CN105304547B - 衬底处理装置及使用其的衬底处理方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种衬底处理装置和衬底处理方法。所述衬底处理装置包括布置在衬底上方的电极板和布置在所述电极板的边缘位置的弯曲框架。所述弯曲框架包括将沿着第一方向延伸的假想线为基准布置在所述假想线的两侧的第一框架和第二框架，并且通过调节所述第一框架与所述第二框架之间的角度以将所述衬底固定至所述电极板。

Description

衬底处理装置及使用其的衬底处理方法
技术领域
本发明涉及衬底处理装置及使用其的衬底处理方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)、太阳能电池以及半导体元件等的处理工艺包括气相沉积(vapor deposition)工艺、蚀刻(etching)工艺、溅射(sputtering)工艺等的多种处理工艺。
最近，随着衬底被大型化，正致力于研究均匀地处理衬底的装置及方法。
发明内容
本发明的实施方式提供能够均匀地处理衬底的衬底处理装置及使用其的衬底处理方法。
根据本发明的一实施方式的衬底处理装置包括固定上述衬底的电极板和弯曲上述衬底的弯曲框架。上述电极板被布置在上述衬底上方。上述衬底的上面被附接至上述电极板的一面。当在平面上查看时，上述电极板可被设置成具有沿着第一方向延伸的第一短边和第二短边以及沿着与上述第一方向垂直的第二方向延伸的第一长边和第二长边的矩形形状。
上述弯曲框架沿着上述电极板的边缘位置布置。当在平面上查看时，上述弯曲框架可被设置成矩形箍状。上述弯曲框架包括第一框架和第二框架，上述第一框架和上述第二框架以沿着上述第一方向延伸的假想线为基准布置在上述假想线的两侧。当在平面上查看时，上述假想线与上述电极板的一面的中央部重叠。
上述第一框架包括第一侧壁部和第一支承部，上述第一侧壁部对应于上述第一短边并且与上述电极板的一面垂直，上述第一支承部从上述第一侧壁部弯曲并延伸并且面对上述电极板的一面。此外，上述第一框架还包括第一延伸部和第二延伸部，上述第一延伸部和上述第二延伸部连接至上述第一侧壁部并且沿着上述第一长边和上述第二长边以上述第二方向延伸。
上述第二框架包括第二侧壁部和第二支承部，上述第二侧壁部对应于上述第二短边并且与上述电极板的一面垂直，上述第二支承部从上述第二侧壁部弯曲并延伸并且面对上述电极板的一面。此外，上述第二框架还包括第三延伸部和第四延伸部，上述第三延伸部和上述第四延伸部连接至上述第二侧壁部并且沿着上述第一长边和上述第二长边以与上述第二方向相反的方向延伸。
上述第一延伸部的一部分与上述第三延伸部的一部分在与上述假想线相遇的部分彼此重叠。此外，上述第二延伸部的一部分与上述第四延伸部的一部分在与上述假想线相遇的部分彼此重叠。
上述弯曲框架还包括连接件，上述连接件在上述第一框架和上述第二框架与上述假想线相遇的部分将上述第一框架连接至上述第二框架。在本发明的一实施方式中，上述连接件为铰链。
上述连接件分别被设置在上述第一延伸部与上述第三延伸部重叠的部分和上述第二延伸部与上述第四延伸部重叠的部分。
上述弯曲框架可以调节上述第一框架与上述第二框架之间的角度以弯曲上述衬底。
上述弯曲框架的上述第一延伸部与上述第三延伸部之间的第一角度可以为约90°以上且约270°以下。此外，上述弯曲框架的上述第二延伸部与上述第四延伸部之间的第二角度可以为约90°以上且约270°以下。
根据本发明的一实施方式的衬底处理装置还可以包括材料供给部，上述材料供给部将有机物质提供至上述衬底。上述材料供给部可以朝着固定于上述电极板的上述衬底的下部面提供上述有机物质。
根据本发明的一实施方式的使用上述衬底处理装置的衬底处理方法包括：移动电极板和弯曲框架的步骤；将衬底安置于沿着上述电极板的边缘位置布置的上述弯曲框架中的步骤；在使用上述弯曲框架弯曲上述衬底后将上述衬底的中央部分附接至上述电极板的步骤；使用上述弯曲框架将上述衬底的除了中央部分的剩余部分附接至上述电极板的步骤；和处理上述衬底的步骤。
在上述移动电极板和弯曲框架的步骤中，将位于第一位置的上述电极板和上述弯曲框架移动至使上述衬底位于上述电极板与上述弯曲框架之间的第二位置，其中上述第一位置位于上述衬底上方。
当上述电极板移动至上述第二位置时，上述弯曲框架被弯曲成使上述第一框架与上述第二框架连接的部分具有约90°以上且约180°未满的角度。由此，上述衬底可位于上述电极板与上述弯曲框架之间的空间中。
然后，当上述弯曲框架的被弯曲的部分被展开成使上述第一框架与上述第二框架连接的部分的角度为约180°时，上述衬底安置于上述弯曲框架中。
当上述弯曲框架被弯曲成使上述第一框架与上述第二框架连接的部分的角度为超过约180°且约270°以下时，上述衬底的中央部分被弯曲而被附接至上述电极板的一面。
当上述弯曲框架被弯曲成使上述第一框架与上述第二框架连接的部分的角度为约90°以上且约180°以下时，上述衬底的被弯曲的部分被展开而使上述衬底的除了中央部分的剩余部分被附接至上述电极板的一面。
然后，可以对固定于上述电极板的上述衬底的下部面执行沉积有机物质的处理工艺。
根据本发明的实施方式，可以平坦地固定衬底以将有机物质均匀地沉积到衬底表面。
附图说明
图1是根据本发明的一实施方式的衬底处理装置的立体图。
图2是根据本发明的一实施方式的衬底处理装置的正视图。
图3是根据本发明的一实施方式的弯曲框架的立体图。
图4是根据本发明的一实施方式的被弯曲的弯曲框架的立体图。
图5是根据本发明的一实施方式的被弯曲的弯曲框架的立体图。
图6a至图6e是依次示出使用衬底处理装置的衬底处理方法的正视图。
具体实施方式
本发明可以进行多种修改并且可以具有多种形态，因此将在附图中示出特定实施方式并在说明书中对其进行详细描述。然而，这并不旨在用特定公开形态限定本发明，而是应理解，本发明包括包含在本发明的精神和技术范围内的所有变形、等同物及替代物。
本申请中诸如“包括”或“具有”等的措辞应被理解为为了指定说明书中所记载的特征、数字、步骤、动作、构件、部件或它们的组合的存在，而不是提前排除一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、构件、部件或它们的组合的存在或附加可能性。此外，当层、膜、区域、板等的部分被称为在另一部分“上”时，不仅包括其“直接”位于另一部分“上”的情况而且还包括它们之间具有其他部分的情况。相反，当层、膜、区域、板等的部分被称为在另一部分“下”时，不仅包括其“直接”位于另一部分“下”的情况而且还包括它们之间具有其他部分的情况。
在整个附图中，类似的附图标记指示类似的构件。在附图中，为了本发明清楚起见，各结构的尺寸与实际相比被放大示出。虽然第一、第二等的措辞可被用于描述多种构件，但是构件并不限定于这些措辞。这些措辞仅用于将一个构件与另一构件区分开。例如，在不背离本发明的权利范围的情况下，第一构件可被称为第二构件，类似地，第二构件也可被称为第一构件。除非文中另有明确所指，否则单数的表述包括复数的表述。
下面，将参照附图对本发明的实施方式进行更加详细的描述。
图1是根据本发明的一实施方式的衬底处理装置的立体图，其中示出了衬底被固定至衬底处理装置之前的状态。
图2是根据本发明的一实施方式的衬底处理装置的正视图，其中示出了衬底被固定至衬底处理装置上的状态。
图3是根据本发明的一实施方式的弯曲框架的立体图。
参照图1至图3，根据本发明的一实施方式的衬底处理装置包括固定衬底SUB的电极板EP和弯曲上述衬底SUB的弯曲框架BF。
上述衬底SUB可以由玻璃、硅、金属、塑料等构成。上述衬底SUB可以是挠性衬底和非挠性衬底中的任一种。
上述衬底SUB可被设置成多种形状。在本发明的一实施方式中，上述衬底SUB被设置成具有一对短边和一对长边的矩形板状，并且在下面的描述中将上述短边的延伸方向表示为第一方向D1，将上述长边的延伸方向表示为第二方向D2。虽然在本发明的实施方式中上述衬底SUB被描述为矩形，但其并不限于此，上述衬底SUB可被设置成圆形或多边形等。
上述电极板EP被布置在上述衬底SUB上方。上述电极板EP可以通过静电引力附接至与上述电极板EP的一面相面对的上述衬底SUB的上面。
上述电极板EP可以由导电材料，例如，铝(Al)、铜(Cu)、铁(Fe)等构成。
上述电极板EP可被设置成具有彼此平行的两对边的矩形板状。当在平面上查看时，上述电极板EP具有沿着上述第一方向D1延伸的第一短边SS1和第二短边SS2、和沿着上述第二方向D2延伸的第一长边LS1和第二长边LS2。
上述电极板EP的宽度可被设置成与上述衬底SUB的宽度相等、或者比上述衬底SUB的宽度更大或更小。虽然在本发明的一实施方式中上述电极板EP被描述为矩形，但其并不限于此，上述电极板EP可被设置成圆形或多边形等。此外，即使是上述电极板EP的宽度被设置成大于或小于上述衬底SUB的宽度，只要上述衬底SUB能够被附接并固定至上述电极板EP，则不对其形状进行特别限定。
上述衬底处理装置还可以包括电极板驱动部(未示出)，上述电极板驱动部调节上述电极板EP的位置并向上述电极板EP施加电荷。
上述电极板驱动部(未示出)可以通过向上述电极板EP施加正电荷或负电荷以使上述衬底SUB带有负电荷或正电荷。其结果，上述电极板EP与上述衬底SUB之间作用有彼此拉动的引力以使上述衬底SUB附接至上述电极板EP的一面。
上述电极板驱动部(未示出)可被设置成有线或无线地连接至上述电极板EP。
上述弯曲框架BF沿着上述电极板EP的边缘位置布置。当在平面上查看时，上述弯曲框架BF可被设置成矩形箍状。然而，上述弯曲框架BF可以根据上述衬底SUB的形状设置成多边形、圆形等多种形状，但并不限于此。
上述弯曲框架BF支承上述衬底SUB，并且起到弯曲安置于上述弯曲框架BF中的上述衬底SUB的作用。上述衬底SUB可以通过上述弯曲框架BF被弯曲成使上述衬底SUB的一部分沿着第三方向D3或与上述第三方向D3相反的方向弯曲。
上述弯曲框架BF可以由金属、硅、塑料等构成。然而，只要上述弯曲框架BF能够支承并弯曲上述衬底SUB，则不对其材料进行特别限定。
上述弯曲框架BF包括第一框架F1和第二框架F2，上述第一框架F1和上述第二框架F2以沿着上述第一方向D1延伸的假想线IL为基准布置在上述假想线IL的两侧。当在平面上查看时，上述假想线IL与上述电极板EP的一面的中央部重叠。
上述第一框架F1可以包括第一侧壁部W1和第一支承部SP1。
上述第一侧壁部W1被设置成对应于上述电极板EP的上述第一短边SS1并且沿着与上述第三方向D3相反的方向延伸。
上述第一支承部SP1可被设置成从上述第一侧壁部W1弯曲并沿着上述第二方向D2延伸。上述第一支承部SP1可被设置成面对上述电极板EP的一面。
上述第一框架F1还包括第一延伸部EX1和第二延伸部EX2，上述第一延伸部EX1和上述第二延伸部EX2连接至上述第一侧壁部W1并沿着上述电极板EP的上述第一长边LS1和上述第二长边LS2在上述第二方向D2延伸。
上述第二框架F2可以包括第二侧壁部W2和第二支承部SP2。
上述第二侧壁部W2被设置成对应于上述电极板EP的上述第二短边SS2并且沿着与上述第三方向D3相反的方向延伸。上述第二侧壁部W2可被设置成与上述第一侧壁部W1彼此平行。
上述第二支承部SP2可被设置成从上述第二侧壁部W2弯曲并沿着与上述第二方向D2相反的方向延伸。上述第二支承部SP2可被设置成面对上述电极板EP的一面。
上述第二框架F2还包括第三延伸部EX3和第四延伸部EX4，上述第三延伸部EX3和上述第四延伸部EX4连接至上述第二侧壁部W2并沿着上述电极板EP的上述第一长边LS1和上述第二长边LS2在与上述第二方向D2相反的方向延伸。
在本发明的一实施方式中，上述第一延伸部EX1的一部分与上述第三延伸部EX3的一部分可在与上述假想线IL相遇的部分彼此重叠。在上述第一延伸部EX1与上述第三延伸部EX3彼此重叠的部分中上述第一延伸部EX1的外部面可以抵靠至上述第三延伸部EX3的内部面。或者与此相反地，上述第一延伸部EX1的内部面可以抵靠至上述第三延伸部EX3的外部面。
此外，上述第二延伸部EX2的一部分与上述第四延伸部EX4的一部分可在与上述假想线IL相遇的部分彼此重叠。在上述第二延伸部EX2与上述第四延伸部EX4彼此重叠的部分中上述第二延伸部EX2的内部面可以抵靠至上述第四延伸部EX4的外部面。或者与此相反地，上述第二延伸部EX2的外部面可以抵靠至上述第四延伸部EX4的内部面。
上述第一支承部SP1和上述第二支承部SP2位于上述衬底SUB的两端部的下部面处以起到支承上述衬底SUB的作用。此外，当上述弯曲框架BF被弯曲时，上述第一支承部SP1和上述第二支承部SP2可向上述衬底SUB的两端部施力以使上述衬底SUB弯曲。
上述弯曲框架BF还包括连接件LM，上述连接件LM在上述第一框架F1和上述第二框架F2与上述假想线IL相遇的部分将上述第一框架F1连接至上述第二框架F2。上述连接件LM分别被设置在上述第一延伸部EX1与上述第三延伸部EX3重叠的部分和上述第二延伸部EX2与上述第四延伸部EX4重叠的部分上。
在本发明的一实施方式中，上述连接件LM为铰链。由此，上述第一框架F1和上述第二框架F2可以以上述铰链为轴进行旋转。即，上述第一框架F1可以将上述假想线IL作为轴沿着顺时针方向或其相反的方向旋转。此外，上述第二框架F2可以以上述假想线IL为轴沿着逆时针方向或其相反的方向旋转。
上述弯曲框架BF可以随着调节上述第一框架F1与上述第二框架F2之间的角度，即，随着调节上述第一延伸部EX1与上述第三延伸部EX3之间的第一角度θ1和上述第二延伸部EX2与上述第四延伸部EX4之间的第二角度θ2而被弯曲。上述第一角度θ1和上述第二角度θ2可以是约90°以上且约270°以下。
上述衬底处理装置还可以包括弯曲上述弯曲框架BF的弯曲框架驱动部(未示出)。上述弯曲框架驱动部(未示出)可以调节上述第一框架F1与上述第二框架F2之间的上述第一角度θ1和上述第二角度θ2以弯曲上述弯曲框架BF。上述弯曲框架驱动部(未示出)可以有线或无线地连接至电源装置(未示出)。
下面，将进一步参照附图对上述弯曲框架BF的弯曲状态进行描述。图4是根据本发明的一实施方式的被弯曲的弯曲框架的立体图，其中示出了上述弯曲框架BF被弯曲成使上述第一角度θ1和上述第二角度θ2为约90°以上且约180°未满的状态。图5是根据本发明的一实施方式的被弯曲的弯曲框架的立体图，其中示出了上述弯曲框架BF被弯曲成使上述第一角度θ1和上述第二角度θ2为超过约180°且约270°未满的状态。
再次参照图2，根据本发明的一实施方式的衬底处理装置还可以包括工艺腔室CHM，上述工艺腔室CHM容纳上述电极板EP和上述弯曲框架BF并且可供执行对于上述衬底SUB的多种处理工艺。在上述工艺腔室CHM内可执行将有机物沉积到固定于上述电极板EP的上述衬底SUB的工艺。然而，其并不限于此，在上述工艺腔室CHM内可以执行气相沉积(vapordeposition)工艺、蚀刻(etching)工艺、溅射(sputtering)工艺等多种工艺。
上述衬底处理装置还可以包括材料供给部SP，上述材料供给部SP根据在上述工艺腔室CHM内执行的处理工艺提供有机物、无机物等的处理物。此外，上述衬底处理装置还可以包括沉积掩模(未示出)，上述沉积掩模用于将上述处理物沉积到上述衬底SUB。上述沉积掩模(未示出)被布置在上述材料供给部SP与上述衬底SUB之间，并且能够仅在上述沉积掩模(未示出)的一部分区域使上述有机物通过。由此，只有通过上述沉积掩模(未示出)的处理物被沉积到上述衬底SUB。
以往将上述衬底固定至位于上述衬底上方的电极板的情况中，发生了上述衬底的一部分因重力导致朝着下部方向下垂的现象。在这种情况下，在执行对上述衬底的下部面沉积有机物等的衬底处理工艺时，将降低对于上述衬底的下部面的处理精度。
然而，根据本发明的一实施方式，上述衬底处理装置可以将从上述衬底SUB的中央部分至上述衬底SUB的除了中央部分的剩余部分依次附接至上述电极板EP。由此，上述衬底SUB可以在没有因重力导致下垂的部分的情况下平坦地固定至上述电极板EP。在这种情况下，在执行将有机物沉积到上述衬底SUB的下部面等的衬底处理工艺时，可以提高对于上述衬底SUB的处理精度。
下面，将参照附图对使用上述衬底处理装置的衬底处理方法进行描述。在本发明的一实施方式中将有机物沉积到衬底的衬底处理方法作为一例进行描述。为了说明的便利，省略与前述的上述衬底处理装置的描述重复的描述。
根据本发明的一实施方式的衬底处理方法包括移动电极板和弯曲框架的步骤、将上述衬底安置于上述弯曲框架中的步骤、在使用上述弯曲框架弯曲上述衬底后将上述衬底的中央部分附接至上述电极板的步骤、使用上述弯曲框架将上述衬底的除了中央部分的剩余部分附接至上述电极板的步骤和处理上述衬底的步骤。
图6a至图6e是衬底处理装置的正视图，其中依次示出根据本发明的一实施方式的使用衬底处理装置的衬底处理方法。
图6a示出了移动电极板和弯曲框架的步骤，其中示出了沿着与第三方向D3相反的方向将布置在第一位置P1的电极板EP和弯曲框架BF移动至第二位置P2的状态，其中第一位置P1位于衬底SUB上方。
上述电极板EP和上述弯曲框架BF可以被移动至上述第二位置P2，即，移动至使上述衬底SUB位于上述电极板EP与上述弯曲框架BF之间的空间的地点。此时，上述弯曲框架BF被弯曲，第一框架F1与第二框架F2之间的第一角度θ1成为约90°以上且约180°未满。随着上述弯曲框架BF被弯曲，上述弯曲框架BF的第一支承部SP1与第二支承部SP2之间的距离变得比上述衬底SUB的两端长度长或者与其相等。由此，上述衬底SUB可位于上述电极板EP与上述弯曲框架BF之间。
图6b示出了将衬底安置于弯曲框架中的步骤。
当将上述电极板EP和上述弯曲框架BF移动至上述第二位置P2时，上述弯曲框架BF的被弯曲的部分被展开。此时，上述第一支承部SP1和上述第二支承部SP2移动至上述衬底SUB的两端的下部面以支承上述衬底SUB。当上述弯曲框架BF展开而使上述第一框架F1与上述第二框架F2平行时，上述第一支承部SP1与上述第二支承部SP2之间的距离变得比上述衬底SUB的长边的距离短。由此，上述衬底SUB可以通过处于上述第一支承部SP1和上述第二支承部SP2上而被上述弯曲框架BF予以安置。
图6c示出了将衬底的中央部分附接至电极板的步骤，其中示出了上述弯曲框架BF被弯曲成使上述第一角度θ1为超过约180°且约270°以下。
如图6c所示随着上述弯曲框架BF被弯曲，上述第一支承部SP1与上述第二支承部SP2之间的距离变得比上述弯曲框架BF被弯曲前的上述第一支承部SP1与上述第二支承部SP2之间的距离短。此时，因为压缩应力通过上述第一框架F1和上述第二框架F2被施加到上述衬底SUB的两端部，所以上述衬底SUB的中央部分朝着上述电极板EP弯曲。上述衬底SUB的中央部分通过上述电极板EP被驱动而产生的静电引力而被附接至上述电极板EP的一面。
图6d示出了将衬底的除了中央部分的剩余部分附接至电极板的步骤，其中示出了上述弯曲框架BF被弯曲成使上述第一角度θ1为约90°以上且约180°未满。
如图6d所示随着上述弯曲框架BF被弯曲，上述衬底SUB的两端部沿着上述第三方向D3从上述第一支承部SP1和上述第二支承部SP2抬起。由此，上述衬底SUB的被弯曲的部分展开而使得上述衬底SUB的两端部朝着上述电极板EP的一面处移动。其结果，上述衬底SUB的两端部通过与上述电极板EP的静电引力而被附接至上述电极板EP的一面。
图6e示出了衬底处理步骤，其中示出了将有机物沉积到固定于上述电极板EP的上述衬底SUB的下部面。
随着有机物从材料供给部SP供给至平坦地附接至上述电极板EP的上述衬底SUB的下部面，可以提高对于上述衬底SUB的下部面的有机物沉积精度。
虽然已在上文中对本发明的优选实施方式进行了描述，但是本领域的熟练从业者或者本领域的普通技术人员应理解，在不背离所附权利要求书中所记载的本发明的精神和技术范围的情况下可以对本发明进行多种修改和变形。
因此，本发明的技术范围不受限于本说明书的具体描述中记载的内容，而是由所附权利要求书的范围定义。
符号说明
EP：电极板 BF：弯曲框架
IL：假想线 LM：连接件
F1：第一框架 F2：第二框架
SP1：第一支承部 SP2：第二支承部
SP：材料供给部 CHM：工艺腔室

Claims (20)

1.一种衬底处理装置，其特征在于，包括：
电极板，布置在衬底上方并且供所述衬底的上面附接；以及
弯曲框架，沿着所述电极板的边缘位置布置，并且包括第一框架和第二框架，其中所述第一框架和所述第二框架彼此连接，并且以沿着第一方向延伸的假想线为基准布置在所述假想线的两侧，
其中，所述弯曲框架通过沿着所述假想线旋转所述第一框架或所述第二框架来调节所述第一框架与所述第二框架之间的角度，从而弯曲所述衬底。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，还包括：
连接件，在所述第一框架和所述第二框架与所述假想线相遇的部分将所述第一框架连接至所述第二框架。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述连接件为铰链。
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，当在平面上查看时，所述假想线与所述电极板的一面的中央部重叠。
5.如权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，当在平面上查看时，所述电极板为具有沿着所述第一方向延伸的第一短边和第二短边以及沿着与所述第一方向垂直的第二方向延伸的第一长边和第二长边的矩形形状。
6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，当在平面上查看时，所述弯曲框架设置成矩形箍状。
7.如权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一框架包括：
第一侧壁部，对应于所述第一短边并且与所述电极板的一面垂直；
第一支承部，从所述第一侧壁部弯曲并延伸，并且面对所述电极板的一面；以及
第一延伸部和第二延伸部，连接至所述第一侧壁部并且沿着所述第一长边和所述第二长边在所述第二方向延伸。
8.如权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第二框架包括：
第二侧壁部，对应于所述第二短边并且与所述电极板的一面垂直；
第二支承部，从所述第二侧壁部弯曲并延伸，并且面对所述电极板的一面；以及
第三延伸部和第四延伸部，连接至所述第二侧壁部并且沿着所述第一长边和所述第二长边在与所述第二方向相反的方向延伸。
9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述第一延伸部的一部分和所述第三延伸部的一部分在与所述假想线相遇的部分彼此重叠，
所述第二延伸部的一部分和所述第四延伸部的一部分在与所述假想线相遇的部分彼此重叠。
10.如权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，所述连接件分别被设置在所述第一延伸部与所述第三延伸部重叠的部分和所述第二延伸部与所述第四延伸部重叠的部分上。
11.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，所述弯曲框架的所述第一延伸部与所述第三延伸部之间的第一角度为90°以上且270°以下。
12.如权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，所述弯曲框架的所述第二延伸部与所述第四延伸部之间的第二角度为90°以上且270°以下。
13.如权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，还包括：
材料供给部，将有机物质供给至所述衬底。
14.一种衬底处理方法，其特征在于，包括：
将衬底安置于沿着电极板的边缘位置布置的弯曲框架中的步骤；
在使用所述弯曲框架弯曲所述衬底后将所述衬底的中央部分附接至所述电极板的步骤；
使用所述弯曲框架将所述衬底的除了中央部分的剩余部分附接至所述电极板的步骤；以及
处理所述衬底的步骤，
其中，所述弯曲框架包括：
第一框架和第二框架，以沿着第一方向延伸的假想线为基准布置在所述假想线的两侧；以及
连接件，在所述第一框架和所述第二框架与所述假想线相遇的部分将所述第一框架连接至所述第二框架。
15.如权利要求14所述的衬底处理方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在安置所述衬底的步骤之前，将位于第一位置的所述电极板和所述弯曲框架移动至使所述衬底位于所述电极板与所述弯曲框架之间的第二位置，其中所述第一位置位于所述衬底上方。
16.如权利要求15所述的衬底处理方法，其特征在于，当将所述电极板移动至所述第二位置时，将所述弯曲框架弯曲成使所述第一框架与所述第二框架连接的部分具有90°以上且180°以下的角度。
17.如权利要求16所述的衬底处理方法，其特征在于，当将所述弯曲框架的被弯曲的部分展开成使所述第一框架与所述第二框架连接的部分的角度为180°时，所述衬底置于所述弯曲框架中。
18.如权利要求17所述的衬底处理方法，其特征在于，当将所述弯曲框架被弯曲成使所述第一框架与所述第二框架连接的部分的角度为超过180°且270°以下时，所述衬底的中央部分被弯曲而被附接至所述电极板的一面。
19.如权利要求14所述的衬底处理方法，其特征在于，当所述弯曲框架被弯曲成使所述第一框架与所述第二框架连接的部分的角度为90°以上且180°未满时，所述衬底的除了中央部分的剩余部分被附接至所述电极板的一面。
20.如权利要求14所述的衬底处理方法，其特征在于，在所述衬底处理步骤中将有机物质沉积到所述衬底。
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