CN110571238B - 有机发光显示面板及包括其的有机发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了有机发光显示面板和有机发光显示装置。该有机发光显示面板包括:布置在行方向上的多个像素;设置在行方向上的第一修复线;布置在第一修复线与多个像素中的每个像素之间的多个辅助桥;多个第一桥图案,多个第一桥图案分别连接至多个像素,并且多个第一桥图案中的每个第一桥图案与多个辅助桥中的相应的一个辅助桥相邻并且与该辅助桥部分地交叠;以及多个第二桥图案,多个第二桥图案从第一修复线分支并且多个第二桥图案中的每个第二桥图案分别与辅助桥中的相应的一个辅助桥相邻并且与该辅助桥部分地交叠,其中多个辅助桥、多个第一桥图案和多个第二桥图案的数目相同。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光显示面板和包括该有机发光显示面板的有机发光显示装置。
背景技术
有源矩阵型有机发光显示装置包括自发光有机发光二极管(OLED),具有高响应速度,具有高发光效率和亮度,并且具有宽视角。
OLED包括阳极电极、阴极电极和在阳极电极与阴极电极之间形成的有机化合物层(HIL、HTL、EML、ETL和EIL)。有机化合物层包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。在将驱动电压施加至阳极电极和阴极电极时,穿过HTL的空穴和穿过ETL的电子迁移至EML以形成激子,因此,EML发射可见光。
在制造有机发光显示装置的过程中可能产生缺陷像素,因此,已经寻求各种方法来改善由于缺陷像素导致的产率降低。
发明内容
根据本发明的有机发光显示面板包括在行方向上布置的像素、修复线、辅助桥以及第一桥图案和第二桥图案。修复线设置在行方向上,并且辅助桥布置在修复线与像素之间。第一桥图案分别连接至像素,并且和与第一桥图案相邻的辅助桥部分地交叠。第二桥图案在列方向上从修复线分支并且分别与辅助桥部分地交叠。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入且构成本说明书的一部分,附图示出了本发明的实施方式,并且与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是示出了根据本发明的有机发光显示装置的图。
图2是示出了像素的图。
图3是示出了根据第一实施方式的像素阵列的图。
图4是沿图3中所示的线I-I'截取的截面图。
图5是示出了修复根据第一实施方式的像素阵列中的缺陷像素的方式的图。
图6是在修复之后沿图3中所示的线I-I'截取的截面图。
图7是图5中所示的第一像素和第五像素的等效电路图。
图8是示出了根据第二实施方式的像素阵列的图。
图9是示出了根据第三实施方式的像素阵列的图。
图10是示出了修复根据第三实施方式的像素阵列中的缺陷像素的方式的图。
图11是示出了根据第四实施方式的像素阵列的图。
具体实施方式
现在将详细地参考本发明的实施方式,其示例在附图中示出。只要有可能,附图通篇将使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。将注意的是,如果确定已知技术可能误导本发明的实施方式,则将省略对该技术的详细描述。
图1是示意性地示出了有机发光显示装置的框图。
参照图1,根据本发明的实施方式的有机发光显示装置包括具有像素P的显示面板DIS,用于驱动数据线DL1,DL2,…,DLm的数据驱动器12,用于驱动栅极线GL1,GL2,GL3,…,GLn-2,GLn-1,GLn的栅极驱动器14,以及用于控制数据驱动器12和栅极驱动器14的驱动时序的时序控制器16。
显示面板DIS包括显示区域AA和非显示区域NAA,在显示区域AA中像素P被布置成显示图像,在非显示区域NAA中不显示图像。非显示区域NAA可以围绕显示区域AA并且可以被称为边框。
多条数据线DL1至DLm和多条栅极线GL1至GLn在显示面板DIS的显示区域AA中彼此交叉,并且像素P分别在多条数据线DL1至DLm和多条栅极线GL1至GLn的交叉点处布置成矩阵。像素线HL1,HL2,HL3,…,HLn-2,HLn-1,HLn中的每个包括布置在同一行中的像素。在下文中,在本公开内容中,在图1中,X方向将被称为行方向,并且Y方向将被称为列方向。当布置在显示区域AA中的像素P是m×n个像素时,显示区域AA包括n条像素线。
布置在第一像素线HL1中的像素P连接至第一栅极线GL1,布置在第二像素线HL2中的像素P连接至第二栅极线GL2,以此类推,直到布置在第n像素线HLn中的像素P连接至第n栅极线GLn。栅极线GL1至GLn可以包括分别提供栅极信号的多条线。
为了颜色实现,像素P中的每个可以被划分为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,或者可以被划分为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。每个子像素包括像素电路。在下文中,像素可以被解释为具有与子像素相同的含义。
可以从电源(未示出)向像素P共同提供高电位/低电位驱动电压EVDD和EVSS(参见图2)。
构成像素P的晶体管可以被实现为包括氧化物半导体层的氧化物晶体管。考虑到电子迁移率和工艺变化两者,氧化物晶体管对于大尺寸显示面板(DIS)是有利的。然而,本发明不限于此,并且每个晶体管的半导体层可以由非晶硅、多晶硅等形成。
时序控制器16根据显示面板DIS的分辨率重新排列从主机19输入的数字视频数据RGB,并且将重新排列的数字视频数据RGB提供给数据驱动器12。时序控制器16还基于诸如竖直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和主时钟MCLK的时序信号来生成用于控制数据驱动器12的操作时序的数据控制信号和用于控制栅极驱动器14的操作时序的栅极控制信号。数据控制信号包括源极采样时钟(SSC)、源极输出使能信号(SOE)等。栅极控制信号包括栅极启动脉冲(GSP)、栅极移位时钟(GSC)、选通输出使能信号(GOE)等。
数据驱动器12基于数据控制信号将从时序控制器16输入的数字视频数据RGB转换为模拟数据电压。
栅极驱动器14可以基于栅极控制信号生成栅极信号。图1示出了栅极驱动器14设置在显示面板DIS外部的实施方式,但是栅极驱动器14可以根据面板内栅极驱动器(GIP)方案直接形成在显示面板DIS的非显示区域NAA上。
图2是示出了像素的示例的图。
参照图2,像素P包括电路部分(或电路区域)CA和发光部分(或发光区域)EA。
电路部分CA可以包括驱动晶体管DT、存储电容器Cst、第一晶体管T1和第二晶体管T2。驱动晶体管DT根据栅源电压Vgs来控制流过有机发光二极管(OLED)的驱动电流。驱动晶体管DT包括连接至第一节点N1的栅电极、连接至高电位驱动电压EVDD的输入端子的漏电极和连接至第二节点N2的源电极。存储电容器Cst连接在第一节点N1与第二节点N2之间。第一晶体管T1包括连接至扫描信号SCAN的输入端子的栅电极、连接至数据线DL的漏电极和连接至第一节点N1的源电极。第二晶体管T2包括连接至感测信号SENSE的输入端子的栅电极、连接至第二节点N2的漏电极和连接至参考电压线REFL的源电极。
发光部分EA根据由OLED发出的光的亮度来显示图像。OLED包括连接至第二节点N2的阳极、连接至低电位驱动电压EVSS的输入端子的阴极和位于阳极与阴极之间的有机化合物层。
在图2中,像素被示出为电路,该电路获得第二节点N2的电压作为感测电压,并且该电路被应用于基于所获得的感测电压来补偿驱动特性的外部补偿方案。根据本发明的像素的电路部分不限于图2中所示的实施方式。例如,像素可以被实现为内部补偿方案,该内部补偿方案自动地补偿流过像素内的OLED的电流,以便不受驱动晶体管的阈值电压的影响。
图3是示出了根据第一实施方式的像素阵列的图。
参照图3,第一实施方式包括与第一像素线HL1相邻并且设置在非显示区域NAA中的修复部分CON。
修复部分CON包括修复线RL和连接部分。
修复线RL在行方向上被布置在显示面板DIS的非显示区域NAA中。连接部分设置在修复线RL与每个像素P的发光部分EA之间,并且形成将缺陷像素P连接至正常像素P的电流路径。连接部分包括辅助桥SBR1至SBR8、第一桥图案BR1和第二桥图案BR2。
辅助桥SBR1至SBR8中的每个设置在修复线RL与像素P之间。例如,第一辅助桥SBR1设置在第一像素P1与修复线RL之间,第二辅助桥SBR2设置在第二像素P2与修复线RL之间,以此类推。辅助桥SBR1至SBR8没有彼此电连接。
第一桥图案BR1分别电连接至像素的OLED的阳极并且与辅助桥SBR1至SBR8中的与第一桥图案BR1相邻的辅助桥至少部分地交叠。例如,在图3的放大的图中,第三像素P3的第一桥图案BR1与第三辅助桥SBR3部分地交叠。
第二桥图案BR2从修复线RL分支并且与辅助桥SBR1至SBR8中的与第二桥图案BR2相邻的辅助桥至少部分地交叠。例如,在图3的放大的图中,与第三像素P3相邻的第二桥图案BR2与第三辅助桥SBR3部分地交叠。如图3中所示,第二桥图案BR2可以从修复线RL分支。替选地,第二桥图案BR2可以与修复线RL分开形成,并且通过接触孔或任何其他电连接单元连接至修复线RL。
图4是沿图3的线I-I'截取的截面图。
参照图4,下面将描述修复线RL和像素P的截面结构。
在基板SUB上设置有缓冲层BUF。基板SUB可以由玻璃或塑料形成。例如,基板SUB可以由诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等的塑料形成,并且可以具有柔性。缓冲层BUF用于阻挡从基板SUB扩散的离子或杂质以及来自外部的湿气渗透。
在缓冲层BUF上设置有层间电介质(ILD)。ILD可以由硅氧化物层(SiOx)形成。
在ILD上设置有辅助桥SBR3。可以使用构成电路部分CA的晶体管的源极/漏极金属层或栅极金属层来形成辅助桥SBR3。也就是说,辅助桥SBR3可以由用在源极/漏极金属层中的钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金形成。替选地,辅助桥SBR3可以由用在栅极金属层中的钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任意一种或它们的合金形成。在ILD上设置有钝化层PAS以覆盖辅助桥SBR3。钝化层(PAS)可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或它们的多层形成。
平坦化层(即,上涂层(OC))位于钝化层PAS上。OC可以位于设置有辅助桥SBR3的区域之外。用于对下面的台阶进行平坦化以补偿基板SUB的台阶的OC可以由有机材料例如光亚克力、聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂、丙烯酸酯等形成。
在非显示区域NAA中的OC上设置有第一桥图案BR1。在OC和钝化层PAS上设置有第二桥图案BR2。第一桥图案BR1和第二桥图案BR2可以使用与OLED的阳极的金属层相同的金属层例如铟锡氧化物(ITO)形成。此外,如上所述,修复线RL可以由与第二桥图案BR2的材料相同的材料即ITO形成。
堤层BN位于其上形成有第一桥图案BR1和第二桥图案BR2的基板SUB上。堤层BN可以由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂或丙烯酸酯的有机材料形成。
图5是示出了修复根据第一实施方式的像素阵列中的缺陷像素的方式的图。图5示出了像素P1的电路部分CA有缺陷的情况。图6是在修复之后沿线I-I'截取的截面图。
在下文中,将描述当在第一像素的电路部分中出现缺陷时的修复过程。
首先,将第一像素P1的发光部分EA电连接至修复线RL。为此,第一像素P1的第一桥图案BR1和第一辅助桥SBR1电连接,并且将第一辅助桥SBR1和与第一辅助桥SBR1交叠的第二桥图案BR2电连接。对于该过程,可以使用诸如激光焊接等的工艺。
此后,将第五像素P5的发光部分EA电连接至修复线RL。为此,第五像素P5的第一桥图案BR1和第五辅助桥SBR5电连接,并且第五辅助桥SBR5和与第五辅助桥SBR5交叠的第二桥图案BR2电连接。为了将第五像素P5的发光部分EA电连接至修复线RL,可以使用诸如激光焊接等的工艺。
为了防止在第一像素P1的电路部分CA中发生的电影响被传递至第一像素P1的发光部分EA,使第一像素P1的电路部分CA和发光部分EA相对于彼此电断开(短路)。此处,可以通过将OLED的阳极和驱动晶体管DT的源电极所连接的第二节点N2断开连接使第一像素P1的电路部分CA和发光部分EA相对于彼此电断开。图7是示出了图5中所示的第一像素和第五像素的等效电路的图。
在没有发生缺陷的情况下,第一像素P1基于通过数据线DL1提供的第一数据电压Vdata1呈现亮度,并且第五像素P5基于通过数据线DL5提供的第五数据电压Vdata5呈现亮度。
通过图5中所示的修复过程,第一像素P1的OLED相对于电路部分CA电断开,并且第一像素P1的第二节点N2电连接至第五像素P5的第二节点N2。因此,与第五像素P5一样,第一像素P1的OLED基于第五数据电压Vdata5呈现亮度。
在图5至图7中,将第一像素P1的OLED连接至第五像素P5的第二节点N2的原因是因为与第一像素P1最近的具有相同颜色的像素是第五像素P5。
也就是说,呈现相同颜色的相邻像素很可能以相同或非常相似的数据电压呈现亮度。
因此,当在依次布置R、G和B像素的显示面板中出现缺陷时,第一像素可以电连接到第四像素。
此外,尽管第一像素P1和第五像素P5在图5和图6中被示出为彼此连接,但是第一像素P1可以连接至更远的第九像素P9。
如果在第一像素P1和第五像素P5中出现缺陷,则第一像素P1和第五像素P5的电路部分CA被断开,并且第一像素P1的发光部分EA、第五像素P5的发光部分EA和第九像素P9的发光部分EA通过上述的修复过程电连接至修复线RL,使得第一像素P1和第五像素P5的OLED可以呈现与第九像素P9的亮度相同的亮度。
也就是说,根据本发明的实施方式的修复结构的特征在于,缺陷像素连接至发射与缺陷像素的颜色相同颜色的相邻的正常像素。
如上所述,在第一实施方式中,由于相同颜色的数据电压被施加至缺陷像素,所以缺陷像素可以发光,而不会降低图像品质。
如果在修复缺陷像素的过程中电连接至缺陷像素的像素限于在列方向上布置的像素,则可能无法修复布置在第一像素线HL1中的像素或者布置在第n像素线HLn中的像素。相反,在第一实施方式中,由于布置在同一像素线中的像素使用修复部分CON电连接,所以也可以修复设置在显示区域AA的最外部分处的像素。
图8是示出了根据第二实施方式的像素阵列的图。将省略与图5中所示的第一实施方式的部件基本上相同的图8的部件的详细描述。
参照图8,根据第二实施方式的像素阵列包括修复部分CON,该修复部分CON包括第一修复线RL1至第四修复线RL4、第一组至第四组的辅助桥、第一桥图案BR1和第二桥图案BR2。
第一修复线RL1至第四修复线RL4布置在非显示区域NAA中。
第一组的辅助桥SBR1和SBR5分别对应于呈现R颜色的像素。第二组的辅助桥SBR2和SBR6分别对应于呈现W颜色的像素。第三组的辅助桥SBR3和SRB7分别对应于呈现B颜色的像素。第四组的辅助桥SBR4和SBR8对应于呈现G颜色的像素。
第一桥图案BR1分别连接至像素并且连接至辅助桥SBR1至SBR8。
第二桥图案BR2_1、BR2_2、BR2_3和BR2_4包括第一组至第四组的第二桥图案BR2_1、BR2_2、BR2_3和BR2_4。第一组的第二桥图案BR2_1从第一修复线分支并且与第一组的辅助桥SBR1和SBR5部分地交叠。第二组的第二桥图案BR2_2从第二修复线分支并且与第二组的辅助桥SBR2和SBR6部分地交叠。第三组的第二桥图案BR2_3从第三修复线分支并且与第三组的辅助桥SBR3和SBR7部分地交叠。第四组的第二桥图案BR2_4从第四修复线分支并且与第四组的辅助桥SBR4和SBR8部分地交叠。
在第二实施方式中,当在R颜色的像素中存在缺陷像素时,使用第一修复线RL1将R颜色的缺陷像素和相邻像素电连接。类似地,当在W颜色的像素中存在缺陷像素时,使用第二修复线RL2修复缺陷像素。类似地,当在B颜色的像素中存在缺陷像素时,使用第三修复线RL3修复缺陷像素,并且当在G颜色的像素中存在缺陷像素时,使用第四修复线RL4修复缺陷像素。
第二实施方式的修复部分CON在修复线之间进行区分以修复每种颜色。因此,尽管存在一个或多个缺陷像素,特别地,尽管在呈现不同颜色的像素中出现缺陷,但是在缺陷像素中不同颜色的数据电压不会混合,并且因此可以修复缺陷像素,同时增强图像显示品质。
图9是示出了根据第三实施方式的像素阵列的图。
参照图9,在每条像素线中设置有修复部分CON。例如,第一像素线HL1包括第一组的像素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)、P(1,4)、P(1,5)、P(1,6)、P(1,7)和P(1,8)以及布置在行方向上的第一修复部分CON1,并且第二像素线HL2包括第二组的像素P(2,1)、P(2,2)、P(2,3)、P(2,4)、P(2,5)、P(2,6)、P(2,7)和P(2,8)以及布置在行方向上的第二修复部分CON2。
第一修复部分CON1包括第一修复线RL1和连接部分。
第一修复线RL1沿行方向设置在第一组的像素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)、P(1,4)、P(1,5)、P(1,6)、P(1,7)和P(1,8)下方。
连接部分形成将缺陷像素P连接至正常像素P的电流路径。连接部分包括辅助桥SBR1至SBR8、第一桥图案BR1和第二桥图案BR2。
辅助桥SBR1至SBR8布置在第一组的像素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)、P(1,4)、P(1,5)、P(1,6)、P(1,7)和P(1,8)与第二组的像素P(2,1)、P(2,2)、P(2,3)、P(2,4)、P(2,5)、P(2,6)、P(2,7)和P(2,8)之间,并且分别电连接至第一组的像素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)、P(1,4)、P(1,5)、P(1,6)、P(1,7)和P(1,8)。例如,第一辅助桥SBR1设置在像素P(1,1)与像素P(2,1)之间,并且连接至像素P(1,1)。第二辅助桥SBR2设置在像素P(1,2)与像素P(2,2)之间,并且连接至像素P(1,2)。辅助桥SBR1至SBR8可以分别连接至像素的有机发光二极管OLED的阳极。辅助桥SBR1至SBR8没有彼此电连接。
第一桥图案BR1电连接至第二组的像素P(2,1)、P(2,2)、P(2,3)、P(2,4)、P(2,5)、P(2,6)、P(2,7)和P(2,8)的发光部分EA,并且和与其相邻的辅助桥部分地交叠。例如,在平面图中连接至像素P(2,1)的第一桥图案BR1与第一辅助桥SBR1部分地交叠。在平面图中连接至像素P(2,2)的第一桥图案BR1与第二辅助桥SBR2部分地交叠。第一桥图案BR1可以连接至像素的发光部分EA,具体地,连接至OLED的阳极。
第二桥图案BR2均可以从第一修复线RL1分支并且可以分别和与其相邻的辅助桥部分地交叠。例如,与像素P(2,1)相邻的第二桥图案BR2在平面图中与第一辅助桥SBR1部分地交叠,与像素P(2,2)相邻的第二桥图案BR2在平面图中与第二辅助桥SBR2部分地交叠。第二桥图案BR2可以使用与修复线RL相同的金属层形成,并且可以从修复线RL分支。
布置在第二组的像素P(2,1)、P(2,2)、P(2,3)、P(2,4)、P(2,5)、P(2,6)、P(2,7)和P(2,8)与第三组的像素(未示出)之间的第二修复部分CON2可以形成为具有与第一修复部分CON1相同的图案。
图10是示出修复根据第三实施方式的像素阵列中的缺陷像素的方式的图。在图10中,修复部分的附图标记与图9中所示的修复部分的附图标记相同。图10示出了像素P(2,5)的电路部分CA有缺陷的情况。
参照图9和图10,将像素P(1,1)的第二节点N2电连接至修复线RL1。为此,将第一辅助桥SBR1和与第一辅助桥SBR1交叠的第二桥图案BR2电连接。此处,第一辅助桥SBR1和第二桥图案BR2可以通过诸如激光焊接等的工艺连接。
此外,将像素P(2,5)的第二节点N2电连接至修复线RL1。为此,将第五辅助桥SBR5和与第五辅助桥SBR5交叠的第二桥图案BR2电连接,并且将第五辅助桥SRB5和连接至像素P(2,5)的第一桥图案BR1电连接。此处,诸如激光焊接等的工艺可以用于电连接第五辅助桥SBR5和第二桥图案BR2并且用于电连接第五辅助桥SBR5和第一桥图案BR1。
为了防止在像素P(2,5)的电路部分CA中产生的电影响被传递至像素P(2,5)的发光部分EA,像素P(2,5)的电路部分CA和发光部分EA相对于彼此电断开。通过断开连接OLED的阳极和驱动晶体管DT的源电极的第二节点N2,可以使像素P(2,5)的电路部分CA和发光部分EA相对于彼此电断开。
在第三实施方式中,尽管在显示区域AA中的一条像素线中一个或多个像素是有缺陷的,但是可以修复缺陷像素,而不会降低显示品质。
图10示出了像素P(1,1)的电路部分CA连接至作为缺陷像素的像素P(2,5)的发光部分EA的示例。连接至缺陷像素以修复缺陷像素的正常像素可以不是最近的像素。例如,当像素P(2,5)和像素P(2,9)是缺陷的时,可以断开缺陷像素P(2,5)和P(2,9)的相应电路部分CA并且像素P(1,1)的电路部分CA以及像素P(2,5)和像素P(2,9)的相应发光部分EA可以通过修复过程连接至修复线RL1。因此,像素P(2,5)和像素P(2,9)的相应有机发光二极管OLED呈现与像素P(1,1)的亮度相同的亮度。
图11是示出了根据第四实施方式的像素阵列的图。将省略与上述实施方式中的部件基本上相同的第四实施方式中的部件的描述。
参照图11,根据第四实施方式的像素阵列包括设置在第一像素线HL1中的第一修复部分CON1和设置在第二像素线HL2中的第二修复部分CON2。
第一修复部分CON1包括第一修复线RL1_1至RL1_4和连接部分。
第一修复线RL1_1至RL1_4在行方向上布置在第一组的像素P(1,1)、P(1,2)、P(1,3)、P(1,4)、P(1,5)、P(1,6)、P(1,7)、P(1,8)下方。
连接部分形成将缺陷像素P连接至正常像素P的电流路径。连接部分包括辅助桥SBR1至SBR8、第一桥图案BR1和第二桥图案BR2。
第一组的辅助桥SBR1和SBR5分别对应于呈现R颜色的像素。第二组的辅助桥SBR2和SBR6分别对应于呈现W颜色的像素。第三组的辅助桥SBR3和SBR7分别对应于呈现B颜色的像素。第四组的辅助桥SBR4和SBR8分别对应于呈现G颜色的像素。
第一桥图案BR1分别连接至像素并且连接至辅助桥SBR1至SBR8。
第二桥图案BR2_1、BR2_2、BR2_3和BR2_4包括第一组至第四组的第二桥图案BR2_1、BR2_2、BR2_3和BR2_4。第一组的第二桥图案BR2_1从第一修复线R1_1分支并且与第一组的辅助桥SBR1和SBR5交叠。第二组的第二桥图案BR2_2从第二修复线R1_2分支并且与第二组的辅助桥SBR2和SBR6交叠。第三组的第二桥图案BR2_3从第三修复线R1_3分支并且与第三组的辅助桥SBR3和SBR7交叠。第四组的第二桥图案BR2_4从第四修复线R1_4分支并且与第四组的辅助桥SBR4和SBR8交叠。
在第四实施方式中,可以针对布置在所有像素线中的每个像素的每种颜色修复缺陷像素。
根据上述的本发明,通过施加与缺陷像素相邻的正常像素的数据电压,缺陷像素可以显示图像。
根据上述的本发明,通过使用修复线写入呈现相同颜色的正常像素的数据电压,而不是与缺陷像素紧邻的呈现不同颜色的像素的数据电压,可以增强图像显示品质。
具体地,根据上述的本发明,通过使用修复线将设置在与缺陷像素相同的行方向上的像素的数据电压写入缺陷像素,可以容易地执行修复,即使在布置在与非显示区域相邻的像素线中的像素中出现缺陷也是如此。
尽管已经参考其多个说明性实施方式描述了实施方式,但是应当理解的是,本领域技术人员可以设计将落入本公开内容的原理的范围内的许多其他修改和实施方式。更具体地,在本公开内容、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中可以进行各种变型和修改。除了组成部件和/或布置的变型和修改之外,替选用途对于本领域技术人员而言也是明显的。
Claims (23)
1.一种有机发光显示面板,包括:
布置在行方向上的多个像素;
设置在所述行方向上的第一修复线;
布置在所述第一修复线与所述多个像素中的每个像素之间的多个辅助桥;
多个第一桥图案,所述多个第一桥图案分别连接至所述多个像素,并且所述多个第一桥图案中的每个第一桥图案与所述多个辅助桥中的相应的一个辅助桥相邻并且与该辅助桥部分地交叠;以及
多个第二桥图案,所述多个第二桥图案从所述第一修复线分支并且所述多个第二桥图案中的每个第二桥图案分别与所述辅助桥中的相应的一个辅助桥相邻并且与该辅助桥部分地交叠,
其中所述多个辅助桥、所述多个第一桥图案和所述多个第二桥图案的数目相同,
所述辅助桥中的每个辅助桥设置在形成在基板上的层间电介质层上,以及钝化层设置在所述辅助桥和层间电介质层上,
所述第一桥图案中的每个第一桥图案在不与所述辅助桥交叠的第一区域中设置在所述钝化层和上涂层上,以及在与去除了所述上涂层的所述辅助桥部分地交叠的第二区域中设置在所述钝化层上,
所述第二桥图案中的每个第二桥图案在与所述辅助桥部分地交叠的第三区域中设置在所述上涂层和所述钝化层上,
堤层位于其上形成有所述第一桥图案和所述第二桥图案的所述基板上,
所述第二区域中的所述第一桥图案中的每个第一桥图案与去除了所述堤层和所述钝化层的所述辅助桥中的每个电连接,以及
所述第三区域中的所述第二桥图案中的每个第二桥图案与去除了所述堤层、所述上涂层和所述钝化层的所述辅助桥中的每个电连接。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素中的每个像素包括有机发光二极管,以及
所述多个第一桥图案中的每个第一桥图案电连接至相应的像素的有机发光二极管的阳极。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个辅助桥分别对应于所述多个像素,并且所述多个辅助桥彼此电绝缘。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素中的每个像素还包括驱动所述有机发光二极管的驱动晶体管,以及
所述多个辅助桥由与所述驱动晶体管的源电极和漏电极相同的材料层形成。
5.根据权利要求2所述的有机发光显示面板,其中,
所述第一修复线由与所述有机发光二极管的所述阳极相同的金属层形成。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,
所述第一修复线和所述多个辅助桥布置在非显示区域中。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素包括呈现相同颜色的第一像素和第二像素。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个辅助桥包括与所述第一像素相邻的第一辅助桥和与所述第二像素相邻的第二辅助桥,以及
当所述第一像素有缺陷时,
连接至所述第一像素的第一桥图案和与所述第一辅助桥交叠的第二桥图案焊接至所述第一辅助桥,以及
连接至所述第二像素的第一桥图案和与所述第二辅助桥交叠的第二桥图案焊接至所述第二辅助桥。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示面板,其中,
包括在所述第一像素中的有机发光二极管的阳极相对于驱动该有机发光二极管的驱动晶体管电断开。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素包括呈现第一颜色的第一组的像素和呈现第二颜色的第二组的像素,
还设置有与所述第一修复线相邻的第二修复线,
所述多个第一桥图案分别连接至所述第一组的像素和所述第二组的像素,
所述多个辅助桥包括分别与第一组的第一桥图案部分地交叠的第一组的辅助桥和分别与第二组的第一桥图案部分地交叠的第二组的辅助桥,以及
所述多个第二桥图案包括从所述第一修复线分支并且分别与所述第一组的辅助桥部分地交叠的第一组的第二桥图案,以及从所述第二修复线分支并且分别与所述第二组的辅助桥部分地交叠的第二组的第二桥图案。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素包括在显示区域的行方向上布置的第一组的像素和在与所述第一组的像素的行不同的行中布置的第二组的像素,以及
所述第一修复线设置在所述第一组的像素与所述第二组的像素之间。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素中的每个像素包括有机发光二极管,以及
所述多个辅助桥中的每个辅助桥分别连接至包括在所述第一组的像素中的相应的一个像素中的有机发光二极管。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示面板,其中,
所述第一组的像素包括第一像素,所述第二组的像素包括第二像素,并且所述第一像素和所述第二像素呈现相同的颜色,
所述多个辅助桥包括连接至所述第一像素的第一辅助桥和与所述第二像素相邻的第二辅助桥,以及
当所述第二像素有缺陷时,
连接至所述第二像素的第一桥图案和与所述第二辅助桥交叠的第二桥图案焊接至所述第二辅助桥,以及
与所述第一辅助桥交叠的第二桥图案焊接至所述第一辅助桥。
14.根据权利要求12所述的有机发光显示面板,其中,
所述第一组的像素呈现第一颜色并且所述第二组的像素呈现第二颜色,
还设置有与所述第一修复线相邻的第二修复线,
所述多个第一桥图案包括分别连接至所述第一组的像素的第一组的第一桥图案和分别连接至所述第二组的像素的第二组的第一桥图案,
所述多个辅助桥包括分别与所述第一组的第一桥图案部分地交叠的第一组的辅助桥和分别与所述第二组的所述第一桥图案部分地交叠的第二组的辅助桥,以及
所述多个第二桥图案包括从所述第一修复线分支并且分别与所述第一组的所述辅助桥交叠的第一组的第二桥图案,以及从所述第二修复线分支并且分别与所述第二组的所述辅助桥交叠的第二组的第二桥图案。
15.一种有机发光显示面板,包括:
布置在第一方向上的多个像素,所述多个像素包括呈现第一颜色的第一组的像素和呈现第二颜色的第二组的像素;
沿所述多个像素设置并且电连接至所述第一组的像素的第一修复线;
与所述第一修复线平行地设置并且电连接至所述第二组的像素的第二修复线;
多个辅助桥,所述多个辅助桥中的每个辅助桥布置在所述第一修复线与所述多个像素中的相应的一个像素之间;
多个第一桥图案,所述多个第一桥图案分别连接至所述多个像素,并且每个第一桥图案具有与最近的辅助桥交叠的部分;以及
多个第二桥图案,所述多个第二桥图案包括从所述第一修复线分支的第一组的第二桥图案和从所述第二修复线分支的第二组的第二桥图案,每个第二桥图案具有与最近的辅助桥交叠的部分,
其中所述第一修复线和所述第二修复线以及所述多个辅助桥布置在所述显示面板的非显示区域中,
所述辅助桥中的每个辅助桥设置在形成在基板上的层间电介质层上,以及钝化层设置在所述辅助桥和层间电介质层上,
所述第一桥图案中的每个第一桥图案在不与所述辅助桥交叠的第一区域中设置在所述钝化层和上涂层上,以及在与去除了所述上涂层的所述辅助桥部分地交叠的第二区域中设置在所述钝化层上,
所述第二桥图案中的每个第二桥图案在与所述辅助桥部分地交叠的第三区域中设置在所述上涂层和所述钝化层上,
堤层位于其上形成有所述第一桥图案和所述第二桥图案的所述基板上,
所述第二区域中的所述第一桥图案中的每个第一桥图案与去除了所述堤层和所述钝化层的所述辅助桥中的每个电连接,以及
所述第三区域中的所述第二桥图案中的每个第二桥图案与去除了所述堤层、所述上涂层和所述钝化层的所述辅助桥中的每个电连接。
16.一种有机发光显示面板,包括:
布置在行方向上的多个像素,所述多个像素包括呈现相同颜色的第一像素和第二像素;
沿所述多个像素设置的第一修复线;
与所述第一修复线平行地设置的第二修复线;
多个辅助桥,所述多个辅助桥中的每个辅助桥布置在所述第一修复线与所述多个像素中的相应的一个像素之间,其中所述多个辅助桥包括与所述第一像素相邻的第一辅助桥和与所述第二像素相邻的第二辅助桥;
多个第一桥图案,所述多个第一桥图案连接至所述第一像素和所述第二像素;以及
多个第二桥图案,所述多个第二桥图案包括从所述第一修复线分支并且与所述第一辅助桥交叠的第一组的第二桥图案和从所述第二修复线分支并且与所述第二辅助桥交叠的第二组的第二桥图案,
所述辅助桥中的每个辅助桥设置在形成在基板上的层间电介质层上,以及钝化层设置在所述辅助桥和层间电介质层上,
所述第一桥图案中的每个第一桥图案在不与所述辅助桥交叠的第一区域中设置在所述钝化层和上涂层上,以及在与去除了所述上涂层的所述辅助桥部分地交叠的第二区域中设置在所述钝化层上,
所述第二桥图案中的每个第二桥图案在与所述辅助桥部分地交叠的第三区域中设置在所述上涂层和所述钝化层上,
堤层位于其上形成有所述第一桥图案和所述第二桥图案的所述基板上,
所述第二区域中的所述第一桥图案中的每个第一桥图案与去除了所述堤层和所述钝化层的所述辅助桥中的每个电连接,以及
所述第三区域中的所述第二桥图案中的每个第二桥图案与去除了所述堤层、所述上涂层和所述钝化层的所述辅助桥中的每个电连接。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示面板,其中,所述多个像素中的每个像素包括有机发光二极管,并且所述第一辅助桥连接至所述第一像素中包括的有机发光二极管。
18.根据权利要求16所述的有机发光显示面板,其中,所述多个像素中的每个像素包括有机发光二极管,并且所述多个第一桥图案中的每个第一桥图案分别电连接至所述多个像素中的相应的像素中包括的有机发光二极管的阳极。
19.根据权利要求16所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个辅助桥彼此电绝缘。
20.根据权利要求17所述的有机发光显示面板,其中,
所述多个像素中的每个像素还包括驱动所述有机发光二极管的驱动晶体管,以及
所述多个辅助桥由与所述驱动晶体管的源电极和漏电极相同的材料层形成。
21.根据权利要求18所述的有机发光显示面板,其中,
所述第一修复线由与所述有机发光二极管的所述阳极相同的金属层形成。
22.一种用于修复有机发光显示面板的方法,其中所述有机发光显示面板包括:
布置在行方向上的像素;
设置在所述行方向上的第一修复线;
布置在所述第一修复线与所述像素之间的辅助桥;
第一桥图案,所述第一桥图案分别连接至所述像素,并且和与所述第一桥图案相邻的所述辅助桥部分地交叠;以及
第二桥图案,所述第二桥图案从所述第一修复线分支并且分别与所述辅助桥部分地交叠,
其中所述方法包括:
通过将缺陷像素的第一桥图案电连接至与该第一桥图案相邻的辅助桥,并且将该辅助桥电连接至与该辅助桥相邻的第二桥图案,将所述缺陷像素的发光部分电连接至所述第一修复线;
将所述缺陷像素的发光部分与所述缺陷像素的电路部分断开连接;以及
通过将与所述缺陷像素相邻的、呈现与所述缺陷像素相同的颜色的正常像素的第一桥图案电连接至与该第一桥图案相邻的辅助桥,并且将该辅助桥电连接至与该辅助桥相邻的第二桥图案,将所述正常像素的发光部分电连接至所述第一修复线。
23.一种有机发光显示装置,包括根据权利要求1至21中任一项所述的有机发光显示面板。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103579257A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104659058A (zh) * | 2013-11-20 | 2015-05-27 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备及修复有机发光显示设备的方法 |
CN105225632A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-06 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和像素修复方法 |
CN105425489A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101090253B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR101147083B1 (ko) * | 2006-03-29 | 2012-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 화질제어 방법 |
CN100559237C (zh) * | 2007-08-01 | 2009-11-11 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置及其阵列基板 |
CN101216643B (zh) * | 2007-12-26 | 2010-12-08 | 昆山龙腾光电有限公司 | 液晶显示装置阵列基板、其修补方法及液晶显示装置 |
JP2010062003A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
US20130120230A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-16 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flat Display Panel And A Method Of Repairing The Same |
KR101992893B1 (ko) * | 2012-10-23 | 2019-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
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KR102123979B1 (ko) * | 2013-12-09 | 2020-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 리페어 구조를 갖는 유기발광표시장치 |
KR102387784B1 (ko) * | 2014-12-29 | 2022-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이의 리페어 방법 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103579257A (zh) * | 2013-11-15 | 2014-02-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104659058A (zh) * | 2013-11-20 | 2015-05-27 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示设备及修复有机发光显示设备的方法 |
CN105225632A (zh) * | 2014-05-30 | 2016-01-06 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置和像素修复方法 |
CN105425489A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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