CN108622844A - 压力传感器、压力传感器模块、电子设备及移动体 - Google Patents

压力传感器、压力传感器模块、电子设备及移动体 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够同时实现压力检测灵敏度和机械性强度的压力传感器、压力传感器模块、电子设备及移动体。压力传感器具有：基板，其具备通过受压而发生挠曲变形的隔膜；压电电阻元件，其被设置在所述隔膜上；保护膜，其被设置在所述隔膜的一面侧。此外，所述保护膜具有薄壁部和与所述薄壁部相比而较厚的厚壁部。此外，在俯视观察所述基板时，所述薄壁部与所述压电电阻元件重叠，且所述厚壁部与所述隔膜的至少一部分重叠。

Description

压力传感器、压力传感器模块、电子设备及移动体
技术领域
本发明涉及一种压力传感器、压力传感器模块、电子设备及移动体。
背景技术
一直以来，作为压力传感器而已知专利文献1所记载的结构。专利文献1的压力传感器被构成为，具有：基板，其具备通过受压而发生挠曲变形的隔膜；压电电阻元件，其被形成在隔膜上；保护膜，其被配置在基板的一个面(上表面)上，并且利用压电电阻元件的电阻值根据隔膜的挠曲而发生变化的这一点，而对压力进行检测。
此外，在专利文献1的压力传感器中，为了使隔膜更容易发生挠曲以提高检测灵敏度，而在保护膜的与隔膜的整个区域重叠的部分上形成凹部，从而减薄隔膜上的保护膜。然而，在这样的结构中，会导致隔膜的机械性强度的降低，从而隔膜易于发生破损。即，在专利文献1的压力传感器中，难以同时实现压力检测灵敏度和机械性强度。
专利文献1：国际公开2010/055734号公报
发明内容
本发明的目的在于，提供一种能够同时实现压力检测灵敏度和机械性强度的压力传感器、压力传感器模块、电子设备及移动体。
这样的目的通过下述的本发明来达成。
本发明的压力传感器的特征在于，具有：基板，其具备通过受压而发生挠曲变形的隔膜；压电电阻元件，其被设置在所述隔膜上；保护膜，其被设置在所述隔膜的一面侧，所述保护膜具有薄壁部和与所述薄壁部相比而较厚的厚壁部，在俯视观察所述基板时，所述薄壁部与所述压电电阻元件重叠，且所述厚壁部与所述隔膜的至少一部分重叠。
由此，可获得能够同时实现压力检测灵敏度和机械性强度的压力传感器。
在本发明的压力传感器中，优选为，在俯视观察所述基板时，所述厚壁部与所述隔膜的外缘的至少一部分重叠。
由此，能够更有效地同时实现压力检测灵敏度和机械性强度。
在本发明的压力传感器中，优选为，在俯视观察所述基板时，所述隔膜的外缘具有至少一个角部，并且所述厚壁部与所述角部重叠。
如此，在隔膜的外缘具有角部的情况下，应力容易集中在外缘中尤其是角部上，从而隔膜在角部处发生破损的情况较多。因此，通过以与角部重叠的方式而配置厚壁部，并对角部进行加强，从而能够有效地对由向角部的应力集中所导致的隔膜的破损进行抑制。
在本发明的压力传感器中，优选为，在俯视观察所述基板时，所述隔膜的外缘具有至少两个所述角部、和位于两个所述角部之间的边，并且所述厚壁部与各个所述角部重叠，且所述薄壁部与所述边重叠。
由此，变得易于在隔膜的外缘部处配置压电电阻元件。此外，能够有效地对厚壁部与压电电阻元件重叠从而压力检测灵敏度降低的情况进行抑制。
在本发明的压力传感器中，优选为，所述厚壁部与所述隔膜的中央部重叠。
由此，能够在厚壁部的周围产生较大的应力。因此，能够实现压力检测灵敏度的提高。
在本发明的压力传感器中，优选为，所述压电电阻元件被配置在所述隔膜的外缘部处。
由于当隔膜通过受压而发生挠曲变形时，较大的应力会施加在隔膜中尤其是其外缘部上，因此通过在外缘部处配置压电电阻元件，从而提高了压电传感器的压力检测灵敏度。
在本发明的压力传感器中，优选为，所述压电电阻元件还被配置在所述隔膜的中央部处。
由此，提高了压力传感器的压力检测灵敏度。
在本发明的压力传感器中，优选为，所述薄壁部具有包含氧化硅的第一绝缘膜、和包含氮化硅的第二绝缘膜。
由此，通过第一绝缘膜，从而能够降低压电电阻元件的界面准位以抑制噪音的产生。此外，通过第二绝缘膜，能够保护传感器部免受水分和灰尘的影响，由此能够提高压力传感器的可靠性。
在本发明的压力传感器中，优选为，具有压力基准室，所述压力基准室以在俯视观察所述基板时与隔膜重叠的方式而被配置。
由此，由于能够以压力基准室的压力为基准而对隔膜所承受的压力进行检测，因此能够更高精度地对隔膜所承受的压力进行检测。
本发明的压力传感器模块的特征在于，具有：本发明的压力传感器；封装件，其对所述压力传感器进行收纳。
由此，能够享有本发明的压力传感器的效果，从而可获得可靠性较高的压力传感器模块。
本发明的电子设备的特征在于，具有本发明的压力传感器。
由此，能够享有本发明的压力传感器的效果，从而可获得可靠性较高的电子设备。
本发明的移动体的特征在于，具有本发明的压力传感器。
由此，能够享有本发明的压力传感器的效果，从而可获得可靠性较高的移动体。
附图说明
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。
图2为表示图1所示的压力传感器所具有的传感器部的俯视图。
图3为表示包括图2所示的传感器部的桥接电路的电路图。
图4为表示图1所示的压力传感器所具有的保护膜的俯视图。
图5为表示图1所示的压力传感器的改变例的剖视图。
图6为表示图1所示的压力传感器的制造工序的流程图。
图7为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图8为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图9为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图10为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图11为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图12为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图13为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图14为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图15为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。
图16为表示图1所示的压力传感器的其他的制造工序的流程图。
图17为表示本发明的第二实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。
图18为表示图17所示的压力传感器所具有的保护膜的俯视图。
图19为表示包括图18所示的传感器部的桥接电路的电路图。
图20为表示本发明的第三实施方式所涉及的压力传感器模块的剖视图。
图21为图20所示的压力传感器模块所具有的支承基板的俯视图。
图22为表示作为本发明的第四实施方式所涉及的电子设备的高度计的立体图。
图23为表示作为本发明的第四实施方式所涉及的电子设备的导航系统的主视图。
图24为表示作为本发明的第五实施方式所涉及的移动体的汽车的立体图。
具体实施方式
以下，根据附图所示的实施方式来对本发明的压力传感器、压力传感器模块、电子设备以及移动体进行详细说明。
第一实施方式
首先，对本发明的第一实施方式所涉及的压力传感器进行说明。
图1为表示本发明的第一实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。图2为表示图1所示的压力传感器所具有的传感器部的俯视图。图3为表示包括图2所示的传感器部的桥接电路的电路图。图4为表示图1所示的压力传感器所具有的保护膜的俯视图。图5为表示图1所示的压力传感器的改变例的剖视图。图6为表示图1所示的压力传感器的制造工序的流程图。图7至图15分别为用于对图1所示的压力传感器的制造方法进行说明的剖视图。图16为表示图1所示的压力传感器的其他的制造工序的流程图。另外，在以下的说明中，也将图1、图5、图7至图15中的上侧以及图2、图4的纸面近前侧称为“上”，并将图1、图5、图7至图15中的下侧以及图2、图4的纸面纵深侧称为“下”。
如图1所示，压力传感器1具有：基板2；传感器部3，其被配置在基板2上；保护膜5，其被配置在基板2的上表面上；底基板4，其被接合在基板2的下表面上；压力基准室S(空洞部)，其被形成在基板2与底基板4之间。
基板2由SOI基板构成，所述SOI基板由第一硅层21、氧化硅层22以及第二硅层23依次层叠而成。但是，作为基板2，并不限定于SOI基板，例如也可以使用单层的硅基板。此外，作为基板2也可以使用由硅以外的半导体材料、例如锗、砷化镓、镓磷、氮化镓、碳化硅等构成的基板(半导体基板)。
此外，在基板2上设置有与周围的部分相比为薄壁且通过受压而发生挠曲变形的隔膜25。在基板2上，形成有向下方开放的有底的凹部24，并且该凹部24的上侧(基板2因凹部24而变薄的部分)成为隔膜25。而且，隔膜25的上表面成为承受压力的受压面251。凹部24为用于形成后述的压力基准室S的空间(空洞部)，形成所述压力基准室S被形成在隔膜25的与受压面相反的一侧。
此处，在本实施方式中，凹部24由使用了硅深蚀刻装置的干蚀刻而被形成。具体而言，通过从基板2的下表面侧起反复进行各向同性蚀刻、保护膜成膜以及各向异性蚀刻这一工序来对第一硅层21进行挖掘，从而形成凹部24。当反复进行该工序且蚀刻到达了氧化硅层22时，氧化硅层22成为蚀刻终止层从而结束蚀刻，由此获得凹部24。根据这样的形成方法，由于凹部24的侧面大致垂直于基板2的主面，因此能够缩小凹部24的开口面积。因此，能够抑制基板2的机械性强度的降低，此外，还能够抑制压力传感器1的大型化。另外，虽然未进行图示，但是通过反复进行前文所述的工序，从而在凹部24的内壁侧面上，在挖掘方向上形成有周期性的凹凸。
但是，作为凹部24的形成方法，并不限定于上述的方法，例如，也可以通过湿蚀刻而形成。此外，虽然在本实施方式中，在隔膜25上残留有氧化硅层22，但是也可以将该氧化硅层22进一步去除。即，也可以通过单层的第二硅层23来构成隔膜25。由此，能够使隔膜25变得更薄，从而获得更易于发生挠曲变形的隔膜25。此外，在如本实施方式的那样由多个层(氧化硅层22和第二硅层23)来构成隔膜25的情况下，有可能会产生因各层的热膨胀率的不同而引起的热应力，从而隔膜25会意图之外地、即因作为检测对象的压力以外的力而发生挠曲变形。相对于此，由于通过由单层来构成隔膜25从而不会产生上述那样的热应力，因此能够更高精度地对作为检测对象的压力进行检测。
作为隔膜25的厚度，并未被特别限定，虽然根据隔膜25的大小等而有所不同，但是例如在隔膜25的宽度为100μm以上且300μm以下时，优选为1μm以上且10μm以下，更优选为1μm以上且3μm以下。更具体而言，构成隔膜25的上侧部分的第二硅层23的厚度优选为1μm以上且9μm以下，更优选为1μm以上且3μm以下。此外，构成隔膜25的下侧部分的氧化硅层22的厚度优选为0.1μm以上且1μm以下，更优选为0.1μm以上且0.5μm以下。由此，可获得在充分地保证了机械性强度的同时足够薄且通过受压而易于发生挠曲变形的隔膜25。
此外，如图2所示，隔膜25的俯视观察时的形状为大致正方形。即，隔膜25的外缘具有四个边25a、25b、25c、25d以及四个角部25ab、25bc、25cd、25da。更具体而言，在边25a与边25b交叉的部分上设置有角部25ab，在边25b与边25c交叉的部分上设置有角部25bc，在边25c与边25d交叉的部分上设置有角部25cd，在边25d与边25a交叉的部分上设置有角部25da。另外，角部25ab、25bc、25cd、25da也可以分别被倒角成直线状(C面)或曲线状(R面)。此外，在该情况下，作为被倒角的范围并未被特别限定，例如能够设为各边25a、25b、25c、25d的长度的20％以下的程度，或者设为10％以下的程度。
但是，作为隔膜25的俯视观察时的形状并未被特别限定，例如也可以为三角形、五边形以上的多边形等具有角部的形状、或圆形、椭圆形、长圆形等不具有角部的形状。
如图2所示，在隔膜25上设置有可以对作用于隔膜25的压力进行检测的传感器部3。传感器部3具有被设置在隔膜25上的四个压电电阻元件31、32、33、34。此外，压电电阻元件31、32、33、34经由配线35而被相互电连接，从而构成了图3所示的桥接电路30(惠斯通桥接电路)。在桥接电路30上连接有供给驱动电压AVDC的驱动电路(未图示)。而且，桥接电路30输出与隔膜25的挠曲的压电电阻元件31、32、33、34的电阻值变化相对应的检测信号(电压)。因此，能够根据从桥接电路30被输出的检测信号而对隔膜25所承受的压力进行检测。
尤其是，压电电阻元件31、32、33、34被配置于隔膜25的外缘部处。具体而言，如图2所示，压电电阻元件31沿着边25b而被配置，压电电阻元件32沿着25d而被配置，压电电阻元件33沿着25a而被配置，压电电阻元件34沿着25c而被配置。当隔膜25通过受压而发生挠曲变形时，由于在隔膜25之中尤其是在其外缘部处被施加有较大的应力。因此，通过如本实施方式这样在隔膜25的外缘部上配置压电电阻元件31、32、33、34，从而能够增大前文所述的检测信号，进而提高了压力检测灵敏度。但是，压电电阻元件31、32、33、34的配置并未被特别限定，例如，压电电阻元件31、32、33、34既可以以跨及隔膜25的外缘的方式而被配置，也可以被配置在隔膜25的中央部处。
压电电阻元件31、32、33、34例如通过向基板2的第二硅层23中掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而被构成。此外，配线35例如通过向基板2的第二硅层23中掺杂(扩散或注入)与压电电阻元件31、32、33、34相比为高浓度的磷、硼等杂质而被构成。但是，作为压电电阻元件31、32、33、34和配线35的形成方法，并未被特别限定。
如图1所示，保护膜5被配置在基板2的上表面上。保护膜5具有被配置在基板2的上表面上的第一绝缘膜51、和被配置在第一绝缘膜51上的第二绝缘膜52。此外，第一绝缘膜51由氧化硅膜(SiO2膜)构成，第二绝缘膜52由氮化硅膜(SiOx膜)构成。
所述第一绝缘膜51以及第二绝缘膜52分别以在俯视观察时与隔膜25的整个区域重叠的方式而被配置。通过第一绝缘膜51(氧化硅膜)，从而能够降低压电电阻元件31、32、33、34的界面准位以抑制噪音的产生。此外，通过第二绝缘膜52(氮化硅膜)，从而能够保护传感器部3免受水分、灰尘的影响，由此能够提高压力传感器1的可靠性。
此处，虽然作为第一绝缘膜51和第二绝缘膜52的膜厚总计值(总厚度)并未被特别限定，但是优选为隔膜25的厚度的1/10以下。由此，能够使第一绝缘膜51和第二绝缘膜52相对于隔膜25而足够薄。因此，能够有效地对隔膜25因第一绝缘膜51和第二绝缘膜52而变得不易挠曲变形的情况进行抑制。
此外，通过使第一绝缘膜51和第二绝缘膜52变薄，从而还能够发挥接下来这样的效果。在本实施方式中，可以说隔膜25、第一绝缘膜51以及第二绝缘膜52的层叠体作为通过受压而发生挠曲变形的“隔膜”而发挥功能。关于该隔膜，如果对其厚度方向进行讨论，则通过受压而发生了挠曲变形时所产生的应力从隔膜的厚度方向中央部朝向表面(上表面以及下表面)而变大。因此，通过将压电电阻元件31、32、33、34配置在更接近于隔膜的上表面或下表面的位置处，从而即使在承受了相同的压力的情况下，也会获得更大的检测信号。鉴于这一点，由于通过上文所述的那样使第一绝缘膜51和第二绝缘膜52变薄，从而能够将压电电阻元件31、32、33、34配置在更接近于隔膜的上表面的位置处，因此可获得更大的检测信号，从而进一步提高了压力检测灵感度。
另外，虽然作为第一绝缘膜51的厚度并未被特别限定，但是在隔膜25的厚度为1μm以上且10μm以下的情况下，例如优选为以上且以下，更优选为以上且以下，进一步优选为以上且以下。由此，能够在使第一绝缘膜51充分发挥上述的效果的同时，使其足够薄。
另外，虽然作为第二绝缘膜52的厚度并未被特别限定，但是在隔膜25的厚度为1μm以上且10μm以下的情况下，例如优选为以上且以下，更优选为以上且以下，进一步优选为以上且以下。由此，能够在使第二绝缘膜52充分发挥上述的效果的同时，使其足够薄。
另外，虽然在本实施方式中第一绝缘膜51由氧化硅构成，但是也可以包含氧化硅以外的材料(例如，在制造上不可避免地混入的材料)。同样地，虽然在本实施方式中第二绝缘膜52由氮化硅构成，但是也可以包含氮化硅以外的材料(例如，在制造上不可避免地混入的材料)。此外，虽然在本实施方式中，在基板2上层叠有第一绝缘膜51和第二绝缘膜52，但是也可以代替于此而配置例如氮氧化硅膜(SiNO)膜。根据氮氧化硅膜，能够发挥前文所述的第一绝缘膜51和第二绝缘膜52这二者的功能，并且由于一层即可因此能够使隔膜25上的保护膜变得更薄。
如图1所示，保护膜除了具有前文所述的第一绝缘膜51和第二绝缘膜52之外，还具有第三绝缘膜53、第四绝缘膜54以及表面保护膜55。
第三绝缘膜53被配置在第二绝缘膜52上。此外，在第三绝缘膜53上设置有配线6。在第三绝缘膜53上形成有贯穿孔，且配线6经由该贯穿孔而与配线35电连接。第三绝缘膜53作为使配线6与配线35之间绝缘的层间绝缘膜而发挥功能。此外，在第三绝缘膜53以及配线6上配置有第四绝缘膜54。配线6通过该第四绝缘膜54而被绝缘，并被保护。第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54例如由氧化硅膜构成。此外，配线6例如由铝膜等金属膜构成。但是，只要所述各部的构成材料能够发挥其功能，则不被特别限定。
虽然第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54的厚度并未被特别限定，但是例如优选为以上且以下，更优选为以上且以下。由此，能够在抑制保护膜5过度变厚的同时，使第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54分别更可靠地发挥目的的功能(绝缘)。
此外，在第四绝缘膜54上配置有表面保护膜55。表面保护膜55具有保护压力传感器1免受水分、灰尘的影响的功能。这样的表面保护膜55例如由氮化硅膜构成。但是，只要表面保护膜55的构成材料能够发挥其功能，则不被特别限定。此外，设置有贯穿表面保护膜55以及第四绝缘膜54的贯穿孔，并且在表面保护膜55上设置有经由该贯穿孔而与配线6电连接的端子7。
虽然表面保护膜55的厚度并未被特别限定，但是例如优选为以上且以下，更优选为以上且以下。由此，能够在抑制保护膜5过度变厚的同时，使表面保护膜55更可靠地发挥目的功能(防水、防尘)。
以上，对第三绝缘膜53、第四绝缘膜54以及表面保护膜55进行了说明。如图1以及图4所示，第三绝缘膜53、第四绝缘膜54以及表面保护膜55分别呈框状，并且以在俯视观察基板2时包围隔膜25的方式而被配置。
因此，可以说保护膜5为，具有在其上表面上开口且贯穿第三绝缘膜53、第四绝缘膜54以及表面保护膜55的凹部50的形状。而且，根据这样的形状，也可以说保护膜5具有作为与凹部50重叠的部分的薄壁部58、和位于凹部50的周围且与薄壁部58相比而较厚的厚壁部59。在本实施方式中，薄壁部58由第一绝缘膜51以及第二绝缘膜52这两层构成，厚壁部59由第一绝缘膜51、第二绝缘膜52、第三绝缘膜53、第四绝缘膜54以及表面保护膜55这五层构成。但是，作为薄壁部58以及厚壁部59的结构，均未被特别限定。
如此，通过设置薄壁部58，从而如前文所述那样能够对隔膜25因保护膜5而变得不易挠曲的情况进行抑制。此外，通过设置厚壁部59，从而能够提高压力传感器1的机械性强度。即，根据这样的保护膜5，从而能够在对压力传感器1的压力检测灵敏度的降低进行抑制的同时，提高机械性强度。
如图4所示，在压力传感器1中，在俯视观察基板2时，薄壁部58以与压电电阻元件31、32、33、34重叠的方式而被配置。换言之，厚壁部59被配置为，位于压电电阻元件31、32、33、34的外侧，且与压电电阻元件31、32、33、34不重叠。由此，在受压时，能够更可靠地使隔膜25的配置有压电电阻元件31、32、33、34的位置发生挠曲变形，从而能够抑制压力检测灵敏度的降低。
此外，在俯视观察基板2时，厚壁部59以与隔膜25的外缘的至少一部分重叠的方式而被配置。由此，通过厚壁部59，从而能够对隔膜25的外缘部进行加强。如前文所述的那样，由于隔膜25的外缘部在受压时容易被施加与其他的部分相比而较大的应力，因此与其他的部分相比易于损伤。因此，如本实施方式那样，通过以与隔膜25的外缘的至少一部分重叠的方式而配置厚壁部59，从而能够提高隔膜25的外缘的机械性强度，由此能够有效地抑制隔膜25的破损。由此，提高了压力传感器1的耐压强度。此外，能够对压力传感器1的制造工序中的隔膜25的破损进行抑制，从而提高了成品率。
如前文所述，在俯视观察基板2时，隔膜25呈大致正方形，且其外缘具有四个边25a、25b、25c、25d以及四个角部25ab、25bc、25cd、25da。如此，在隔膜25的外缘具有角部的情况下，应力容易集中在外缘中尤其是角部处，从而隔膜因角部而发生破损的情况较多。因此，厚壁部59以与角部25ab、25bc、25cd、25da分别重叠的方式而被配置。由此，通过厚壁部59，从而能够对各角部25ab、25bc、25cd、25da进行加强。因此，能够有效地对由像前文所述的那样的向角部25ab、25bc、25cd、25da的应力集中所导致的隔膜25的破损进行抑制。
另外，虽然在本实施方式中以与所有的角部25ab、25bc、25cd、25da重叠的方式而设置有厚壁部59，但是并不限定于此，只需以与角部25ab、25bc、25cd、25da中的至少一个重叠的方式而设置有厚壁部59即可。
另一方面，厚壁部59以与四个边25a、25b、25c、25d不重叠的方式而位于与边25a、25b、25c、25d相比靠外侧的位置处。换言之，薄壁部58以与四个边25a、25b、25c、25d重叠的方式而被配置。如前文所述的那样，压电电阻元件33沿着25a而被配置，压电电阻元件31沿着边25b而被配置，压电电阻元件34沿着25c而被配置，压电电阻元件32沿着25d而被配置。因此，通过使厚壁部59位于各边25a、25b、25c、25d的外侧，从而能够有效地对厚壁部59与压电电阻元件31、32、33、34重叠而使压力检测灵敏度降低的情况进行抑制。
另外，虽然作为边25a、25b、25c、25d与厚壁部59的内周面之间的间隔距离d1并未被特别限定，并取决于在制造时所产生的厚壁部59相对于隔膜25的位置偏移量(位置对准精度)，但是例如优选为6μm以上且20μm以下。由此，即使在充分允许因制造误差所导致的位置偏移且厚壁部59的位置相对于隔膜25而发生了偏移的情况下，也能够更可靠地对压电电阻元件31、32、33、34与厚壁部59重叠的情况进行抑制。此外，能够对厚壁部59从隔膜25分离的情况进行抑制，从而能够更有效地抑制压力传感器1的机械性强度的降低。
另外，虽然在本实施方式中，厚壁部59位于边25a、25b、25c、25d的外侧，但是只要厚壁部59与压电电阻元件31、32、33、34不重叠，则并没有特别限定。例如，厚壁部59的内周既可以与边25a、25b、25c、25d重叠，也可以位于边25a、25b、25c、25d的内侧。
厚壁部59的内周(即，薄壁部58的俯视观察时的形状)为大致正方形，且具有四个边25a、25b、25c、25d和四个角部25ab、25bc、25cd、25da。而且，沿着隔膜25的边25a、25b、25c、25d而设置有厚壁部59的内周的边59a、59b、59c、59d，并且对应于隔膜25的角部25ab、25bc、25cd、25da而设置有厚壁部59的内周的角部59ab、59bc、59cd、59da。以此方式，通过使厚壁部59的内周与隔膜25的形状相对应，从而能够以更接近于隔膜25的方式来配置厚壁部59的内周。因此，能够以更广的范围而配置厚壁部59，从而能够进一步提高压力传感器1的机械性强度。
此外，厚壁部59的内周的宽度W59大于隔膜25的宽度W25。由此，能够更可靠地使边59a、59b、59c、59d位于边25a、25b、25c、25d的外侧。此外，各角部59ab、59bc、59cd、59da被倒角。以此方式，通过对各角部59ab、59bc、59cd、59da进行倒角，从而能够在满足W59＞W25的关系的同时，使厚壁部59的内周的对角线方向上的长度L59短于隔膜25的对角线方向上的长度L25。因此，能够使各角部59ab、59bc、59cd、59da位于角部25ab、25bc、25cd、25da的内侧，从而能够以与角部25ab、25bc、25cd、25da重叠的方式而配置厚壁部59。
此处，虽然作为隔膜25的各角部25ab、25bc、25cd、25da与厚壁部59的各角部59ab、59bc、59cd、59da之间的间隔距离d2，并未被特别限定，但是例如优选为5μm以上且20μm以下，更优选为5μm以上且15μm以下。由此，能够对厚壁部59与隔膜过度重叠从而压电电阻元件31、32、33、34的配置空间变窄的情况进行抑制，并且能够通过厚壁部59来对角部25ab、25bc、25cd、25da充分地进行加强。
尤其是，在本实施方式中，各角部59ab、59bc、59cd、59da以向外侧凸出的方式弯曲成圆弧状。由此，能够有效地对向各角部59ab、59bc、59cd、59da的应力集中进行抑制，并且能够有效地对由向各角部59ab、59bc、59cd、59da的应力集中所导致的保护膜5的破损等进行抑制。但是，各角部59ab、59bc、59cd、59da的形状并未被特别限定，例如既可以为直线状，也可以以向内侧凸出的方式而弯曲。
如图1所示，底基板4以在其与隔膜25之间形成压力基准室S的方式而与隔膜25对置配置。此外，底基板4以堵塞凹部24的开口的方式而被接合在基板2的下表面上。作为底基板4例如能够使用硅基板、玻璃基板、陶瓷基板等。
通过利用底基板4来对凹部24进行气密性密封，从而形成有压力基准室S。因此，可以说压力基准室S位于隔膜25的下侧(与受压面251相反的一侧)，并且以在俯视观察基板2时与隔膜重叠的方式被配置。如此，由于通过设置压力基准室S从而能够以压力基准室S的压力为基准而对隔膜受到的压力进行检测，因此能够更高精度地对隔膜25所承受的压力进行检测。
优选为，压力基准室S为真空状态(例如，10Pa以下程度)。由此，能够将压力传感器1作为以真空为基准而对压力进行检测的“绝对压力传感器”。因此，成为便利性较高的压力传感器1。但是，压力基准室S也可以不为真空状态。另外，本发明也能够应用于在底基板4上形成压力导入口从而使凹部24与外部连通的差压传感器、表压传感器中。
以上，对压力传感器1进行了说明。如前文所述的那样，这样的压力传感器1具有：基板2，其具备通过受压而发生挠曲变形的隔膜25；压电电阻元件31、32、33、34，其被设置在隔膜25上；保护膜25，其被设置于隔膜25的上表面(一个面)侧。此外，保护膜具有薄壁部58和与薄壁部58相比而较厚的厚壁部59。此外，在俯视观察基板2时，薄壁部58与压电电阻元件31、32、33、34重叠，且厚壁部与隔膜25的至少一部分重叠。由此，能够在受压时更可靠地使隔膜25的配置有压电电阻元件31、32、33、34的位置发生挠曲变形，从而能够抑制压力检测灵敏度的降低。而且，能够通过厚壁部59而提高隔膜25的机械性强度，从而有效地抑制隔膜25的破损。由此，成为能够同时实现压力检测灵敏度和机械性强度的压力传感器1。
此外，如前文所述，在压力传感器1中，在俯视观察基板2时，厚壁部59与隔膜25的外缘的至少一部分重叠。由此，能够通过厚壁部59而提高隔膜25的外缘的机械性强度，从而有效地对由向外缘的应力集中所导致的隔膜25的破损进行抑制。由此，能够更有效地同时实现压力检测灵敏度和机械性强度。
此外，如前文所述，在压力传感器1中，在俯视观察基板2时，隔膜25的外缘具有至少一个角部，且厚壁部59与角部重叠。尤其是，在本实施方式中，隔膜25具有四个角部25ab、25bc、25cd、25da，且厚壁部59与所有的角部25ab、25bc、25cd、25da重叠。如此，在隔膜25的外缘具有角部的情况下，应力容易集中在外缘中尤其是角部上，从而隔膜25在角部处发生破损的情况较多。因此，通过以与各角部25ab、25bc、25cd、25da重叠的方式而配置厚壁部59，并对各角部25ab、25bc、25cd、25da进行加强，从而能够有效地对由向角部25ab、25bc、25cd、25da的应力集中所导致的隔膜25的破损进行抑制。
此外，如前文所述，在压力传感器1中，在俯视观察基板2时，隔膜25的外缘具有至少两个角部、和位于两个角部之间的边。而且，厚壁部59与各角部重叠，薄壁部58与边重叠。尤其是在本实施方式中，隔膜25的外缘具有四个角部25ab、25bc、25cd、25da、和位于这些角部25ab、25bc、25cd、25da之间的边25a、25b、25c、25d。而且，厚壁部59与各角部25ab、25bc、25cd、25da重叠，薄壁部58与各边25a、25b、25c、25d重叠。由此，变得易于在隔膜25的外缘部处配置压电电阻元件31、32、33、34。此外，能够有效地对厚壁部59与压电电阻元件31、32、33、34重叠从而使压力检测灵敏度降低的情况进行抑制。
此外，如前文所述，在压力传感器1中，压电电阻元件31、32、33、34被配置在隔膜25的外缘部处。由于当隔膜25通过受压而发生挠曲变形时，应力容易集中在隔膜25中尤其是外缘部处，因此，通过采用这样的配置，从而能够增大检测信号。由此，提高了压力传感器1的压力检测灵敏度。
此外，如前文所述，在压力传感器1中，薄壁部58具有包含氧化硅的第一绝缘膜51、和包含氮化硅的第二绝缘膜52。因此，通过第一绝缘膜51，从而降低压电电阻元件31、32、33、34的界面准位以抑制噪音的产生。此外，通过第二绝缘膜52，从而能够保护传感器部3免受水分、灰尘的影响，从而能够提高压力传感器1的可靠性。
此外，如前文所述，压力传感器1具有压力基准室S，所述压力基准室S以在俯视观察基板2时与隔膜25重叠的方式而被配置。如此，由于通过设置压力基准室S，从而能够以压力基准室S的压力为基准而对隔膜25受到的压力进行检测，因此能够更高精度地对隔膜25所承受的压力进行检测。
以上，虽然对压力传感器1进行了说明，但是压力传感器1的结构并未被特别限定。例如，虽然在本实施方式中，保护膜5的凹部50以贯穿第三绝缘膜53的方式而被形成，薄壁部58由第一绝缘膜51和第二绝缘膜52的层压体而构成，但是例如也可以也可以采用如下方式，即，如图5所示，凹部50以贯穿表面保护膜55的方式而形成，薄壁部58由第一绝缘膜51、第二绝缘膜52、第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54的层压体而构成。除此之外，凹部50也可以采用如下结构，即，形成至表面保护膜55的中途为止的结构、形成至第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54的中途为止的结构、形成至第二绝缘膜52的中途为止的结构等。
接下来，对压力传感器1的制造方法进行说明。如图6所示，压力传感器1的制造方法包括传感器部形成工序、保护膜形成工序、保护膜蚀刻工序、隔膜形成工序和底基板接合工序。
传感器部形成工序
首先，如图7所示，准备对由层叠有第一硅层21、氧化硅层22以及第二硅层23的SOI基板所构成的基板2，并且例如通过对第二硅层23的表面进行热氧化，从而在基板2的上表面上成膜第一绝缘膜51(氧化硅膜)。接下来，如图8所示，在基板2的上表面上形成传感器部3。另外，传感器部3通过向基板2的上表面(第二硅层23)掺杂(扩散或注入)磷、硼等杂质而形成。
保护膜形成工序
接下来，如图9所示，在第一绝缘膜51上形成第二绝缘膜52(氮化硅膜)。该第二绝缘膜52例如能够通过热氮化、减压CVD(LP－CVD)而形成。尤其是，在通过减压CVD(LP－CVD)而形成第二绝缘膜的情况下，能够形成氢含量较少、良好且均匀的膜质的第二绝缘膜52。虽然减压CVD是在例如700℃以上的环境下来实施的，但是在该时间点处未形成有由铝等金属材料构成的配线6。因此，配线6不会因减压CVD而受到伤害(例如因软化、熔融而导致的断线)。
接下来，在使用光刻法以及蚀刻法而对第二绝缘膜52进行了图案形成之后，如图10所示，利用溅射法、CVD法等在基板2上依次形成第三绝缘膜53、配线6、第四绝缘膜54、表面保护膜55。由此，可获得保护膜5。
第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54例如由氧化硅膜构成，配线6例如由铝膜等金属膜构成，表面保护膜55例如由氮化硅膜构成。另外，配线6使用例如光刻法以及蚀刻法而被图案形成为预定的形状。
保护膜蚀刻工序
接下来，为了形成薄壁部58以及端子7，如图11所示，通过湿蚀刻而将表面保护膜55的一部分去除。根据湿蚀刻，能够比较简单地增大表面保护膜55与第四绝缘膜54的蚀刻选择比。因此，能够将第四绝缘膜54作为蚀刻终止层来使用，并且在本工序中，能够更可靠地将表面保护膜55去除。但是，也可以通过干蚀刻而将表面保护膜55去除。
接下来，如图12所示，经由将表面保护膜55去除了的部分，并通过湿蚀刻而将第三绝缘膜53以及第四绝缘膜54去除。由此，形成了凹部50，并获得具有薄壁部58以及厚壁部59的保护膜5。此外，与此同时获得用于形成端子7的贯穿孔。根据湿蚀刻，能够比较简单地增大第三、第四绝缘膜53、54与第二绝缘膜52的蚀刻选择比。因此，在本工序中，能够有效地抑制第二绝缘膜52与第三、第四绝缘膜53、54一起被去除的情况。
接下来，利用溅射法、CVD法等而在表面保护膜55上依次形成端子7。
隔膜形成工序
接下来，如图13所示，形成向下表面开放的凹部24，并获得隔膜25。虽然作为凹部24的形成方法并未被特别限定，但是如前文所述，能够通过使用了硅深蚀刻装置的干蚀刻来形成。
底基板接合工序
接下来，如图14所示，在使凹部24内成为真空的同时，以堵塞凹部24的开口的方式而将底基板4接合于基板2的下表面上。由此，可获得真空状态的压力基准室S。另外，作为基板2与底基板4的接合方法，并未被特别限定，例如能够使用表面活性化接合法等直接接合法。
接下来，如图15所示，根据需要而通过CMP(化学机械研磨)等而从下表面侧对底基板4进行研磨，从而将底基板4调节为预定的厚度。根据以上方式，获得了压力传感器1。
根据这样的制造方法，由于能够直至保护膜蚀刻工序为止而始终通过CMOS处理来进行制造，并且由于异物和污染的管理较为容易，因此能够以确保较高的成品率和生产性的方式而实现压力传感器1的制造。
但是，作为压力传感器1的制造方法，并未被特别限定，例如也可以在底基板接合工序之后实施保护膜蚀刻工序。即，如图6所示，也可以按照传感器部形成工序、保护膜形成工序、隔膜形成工序、底基板接合工序、保护膜蚀刻工序这样的顺序来实施。由此，能够在保护膜5的整个区域较厚的状态下，实施图15所示的底基板4的研磨。因此，在本工序中，能够更可靠地对压电电阻元件31、32、33、34进行保护，并能够更有效地抑制本工序中的隔膜25的破损。
此外，例如也可以在传感器部形成工序、保护膜形成工序或保护膜蚀刻工序之前，先实施隔膜形成工序。
第二实施方式
接下来，对本发明的第二实施方式所涉及的压力传感器进行说明。
图17为表示本发明的第二实施方式所涉及的压力传感器的剖视图。图18为表示图17所示的压力传感器所具有的保护膜的俯视图。图19为表示包括图18所示的传感器部的桥接电路的电路图。
以下，以与前文所述的实施方式的不同点为中心来对第二实施方式的压力传感器进行说明，而对于相同的事项则省略其说明。
除了保护膜5的结构、压电电阻元件的数量以及配置有所不同以外，本发明的实施方式2所涉及的压力传感器与前文所述的第一实施方式基本相同。另外，在图17至图19中，对与前文所述的实施方式相同的结构标注相同的符号。
如图17以及图18所示，在本实施方式的压力传感器1中，在俯视观察基板2时，保护膜5的凹部50呈沿着隔膜25的外周部的框状(环状)。因此，厚壁部59具有位于凹部50的外侧的第一厚壁部591、和位于凹部50的内侧的第二厚壁部592。另外，由于第一厚壁部591采用与前文所述的第一实施方式的厚壁部59相同的结构，因此省略其说明。
第二厚壁部592以与隔膜25的中央部重叠的方式被配置。因此，能够通过第二厚壁部592而局部性地提高隔膜25的中央部的刚性。因此，例如与不具有第二厚壁部592的结构(例如，前文所述的第一实施方式)相比，提高了隔膜25的外缘部处的应力值。此外，不仅是隔膜25的外缘部，而且在与第二厚壁部592重叠的区域和与第二厚壁部592不重叠的区域的边界部上，也能够局部性地产生与其他部分相比而较大的应力。
另外，在俯视观察基板2时，第二厚壁部592的外形形状与俯视观察基板2时的隔膜25的外形形状相似。但是，第二厚壁部592的外形形状并未被特别限定。此外，虽然在本实施方式中，第二厚壁部592呈与第一厚壁部591相同的层叠结构，但是并不限定于此，也可以为与第一厚壁部591不同的层叠结构。
如前文所述，不仅是隔膜25的外缘部，而且在第二厚壁部592的周围也能够产生较大的应力。因此，如图18所示，传感器部3除了具有被配置在隔膜25的外缘部处的压电电阻元件31、32、33、34之外，还具有被配置在第二厚壁部592的周围的压电电阻元件36、37、38、39。而且，压电电阻元件31、32、33、34、36、37、38、39构成了图19所示那样的桥接电路30(惠斯通桥接电路)。根据这样的结构，例如与前文所述的第一实施方式相比，由于传感器部3所具有的压电电阻元件的数量较多，因此能够提高检测灵敏度。另外，压电电阻元件36、37、38、39的一部分也可以与第二厚壁部592重叠。
另外，由于隔膜25的第二厚壁部592的周围所产生的应力与外缘部所产生的应力为相反方向，因此压电电阻元件36、37、38、39在与所对应的压电电阻元件31、32、33、34延伸的方向正交的方向上延伸。
以上，对本实施方式的压力传感器1进行了说明。在这样的压力传感器1中，如前文所述那样，厚壁部59具有与隔膜25的中央部重叠的部分(第二厚壁部592)。由此，不仅是隔膜25的外缘部，而且在第二厚壁部592的周围也能够局部地产生与其他部分相比而较大的应力。因此，如本实施方式所示，通过在第二厚壁部592的周围也配置压电电阻元件36、37、38、39，从而能够实现压力检测灵敏度的提升。
此外，如前文所述那样，在本实施方式的压力传感器1中，压电电阻元件还被配置在隔膜25的中央部处(压电电阻元件36、37、38、39)。由此，压电电阻元件的数量增多，从而能够提高检测灵敏度。
根据这样的第二实施方式，也能够发挥与前文所述的第一实施方式相同的效果。
另外，虽然在本实施方式中，与前文所述的第一实施方式同样地在俯视观察基板2时，第一厚壁部591以与隔膜25的外缘的至少一部分(角部)重叠的方式被配置，但是并不限定于此，第一厚壁部591也可以与隔膜25的外缘不重叠。即，也可以采用如下方式，即，在俯视观察基板2时，第一厚壁部591的内周整个区域位于隔膜25的外侧。
第三实施方式
接下来，对本发明的第三实施方式所涉及的压力传感器模块进行说明。
图20为表示本发明的第三实施方式所涉及的压力传感器模块的剖视图。图21为图20所示的压力传感器模块所具有的支承基板的俯视图。
以下，以与前文所述的实施方式的不同点为中心对第三实施方式的压力传感器模块进行说明，而对于相同的事项则省略其说明。
如图20所示，压力传感器模块100具有：封装件110，其具有内部空间S1；支承基板120，其以从内部空间S1内被引出至封装件110的外侧的方式被配置；电路元件130以及压力传感器1，其在内部空间S1内被支承基板120支承；填充部140，其通过向内部空间S1填充后述那样的填充材料而被形成。根据这样的压力传感器模块100，能够通过封装件110以及填充部140来对压力传感器1进行保护。另外，作为压力传感器1，例如能够使用前文所述的实施方式中的压力传感器。
封装件110具有基座111以及外壳112，并且基座111以及外壳112以将支承基板120夹入的方式经由粘合层而被相互接合在一起。以此方式而形成的封装件110具有形成在其上端部上的开口110a、和与开口110a连通的内部空间S1。
作为这些基座111以及外壳112的构成材料，并未被特别限定，例如可列举出矾土、硅石、氧化钛、氧化锆等氧化物陶瓷，氮化硅、氮化铝、氮化钛等氮化陶瓷这样的各种陶瓷，聚乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸脂、丙烯树脂、ABS树脂、环氧树脂这样的各种树脂材料等绝缘性材料，并且能够将所述材料中的一种或两种以上组合使用。在这些材料之中，尤其优选为使用各种陶瓷。
以上，虽然对封装件110进行了说明，但是作为封装件110的结构，只要能够发挥其功能则不被特别限定。
支承基板120被夹在基座111与罩壳112之间，并且以从内部空间S1内被引出至封装件110的外侧的方式而被配置。此外，支承基板120对电路元件130以及压力传感器1进行支承，并且对电路元件130以及压力传感器1进行电连接。如图21所示，这种支承基板120具备具有挠性的基材121、和被配置在基材121上的多个配线129。
基材121具备：具有开口122a的框状的基部122、和从基部122延伸出的带状的带体123。而且，带体123在基部122的外缘部处被基座111和外壳112夹持并向封装件110的外侧延伸出。作为这样的基材121，例如能够使用一般情况下所使用的柔性印刷基板。另外，虽然在本实施方式中基材121具有挠性，但是基材121的全部或一部分也可以为硬质。
在俯视观察基材121时，电路元件130以及压力传感器1位于开口122a的内侧，且被并排配置。此外，电路元件130以及压力传感器1分别经由接合线BW而被悬吊在基材121上，并且以从支承基板120悬浮的状态而被支承基板120所支承。此外，电路元件130以及压力传感器1分别经由接合线BW以及配线129而被电连接。以此方式，通过以相对于支承基板120而悬浮的状态来对电路元件130以及压力传感器1进行支承，从而应力难以从支承基板120向电路元件130以及压力传感器1传递，由此提高了压力传感器1的压力检测精度。
电路元件130具有用于向桥接电路30供给电压的驱动电路、用于对来自桥接电路30的输出进行温度补偿的温度补偿电路、根据来自温度补偿电路的输出而求取所承受的压力的压力检测电路、将来自压力检测电路的输出转换为预定的输出形式(CMOS、LV－PECL、LVDS等)而进行输出的输出电路等。
填充部140以覆盖电路元件130以及压力传感器1的方式而被配置在内部空间S1中。通过这样的填充部140，从而在对电路元件130以及压力传感器1进行保护(防尘以及防水)的同时，使作用于压力传感器1的外部应力(例如，下落冲击)变得难以被传递至电路元件130以及压力传感器1。
此外，填充部140能够由液状或凝胶状的填充材料构成，在能够对电路元件130以及压力传感器1的过度的位移进行抑制的这一点上，尤其优选为，由凝胶状的填充材料构成。根据这样的填充部140，能够有效地保护电路元件130以及压力传感器1免受水分的影响，并且能够将压力高效地向压力传感器1进行传递。作为构成这样的填充部140的填充材料并未被特别限定，例如能够使用硅油、氟系油、硅凝胶等。
以上，对压力传感器模块100进行了说明。这样的压力传感器模块100具有压力传感器1、和对压力传感器1进行收纳的封装件110。因此，能够通过封装件110而对压力传感器1进行保护。此外，能够享有前文所述的压力传感器1的效果，并能够发挥较高的可靠性。
另外，作为压力传感器模块100的结构并不限定于前文所述的结构，例如，也可以省略填充部140。此外，虽然在本实施方式中，压力传感器1以及电路元件130通过接合线BW而以被悬吊在支承基板120上的状态而被支承，但是例如也可以将压力传感器1以及电路元件130直接配置在支承基板120上。此外，虽然在本实施方式中，压力传感器1以及电路元件130被横向并排地配置，但是例如也可以使压力传感器1以及电路元件130在高度方向上并排配置。
第四实施方式
接下来，对本发明的第四实施方式所涉及的电子设备进行说明。
图22为表示作为本发明的第四实施方式所涉及的电子设备的高度计的立体图。
如图22所示，作为电子设备的高度计200能够像手表那样佩戴于手腕上。此外，在高度计200的内部搭载有压力传感器1，并且能够在显示部201上显示当前位置的海拔高度、或者当前位置的气压等。另外，在该显示部201上，还能够显示当前时刻、使用者的心率、天气等各种各样的信息。
作为这样的电子设备的一个示例的高度计200具有压力传感器1。因此，高度计200能够享有前文所述的压力传感器1的效果，并能够发挥较高的可靠性。
第五实施方式
接下来，对本发明的第五实施方式所涉及的电子设备进行说明。
图23为表示作为本发明的第五实施方式所涉及的电子设备的导航系统的主视图。
如图23所示，作为电子设备的导航系统300具备：未图示的地图信息、和来自GPS(全球定位系统：Global Positioning System)的位置信息的取得单元、由陀螺传感器以及加速度传感器和车速数据所实现的自主导航单元、压力传感器1、和显示预定的位置信息或行进道路信息的显示部301。
根据该导航系统300，除了所取得的位置信息之外，还能够取得高度信息。例如，当行驶于在位置信息上表示与一般道路基本相同的位置的高架道路上时，在不具有高度信息的情况下，在导航系统中无法判断出是行驶在一般道路上、还是行驶在高架道路上，并且会将一般道路的信息作为优先信息而提供给使用者。因此，通过在导航系统300中搭载压力传感器1，并利用压力传感器1来取得高度信息，从而能够对由从一般道路进入高架道路所产生的高度变化进行检测，进而能够将高架道路的行驶状态下的导航信息提供给使用者。
作为这样的电子设备的一个示例的导航系统300具有压力传感器1。因此，导航系统300能够享有前文所述的压力传感器1的效果，并能够发挥较高的可靠性。
另外，本发明的电子设备并不限定于前文所述的高度计以及导航系统，例如能够应用于例如个人电脑、数码照相机、移动电话、智能手机、平板电脑终端、时钟(包括智能手表)、无人机、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖仪、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、各种测量设备、计量仪器类(例如，车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器等。
第六实施方式
接下来，对本发明的第六实施方式所涉及的移动体进行说明。
图24为表示作为本发明的第六实施方式所涉及的移动体的汽车的立体图。
如图24所示，作为移动体的汽车400具有车身401和四个车轮402(轮胎)，并且被构成为，通过被设置在车身401上的未图示的动力源(发动机)而使车轮402进行旋转。此外，汽车400具有被搭载于车身401上的电子控制单元(ECU：Electronic Control Unit)403，并且在该电子控制单元403中内置有压力传感器1。电子控制单元403通过压力传感器1而对车身401的加速度及倾斜等进行检测，从而能够掌握移动状态及姿态等，进而能够准确地实施车轮402等的控制。由此，汽车400能够实施安全且稳定的移动。另外，压力传感器1也可以被搭载于汽车400所具备的导航系统等中。
作为这样的移动体的一个示例的汽车400具有压力传感器1。因此，汽车400能够享有前文所述的压力传感器1的效果，并能够发挥较高的可靠性。
以上，虽然基于图示的各实施方式而对本发明的压力传感器、压力传感器模块、电子设备以及移动体进行了说明，但是本发明并不限定于此，各部的结构能够置换为具有相同功能的任意的结构。此外，也可以附加有其他的任意的结构物或工序。此外，也可以对各个实施方式进行适当组合。
此外，虽然在前文所述的实施方式中，对压力基准室相对于基板而位于与保护膜相反的一侧的结构进行了说明，但是作为压力基准室的位置而并未被特别限定，例如也可以相对于基板而位于与保护膜相同的一侧。
符号说明
1…压力传感器；2…基板；21…第一硅层；22…氧化硅层；23…第二硅层；24…凹部；25…隔膜；25a、25b、25c、25d…边；25ab、25bc、25cd、25da…角部；251…受压面；3…传感器部；30…桥接电路；31、32、33、34、36、37、38、39…压电电阻元件；35…配线；4…底基板；5…保护膜；50…凹部；51…第一绝缘膜；52…第二绝缘膜；53…第三绝缘膜；54…第四绝缘膜；55…表面保护膜；58…薄壁部；59…厚壁部；59a、59b、59c、59d…边；59ab、59bc、59cd、59da…角部；591…第一厚壁部；592…第二厚壁部；6…配线；7…端子；100…压力传感器模块；110…封装件；110a…开口；111…基座；112…外壳；120…支承基板；121…基材；122…基部；122a…开口；123…带体；129…配线；130…电路元件；140…填充部；200…高度计；201…显示部；300…导航系统；301…显示部；400…汽车；401…车身；402…车轮；403…电子控制单元；AVDC…驱动电压；BW…接合线；S…压力基准室；S1…内部空间；d1、d2…间隔距离；W25、W59…宽度；L25、L59…长度。

Claims (12)

1.一种压力传感器，其特征在于，具有：
基板，其具备通过受压而发生挠曲变形的隔膜；
压电电阻元件，其被设置在所述隔膜上；
保护膜，其被设置在所述隔膜的一面侧，
所述保护膜具有薄壁部、和与所述薄壁部相比而较厚的厚壁部，
在俯视观察所述基板时，所述薄壁部与所述压电电阻元件重叠，且所述厚壁部与所述隔膜的至少一部分重叠。
2.如权利要求1所述的压力传感器，其中，
在俯视观察所述基板时，所述厚壁部与所述隔膜的外缘的至少一部分重叠。
3.如权利要求2所述的压力传感器，其中，
在俯视观察所述基板时，所述隔膜的外缘具有至少一个角部，并且所述厚壁部与所述角部重叠。
4.如权利要求3所述的压力传感器，其中，
在俯视观察所述基板时，所述隔膜的外缘具有至少两个所述角部、和位于两个所述角部之间的边，并且所述厚壁部与各个所述角部重叠，且所述薄壁部与所述边重叠。
5.如权利要求1至4中任一项所述的压力传感器，其中，
所述厚壁部与所述隔膜的中央部重叠。
6.如权利要求1所述的压力传感器，其中，
所述压电电阻元件被配置在所述隔膜的外缘部处。
7.如权利要求6所述的压力传感器，其中，
所述压电电阻元件还被配置在所述隔膜的中央部处。
8.如权利要求1至4中任一项所述的压力传感器，其中，
所述薄壁部具有包含氧化硅的第一绝缘膜、和包含氮化硅的第二绝缘膜。
9.如权利要求1至4中任一项所述的压力传感器，其中，
具有压力基准室，所述压力基准室以在俯视观察所述基板时与隔膜重叠的方式而被配置。
10.一种压力传感器模块，其特征在于，具有：
权利要求1至9中任一项所述的压力传感器；
封装件，其对所述压力传感器进行收纳。
11.一种电子设备，其特征在于，具有：
权利要求1至9中任一项所述的压力传感器。
12.一种移动体，其特征在于，具有：
权利要求1至9中任一项所述的压力传感器。
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