CN105300411A - 物理量传感器装置、高度计、电子设备以及移动体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够实施优良的温度补偿的物理量传感器装置、高度计、电子设备以及移动体。压力传感器装置(1)具有：压力传感器(1)，其具备隔膜(54)，所述隔膜(54)具有受压面(541)，且能够挠曲变形；温度传感器(411)，其以与隔膜(54)隔开间隔的方式而被配置于隔膜(54)的受压面(541)侧。此外，压力传感器(1)在隔膜(54)的与受压面(541)相反的面侧具有作为压力基准室的空洞部。

Description

物理量传感器装置、高度计、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及一种物理量传感器装置、高度计、电子设备以及移动体。
背景技术
例如，专利文献1中记载的压力传感器模块具有：压力传感器装置，其具有隔膜部，且根据该隔膜部的挠曲而对压力进行检测；温度补偿装置，其具有温度测量部(温度传感器部)，压力传感器部以及温度测量部通过导热线而被热连接。因此，根据由温度测量部测量出的压力传感器部的温度，能够实现检测压力的温度补偿。
但是，由于在以上述方式构成的压力传感器模块中，压力传感器装置与温度补偿装置被横向并排配置，因此压力传感器装置(尤其隔膜部)与温度测量部之间的间隔距离变长。因此，在温度测量部中无法准确地实施压力传感器装置(尤其隔膜部)的温度测量，因此，无法进行精度较高的温度补偿。
专利文献1：日本特开2013-164332号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够实施优异的温度补偿的物理量传感器装置、高度计、电子设备以及移动体。
本发明是为解决上述课题中的至少一部分而完成的，能够作为以下的应用例而实现。
应用例1
本应用例的物理量传感器装置具有：物理量传感器，其具备隔膜，所述隔膜具有受压面，并能够挠曲变形；温度传感器元件，其以与所述隔膜隔开间隔的方式而被配置于所述隔膜的所述受压面侧。
由此可获得能够进行优异的温度补偿的物理量传感器装置。
应用例2
在本应用例的物理量传感器装置中，优选为，在俯视观察所述受压面时，所述温度传感器元件与所述隔膜的至少一部分重叠。
由此可使隔膜与温度传感器元件之间的距离较短，从而能够通过温度传感器而更高精度地对压力传感器的温度(尤其是隔膜的温度)进行检测。
应用例3
在本应用例的物理量传感器装置中，优选为，所述物理量传感器在所述隔膜的与所述受压面相反的面侧具有压力基准室。
由此，能够较高精度地对所承受的物理量(尤其是压力)进行检测。
应用例4
在本应用例的物理量传感器装置中，优选为，所述物理量传感器具有输出与所述隔膜的挠曲相对应的信号的信号输出部。
由此，能够将所承受的物理量作为信号而取出。
应用例5
在本应用例的物理量传感器装置中，优选为，所述信号输出部具有被配置于所述隔膜上的压电电阻元件。
由此，信号输出部的结构将变得简单。
应用例6
优选为，本应用例的物理量传感器装置具有被配置于所述隔膜与所述温度传感器元件之间的树脂。
由此，能够保护隔膜。
应用例7
在本应用例的物理量传感器装置中，优选为，所述树脂为胶状或液状。
由此，能够将所受到的物理量有效地传递至隔膜。
应用例8
本应用例的高度计的特征在于，具备上述应用例的物理量传感器装置。
由此能够得到可靠性较高的高度计。
应用例9
本应用例的电子设备的特征在于，具有上述应用例的物理量传感器装置。
由此，能够获得可靠性较高的电子设备。
应用例10
本应用例的移动体的特征在于，具有上述应用例的物理量传感器装置。
由此，能够获得可靠性较高的移动体。
附图说明
图1为表示本发明实施方式1所涉及的中物理量传感器装置的第一实施方式的剖视图。
图2为表示图1所示的物理量传感器装置的俯视图。
图3为表示图1所示的物理量传感器装置所具有的物理量传感器的剖视图。
图4为表示图3所示的物理量传感器所具有的压力传感器部的俯视图。
图5为表示包含有图4所示的压力传感器部的电路的图。
图6为表示本发明实施方式2所涉及的物理量传感器装置的俯视图。
图7为表示本发明的高度计的一个示例的立体图。
图8为表示本发明的电子设备的一个示例的主视图。
图9为表示本发明的移动体的一个示例的立体图。
具体实施方式
下面，根据附图所示的实施方式对本发明的物理量传感器装置、高度计、电子设备以及移动体进行详细说明。
1、物理量传感器装置
＜实施方式1＞
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的物理量传感器装置的第一实施方式的剖视图。图2为表示图1所示的物理量传感器装置的俯视图。图3为表示图1所示的物理量传感器装置所具有的物理量传感器的剖视图。图4为表示图3所示的物理量传感器所具有的压力传感器部的俯视图。图5为表示包括图4所示的压力传感器部在内的电路的图。另外，在以下说明中，将图1、图3中的上侧称为“上”，下侧称为“下”。
图1所示的压力传感器装置(物理量传感器装置)1具有：压力传感器(物理量传感器)3、与压力传感器3电连接且具有温度传感器411的IC芯片4、收纳压力传感器3以及IC芯片4的封装件2、在封装件2中包围压力传感器3以及IC芯片4的填充材料11。下面，依次对该各个部分进行说明。
封装件
封装件2为具有将压力传感器3收纳到所述封装件2的内部所形成的内部空间28内并对其进行固定的功能。
如图1所示，封装件2具有基座21、外壳22、以及挠性配线基板25，并通过基座21与外壳22而夹持挠性配线基板25，并将其相互接合而构成。基座21与挠性配线基板25的接合、以及外壳22与挠性配线基板25的接合分别通过由粘合剂构成的粘合剂层26而被实施。
基座21构成封装件2的底面，在本实施方式中，整体形状呈平板状，其俯视观察形状呈正方形形状。虽然作为基座21的构成材料未被特别地限定，但是列举有例如氧化铝、氧化硅、二氧化钛、氧化锆等的氧化物陶瓷，氮化硅、氮化铝、氮化钛等的氮化物陶瓷的各种陶瓷，以及聚乙烯、酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯酸类树脂、ABS树脂、环氧树脂的各种树脂材料等的绝缘性材料，并能够对其中一种或两种以上进行组合而使用。其中，优选各种陶瓷。由此，能够取得具有优异的机械强度的封装件2。另外，作为基座21的俯视观察形状，除此之外，也可以呈例如圆形、长方形、五边形以上的多边形等的形状。
外壳22构成封装件2的盖部，在本实施方式中，整体形状呈筒状。另外，外壳22具有第一部位和第二部位，所述第一部位为，所述外壳22的外径以及内径从下端向上端而递减直至封装件高度的中途为止的部位，所述第二部位为，所述外壳22的外径以及内径从所述中途向上端而大致固定的部位。作为外壳22的构成材料，能够使用与作为基座21的构成材料而列举出的材料相同的材料。另外，作为外壳22的形状不进行特别限定。
挠性配线基板25在封装件2的厚度方向上位于基座21与外壳22之间，从而在封装件2内对压力传感器3以及IC芯片4进行支承，并且具有将来自压力传感器3或IC芯片4的电信号取出至封装件2的外部的功能。这样的挠性配线基板25由具有挠性的基材23和形成于基材23的上面侧的配线24而构成。
此外，如图2所示，基材23由呈大致四边形的框状且在中心部处具有开口部233的框部231、和以在该框部231的一边上突出的方式一体形成的呈带状的带体232而被构成。作为基材23的构成材料，只要具有挠性则不进行特别限定，例如列举有聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜树脂(PES)，并能够对其中的一种或两种以上进行组合而使用。
如图2所示，配线24具有导电性，并架设(引设)于框部231与带体232上而设置。该配线24具有4个配线部241和4个配线部245，所述4个配线部241对压力传感器3进行支承(悬挂)并且使压力传感器3与IC芯片4电连接，所述四个配线部245对IC芯片4进行支承并且被电连接于IC芯片4上。
四个配线部241各自的压力传感器3侧的端部成为端子241a，且IC芯片4侧的端部成为悬空引线241b。4个端子241a沿着框部231的一条边231a而被并排配置，四个悬空引线241b也沿着相同边231a而被并排配置。如此，通过将端子241a与悬空引线241b沿着相同的边231a并排配置，从而能够缩短配线部241的长度，并能够减少干扰的产生。
另外，四个端子241a分别经由接合引线(金属导线)15而与压力传感器3电连接。此外，通过该接合引线15而使压力传感器3以与框部231隔开间隔的方式而被支承。另一方面，四个悬空引线241b分别以其顶端侧向开口部233内突出的方式而被设置，在顶端部中，通过导电性的固定部件14而与IC芯片4电连接。此外，通过该悬空引线241b，而使IC芯片4以与框部231隔开间隔的方式而被支承。通过采用以上的结构，从而经由四个配线部241而使压力传感器3与IC芯片4电连接。
另一方面，四个配线部245各自的基端侧被设置于带体232上，顶端侧被设置于框部231上。此外，四个配线部245的顶端部沿着与边231a对置的边231b而被配置，而成为悬空引线245b。四个悬空引线245b各自的顶端侧以向开口部233内突出的方式而被设置，且在顶端部中，通过固定部件14而与IC芯片4电连接。此外，通过该悬空引线245b，而使IC芯片4以与框部231隔开间隔的方式而被支承。
根据该结构的封装件2，通过将例如后述的电子设备或移动体的母板等电连接于配线部245的端部，从而能够将来自压力传感器3或IC芯片4的电信号取出至封装件2的外部。
另外，对配线24所具有的配线部的数量并不进行特别限定，只要以与被设置于压力传感器3上的连接端子743数量、和被设置于IC芯片4的连接端子42的数量匹配的方式进行适当设定即可。此外，作为配线24的构成材料，只要具有导电性则不进行特别限定，例如列举有Ni、Pt、Li、Mg、Sr、Ag、Cu、Co、Al等的金属、包含这些金属的MgAg、AlLi、CuLi等的合金、以及ITO、SnO2等的氧化物，并能够对其中的一种或两种以上进行组合而使用。
压力传感器
如图3所示，压力传感器3具有基板5、压力传感器部6、元件周围构造体7、空洞部8、以及未图示的半导体电路。下面依次对各部分进行说明。
基板5呈板状，并通过在由SOI基板(依次层压了第一Si层511、SiO2层512、第2的Si层513而形成的基板)构成的半导体基板51上依次层压第一绝缘膜52、第二绝缘膜53而被构成，其中，所述第一绝缘膜52由硅氧化膜(SiO2膜)构成，所述第二绝缘膜53由硅氮化膜(SiN膜)构成。但是，作为半导体基板51并不限于SOI基板，例如也能够使用硅基板。
此外，在半导体基板51上设置有与周围的部分相比为薄壁且通过受压而挠曲变形的隔膜54。该隔膜54通过在半导体基板51的下表面上设置有底的凹部55而被形成，从而使其下表面(凹部55的底面)成为受压面541。
在这种半导体基板51上以及其上方嵌入有未图示的半导体电路(电路)。在该半导体电路中包括根据需要而形成的MOS晶体管等的功能元件、电容器、电感元件、电阻、二极管以及配线等的电路要素。
如图4所示，压力传感器部(输出信号部)6具有被设置于隔膜54上的四个压电电阻元件61、62、63、64。该4个压电电阻元件61、62、63、64分别以与在俯视观察时呈四边形的隔膜54的各边相对应的方式而被设置。
压电电阻元件61、62具有压电电阻部611、621和配线613、623。所述压电电阻部611、621被设置于隔膜54的外边缘部上，所述配线613、623被连接于压电电阻部611、621的两端部。另一方面，压电电阻元件63、64具有：被设置于隔膜54的外边缘部上的一对压电电阻部631、641；将一对压电电阻部631、641彼此进行连接的连接部632、642；以及被连接于一对压电电阻部631、641的另一端部的配线633、643。
压电电阻部611、621、631、641各自例如通过在在半导体基板51的第一Si层511中掺入(扩散或注入)磷、硼等杂质(扩散或注入)而被构成。此外，配线613、623、633、643以及连接部632、642各自例如通过在第一Si层511中掺入(扩散或注入)与压电电阻部611、621、631、641相比而较高浓度的磷、硼等杂质而被构成。
另外，压电电阻元件61、62、63、64以使自然状态下的电阻值相等的方式而被构成。而且，该压电电阻元件61、62、63、64经由配线613、623、633、643等而被相互电连接，如图5所示，构成桥式电路60(惠斯通电桥电路)，并与半导体电路连接。在该桥式电路60中连接有供给驱动电压AVDC的驱动电路(未图示)。另外，桥式电路60输出与压电电阻元件61、62、63、64的电阻值相对应的信号(电压)。
元件周围结构体7以划分形成空洞部8的方式而被形成。如图3所示,该元件周围构造体7具有层间绝缘膜71、被形成于层间绝缘膜71上的配线层72、被形成于配线层72以及层间绝缘膜71上的层间绝缘膜73、被形成于层间绝缘膜73上的配线层74、被形成于配线层74以及层间绝缘膜73上的表面保护膜75、以及密封层76。配线层74具有覆盖层741，所述覆盖层741具备将空洞部8的内外连通的多个细孔742，被配置于覆盖层741上的密封层76对细孔742进行密封。另外，配线层72、74包括以包围空洞部8的方式而被形成的配线层、和构成半导体电路的配线的配线层。半导体电路通过配线层72、74被引出至压力传感器3的上表面，从而使配线层74的一部分成为连接端子743。而且，该连接端子743通过接合引线15而与端子241a电连接。
虽然作为层间绝缘膜71、73并不进行特别限定，但是例如能够使用硅氧化膜(SiO2膜)等的绝缘膜。此外，虽然作为配线层72、74并不特别地限定，但是例如能够使用铝膜等的金属膜。另外，虽然作为密封层76并不进行特别限定，能够使用Al、Cu、W、Ti、TiN等的金属膜。此外，虽然作为表面保护膜75并不进行特别限定，但是能够使用硅氧化膜、硅氮化膜、聚酰亚胺膜、环氧树脂膜等的、具有用于从水分、灰尘、损伤等中保护元件的耐性的膜。
通过基板5和元件周围构造体7而划分成的空洞部8为密闭的空间，且作为使压力传感器3所检测的压力成为基准值的压力基准室而发挥功能。该空洞部8位于隔膜54的与受压面541相反的一侧，此外，以与隔膜54重叠的方式而被配置。而且，隔膜54构成对空洞部8进行划分的壁部的一部分。此外，空洞部8为真空状态(例如10Pa以下)。由此，能够将压力传感器3作为以真空状态为基准而对压力进行检测的所谓“绝对压力传感器元件”而使用。但是，空洞部8也可以不是真空状态，例如既可以为大气压状态，也可以为与大气压相比而气压较低的减压状态，还可以为与大气压相比气压较高的加压状态。
IC芯片
如图1以及图2所示，在IC芯片4中设置有半导体电路41。该半导体电路41至少具有温度传感器411，所述温度传感器411对压力传感器3(尤其是隔膜54上的压电电阻元件61～64)的温度进行检测。此外，除此以外，半导体电路41根据需要而包括MOS晶体管等的功能元件、电容器、电感元件、电阻、二极管、配线等的电路要素。该半导体电路41经由被配置于其上表面(压力传感器3侧的面)上的连接端子42而与悬空引线241b、245b电连接。
此处，在IC芯片4内的半导体电路41以及压力传感器3内的所述半导体电路中，包括例如驱动电路、温度补偿电路、以及输出电路等。所述驱动电路向桥式电路60供给电压；所述温度补偿电路根据通过温度传感器411所检测的温度而对来自桥式电路60的输出进行温度补偿；所述输出电路将来自温度补偿电路的输出转换为预定的输出形式(CMOS、LV-PECL、LVDS等)而输出。另外，驱动电路、温度补偿电路、输出电路等的配置并未被特别地限定，还可以例如在压力传感器3内的半导体电路中形成驱动电路，在IC芯片4内的半导体电路41中形成温度补偿电路以及输出电路。
此外，温度传感器411具有压电电阻元件(温度传感器元件)411a。压电电阻元件411a具有电阻值随着温度而发生变化的性质，温度传感器411能够根据压电电阻元件411a的电阻值的变化，而对周围的温度(即隔膜54上的压电电阻元件61～64的温度)进行检测。
此处，虽然作为压电电阻元件411a的配置并不进行特别限定，但是如图1所示，优选为，在俯视观察时以至少一部分与隔膜54重叠的方式而被配置。由此，能够将压电电阻元件411a靠近隔膜54，从而能够使温度传感器411更加准确地实施对压力传感器3的温度检测。另外，作为温度传感器411的结构，只要能够对对压力传感器3的温度进行检测，则不限定于本实施方式。
以上，对压力传感器3以及IC芯片4进行了说明。压力传感器3通过接合引线15而与配线部241的端子241a接合，由此，压力传感器3被支承于框部231上，并且各连接端子743与配线部241电连接。此外，压力传感器3使隔膜54的受压面541朝向下侧(与封装件2的开口相反的一侧)而配置。另一方面，IC芯片4通过具有导电性的固定部件14而与配线部241、245接合，由此，IC芯片4被支承于框部231上，并且各个连接端子42与配线部241、245电连接。由此，能够经由配线部241而使压力传感器3与IC芯片4电连接，并且通过配线部245而从IC芯片4向外部进行输出。作为固定部件14，只要各自具有导电性则不进行特别限定，例如，能够使用锡等的钎焊合金材料，金隆起焊盘等的金属隆起焊盘，导电性粘合剂等。
如图1所示，以该方式固定的压力传感器3以及IC芯片4通过接合引线15以及悬空引线241b、245b、填充材料11，而成为在封装件2的内部空间28内中漂浮的状态(与内壁不接触的状态)。由此，由于振动等难以通过封装件2而传递到压力传感器3或IC芯片4，因此能够抑制由压力传感器装置1实施的压力检测精度的降低。另外，本实施方式中，由于IC芯片4的至少一部分以在俯视观察时与压力传感器3重叠的方式而被配置(上下重叠配置)，因此能够抑制压力传感器装置1的横向扩展，从而能够实现压力传感器装置1的小型化。
另外，如图1所示，以使隔膜54的受压面541朝下侧的方式配置有压力传感器3，在压力传感器3的下侧即受压面541侧配置有IC芯片4。如此，通过将IC芯片4设置于受压面541侧(以与受压面541对置的方式)，从而能够通过温度传感器411而精度更高地对隔膜54上的压电电阻元件61～64的温度进行检测。具体而言，假设在IC芯片4被配置于与本实施方式相反的一侧(即与受压面541相反的一侧)的情况下，空洞部8将夹于温度传感器411与压电电阻元件61～64之间。如前所述，由于空洞部8为真空状态，因此导热效率非常低。因此，压电电阻元件61～64的温度难以传递至温度传感器411，从而无法精度较高地对压电电阻元件61～64的温度进行检测。相对于此，由于在本实施方式中，空洞部8并未夹于压电电阻元件61～64与温度传感器411(压电电阻元件411a)之间，因此压电电阻元件61～64的热将有效地传递至温度传感器411。因此，根据本实施方式，能够通过温度传感器411精度更高地对压电电阻元件61～64的温度进行检测。
如图1所示，尤其由于在本实施方式中，温度传感器411的压电电阻元件411a的至少一部分以在俯视观察中与隔膜54重叠的方式而被配置，因此能够缩短温度传感器411与压电电阻元件61～64之间的间隔距离。由此，更加提高上述效果。
填充材料
如图1所示，填充材料(树脂)11被填充于封装件2内所形成的内部空间28内，由此，对被收纳于内部空间28内的压力传感器3以及IC芯片4进行覆盖。通过该填充材料11，能够保护压力传感器3以及IC芯片4(防尘以及防水)，并且能够减小作用于压力传感器装置1上的外部压力。另外，施加于压力传感器装置1上的压力，经由外壳22的开口以及填充材料11，而作用于压力传感器3的受压面541上。
该填充材料11只要为具有与压力传感器3、IC芯片4、以及封装件2相比而较软的特性的物质即可，例如呈液体或胶状，作为具体的一个示例，能够使用硅油、氟类油、硅胶等。换言之，填充材料11能够使用与压力传感器3以及IC芯片4相比杨氏模数较小的物质。此外，作为填充材料11的粘度并不进行特别限定，优选为，例如渗透率为50以上且250以下的范围内。更加优选为，150以上且250以下的范围内。由此，能够使填充材料11充分柔软，从而使施加于压力传感器装置1的压力有效地作用于受压面541上。
另外，为了使温度传感器411更高精度地实施温度检测，也可以使热导性填充物分散于填充材料11(尤其位于压力传感器3与IC芯片4之间的部分)中。由此，能够提高填充材料11的热导率，从而能够使温度传感器411精度更高地实施温度检测。作为热导性填充物，例如，能够使用金属粉末、石墨、炭黑等具有导电性的物质，还能够使用氮化铝、氮化硼、氧化铝等的具有绝缘性的物质。另外，为了确保填充材料11的绝缘性，作为热导性填充物，优先使用具有绝缘性的物质。
以上，对压力传感器装置1的结构进行了说明。
这种压力传感器装置1根据隔膜54的受压面541所受到的压力而使隔膜54挠曲变形，并由此而使压电电阻元件61、62、63、64发生变形，从而压电电阻元件61、62、63、64的电阻值根据其挠曲程度而发生变化。伴随于此，桥式电路60的输出发生变化。此处，压电电阻元件61、62、63、64具有电阻值不仅随着自身的挠曲而发生变化还随着自身的温度(环境温度)而发生变化的性质。因此，桥式电路60的输出的变化是由压电电阻元件61、62、63、64的挠曲和压电电阻元件61、62、63、64的温度引起的。因此，半导体电路41根据由温度传感器411检测到的压电电阻元件61、62、63、64的温度，而对从从桥式电路60获得的信号进行补正，并根据补正后的信号来求取受压面541上所受到的压力的大小，并输出该信息。
＜第二实施方式＞
图6为表示本发明实施方式2所涉及的物理量传感器装置的俯视图。
以下，虽然对物理量传感器装置的实施方式2进行说明，但是以与前文所述的实施方式的不同点为中心进行说明，且相同事项省略其说明。
实施方式2除了压力传感器与IC芯片的安装和连接方法不同之外，与前文所述的第一实施方式相同。
如图6所示，在本实施方式的压力传感器装置1中，各个配线部241的两端位于框部231上。即，并不如前文所述的第一实施方式那样成为悬空引线。此外，在俯视观察时，压力传感器3以其整体与IC芯片4重叠的方式而被配置。换言之，在俯视观察时压力传感器3的整体被IC芯片4包围。另外，IC芯片4通过接合引线(金属导线)16而被连接于配线部241、245上从而被支承。在这种结构的压力传感器装置1种，压力传感器3的整体与IC芯片4重叠的程度与所述的第1实施方式比而能够实现小型化。
通过该第二实施方式也能够发挥与前文所述的第一实施方式相同的效果。
2、高度计
接下来，对具备本发明物理量传感器装置的高度计的一个示例进行说明。
图7为表示本发明高度计的一个示例的立体图。
如图7所示，高度计200能够如同手表一样戴在手腕上。另外，在高度计200的内部搭载有压力传感器装置1，从而能够在显示部201上显示当地的海拔高度或当地的气压等。
另外，在该显示部201上还能够显示当前时刻、使用者的心跳数、气候等各种信息。
3、电子设备
以下，对应用了具备本发明物理量传感器装置的电子设备的导航系统进行说明。
图8为表示本发明的电子设备的一个示例的主视图。
如图8所示，在导航系统300中具备，未图示的地图信息，GPS(全球定位系统：GlobalPositioningSystem)的位置信息取得单元，由陀螺仪传感器、加速度传感器与车速数据形成的自主导航单元，压力传感器装置1，显示预定的位置信息或前进道路信息的显示部301。
根据该导航系统，除了所取得的位置信息以外，还能够取得高度信息。通过获得高度信息，从而例如在表示在位置信息上与一般道路大致相同的位置的高架道路上行驶的情况下，在没有高度信息的场合下，无法判断在导航系统中是在一般道路上行驶还是在高架道路上行驶，从而只能向使用者提供一般道路的信息以作为优先信息。因此，能够在本实施方式所涉及的导航系统300中通过物理量传感器1而取得高度信息，并能够对由从一般道路进入到高架道路产生的高度变化进行检测，从而向使用者提供高架道路的行驶状态中的导航信息。
另外，显示部301将成为例如液晶板显示器、有机EL(OrganicElectro-Luminescence)显示器等、能够实现小型化且可薄型化的结构。
另外，具备本发明的物理量传感器的电子设备并不限定于上述的设备，例如能够应用于个人计算机、便携式电话、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、各种测量设备、计量设备类(例如，车辆、飞机、船舶的计量设备类)、飞行模拟器等。
4、移动体
接下来，对具有本发明物理量传感器装置的移动体进行说明。
图9为表示本发明的移动体的一个示例的立体图。
如图9所示，移动体400具有车身401、四个车轮402，并被构成为通过被设置于车身401上的未图示的动力源(发动机)而使车轮402旋转。在该移动体400中内置有导航系统300(物理量传感器1)。
以上，虽然对根据图示的各实施方式对本发明的物理量传感器(电子装置)、高度计、电子设备以及移动体进行了说明，但是本发明并不限定于此，各部分的结构能够替换为具有同样功能的任意结构。此外，也可以附加其他任意的结构物或工序。此外，也可以将各实施方式进行适当组合。
此外，虽然在前文所述的实施方式中，对作为压力传感器所具有的压力传感器部而使用了压电电阻元件的情况进行了说明，但是作为压力传感器部并不限定于此，例如还能够使用采用了片型的振动子的结构，或梳齿形电极等其他MEMS振动子、以及水晶振子等的振动元件。
符号说明
1……压力传感器装置；11……填充材料；14……固定部件；15、16……接合引线；2……封装件；21……基座；22……外壳；23……基材；231……框部；231a、231b……边；232……带体；233……开口部；24……配线；241……配线部；241a……端子；241b……悬空引线；245……配线部；245b……悬空引线；25……挠性配线基板；26……粘合剂层；28……内部空间；3……压力传感器；4……IC芯片；41……半导体电路；411……温度传感器；411a……压电电阻元件；42……连接端子；5……基板；51……半导体基板；511……第一Si层；512……SiO2层；513……第二Si层；52……第一绝缘膜；53……第二绝缘膜；54……隔膜；541……受压面；55……凹部；6……压力传感器部；60……桥式电路；61、62、63、64……压电电阻元件；611、621、631、641……压电电阻部；613、623、632、633、642、643……配线；7……元件周围结构体；71、73……层间绝缘膜；72、74……配线层；741……覆盖层；742……细孔743……连接端子；75……表面保护膜；76……密封层；8……空洞部；200……高度计；201……显示部；300……导航系统；301……显示部；400……移动体；401……车身；402……车轮。

Claims (10)

1.一种物理量传感器装置，其特征在于，具有：
物理量传感器，其具备隔膜，所述隔膜具有受压面，并能够挠曲变形；
温度传感器元件，其以与所述隔膜隔开间隔的方式而被配置于所述隔膜的所述受压面侧。
2.如权利要求1所述的物理量传感器装置，其中，
在俯视观察所述受压面时，所述温度传感器元件与所述隔膜的至少一部分重叠。
3.如权利要求1所述的物理量传感器装置，其中，
所述物理量传感器在所述隔膜的与所述受压面相反的面侧具有压力基准室。
4.如权利要求1所述的物理量传感器装置，其中，
所述物理量传感器具有信号输出部，该信号输出部输出与所述隔膜的挠曲相对应的信号。
5.如权利要求4所述的物理量传感器装置，其中，
所述信号输出部具有被配置于所述隔膜上的压电电阻元件。
6.如权利要求1所述的物理量传感器装置，其中，
具有被配置于所述隔膜与所述温度传感器元件之间的树脂。
7.如权利要求6所述的物理量传感器装置，其中，
所述树脂为胶状或液状。
8.一种高度计，其特征在于，
具备权利要求1所述的物理量传感器装置。
9.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1所述的物理量传感器装置。
10.一种移动体，其特征在于，
具备权利要求1所述的物理量传感器装置。
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