CN105425489A - 阵列基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
阵列基板及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105425489A CN105425489A CN201610003713.2A CN201610003713A CN105425489A CN 105425489 A CN105425489 A CN 105425489A CN 201610003713 A CN201610003713 A CN 201610003713A CN 105425489 A CN105425489 A CN 105425489A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- data line
- active layer
- film transistor
- array base
- base palte
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,阵列基板,包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线,每一薄膜晶体管包括有源层图形,所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层,每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分,所述数据线在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。本发明的技术方案能够减少阵列基板数据线的断线不良,进而降低阵列基板的维修成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是指一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
近年来,随着液晶显示产品的应用越来越广泛,液晶显示技术也越来越完善。
TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,薄膜场效应晶体管-液晶显示器)以其高品质的图像显示、低能耗、环保等优势在显示领域占据着十分重要位置。作为TFT-LCD的一种新型制造工艺,LTPS(LowTemperaturePoly-Silicon,低温多晶硅)技术利用准分子激光退火工艺将非晶硅(a-Si)薄膜层转变为多晶硅(Poly-Si)薄膜层。相比非晶硅材料,多晶硅材料的电子迁移率有100倍以上的增加,因此使用LTPS技术可使TFT-LCD具有更快的响应时间,具有更高的分辨率,更佳的画面显示品质。另外使用LTPS技术,能够减少集成电路IC,简化显示装置的外围,实现窄边框技术。
如图1所示,现有LTPSTFT阵列基板的有源层3大多呈U形,U形区域内面积小易形成刻蚀残留,并且现有LTPSTFT阵列基板在生产制程中经常会产生数据线断路(ArrayDataOpen)不良,维修时通常采用钨粉的热效应,用激光进行架桥连接维修,维修过程需要设置修复线并进行焊接,维修方法复杂且成本较高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够减少阵列基板数据线的断线不良,进而降低阵列基板的维修成本。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:
一方面,提供一种阵列基板,包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线,每一薄膜晶体管包括有源层图形,所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层,每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分,所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。
进一步地,所述第一部分通过三个以上的接触孔与所述数据线连接。
进一步地,所述第一部分的宽度大于或等于所述数据线的宽度。
进一步地,每一所述有源层图形还包括位于所述第一部分端部的第二部分,所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。
进一步地,所述第一部分的宽度大于或等于所述第二部分的宽度。
进一步地,所述第二部分包括与所述第一部分第一端相连的第一连接部和与所述第一部分第二端相连的第二连接部,第一连接部与第一薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第二连接部与第二薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管位于同一行,且第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管分列同一数据线的两侧。
进一步地,所述有源层图形为多晶硅材料。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法,包括:
形成多个薄膜晶体管的有源层图形,所述有源层图形包括有第一部分;
在所述有源层图形上形成绝缘层,并通过构图工艺形成包括有多个接触孔的绝缘层的图形;
在所述绝缘层的图形上形成多条数据线,所述第一部分与所述数据线平行,所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。
进一步地,形成所述有源层图形还包括:
形成位于所述第一部分端部的第二部分,所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。
本发明的实施例具有以下有益效果:
上述方案中,有源层图形包括有与数据线平行的第一部分,每一第一部分通过两个以上的接触孔与数据线连接,这样当数据线出现断线时,如果断线处位于同一第一部分对应的两个接触孔之间,则断路的数据线可以通过第一部分连接起来,在阵列基板工作时,数据信号可以通过数据线->接触孔->第一部分->接触孔->数据线来进行传递,从而能够减少阵列基板数据线的断线不良,也不必再采用钨粉用激光进行架桥连接维修,进而降低了阵列基板的维修成本。
附图说明
图1为现有LTPSTFT阵列基板的有源层的形状示意图;
图2为本发明实施例阵列基板的有源层的形状示意图;
图3为本发明实施例阵列基板的平面示意图;
图4为本发明实施例阵列基板的驱动信号的时序示意图;
图5为本发明实施例阵列基板的局部示意图;
图6为本发明实施例阵列基板数据线未发生断线不良时的截面示意图;
图7为本发明实施例阵列基板数据线发生断线不良时的截面示意图。
附图标记
1栅金属层2源漏金属层3有源层
4接触孔5衬底基板6缓冲层
7栅绝缘层8层间绝缘层
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,能够减少阵列基板数据线的断线不良,进而降低阵列基板的维修成本。
实施例一
本实施例提供了一种阵列基板,包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线,每一薄膜晶体管包括有源层图形,所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层,每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分,所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。
本实施例中,有源层图形包括有与数据线平行的第一部分,每一第一部分通过两个以上的接触孔与数据线连接,这样当数据线出现断线时,如果断线处位于同一第一部分对应的两个接触孔之间,则断路的数据线可以通过第一部分连接起来,在阵列基板工作时,数据信号可以通过数据线->接触孔->第一部分->接触孔->数据线来进行传递,从而能够减少阵列基板数据线的断线不良,也不必再采用钨粉用激光进行架桥连接维修,进而降低了阵列基板的维修成本。
优选地,每一第一部分通过三个以上的接触孔与数据线连接,接触孔的数量越多,第一部分与对应数据线的连接越可靠。比如,在每一第一部分通过三个接触孔与数据线连接时,即使其中有一个接触孔接触不良,也不影响数据线通过其他两个接触孔与第一部分连接;在每一第一部分通过四个接触孔与数据线连接时,即使其中有一个或两个接触孔接触不良,也不影响数据线通过其他接触孔与第一部分连接;在每一第一部分通过五个接触孔与数据线连接时,即使其中有一个或两个或三个接触孔接触不良,也不影响数据线通过其他接触孔与第一部分连接。同时接触孔设置的越多,对工艺的要求越高,因此,优选实施方式中,每一第一部分通过三个或四个接触孔与数据线连接。
第一部分的宽度可以大于或等于数据线的宽度,优选地,第一部分的宽度大于数据线的宽度,这样第一部分的宽度可以设置的比较宽,能够有效降低第一部分的电阻,以便在阵列基板工作时更好地传输数据信号。
进一步地,每一所述有源层图形还包括位于所述第一部分端部的第二部分,所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。
进一步地,所述第一部分的宽度大于或等于所述第二部分的宽度。这样第一部分的宽度可以设置的比较宽,能够有效降低第一部分的电阻,以便在阵列基板工作时更好地传输数据信号。
进一步地,所述第二部分包括与所述第一部分第一端相连的第一连接部和与所述第一部分第二端相连的第二连接部,第一连接部与第一薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第二连接部与第二薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管位于同一行,且第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管分列同一数据线的两侧。
优选地,有源层图形为采用多晶硅材料制成,相比非晶硅材料,多晶硅材料的电子迁移率有100倍以上的增加,因此有源层图形采用多晶硅材料可使阵列基板具有更快的响应时间,使显示装置具有更高的分辨率,更佳的画面显示品质。
实施例二
本实施例提供了一种显示装置,包括如上所述的阵列基板。所述显示装置可以是液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
实施例三
本实施例提供了一种阵列基板的制作方法,包括:
形成多个薄膜晶体管的有源层图形,所述有源层图形包括有第一部分;
在所述有源层图形上形成绝缘层,并通过构图工艺形成包括有多个接触孔的绝缘层的图形;
在所述绝缘层的图形上形成多条数据线,所述第一部分与所述数据线平行,所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。
本实施例中,有源层图形包括有与数据线平行的第一部分,每一第一部分通过两个以上的接触孔与数据线连接,这样当数据线出现断线时,如果断线处位于同一第一部分对应的两个接触孔之间,则断路的数据线可以通过第一部分连接起来,在阵列基板工作时,数据信号可以通过数据线->接触孔->第一部分->接触孔->数据线来进行传递,从而能够减少阵列基板数据线的断线不良,也不必再采用钨粉用激光进行架桥连接维修,进而降低了阵列基板的维修成本。
进一步地,每一有源层图形还包括位于第一部分端部的第二部分,形成所述有源层图形还包括:
形成位于所述第一部分端部的第二部分,所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。
实施例四
如图2和图3所示,本实施例的阵列基板包括形成在基板上的多条栅线1、多条数据线2和多个薄膜晶体管,每一薄膜晶体管包括有源层3的图形和源极、漏极,有源层3和数据线2之间间隔有绝缘层,每一有源层3的图形包括有与数据线2平行的第一部分,数据线2至少部分在基板上的投影落入有源层3图形的第一部分在基板上的投影内,每一第一部分通过三个以上贯穿绝缘层的接触孔4与数据线2连接。本实施例中,数据线2位于有源层3的上方。
如图3所示,有源层3包括与第一部分第一端相连的第一连接部和与第一部分第二端相连的第二连接部,第一连接部与第一薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第二连接部与第二薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管位于同一行,且第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管分列同一数据线的两侧。
本实施例的阵列基板的制作方法包括以下步骤:
步骤1:首先提供一衬底基板5,具体地,衬底基板5可以为玻璃基板,在玻璃基板上形成遮光层的图形;
步骤2:在经过步骤1的衬底基板5上形成缓冲层6的图形,并在缓冲层6上形成薄膜晶体管的有源层3的图形,每一有源层图形包括有与后续形成的数据线平行的第一部分和位于第一部分端部的第二部分;
步骤3:在经过步骤2的衬底基板上形成栅绝缘层7,并在栅绝缘层7上形成栅线1和薄膜晶体管的栅极的图形;
步骤4:在经过步骤3的衬底基板上成层间绝缘层8,并在层间绝缘层8上形成数据线2和薄膜晶体管的源极、漏极的图形,其中数据线2和有源层3的第一部分通过贯穿栅绝缘层7和层间绝缘层8的三个以上接触孔4连接。
本实施例阵列基板的驱动信号的时序图可以如图4所示,栅线G1输入高电平时编号①的亚像素点亮;栅线G2输入高电平时编号②的亚像素点亮;栅线G3输入高电平时编号③的亚像素点亮;栅线G4输入高电平时编号④的亚像素点亮;如此依序扫描即可完成显示。
本实施例中,有源层的每一第一部分通过三个以上的接触孔4与其上方的数据线2连接,接触孔4的数量越多,第一部分与对应数据线2的连接越可靠。比如,在每一第一部分通过三个接触孔4与其上方的数据线2连接时,即使其中有一个接触孔4接触不良,也不影响数据线2通过其他两个接触孔4与第一部分连接;在每一第一部分通过四个接触孔4与其上方的数据线2连接时,即使其中有一个或两个接触孔4接触不良,也不影响数据线2通过其他接触孔4与第一部分连接;在每一第一部分通过五个接触孔4与其上方的数据线2连接时,即使其中有一个或两个或三个接触孔4接触不良,也不影响数据线2通过其他接触孔4与第一部分连接。同时接触孔4设置的越多,对工艺的要求越高,因此,本实施例中,如图5和图6所示,每一第一部分通过三个接触孔4与其上方的数据线2连接。
具体地,第一部分的宽度大于数据线2的宽度,并且第一部分的宽度大于第一连接部和第二连接部的宽度,这样第一部分的宽度可以设置的比较宽,能够有效降低第一部分的电阻,以便在阵列基板工作时更好地传输数据信号。
如图6和图7所示,每一第一部分通过三个接触孔4与其上方的数据线2连接,从左到右依次为第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔。当数据线2在第一接触孔和第三接触孔之间出现断线时,则断路的数据线2可以通过第一部分连接起来,在阵列基板工作时,数据信号可以通过数据线2->第一接触孔->第一部分->第三接触孔->数据线2来进行传递,同时不影响阵列基板的工作,通过本实施例的技术方案能够在不增加构图工艺、不增加新的膜层的前提下,减少阵列基板数据线2的断线不良,也不必再采用钨粉用激光进行架桥连接维修,进而降低了阵列基板的维修成本。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括形成在基板上的多个薄膜晶体管和多条数据线,每一薄膜晶体管包括有源层图形,所述有源层图形和所述数据线之间间隔有绝缘层,其特征在于,每一所述有源层图形包括有与所述数据线平行的第一部分,所述数据线至少部分在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一部分通过三个以上的接触孔与所述数据线连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,其特征在于,所述第一部分的宽度大于或等于所述数据线的宽度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一所述有源层图形还包括位于所述第一部分端部的第二部分,所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一部分的宽度大于或等于所述第二部分的宽度。
6.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二部分包括与所述第一部分第一端相连的第一连接部和与所述第一部分第二端相连的第二连接部,第一连接部与第一薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第二连接部与第二薄膜晶体管的源极和漏极相对应并接触,第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管位于同一行,且第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管分列同一数据线的两侧。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层图形为多晶硅材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7中任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成多个薄膜晶体管的有源层图形,所述有源层图形包括有第一部分;
在所述有源层图形上形成绝缘层,并通过构图工艺形成包括有多个接触孔的绝缘层的图形;
在所述绝缘层的图形上形成多条数据线,所述第一部分与所述数据线平行,所述数据线在基板上的投影落入所述有源层图形的第一部分在基板上的投影内,每一所述第一部分通过至少两个贯穿所述绝缘层的接触孔与所述数据线连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,形成所述有源层图形还包括:
形成位于所述第一部分端部的第二部分,所述第二部分与对应薄膜晶体管的源极和漏极相接触。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610003713.2A CN105425489B (zh) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610003713.2A CN105425489B (zh) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105425489A true CN105425489A (zh) | 2016-03-23 |
CN105425489B CN105425489B (zh) | 2018-11-02 |
Family
ID=55503794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610003713.2A Active CN105425489B (zh) | 2016-01-04 | 2016-01-04 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105425489B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110571238A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示面板及包括其的有机发光显示装置 |
CN113690256A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182620A (en) * | 1990-04-05 | 1993-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
CN1402538A (zh) * | 2001-08-03 | 2003-03-12 | 日本电气株式会社 | Tft矩阵基底以及有源矩阵寻址液晶显示器件 |
CN101369605A (zh) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 株式会社日立显示器 | 显示器件 |
CN102566171A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-11 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示设备和制造该液晶显示设备的方法 |
CN102983134A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 |
CN203134810U (zh) * | 2013-03-22 | 2013-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
-
2016
- 2016-01-04 CN CN201610003713.2A patent/CN105425489B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182620A (en) * | 1990-04-05 | 1993-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix display device |
CN1402538A (zh) * | 2001-08-03 | 2003-03-12 | 日本电气株式会社 | Tft矩阵基底以及有源矩阵寻址液晶显示器件 |
CN101369605A (zh) * | 2007-08-13 | 2009-02-18 | 株式会社日立显示器 | 显示器件 |
CN102566171A (zh) * | 2010-12-21 | 2012-07-11 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示设备和制造该液晶显示设备的方法 |
CN102983134A (zh) * | 2012-12-13 | 2013-03-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、阵列基板及其制备方法 |
CN203134810U (zh) * | 2013-03-22 | 2013-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110571238A (zh) * | 2018-06-05 | 2019-12-13 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示面板及包括其的有机发光显示装置 |
CN110571238B (zh) * | 2018-06-05 | 2023-06-23 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示面板及包括其的有机发光显示装置 |
CN113690256A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN113690256B (zh) * | 2021-08-23 | 2024-05-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105425489B (zh) | 2018-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105097675B (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
TWI531849B (zh) | 液晶顯示裝置 | |
CN100559238C (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
CN101964330B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
CN103295962A (zh) | 阵列基板及其制作方法,显示装置 | |
CN105470197A (zh) | 低温多晶硅阵列基板的制作方法 | |
JPH0740101B2 (ja) | 薄膜トランジスタ | |
CN103018974A (zh) | 液晶显示装置、多晶硅阵列基板及制作方法 | |
CN105489552A (zh) | Ltps阵列基板的制作方法 | |
CN104181739A (zh) | 液晶显示装置及其制造方法 | |
CN105467706A (zh) | 阵列基板结构及阵列基板断线修复方法 | |
CN104409514A (zh) | 一种薄膜晶体管结构、其制作方法及相关装置 | |
CN105679705B (zh) | 阵列基板的制作方法 | |
CN101740524B (zh) | 薄膜晶体管阵列基板的制造方法 | |
CN100592180C (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
CN105425489A (zh) | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US11404446B2 (en) | Display panel, gate electrode driving circuit, and electronic device | |
US20080251791A1 (en) | Thin film transistor substrate and method for fabricating same | |
CN103915449A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法 | |
US20050230753A1 (en) | LTPS TFT substrate and manufacturing process thereof | |
CN107481938A (zh) | 显示面板、显示装置及低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 | |
CN208738249U (zh) | 显示面板 | |
CN106711157B (zh) | Ltps阵列基板的制作方法 | |
CN100520547C (zh) | 液晶显示器的像素结构的制造方法 | |
CN108831895A (zh) | 显示面板及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |