CN105453221B - 外延反应器 - Google Patents

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Abstract

一个实施例包括：反应室；基座，该基座位于反应室中并且使晶片坐置其中；和气体流动控制器，该气体流动控制器用于控制引入到反应室中的气体流动，其中，该气体流动控制器包括注射盖，该注射盖具有用于分开气体流动的多个气体出口，并且包括多个挡板，每个挡板具有与多个气体出口分别相对应的多个通孔，而且，多个挡板彼此隔开，并且挡板的每个布置成与所述多个气体出口的相应气体出口相邻。

Description

外延反应器
技术领域
实施例涉及一种外延反应器。
背景技术
外延反应器分类为成批类型外延反应器和单晶片处理类型外延反应器，并且这些单晶片处理类型外延反应器主要用以生产具有200mm或更大的直径的外延晶片。
此类单晶片处理类型外延反应器构造成使得一个晶片坐置在位于反应容器中的基座(susceptor)上，在此之后，使源气体沿水平方向从反应容器的一侧流动到反应容器的另一侧，由此，将源气体供应到晶片的表面并且使其上的外延层生长。
在单晶片处理类型外延反应器中，源气体在反应容器中的流速或流动分布是用以使在晶片表面上生长的该外延层的厚度均匀化的关键因素。
典型的外延反应器可以包括用于将源气体供应到反应容器中的气体供应部，并且在反应容器中的源气体的流速或流动分布可以取决于从该气体供应部供应的源气体的流速或流动分布。
总体上，该气体供应部可以包括其中具有多个孔的挡板，以将源气体供应到该反应容器，使得该源气体可以均匀地在晶片的表面上流动。
发明内容
技术问题
各实施例提供一种外延反应器，该外延反应器能够使得引入到反应室中的源气体的损失以及其中的涡旋形成最小化，并且能够提高生长的外延层的厚度的均匀性。
技术方案
根据一实施例，一种外延反应器包括：反应室；基座，该基座位于反应室中以使得晶片坐置在基座上；以及气体流动控制器，该气体流动控制器用于控制引入到反应室中的气体流动，其中，该气体流动控制器包括：注射盖，该注射盖具有用于分开气体流的多个气体出口；和多个挡板，每个挡板具有与气体出口的相应一个对应的通孔，各挡板彼此隔开，并且挡板的每个布置成与气体出口的相应一个相邻。
该注射盖可具有从其一个表面突出的导引部以暴露于这些气体出口，并且这些挡板可以插入导引部中。
该导引部可以具有环形以环绕气体出口。
挡板的每个可以包括板和连接到该板的一个表面的支承部，该板具有位于其中的彼此间隔的通孔，该支承部可以插入到气体出口的每个中，并且该板可以插入导引部中。
该支承部可以包括彼此间隔的多个支腿，并且这些支腿可以插入相关联的气体出口中。
插入该导引部中的板的外周表面可以压靠该导引部的内壁。
插入到该气体出口中的支承部的一端可以接触注射盖的内底部。
该板可以具有沿该板的纵向方向形成在其一端或两端中的凹槽，形成在插入该导引部中的两个相邻板的一个的一端中的凹槽和形成在其另一个的一端中的凹槽可以彼此相邻，并且两个相邻的凹槽可以形成一个联接槽。
构造成使得支承部的一端接触注射盖的内底部的挡板的每个的上表面可以与导引部的上表面平齐。
构造成使得支承部的一端接触注射盖的内底部的该挡板的每个的上表面可以位于该导引部的上表面的下方，并且在挡板的每个的上表面和该导引部的上表面之间存在台阶。该台阶可以小于6mm。
该注射盖可以包括彼此隔开的至少两个部分，并且气体出口中的至少一个可以设置在该至少两个部分的对应一个中。
该外延反应器可以进一步包括：插入件，该插入件包括彼此隔开的多个部段，以使得穿过通孔的气体穿过这些部段；和衬套，该衬套具有台阶部分以将穿过这些部段的气体导引至反应室。
该导引部可以具有凹槽，挡板的外周表面固定地配装到该凹槽中。
挡板可以插入该导引部中，使得挡板的每个与气体出口的对应一个对准。
该注射盖可以具有形成在其另一表面上的至少一个联接部。
挡板的一个支承部的支腿具有的长度可以与挡板的其余支承部的支腿的长度不同。
有利效果
各实施例能够使得引入到反应室中的源气体的损失以及其中的涡旋形成最小化，并且能够提高生长的外延层的厚度的均匀性。
附图说明
图1是示出了根据一个实施例的外延反应器的剖视图。
图2是图1所示的气体供应单元的俯视图。
图3是图1所示的气体供应单元的分解立体图。
图4是图3所示的注射盖的前部立体图。
图5是当从方向A-B观察时，图4所示的注射盖的剖视图。
图6是图1所示的多个挡板的放大立体图。
图7是图6所示的挡板的俯视图。
图8是图6所示的挡板的侧视图。
图9是示出了注射盖和挡板的分解立体图。
图10是图9所示的注射盖和挡板的组装立体图。
图11是根据该实施例的当从方向“A-B”观察时的注射盖和挡板的剖视图。
图12是根据该实施例的另一实例的当从方向“A-B”观察时的注射盖和多个挡板的剖视图。
图13是示出了当典型的外延反应器包括注射盖、挡板和插入件时的源气体流动的视图。
图14是示出了当该实施例的外延反应器包括注射盖、多个挡板和插入件时的源气体流动的视图。
图15是示出了在注射盖、多个挡板和插入件中流动的源气体的流动速度的视图。
图16是示出了根据多个挡板插入注射盖中的深度的源气体流动的视图。
具体实施方式
现在将参照本发明的示例性实施例，在附图中示出它们的实例。将会理解的是，当一层(薄膜)、区域、图案或元件称为在另一层(薄膜)、区域、图案或元件的“上方”或“下方”时，它可以直接位于该层(薄膜)、区域、图案或元件之上或之下，并且也可能存在一个或多个中间元件。当元件称为处于“上方”或“下方”时，可以基于该元件，包括在该元件之下以及在该元件之上。
附图中，为了描述方便和清晰，每个层的尺寸被放大、省略或者示意性示出。而且，每个构成元件的尺寸不总体上反映其实际尺寸。另外，在所有附图中尽可能地用相同的附图标记标示相同或类似的部件。下文将参照附图描述根据各个实施例的外延反应器。
图1是示出了根据一个实施例的外延反应器100的剖视图。图2是图1所示的气体供应单元160的俯视图。图3是图1所示的气体供应单元160的分解立体图。
参照图1至图3，外延反应器100可以是单晶片处理类型的外延反应器，其逐个地处理半导体晶片，并且可以包括构造有下穹状体103和上穹状体104的反应室105、基座120、基座支承单元125、下环130、上环135、衬套140、预热环150、气体供应单元160以及气体排放单元170。
下穹状体103和上穹状体104可以定位成沿竖直方向彼此面对，并且每个穹状体可以由诸如石英玻璃等透明材料制成。外延反应在反应室105中发生，该反应室105可以形成在下穹状体103和上穹状体104之间的空间内。该反应室105可以具有气体引入端口106和气体排放端口107，该气体引入端口106形成在反应室105的一侧处，使得源气体经由该气体引入端口106引入，气体排放端口107形成在反应室105的另一侧处，使得所引入的源气体经由该气体排放端口107排出。
基座120可以是具有平坦圆形的支承板。基座120可以设置在反应室105中，而晶片W可以坐置在基座120的上表面上。基座120可以由碳石墨或者涂敷有碳化硅的碳石墨的材料制成。
基座支承单元125可以设置在基座120下面，以支承该基座120，并且可以在反应室105中竖直地移动该基座120。基座支承单元125可以包括三脚轴，该三脚轴支承基座120的下表面。
衬套140可以设置成环绕该基座120。衬套140可以具有第一台阶部142和第二台阶部144，第一台阶部142形成在该衬套140的外周表面的上端的一侧上，以用于将气体引入反应室105，第二台阶部144形成在该衬套140的外周表面的上端的的另一侧上，以用于将气体排出反应室105。衬套140的外周表面的上部与基座120的上表面或晶片W的上表面平齐。
下环130可以设置成环绕衬套140并且可以呈环形。下穹状体103的外周部分的一端11可以压靠并固定到下环130。
上环135可以定位在下环130上方并且呈环形。上穹状体104的外周部分的一端12可以压靠并固定到上环135。下环130和上环135都可以由石英(SiO2)或者碳化硅(SiC)制成。
预热环150可以沿衬套140的内周表面邻近基座120设置，以与基座120的上表面或晶片W的上表面平齐。
气体供应单元160将源气体从外部供应到反应室105中。即，气体供应单元160可以将源气体供应到反应室105的气体引入端口106中。
气体供应单元160可以包括气体产生部310、多个气体管(例如320a、320b和320c)、气体调节部330a和330b，以及气体流动控制器205。
气体流动控制器205可以包括注射盖210、多个挡板230-1至230-3，以及插入件240。
气体产生部310可以产生源气体。例如，源气体可以是硅化合物气体、掺杂剂气体、运载气体等，硅化合物气体诸如是SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2、SiH4和Si2H6，掺杂剂气体诸如是B2H6和PH3，运载气体诸如是H2、N2和Ar。
由气体产生部310产生的源气体可以经由气体管(例如320a、320b和320c)供应到注射盖210。
气体调节部330a和330b可以调节供应到或流入气体管(例如320a、320b和320c)的至少一个中的气体量，并且可以独立地控制供应到晶片W的中心区域S1与边缘区域S2和S3的源气体的流动。气体调节部330a和330b可以体现为例如质量流量控制器。
由气体产生部310所产生的源气体可以经由气体管(例如320a、320b和320c)分别地供应到注射盖210的多个部分。在此情形中，气体管的数量和各部件的数量不限于图2中所示的数量，而是可以是两个或更多个。
气体管(例如320a、320b和320c)中的至少一个(例如320a或320b)可以分成两个或更多个气体管。可以将源气体经由这些分开的气体管和未分开的气体管供应到注射盖210。
例如，第一气体管320a可以分成第二气体管320b和第三气体管320c，以分别将源气体(或者反应气体)供应到该晶片的中心区域S1与边缘区域S2和S3。另外，第二气体管320b可以分成两个气体管以分别地将源气体供应到该晶片的边缘区域S2和S3，从而将源气体供应到注射盖。
注射盖210、挡板230-1至230-3以及插入件240可以依次布置在气体管(例如320a、320b和320c)和衬套140之间。从多个气体管(例如320-1、320-2和320c)供应的源气体又可以流过注射盖210、挡板230-1至230-3以及插入件240。
注射盖210可以分成彼此隔离的至少两个部分(例如210-1、210-2和210-3)。多个气体出口(例如350a、350b和350c)中的任意一个可以设置在所述至少两个部分(例如210-1、210-2和210-3)中的相应一个中。虽然在图1和图2中将注射盖210描述为分成三个部分210-1、210-2和210-3，但是本发明不限于此。
注射盖210可以包括多个气体入口340a、340b和340c和多个气体出口(例如350a、350b和350c)，多个气体入口340a、340b和340c形成在注射盖210的一个表面处，使得源气体从气体管(例如320-1、320-2和320c)经由气体入口340a、340b和340c引入，多个气体出口形成在注射盖210的另一个表面处，使得所引入的源气体经由气体出口350a、350b和350c排出。
图4是图3所示的注射盖210的前部立体图。图5是当从方向A-B观察时图4所示的注射盖210的剖视图。
参照图3至图5，用于排放源气体的气体出口350a、350b和350c可以设置在注射盖210的一个表面410处。。
注射盖210可以包括分成彼此分隔或隔离的至少两个部分(例如210-1至210-3)。
例如，第一部分210-1可以位于注射盖的中部，以与晶片W的中间区域S1相对应或对准。例如，第二部分210-2可位于第一部分210-1的一侧处，从而与定位在晶片W的中心区域S 1的一侧处的第一边缘区域S2相对应或对准。例如，第三部分210-3可位于第一部分210-1的另一侧处，从而与定位在晶片W的中心区域S1的另一侧处的第二边缘区域S3相对应或对准。
第一部分210-1可以具有气体进口340b和气体出口350a，源气体从第三气体管320c经由该气体进口340b引入，所引入的气体经由该气体出口350a排出。
第二部分210-2可以具有气体进口340a和气体出口350b，源气体从第三气体管320-1经由该气体进口340a引入，所引入的气体经由该气体出口350b排出。
第三部分210-3可以具有气体进口340c和气体出口350c，源气体从第三气体管320-2经由该气体进口340c引入，所引入的气体经由该气体出口350c排出。
注射盖210可以包括位于相邻部分之间的用于分隔它们的分隔件。例如注射盖210可包括第一分隔件211和第二分隔件212，该第一分隔件用于分隔第一部分210-1和第二部分210-2，而该第二分隔件212用于分隔第一部分210-1和第三部分210-3。例如，由于这些分隔件211和212，源气体可以独立地在在部分210-1、210-2和210-3中流动。
注射盖210可以具有导引部450，该导引部450从注射盖210的一个表面突出，以暴露气体出口350a、350b和350c。导引部450可以用以支承和导引挡板230-1至230-3，挡板230-1至230-3已插入或配装入该导引部340中。
例如，导引部450可以具有封闭环和环形，以环绕气体出口350a、350b和350c。可替换地，导引部450可以包括彼此分隔的多个部分。这些部分可以绕气体出口350a、350b和350c被隔开，并且以环形形式布置。即，导引部450的形状不限于上述形状。例如，导引部450可以具有凹槽，挡板230-1至230-3的板12-1至12-3的外周表面固定地配装到该凹槽中。
挡板230-1至230-3中的每个可以插入或配装到导引部450中，以与气体出口350a、350b和350c中的对应一个对准。
注射盖210可以具有形成在其另一表面上的一个或多个联接件441至444。这些联接件441至444可以具有相应的凹槽451，螺钉或螺栓(未示出)通过该凹槽451进行联接。螺钉或螺栓可以藉由该凹槽451而联接到图1所示的下环130和上环135。
插入件240可以设置成插入到下环130和上环135之间，并且可包括多个部段k1至kn(n是大于1的自然数)，气体可穿过这些部段。
插入件240可包括位于两个相邻部段之间的分隔壁242，且部段k1至kn(n是大于1的自然数)均可以是独立的并且可由分隔壁242彼此隔离。
形成在挡板230-1至230-3的任一个中的通孔与部段k1至kn(n是大于1的自然数)中的至少一个相对应或者对准。
插入件240的部段k1至kn(n是大于1的自然数)中的每个均可以具有敞开区域，该敞开区域大于形成在挡板230-1至230-3每个中的通孔21-1至21-n、22-1至22-m或者23-1至23-k的每个的区域，且小于第一至第三气体出口350a、350b和350c中每个的区域。
衬套140的第一台阶部142可设有分隔壁149，该分隔壁与用于分隔部段k1至kn(n是大于1的自然数)的分隔壁242相对应。
流过部段k1至kn(n是大于1的自然数)的源气体可沿着衬套140的第一台阶部142的由分隔壁149隔开或分隔的表面流动。通过第一台阶部142的表面引入到反应腔室105中的源气体可以沿着晶体W的表面流动。流过晶体W的表面的源气体可通过衬套140的第二台阶部144流至气体排放单元170。
图6是图1所示的挡板230-1至230-3的放大立体图。图7是图6所示的挡板230-1至230-3的俯视图。图8是图6所示的挡板230-1至230-3的侧视图。
参照图6至图8，挡板230-1至230-3中的每个可以包括板12-1、12-2或12-3；通孔21-1至21-n、22-1至22-m或者23-1至23-k(n、m和k是大于1的自然数)和支承部(例如a1至a3、b1至b3或者c1至c3)。
板12-1、12-2或12-3可以具有插入或配装到导引部450中的形状。板12-1、12-2或12-3具有的尺寸可以与注射盖210中的气体出口350a至350c的对应一个的尺寸成比例。另外，挡板230-1至230-3的板12-1、12-2或12-3也可以具有不同的尺寸。
通孔21-1至21-n、22-1至22-m或者23-1至23-k(n、m和k是大于1的自然数)可以设置成穿过相关联的板12-1、12-2或12-3，并且可以沿板12-1、12-2或12-3的纵向101成直线间隔布置。
通孔21-1至21-n、22-1至22-m或者23-1至23-k(n、m和k是大于1的自然数)可以具有相同的直径，但是本公开不限于此。即，可替换地，这些通孔中的至少一些可以具有不同的直径。
例如，在第一挡板230-1中的通孔数量可以是21，而在第二挡板230-2和第三挡板230-3的每个中的通孔数量可以是9.5。然而，在每个挡板中的通孔数量不限于此。
例如，通孔21-1至21-n、22-1至22-m或者23-1至23-k(n、m和k是大于1的自然数)每个可以具有2mm至6mm的直径。
支承部(例如a1至a3、b1至b3或者c1至c3)可以连接到相关联的板12-1、12-2或12-3的一个表面，并且可以用以支承挡板230-1至230-3中的每个。
支承部(例如a1至a3、b1至b3或者c1至c3)可以包括多个支腿，这些支腿连接到板12-1、12-2或12-3的一个表面，并且间隔定位。该支承部可以具有不同的形状，只要源气体流动不被干扰便可。例如，该支承部可以具有圆柱形支腿的形状，该支腿连接到该板的边缘。
多个支腿a1至a3、b1至b3或者c1至c3可以定位成与通孔21-1至21-n、22-1至22-m或者23-1至23-k(n、m和k是大于1的自然数)间隔开。
虽然在图6至图8中，这些支腿描述为相应地连接到每个板12-1、12-2或12-3的一端、另一端和中部，但是本公开不限于此。例如，支腿的数量可以是两个或更多个。
例如，第一挡板230-1可以设置成对应于气体出口350a，并且可以包括板12-1、通孔21-1至21-n(n是大于1的自然数)和支腿a1至a3。在该实施例中，通孔和支腿的数量不限于图6所示的这些。
每个板12-1、12-2或12-3的一端或两端可以沿板12-1、12-2或12-3的纵向方向设置有凹槽13-1、13-2、13-3或13-4。
例如，位于挡板中部的第一板12-1的两端可以沿板12-1、12-2或12-3的纵向方向设置有凹槽13-1、13-2，而第二板12-2和第三板12-3的相应端可以沿板12-1、12-2或12-3的纵向方向设置有凹槽13-3或13-4。凹槽13-1至13-4每个都可以具有半圆形，但是本公开不限于此。
设置在两个相邻板(例如12-1和12-2)的一个12-1的一端中的凹槽(例如13-1)和设置在另一个12-2的一端中凹槽(例如13-3)可以布置成彼此相邻。两个相邻凹槽13-1和13-3可以形成一个联接槽401(参见图10)。在此情形中，联接槽401可以具有圆形，而本公开不限于此。
图9是示出了注射盖210和挡板230-1至230-3的分解立体图。图10是图9所示的注射盖210和挡板230-1至230-3的组装立体图。图11是根据该实施例的当从方向“A-B”观察时的注射盖210和挡板230-1至230-3的剖视图。
参照图9至图11，挡板230-1至230-3可以插入或配装到导引部450，使得在挡板230-1至230-3的每个中的通孔21-1至21-n、22-1至21-n或者23-1至23-k(n、m和k是大于1的自然数)面对气体出口350a、350b和350c的相应一个。
挡板230-1至230-3每个的支腿a1至a3、b1至b3或者c1至c3可以插入气体出口350a、350b和350c的相应一个。另外，挡板230-1至230-3的板12-1、12-2或12-3可以插入或配装到导引部450中。
插入导引部450中的挡板230-1至230-3的外周表面可以压靠或者接触导引部450的内壁459(参见图5)。例如，插入导引部450中的挡板230-1至230-3的板12-1、12-2或12-3的外周表面可以压靠或者接触导引部450的内壁459(参见图5)。
插入气体出口350a、350b和350c中的支腿a1至a3、b1至b3或者c1至c3的各端部可以接触注射盖210的内底部201。
构造成使得支腿a1至a3、b1至b3或者c1至c3的各端部接触注射盖210的内底部201的挡板230-1至230-3的上表面207可以与导引部450的上表面455平齐。
图12是根据该实施例的另一实例的当从方向“A-B”观察时的注射盖210和多个挡板230-1至230-3的剖视图。
参照图12，可以通过调整挡板230-1至230-3每个的支腿a1至a3、b1至b3或者c1至c3的长度，来调整挡板230-1至230-3的插入配装入导引部450中的深度。
例如，挡板230-1至230-3的一个支承部的各支腿的长度可以与挡板230-1至230-3的另一个支承部的各支腿的长度不同。
例如，构造成使得支腿a1至a3、b1至b3或者c1至c3的各端部接触注射盖210的内底部201的挡板230-1至230-3的上表面207可以位于导引部450的上表面455的下方。距离D可以存在于挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间。
在该实施例中，由于对应于注射盖210的各个体部分210-1至210-3的挡板230-1至230-3插入到导引部450中，所以挡板230-1至230-3可以稳定地固定到导引部450。另外，在该实施例中，由于所插入的挡板230-1至230-3的外周表面压靠导引部450的内壁，所以当源气体穿过注射盖210和挡板230-1至230-3时能够最小化涡流的形成。
为了防止源气体在注射盖210中停留或者返流，在挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间的距离D可以小于6mm。
图16是示出了根据多个挡板插入注射盖中的深度的源气体流动的视图。图16(a)示出了当在挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间的距离D是0(D＝0)时的情形，并且图16(b)示出了在挡板230-1至230-3每个的上表面207和导引部450的上表面455之间的距离D是6mm时的情形。
参照图16，可以看到的是，存在有源气体的滞留区701，并且不像图16(a)，在图16(b)中发生了源气体的返流702。这是因为当距离D等于或大于6mm时，注射盖210的内部是相对较小的，并且因此源气体停留或返回。
图13是示出了当典型的外延反应器包括注射盖501、挡板502和插入件503时的源气体流动的视图。图14是示出了当该实施例的外延反应器包括注射盖210、挡板230-1至230-3和插入件240时的源气体流动的视图。
图13示出了一种典型的气体供应单元，在气体供应单元中，挡板502布置在注射盖501和插入件503之间。在图13中，可以看到的是，经常形成涡流并且源气体流是集中的。这是因为当源气体从注射盖501流到挡板502中时，涡流可以增大，并且可以引起不稳定气流。在此，“不稳定气流”可以意为由于气体流动速度变化而导致源气体流到不理想的位置。
然而，在该实施例中，挡板230-1至230-3中的每个布置成与气体出口350a、350b和350c的相应一个相邻，如图14所示。因此，可以最小化在流动的源气体中的涡流的形成，并且源气体流动可以是稳定的。
在该实施例中，插入到导引部450中的挡板230-1至230-3布置成与气体出口350a、350b和350c相邻。由此，由于源气体均匀地供应到位于反应室105中的晶片W的中部区域S1与边缘区域S2和S3，可以提高正在生长的外延层的厚度的均匀性。
图15是示出了在注射盖、多个挡板和插入件中流动的源气体的流动速度的视图。图15(a)示出了在该实施例中源气体的流动速度，而图15(b)示出了在一体的挡板布置在注射盖上的典型情形中的源气体的流动速度。
参照图15，可以看到的是，相比于在典型情形中的源气体流动(b)，在该实施例中，源气体流动(a)更加均匀，而且它的流动速度更快。因此，在该实施例中，由于源气体的较快流动速度，可以提高生长速率，并且因此会提高生产率。
结合各实施例描述的具体特征、结构或特性包括在本发明的至少一个实施例中并且无需包括在所有实施例中。此外，本发明的任何特定实施例的具体特征、结构或特性可以任何合适的方式与一个或多个其他实施例组合，或者可由这些实施例所属的技术领域的技术人员所改变。因此，应理解的是，与这些组合或变化相关联的内容落在本发明的精神和范围内。工业适用性
各实施例可应用于晶片制造工艺。

Claims (16)

1.一种外延反应器，包括：
反应室；
基座，所述基座位于所述反应腔室中以使得晶片坐置在所述基座上；以及
气体流动控制器，所述气体流动控制器用于控制引入到所述反应室中的气体流动，
其中，所述气体流动控制器包括：
注射盖，所述注射盖具有用以分开所述气体流动的多个气体出口和从其一个表面突出的导引部以暴露所述气体出口；和
多个挡板，每个所述挡板具有与所述气体出口的相应一个对应的通孔，以及
其中，各所述挡板彼此隔开，并且所述挡板的每个布置成与所述气体出口的相应一个相邻，
其中所述挡板的每个包括：
板，所述板具有位于其中的彼此间隔的通孔；
多个支腿，所述多个支腿连接到所述板的一个表面并彼此间隔开，
其中所述板插入所述导引部中，且所述支腿插入到所述相关的气体出口，以及
其中每个所述板的上表面位于所述导引部的上表面下方，且在每个所述板的所述上表面与所述导引部的所述上表面之间存在距离。
2.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于：
所述挡板插入到所述导引部中。
3.如权利要求2所述的外延反应器，其特征在于，所述导引部呈环形以环绕所述气体出口。
4.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述通孔沿所述板的纵向成直线间隔布置。
5.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，插入所述导引部中的所述板的外周表面压靠所述导引部的内壁。
6.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述多个支腿包括连接到所述板的一端的第一支腿，连接到所述板的另一端的第二支腿，以及连接到所述板的中部的第三支腿。
7.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于：
所述板具有沿所述板的纵向方向形成在其一端或两端中的凹槽；并且
形成在插入所述导引部中的两个相邻板的一个的一端中的凹槽和形成在所述两个相邻板的另一个的一端中的凹槽彼此相邻，并且所述两个相邻的凹槽形成一个联接槽。
8.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，各所述通孔具有相同的直径。
9.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，各所述通孔中的一个具有不同直径。
10.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于：
所述注射盖包括彼此隔开的至少两个部分；并且
所述气体出口中的一个设置在所述至少两个部分的对应一个中。
11.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，还包括：
插入件，所述插入件包括彼此隔开的多个部段，以使得穿过所述通孔的气体穿过所述部段；和
衬套，所述衬套具有台阶部分以将穿过所述部段的气体导引至所述反应室。
12.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述距离小于6mm。
13.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述导引部具有凹槽，所述挡板的外周表面固定地配装到所述凹槽中。
14.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述挡板插入到所述导引部中，使得所述挡板的每个与所述气体出口的对应一个对准。
15.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述注射盖具有形成在其另一表面上的至少一个联接部。
16.如权利要求1所述的外延反应器，其特征在于，所述挡板的一个支承部的支腿具有的长度与所述挡板的其余支承部的支腿的长度不同。
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