CN105304805A - 发光器件封装 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件封装。实施例提供一种发光器件封装，包括封装主体；布置在封装主体上的第一引线框架和第二引线框架；以及发光器件，该发光器件经由各自的导电粘合剂被电连接到第一引线框架和第二引线框架。导电粘合剂中的至少一个在其中心区域处具有最小的宽度。

Description

发光器件封装
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年5月29日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2014-0064874和2014年8月22日在韩国提交的No.10-2014-0109575的优先权，其通过引用被整体合并在此，如在本文中完全阐述一样。
技术领域
实施例涉及一种发光器件封装，并且更加具体地，涉及在封装内部的发光器件的结合时的可靠性的改进。
背景技术
因为诸如例如可容易控制的宽带隙能量的许多优点，所以诸如GaN和AlGaN的III-V族化合物半导体被广泛地用于光电子学和电子学。
具体地，由于器件材料和薄膜生长技术的发展，使用III-V或者II-V族化合物半导体的诸如发光二极管或者激光二极管的发光器件能够发射诸如红色、绿色以及蓝色的各种颜色的可见光和紫外光。这些发光器件也能够通过荧光物质的使用或者色彩组合以高发光效率发射白光并且与诸如例如荧光灯和白炽灯的传统光源相比较具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全、以及环保的数个优点。
因此，发光器件的应用领域被扩展到光学通信装置、发光二极管背光的传输模块以替换用作液晶显示器(LCD)设备的背光的冷阴极荧光灯(CCFL)，使白色发光二极管设备替换荧光灯或者白炽灯、车辆头灯以及交通灯。
图1是图示传统的发光器件封装的视图，并且图2是详细地图示焊料的形状的视图。
传统的发光器件封装100包括布置在子基板110上的第一引线框架120a和第二引线框架120b，并且发光器件140经由焊料150a和150b被电气地耦合到第一引线框架120a和第二引线框架120b。
发光器件140包括基板141和包括第一导电半导体层142a的下面的发光结构142、有源层142b、以及第二导电半导体层142c。发光器件140进一步包括布置在第一导电半导体层142a的下表面的一侧下面的第一电极144a和布置在第二导电半导体层142c的下表面的下面的第二电极144b，第一电极144a和第二电极144b分别被电连接到第一引线框架120a和第二引线框架120b。
在如上所述的发光器件封装100中，焊料150a和150b被用于在发光器件140和第一和第二引线框架120a和120b之间的电气连接。由于在不同种类的材料的热膨胀系数之间的差可能出现应力并且，因此，此应力可以对发光结构142的质量具有负面作用。
因为发光器件140的高度h01是处于大约100μm至200μm的范围内，并且焊料150a和150b的高度h02是处于大约30μm内，所以存在应力通过焊料150a和150b被传递到发光器件的足够的概率。
另外，在发光器件封装100的制造工艺中，在焊料150a和150b被施加到各自的引线框架120a和120b之后，发光器件140的电极144a和144b被附接到焊料150a和150b。同时，如在图2中示例性地图示的，在结合到发光器件140的第二电极140b的焊料150b的上区域中可能出现空隙。
当在用于焊料150b的热处理工艺中冷却在焊料150b和第二电极144b之间的界面时可能产生如上所述的空隙。这样的空隙产生可能导致在发光器件140的第二电极144b和第二引线框架120b之间的有缺陷的电气连接或者可以防止整个发光器件封装100的均匀的光分布。
另外，布置在发光器件的电极和引线框架之间的焊料可能引起发光器件以在回流工艺的实现期间偏离其固定的位置。此外，当焊料被施加到布置在子基板上的反射层以反射从发光器件发射的光时，发光器件封装的光损耗可能出现。
发明内容
实施例提供一种能够改进引线框架和发光器件之间的电气连接的可靠性并且实现均匀的光分布的发光器件封装。
在一个实施例中，发光器件封装包括封装主体；布置在封装主体上的第一引线框架和第二引线框架；以及发光器件，该发光器件经由各自的导电粘合剂被电连接到第一引线框架和第二引线框架，其中导电粘合剂中的至少一个在其中心区域处具有最小的宽度。
导电粘合剂中的每个可以被划分成第一部分和第二部分，以及中心区域被布置在第一部分和第二部分之间。
导电粘合剂的第一部分的末端可以接触第一引线框架和第二引线框架中的一个并且导电粘合剂的第二部分的末端可以接触发光器件的第一电极或者第二电极。
第一部分可以具有比第二部分的高度高的高度。
与第一引线框架和第二引线框架中的一个接触的导电粘合剂的第一部分的末端可以具有比与发光器件的第一电极或者第二电极接触的第二部分的末端的宽度大的宽度。
与第一引线框架和第二引线框架中的一个接触的导电粘合剂的第一部分的末端可以具有比导电粘合剂的第一部分的中心区域的宽度小的宽度。
与第一引线框架和第二引线框架中的一个接触的导电粘合剂的第一部分的末端可以具有比导电粘合剂的中心区域的宽度大的宽度。
与第一电极和第二电极中的一个接触的导电粘合剂的第二部分的末端可以具有比导电粘合剂的第二部分的中心区域的宽度小的宽度。
与第一电极和第二电极中的一个接触的导电粘合剂的第二部分的末端可以具有比导电粘合剂的中心区域的宽度大的宽度。
中心区域可以是第一部分和第二部分的耦合界面。
中心区域可以是无空隙的区域。
在另一实施例中，发光器件封装包括封装主体，该封装主体包括腔体和在腔体的底部中形成的至少一个凹槽；发光器件，该发光器件布置在凹槽上；第一引线框架和第二引线框架，该第一引线框架和第二引线框架在与凹槽中的封装主体的厚度方向不同的水平方向中相互分开；以及导电粘合剂，该导电粘合剂布置在发光器件与第一引线框架和第二引线框架之间，其中腔体包括提供有凹槽的第一底表面和与第一底表面相邻的第二底表面，并且其中导电粘合剂被布置在第一底表面上。
凹槽可以在水平方向中具有第一宽度并且第一宽度可以是水平方向中的发光器件的第二宽度的0.9倍或者更大和1.1倍或者更少。
第一引线框架和第二引线框架可以在厚度方向中穿透封装主体并且从第一底表面被暴露。
第一引线框架和第二引线框架可以从在第一底表面和第二底表面之间的边界被水平地分开以从而被暴露。
暴露的第一和第二引线框架可以接触第一底表面和第二底表面之间的边界。
第一底表面可以具有布置在第一引线框架和第二引线框架之间的第一区域和用于暴露第一和第二引线框架的第二区域，以及第一区域可以比第二区域突出。
凹槽可以具有比发光器件的宽度小的宽度。
凹槽可以具有比发光器件的宽度大的宽度。
在又一实施例中，发光器件封装包括封装主体，该封装主体包括腔体和在腔体的底部中形成的至少一个凹槽；发光器件，该发光器件布置在凹槽上；第一引线框架和第二引线框架，该第一引线框架和第二引线框架在与凹槽中的封装主体的厚度方向不同的水平方向中相互分开；以及导电粘合剂，该导电粘合剂布置在发光器件与第一引线框架和第二引线框架之间，其中导电粘合剂中的每个具有中心区域并且通过布置在其间的中心区域被划分成第一部分和第二部分，并且其中导电粘合剂中的至少一个在其中心区域处具有最小的宽度。
附图说明
参考下面的附图可以详细地描述布置和实施例，其中相同的附图标记指的是相同的元件并且其中：
图1是图示传统的发光器件封装的视图；
图2是详细地图示图1的焊料的形状的视图；
图3是图示发光器件封装的一个实施例的视图；
图4A和图4B是图示图3的导电粘合剂的实施例的视图；
图5A至图5C是图示形成图4A的导电粘合剂的工艺的视图；
图6是图示发光器件封装的第二实施例的平面图；
图7是图示图6的实施例的截面图；
图8是图示发光器件封装的第三实施例的平面图；
图9是图示发光器件封装的第四实施例的平面图；
图10是图示发光器件封装的第五实施例的平面图；
图11是图示发光器件封装的第六实施例的平面图；
图12是图示包括发光器件封装的图像显示设备的一个实施例的视图；以及
图13是图示包括发光器件封装的照明设备的一个实施例的视图。
具体实施方式
在下文中，参考附图将会详细地描述具体地实现上述目的的示例性实施例。
在下面的实施例的描述中，将会理解的是，当每个元件被称为是在另一元件“上”或者“下”时，其能够直接地在另一元件“上”或者“下”或者在其间被直接地形成有一个或者多个中间元件。另外，也将会理解的是，在元件“上”或者“下”可以意指元件的向上方向和向下方向。
在实施例中，当发光器件被结合到发光器件封装内的引线框架时，导电粘合剂分别被施加到发光器件和引线框架并且，随后，发光器件和引线框架被相互结合，其用作防止通过热膨胀系数之间的差引起的应力被传递到发光结构并且去除在发光器件和引线框架之间的界面处的空隙。
图3是图示发光器件封装的一个实施例的视图。
如在图3中示例性地图示的发光器件封装，通过附图标记200指定，包括具有腔体的封装主体210、布置在封装主体210中的第一引线框架220a和第二引线框架220b、布置在封装主体210中并且经由导电粘合剂310和320电连接到第一引线框架220a和第二引线框架220b的发光器件240；以及被容纳在腔体中以包围发光器件240的模制部件260。
封装主体210可以是由硅材料形成，或者可以是由合成树脂材料或者金属材料形成。当封装主体210是由诸如例如金属材料的导电材料形成时，尽管未被图示，绝缘层可以被涂覆在封装主体210的表面上方以防止在第一和第二引线框架220a和220b之间的电气短路。
腔体可以被限定在封装主体210中并且包括在其上布置发光器件240的底表面，并且相对于该底表面具有预定的梯度的侧墙。
第一引线框架220a和第二引线框架220b被布置在封装主体210中使得被相互电气地分离并且第一引线框架220a和第二引线框架220b的部分从腔体的底表面被暴露。第一引线框架220a和第二引线框架220b用作将电流供应到发光器件240。另外，第一引线框架220a和第二引线框架220b通过反射从发光器件240发射的光并且向外地辐射在发光器件240中产生的热能够增加发光效率。
另外，第一和第二引线框架220a和220b的表面可以被涂覆有例如，具有优异的反射率的银(Ag)，其可以改进发光器件封装200的光提取效率。
发光器件240是倒装芯片式发光器件并且包括布置在基板241上的发光结构242，发光结构242包括第一导电半导体层242a、有源层242b、以及第二导电半导体层242c。
基板241可以是由适合于半导体材料生长的材料，或者载流子晶圆形成。基板241可以是由导热性高的材料形成并且包括导电基板或者绝缘基板。例如，基板241可以利用蓝宝石(Al2O3)、SiO2、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一个。
第一导电半导体层242a可以是由诸如例如，III-V族或者II-VI族化合物半导体的化合物半导体形成并且可以被掺杂有第一导电掺杂物。第一导电半导体层242可以是由具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的成分的半导体材料，即，从AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP中选择的任意一个或者多个材料形成。
当第一导电半导体层242a是n型半导体层时，第一导电掺杂物可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se、以及Te的n型掺杂物。第一导电半导体层242a可以具有单层或者多层形式，而不限于此。
有源层242b被布置在第一导电半导体层242a和第二导电半导体层242c之间并且可以包括单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱结构、量子点结构以及量子线结构中的任意一个。
有源层242b是由III-V族化合物半导体形成并且包括具有AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、以及GaP(InGaP)/AlGaP中的任意一个或者多个的对结构的阱层和势垒层，但是不限于此。这时，阱层可以是由具有比势垒层的能带隙小的能带隙的材料形成。
第二导电半导体层242c可以是由化合物半导体形成。第二导电半导体层242c可以是由诸如III-V族或者II-VI族化合物半导体形成并且可以被掺杂有第二导电掺杂物。第二导电半导体层242c可以是例如具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的成分的半导体材料，即，从AlGaN、GaNAlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP当中选择的任意一个或者多个材料形成。
当第二导电半导体层242c是p型半导体层时，第二导电掺杂物可以是诸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的p型掺杂物。第二导电半导体层242c可以具有单层或者多层形式，而不限于此。
虽然未被图示，但是电子阻挡层可以被布置在有源层242b和第二导电半导体层242c之间。电子阻挡层可以具有超晶格结构。例如，超晶格结构可以包括掺杂有第二导电掺杂物的AlGaN层，或者可以包括被交替地布置的具有不同的铝构成比的多个GaN层。
光传输导电层245被布置在第二导电半导体层242c上。光传输导电层245可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铟锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、IZO氮化物(IZON)、Al-GaZnO(AGZO)、In-GaZnO(IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铱(IrOx)、氧化钌(RuOx)、氧化镍(NiO)、RuOx/ITO、以及Ni/IrOx/Au(金)中的至少一个。另外，当考虑到第二电极244b和第二导电半导体层242c之间的不良接触提供光传输导电层245时，电流可以通过第二电极244b被均匀地供应到整个第二导电半导体层242c。
为了将第一电极244a布置在第二导电半导体层242a上，通过蚀刻光传输导电层245、第二导电半导体层242c、有源层242b以及第一导电半导体层242a的部分可以暴露第一导电半导体层242a的表面的一部分。正因如此，第一电极244a可以被布置在暴露的表面部分上。
钝化层248可以被形成在发光结构242周围。钝化层248可以是由绝缘材料形成。绝缘材料可以是非导电氧化物或者氮化物。例如，钝化层248可以是由氧化硅层、氮氧化物层、或者氧化铝层形成。另外，如示例性地图示的，钝化层248没有被形成在第一电极244a和第二电极244b被布置的区域中。
发光器件240的第一电极244a和第二电极244b可以经由导电粘合剂310和320电气地接触第一引线框架220a和第二引线框架220b。导电粘合剂310和320可以是由诸如例如，银(Ag)、金(Au)或者焊料的导电材料形成。
腔体可以被填充有包围发光器件240的模制部件260。模制部件260可以包括基于硅或者环氧的物质并且可以包含荧光体265。荧光体265可以通过从有源层242b发射的具有第一波长的光激励，从而发射比第一波长长的第二波长的光。
如上所述的模制部件260可以是由与封装主体210相同的材料形成并且，因此，假定在没有裂缝的产生的情况下的界面间结合。
导电粘合剂310和320可以是由焊料或者任何其他导电材料形成并且可以在被图示的其中心区域处具有最小的宽度。在此，当导电粘合剂310和320具有圆形的水平截面时宽度可以意指直径，并且当导电粘合剂310和320具有正方形的水平截面时可以意指长度。
另外，发光器件240的高度h03可以是在大约100μm至200μm的范围内，并且导电粘合剂310和320的高度h04可以是发光器件240的高度h03的30％至50％，即，在大约30μm至100μm的范围内。
图4A和图4B是图示图3的导电粘合剂的实施例的视图。虽然一个导电粘合剂320、第二引线框架320以及第二电极244b被图示，但是下面的描述可以被应用于其他导电粘合剂310、第一引线框架220a以及第一电极244a。
在图4A中图示的实施例中，导电粘合剂320包括第一部分321和第二部分322。基于具有最小的宽度的焊料320的中心区域，朝着第二引线框架220b的部分可以被称为第一部分321并且朝着第二电极244b的部分可以被称为第二部分322。
如上所述的第一部分321和第二部分322可以是由相同的材料形成，并且中心区域可以是第一部分321和第二部分322彼此汇合的区域。
第一部分321的高度h1可以大于第二部分322的高度h2。第一部分321的末端可以接触第二引线框架220b并且第二部分322的末端可以接触第二电极244b。这时，接触第二引线框架220b的第一部分321的末端的宽度W1可以大于接触第二电极244b的第二部分322的末端的宽度W2。为了在如下面描述的结合过程期间稳定地支撑发光器件，优点在于，体积，即，第一部分331的高度h1和宽度W1大于体积，即，第二部分322的高度h2和宽度W2。
在图4B中图示的实施例中，虽然导电粘合剂320包括如在图4A的实施例中的第一部分321和第二部分322，但是第一部分321和第二部分322的形状可以不同于图4A的实施例的形状。
在图4A的实施例中，第一部分321和第二部分322中的每个可以在接触第二引线框架220b或者第二电极244b的末端处具有最大的宽度W1或者W2并且可以在宽度上被逐渐地减少以在中心区域处具有最小的宽度W0。
另一方面，在图4B的实施例中，第一部分321可以在其接触第二引线框架220b的末端处具有宽度W12，并且第二部分322可以在接触第二电极244b的末端处具有宽度W22。第一部分321和第二部分322中的每个的宽度可以从宽度W12或者W22被增加并且然后被减少使得导电粘合剂320的中心区域具有最小的宽度W0。
如在下面将会描述的，第一部分321和第二部分322被单独地应用于发光器件240的第二引线框架220b和第二电极244b并且然后经由结合工艺被相互耦合使得接触第二引线框架220b的第一部分321的末端的宽度W12和接触第二电极244b的第二部分322的末端的宽度W22大于第一部分321和第二部分322的结合表面的宽度。因此，导电粘合剂320可以在其中心区域处具有最小的宽度W0。在此，当第一部分321和第二部分322相互接触时，在第一部分321和第二部分322的接触表面处可能产生可能引起电气连接缺陷的空隙。导电粘合剂320的中心区域提供有最小的宽度W0可以最小化当第一部分321和第二部分322相互接触时引起的空隙的产生。
另外，根据中心区域的宽度W0的量级，在第一部分321和第二部分322的结合时在第一部分321和第二部分322之间的附着力可以被增加，或者在第一部分321和第二部分322之间的界面处的空隙的去除效率可以变化。当中心区域的宽度W0过多地小时，结合面积被减少，导致附着力劣化。因此，考虑到第一部分321和第二部分322的高度和宽度，通过调节在第一部分321和第二部分322的结合时施加的压力，可以确定第一区域321和第二区域322被相互结合的中心区域的宽度W0。
另外，根据当第一部分321和第二部分322分别被应用于发光器件240上的第二引线框架220b和第二电极244b或者其他环境条件时施加的压力，第一部分321和第二部分322中的每个可以在接触如在图4A中示例性地图示的第二引线框架220b或者第二电极244b的末端处具有最大的宽度W1或者W2，或者第一部分321和第二部分322中的每个与如在图4B中示例性地图示的其中心区域处的宽度W11或者W21相比在接触第二引线框架220b或者第二电极244b的末端处具有最小的宽度W12或者W22。
在此，其中第一部分321的宽度W12和第二部分322的宽度W22分别小于第一部分321的中心区域的宽度W11和第二部分322的中心区域的宽度W21的上述结构允许在第一部分321和第二部分322的结合之后第一部分321和第二部分322的末端被稳定地连接到第二引线框架220b和第二电极244b。
换言之，在第一部分321和第二部分322的结合时通过施加到第一部分321和第二部分322的压力第一部分321的宽度W12和第二部分322的宽度W22可以被增加超出第二引线框架220b和第二电极244b的宽度，可能引起第一部分321和第二部分322被连接到第二引线框架220b和第二电极244b的外围。因此，通过形成第一部分321和第二部分322使得第一部分321的宽度W12和第二部分322的宽度W22分别小于第一部分321的中心区域的宽度W11和第二部分322的中心区域的宽度W21，当导电粘合剂320在第一部分321和第二部分322的结合时通过施加到第一部分321和第二部分322的压力伸展时能够防止第一部分321和第二部分322伸展超出第二引线框架220b和第二电极244b的宽度。
以这样的方式，当第一部分321和第二部分322被连接到第二引线框架220b和第二电极244b时，第一部分321和第二部分322可以被保持在比第二引线框架220b和第二电极244b的宽度小的宽度，其允许第一部分321和第二部分322以被稳定地连接到第二引线框架220b和第二电极244b。
这时，尽管具有最大的宽度的第一部分321和第二部分322中的每个的区域可以被称为中心区域，但是中心区域没有被精确地布置在第一部分321和第二部分322中的每个的垂直方向中的中心处，但是不限于此。
在本实施例中，接触第一引线框架220b的导电粘合剂320的第一部分的末端的宽度W12可以小于第一部分321的中心区域的宽度W11并且大于导电粘合剂320的中心区域的宽度W0。
另外，接触第二电极244b的导电粘合剂320的第二部分322的末端的宽度W22可以小于第二部分322的中心区域的宽度W21并且大于导电粘合剂320的中心区域的宽度W0。
在图4A和图4B的实施例中，导电粘合剂可以被形成使得下面的第一部分和上面的第二部分被相互耦合，用作第一部分和第二部分的耦合界面的导电粘合剂的中心区域可以具有最小的宽度，并且第一部分和第二部分的形状可以在各自的实施例中被改变。
图5A至图5C是图示形成图4A的导电粘合剂的过程的视图。
在图5A中，导电粘合剂的第一部分321被施加到第二引线框架220b并且导电粘合剂的第二部分322被施加到第二电极244b。第一部分321的高度h3和宽度W1可以大于第二部分322的高度h4和宽度W2。另外，第一部分321的尺寸可以大于第二部分322的尺寸，因为第二电极244b上的第二部分322将会被结合到第二引线框架220b上的第一部分321。
在第一部分321被施加到第二引线框架220b并且第二部分322被施加到第二电极244b的情况下，优点在于，体积，即，第一部分331的高度h3和宽度W1大于体积，即，第二部分322的高度h4和宽度W2，以便于在图5的结合工艺中稳定地支撑发光器件。
同时，在第一部分321和第二部分322中可能产生间隙。具体地，当温度下降时可以在被图示的表面的附近产生间隙。
然后，如在图5B中所示例性地图示的，当第一部分321和第二部分322被熔化并且相互耦合时第一部分321和第二部分322可以被相互结合。
在其耦合或者熔化期间第一部分321和第二部分322可以具有比图5A的高度h3和h4小的高度h3’和h4’等于图5A的宽度的宽度W1和W2。
因为覆盖的发光器件接收诸如例如在第一部分321和第二部分322的耦合或者熔化期间朝着下面的第一和第二引线框架施加的力，所以高度h3’和h4’可以小于图5A的高度h3和h4并且宽度W1和W2可以等于图5A的宽度。
图5C图示在第一部分321和第二部分322的耦合结束之后的导电粘合剂320，并且导电粘合剂320可以具有与图4A的导电粘合剂320相同的形状。
即，第一部分321和第二部分322被相互耦合并且在第一部分321和第二部分322之间的界面可以是具有最小的宽度W0的中心区域。当在第一部分321和第二部分322的耦合期间施加热时，表面的一些导电材料被熔化并且然后被重新组合，这造成空隙的去除。以这样的方式，导电粘合剂，更加具体地，其中心区域可以具有无空隙的结构。
虽然在上述工艺中导电粘合剂被配置成两个单独的部分，但是导电粘合剂可以被划分成三个或者更多个部分，这可以增加导电粘合剂的高度并且减少对发光器件的应力的传递。
通过上述工艺制造的发光器件封装可以实现改进的结合可靠性，因为施加到引线框架的第一部分和施加到电极的第二部分被相互耦合以形成导电粘合剂。另外，由于在导电粘合剂中的间隙的去除通过上述工艺制造的发光器件封装可以实现改进的发光效率并且可以减少传递到由GaN基材料形成的发光结构的冲击，因为由两个部分组成并且具有比现有技术的大的厚度的导电粘合剂能够减轻通过使用具有不同的热膨胀系数的材料引起的应力。
图6是图示发光器件封装的第二实施例的平面图。图6图示发光器件封装的上表面。图7是沿着图6中图示的发光器件封装的线A-A’截取的截面图。
参考图7，发光器件封装可以包括封装主体430、发光器件420、第一引线框架410a、第二引线框架410b、以及导电粘合剂450。
封装主体430可以具有腔体440和形成在腔体440的底部中的至少一个凹槽460。
封装主体430可以是由硅材料或者合成树脂材料形成，并且可以是由热固性树脂形成。例如，热固性树脂可以是环氧树脂模塑料(EMC)。当热固性树脂被使用时，诸如例如分裂的损坏可能被抑制，这可以有效地减少封装主体430的热变形、附着力劣化和变黄。
在封装主体430是由白色硅或者白色环氧树脂模塑料形成的情况下，经由从发光器件420发射的光的反射率的增加能够完成增强的发光强度。
通过底部和侧墙可以限定封装主体430的腔体440。封装主体430可以包括限定腔体430的侧墙和底部的一部分的第一区域430a和在第一引线框架410a和第二引线框架410b之间的第二区域430b。
当从顶部看到时腔体440可以具有圆形、椭圆形、或者多边形(例如，矩形)形状。
腔体440可以具有弯曲的拐角，并且腔体440的侧墙可以垂直于腔体440的底部或者相对于腔体440的底部倾斜。腔体440的侧墙用作反射表面以朝着发光器件封装的上表面反射从发光器件420发射的光。单独的反射构件(未图示)可以被设置在腔体440的底部上以反射从发光器件420发射的光使得增强发光效率，而不限于此。
凹槽460可以被形成在限定在封装主体430中的腔体440的底部中。凹槽460可以被布置在腔体440的中心处。
发光器件420可以被放置在凹槽460处并且可以被布置在凹槽460上方。
如在图7中所示例性地图示的，在凹槽460中，第一引线框架410a和第二引线框架410b可以在与封装主体430的厚度方向不同的水平方向中被相互分开。
第一引线框架410a和第二引线框架410b可以包括金属基板并且用作支撑布置在第一和第二引线框架410a和410b上的发光器件420并且将电气信号发送到发光器件420。第一引线框架410a和第二引线框架410b可以是例如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)或者钛(Ti)形成并且具有单层或者多层形式，而不限于此。
第一引线框架410a和第二引线框架410b可以在水平方向中被相互分开了0.1mm或者更大的距离d2。当距离d2低于0.1mm时，形成在各自的引线框架410上的导电粘合剂450被布置为彼此靠近，这可能引起电气短路。
第一引线框架410a和第二引线框架410b可以向外辐射在发光器件420中产生的热并且反射从发光器件420发射的光使得增加发光效率。单独的反射构件(未被图示)可以被布置在第一引线框架410a和第二引线框架410b上以反射从发光器件420发射的光使得增加发光效率，而不限于此。
同时，导电粘合剂450可以被布置在发光器件420和第一和第二引线框架410a和410b之间。
导电粘合剂450可以用作相互结合发光器件420和第一和第二引线框架410a和410b并且将其电连接到外部电路。导电粘合剂450可以具有第一高度h2-a。
导电粘合剂450可以包括由用作溶剂的焊剂和导电粉组成的焊膏。导电粘合剂450的第一高度h2-a可以根据焊膏的粘性和焊剂的数量而变化。第一高度h2-a可以在30μm至100μm的范围内并且，更加具体地，在30μm至50μm的范围内。
导电粘合剂450用作相互结合引线框架410a和410b和发光器件420并且在用作溶剂的焊剂的去除之后当其厚度是在30μm至50μm的范围内时可以具有最好的附着力。当导电粘合剂450的厚度是低于30μm时，导电粘合剂450不能够实现所要求的附着力。当导电粘合剂450的厚度超过100μm时，发光器件420可以在施加焊膏之后在回流工艺中偏离其固定的位置。
参考图7，凹槽460的高度h1-a可以在30μm至100μm的范围内。当凹槽460的深度h1-a低于30μm时，凹槽460不能够防止在导电粘合剂450的形成时焊膏流入发光器件420的外围。当凹槽460的深度h1-a超过100μm时，凹槽460的深度h1-a可以大于导电粘合剂450的高度h2-a，这使其对于导电粘合剂450来说不能够相互连接发光器件420和第一和第二引线框架410。
水平方向中的凹槽460的第一宽度w1-a可以是水平方向中的发光器件420的第二宽度w2-a的0.9倍或者更多和1.1倍或者更少。
参考图7，水平方向中的凹槽460的第一宽度w1-a可以小于水平方向中的发光器件的第二宽度w2-a，并且第一宽度w1-a可以是第二宽度w2-a的至少0.9倍或者更多。
在其中凹槽460的第一宽度w1-a小于发光器件420的第二宽度w2-a的实施例中，更加具体地，第一宽度w1-a低于第二宽度w2-a的0.9倍，与发光器件420相比导电粘合剂450可以在截面面积中被减少，这可能劣化在发光器件420和第一和第二引线框架410之间的粘合强度。
图8是图示发光器件封装的第三实施例的平面视图，图9是图示发光器件封装的第四实施例的平面视图，并且图10是图示发光器件封装的第五实施例的平面视图。
在此将会省略与上面描述的实施例的相同的配置的重复描述并且下面的描述将会集中于不同。
在如在图8中示例性地图示的发光器件封装的第三实施例中，凹槽460的第三宽度w1-b可以大于发光器件420的第二宽度w2-b并且第一宽度w1-b可以是最多1.1倍或者更少。
在凹槽460的第一宽度w1-b大于发光器件420的第二宽度w2-b，更加具体地，第一宽度w1-b超过第二宽度w2-b的1.1倍的情况下，暴露在发光器件420的周围的导电粘合剂的面积被增加，这可能劣化发光效率。
虽然在图8中未被图示，在发光器件封装的实施例中，在发光器件420的厚度方向中从发光器件420的侧边缘延伸的第一虚拟垂直线可以与在厚度方向中从凹槽460的边界延伸的第二虚拟垂直线重叠。例如，发光器件420和凹槽460可以具有相同的水平宽度。
参考图8和图9，腔体440可以具有提供有凹槽460的第一底表面445a和与第一底表面445a相邻的第二底表面445b。例如，第一底表面445a可以是凹槽460的底表面。导电粘合剂450可以被布置在第一底表面445a上。
第一引线框架410a和第二引线框架410b可以在厚度方向中穿透封装主体430并且从第一底表面445a的一部分被暴露。第一引线框架410a和第二引线框架410b可以被相互分开使得被相互电气地分离。第一引线框架410a和第二引线框架410b可以通过封装主体430的第二区域430b被相互分离。
参考图8中图示的实施例，第一引线框架410a和第二引线框架410b可以从在第一底表面445和第二底表面445b之间的边界水平地分开以从而被暴露。
例如，在图8中图示的实施例中，凹槽460可以通过在第一底表面445a和第二底表面445b之间的台阶部分被限定并且台阶部分可以被形成在腔体440的底表面的封装主体430的区域处。
通过注入模制可以获取在封装主体430处形成的台阶部分使得与腔体440的第二底表面445b相对应的封装主体430的第一区域430a的一部分被布置为高于剩余部分。
在图9中图示的发光器件封装的第四实施例中，在第一底表面445a和第二底表面445b之间的边界可以接触暴露的第一和第二引线框架410a和410b。
例如，与封装主体430的第一区域430a相邻的第一引线框架410a的侧部分可以接触在第一底表面445a和第二底表面445b之间的边界。即，限定图9的实施例中的凹槽460的在第一底表面445a和第二底表面445b之间的台阶部分可以被形成在封装主体430的第一区域430a接触第一引线框架410a和第二引线框架410b的平面处。
通过在第一底表面445a和第二底表面445b之间的台阶部分限定的凹槽460可以被形成使得与封装主体430的第一底表面445a和第二底表面430b相对应的第一和第二引线框架410被布置为低于第二底表面445b。
参考图示发光器件封装的第五实施例的图10，腔体440的第一底表面445a可以包括与在第一引线框架410a和第二引线框架410b之间的封装主体的第二区域430b相对应的第一区域445a-1、和除了第一区域445a-1之外的剩余第二区域445a-2。第一底表面445a的第一区域445a-1可以比第二区域445a-2突出。
例如，第一区域445a-1从第二区域445a-2的突出高度h3-a可以是在30μm至100μm的范围内。当突出高度h3-a低于30μm时，这可能引起分别形成在第一引线框架410a和第二引线框架410b上的导电粘合剂450的不充分的分离。当突出高度h3-a超过100μm时，从发光器件430发射的光的散射或者吸收可能出现，从而引起发光效率的劣化。
通过上述工艺制造的发光器件封装可以包括形成在腔体的底部中的凹槽以防止导电粘合剂流出凹槽并且突出到发光器件的外围，这可以减少封装的光损耗。
图11是图示发光器件封装的第六实施例的平面视图。
参考图11，发光器件封装可以包括封装主体530、发光器件520、第一引线框架510a、第二引线框架510b、以及导电粘合剂550。
封装主体530可以具有腔体540和形成在腔体540的底部中的至少一个凹槽560。
封装主体530可以是由硅材料或者合成树脂材料形成，并且可以是由热固性树脂形成。例如，热固性树脂可以是环氧树脂模塑料(EMC)。当热固性树脂被使用时，诸如例如分裂的损坏可能被抑制，这可以有效地减少封装主体430的热变形、附着力劣化和变黄。
在封装主体530是由白色硅或者白色环氧树脂模塑料形成的情况下，经由从发光器件520发射的光的反射率的增加能够完成增强的发光强度。
通过底部和侧墙可以限定封装主体530的腔体540。封装主体530可以包括限定腔体540的侧墙和底部的一部分的第一区域530a和在第一引线框架510a和第二引线框架510b之间的第二区域530b。
当从顶部看到时腔体540可以具有圆形、椭圆形、或者多边形(例如，矩形)。
腔体540可以具有弯曲的拐角，并且腔体540的侧墙可以垂直于腔体440的底部或者相对于腔体440的底部倾斜。腔体540的侧墙用作反射表面以朝着发光器件封装的上表面反射从发光器件520发射的光。单独的反射构件(未被图示)可以被设置在腔体540的底部上以反射从发光器件520发射的光使得增强发光效率，而不限于此。
凹槽560可以被形成在限定在封装主体530中的腔体540的底部中。凹槽560可以被布置在腔体540的中心处。
发光器件520可以被放置在凹槽560处并且可以被布置在凹槽560上方。
如在图11中所示例性地图示的，在凹槽560中，第一引线框架510a和第二引线框架510b可以在不同于封装主体530的厚度方向的水平方向中被相互分开。
同时，导电粘合剂550可以被布置在发光器件520和第一和第二引线框架510a和510b之间。
导电粘合剂550可以用作相互结合发光器件520和第一和第二引线框架510a和510b以将其电连接到外部电路。另外，导电粘合剂550可以是由诸如例如银(Ag)、金(Ag)或者焊料的导电材料形成。
在此，每个导电粘合剂550可以具有如图示的中心区域并且通过布置在其间的中心区域被划分成第一部分和第二部分。导电粘合剂550的中心区域可以具有最小的宽度。在此，宽度可以意指当导电粘合剂550具有圆形的水平截面的直径并且可以意指当导电粘合剂550具有正方形的截面时的长度。
另外，导电粘合剂可以具有与在图4A至图5C中所图示的形状或者结构并且被布置在发光器件和第一和第二引线框架之间。虽然在图7至图11中图示的实施例的导电粘合剂被图示为接触第一引线框架和第二引线框架的导电粘合剂的接触表面的宽度等于第一引线框架和第二引线框架的宽度，如在图4A至图5C中示例性地图示，但是导电粘合剂可以被布置使得接触第一引线框架和第二引线框架的导电粘合剂的接触表面的宽度小于第一引线框架和第二引线框架的宽度。
实施例的发光器件封装可以具有倒装芯片结合结构。
如上所述的发光器件封装包括形成在腔体的底部中的凹槽以防止粘合剂流出凹槽并且突出到发光器件的外围，这可能减少封装的光损耗。另外，如上所述的发光器件封装可以实现由于布置在引线框架和发光器件的电极之间的导电粘合剂的中心区域的最小的宽度的改进的结合可靠性，可以通过导电粘合剂的空隙的去除实现增强的发光效率，并且可以减少被传递到由GaN基材料形成的发光结构的冲击，因为由两个部分组成并且具有比现有技术大的厚度的导电粘合剂可以减轻通过使用具有不同的热膨胀系数的材料造成的应力。
在下文中，将会描述图像显示设备和照明设备作为提供有如上所述的发光器件封装的照明系统的一个实施例。
图12是图示图像显示设备的一个实施例的视图。
如在图12中示例性地图示的，本实施例的图像显示设备700包括光源模块、在底盖710上的反射体720、布置在反射体720的前面以引导从光源模块发射的光、图像显示设备70的转发的导光面板740、布置在导光面板740的前面的第一棱镜片750和第二棱镜片760、布置在第二棱镜片760的前面中的面板770、以及布置在面板770的前面的滤色片780。
光源模块可以包括在电路板730上的发光器件封装735。在此，电路板730可以是PCB，例如，并且发光器件封装735是如上所述。
底盖710可以容纳图像显示设备700的组成元件。反射体720可以是如在图12中示例性地图示的单独的元件，或者可以是被涂覆在导光面板740的后表面或者底盖710的前表面上的高反射率的材料。
反射体720可以是由具有高反射率的材料形成并且被形成为超薄的形状。反射体720可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。
导光板740可以扩散从光源发射的光以允许光被均匀地分布在图像显示设备100的整个屏幕。因此，导光板740可以是由具有良好的折射率和光透射率的材料，例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、或者聚乙烯(PE)形成。另外，当导光板740被省略时，空气引导型显示设备可以被实现。
第一棱镜片750包括支撑膜和形成在支撑膜的一个表面上的透光弹性聚合体材料。聚合体材料可以形成其中多个三维图案被重复的棱镜层。在此，多个图案可以是由被图示的重复地形成的山脊和山谷组成的带状图案。
形成在第二棱镜片760的支撑膜的一个表面上的山脊和山谷的方向可以垂直于形成在第一棱镜片750的支撑膜的一个表面上的山脊和山谷的方向。这允许从光源模块和反射体发射的光被均匀地分布在整个面板770上。
在本实施例中，第一棱镜片750和第二棱镜片760用作光学片。作为光学片的其他组合、微透镜阵列、扩散片和微透镜阵列的组合、或者单个棱镜片和微透镜阵列的组合可以被提供。
面板770可以是液晶显示面板，或者可以是要求光源的其他种类的显示装置。
面板770包括布置在玻璃主体之间的液晶，并且偏振器被布置在用于光的极性的利用的整个玻璃主体上。在此，液晶具有在液体和固体之间的中间的特性，并且是具有像液体一样的流动性的有机分子。因此，面板770使用液晶的特性显示图像，其中通过外部电场来改变有规则的分子排列。
在显示设备中使用的液晶显示面板是有源矩阵型并且采用晶体管作为开关以调节要被供应到每个像素的电压。
滤色片879可以被布置在面板770的前表面上以基于每个像素仅透射在从面板770发射的光当中的红、绿、以及蓝光，从而使能够进行图像的显示。
图13是图示包括发光器件封装的照明设备的一个实施例的视图。
本实施例的照明设备可以包括盖1100、光源模块1200、辐射体1400、电源单元1600、内壳1700和插座1800。另外，根据本实施例的照明设备可以进一步包括构件1300和固定器1500中的至少一个，并且光源模块1200可以包括根据上述实施例的发光器件封装。
盖110可以采用具有开口的中空灯泡或者半球的形式。盖1100和光源模块1200可以被相互光学地耦合。例如，盖110可以扩散、散射、或激励从光源模块1200发射的光。盖1100可以是光学构件。盖1100可以被耦合到辐射体1400，并且可以具有用于耦合辐射体1400的耦合部分。
盖1100的内表面可以被涂覆有象牙白涂料。象牙白涂料可以包含扩散体以扩散光。盖1100的内表面的表面粗糙度可以大于盖1100的外表面的表面粗糙度。这用作充分地散射和扩散从光源模块1200发射的光使得将光发射到外部。
盖1100可以是由例如玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)、以及聚碳酸酯(PC)形成。在此，聚碳酸酯优点在于，实现优异的耐光性、耐热性和机械强度。盖1100可以是透明的使得能够从外部看到光源模块1200，或可以是不透明的。盖1100可以经由吹气模制被形成。
光源模块1200可以被布置在辐射体1400的表面上。因此，来自于光源模块1200的热被传递到辐射体1400。光源模块1200可以包括多个发光器件封装1210、连接板1230、以及连接器1250。
构件1300可以被布置在辐射体1400的上表面上，并且具有用于发光器件封装1210和连接器1250的插入的导向凹槽1310。导向凹槽1310以一对一的比率对应于发光器件封装1210和连接器1250的板。
反射材料可以被应用到构件1200的表面或者涂覆在构件1200的表面上。例如，白色涂料可以被应用到构件1300的表面或者涂覆在构件1300的表面上。构件1300反射将从盖1100的内表面反射到光源模块1200的光，以使光返回到盖1100。正因如此，根据本实施例的照明设备可以实现增强的光效率。
构件1300可以是由例如绝缘材料形成。光源模块1200的连接板可以是由导电材料形成。正因如此，在辐射体1400和连接板1230之间的电气接触可以被完成。构件1300可以是由绝缘材料形成以防止在连接板1230和辐射体1400之间的电气短路。辐射体1400可以辐射来自于光源模块1200的热和来自于电源单元1600的热。
固定器1500被配置成靠近通过内壳体1700的绝缘部分1710限定的容纳凹槽1719。正因如此，容纳在内壳体1700的绝缘部分1710内部的电源单元1600被气密地密封。固定器1500具有导向突出部1510。导向突出部1510具有用于电源单元1600的突出部1610的穿透的孔。
电源单元1600处理或者转换外部电信号以将其发送到光源模块1200。电源单元1600被容纳在内壳体1700的容纳凹槽1719中，并且被气密地密封在内壳体1700中。电源单元1600可以包括突出部1610、导向部分1630、基底1650、以及延伸部分1670。
导向突出部1630被配置成从基底1650的一侧向外突出。导向部分1630可以被插入到固定器1500中。多个元件可以被布置在基底1650的一个表面上。元件，例如，可以是DC转换器，其将来自于外部电源的AC电力转换成DC电力；驱动芯片，其控制光源模块1200的驱动；以及静电放电防止元件，其保护光源模块1200，但是不限于此。
延伸部分1670被配置成从基底1650的另一侧向外突出。延伸部1670被插入到内壳体1700的连接部分1750以接收来自于外部来源的电气信号。例如，延伸部1670的宽度可以等于或者小于内壳体1700的连接部分1750的宽度。延伸部1670可以被电连接到正电线或者负电线的一端，并且正电线或者负电线的另一端可以被电连接到插座1800。
内壳体1700可以在其中包括模制部件以及电源单元1600。模制部件是由硬化的模制液体形成，并且可以用作固定内壳体1700内的电源单元1600。
如从上面的描述中显然的是，根据上述实施例中的任意一个的发光器件封装具有实现改进的结合可靠性的效果，因为施加到引线框架的第一部分和施加到电极的第二部分被相互耦合以形成导电粘合剂，具有实现由于导电粘合剂的空隙的去除的改进的发光效率的效果，并且具有减少传递到由GaN基材料形成的发光结构的冲击，因为由两个部分组成并且具有比现有技术的大的厚度的导电粘合剂能够减轻通过使用具有不同的热膨胀系数的材料引起的应力。
另外，通过在腔体的底部中提供凹槽，发光器件封装可以具有防止导电粘合剂流出凹槽并且防止突出到发光器件的外围的效果，这可以减少封装的光损耗。
虽然已经参考其多个说明性实施例而描述了本发明的实施例，但是应当理解，本领域内的技术人员可以设计落在本公开的原理的精神和范围内的多个其他变型和实施例。更具体地，在本公开、附图和所附的权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改是可能的。除了在组成部件和/或布置中的变化和修改之外，替代物的使用对于本领域内的技术人员也是显而易见的。

Claims (10)

1.一种发光器件封装，包括：
封装主体；
第一引线框架和第二引线框架，所述第一引线框架和所述第二引线框架被布置在所述封装主体上；以及
发光器件，所述发光器件经由各自的导电粘合剂被电连接到所述第一引线框架和所述第二引线框架，
其中，所述导电粘合剂中的至少一个在其中心区域处具有最小的宽度。
2.根据权利要求1所述的封装，其中，导电粘合剂中的每个被划分成第一部分和第二部分，以及所述中心区域被布置在所述第一部分和所述第二部分之间。
3.根据权利要求2所述的封装，其中，所述导电粘合剂的第一部分的末端接触所述第一引线框架和所述第二引线框架中的一个并且所述导电粘合剂的第二部分的末端接触所述发光器件的第一电极或者第二电极。
4.根据权利要求2所述的封装，其中，所述第一部分具有比所述第二部分的高度高的高度。
5.根据权利要求3所述的封装，其中，与所述第一引线框架和所述第二引线框架中的一个接触的导电粘合剂的第一部分的末端具有比与所述发光器件的第一电极或者第二电极接触的第二部分的末端的宽度大的宽度。
6.根据权利要求3所述的封装，其中，与所述第一引线框架和所述第二引线框架中的一个接触的导电粘合剂的第一部分的末端具有比所述导电粘合剂的第一部分的中心区域的宽度小的宽度。
7.一种发光器件封装，包括：
封装主体，所述封装主体包括腔体和在所述腔体的底部中形成的至少一个凹槽；
发光器件，所述发光器件被布置在所述凹槽上；
第一引线框架和第二引线框架，所述第一引线框架和第二引线框架在与所述凹槽中的封装主体的厚度方向不同的水平方向中相互分开；以及
导电粘合剂，所述导电粘合剂被布置在所述发光器件与所述第一引线框架和所述第二引线框架之间，
其中，所述腔体包括提供有所述凹槽的第一底表面和与所述第一底表面相邻的第二底表面，以及
其中，所述导电粘合剂被布置在所述第一底表面上。
8.根据权利要求7所述的封装，其中，所述第一引线框架和第二引线框架在所述厚度方向中穿透所述封装主体，并且从所述第一底表面被暴露。
9.根据权利要求8所述的封装，其中，暴露的第一和第二引线框架接触所述第一底表面和所述第二底表面之间的边界。
10.根据权利要求8所述的封装，其中，所述第一底表面具有在所述第一引线框架和所述第二引线框架之间布置的第一区域和用于暴露所述第一和第二引线框架的第二区域，以及所述第一区域比所述第二区域突出。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507897A (zh) * 2016-06-14 2017-12-22 三星电子株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN108075025A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 三星电子株式会社 发光器件封装件
CN110062962A (zh) * 2016-12-07 2019-07-26 日机装株式会社 光半导体装置
CN110391321A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装体及其制造方法
CN110859052A (zh) * 2018-06-11 2020-03-03 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件
CN111542930A (zh) * 2017-12-26 2020-08-14 晶元光电股份有限公司 发光装置、其制造方法及显示模组
CN113506849A (zh) * 2018-12-14 2021-10-15 新唐科技日本株式会社 半导体装置
JP7427888B2 (ja) 2019-01-31 2024-02-06 日本電気硝子株式会社 プリズム、光デバイス、プリズムの製造方法及びパッケージデバイスの製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9627583B2 (en) * 2012-02-15 2017-04-18 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP6139444B2 (ja) * 2014-03-18 2017-05-31 株式会社東芝 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果素子の製造方法及び磁気メモリ
DE102016122810A1 (de) * 2016-11-25 2018-05-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauteil mit einem lichtemittierenden halbleiterchip
US11677059B2 (en) 2017-04-26 2023-06-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting device package including a lead frame
KR102335216B1 (ko) 2017-04-26 2021-12-03 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지
WO2019018193A1 (en) * 2017-07-18 2019-01-24 Lumileds Llc LIGHT EMITTING DEVICE COMPRISING A CONNECTION GRID AND INSULATING MATERIAL
US10381534B2 (en) * 2017-07-18 2019-08-13 Lumileds Llc Light emitting device including a lead frame and an insulating material
KR20190019539A (ko) 2017-08-18 2019-02-27 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광소자 패키지
KR102641336B1 (ko) * 2017-09-05 2024-02-28 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
US11355679B2 (en) 2017-11-01 2022-06-07 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light-emitting device package and lighting source device
US10833233B2 (en) * 2018-02-20 2020-11-10 Epistar Corporation Light-emitting device having package structure with quantum dot material and manufacturing method thereof
CN108598249B (zh) * 2018-07-24 2019-09-24 厦门多彩光电子科技有限公司 一种led光源的封装方法
CN115312561A (zh) * 2019-12-24 2022-11-08 群创光电股份有限公司 电子装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574305A (zh) * 2003-06-16 2005-02-02 株式会社东芝 半导体装置及其组装方法
CN1684573A (zh) * 2004-04-13 2005-10-19 富士通株式会社 安装基片及电子元件的安装方法
US20070176186A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 San Bao Lin Light emitting device for enhancing brightness
CN101350321A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 晶科电子（广州）有限公司 直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法
US20090200663A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-13 Daubenspeck Timothy H Polymer and solder pillars for connecting chip and carrier
CN102593012A (zh) * 2011-01-14 2012-07-18 株式会社东芝 半导体装置的制造方法
US20130049039A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6369451B2 (en) * 1998-01-13 2002-04-09 Paul T. Lin Solder balls and columns with stratified underfills on substrate for flip chip joining
JP3757881B2 (ja) * 2002-03-08 2006-03-22 株式会社日立製作所 はんだ
WO2005093863A1 (en) * 2004-03-29 2005-10-06 Showa Denko K.K Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof
US7378297B2 (en) * 2004-07-01 2008-05-27 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Methods of bonding two semiconductor devices
US7847399B2 (en) * 2007-12-07 2010-12-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device having solder-free gold bump contacts for stability in repeated temperature cycles
US7642128B1 (en) * 2008-12-12 2010-01-05 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP
US8198131B2 (en) * 2009-11-18 2012-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages
KR101979942B1 (ko) * 2012-01-03 2019-05-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101926531B1 (ko) * 2012-05-24 2018-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 시스템
WO2014014298A1 (ko) * 2012-07-18 2014-01-23 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자의 제조 방법
JP6032414B2 (ja) * 2012-11-16 2016-11-30 東芝ライテック株式会社 発光モジュール
US9318674B2 (en) * 2013-02-05 2016-04-19 Cree, Inc. Submount-free light emitting diode (LED) components and methods of fabricating same
US9527723B2 (en) * 2014-03-13 2016-12-27 STATS ChipPAC Pte. Ltd. Semiconductor device and method of forming microelectromechanical systems (MEMS) package

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1574305A (zh) * 2003-06-16 2005-02-02 株式会社东芝 半导体装置及其组装方法
CN1684573A (zh) * 2004-04-13 2005-10-19 富士通株式会社 安装基片及电子元件的安装方法
US20070176186A1 (en) * 2006-01-27 2007-08-02 San Bao Lin Light emitting device for enhancing brightness
CN101350321A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 晶科电子（广州）有限公司 直接倒装于支架内的发光二极管的制造方法
US20090200663A1 (en) * 2008-02-11 2009-08-13 Daubenspeck Timothy H Polymer and solder pillars for connecting chip and carrier
CN102593012A (zh) * 2011-01-14 2012-07-18 株式会社东芝 半导体装置的制造方法
US20130049039A1 (en) * 2011-08-26 2013-02-28 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507897A (zh) * 2016-06-14 2017-12-22 三星电子株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN107507897B (zh) * 2016-06-14 2020-12-25 三星电子株式会社 发光器件封装件及其制造方法
CN108075025A (zh) * 2016-11-11 2018-05-25 三星电子株式会社 发光器件封装件
CN108075025B (zh) * 2016-11-11 2022-09-09 三星电子株式会社 发光器件封装件
CN110062962B (zh) * 2016-12-07 2022-05-24 日机装株式会社 光半导体装置
CN110062962A (zh) * 2016-12-07 2019-07-26 日机装株式会社 光半导体装置
CN111542930A (zh) * 2017-12-26 2020-08-14 晶元光电股份有限公司 发光装置、其制造方法及显示模组
CN110391321A (zh) * 2018-04-19 2019-10-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装体及其制造方法
CN110859052A (zh) * 2018-06-11 2020-03-03 首尔半导体株式会社 发光二极管封装件
US12113158B2 (en) 2018-06-11 2024-10-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN113506849A (zh) * 2018-12-14 2021-10-15 新唐科技日本株式会社 半导体装置
CN113506849B (zh) * 2018-12-14 2022-07-08 新唐科技日本株式会社 半导体装置
JP7427888B2 (ja) 2019-01-31 2024-02-06 日本電気硝子株式会社 プリズム、光デバイス、プリズムの製造方法及びパッケージデバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2950358A2 (en) 2015-12-02
EP3975272A1 (en) 2022-03-30
US9559278B2 (en) 2017-01-31
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US20150349225A1 (en) 2015-12-03

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