CN203134810U

CN203134810U - 一种阵列基板及显示装置

Info

Publication number: CN203134810U
Application number: CN 201320132693
Authority: CN
Inventors: 秦纬; 赵家阳; 张元波; 邹祥祥
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2013-03-22
Filing date: 2013-03-22
Publication date: 2013-08-14
Anticipated expiration: 2023-03-22

Abstract

本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，可以在阵列基板的沟道位置处出现不良时进行维修，提高显示装置的产出率。所述阵列基板，包括栅极，半导体层，源极和漏极，所述半导体层包括至少两个同层设置的半导体图案；其中，每个半导体图案对应至少两个与所述半导体图案重合的栅极，每个所述半导体图案一端连接源极一端连接漏极。

Description

一种阵列基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

目前，现有技术中的显示产品，如TFT-LCD，电子纸，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示装置等，其阵列基板多采用LTPS(Low TemperaturePoly-Silicon，低温多晶硅)工艺，且P-Si(Poly-Silicon，多晶硅)都采用顶栅的TFT结构。此种结构普遍存在Ioff偏高的问题，故现有技术中的阵列基板都采用双栅极的设计，如图1所示，栅线10和数据线11交叉设置，栅极12从栅线10上延伸而出，源极13与所述数据线11相连接。该阵列基板中的P-Si层14采用顶栅的TFT结构形成在栅极12的下方，P-Si层14分别通过过孔与源极13和漏极15连接，本结构中P-Si层14上与所述栅极12相重叠的区域即图中所示的A1与A2处形成有两个TFT沟道。这样在栅线10上加载电压，栅极12通电后，这两个TFT沟道就会导通，从而使源极13和漏极14之间处于导通状态，连接漏极15的像素电极16即可被充电，被充电后的像素电极16就会与公共电极形成电场，通过控制电场的变化就可以控制显示装置显示不同的图像。

在如图1所示的结构中，发明人发现若在沟道位置处出现不良，则显示装置就会出现无法维修的问题，这样就降低了显示装置的产出率。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种阵列基板及显示装置，可以在阵列基板的沟道位置处出现不良时进行维修，提高显示装置的产出率。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括栅极、半导体层、源极和漏极，所述半导体层包括至少两个同层设置的半导体图案；其中，每个半导体图案对应至少两个与所述半导体图案重叠的栅极，每个所述半导体图案一端连接源极一端连接漏极。

所述第一半导体图案的一端与所述源极连接，另一端与所述漏极连接；每个所述第二半导体图案的一端与所述源极连接，另一端通与所述漏极连接。

优选的，所述半导体层的材料为多晶硅。

优选的，所述半导体层包括两个同层设置的半导体图案：第一半导体图案和第二半导体图案；每个所述半导体图案都是连通图案。

优选的，所述阵列基板包括两个源极：第一源极和第二源极；两个漏极：第一漏极和第二漏极；其中，所述第一和所述第二半导体图案平行设置，且不相连，所述第一半导体图案的一端连接第一源极，另一端连接第一漏极，所述第二半导体图案的一端连接第二源极，另一端连接第二漏极。

优选的，所述阵列基板包括：第三源极和第三漏极；其中，每个所述半导体图案都一端连接第三源极，另一端连接第三漏极；所述第一半导体图案和所述第二半导体图案相连通，且所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的一端在与所述第三源极连接的区域处重合，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的另一端在与所述第三漏极连接的区域处相重合。

一种显示装置，包括上述的阵列基板。

上述技术方案提供的阵列基板及显示装置，通过在阵列基板上形成多个半导体图案，这样在一个半导体图案处的沟道出现不良时，可以利用激光对显示装置进行维修：将出现不良的沟道所在的半导体图案切断。这样虽然有一个半导体图案不能导通源漏极，但其他半导体图案处仍然可以导通源漏极，使显示装置进行图像显示，即本实用新型提供的阵列基板及显示装置可以在沟道位置处出现不良时进行维修，提高显示装置的产出率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图4为图3所示的阵列基板在A-A方向上的剖面结构示意图；

图5为图3所示的阵列基板的等效电路图；

图6为本实用新型实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；

图7为图6所示的阵列基板的等效电路图。

附图标记：

10--栅线，11--数据线，12--栅极，13--源极，14--P-Si层，15--漏极，16--像素电极；2--透明基板，20--栅线，21--数据线，22--栅极，23--源极，24--半导体层，25--漏极，26--像素电极，27--栅绝缘层，28--间隔层，29--钝化层，51--第一线路，52--第二线路，71--第一线路，72--第二线路；241--第一半导体图案，242--第二半导体图案，231--第一源极，232--第二源极，233--第三源极，251--第一漏极，252--第二漏极，253--第三漏极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

在本实用新型的所有实施例中，在栅线上或从所述栅线延伸而出的部分上，与半导体层重叠的区域都称之为栅极；在数据线上或从所述数据线延伸而出的部分上，与半导体层连接的区域都称之为源极；在与像素电极连接的金属图案上，与半导体层连接的区域都称之为漏极。示例的，如图2所示，从栅线20延伸而出的部分上，与半导体层24重叠的区域都称之为栅极22；在数据线21上与所述半导体层24连接的区域都称之为源极23；在与像素电极26连接的金属图案上，与半导体层24连接的区域都称之为漏极25。

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，如图2所示，所述阵列基板包括交叉设置的栅线20与数据线21，栅极22，源极23，半导体层24，漏极25以及像素电极26。

其中，所述半导体层24包括至少两个同层设置的半导体图案；每个半导体图案对应至少两个与所述半导体图案重叠的栅极。示例的，如图2所示，所述半导体层24包括三个半导体图案240。每个半导体图案对应三个与该半导体图案重叠的栅极22。每个半导体图案中有三个区域B1、B2、B3分别与三个栅极22相重叠。

每个所述半导体图案240的一端与源极23连接，另一端与漏极25连接；示例的，可以从图2中清楚地看到，每个所述半导体图案240都是通过过孔与所述源极23和漏极25连接。

以图2为例的阵列基板中，每个半导体图案240都一端连接源极23，另一端连接漏极25，这样在栅线20上加载电压后，栅极22上就会通电，形成的电场就会使每个半导体图案240都发生电子迁移，从而导通源极23以及对应的漏极25，在这里每个半导体图案都可以看做是导通源漏极的一个通道。所述源漏极导通后，连接漏极25的像素电极26即可被充电，被充电后的像素电极26就会与公共电极形成电场，显示装置就可以通过控制电场强度的变化使显示装置显示不同的图像。

本实用新型实施例中提供的阵列基板，通过设置至少两个半导体图案，在源极和漏极之间形成有两个以上的通道，若在某个通道的沟道位置处出现不良时，就可以用激光将该通道切断，而其他的通道仍然可以导通源漏极，使显示装置显示图像，这样就可以实现了对显示装置的维修，降低了显示装置的产出率。示例的，在图2所示的阵列基板中，若在B1处出现不良(可能是短路或断路等不良情况)，就可以用激光作用在B4与B5处，切断该半导体图案即导通源极和漏极的一个通道，此时，源极和漏极之间有三个通道可以导通源极和漏极，切断了一个通道，其他两个通道还可以导通源漏极，所述显示装置就仍然可以进行图像显示。

在这里，所述半导体层的材料可以为P-Si，在此种情况下，所述半导体团是连通的半导体图案；优选的，有两种结构：

一种结构如图3所示，所述半导体层24包括两个半导体图案：第一半导体图案241和第二半导体图案242；每个所述半导体图案都是连通图案。所述第一半导体图案241与每个第二半导体图案242都平行设置，且不相连。所述第一半导体图案241的一端连接第一源极231，另一端连接第一漏极251，所述第二半导体图案242的一端连接第二源极232，另一端连接第二漏极252。

图4为图3中A-A方向上的剖面示意图，如图4所示，所述阵列基板上还包括：透明基板2，栅极22与第一半导体图案241之间的栅绝缘层27，栅极22与第一漏极之间的间隔层28，钝化层29。图3所示的结构中，所述半导体层设置在所述栅极下方。从图4所示的剖面图中可以清楚的看出第一半导体图案241设置在栅极22的下方。

图3所示的阵列基板的等效电路图如图5所示，在第一线路51出现问题时，可以将第一线路51完全断开，利用第二线路52仍然可以使显示装置进行图像显示。

在图3所示的阵列基板的结构中，若在源极、漏极、栅极处出现问题时，也可以用激光将出现问题出的通道切断，应用未出现问题的栅极或源、漏极，给像素电极26加载电压，这样可以进一步地降低了显示装置的产出率。示例的，若第一源极231出出现问题时，可以用激光将第一半导体图案241处的通道切断，而第二半导体图案242仍然可以在栅线20上加载有电压时导通第二源极232和第二漏极252，给像素电极26加载电压。

另一种结构如图6所示，所述半导体层24(图中未标识)包括第一半导体图案241和一个第二半导体图案242，所述第一半导体图案241和所述第二半导体图案242相连通，且所述第一半导体图案241和所述第二半导体图案242分别在连接所述第三源极233和连接所述第三漏极253的区域处相重合。如图6所示，所述第一半导体图案241和所述第二半导体图案242的重合区域为C1和C2。图6的剖面结构示意图可以参考图4所示。

图6所示的阵列基板的等效电路图如图7所示，在第一线路71出现问题时，可以将第一线路71完全断开，利用第二线路72仍然可以使显示装置进行图像显示。

目前的使用P-Si的阵列基板大都采用顶栅的TFT结构，即所述半导体层设置在所述栅极下方。在本实用新型实施例提供的图2、3、4以及6中，所述半导体层24都设置在所述栅极22下方。当然，所述半导体层也可以设置在所述栅极上方，具体可以参考以上实施例，在此并不作限制。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述的的阵列基板，所述显示装置可以为液晶显示面板、液晶显示器、液晶电视、OLED显示器、OLED显示面板、OLED电视、数码相机、手机、平板电脑或电子纸等具有任何显示功能的产品或者部件。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims

1.一种阵列基板，包括栅极，半导体层，源极和漏极，其特征在于，所述半导体层包括至少两个同层设置的半导体图案；

其中，每个半导体图案对应至少两个与所述半导体图案重叠的栅极，每个所述半导体图案一端连接源极一端连接漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的材料为多晶硅。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层包括两个同层设置的半导体图案：第一半导体图案和第二半导体图案；每个所述半导体图案都是连通图案。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括两个源极：第一源极和第二源极；两个漏极：第一漏极和第二漏极；

其中，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案平行设置，且不相连，所述第一半导体图案的一端连接第一源极，另一端连接第一漏极，所述第二半导体图案的一端连接第二源极，另一端连接第二漏极。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：第三源极和第三漏极；

其中，每个所述半导体图案都一端连接第三源极，另一端连接第三漏极；所述第一半导体图案和所述第二半导体图案相连通，且所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的一端在与所述第三源极连接的区域处重合，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案的另一端在与所述第三漏极连接的区域处相重合。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的阵列基板。