铜可以是铜氧化以后生成的氧化铜，在一些实施例中， 需要采用的介质层102为低介电常数的材料，例如可以为含碳的氧化硅，但 是含碳的氧化硅比较疏松，容易吸附残留的氧化铜或铜，这些残留并不会在 清洗过程中被清除，而介质层102表面残留的氧化铜或铜会导致介质层102 的击穿电压降低以及其器件其他电学性能受到影响，因此对铜进行清洁提出 更高的要求，全面去除介质层102表面的铜残留。
本申请实施例中，在氮气和氢气的气氛中进行清洁，氢气可以还原介质 层102表面残留的铜离子，生成铜，而后利用氮气的轰击力，清除介质层表 面的铜残留，铜残留可以是在形成铜互连层105时残留在介质层102表面的 铜，也可以是氢气还原介质层102表面的铜离子时生成的铜，利用氢气的还 原作用以及氮气的轰击力，将介质层102表面的铜残留去除，避免铜残留对 介质层102击穿电压以及器件性能的影响。该铜清洁工艺可以采用单独的清 洁工艺进行，也可以在其他可以产生氢气和氮气的工艺中同时进行，这样， 可以减少制程的工序，降低制造成本，提高工艺集成度。
本实施例中，在形成铜互连层105之后，可以采用化学气相沉积在介质 层102以及铜互连层105上形成铜的扩散阻挡层106，以防止铜的氧化和氧化 铜的扩散。在本实施例中，扩散阻挡层106可以为含碳氮化硅(SiCN)，形成 碳氮化硅的扩散阻挡层的方法，可以包括，采用氨气(NH3)和四甲基硅烷 (TMS)进行碳氮化硅的沉积工艺。
在具体的实施例中，进行碳氮化硅的沉积工艺，可以包括，先进行腔室 的预处理，腔室为沉积碳氮化硅的反应腔室，在该预处理工艺中，采用氨气 的解离进行腔室的预处理，该预处理工艺中可以同时完成铜清洁工艺，从而 无需单独的铜清洁工艺，具体的，工艺气体氨气解离生成氮气和氢气，作为 铜清洁工艺中的工艺气体，其中，氢气可以还原介质层表面残留的铜离子从 而在介质层102表面生成铜，介质层102表面上的铜在氮气的轰击力作用下 被去除，从而可以利用腔室的预处理进行铜清洁工艺，在对腔室的预处理过 程中，可以同时完成铜清洁工艺，之后，利用氨气和四甲基硅烷的反应生成 碳氮化硅，生成的碳氮化硅沉积在介质层102表面，从而在介质层102以及 铜互连层105上方形成碳氮化硅的扩散阻挡层106，通过在对腔室的预处理进 行铜清洁工艺的同时在介质层102表面上形成扩散阻挡层106，从而在实现介 质层102表面铜清洁的同时防止铜的氧化和氧化铜的扩散。这样，可以在碳 氮化硅的扩散停止层形成的同时，完成介质层表面的铜残留的清除，不增加 额外的工艺就达到铜残留清除的目的，提高工艺的集成度，降低制造成本。
本实施例中，在进行腔室的预处理中，氨气解离时的功率大于650W，氨 气清洁的时间延长到30s以上，氨气在650W以上的功率下可以将氨气解离成 氮气和氢气，从而氢气能够还原铜离子，氮气能够轰击介质层102表面的铜 残留，从而去除介质层102表面的铜残留，实现铜清洁。在具体的实施例中， 在进行腔室的预处理中，氨气解离时的功率范围可以为650-750W，持续时间 的范围可以为30-60s。
至此在介质层102中形成了镶嵌的铜互连层106，并完成了铜的清洁工艺， 之后，可以完成器件的其他加工工艺，例如还可以继续形成另外的铜互连层， 或者形成钝化层等。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同 相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同 之处。以上所述仅是本发明的优选实施方式，虽然本发明已以较佳实施例披 露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离 本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明 技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因 此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施 例所做的任何的简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护 的范围内。

Claims (8)

1.一种铜互连层的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
所述衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层；
进行铜清洁工艺，包括：在氮气和氢气的气氛中进行清洁，以利用氮气的轰击力，清除介质层表面的铜残留。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包括含碳的氧化硅。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层，包括：
在所述衬底上依次沉积介质层以及刻蚀停止层；
在所述介质层以及刻蚀停止层中形成刻蚀结构；
进行金属铜的填充；
以介质层为停止层，进行平坦化工艺，以在介质层中形成镶嵌的铜互连层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成铜互连层之后，还包括：
在所述介质层以及铜互连层上形成铜的扩散停止层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述扩散停止层包括：含碳氮化硅，形成碳氮化硅的扩散停止层的方法，包括：
进行碳氮化硅的沉积工艺，沉积工艺采用的气体包括：NH3和TMS；
所述沉积工艺包括：
进行腔室的预处理，在所述预处理工艺中进行所述铜清洁工艺，所述预处理采用NH3的解离进行，以产生铜清洁工艺中的氮气和氢气；
利用NH3和TMS进行碳氮化硅的沉积。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述预处理中，解离时的功率大于650W，持续时间大于30S。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述预处理中，解离时的功率范围为650-750W，持续时间的范围为30-60S。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成铜互连层之后、进行铜清洁工艺之前，还包括：
采用清洁剂进行铜残留的清洗。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113394235A (zh) * 2021-05-20 2021-09-14 北海惠科光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1495866A (zh) * 2002-08-30 2004-05-12 �����ɷ� 半导体器件及其制造方法
US20050184397A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 International Business Machines Corporation Structures and methods for intergration of ultralow-k dielectrics with improved reliability
CN1819139A (zh) * 2005-02-08 2006-08-16 台湾积体电路制造股份有限公司 在半导体元件中形成铜接触的方法
CN1855417A (zh) * 2005-04-20 2006-11-01 上海集成电路研发中心有限公司 在集成电路生产中的使用铜大马士革后道工艺的制造方法
US7273808B1 (en) * 2003-02-03 2007-09-25 Novellus Systems, Inc. Reactive barrier/seed preclean process for damascene process
US20100022084A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Neng-Kuo Chen Method for Forming Interconnect Structures
CN102044474A (zh) * 2009-10-13 2011-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法
CN102446821A (zh) * 2011-08-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法
CN103187358A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种铜阻挡层制作方法
CN105489548A (zh) * 2014-10-13 2016-04-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制作方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1495866A (zh) * 2002-08-30 2004-05-12 �����ɷ� 半导体器件及其制造方法
US7273808B1 (en) * 2003-02-03 2007-09-25 Novellus Systems, Inc. Reactive barrier/seed preclean process for damascene process
US20050184397A1 (en) * 2004-02-19 2005-08-25 International Business Machines Corporation Structures and methods for intergration of ultralow-k dielectrics with improved reliability
CN1819139A (zh) * 2005-02-08 2006-08-16 台湾积体电路制造股份有限公司 在半导体元件中形成铜接触的方法
CN1855417A (zh) * 2005-04-20 2006-11-01 上海集成电路研发中心有限公司 在集成电路生产中的使用铜大马士革后道工艺的制造方法
US20100022084A1 (en) * 2008-07-25 2010-01-28 Neng-Kuo Chen Method for Forming Interconnect Structures
CN102044474A (zh) * 2009-10-13 2011-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 铜金属层化学机械抛光后的表面处理方法
CN102446821A (zh) * 2011-08-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 减少化学机械研磨后铜互连结构材料损伤的方法
CN103187358A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种铜阻挡层制作方法
CN105489548A (zh) * 2014-10-13 2016-04-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的制作方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113394235A (zh) * 2021-05-20 2021-09-14 北海惠科光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制造方法

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