CN105359249B - 能够用ebsd检测器容易地分析所期望位置的带电粒子线装置以及其控制方法 - Google Patents

能够用ebsd检测器容易地分析所期望位置的带电粒子线装置以及其控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105359249B
CN105359249B CN201480038531.8A CN201480038531A CN105359249B CN 105359249 B CN105359249 B CN 105359249B CN 201480038531 A CN201480038531 A CN 201480038531A CN 105359249 B CN105359249 B CN 105359249B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
charged particle
sample
particle line
ebsd
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201480038531.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105359249A (zh
Inventor
武田和幸
安藤彻
斋藤勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of CN105359249A publication Critical patent/CN105359249A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105359249B publication Critical patent/CN105359249B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261Details
    • H01J37/265Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20207Tilt
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20221Translation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/24475Scattered electron detectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2803Scanning microscopes characterised by the imaging method
    • H01J2237/2804Scattered primary beam

Abstract

本发明提供一种带电粒子线装置,能够预先把握能通过EBSD检测器分析的试样的分析位置,并能够在短时间内将试样调整至所期望的分析位置。该电子粒子束装置具备:带电粒子源(111);带电粒子光学系统(115);EBSD检测器(101);试样载物台(116);区别试样中的通过上述EBSD检测器能观察的部分及不能观察的部分区别并显示的图像显示部(117);输入利用上述EBSD检测器的观察位置的操作输入部(121);以能用上述EBSD检测器观察由上述操作输入部输入的观察位置的方式控制上述试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的控制部(118)。

Description

能够用EBSD检测器容易地分析所期望位置的带电粒子线装置 以及其控制方法
技术领域
本发明涉及具备EBSD检测器的扫描电子显微镜等的带电粒子线装置以及其控制方法。
背景技术
作为试样结晶结构分析法之一有EBSD(Electron Backscattered Diffraction)法。并且也会称为EBSP(Electron Backscattered Diffraction Pattern)法。
EBSD检测器为在高敏感度照相机的前端配置荧光滤光器的结构,安装于带电粒子线装置上。在试样表面上聚集带电粒子线并照射时,基于结晶方位从试样表面产生的后方散射电子的衍射图象投影于荧光滤光器上。用高敏感度照相机检测该衍射图象来分析结晶方位以及结晶结构。为了将后方散射电子的衍射图象投影至荧光滤光器上,EBSD检测器在试样的正侧面靠近顶端,如靠近至1cm左右配置。
在专利文献1中记载了:在EBSD检测器分析结晶方位以及结晶结构等的情况下,使用预先已倾斜70度的夹具,不会发生试样载物台倾斜地进行分析的技术。
另外,在电子显微镜中,作为表示试样载物台图像的众所周知的例子,有记载于专利文献2中的技术。
记载于专利文献2中的技术是具备获得试样载物台图像的摄像装置,使用用该摄像装置获得的试样载物台图像,使用与试样载物台的位置、移动距离与移动方向、显示装置显示的试样载物台的位置、移动距离与移动方向对应关系的信息,将用电子显微镜获得的试样图像、试样载物台上的位置信息显示于显示装置上的技术。
现有技术文件
专利文献
专利文献1:日本特开2000-277044号公报
专利文献2:日本特开2010-198998号公报
发明内容
发明所需要解决的课题
本申请的发明者关于即使是初学者也能够容易且准确地进行EBSD法而进行专心地讨论的结果,达到得到以下的知识的目的。
在带电粒子线装置中,为了用EBSD检测器高效地检测在试样表面照射带电粒子线而从试样表面产生的后方散射电子的衍射图像,需要相对于垂直线70度左右地倾斜试样台上的试样。
因此,存在倾斜的试样台与EBSD检测器以及包含于带电粒子线光学系统的部件相互干涉或接触的可能性。
而且,由于将试样设置于试样台之后70度倾斜,由于由该倾斜而产生的试样载物台的移动试样从视野中丢失,存在寻找包含试样的视野的麻烦情况。
另外,在使用以预先倾斜的状态下配置试样的EBSD专用试样台的分析法中,由于限制试样旋转方向的载物台移动,存在本来想分析的分析位置不能分析的情况。
因此,由EBSD检测器进行的试样分析即使对于熟练的操作者来说,以能够分析分析位置的方式调整试样的配置也不容易,需要大量的时间。例如,即使是熟练的操作者,在试样位置调整上也需要十分钟左右,如上述,如果从视野中丢失试样,为了寻找包含试样的视野就需要更多的时间。
本发明的目的在于提供一种带电粒子线装置,该装置能够预先把握能通过EBSD检测器分析的试样的分析位置,能够在短时间内将试样调整至所期望的分析位置。
用于解决课题的方法
本发明是带电粒子线装置,该装置例如具备:释放带电粒子线的带电粒子源;在试样上照射带电粒子线的带电粒子光学系统;检测通过带电粒子线的照射而从试样表面产生的后方散射电子衍射的EBSD检测器;对配置试样的试样台进行支撑并移动的试样载物台;区别试样中的能通过上述EBSD检测器观察的部分与不能通过上述EBSD检测器观察的部分并显示的图像显示部;输入利用EBSD检测器的观察位置的操作输入部;以能用EBSD检测器观察由操作输入部输入的观察位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的控制部。
另外,本发明是带电粒子线装置,该装置例如具备:释放带电粒子线的带电粒子源;在试样上照射带电粒子线的带电粒子光学系统;检测通过带电粒子线的照射而从试样表面产生的后方散射电子衍射的EBSD检测器;对配置试样的试样台进行支撑并移动的试样载物台;输入利用EBSD检测器的观察位置的操作输入部;在由操作输入部输入的观察位置是能通过EBSD检测器观察的部分的情况下,以能用EBSD检测器观察该观察位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的控制部;在由操作输入部输入的观察位置是不能通过EBSD检测器观察的部分的情况下,显示不能进行由EBSD检测器进行的观察的内容的图像显示部。
另外,本发明例如是对EBSD检测器向带电粒子线装置的安装进行导向的带电粒子线装置的控制方法,在控制部中基于被试样载物台支撑的试样台的大小、EBSD检测器使用时的试样载物台的倾斜角度、试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的范围,运算在配置于试样台的试样中的能通过EBSD检测器观察的部分与不能通过EBSD检测器观察的部分,在由从操作输入部输入的利用上述EBSD检测器的观察位置是能观察的部分的情况下,控制部以能用EBSD检测器观察该观察位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动,在以能用EBSD检测器观察观察位置的方式进行试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动后,在显示部显示能插入EBSD检测器的内容。
发明效果
根据本发明能够预先把握能由EBSD检测器观察的试样的观察位置,并能够在短时间内将试样调整至所期望的观察位置。
附图说明
图1是带电粒子线装置的整体结构的概略图。
图2是表示在实施例中的试样观察之前的处理流程的流程图。
图3是表示在实施例中的用户实施的试样观察之前的处理流程的流程图。
图4是表示实施例中的用户进行试样的观察对象位置的指示的输入部的概略图。
图5是表示显示实施例中的孔部件与试样台之间的位置关系的模拟图像的一例的图。
图6是表示显示试样台从图5所示的状态移动的情况下的位置关系的模拟图像的一例的图。
图7是表示在图6所示的状态中插入检测器的情况下的模拟图像的一例的图。
具体实施方式
以下,参照附图关于本发明的实施方式进行说明。
实施例公开了一种带电粒子线装置,其具备:释放带电粒子线的带电粒子源;将带电粒子线照射至试样的带电粒子光学系统;检测通过带电粒子线的照射而从试样表面产生的后方散射电子衍射的EBSD检测器;对配置试样的试样台进行支撑并移动的试样载物台;区别试样中的能通过EBSD检测器分析的部分与不能通过EBSD检测器分析的部分并显示的图像显示部;输入利用EBSD检测器的分析位置的操作输入部;以能用EBSD检测器分析从操作输入部输入的分析位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转运动的控制部。
另外,实施例公开了一种带电粒子线装置,其具备:释放带电粒子线的带电粒子源;将带电粒子线照射至试样的带电粒子光学系统;检测通过带电粒子线的照射而从试样表面产生的后方散射电子衍射的EBSD检测器;对配置试样的试样台进行支撑并移动的试样载物台;输入利用EBSD检测器的分析位置的操作输入部;在由操作输入部输入的分析位置是能由EBSD检测器分析的部分的情况下,以能用EBSD检测器分析该分析位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转运动的控制部;在由操作输入部输入的分析位置是不能由EBSD检测器分析的部分的情况下,显示不能进行利益EBSD检测器的分析的内容的图像显示部。
另外,实施例中公开了:在引导EBSD检测器向带电粒子线装置的安装的带电粒子线装置的控制方法中,控制部基于被试样载物台支撑的试样台的大小、EBSD检测器使用时的试样载物台的倾斜角度、试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的范围,运算在配置于试样台的试样中的能通过EBSD检测器分析的部分、不能通过EBSD检测器分析的部分,在由从操作输入部输入的利用EBSD检测器的分析位置是能分析的部分的情况下,控制部以能用EBSD检测器分析该分析位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转运动,在试样载物台以能用EBSD检测器分析分析位置的方式进行平面移动、倾斜移动以及旋转运动后,在图像显示部中显示能插入EBSD检测器的内容。
另外,实施例公开了:在引导EBSD检测器向带电粒子线装置的安装的带电粒子线装置用程序中,控制部基于被试样载物台支撑的试样台的大小、EBSD检测器使用时的试样载物台的倾斜角度、试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转运动的范围,运算在配置于试样台的试样中的能通过EBSD检测器分析分析部分、不能通过EBSD检测器分析的部分,在由从操作输入部输入的利用EBSD检测器的分析位置是能分析的部分的情况下,控制部以能用EBSD检测器分析该分析位置的方式控制试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动,在试样载物台以能用EBSD检测器分析分析位置的方式进行平面移动、倾斜运动以及旋转运动之后,在图像显示部显示EBSD检测器能插入的内容。
另外,实施例公开了图像显示部区别试样中的能通过EBSD检测器分析的部分、不能通过EBSD检测器分析的部分并显示。另外,公开了图像显示部区通过试样载物台的倾斜移动而能通过EBSD检测器分析的部分、由于是试样载物台的移动范围外而不能通过EBSD检测器分析的部分并表示。
另外,实施例公开了:在试样载物台以能用EBSD检测器分析的方式移动之后,图像显示部显示EBSD检测器能插入的内容。
另外,实施例公开了带电粒子线装置具备摄像试样的摄像装置,图像显示部在通过摄像装置得到的图像上合成并显示能分析的部分与不能分析的部分。
另外,实施例公开了图像显示部在试样载物台移动前显示按照从操作输入部输入的分析位置使试样载物台移动的情况下的模拟图像。另外,公开了在模拟图像中显示带电粒子线光学系统、EBSD检测器以及试样台的位置关系。另外,公开了操作输入部在图像显示部显示模拟图像之后能够再次调整分析位置。另外,公开了在图像显示部显示疑似图像之后能够再次从操作输入部输入利用EBSD检测器的分析位置。另外,公开了带电粒子线装置具备摄像试样的摄像装置,图像显示部在模拟图像上合成通过摄像装置得到的图像并显示。
以下,作为带电粒子线装置的一例,关于扫描电子显微镜进行说明。可是,本发明不限于此,也可适用于如扫描离子显微镜和扫描透过电子显微镜、这些与试样加工装置的复合装置、或应用这些的分析·检测装置。本发明只要是试样可倾斜的观察装置均可适用。
实施例
图1是涉及本实施例的扫描电子显微镜的概略构成图。
在图1中,在真空容器107内装入试样之前,在试样台103上贴上薄片试样102并配置。并且,预先用CCD照相机119观察试样台103与试样102,确认分析位置。并且,即使是CCD照相机以外,只要是用能够摄像试样台103的整体像的程度的倍率摄像的装置即可。
此时,试样台103设置于设定在CCD照相机119的摄像方向上的安装台。安装台以在设置试样台103时,试样台103的中心与CCD照相机119的中心一致的方式制作。另外,在带电粒子线装置的真空容器107内也设置与安装台相同形状的安装台,该安装台配合带电粒子线的光轴进行调整。
通过CCD照相机119的观察而确定试样台103的方向后,通过连同试样台103一起安装于真空容器107内的安装台,无论在用CCD照相机119观察试样台103以及试样102的情况、还是在装入真空容器107内用带电粒子线装置观察的情况下,都能以试样102的相同的位置为中心在相同的方向观察。
由真空容器107内的电子枪111产生一次带电粒子线104。一次带电粒子线104通过聚光透镜112聚集,通过光圈。
而且,一次带电粒子线104通过扫描偏向器113、影像位移偏向器偏向。通过控制电脑118能够控制扫描偏向器113扫描一次带电粒子线104的范围、方向、速度。
而且,一次带电粒子线104通过物镜114聚集于试样102上并照射。用检测器101检测通过一次带电粒子线104的照射而得到的二次电子与反射电子等的二次粒子105。并且,在带电粒子光学系统115中含有电子枪、聚光透镜、光圈、扫描偏向器、影像位移偏向器、物镜、检测器,除此以外还可以含有其他的透镜、电极、检测器,一部分可以与上述不同,带电粒子光学系统的结构不限于此。例如,也存在聚光透镜只有一个的情况。在带电粒子光学系统中连接真空泵,由此带电粒子线104的通过路径排气至规定的真空度。真空泵的动作控制通过控制电脑118进行。
包含于控制电脑118中的图像生成部通过使来自检测器101的信号与一次带电粒子线104的照射位置对应地生成各像素而生成带电粒子像,在显示装置117上显示。另外,显示装置117也能够使用后述的模拟图像显示试样102的倾斜状态与方向。另外,控制电脑118还包括进行支撑试样台103的试样载物台116的移动、倍率切换等、装置整体控制的控制部。控制部、图像生成部也可以通过专用的电路基板作为硬件而构成,也可以通过用连接于带电粒子线装置的通用电脑实行的程序而构成。另外,这些装置和电路、电脑间的连接既可以是有线的也可以是无线的。而且,控制电脑118也可以一并进行上述以外的运算。
控制电脑118与输入操作员的指令等的操作输入部121、储存电脑程序、数据的存储部122连接。
载物台116具备向横向(X轴)、纵向(Y轴)、高度(Z轴)、旋转(R轴)、倾斜(T轴)方向的移动机构,通过在载物台116上安装配置试样的试样台103,能够以想观察的角度倾斜试样102的想要观察的位置进行观察。在本实施例中,至少具备向倾斜(T轴)方向的移动机构。另外,具备在倾斜试样102进行分析时,防止载物台116与检测器101接触用的红外线照相机120。
该红外线照相机120的安装位置安装于可确认载物台116与检测器101接触的方向上。红外线照相机120的影像可以用显示装置117确认,在摄像时间既可以自动显示,也可以用户以手动显示的方法。
其次,关于与本实施例不同的技术(比较例),关于与本实施例比较的缺点进行详细说明。
在与本实施例不同的带电粒子线装置中用EBSD检测器分析时,难以将试样所期望位置调整为EBSD检测器的分析位置。这是因为,在通过EBSD检测进行试样分析时,由于在分析前需要较大地倾斜试样,因此会产生由倾斜而导致的视野丢失。
而且,在比较例中,观察位置是否能调整为EBSD检测器的观察位置,如果不一边倾斜试样确认带电粒子图像一边调整X轴、Y轴、Z轴、R轴就不能判断。
另外,在比较例中,在所期望位置是未达到EBSD检测器的分析位置的情况下,必须从带电粒子线装置的真空容器内取出试样台,在变更试样台上的试样的放置位置之后,再次将试样台安装于真空容器内。因此,为了进行由EBSD检测器进行的分析,将试样的所期望位置向分析位置调整的时间会变长。
在此,通过使用能在由EBSD检测器进行的分析中以预先倾斜的状态设置试样的试样夹具,能够防止由试样倾斜而导致的视野丢失。可是,由于是特殊试样夹具的形状,存在进行R轴旋转则试样夹具的倾斜部与检测器接触的危险,大幅减少R轴的可活动区域。因此,在比较例中试样的分析位置的调整变得困难。
上述的比较例中的缺点理由之一举出在倾斜试样时不能容易地把握分析位置。
另外,除了上述理由,在分析试样时,如果追加利用R轴的旋转动作能够扩大可分析的范围,但由于不能立刻判断在什么位置可以分析,所以需要多次调整分析位置,在调整上耗费时间。
如上述,在比较例中,由于难以容易地把握倾斜试样时的可分析范围,所以使用性差,在将试样的分析位置调整至所期望位置之前需要较长的时间。
本实施例可以消除上述比较例中的缺点。
图2是直到由本实施例中的EBSD检测器进行的试样分析的基本性的处理的流程图。并且,试样已经配置于真空容器107内。另外,后述的带电粒子线装置中的试样位置调整方法可通过储存于连接于控制电脑118的存储部122中的电脑程序实行。
在图2中,首先在可视数据终端上显示涉及用户操作的导向流程(步骤201)。图3是表示导向流程(整体动作流程)的图。用户沿该导向流程进行操作,能够容易地分析所期望的试样位置。在图3中,从将试样102设置于真空容器107的状态,用户通过操作输入部121从图像显示装置117所显示的分析范围指定所期望的分析位置(步骤301)。其次,根据设定的载物台116的位置信息显示模拟图像,确认载物台116的设定是所期望的分析位置还是模拟图像(步骤303),如果需要能够通过操作输入部121微调载物台位置(X轴、Y轴、R轴)(步骤302)。如果设定完成确认载物台位置,则开始载物台116的移动。
如果完成载物台116的移动,则进行检测器101的插入(步骤304),开始由EBSD检测器101进行的分析(步骤305)。
按照上述图3所示的流程图,能够容易且在短时间内进行EBSD分析时的载物台116的调整。
图2所示的流程是图3所示的流程的一部分,是用于进行试样的位置设定的准备动作。
其次,在图2中,自动将载物台116的Z轴移动至20mm的高度(步骤202)。该高度是即使以最大70度倾斜载物台116,载物台116与孔部件也不接触的高度,根据载物台116与孔部件的关系,未必是20mm,可以是相互不接触的任意高度。
其次,确认CCD照相机119影像的有无(步骤203)。确认了存在CCD照相机119影像的情况下,在显示装置117上显示是否使用由CCD照相机119得到的影像进行分析的确认(步骤204)。在步骤204中,使用CCD图像的情况下获得用于分析的试样的图像(步骤205)。此时,优选获得试样整体的平面图像。并且,处理进入步骤206。在步骤204中,未从CCD图像中指定分析区域的情况下也进入步骤206。
在步骤206中,开始进行分析区域的指定。在分析区域的指定中,操作员(用户)用显示于显示装置117中的模拟图像进行。模拟图像根据用户设定的试样台103的信息用控制电脑118处理并生成。在步骤205中获得CCD图像的情况下使用其图像。
在步骤206中,在已获得的图像上计算由于试样102的倾斜而不能分析的区域,与模拟图像进行合成处理,将合成图像显示于显示装置117上。图4是显示的合成图像的例子。
在图4中,载物台可动范围的显示401、显示由载物台倾斜导致的不能分析的区域的阴影线区域显示402、载物台可动范围外的显示403作为合成图像而显示。通常,旋转载物台116时能够扩大可分析的范围。因此,显示考虑了预先旋转载物台116时扩大的分析范围的载物台可动范围401。由此,由于能够预先了解旋转载物台116时扩大的分析范围,所以便利且容易使用。
另外,当使载物台116倾斜时,通常在载物台116的旋转轴的中心与带电粒子线104的照射轴不一致的情况下,载物台116的中心附近为不可分析的区域。该区域由于考虑载物台116的旋转,所以为圆形状。
如果显示图4所示的合成图像,由于能够预先把握由于载物台116的倾斜而不能进行分析的区域,因此不需要倾斜载物台116确认是否能分析,所以便利且容易使用。另外,由于了解能不使载物台116实际进行动作地进行分析的区域,因此,载物台116与孔部件不会接触,是安全的。
在图2中的步骤206中,也考虑由R轴的旋转带来的可分析范围的扩大。不可分析的区域能够从使用的试样台103的大小与试样102的倾斜角度、载物台116的旋转的轴位置以及带电粒子线104的照射位置计算。区域的运算用控制电脑118的内部的运算处理部进行。例如,既可以预先准备变换表,也可以每次使用变换式通过计算来谋求。由于通过简单的变换式能够运算,即使每次运算的情况下运算量也少。用户边观察显示于显示装置117中的合成图像边通过操作输入部121设定载物台116的位置(X轴方向、Y轴方向)。
其次,通过控制电脑118的内部运算处理部决定用户设定的载物台116的位置(X轴方向、Y轴方向)能否通过组合载物台116的平面移动或旋转移动进行载物台移动(207)。在步骤207中,在判断为不能进行载物台116的移动的情况下,在显示装置117上显示不可进行向已设定的位置的载物台移动的内容的指令,完成导向流程(步骤208)。在图2所示的例子中完成导向流程,显示不可设定的指令之后,可以再次作为能指定分析范围的流程。
并且,将鼠标等的用户进行指示试样台103的状态、分析对象位置的输入的机构统称作为操作输入部,在操作输入部中也包含显示装置117的触摸面板。
在步骤207中,可进行载物台移动的情况下,配合用户设定的载物台116的位置(X轴方向、Y轴方向)与旋转角(R方向)、倾斜角(T方向),在显示装置117中显示试样载物台116的模拟图像(步骤209)。
此时,如图5、图6、图7所示,通过显示载物台116动作的过程,用户能够确认试样的移动(步骤210)。
图5、图6、图7表示从能够确认载物台116的试样台502(103)与孔部件501、检测器503(101)的位置关系的视点观察的模拟图像的例子。
图5是表示倾斜前的载物台116的试样台502与孔部件501的位置关系的图像。通过从图5所示的状态向图6所示的倾斜状态稍微变化并显示,能够直观地理解倾斜试样时的状态。另外,用户在近似垂直地倾斜试样台502时,由于判定孔部件501与试样台502不会接触,所以不会产生由接触而导致的装置故障、产生试样的缺陷,安全且便利。通常,至孔部件501与试样台502上的试样的相互距离为数mm,由于近需要十分注意。
图7表示倾斜后的载物台116的试样台502与孔部件501、插入的检测器503的位置关系。通过图7所示的图像能够直观地显示倾斜的载物台116的试样台502与已插入的检测器503的位置关系。由于使试样与EBSD检测器503尽量靠近这种情况分析精度更好,因此如果如图7所示显示图像,由于操作员能够进行安心地靠近的操作所以便利。另外,由于操作员能够直观地感到插入检测器503,所以不会产生由误操作而产生的检测器503与试样的接触而导致的破损,是安全的。
在图2的步骤210中,在判断为需要载物台116的位置调整的情况下,用户能够边观察模拟图像边微调载物台的位置(X轴方向、Y轴方向)、旋转角(R方向)(步骤211)。另外,当通过直接用鼠标牵引模拟图像等、操作显示于模拟图像的试样台的图像的状态,能够设定载物台的位置(X轴方向、Y轴方向)、旋转角(R方向)时,能提高操作性。另外,可以进行视点的切换与扩大、缩小。另外,如果显示装置117是触摸面板则能够代替使用鼠标等的操作输入部121的操作。
其次,向步骤210中设定的载物台位置(X轴方向、Y轴方向)与旋转角(R方向)、倾斜角(T方向)移动载物台116(步骤212)。此时,表示从横方向(ZT方向)观察载物台116时的载物台116与孔部件的位置关系的模拟图像(图5)伴随载物台116的倾斜角(T方向)的移动,慢慢地倾斜载物台而如图6所示那样显示。
此时,判断是否设置可摄像真空容器107内的载物台116与孔部件的关系的红外线照相机120(步骤213),在设置的情况下,代替图5、图6所示的模拟图像,可以在显示装置117中显示红外线照相机的摄像图像(步骤214)。
模拟图像与红外线照相机图像的切换既可以设置检测照相机安装有无的机构,检测照相机安装信号并自动切换,也可以在显示装置117中显示照相机图像的使用确认并通过用户操作而进行的手动设定进行切换。
另外,根据载物台116的移动位置,通过载物台116的倾斜方向与检测器101的位置的关系,倾斜轴与扫描方向不同。因此,关于试样102的上侧与下侧,通过电子枪111与试样102的距离不同,存在焦距不合适的情况。因此,为了可以进行最清晰的观察,通过光栅循环使扫描方向旋转,以倾斜轴方向与扫描方向平行的方式自动旋转。
其次,如果载物台116的移动完成,则在显示装置117中显示可以插入检测器101的内容的指令(步骤215)。通过根据已显示的指令而进行的用户操作进行检测器101的插入动作(步骤216)。此时,用模拟图像显示载物台116与孔部件、检测器101的位置关系(图7)。此时的模拟图像与步骤213相同可以置换为照相机图像。
最后,显示EBSD检测器101的测量准备完毕的指令,用一次带电粒子线104扫描试样,开始观察(步骤217)。
根据以上说明的本实施例的机构,能不会意识到由载物台116的倾斜而产生的试样的观察视野丢失、检测器101与载物台116、孔部件的接触地进行利用EBSD检测器进行的分析。另外,通过模拟图像用户能够预先把握载物台116的可动范围,不存在寻找所期望的观察视野的烦恼,能够容易地在所期望的位置进行观察,能够实现便利且容易使用的电子粒子束装置以及试样位置调整方法。
另外,能够实现实行上述试样位置调整方法的电脑程序。
另外,由于能预先把握由于载物台116的倾斜而不可分析的区域,所以不需要确认使载物台116倾斜而是否可以分析,能够实现便利且容易使用的带电粒子线装置。
另外,由于了解能不使载物台实际上进行动作地进行分析的区域,所以载物台116与孔部件不会接触,安全。
另外,由于能够直观地反应载物台116倾斜后的载物台116与孔部件、已插入的检测器101的位置关系,所以用户在近似垂直地倾斜试样台103时判断孔部件与试样台103不会接触,不会产生由接触而导致的装置故障、试样的缺陷,安全且便利。另外,不会产生由误操作而产生的检测器101与试样102的接触而导致的破损,是安全的。
并且,本发明不限定于上述的实施例,包含多种变形例。
例如,上述实施例是为了容易理解地说明本发明而进行详细说明,未必具备所说明的所有结构。
另外,可将某个实施例的结构的一部分置换为其他实施例的结构,也可在某个实施例的结构上追加其他实施例的机构。另外,关于各实施例的结构的一部分,可进行其他结构的追加·删除·置换。另外,上述的各结构、功能、处理部、处理方法等例如通过用集成电路设计等用硬件可以实现其中一部分或全部。
另外,上述各结构、功能等通过硬件解释、执行实现各自功能的程序,用软件执行可以实现。实现各功能的程序、工作台、文件等信息能存储于内存、硬盘、SSD(Solid StateDrive)等的存储装置或IC卡、SD卡、DVD等的存储媒介中。
另外,控制线和信息线认为是说明上必要的,未限于产品上表示所有的控制线与参数线。实际中可以理解为几乎所有的结构相互连接。
并且,代替检测器和孔部件或与之一起与模拟图像配合地显示包含于其他带电粒子线光学系统中的部件。另外,可以不表示包含于检测器与孔部件、带电粒子线光学系统的部件的整体,可以只表示这些中的一部分。
另外,在模拟图像的视野内不包含这些部件时,可以与模拟图像配合地显示表示检测器的方向等的箭头等。
符号说明
101、503—EBSD检测器,102—试样,103、502—试样台,104—一次带电粒子线,105—反射电子,107—真空容器,111—电子枪,112—聚光透镜,113—偏向器,114—物镜,115—带电粒子光学系统,116—试样载物台,117—显示装置,118—控制电脑,119—CCD照相机,120—红外线照相机,121—操作输入部,122—存储部,401—载物台可动范围,402—由于倾斜而不可观察的区域,403—载物台可动范围外,501—孔部件。

Claims (25)

1.一种带电粒子线装置,其特征在于,
具备:
释放带电粒子线的带电粒子源;
向试样照射上述带电粒子线的带电粒子光学系统;
检测通过上述带电粒子线的照射而从试样表面产生的后方散射电子衍射的EBSD检测器;
对配置上述试样的试样台进行支撑并移动的试样载物台;
区别上述试样中的由上述EBSD检测器能分析的部分与由上述EBSD检测器不能分析的部分并显示的图像显示部;
输入利用上述EBSD检测器的分析位置的操作输入部;以及
以能用上述EBSD检测器分析从上述操作输入部输入的上述分析位置的方式控制上述试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的控制部。
2.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
上述图像显示部区别由于上述试样载物台的倾斜移动而由上述EBSD检测器不能分析的部分及由于是上述试样载物台的移动范围以外而由上述EBSD检测器不能分析的部分并显示。
3.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
在从上述操作输入部输入的上述分析位置是不能由上述EBSD检测器分析的部分的情况下,上述图像显示部显示不能进行由上述EBSD检测器进行的分析的内容。
4.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
在上述试样载物台以能用上述EBSD检测器分析的方式移动之后,上述图像显示部显示能插入上述EBSD检测器的内容。
5.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
具备对上述试样进行摄像的摄像装置,
上述图像显示部在通过上述摄像装置得到的图像中合成上述能分析的部分与上述不能分析的部分并显示。
6.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
上述图像显示部根据由上述操作输入部输入的上述分析位置,在上述试样载物台移动之前显示移动上述试样载物台的情况下的模拟图像。
7.根据权利要求6所述的带电粒子线装置,其特征在于,
在上述模拟图像中显示上述带电粒子线光学系统、上述EBSD检测器以及上述试样台的位置关系。
8.根据权利要求6所述的带电粒子线装置,其特征在于,
上述操作输入部在上述图像显示部显示上述模拟图像之后,能够再次调整上述分析位置。
9.根据权利要求6所述的带电粒子线装置,其特征在于,
具备对上述试样进行摄像的摄像装置,
上述图像显示部在上述模拟图像中合成通过上述摄像装置得到的图像并显示。
10.一种带电粒子线装置,其特征在于,
具备:
释放带电粒子线的带电粒子源;
向试样照射上述带电粒子线的带电粒子光学系统;
检测通过上述带电粒子线的照射而从试样表面产生的后方散射电子衍射的EBSD检测器;
对配置上述试样的试样台进行支撑并移动的试样载物台;
输入利用上述EBSD检测器的分析位置的操作输入部;
在由上述操作输入部输入的上述分析位置是通过上述EBSD检测器能分析的部分的情况下,以能用上述EBSD检测器分析该分析位置的方式控制上述试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的控制部;以及
在由上述操作输入部输入的上述分析位置是通过上述EBSD检测器不能分析的部分的情况下,显示不能进行由上述EBSD检测器进行的分析的内容的图像显示部。
11.根据权利要求10所述的带电粒子线装置,其特征在于,
上述图像显示部区别由于上述试样载物台的倾斜移动而用上述EBSD检测器不能分析的部分及由于是上述试样载物台的移动范围以外而用上述EBSD检测器不能分析的部分。
12.根据权利要求10所述的带电粒子线装置,其特征在于,
在上述试样载物台以能用上述EBSD检测器分析的方式移动之后,上述图像显示部显示能插入上述EBSD检测器的内容。
13.根据权利要求10所述的带电粒子线装置,其特征在于,
具备对上述试样进行摄像的摄像装置,
上述图像显示部在通过上述摄像装置得到的图像中合成上述能分析的部分与上述不能分析的部分并显示。
14.根据权利要求10所述的带电粒子线装置,其特征在于,
上述图像显示部根据由上述操作输入部输入的上述分析位置,在上述试样载物台的移动之前显示移动上述试样载物台的情况的模拟图像。
15.根据权利要求14所述的带电粒子线装置,其特征在于,
在上述模拟图像中显示上述带电粒子线光学系统、上述EBSD检测器以及上述试样台的位置关系。
16.根据权利要求14所述的带电粒子线装置,其特征在于,
上述操作输入部在上述图像显示部显示上述模拟图像之后,能够再次调整上述分析位置。
17.根据权利要求14所述的带电粒子线装置,其特征在于,
具备对上述试样进行摄像的摄像装置,
上述图像显示部在上述模拟图像上合成通过上述摄像装置得到的图像并显示。
18.一种带电粒子线装置的控制方法,是对EBSD检测器向带电粒子线装置的安装进行导向的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在控制部中基于被试样载物台支撑的试样台的大小、上述EBSD检测器使用时的上述试样载物台的倾斜角度、上述试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动的范围,运算在配置于上述试样台的试样中的通过EBSD检测器能分析的部分与不能分析的部分,
在从操作输入部输入的利用上述EBSD检测器的分析位置是上述能分析的部分的情况下,上述控制部以能用上述EBSD检测器分析该分析位置的方式控制上述试样载物台的平面移动、倾斜移动以及旋转移动,
在上述试样载物台以能用上述EBSD检测器分析上述分析位置的方式进行平面移动、倾斜移动以及旋转移动之后,在图像显示部中显示能插入上述EBSD检测器的内容。
19.根据权利要求18所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在上述图像显示部中区别上述试样中的通过上述EBSD检测器能分析的部分与通过上述EBSD检测器不能分析的部分并显示。
20.根据权利要求19所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在上述图像显示部中区别由于上述试样载物台的倾斜移动而用上述EBSD检测器不能分析的部分及由于是上述试样载物台的移动范围以外而用上述EBSD检测器不能分析的部分并显示。
21.根据权利要求18所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
由上述操作输入部输入的上述分析位置是通过上述EBSD检测器不能分析的部分的情况下,在上述图像显示部中显示不能进行由上述EBSD检测器进行的分析的内容。
22.根据权利要求18所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在上述图像显示部中,在通过摄像装置得到的图像中合成上述能分析的部分与上述不能分析的部分并显示。
23.根据权利要求18所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在上述图像显示部中,根据由上述操作输入部输入的上述分析位置,在上述试样载物台的移动之前显示移动上述试样载物台的情况下的模拟图像。
24.根据权利要求23所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在上述模拟图像中显示上述带电粒子线光学系统、上述EBSD检测器以及上述试样台的位置关系。
25.根据权利要求23所述的带电粒子线装置的控制方法,其特征在于,
在上述图像显示部中显示上述模拟图像之后,能够由上述操作输入部再次输入利用上述EBSD检测器的分析位置。
CN201480038531.8A 2013-07-23 2014-05-21 能够用ebsd检测器容易地分析所期望位置的带电粒子线装置以及其控制方法 Active CN105359249B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-153091 2013-07-23
JP2013153091A JP5464535B1 (ja) 2013-07-23 2013-07-23 Ebsd検出器で所望箇所を容易に分析できる荷電粒子線装置およびその制御方法
PCT/JP2014/063491 WO2015011975A1 (ja) 2013-07-23 2014-05-21 Ebsd検出器で所望箇所を容易に分析できる荷電粒子線装置およびその制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105359249A CN105359249A (zh) 2016-02-24
CN105359249B true CN105359249B (zh) 2017-03-29

Family

ID=50619410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480038531.8A Active CN105359249B (zh) 2013-07-23 2014-05-21 能够用ebsd检测器容易地分析所期望位置的带电粒子线装置以及其控制方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9741531B2 (zh)
JP (1) JP5464535B1 (zh)
CN (1) CN105359249B (zh)
DE (1) DE112014002848B4 (zh)
WO (1) WO2015011975A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5464535B1 (ja) * 2013-07-23 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ebsd検出器で所望箇所を容易に分析できる荷電粒子線装置およびその制御方法
JP6360620B2 (ja) * 2015-03-31 2018-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置のアライメント方法、アライメントプログラム、及び記憶媒体
DE112016006875B4 (de) * 2016-06-17 2022-05-12 Hitachi High-Tech Corporation Ladungsteilchenstrahlvorrichtung sowie verfahren zum betrachten einer probe
JP6928943B2 (ja) * 2017-03-28 2021-09-01 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置
JP2018170166A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
CN111902916B (zh) * 2019-03-06 2023-07-21 株式会社日立高新技术 等离子体处理装置以及等离子体处理方法、ecr高度监视器
EP3770945A1 (en) * 2019-07-26 2021-01-27 Bruker Nano GmbH Kikuchi diffraction detector
CN113433149B (zh) * 2021-05-26 2022-10-11 中国科学院金属研究所 一种实现ebsd系统跨尺度连续自动表征分析测试方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1040849A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Hitachi Ltd 透過電子顕微鏡
JP2007179929A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料像表示方法
JP2007200573A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡およびその制御方法
CN102315067A (zh) * 2010-07-02 2012-01-11 株式会社其恩斯 放大观察设备

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1125898A (ja) * 1997-05-08 1999-01-29 Hitachi Ltd 電子顕微鏡の分解能評価方法および分解能評価用試料
JP2000277044A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Hitachi Ltd 走査電子顕微鏡
JP5180428B2 (ja) * 2005-06-21 2013-04-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡用撮像レシピ作成装置及びその方法並びに半導体パターンの形状評価装置
JP2007277044A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Sony Corp ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法
US8455821B2 (en) * 2006-10-20 2013-06-04 Fei Company Method for S/TEM sample analysis
JP5873227B2 (ja) * 2007-12-06 2016-03-01 エフ・イ−・アイ・カンパニー デコレーションを用いたスライス・アンド・ビュー
JP5530601B2 (ja) * 2008-03-31 2014-06-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡を用いた回路パターンの寸法計測装置およびその方法
DE102008035163B4 (de) * 2008-07-28 2013-12-12 Ellcie Industries Gmbh Elektronenmikroskop
JP5205306B2 (ja) 2009-02-27 2013-06-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡
DE102009001910A1 (de) * 2009-03-26 2010-09-30 Carl Zeiss Nts Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung dreidimensionaler Bilddaten
JP4926208B2 (ja) * 2009-05-26 2012-05-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡装置、及び評価ポイント生成方法、並びにプログラム
JP5350123B2 (ja) * 2009-08-10 2013-11-27 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び画像表示方法
CN103081054B (zh) * 2010-08-31 2016-04-13 Fei公司 使用包含低质量种类和高质量种类二者的离子源的导航和样本处理
EP2450936B1 (en) * 2010-11-03 2013-03-13 Carl Zeiss NTS Ltd. Microscope system, method for operating a charged-particle microscope
JP5973466B2 (ja) * 2011-01-28 2016-08-23 エフ・イ−・アイ・カンパニー Tem試料の調製
JP6215202B2 (ja) * 2011-08-05 2017-10-18 パルセータ, エルエルシーPulsetor, Llc 密接に結合したシンチレータ−光電子増倍管の1又は複数の組合体を含む電子検出器及びそれを使用した電子顕微鏡
WO2013192608A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-27 Edax, Inc. Method and apparatus for electron pattern imaging
US8502172B1 (en) * 2012-06-26 2013-08-06 Fei Company Three dimensional fiducial
JP6261178B2 (ja) * 2013-03-27 2018-01-17 株式会社日立ハイテクサイエンス 荷電粒子ビーム装置、荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工方法、及び荷電粒子ビーム装置を用いた試料の加工コンピュータプログラム
JP2014225735A (ja) * 2013-05-15 2014-12-04 日本電子株式会社 画像処理方法、画像処理装置、撮像装置、およびプログラム
JP5464535B1 (ja) * 2013-07-23 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ Ebsd検出器で所望箇所を容易に分析できる荷電粒子線装置およびその制御方法
DE102014220122B9 (de) * 2014-10-03 2019-11-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Messen eines Abstands eines Bauteils zu einem Objekt sowie zum Einstellen einer Position eines Bauteils in einem Teilchenstrahlgerät, Computerprogrammprodukt, Teilchenstrahlgerät sowie Gaszuführungseinrichtung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1040849A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Hitachi Ltd 透過電子顕微鏡
JP2007179929A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置及び試料像表示方法
JP2007200573A (ja) * 2006-01-23 2007-08-09 Hitachi High-Technologies Corp 電子顕微鏡およびその制御方法
CN102315067A (zh) * 2010-07-02 2012-01-11 株式会社其恩斯 放大观察设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20160163504A1 (en) 2016-06-09
JP5464535B1 (ja) 2014-04-09
DE112014002848B4 (de) 2020-10-01
DE112014002848T5 (de) 2016-04-28
CN105359249A (zh) 2016-02-24
JP2015023005A (ja) 2015-02-02
WO2015011975A1 (ja) 2015-01-29
US9741531B2 (en) 2017-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105359249B (zh) 能够用ebsd检测器容易地分析所期望位置的带电粒子线装置以及其控制方法
CN108738341B (zh) 螺旋ct装置
US6756589B1 (en) Method for observing specimen and device therefor
CN104364877B (zh) 带电粒子束装置
JP5066056B2 (ja) 試料観察方法、及び電子顕微鏡
JP2011048013A (ja) 制御装置、およびその制御装置を用いた顕微鏡システム
JP6680653B2 (ja) 顕微鏡装置、顕微鏡システムおよび撮像方法
JP5018868B2 (ja) 試料の観察方法およびその装置
JP5308903B2 (ja) 結晶方位同定システム及び透過電子顕微鏡
JP6360620B2 (ja) 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置のアライメント方法、アライメントプログラム、及び記憶媒体
JPWO2016157403A6 (ja) 荷電粒子線装置、荷電粒子線装置のアライメント方法、アライメントプログラム、及び記憶媒体
JPH08313217A (ja) 非接触画像計測システム
JP5549407B2 (ja) X線検査装置
JP5396846B2 (ja) X線ct装置
JP4622814B2 (ja) X線検査装置
JP2022506170A (ja) サンプル領域を画像化するための顕微鏡システムおよび相応する方法
JPWO2020129164A1 (ja) 撮像装置
US20230366841A1 (en) Charged Particle Beam Apparatus
US11688053B2 (en) Sensor signal visualization for sensors of coordinate measuring machines and microscopes
WO2019215861A1 (ja) 撮像装置
JP2011076960A (ja) 電子顕微鏡における薄膜試料位置認識装置
JP6706956B2 (ja) 分析装置
JP2003344311A (ja) X線断層撮像方法及び装置
JP2004340630A (ja) コンピュータ断層撮像方法及び装置
CN116643445A (zh) X射线拍摄装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant