CN105470125B - 处理基板的系统和方法 - Google Patents

处理基板的系统和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105470125B
CN105470125B CN201510623549.0A CN201510623549A CN105470125B CN 105470125 B CN105470125 B CN 105470125B CN 201510623549 A CN201510623549 A CN 201510623549A CN 105470125 B CN105470125 B CN 105470125B
Authority
CN
China
Prior art keywords
liner
substrate
gas
support plate
space
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510623549.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105470125A (zh
Inventor
文炯哲
金炯俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN105470125A publication Critical patent/CN105470125A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105470125B publication Critical patent/CN105470125B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32871—Means for trapping or directing unwanted particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
    • H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

公开一种基板处理系统。所述系统可包括腔室，所述腔室具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理空间中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元设置在所述处理空间中以将气体供应到所述处理空间中；等离子体源单元，所述等离子体源单元由所述气体产生等离子体；和衬垫单元，所述衬垫单元布置为环绕所述支撑单元。所述支撑单元可包括支撑所述基板的支撑板。所述衬垫单元可包括：内衬，所述内衬环绕所述支撑板；和致动器，所述致动器竖直地移动所述内衬。

Description

处理基板的系统和方法
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及处理基板的系统和方法，尤其涉及使用等离子体处理基板的系统和方法。
背景技术
气体在高温环境、强电场或射频(RF)电磁场下被电离，以形成包括离子、电子和自由基的等离子体。制作半导体器件的工艺包括等离子体刻蚀步骤。例如，形成在基板上的基片或层通过包含等离子体的离子性粒子的物理碰撞或化学反应被刻蚀。
刻蚀工艺在处理腔室中被执行。具体地，等离子体通过将工艺气体供应到处理腔室中而产生，然后向处理腔室施加RF功率，以激励该工艺气体。在这里，工艺气体通过分别设置在处理腔室的顶盖的中央区域的中央喷嘴或设置处理腔室的侧壁的侧喷嘴被供应到处理腔室中。通过中央喷嘴供应的工艺气体主要用于刻蚀基板的中央区域，而通过侧喷嘴供应的工艺气体主要用于刻蚀基板的边缘区域。但是，排气口设置在处理腔室和用于支撑基板的支撑板之间，由此相当大量的通过侧喷嘴供应的工艺气体未供应到基板的边缘区域而是通过排气口排到外部；也即，供应的工艺气体可能大量损失。
另外，环绕支撑板的各种边环被设置在基板处理系统中。可是，副产物可能在基板处理工艺中产生且可能积累在支撑板和边环之间的空间。副产物可能为颗粒，这些颗粒会导致随后的基板处理工艺失败。
发明内容
本发明构思的示例性实施例提供一种基于等离子体的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法，该系统具有高的工艺效率。
本发明构思的其他示例性实施例提供一种基于等离子体的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法，该系统能够减少供应到其中的工艺气体的损失。
本发明构思另外的示例性实施例提供一种基于等离子体的基板处理系统和利用该系统处理基板的方法，该系统能够减少在供应到基板上的工艺气体量的区域差异。
本发明构思的另外的示例性实施例提供一种基于等离子体的基板处理系统和和利用该系统处理基板的方法，该系统构造为有效地清除来自支撑板和边环之间的空间的副产物。
根据本发明构思的示例性实施例，基板处理系统可包括：腔室，所述腔室具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理空间中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元设置在所述处理空间中以将气体供应到所述处理空间中；等离子体源单元，所述等离子体源单元由所述气体产生等离子体；和衬垫单元，所述衬垫单元布置为环绕所述支撑单元。所述支撑单元可包括支撑基板的支撑板。所述衬垫单元可包括：内衬，所述内衬环绕所述支撑单板；和致动器，所述致动器竖直地移动所述内衬。
在一些实施例中，所述气体供应单元可包括：主喷嘴，所述主喷嘴耦合到所述腔室的壁以将所述气体供应到所述处理空间中；和辅助喷嘴，所述辅助喷嘴设置在所述内衬上以将所述气体供应到所述处理空间中。
在一些实施例中，所述衬垫单元还可包括外衬，所述外衬设置在所述腔室中且形状如环形。
在一些实施例中，所述支撑单元还可包括聚焦环，所述聚焦环设置为环绕所述支撑板且具有圆形形状，并且，所述内衬可被设置为环绕所述聚焦环。
在一些实施例中，所述气体可包括工艺气体，并且所述气体供应单元还可包括辅助工艺气体管线，所述辅助工艺气体管线将所述工艺气体供应到所述辅助喷嘴。
在一些实施例中，所述气体可包括清洗气体，并且所述气体供应单元还可包括辅助清洗气体管线，所述辅助清洗气体管线将所述清洗气体供应到所述辅助喷嘴。
在一些实施例中，所述气体可包括工艺气体和清洗气体。所述气体供应单元可包括：辅助工艺气体管线，所述辅助工艺气体管线将所述工艺气体供应到所述辅助喷嘴；和辅助清洗气体管线，所述辅助清洗气体管线将所述清洗气体供应到所述辅助喷嘴。
在一些实施例中，所述内衬可设置为具有圆环形状；并且所述内衬可包括多个穿透孔，所述多个穿透孔沿着所述内衬的圆周形成为通过所述内衬，以将所述内衬的内部空间连通到外部空间。
在一些实施例中，所述穿透孔可位于所述辅助喷嘴的下方。
在一些实施例中，所述衬垫单元还可包括控制器，所述控制器控制所述致动器，并且，所述控制器可以以这样的方式控制所述致动器：根据基板处理工艺的状态改变所述内衬的垂直位置。
在一些实施例中，所述控制器可以以这样的方式控制所述致动器：在将工艺气体供应到所述腔室以处理所述基板的工艺步骤中，所述内衬位于第一位置处；且在将所述基板装载到所述腔室之前的等待步骤中，所述内衬位于第二位置处，所述第二位置低于所述第一位置。
在一些实施例中，所述控制器可以以这样的方式控制所述致动器：在将所述清洗气体供应到所述腔室以清除所述支撑板和所述聚焦环之间的空间的副产物的清洗步骤中，所述内衬位于第三位置处，所述第三位置低于所述第一位置，且所述第三位置高于所述第二位置。
在一些实施例中，所述第一位置可高于所述支撑单元的顶表面。
在一些实施例中，所述第二位置可低于所述支撑单元的顶表面。
在一些实施例中，所述第三位置可高于所述支撑单元的顶表面。
在一些实施例中，所述辅助喷嘴可设置为通过所述内衬，以将所述清洗气体直接供应到所述聚焦环和所述支撑板之间的空间中。
在一些实施例中，所述辅助喷嘴可以以这样的方式设置为通过所述内衬：允许所述清洗气体在平行于所述支撑板的顶表面的方向上被供应。
根据本发明构思的示例性实施例，处理基板的方法可包括将工艺气体供应到腔室的处理空间以处理装载在支撑板上的基板的工艺步骤；以及等待将所述基板装载在所述腔室的所述处理空间中的等待步骤。设置为环绕所述支撑板的内衬在所述工艺步骤中可位于第一位置处，且在所述等待步骤中位于第二位置处，所述第二位置低于所述第一位置。
在一些实施例中，所述方法还可包括，在所述工艺步骤和所述等待步骤之间，将副产物从环绕所述支撑板的聚焦环和所述支撑板之间的空间清除的清洗步骤。在所述清洗步骤中，所述内衬可位于第三位置处，所述第三位置低于所述第一位置，且所述第三位置高于所述第二位置。
在一些实施例中，在所述工艺步骤中，所述工艺气体可被供应到主喷嘴和辅助喷嘴，所述主喷嘴设置为通过所述腔室的壁，所述辅助喷嘴被设置为通过所述内衬。
在一些实施例中，在所述工艺步骤中，供应到所述主喷嘴和所述辅助喷嘴的工艺气体的量可基本相同。
在一些实施例中，在所述清洗步骤中，所述清洗气体可被供应到设置为通过所述内衬的辅助喷嘴。
在一些实施例中，所述第一位置可高于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面。
在一些实施例中，所述第二位置可低于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面。
在一些实施例中，所述第三位置可高于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面。
在一些实施例中，所述内衬可设置为具有圆环形状，且包括多个穿透孔，所述穿透孔沿着所述内衬的圆周形成为通过所述内衬，以将所述内衬的内部空间连通到外部空间。在所述第一位置，所述穿透孔可位于高于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面的水平(level)。
附图说明
从以下结合附图的简明描述中，本发明的示例性实施例将被更清楚地理解。附图表示如本文所描述的非限制的示例性实施例。
图1为示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统的剖视图；
图2和图3为示出图1的内衬的透视(perspective)图；
图4为设置在图1的内衬中辅助喷嘴的剖视图；
图5至图7为示例性示出当执行基板处理工艺时内衬位置变化的剖视图；
图8为示意性示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理方法的图表；
图9为示出根据本发明构思的其他示例性实施例的基板处理系统的剖视图。
需注意的是这些附图旨在阐明在特定示例性实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征，以及补充以下提供的书面描述。然而，这些附图不是等比例的，且可能不能精确反映任意给定实施例的精确结构或性能特征，因此不应被理解为限定或限制由示例性实施例包含的数值或性能的范围。例如，为清楚起见，分子、层、区域和/或结构组件的相对厚度和位置可减少或放大。在不同附图中相似或相同的参考编号的使用旨在表明相似或相同的组件或特征的存在。
具体实施方式
现在将参照在其中示出示例性实施例的附图更充分地描述本发明构思的示例性实施例。然而，本发明构思的示例性实施例可以不同形式体现且不应解释为限制本文陈述的实施例；相反，提供这些实施例以便使本公开是彻底的且完整的，并向本领域普通技术人员充分传达示例性实施例的构思。在附图中，为清楚起见，层和区域的厚度被放大。在附图中相似的参考编号表示相似的组件，因此它们的描述将被省略。
应理解的是，当一个组件被称为“连接”或“耦合”到另一组件时，它可直接地连接或耦合到另一组件或可能存在的中间组件。相反地，当组件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一组件时，不存在中间组件。在全文中相似的编号代表相似的组件。如本文使用的术语“和/或”，包括一个或多个相关联的列出项目的任意和所有组合。用于描述组件或层之间关系的其它词语(例如，“在……之间”与“直接在……之间”，“邻近”与“直接邻近”，“在……上”与“直接在……上)应以相似的方式解释。
应理解的是，虽然本文可使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的组件、部件、区域、层和/或部分，但是这些组件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件、部件、区域、层或部分从另一个组件、部件、区域、层或部分中区分出来。因此，以下讨论的第一组件、第一部件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二组件、第二部件、第二区域、第二层或第二部分，而不脱离示例性实施例的教导。
为了便于描述，本文可使用空间相对术语，例如“在……下面(beneath)”、“在……下方(below)”、“下部的(lower)”、“在……上方(above)”、“上部的(upper)”等，以描述如附图中示出的一个组件或特征与另一个(或多个)组件或特征的关系。应理解的是，除附图中描述的方位以外，空间相对术语旨在包含设备在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的设备被倒置，描述为在其它组件或特征“下方(below)”或“下面(beneath)”的组件将随之调整为在所述其它组件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方两个方位。然而，设备可作其它调整(旋转90度或处于其它方位)，且本文使用的空间相对术语被相应地解释。
本文所用术语仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制示例性实施例。如本文使用的单数形式的“一个(a，an)”和“该/所述(the)”旨在还包含复数形式，除非上下文清楚指出并非如此。还应当理解的是，在本文中使用术语“包含(comprises和/或comprising)”、“包括(include和/或including)”时，指定陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、组件、部件、和/或以上的组合的存在或附加。
除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明构思的示例性实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，术语，例如那些在常用词典中定义的术语，应解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，不能以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文明确定义如此。
图1为示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统的剖视图，图2和图3为示出图1的内衬的透视图，以及图4为设置在图1的内衬中的辅助喷嘴的剖视图。参照图1至图4，基板处理系统10可被构造为使用等离子体处理基板或晶片W。基板处理系统10可包括腔室100、支撑单元200、气体供应单元300、等离子体源单元400、衬垫单元500、以及挡板单元600。
腔室100可构造为限定顶部开口的空间。腔室100可提供处理空间，在该空间中将执行基板处理工艺。腔室100可包括主体110和窗120。
主体110可设置为限定其顶部开口的内部空间。主体110的内部空间可被用作基板处理工艺的空间。主体110可由金属材料组成。例如，主体110可由含铝材料组成。主体110可接地。排气孔102可形成为通过主体110的底表面。所述排气孔102可被用作这样的一种通道：用于将在基板处理工艺中产生的副产物和停留在主体110中的工艺气体排放到主体110外侧。
窗120可设置在主体110上以盖住主体110的开放顶部。窗120可设置为具有板状结构且密封主体110的内部空间。窗120可由介电材料组成，或者窗120可包括介电材料。
支撑单元200可位于主体110中。支撑单元200可构造为支撑基板W。支撑单元200可包括静电吸盘，该静电吸盘构造为使用静电力保持基板W。可替代地，支撑单元200可构造为使用其它方式，如机械夹持的方式保持基板W。为了简单起见，以下描述将参照本发明实施例中静电吸盘被用作支撑单元200的示例。
静电吸盘200可包括支撑板210、下电极220、加热器230、下板240，下部电源260、绝缘板270、以及聚焦环280。
支撑板210可被用作静电吸盘200的上部。支撑板210可形成如同圆盘的形状且可由介电材料组成。可将基板W装载到支撑板210的顶表面上。支撑板210的顶表面可具有比基板W的半径更小的半径。因此，如果将基板W装载到支撑板210上，基板W的边缘区域可位于支撑板210之外。
下电极220和加热器230可被埋设在支撑板210中。下电极220可位于加热器230上。下电极220可电连接到第一电源223。第一电源223可构造为供应直流(DC)电，以让静电吸盘200固定基板W。开关222可安装在下电极220和第一电源223之间。根据开关222的接通或断开状态，下电极220可电连接到第一电源223。例如，在开关222处于接通状态的情况下，直流电流可被施加到下电极220。施加到下电极220的电流能够使下电极220对基板W施加静电力，由此基板W可被固定在支撑板210上。
加热器230可电连接到第二电源233。在加热器230中，从第二电源233供应的电流可被转换为热能。该热能可通过支撑板210传递到基板W。例如，在加热器230中产生的热能可使基板W加热到特定的温度。加热器230可设置为螺旋状加热丝的形式。在一些实施例中，在支撑板210中可设置多个加热器230。
下板240可位于支撑板210的下方。支撑板210的底表面可通过粘胶层236附接到下板240的顶表面。下板240可由含铝材料组成。下板240的顶表面的中央区域可高于其边缘区域，从而具有阶梯结构。下板240的顶表面的中央区域可具有与支撑板210的底表面的中央区域基本相同或相似的面积，且可粘附到支撑板210的底表面。
下板240可设置为具有至少一个用于使传热介质流通的通道。例如，传热介质可包括惰性气体(例如氦气)。在一些实施例中，下板240可以这样的方式构造：在下板240中可有通路通过。例如，下板240可设置为具有第二流通管道242，用于冷却下板240的冷却剂通过该第二流通管道242流通。下板240的冷却可以这样的方式执行：基板W被冷却到特定温度。
绝缘板270可设置在下板240的下方。绝缘板270可设置为具有与下板240的尺寸基本相同或相似的尺寸。绝缘板270可位于下板240和腔室100之间。绝缘板270可有绝缘材料组成以使下板240和腔室100彼此电隔离。
下部电源260可连接到下板240以向下板240提供电功率。下部电源260可构造为产生具有射频的电功率。在一些实施例中，下部电源260可接地。
聚焦环280可设置在静电吸盘200的边缘区域。聚焦环280可为如环的形状且可沿支撑板210的圆周设置。聚焦环280可包括内部282和外部281。内部282可位于聚焦环280的内部区域。内部282可设置为具有比外部281的顶表面低的顶表面。在一些实施例中，内部282可设置为具有与支撑板210的顶表面共面的顶表面。内部282可支撑基板W的边缘区域，该边缘区域位于支撑板210的外部。外部281可位于内部282的外侧。外部281可设置为面向装载在支撑板210上的基板W的侧边部。外部281可设置为环绕基板W的边缘区域。
气体供应单元300可包括主喷嘴310和320以及辅助喷嘴330。
主喷嘴310和320可将气体供应到处理空间。气体供应单元300可包括多个主喷嘴310和320。主喷嘴310和320可设置为通过腔室100的壁。例如，主喷嘴310和320可设置分别通过腔室100的顶壁和侧壁。在一些实施例中，主喷嘴可包括上喷嘴310和侧喷嘴320。上喷嘴310可设置为通过腔室100的顶壁。上喷嘴310可位于基板的中央之上。上喷嘴310可将气体供应到基板上。上喷嘴310可构造为具有至少一个喷射孔311。喷射孔311可将工艺气体供应到激励空间IS的中央区域。上喷嘴310可由喷嘴支撑杆(未示出)支撑且可被设置为通过窗120。
侧喷嘴320可设置为围绕激励空间IS且可为如环形形状。侧喷嘴320可设置为通过腔室100的侧壁。侧喷嘴320可构造为具有至少一个喷射孔321。喷射孔321可向支撑单元200倾斜。侧喷嘴320可将气体供应到激励空间IS的边缘区域。
主储气部360可构造为存储工艺气体。存储在主储气部360中的工艺气体可被供应到上喷嘴310和侧喷嘴320。主气体供应管线361可设置为将主储气部360连接到上喷嘴310和侧喷嘴320。主气体供应管线361可将存储在主储气部360中的工艺气体供应到上喷嘴310和侧喷嘴320。阀门362可设置在主气体供应管线361上。阀门362可用于控制通过主气体供应管线361的工艺气体的流量。
辅助喷嘴330可设置为通过如下描述的内衬510。辅助喷嘴330可设置为限定内衬510的喷射孔332。在一些实施例中，多个喷射孔332可沿着内衬510的圆周布置。辅助喷嘴330可包括垂直管道331和喷射孔332。垂直管道331可在垂直方向上从内衬510的底部延伸到顶部。垂直管道331的一端可连接到喷射孔332。喷射孔332可在从垂直管道331到支撑单元200的方向上延伸。喷射孔332可构造为向基板的边缘区域喷射供应的气体。在特定实施例中，辅助喷嘴330可设置为具有耦合到内衬510的结构。
在一些实施例中，内衬510的辅助喷嘴330可构造为供应工艺气体和清洗气体。在其他示例性实施例中，内衬510的辅助喷嘴330可构造为将工艺气体供应到基板的边缘区域。在其他实施例中，内衬510的辅助喷嘴330可构造为将清洗气体直接供应到聚焦环280和支撑板210之间的空间中。在其他实施例中，内衬510的辅助喷嘴330可构造为在平行于支撑板210顶表面的方向上供应工艺气体或清洗气体。
辅助工艺气体存储部373可设置为存储工艺气体。辅助工艺气体管线371可设置为将辅助工艺气体存储部373连接到辅助喷嘴330。工艺气体可通过辅助工艺气体管线371供应到辅助喷嘴330。在辅助工艺气体管线371上可设置阀门375。阀门375可用于控制通过辅助工艺气体管线371的工艺气体的流量。
辅助清洗气体存储部374可设置为存储清洗气体。辅助清洗气体管线372可设置为将辅助清洗气体存储部374连接到辅助喷嘴330。辅助清洗气体管线372可用于将辅助清洗气体存储部374中的清洗气体供应到辅助喷嘴330。辅助喷嘴330可设置为将清洗气体供应到聚焦环280和支撑板210之间的空间中。在辅助清洗气体管线372上可设置阀门376。阀门376可用于控制通过辅助清洗气体管线372的清洗气体的流量。例如，清洗气体可包含非活性气体或惰性气体(如氮气或氩气)。
等离子体源单元400可构造为将供应到腔室100中的工艺气体转换为等离子体。在一些实施例中，等离子体源单元400可包括电感耦合等离子体(ICP)源。例如，等离子体源单元400可包括天线室410、天线420、和等离子体电源430。天线室410可设置为具有底部开放的圆柱状结构。天线室410可设置为具有空的空间。天线室410可设置为具有与腔室100的直径相对应的直径，天线室410可具有使天线室410附接到窗120或与窗120分离的底部结构。天线420可设置在天线室410中。天线420可设置为具有多个绕组的螺旋结构或线圈结构，且可耦合到等离子体电源430。天线420可被供应由等离子体电源430提供的电功率。等离子体电源430可位于腔室100的外部。在将电功率施加到天线420的情况下，在腔室100的处理空间中可产生电磁场。工艺气体可由该电磁场激发为等离子体状态。
衬垫单元500可构造为将气体供应到基板的顶表面上。在一些实施例中，衬垫单元500可构造为将工艺气体和/或清洗气体供应到处理空间中，且构造为将可能在基板处理工艺期间产生的副产物排放到排气孔。衬垫单元500除了包括内衬510外，可进一步包括外衬130、致动器550和控制器570。
外衬130可设置在主体110中。外衬130可设置为具有开放顶部和开放底部的空间。外衬130可设置为具有圆柱形形状。外衬130可具有半径，该半径可对应于或等于主体110的内部空间的半径。外衬130可沿着主体110的内侧壁设置。外衬130可包括支撑环131，该支撑环131设置在主体110上，且从主体110的顶表面向外侧延伸。支撑环131可以环形板的形式设置且可从外衬130的外圆周向外突出。支撑环131可布置在主体110上且可由外衬130支撑。外衬130可由与主体110的材料相同的材料组成。外衬130可由含铝材料组成。外衬130可保护主体110的内侧壁。在激发工艺气体期间，在腔室100中可能发生电弧放电。该电弧放电可导致腔室100损坏。然而，根据本发明构思的示例性实施例，设置在主体110内侧表面上的外衬130能够使主体110的内侧表面免受电弧放电的损坏。
内衬510可设置为环绕支撑单元200。内衬510可以环的形式设置。辅助喷嘴330可设置为通过内衬510。在内衬510中可形成有多个穿透孔511，以沿着内衬510的圆周使内衬510的内部空间连通到外部空间。所述多个穿透孔511可形成在辅助喷嘴330的下方。穿透孔511可垂直于内衬510的圆周表面且可设置为形成多个彼此平行的列。在基板处理工艺期间产生的副产物可通过穿透孔511排出。
致动器550可连接到内衬510。致动器550可允许内衬510在竖直方向上移动。
控制器570可控制致动器550。例如，控制器570可以这样的方式控制致动器550：根据基板处理工艺的状态改变内衬510的竖直水平。
例如，在工艺步骤A中，用于处理基板的工艺气体可供应到腔室100中，且控制器570可以这样的方式控制致动器550：在工艺步骤A中，内衬510位于第一位置R1处。在清洗步骤B中，可供应清洗气体以清除来自支撑板210和聚焦环280之间的空间的副产物，且控制器570可以这样的方式控制致动器550：在清洗步骤B中，内衬510位于第三位置R3处。在等待步骤C中，基板可等待被装载到腔室100中，且控制器570可以这样的方式控制致动器550：在等待步骤C中，内衬510位于第二位置R2处。这里，第一位置R1在竖直水平上可高于支撑单元200的顶表面。第二位置R2在竖直水平上可低于支撑单元200的顶表面。第三位置R3在竖直水平上可高于支撑单元200的顶表面。
第一位置R1可高于第二位置R2和第三位置R3。第二位置R2可低于第三位置R3。第三位置R3可低于第一位置R1并高于第二位置R2。
由于在内衬510中设置有辅助喷嘴330，因此能够有效地将工艺气体供应到基板的边缘区域从而减少将要损失的工艺气体量。而且，由于在内衬510中设置有穿透孔511，因此能够将可能在基板处理工艺中产生的副产物排到外部，从而提高基板处理工艺的工艺效率。
挡板单元600可位于主体110的内侧壁和支撑单元200之间。挡板可以圆环的形式设置。多个穿透孔可设置为通过该挡板。供应到主体110的工艺气体可通过挡板单元600的穿透孔被排放到排气孔102。可根据挡板单元600和穿透孔的形状控制工艺气体的流动。
图5至图7为示例性示出当执行基板处理工艺时内衬位置变化的剖视图；图8为示意性示出根据本发明构思的示例性实施例的基板处理方法的图表。在下文中，将参照附图5至图8来描述基板处理工艺的一个示例。例如，基板可包括第一组基板和第二组基板，且可连续地在第一组基板和第二组基板上执行基板处理工艺。
基板处理工艺可包括工艺步骤A，清洗步骤B和等待步骤C。
在工艺步骤A中，可将工艺气体供应到腔室100的处理空间中(或供应到装载在支撑板210上的基板上)以处理该基板。在工艺步骤A中，工艺气体可通过内衬510的辅助喷嘴330被供应。在工艺步骤A中，内衬510可位于在第一位置R1处。这里，第一位置R1可高于装载在支撑板210上的基板的位置。当内衬510位于第一位置R1处时，穿透孔511可位于比装载在支撑板210上的基板的水平更高的水平。在内衬510在工艺步骤A中位于第一位置R1处的情况下，能够增加基板的边缘区域上的气体密度，从而提高基板处理工艺的效率。在基板处理工艺中产生副产物的情况下，这些副产物可通过内衬510的穿透孔511排放到外部。
在工艺步骤A之后可执行清洗步骤B。在第一组基板中的一个基板上执行工艺步骤A之后且在第一组基板中的另一个基板上执行工艺步骤A之前可执行清洗步骤B。清洗步骤B可被执行以清除来自聚焦环280和支撑板210之间的空间的副产物。在清洗步骤B中，内衬510可位于第三位置R3处。第三位置R3可高于装载在支撑板210上的基板的顶表面。第三位置R3在竖直水平可低于第一位置R1。在清洗步骤B中，可通过内衬510的辅助喷嘴330供应清洗气体。作为供应清洗气体的结果，副产物可以从聚焦环280和支撑板210之间的空间被清除，并且这能够提高后续的工艺步骤A中的工艺效率。如果完成基板的清洗步骤B，可从腔室100卸载该基板，然后，可在选自第一组的新基板上继续执行工艺步骤A和清洗步骤B。
如果完成第一组基板的工艺步骤A和清洗步骤B，在第二组基板上的工艺步骤A和清洗步骤B之前可执行等待步骤C。在等待步骤C中，第二组基板中的一个基板可装载在腔室100的处理空间中。在等待步骤C中，内衬510可位于第二位置R2处。第二位置R2可低于装载在支撑板210上的基板的顶表面。第二位置R2可低于第一位置R1和第三位置R3。
图9为示出根据本发明构思的另一示例性实施例的基板处理系统的剖视图。基板处理系统20可构造为具有与图1中的基板处理系统基本相同的特征。然而，在基板处理系统20中，辅助工艺气体管线371和辅助清洗气体管线372可连接到侧喷嘴320。分别从工艺气体存储部373和清洗气体存储部374供应的工艺气体和清洗气体可通过侧喷嘴320和辅助喷嘴330供应到激励空间IS。例如，分别通过侧喷嘴320和辅助喷嘴330供应的工艺气体和清洗气体的量或流量可以基本相同。可替代地，分别通过侧喷嘴320和辅助喷嘴330供应的工艺气体和清洗气体的量或流量可以彼此不同。
不同于前述的示例，主喷嘴和辅助喷嘴可构造为既供应工艺气体又供应清洗气体。
另外，根据本发明构思的示例性实施例，支撑单元可为静电吸盘。但在其他示例性实施例中，支撑单元可具有能够支撑基板的各种结构中的其中一种结构。例如，支撑单元可为利用真空压力固定基板的真空吸盘。
在前述的示例中，等离子体刻蚀工艺已作为基板处理工艺的一个示例进行描述，但是本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，基板处理工艺可为其他各种等离子体工艺中的一种工艺(如沉积工艺、灰化工艺、以及清洗工艺)
在前述的示例中，ICP源已作为等离子体发生器(如等离子体源单元)的一个示例进行描述，但是其他各种等离子体系统(如容性耦合等离子体(CCP)等离子体源或电子回旋共振(ECR)等离子体源)也可用作等离子体发生器。
根据本发明构思的示例性实施例，辅助喷嘴可设置为通过内衬，这能够提高基板处理系统的工艺效率。
根据本发明构思的其他示例性实施例，辅助喷嘴可用于将工艺气体供应到处理腔室中，这能够减少被供应的工艺气体的损失。
根据本发明构思的其他示例性实施例，辅助喷嘴可构造为将工艺气体供应到基板的边缘区域，这能够将工艺气体均匀地供应到基板，避免基板上所供应的工艺气体量的区域差异。
根据本发明构思的其他示例性实施例，辅助喷嘴可用于供应清洗气体，用于清除来自支撑板和聚焦环之间的空间的副产物，这能够进一步提高基板处理工艺的工艺效率。
虽然本发明构思的示例性实施例已具体示出和描述，应理解的是本领域技术人员可在不脱离所附权利要求书的精神和范围下做出各种形式和细节的改变。

Claims (16)

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
腔室，所述腔室具有处理空间；
支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理空间中以支撑基板；
气体供应单元，所述气体供应单元设置在所述处理空间中以将气体供应到所述处理空间中；
等离子体源单元，所述等离子体源单元由所述气体产生等离子体；和
衬垫单元，所述衬垫单元布置为环绕所述支撑单元，
其中，所述支撑单元包括支撑基板的支撑板，所述衬垫单元包括：内衬，所述内衬邻近所述支撑板的边缘并布置为环绕所述支撑板；和致动器，所述致动器竖直地移动所述内衬，其中，所述气体供应单元包括：主喷嘴，所述主喷嘴耦合到所述腔室的壁以将所述气体供应到所述处理空间中；和辅助喷嘴，所述辅助喷嘴设置在所述内衬上以将所述气体供应到所述处理空间中，
所述支撑单元还包括聚焦环，所述聚焦环设置为环绕所述支撑板且具有圆形形状，并且所述内衬设置为环绕所述聚焦环，
其中，所述气体包括清洗气体和工艺气体，并且所述气体供应单元还包括辅助清洗气体管线和辅助工艺气体管线，其中，所述辅助清洗气体管线将所述清洗气体供应到所述辅助喷嘴，所述辅助工艺气体管线将所述工艺气体供应到所述辅助喷嘴，
其中，所述衬垫单元还包括控制器，所述控制器控制所述致动器，其中，所述控制器以这样的方式控制所述致动器：
根据基板处理工艺的状态改变所述内衬的竖直位置，
在将工艺气体供应到所述腔室以处理基板的工艺处理步骤中，所述辅助喷嘴将工艺气体供应到所述基板的边缘，所述内衬移动至第一位置以避免供应至所述基板的边缘的所述工艺气体过快散开；
在清洗步骤中，所述内衬从所述第一位置移开，所述内衬位于第三位置处，所述辅助喷嘴将所述清洗气体供应到所述支撑板和所述聚焦环之间的空间中，以从所述支撑板和所述聚焦环之间的空间清除副产物；和
在将所述基板装载到所述腔室之前的等待步骤中，所述内衬位于第二位置处，
其中，所述第二位置低于所述第一位置，所述第三位置低于所述第一位置，并且所述第三位置高于所述第二位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述衬垫单元还包括外衬，所述外衬设置在所述腔室中且形状为圆柱形。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述内衬设置为具有圆环形状；并且
所述内衬包括多个穿透孔，所述多个穿透孔沿着所述内衬的圆周形成为通过所述内衬，以将所述内衬的内部空间连通到外部空间。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，所述穿透孔位于所述辅助喷嘴的下方。
5.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述第一位置高于所述支撑单元的顶表面。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述第二位置低于所述支撑单元的顶表面。
7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述第三位置高于所述支撑单元的顶表面。
8.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述辅助喷嘴设置为通过所述内衬，以将所述清洗气体直接供应到所述聚焦环和所述支撑板之间的空间中。
9.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，所述辅助喷嘴以这样的方式设置为通过所述内衬：允许所述清洗气体在平行于所述支撑板的顶表面的方向上被供应。
10.一种处理基板的方法，其特征在于，包括：
将工艺气体供应到腔室的处理空间以处理装载在支撑板上的基板的工艺步骤；以及
等待将所述基板装载在所述腔室的所述处理空间中的等待步骤，
其中，邻近所述支撑板的边缘并设置为环绕所述支撑板的内衬在所述工艺步骤中位于第一位置处，以避免供应至所述基板的边缘的所述工艺气体过快散开，且在所述等待步骤中位于第二位置处，所述第二位置低于所述第一位置，
还包括，在所述工艺步骤和所述等待步骤之间，将副产物从环绕所述支撑板的聚焦环和所述支撑板之间的空间清除的清洗步骤，
其中，在所述清洗步骤中，清洗气体被供应到设置为通过所述内衬的辅助喷嘴，所述内衬位于第三位置处，所述第三位置低于所述第一位置，且所述第三位置高于所述第二位置。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述工艺步骤中，所述工艺气体被供应到主喷嘴和辅助喷嘴，所述主喷嘴设置为通过所述腔室的壁，所述辅助喷嘴被设置为通过所述内衬。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述工艺步骤中，供应到所述主喷嘴和所述辅助喷嘴的工艺气体的量相同。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一位置高于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第二位置低于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面。
15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第三位置高于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面。
16.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述内衬设置为具有圆环形状，且包括多个穿透孔，所述多个穿透孔沿着所述内衬的圆周形成为通过所述内衬，以将所述内衬的内部空间连通到外部空间，以及
在所述第一位置，所述穿透孔位于高于装载在所述支撑板上的所述基板的顶表面的水平。
CN201510623549.0A 2014-09-30 2015-09-25 处理基板的系统和方法 Active CN105470125B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2014-0131914 2014-09-30
KR1020140131914A KR101598465B1 (ko) 2014-09-30 2014-09-30 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105470125A CN105470125A (zh) 2016-04-06
CN105470125B true CN105470125B (zh) 2020-04-14

Family

ID=55582622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510623549.0A Active CN105470125B (zh) 2014-09-30 2015-09-25 处理基板的系统和方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20160093473A1 (zh)
KR (1) KR101598465B1 (zh)
CN (1) CN105470125B (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101634581B1 (ko) * 2014-10-13 2016-06-29 한국생산기술연구원 화학기상장치용 반응챔버
US11017984B2 (en) * 2016-04-28 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Ceramic coated quartz lid for processing chamber
US10410832B2 (en) * 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US20180254203A1 (en) * 2017-03-02 2018-09-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method to reduce particle formation on substrates in post selective etch process
KR102013668B1 (ko) * 2017-08-07 2019-08-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 검사 방법
JP7154105B2 (ja) * 2018-10-25 2022-10-17 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及びプラズマ処理装置
KR102204883B1 (ko) * 2019-05-09 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20210006682A (ko) 2019-07-09 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102335472B1 (ko) * 2019-09-04 2021-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TW202143380A (zh) * 2020-03-21 2021-11-16 美商應用材料股份有限公司 用於快速氣體交換的基座幾何形狀
US12100576B2 (en) 2020-04-30 2024-09-24 Applied Materials, Inc. Metal oxide preclean chamber with improved selectivity and flow conductance
JP2022107873A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びクリーニング方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383272A (zh) * 2007-09-05 2009-03-11 应用材料公司 等离子体反应器室中的具有晶片边缘气体注射的阴极衬套

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6673198B1 (en) * 1999-12-22 2004-01-06 Lam Research Corporation Semiconductor processing equipment having improved process drift control
JP4422295B2 (ja) 2000-05-17 2010-02-24 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US20020076507A1 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Chiang Tony P. Process sequence for atomic layer deposition
US6554954B2 (en) * 2001-04-03 2003-04-29 Applied Materials Inc. Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US6527911B1 (en) * 2001-06-29 2003-03-04 Lam Research Corporation Configurable plasma volume etch chamber
US7009281B2 (en) * 2003-03-14 2006-03-07 Lam Corporation Small volume process chamber with hot inner surfaces
JP4399206B2 (ja) * 2003-08-06 2010-01-13 株式会社アルバック 薄膜製造装置
JP4992389B2 (ja) 2006-11-06 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 載置装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8043430B2 (en) * 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
KR101437522B1 (ko) 2007-09-05 2014-09-03 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 플라즈마 반응기 챔버에서 웨이퍼 에지 가스 주입부를 갖는캐소드 라이너
JP5249547B2 (ja) * 2007-09-28 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びそのガス排気方法
CN101447394B (zh) 2007-11-28 2012-01-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法
US20110049100A1 (en) * 2008-01-16 2011-03-03 Charm Engineering Co., Ltd. Substrate holder, substrate supporting apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method using the same
JP5120089B2 (ja) 2008-06-17 2013-01-16 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP5415853B2 (ja) 2009-07-10 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 表面処理方法
US20110061810A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
JP5323628B2 (ja) * 2009-09-17 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2011114940A1 (ja) 2010-03-16 2011-09-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
KR101689015B1 (ko) * 2011-01-06 2016-12-26 주식회사 원익아이피에스 라이너 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
JP6003011B2 (ja) 2011-03-31 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN103377979B (zh) 2012-04-30 2016-06-08 细美事有限公司 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置
US20140113453A1 (en) 2012-10-24 2014-04-24 Lam Research Corporation Tungsten carbide coated metal component of a plasma reactor chamber and method of coating
JP2014112644A (ja) 2012-11-06 2014-06-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101383272A (zh) * 2007-09-05 2009-03-11 应用材料公司 等离子体反应器室中的具有晶片边缘气体注射的阴极衬套

Also Published As

Publication number Publication date
US20180040458A1 (en) 2018-02-08
US10304664B2 (en) 2019-05-28
CN105470125A (zh) 2016-04-06
KR101598465B1 (ko) 2016-03-02
US20160093473A1 (en) 2016-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105470125B (zh) 处理基板的系统和方法
US10103018B2 (en) Apparatus for treating substrate
US20180358211A1 (en) Substrate treating apparatus
US11127573B2 (en) Support unit, apparatus and method for treating a substrate
US20170110294A1 (en) System and method for treating substrate
US20140116622A1 (en) Electrostatic chuck and substrate processing apparatus
US10236194B2 (en) Supporting unit and substrate treatment apparatus
US11195696B2 (en) Electron beam generator, plasma processing apparatus having the same and plasma processing method using the same
KR101974420B1 (ko) 기판처리장치 및 방법
KR102330281B1 (ko) 정전 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US20150114565A1 (en) Apparatus for treating substrate
KR102323320B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101885102B1 (ko) 안테나 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN108695132B (zh) 等离子体生成单元以及包括其的基板处理装置
KR102186071B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102323078B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20130037525A (ko) 기판 처리 장치
KR102151631B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102262107B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102398673B1 (ko) 기판 처리 장치
TWI810697B (zh) 基板處理設備
KR102232665B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102335472B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101955584B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180004471A (ko) 표면 처리 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant