KR20150140497A - 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150140497A
KR20150140497A KR1020140068557A KR20140068557A KR20150140497A KR 20150140497 A KR20150140497 A KR 20150140497A KR 1020140068557 A KR1020140068557 A KR 1020140068557A KR 20140068557 A KR20140068557 A KR 20140068557A KR 20150140497 A KR20150140497 A KR 20150140497A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
frame
substrate
electrode plate
extending
bending
Prior art date
Application number
KR1020140068557A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102194145B1 (ko
Inventor
프루신스키 발레리
김민수
노석원
강태욱
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020140068557A priority Critical patent/KR102194145B1/ko
Priority to CN201510032913.6A priority patent/CN105304547B/zh
Publication of KR20150140497A publication Critical patent/KR20150140497A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102194145B1 publication Critical patent/KR102194145B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile

Abstract

기판 처리 장치는 기판 상에 배치된 전극플레이트 및 상기 전극플레이트의 가장자리에 배치된 벤딩프레임을 포함한다. 상기 벤딩프레임은 제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함하며, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도를 조절하여 상기 기판을 상기 전극플레이트에 고정시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE USING THE SAME}
본 발명은 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 다이오드(Organic Light-Emitting Diode, OLED), 태양 전지, 그리고 반도체 소자 등의 처리 공정은 기상 증착(vapor deposition) 공정, 식각(etching) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 등 다양한 처리 공정을 포함한다.
최근에는 기판이 대형화됨에 따라 기판을 균일하게 처리하는 장치 및 방법에 대한 많은 연구가 진행 중이다.
본 발명의 실시예들은 기판을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판을 고정시키는 전극플레이트 및 상기 기판을 벤딩시키는 벤딩프레임을 포함한다. 상기 전극플레이트는 상기 기판 상에 배치된다. 상기 전극플레이트의 일면에는 상기 기판의 상면이 부착된다. 상기 전극플레이트는 평면상에서 볼 때, 제1 방향으로 연장된 제1 단변과 제2 단변 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 제1 장변과 제2 장변을 갖는 직사각 형상으로 제공될 수 있다.
상기 벤딩프레임은 상기 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치된다. 상기 벤딩프레임은 평면상에서 볼 때, 직사각형의 고리형상으로 제공될 수 있다. 상기 벤딩프레임은 상기 제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함한다. 상기 가상선은 평면상에서 볼 때, 상기 전극플레이트 일면의 중앙부와 중첩된다.
상기 제1 프레임은 상기 제1 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제1 측벽부 및 상기 제1 측벽부로부터 절곡 연장되며 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제1 지지부를 포함한다. 또한, 상기 제1 프레임은 상기 제1 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향으로 연장된 제1 연장부 및 제2 연장부를 더 포함한다.
상기 제2 프레임은 상기 제2 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제2 측벽부 및 상기 제2 측벽부로부터 절곡 연장되며 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제2 지지부를 포함한다. 또한, 상기 제2 프레임은 상기 제2 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향의 반대방향으로 연장된 제3 연장부 및 제4 연장부를 더 포함한다.
상기 제1 연장부의 일부분과 상기 제3 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩된다. 또한, 상기 제2 연장부의 일부분과 상기 제4 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩된다.
상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 상기 가상선과 만나는 부분에 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임을 연결시키는 연결부재를 더 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결부재는 힌지이다.
상기 연결부재는 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부가 중첩되는 부분 및 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부가 중첩되는 부분에 각각 제공된다.
상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도를 조절하여 상기 기판을 벤딩시킬 수 있다.
상기 벤딩프레임의 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부 사이의 제1 각도는 약 90˚이상 내지 약 270°이하일 수 있다. 또한, 상기 벤딩프레임의 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부 사이의 제2 각도는 약 90°이상 내지 약 270°이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 기판에 유기물질을 제공하는 재료 공급부를 더 포함할 수 있다. 상기 재료 공급부는 상기 전극플레이트에 고정된 상기 기판의 하부면을 향하여 상기 유기물질을 제공할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 기판 처리를 이용한 기판 처리 방법은 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계, 상기 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치된 상기 벤딩프레임에 기판을 안착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판을 벤딩시킨 후, 상기 기판의 중앙부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계, 및 상기 기판을 처리하는 단계를 포함한다.
상기 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계에서는 상기 기판 상의 제1 위치에 위치한 상기 전극플레이트 및 상기 벤딩프레임을 상기 기판이 상기 전극플레이트와 상기 벤딩프레임 사이에 위치되는 제2 위치까지 이동시킨다.
상기 전극플레이트가 상기 제2 위치에 이동될 때, 상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분이 약 90˚이상 내지 약 180°미만의 각도를 갖도록 벤딩된다. 이에 따라, 상기 기판은 상기 전극플레이트와 상기 벤딩프레임 사이의 공간에 위치할 수 있다.
그 후, 상기 벤딩프레임의 벤딩된 부분이 펴져 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 약 180°일 때, 상기 기판이 상기 벤딩프레임에 안착된다.
상기 벤딩프레임이 벤딩되어 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 약 180˚초과 내지 약 270˚이하일 때, 상기 기판의 중앙부분이 벤딩되어 상기 전극플레이트의 일면에 부착된다.
상기 벤딩프레임이 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 약 90˚이상 내지 약 180°미만이 되도록 벤딩될 때, 상기 기판의 벤딩된 부분이 펴지면서 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분이 상기 전극플레이트의 일면에 부착된다.
그 후, 상기 전극플레이트에 고정된 상기 기판의 하부면에 대해 유기물질을 증착하는 처리 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 기판을 평평하게 고정하여 기판 표면에 유기물을 균일하게 증착할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩프레임의 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도이다.
도 6a 내지 도 6e는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 정면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예를 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 구성요소들은 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 다수의 표현을 포함한다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도로서, 기판 처리 장치에 기판이 고정되기 전의 모습을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 정면도로서, 기판 처리 장치에 기판이 고정된 모습을 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩프레임의 사시도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판(SUB)을 고정시키는 전극플레이트(EP) 및 상기 기판(SUB)을 벤딩시키는 벤딩프레임(BF)을 포함한다.
상기 기판(SUB)은 유리, 실리콘, 금속, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 상기 기판(SUB)은 가요성 기판, 또는 비가요성 기판 중 어느 하나일 수 있다.
상기 기판(SUB)은 다양한 형상으로 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 기판(SUB)은 한 쌍의 단변과 한 쌍의 장변을 갖는 직사각형의 판상으로 제공되며, 상기 단변의 연장 방향을 제1 방향(D1), 상기 장변의 연장 방향을 제2 방향(D2)으로 표시하여 설명한다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 기판(SUB)은 직사각형상인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 기판(SUB)은 원형 또는 다각형상 등으로 제공될 수 있다.
상기 전극플레이트(EP)는 상기 기판(SUB) 상에 배치된다. 상기 전극플레이트(EP)는 정전기적 인력을 이용해 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 상기 전극플레이트(EP)의 일면과 마주보는 상기 기판(SUB)의 상면을 부착시킬 수 있다.
상기 전극플레이트(EP)는 전도성 재질, 예를 들어, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 철(Fe) 등으로 이루어질 수 있다.
상기 전극플레이트(EP)는 서로 평행한 두 쌍의 변들을 가지는 직사각형의 판상으로 마련될 수 있다. 상기 전극플레이트(EP)는 평면상에서 볼 때, 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 단변(SS1)과 제2 단변(SS2), 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 장변(LS1)과 제2 장변(LS2)을 갖는다.
상기 전극플레이트(EP)의 넓이는 상기 기판(SUB)의 넓이와 같거나 상기 기판(SUB)의 넓이보다 더 크게 또는 더 작게 제공될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 상기 전극플레이트(EP)는 직사각형인 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, 상기 전극플레이트(EP)는 원형 또는 다각형상 등으로 제공될 수 있다. 또한, 상기 전극플레이트(EP)의 넓이가 상기 기판(SUB)의 넓이보다 크거나 작게 제공되더라도, 상기 기판(SUB)이 상기 전극플레이트(EP)에 부착되어 고정될 수 있다면, 그 형상이 특별히 한정되는 것은 아니다.
상기 기판 처리 장치는 상기 전극플레이트(EP)의 위치를 조절하며, 상기 전극플레이트(EP)에 전하를 인가하는 전극플레이트 구동부(미도시)를 더 포함할 수 있다.
상기 전극플레이트 구동부(미도시)는 상기 전극플레이트(EP)에 양전하 또는 음전하를 인가하여 상기 기판(SUB)을 음전하 또는 양전하로 대전시킬 수 있다. 그 결과, 상기 전극플레이트(EP)와 상기 기판(SUB) 사이에는 서로 잡아당기는 인력이 작용하여 상기 기판(SUB)이 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 부착되게 된다.
상기 전극플레이트 구동부(미도시)는 상기 전극플레이트(EP)에 유선 또는 무선으로 연결되어 제공될 수 있다.
상기 벤딩프레임(BF)은 상기 전극플레이트(EP)의 가장자리를 따라 배치된다. 상기 벤딩프레임(BF)은 평면상에서 볼 때, 직사각형의 고리형상으로 제공될 수 있다. 그러나, 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 기판(SUB)의 형상에 따라 다각형, 원형 등으로 다양하게 제공될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 벤딩프레임(BF)은 상기 기판(SUB)을 지지하며, 상기 벤딩프레임(BF)에 안착된 상기 기판(SUB)을 벤딩시키는 역할을 한다. 상기 기판(SUB)은 상기 벤딩프레임(BF)에 의해 상기 기판(SUB)의 일부분이 제3 방향(D3) 또는 상기 제3 방향(D3)의 반대방향으로 벤딩될 수 있다.
상기 벤딩프레임(BF)은 금속, 실리콘, 플라스틱 등으로 이루어질 수 있다. 그러나, 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 기판(SUB)을 지지 및 벤딩시킬 수 있다면, 그 재료가 특별히 한정되는 것은 아니다.
상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 가상선(IL)을 기준으로 상기 가상선(IL)의 양측에 배치된 제1 프레임(F1) 및 제2 프레임(F2)을 포함한다. 상기 가상선(IL)은 평면상에서 볼 때, 상기 전극플레이트(EP) 일면의 중앙부와 중첩한다.
상기 제1 프레임(F1)은 제1 측벽부(W1) 및 제1 지지부(SP1)를 포함할 수 있다.
상기 제1 측벽부(W1)는 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제1 단변(SS1)에 대응되며, 상기 제3 방향(D3)과 반대방향으로 연장되어 제공된다.
상기 제1 지지부(SP1)는 상기 제1 측벽부(W1)로부터 절곡되어 상기 제2 방향(D2)으로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제1 지지부(SP1)는 상기 전극플레이트(EP)의 일면과 마주보며 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(F1)은 상기 제1 측벽부(W1)에 연결되며 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제1 장변(LS1) 및 상기 제2 장변(LS2)을 따라 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 제1 연장부(EX1) 및 제2 연장부(EX2)를 더 포함한다.
상기 제2 프레임(F2)은 제2 측벽부(W2) 및 제2 지지부(SP2)를 포함할 수 있다.
상기 제2 측벽부(W2)는 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제2 단변(SS2)에 대응되며, 상기 제3 방향(D3)의 반대방향으로 연장되어 제공된다. 상기 제2 측벽부(W2)는 상기 제1 측벽부(W1)와 서로 평행하게 제공될 수 있다.
상기 제2 지지부(SP2)는 상기 제2 측벽부(W2)로부터 절곡되어 상기 제2 방향(D2)의 반대반향으로 연장되어 제공될 수 있다. 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 전극플레이트(EP)의 일면과 마주보며 제공될 수 있다.
상기 제2 프레임(F2)은 상기 제2 측벽부(W2)에 연결되며 상기 전극플레이트(EP)의 상기 제1 장변(LS1) 및 상기 제2 장변(LS2)을 따라 상기 제2 방향(D2)의 반대방향으로 연장된 제3 연장부(EX3) 및 제4 연장부(EX4)를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 제1 연장부(EX1)의 일부분과 상기 제3 연장부(EX3)의 일부분은 상기 가상선(IL)과 만나는 부분에서 서로 중첩될 수 있다. 상기 제1 연장부(EX1)와 상기 제3 연장부(EX3)가 서로 중첩되는 부분에서 상기 제1 연장부(EX1)의 외부면은 상기 제3 연장부(EX3)의 내부면과 맞닿을 수 있다. 또는 그 반대로, 상기 제1 연장부(EX1)의 내부면이 상기 제3 연장부(EX3)의 외부면과 맞닿을 수 있다.
또한, 상기 제2 연장부(EX2)의 일부분과 상기 제4 연장부(EX4)의 일부분은 상기 가상선(IL)과 만나는 부분서 서로 중첩될 수 있다. 상기 제2 연장부(EX2)와 상기 제4 연장부(EX4)가 서로 중첩되는 부분에서 상기 제2 연장부(EX2)의 내부면은 상기 제4 연장부(EX4)의 외부면과 맞닿을 수 있다. 또는 그 반대로, 상기 제2 연장부(EX2)의 외부면이 상기 제4 연장부(EX4)의 내부면과 맞닿을 수 있다.
상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 기판(SUB)의 양단부 하부면에 위치하여 상기 기판(SUB)을 지지하는 역할을 한다. 또한, 상기 상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩될 때, 상기 기판(SUB)의 양단부에 힘을 가하여 상기 기판(SUB)을 벤딩시킬 수 있다.
상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)이 상기 가상선(IL)과 만나는 부분에 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)을 연결시키는 연결부재(LM)를 더 포함한다. 상기 연결부재(LM)는 상기 제1 연장부(EX1)와 상기 제3 연장부(EX3)가 중첩되는 부분 및 상기 제2 연장부(EX2)와 상기 제4 연장부(EX4)가 중첩되는 부분에 각각 제공된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 연결부재(LM)는 힌지이다. 이에 따라, 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)은 상기 힌지를 축으로 회전될 수 있다. 즉, 상기 제1 프레임(F1)은 상기 가상선(IL)을 축으로 시계방향 또는 그 반대방향으로 회전할 수 있다. 또한, 상기 제2 프레임(F2)은 상기 가상선(IL)을 축으로 반시계방향 또는 그 반대방향으로 회전할 수 있다.
상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2) 사이의 각도 즉, 상기 제1 연장부(EX1)와 상기 제3 연장부(EX3) 사이의 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 연장부(EX2)와 상기 제4 연장부(EX4) 사이의 제2 각도(θ2)가 조절됨에 따라 벤딩될 수 있다. 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)는 약 90°이상 내지 약 270°이하일 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 벤딩프레임(BF)을 벤딩시키는 벤딩프레임 구동부(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 벤딩프레임 구동부(미도시)는 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)의 사이의 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)를 조절하여 상기 벤딩프레임(BF)을 벤딩시킬 수 있다. 상기 벤딩프레임 구동부(미도시)는 상기 벤딩프레임(BF)에 유선 또는 무선으로 연결될 수 있다.
이하, 도면을 더 참조하여, 상기 벤딩프레임(BF)의 벤딩된 모습을 설명한다. 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도로서, 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)가 약 90°이상 내지 약 180°미만이 되도록 벤딩된 모습을 도시한 것이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 벤딩된 벤딩프레임의 사시도로서, 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 제1 각도(θ1) 및 상기 제2 각도(θ2)가 약 180˚초과 내지 약 270°미만이 되도록 벤딩된 모습을 도시한 것이다.
다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 상기 전극플레이트(EP) 및 상기 벤딩프레임(BF)을 수용하며, 상기 기판(SUB)에 대해 다양한 처리 공정이 이루어질 수 있는 공정 챔버(CHM)를 더 포함할 수 있다. 상기 공정 챔버(CHM) 내에서는 상기 전극플레이트(EP)에 고정된 상기 기판(SUB)에 유기물질을 증착시키는 공정이 수행될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않으며, 상기 공정 챔버(CHM) 내에서는 기상 증착(vapor deposition) 공정, 식각(etching) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정 등 다양한 공정이 수행될 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 공정 챔버(CHM) 내에서 수행되는 처리 공정에 따라, 유기물질, 무기물질 등의 처리물질을 제공하는 재료 공급부(SP)를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판 처리 장치는 상기 기판(SUB)에 상기 처리물질을 증착시키기 위한 증착 마스크(미도시)를 더 포함할 수 있다. 상기 증착 마스크(미도시)는 상기 재료 공급부(SP)와 상기 기판(SUB) 사이에 배치되며, 상기 증착 마스크(미도시)의 일부 영역에서만 상기 유기물질을 통과시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 증착 마스크(미도시)를 통과한 처리물질만이 상기 기판(SUB)에 증착되게 된다.
기존에는 상기 기판을 상기 기판 상에 위치한 전극플레이트에 고정시키는데 있어서, 상기 기판의 일부분이 중력에 의해 하부방향으로 쳐지는 형상이 발생했다. 이 경우, 상기 기판의 하부면에 유기물질을 증착하는 등의 기판 처리 공정을 하는데 있어서, 상기 기판의 하부면에 대한 처리 정밀도가 떨어지게 된다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 기판 처리 장치는 상기 전극플레이트(EP)에 상기 기판(SUB)의 중앙부분에서부터 상기 기판(SUB)의 중앙부분을 제외한 나머지 부분까지 순차적으로 부착시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)은 중력에 의해 쳐지는 부분 없이 상기 전극플레이트(EP)에 평평하게 고정될 수 있다. 이 경우, 상기 기판(SUB)의 하부면에 유기물질을 증착하는 등의 기판 처리 공정을 수행하는데 있어서, 상기 기판(SUB)의 하부면에 대한 처리 정밀도를 높일 수 있다.
이하, 도면을 참조하여, 상기 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다. 본 발명의 일 실시예에서는 기판에 유기물질을 증착시키는 기판 처리 방법을 일 예로 설명한다. 설명의 편의를 위해, 전술한 상기 기판 처리 장치의 설명과 중복되는 설명은 생략한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계, 상기 벤딩프레임에 상기 기판을 안착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판을 벤딩시킨 후, 상기 기판의 중앙부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계, 상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계 및 상기 기판을 처리하는 단계를 포함한다.
도 6a 및 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법을 순차적으로 나타낸 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 6a는 전극플레이트 및 벤딩프레임을 이동시키는 단계를 도시한 것으로서, 기판(SUB) 상의 제1 위치(P1)에 배치된 전극플레이트(EP) 및 벤딩프레임(BF)을 제3 방향(D3)의 반대방향으로 제2 위치(P2)까지 이동시키는 모습을 도시한 것이다.
상기 전극플레이트(EP) 및 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제2 위치(P2), 즉 상기 기판(SUB)이 상기 전극플레이트(EP)와 상기 벤딩프레임(BF) 사이의 공간에 위치하는 지점까지 이동할 수 있다. 이때, 상기 벤딩프레임(BF)은 벤딩되며, 제1 프레임(F1) 및 제2 프레임(F2) 사이의 제1 각도(θ1)가 약 90°이상 내지 약 180°미만이 된다. 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩됨에 따라, 상기 벤딩프레임(BF)의 제1 지지부(SP1)와 제2 지지부(SP2) 사이의 거리는 상기 기판(SUB)의 양단의 길이보다 길거나 같아진다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)은 상기 전극플레이트(EP)과 상기 벤딩프레임(BF) 사이에 위치할 수 있다.
도 6b는 벤딩프레임에 기판을 안착시키는 단계를 도시한 것이다.
상기 전극플레이트(EP) 및 상기 벤딩프레임(BF)이 상기 제2 위치(P2)로 이동되면, 상기 벤딩프레임(BF)의 벤딩된 부분이 펴지게 된다. 이때, 상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 기판(SUB)의 양단 하부면으로 이동되어 상기 기판(SUB)을 지지하게 된다. 상기 벤딩프레임(BF)이 펴져 상기 제1 프레임(F1)과 상기 제2 프레임(F2)이 평행하게 위치할 때, 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2) 사이의 거리는 상기 기판(SUB)의 장변의 길이보다 짧아진다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)은 상기 제1 지지부(SP1) 및 상기 제2 지지부(SP2) 상에 놓여 상기 벤딩프레임(BF)에 의해 안착될 수 있다.
도 6c는 기판의 중앙부분을 전극플레이트에 부착시키는 단계를 도시한 것으로서, 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 각도(θ1)가 약 180˚초과 내지 약 270˚이하가 되도록 벤딩되는 것을 도시한 것이다.
도 6c와 같이 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩됨에 따라, 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2) 사이의 거리는 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩되기 전의 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2) 사이의 거리보다 더 좁아진다. 이때, 상기 제1 프레임(F1) 및 상기 제2 프레임(F2)에 의해 상기 기판(SUB)의 양단부에 압축응력이 가해져, 상기 기판(SUB)의 중앙부분이 상기 전극플레이트(EP)를 향하여 벤딩된다. 상기 기판(SUB)의 중앙부분은 상기 전극플레이트(EP)가 구동됨에 따라 발생된 정전기적 인력에 의해 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 부착되게 된다.
도 6d는 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 전극플레이트에 부착시키는 단계를 도시한 것으로서, 상기 벤딩프레임(BF)은 상기 제1 각도(θ1)가 약 90˚이상 내지 약 180°미만이 되도록 벤딩되는 것을 도시한 것이다.
도 6d와 같이 상기 벤딩프레임(BF)이 벤딩됨에 따라, 상기 제1 지지부(SP1)와 상기 제2 지지부(SP2)는 상기 기판(SUB)의 양단부를 상기 제3 방향(D3)으로 들어올리게 된다. 이에 따라, 상기 기판(SUB)의 벤딩된 부분이 펴지면서 상기 기판(SUB)의 양단부가 상기 전극플레이트(EP)의 일면측으로 향하게 된다. 그 결과, 상기 기판(SUB)의 양단부는 상기 전극플레이트(EP)와의 정전기적 인력에 의해 상기 전극플레이트(EP)의 일면에 부착된다.
도 6e는 기판 처리 단계를 도시한 것으로서, 상기 전극플레이트(EP)에 고정된 상기 기판(SUB)의 하부면에 유기물질을 증착시키는 모습을 도시한 것이다.
상기 전극플레이트(EP)에 평평하게 부착된 상기 기판(SUB)의 하부면에 재료 공급부(SP)로부터 유기물질을 제공함에 따라, 상기 기판(SUB)의 하부면에 대한 유기물질의 증착 정밀도를 높일 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 기준하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
EP : 전극플레이트 BF : 벤딩프레임
IL : 가상선 LM : 연결부재
F1 : 제1 프레임 F2 : 제2 프레임
SP1 : 제1 지지부 SP2 : 제2 지지부
SP : 재료 공급부 CHM : 공정 챔버

Claims (20)

  1. 기판 상에 배치되며, 상기 기판의 상면이 부착되는 전극플레이트; 및
    상기 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치되며, 제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임을 포함하는 벤딩프레임;을 포함하며,
    상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 사이의 각도를 조절하여 상기 기판을 벤딩시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 상기 가상선과 만나는 부분에 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임을 연결시키는 연결부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 연결부재는 힌지인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 가상선은 평면상에서 볼 때, 상기 전극플레이트 일면의 중앙부와 중첩하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 전극플레이트는 평면 상에서 볼 때 상기 제1 방향으로 연장된 제1 단변과 제2 단변 및 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 연장된 제1 장변과 제2 장변을 갖는 직사각 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 벤딩프레임은 평면상에서 볼 때, 직사각형의 고리형상으로 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제5 항에 있어서,
    상기 제1 프레임은
    상기 제1 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제1 측벽부;
    상기 제1 측벽부로부터 절곡 연장되며, 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제1 지지부; 및
    상기 제1 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향으로 연장된 제1 연장부 및 제2 연장부를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제2 프레임은
    상기 제2 단변에 대응되며 상기 전극플레이트의 일면과 수직한 제2 측벽부;
    상기 제2 측벽부로부터 절곡 연장되며, 상기 전극플레이트의 일면과 마주보는 제2 지지부; 및
    상기 제2 측벽부에 연결되며 상기 제1 장변 및 상기 제2 장변을 따라 상기 제2 방향의 반대방향으로 연장된 제3 연장부 및 제4 연장부를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 연장부의 일부분과 상기 제3 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩되며,
    상기 제2 연장부의 일부분과 상기 제4 연장부의 일부분은 상기 가상선과 만나는 부분에서 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 연결부재는 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부가 중첩되는 부분 및 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부가 중첩되는 부분에 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제8 항에 있어서,
    상기 벤딩프레임의 상기 제1 연장부와 상기 제3 연장부 사이의 제1 각도는 90°이상 내지 270˚이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제8 항에 있어서,
    상기 벤딩프레임의 상기 제2 연장부와 상기 제4 연장부 사이의 제2 각도는 90˚이상 내지 270°이하인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 기판에 유기물질을 제공하는 재료 공급부를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 전극플레이트의 가장자리를 따라 배치된 벤딩프레임에 기판을 안착시키는 단계;
    상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판을 벤딩시킨 후, 상기 기판의 중앙부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계;
    상기 벤딩프레임을 이용하여 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분을 상기 전극플레이트에 부착시키는 단계; 및
    상기 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
    상기 벤딩프레임은
    제1 방향으로 연장된 가상선을 기준으로 상기 가상선의 양측에 배치된 제1 프레임 및 제2 프레임; 및
    상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 상기 가상선과 만나는 부분에 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임을 연결시키는 연결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 기판을 안착시키는 단계 전에 상기 기판 상의 제1 위치에 위치한 상기 전극플레이트 및 상기 벤딩프레임을 상기 기판이 상기 전극플레이트와 상기 벤딩프레임 사이에 위치되는 제2 위치까지 이동시키는 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 전극플레이트가 상기 제2 위치로 이동될 때, 상기 벤딩프레임은 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분이 90˚이상 내지 180˚미만의 각도를 갖도록 벤딩되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 벤딩프레임의 벤딩된 부분이 펴져 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 180°때, 상기 기판이 상기 벤딩프레임에 안착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 벤딩프레임이 벤딩되어 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 180˚초과 내지 270˚이하일 때, 상기 기판의 중앙부분이 벤딩되어 상기 전극플레이트의 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  19. 제14 항에 있어서,
    상기 벤딩프레임이 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임이 연결되는 부분의 각도가 90˚이상 내지 180˚미만이 되도록 벤딩될 때, 상기 기판의 중앙부분을 제외한 나머지 부분이 상기 전극플레이트의 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  20. 제14 항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계는 상기 기판에 유기물질을 증착시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.

KR1020140068557A 2014-06-05 2014-06-05 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 KR102194145B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140068557A KR102194145B1 (ko) 2014-06-05 2014-06-05 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
CN201510032913.6A CN105304547B (zh) 2014-06-05 2015-01-22 衬底处理装置及使用其的衬底处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140068557A KR102194145B1 (ko) 2014-06-05 2014-06-05 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150140497A true KR20150140497A (ko) 2015-12-16
KR102194145B1 KR102194145B1 (ko) 2020-12-23

Family

ID=55080624

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140068557A KR102194145B1 (ko) 2014-06-05 2014-06-05 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102194145B1 (ko)
CN (1) CN105304547B (ko)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003005145A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Sharp Corp 基板貼付装置および基板貼付方法
KR100382426B1 (ko) * 1994-10-04 2003-07-18 셍-고벵 비뜨라지 판유리벤딩장치및방법
KR20050094149A (ko) * 2004-03-22 2005-09-27 두산디앤디 주식회사 유기el용 대면적 기판 쳐짐 방지 장치
KR20060069113A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 합착 장치
KR20060107287A (ko) * 2005-04-08 2006-10-13 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 양극 접합 장치, 양극 접합 방법 및 가속도 센서의 제조방법
JP2007207632A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Canon Inc マスク成膜方法およびマスク成膜装置
KR20110011182A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치의 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 장비
KR20120137810A (ko) * 2011-06-13 2012-12-24 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR101252457B1 (ko) * 2011-04-18 2013-04-16 엘아이지에이디피 주식회사 박막증착장비
KR101334816B1 (ko) * 2012-07-13 2013-11-29 에이피시스템 주식회사 기판 접합 장치 및 그 동작 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7942971B2 (en) * 2003-04-04 2011-05-17 Panasonic Corporation Method of manufacturing plasma display panels
JP4875905B2 (ja) * 2006-02-24 2012-02-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料保持装置および荷電粒子線装置
JP4524268B2 (ja) * 2006-04-28 2010-08-11 信越化学工業株式会社 静電チャック機能付きセラミックヒーター及びその製造方法
JP5422767B1 (ja) * 2013-05-09 2014-02-19 信越エンジニアリング株式会社 貼り合わせ分離方法及び分離装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100382426B1 (ko) * 1994-10-04 2003-07-18 셍-고벵 비뜨라지 판유리벤딩장치및방법
JP2003005145A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Sharp Corp 基板貼付装置および基板貼付方法
KR20050094149A (ko) * 2004-03-22 2005-09-27 두산디앤디 주식회사 유기el용 대면적 기판 쳐짐 방지 장치
KR20060069113A (ko) * 2004-12-17 2006-06-21 주식회사 에이디피엔지니어링 기판 합착 장치
KR20060107287A (ko) * 2005-04-08 2006-10-13 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 양극 접합 장치, 양극 접합 방법 및 가속도 센서의 제조방법
JP2007207632A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Canon Inc マスク成膜方法およびマスク成膜装置
KR20110011182A (ko) * 2009-07-28 2011-02-08 엘지디스플레이 주식회사 평판 표시 장치의 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 장비
KR101252457B1 (ko) * 2011-04-18 2013-04-16 엘아이지에이디피 주식회사 박막증착장비
KR20120137810A (ko) * 2011-06-13 2012-12-24 주성엔지니어링(주) 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법과 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 장치 및 제조 방법
KR101334816B1 (ko) * 2012-07-13 2013-11-29 에이피시스템 주식회사 기판 접합 장치 및 그 동작 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN105304547B (zh) 2019-11-19
KR102194145B1 (ko) 2020-12-23
CN105304547A (zh) 2016-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10310341B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
KR102042822B1 (ko) 전자회로 및 그 제조방법
KR101113849B1 (ko) 지지 기판에서 플렉시블 기판을 분리하는 방법
US20150062467A1 (en) Manufacturing method of flexible display device and manufacturing method of touch screen panel
CN104700771B (zh) 显示设备及其制造方法
US20160326050A1 (en) Glass substrate, fabricating method of the same, and display device having the same
US9393769B2 (en) Flexible display panel peeling apparatus and peeling method using the same
TW201540444A (zh) 吸盤、機械手及機器人
EP2525405A3 (en) Backplane for flat panel display apparatus, flat panel display apparatus, and method of manufacturing the backplane
EP2372442A3 (en) Liquid crystal display panel, method for manufacturing the same, and surface alignment reactant
JP2007034298A (ja) 表示装置用基板の製造装置及び製造方法
CN104766820B (zh) 柔性显示装置的制造方法
TWI446235B (zh) 觸控面板及其製造方法
KR101698818B1 (ko) 곡면형 디스플레이의 제조방법
US20170171989A1 (en) Display apparatus and apparatus and method of manufacturing the same
US9946120B2 (en) Display device
US20130112653A1 (en) Apparatus and Method for Processing Glass Window of Display
CN203712702U (zh) 用于搬运玻璃基板的机械手臂
KR102165162B1 (ko) 기판 박리 장치 및 이를 이용한 소자 제조 방법
KR101582943B1 (ko) 평판 표시 장치의 제조 방법
US10090401B2 (en) Thin film transistor, manufacturing method thereof, and display device including the same
CN108242424A (zh) 柔性面板的制作方法、柔性面板及显示装置
KR20130087376A (ko) 어레이 기판, 액정 디스플레이 장치 및 배향 러빙 방법
KR101610692B1 (ko) 곡면형 디스플레이의 제조방법
CN107797347B (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant