CN105280670A - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

有机发光显示装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105280670A
CN105280670A CN201410818258.2A CN201410818258A CN105280670A CN 105280670 A CN105280670 A CN 105280670A CN 201410818258 A CN201410818258 A CN 201410818258A CN 105280670 A CN105280670 A CN 105280670A
Authority
CN
China
Prior art keywords
drive signal
signal line
intermediate layer
line
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410818258.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105280670B (zh
Inventor
金弘锡
崔秀銾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN105280670A publication Critical patent/CN105280670A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105280670B publication Critical patent/CN105280670B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供了一种有机发光显示(OLED)装置及其制造方法。该OLED装置包括：阵列基板；在阵列基板之上的中间层；在中间层之上的绝缘层；以及在阵列基板的非显示区中的绝缘层之上的多个驱动信号线，多个驱动信号线通过绝缘层与中间层完全分隔开，多个驱动信号线中的每个驱动信号线被配置成将来自驱动电路单元的驱动信号提供至多个像素之中的像素的各个子像素，其中，在多个驱动信号线之下的中间层被配置成降低驱动信号线的可见性使得利用多个驱动信号线使中间层上的入射光被均匀地反射或吸收。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请依据35U.S.C.§119(a)要求2014年5月30日提交的韩国专利申请第10-2014-0066447号的权益和优先权，其全部公开内容通过引用合并到本文中用于所有目的。
背景技术
1.技术领域
下面的描述涉及一种有机发光显示装置及其制造方法，更具体地涉及其中显示面板的图案和外围线不被显现的底部发射型有机发光显示装置。
2.现有技术的讨论
最近，随着我们日益成为以信息为导向的社会，在视觉上表示电信息信号的显示装置的领域正在快速推进。已经开发了在薄化、轻量和低功耗方面具有优异性能的平板显示(FPD)装置。FPD装置的示例包括LCD(液晶显示)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光显示(OLED)装置等。
特别地，OLED装置是自发光装置。与其他FPD装置相比，OLED装置具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角。此外，实现了高分辨率和大屏幕。因此，OLED装置作为下一代显示装置倍受关注。
OLED装置包括形成在两个电极(阴极电极和阳极电极)之间的有机发光层。电子和空穴分别从两个电极注入到有机发光层中，并且通过电子与空穴的结合生成激子。OLED装置利用在所生成的激子从激发态降至基态时发射光的原理。
OLED装置根据驱动类型分为无源矩阵OLED装置和有源矩阵OLED装置。无源矩阵OLED装置包括以矩阵型布置的不包括薄膜晶体管(TFT)的多个像素。在无源矩阵OLED装置中，与对于有源矩阵型相比功耗较高并且分辨率较有限。
另一方面，有源矩阵OLED装置具有以下结构：其中多个TFT分别形成在以矩阵型布置的多个像素中。根据TFT的切换操作和充入存储电容器Cst中的电压来驱动多个像素中的每个像素。
因此，有源矩阵OLED装置与无源矩阵有机发光显示装置相比较具有低功耗和高分辨率。有源矩阵OLED装置适合于需要高分辨率和大面积的显示装置。用于参考，在下面的公开内容中，有源矩阵OLED装置通常被称为OLED装置。
图1是示出了相关技术OLED装置的非显示区和有源区的图。
参考图1，相关技术OLED装置包括显示面板1和驱动显示面板1的驱动电路单元(未示出)。显示面板1包括：阵列基板10，阵列基板10中形成有多个有机发光二极管(OLED)以及用于从OLED发射光的多个像素电路；粘附至阵列基板10的背表面的光学膜20；以及对OLED进行封装的封装基板50。
在此，图1的有机发光显示装置以底部发射型显示图像。因此，光学膜20粘附至阵列基板10的背表面，并且应用偏振膜、图案化相位延迟膜(Film-typepatternedretarder，FPR)或三维(3D)偏振膜作为光学膜20。
显示面板1包括：有源区，在有源区中多个像素30以矩阵型布置并且显示图像；以及非显示区。多个像素30形成在有源区中。为了显示全色图像，红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和白色子像素W构成一个像素30。子像素中的每一个包括OLED和像素电路，像素电路包括驱动薄膜晶体管(TFT)、扫描TFT和感测TFT。
驱动电路单元包括：数据驱动器、栅极驱动器、时序控制器和电源。在非显示区中形成有多个焊盘(未示出)、多个链路线40和多个计程线(未示出)，多个焊盘(未示出)、多个链路线40和多个计程线(未示出)连接至驱动电路单元并且向多个像素中的每一个提供驱动信号。多个链路线40和多个计程线用于提供驱动信号并且以一定间隔布置在显示面板1的非显示区中(即，在显示面板1的外围部分)。
图2是示出了其中金属线和空间的图案由于光的反射而被显现的问题的图。
参考图2，外部光穿过光学膜20，然后被多个链路线40和多个计程线反射。在这种情况下，存在其中金属线(链路线和计程线)和空间的图案由于多个链路线40和多个计程线之间的空间而被显现的问题。由于这个原因，形成在非显示区中的线的图案对于用户是可见的。
此外，在底部发射型有机发光显示装置中，封装基板50对阵列基板10的前表面进行封装。在这种情况下，封装基板50覆盖整个有源区，而覆盖非显示区的仅一部分。因此，从其中形成有封装基板50的区域反射的光的量不同于从其中未形成封装基板50的区域反射的光的量。由于这个原因，形成在非显示区中的线的图案对于用户非常明显。
在以底部发射型显示图像的OLED装置中，期望地是通过实现无边框面板以增加美感，但是因为形成在非显示区的线的图案被识别，所以有机发光显示装置的外部美学外观变差。
发明内容
因此，本申请的实施例涉及一种有机发光显示装置以及其修复方法，其基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或多个问题。
实施例的一个目的是提供一种防止了形成在非显示区中的线的图案由于光的反射而可见的有机发光显示(OLED)装置。
另一目的是提供一种OLED装置，其中在非显示区中，从形成有封装基板的区域反射的光的量不同于从未形成封装基板的区域反射的光的量，从而光的图案不可见。
另一目的是提供一种通过使用无边框面板来增进其外部美学外观的底部发射型OLED装置。
本公开内容的另外的优点、目的和特征将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地将通过研究下面的内容而对本领域普通技术人员变得明显，或者可以通过本发明的实践而获知。通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得本发明的目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点并且根据依照本发明的一个方面的目的，提供了一种有机发光显示(OLED)装置，该有机发光显示(OLED)装置包括：阵列基板；在阵列基板之上的中间层；在中间层之上的绝缘层；以及在阵列基板的非显示区中的绝缘层之上的多个驱动信号线，多个驱动信号线通过绝缘层与中间层完全分隔开，多个驱动信号线中的每个驱动信号线被配置成将来自驱动电路单元的驱动信号提供至多个像素之中的像素的各个子像素，其中，在多个驱动信号线之下的中间层被配置成降低驱动信号线的可见性使得利用多个驱动信号线使中间层上的入射光被均匀地反射或吸收。
在另一方面中，提供了一种形成有机发光显示(OLED)装置的方法，该方法包括：提供阵列基板；在阵列基板之上设置中间层；在中间层之上设置绝缘层；以及在阵列基板的非显示区中的绝缘层之上设置多个驱动信号线，多个驱动信号线通过绝缘层与中间层完全分隔开，多个驱动信号线中的每个驱动信号线被配置成将来自驱动电路单元的驱动信号提供至多个像素之中的像素的各个子像素，其中，在多个驱动信号线之下的中间层降低了驱动信号线的可见性使得利用多个驱动信号线使中间层上的入射光被均匀地反射或吸收。
通过研究下面的图和详细描述，其他系统、方法、特征和优点对于本领域的技术人员将变得明显。其旨在将所有这样的附加系统、方法、特征和优点都包括在描述中，包括在本公开的范围内，并且被所附权利要求保护。在该部分中没有任何内容应被视为对所附权利要求的限制。此外，下面结合实施例讨论各方面和优点。应该理解本公开内容的前述一般描述和下面的详细描述是示例性的和说明性的，并且旨在提供如所要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供本发明的进一步理解并且附图被并入说明书并构成说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例并且与描述一起用于说明本发明的原理。
图1是示出了相关技术有机发光显示装置的非显示区和有源区的图。
图2是示出了其中金属线和空间的图案由于光的反射而被显现的问题的图。
图3是示意性地示出了根据一个实施例的有机发光显示装置的图。
图4是示出了显示面板和驱动电路单元的图。
图5是示出了图3的部分A的图。
图6是示出了沿图5的线A1-A2截取的横截面的图。
图7是示出了根据一个实施例的非显示区的横截面的图。
图8是示出了设置在有源区中的像素的横截面结构以及设置在非显示区中的遮光层的横截面结构的图。
图9是示出了通过使用缓冲层和遮光层来使金属线和空间的图案不显现的图。
贯穿附图和详细描述，除非以另外的方式描述，相同的附图标记将被理解为是指相同的元件、特征和结构。为了清楚、阐释说明和方便起见，这些元件的相对尺寸和描绘可能被夸大。
具体实施方式
现在将详细参照本发明的实施例，其示例在附图中示出。在下面的描述中，在与该文件相关的已知功能或结构的详细描述被确定为对于本发明的要旨是不必要的情况下，其详细描述将被省略。所描述的处理步骤和/或操作的进行是示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于本文中所陈述的，并且除了必须按照一定的顺序发生的步骤和/或操作之外，步骤和/或操作的顺序可以根据本领域所已知的进行变化。贯串附图相似的附图标记指代相似元件。选择在下面的说明中所使用的相应元件的名称仅用于方便书写本说明书，因而这些名称可以不同于在实际产品中使用的名称。
在实施例的描述中，当一个结构描述为位于另外结构“之上或上方”或者“之下或下方”时，该描述应该被理解为包括其中结构彼此接触的情况以及第三结构设置在一个结构与另一结构之间的情况。
在下文中，将参照附图详细描述实施例。
图3是示意性地示出了根据实施例的有机发光显示装置的图。图4是示出了显示面板和驱动电路单元的图。
参照图3和图4，根据实施例的有机发光显示(OLED)装置可以包括显示面板100和驱动电路单元。驱动电路单元可以设置在覆晶薄膜(COF)和在其上安装有多个驱动集成电路(IC)210的印刷电路板(PCB)200上，并且可以通过使用覆膜玻璃(film-onglass，FOG)220来向显示面板100提供功率和驱动信号。驱动电路单元可以包括数据驱动器、栅极驱动器、时序控制器、存储器和电源。
时序控制器可以接收源图像数据和时序同步信号TSS。时序控制器可以以帧为单位使图像数据对准以将经对准的图像数据提供至数据驱动器。此外，时序控制器可以在驱动模式下基于可以向其输入的时序同步信号TSS对数据驱动器和栅极驱动器进行操作，由此显示输入图像。时序同步信号TSS可以包括垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、数据使能信号DE和时钟CLK。此外，时序控制器可以在感测模式下对数据驱动器和栅极驱动器进行操作以使得形成在多个子像素中的每一个子像素中的驱动TFT的特征(例如，阈值电压/迁移率值)能够被感测。
栅极驱动器可以根据时序控制器的模式控制以驱动模式和感测模式操作。在驱动模式中，根据从时序控制器提供的栅极控制信号GCS，栅极驱动器可以生成以一个水平时段为单位的具有栅极导通电压电平的扫描信号。栅极驱动器可以向多个栅极线GL顺序地提供扫描信号。在感测模式中，栅极驱动器可以产生具有栅极导通电压电平的感测信号，并且可以向多个感测信号线SL顺序地提供感测信号。
栅极驱动器可以连接至多个栅极线GL1至GLm、多个感测信号线SL1至SLm以及多个电源线(例如，EVDD线)PL1至PLm。还可以设置低电源线EVSS，但是应该理解高电源和低电源可以通过本领域的普通技术人员所理解的适当的调整来交换。栅极驱动器可以设置为IC型，并且可以例如，通过柔性线缆被连接至显示面板100。可替换地，在晶体管可以设置在每个子像素P中的情况下，栅极驱动器可以通过相同工艺直接设置在显示面板100的阵列基板的非显示区120中。
数据驱动器可以连接至多个数据线DL1至DLn，并且可以根据时序控制器的模式控制以显示模式和感测模式操作。数据驱动器可以将从时序控制器提供的得到补偿图像数据转换成数据电压Vdata，并且可以将数据电压施加至数据线DL。数据驱动器还可以向时序控制器提供感测数据。
存储器可以从时序控制器接收数据，并且可以将数据传输至时序控制器。存储器可以存储用于补偿每个子像素P的驱动TFT(DT)的阈值电压(Vth)的偏移的初始补偿值。用于补偿驱动TFT的阈值电压(Vth)的偏移的初始补偿值可以从存储器加载。加载的补偿值可以反映在得到补偿的图像数据中。此外，存储器可以基于显示面板100的驱动而存储用于补偿每个子像素P的驱动TFT(DT)的阈值电压(Vth)的偏移的顺序补偿数据。可以加载存储在存储器中的顺序补偿数据，并且可以执行顺序补偿。
显示面板100可以包括阵列基板和封装基板，在阵列基板中形成有多个有机发光二极管(OLED)和用于使得从OLED发光的多个像素电路，上述封装基板对OLED进行封装。下面将参照图5详细描述阵列基板和封装基板。
显示面板100可以包括有源区110和非显示区120，在有源区110中可以以矩阵型布置多个像素并且在有源区110中可以显示图像；在非显示区120中可以设置多个链路线和多个计程线(loglines)。
在阵列基板的有源区110中可以形成多个栅极线GL1至GLm、多个感测信号线SL1至SLm、多个数据线DL1至DLn、多个电源线PL1至PLm和多个参考电压线RL1至RLn。通过这些线可以限定多个子像素P。红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素可以构成一个像素。
多个子像素P中的每一个可以包括OLED和使得从OLED发光的像素电路。OLED可以通过可以经由驱动TFT而施加的数据电流(Ioled)来发光。多个栅极线GL1至GLm和多个感测信号线SL1至SLm可以在显示面板100中沿水平线(例如，X轴方向)平行布置。在一个示例中，可以将扫描信号(例如，栅极驱动信号)从栅极驱动器施加至各栅极线GL1至GLm。可以将感测信号从栅极驱动器施加至感测信号线SL。
多个数据线DL1至DLn和多个参考电压线RL1至RLn可以在显示面板100中沿竖直方向(例如，Y轴方向)平行布置。多个数据线DL1至DLn和多个参考电压线RL1至RLn可以形成为与多个栅极线GL1至GLm、多个感测信号线SL1至SLm和多个电源线PL1至PLm交叉。
此外，用于向多个像素提供高电平驱动电压(例如，EVDD)的电源线PL1至PLm可以沿与多个栅极线GL1至GLm平行的同一方向形成。然而，实施例不限于此。例如，电源线PL1至PLm可以在显示面板100上沿竖直方向(例如，Y轴方向)形成。
例如，可以将数据电压(Vdata)从数据驱动器提供至数据线DL1至DLn中的至少之一。数据电压(Vdata)可以包括补偿电压，该补偿电压用于对在水平方向上的不均匀发光和串扰进行补偿。此外，可以将基于如下补偿值的补偿电压额外添加至数据电压(Vdata)中，所述补偿值用于对相应像素的驱动TFT的阈值电压(Vth)的偏移进行补偿。
数据驱动器可以将显示参考电压或感测预充电电压选择性地提供至参考电压线RL1至RLn中的至少之一。可以在各子像素P的数据充电时段期间将显示参考电压提供至多个参考电压线RL1至RLn中的每一个。可以在感测时段期间将感测预充电电压提供至参考电压线RL1至RLn，在感测时段中对各像素P的驱动TFT的阈值电压/迁移率进行感测，其可以是阈值电压/迁移率的值。
图5为示出了图3的部分A的图。图5示出了显示面板的有源区(显示区)和非显示区。
参照图5，底部发射型显示面板100可以包括阵列基板101、光学膜102和封装基板150。有机发光显示(OLED)装置100可以以底部发射型显示图像。例如，光学膜102可以粘附至阵列基板101的背表面。可以应用偏振膜、图案化相位延迟膜(FPR)或三维(3D)偏振膜作为光学膜102。
在阵列基板的有源区(例如，图3示例中的有源区110)上可以形成多个像素112。为了显示全色图像，可以将红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B和白色子像素W构成一个像素112。子像素中的每一个可以包括OLED和像素电路，该像素电路可以包括驱动TFT、扫描TFT和感测TFT。
封装基板150可以形成为覆盖整个有源区以物理地保护形成在每个子像素中的OLED免受外部干扰。此外，封装基板150可以形成为覆盖非显示区的一部分和整个有源区。
在阵列基板101的非显示区中可以形成多个焊盘(未示出)、多个链路线140和多个计程线(未示出)，上述的多个焊盘、多个链路线140和多个计程线可以连接至驱动电路单元并且可以向多个像素中的每一个提供驱动信号。多个链路线140和多个计程线可以提供驱动信号。多个链路线140和多个计程线可以以预定间隔布置在显示面板100的非显示区中，例如在显示面板100的外围部分处。
可以将每个链路线140和每个计程线的一侧连接至驱动电路单元的输出端。可以将每个链路线140和每个计程线的另一侧连接至多个子像素的信号线。可以将驱动电压和驱动信号提供至每个子像素。
在外部光被线反射时，多个链路线140和多个计程线对用户可以是可见的。可以期望通过实现不具有边框的底部发射型显示面板来增进OLED装置的美学外观。然而，因为形成在非显示区中的线的图案由于光的反射而是可见的，所以相关技术的OLED装置的外部美学外观劣化。
根据实施例的OLED装置可以包括形成在多个链路线140和多个计程线之间的缓冲层130。缓冲层130可以防止在非显示区中线的图案由于光的反射而变得可见。
图6为示出了沿着图5的线A1-A2截取的横截面的图。在下文中，将参照图6描述其中形成有缓冲层130以防止在非显示区中线的图案由于光的反射而变得可见的详细示例。
如图6的(A)处的示例所示，缓冲层130可以在阵列基板101上形成为与多个链路线140之间的空间交叠。例如，缓冲层130和多个链路线140可以形成在不同的层上，在阻挡层130和多个链路线140之间有绝缘层103。缓冲层130可以形成在阵列基板101的第一层上，而多个链路线140可以形成在第二层上。
缓冲层130可以由例如金属材料形成并且可以具有与多个链路线140的光反射率相同的光反射率。多个链路线140和缓冲层130可以由相同的金属形成。然而，例如，在光反射率之间没有差别的情况下，多个链路线140和缓冲层130可以由不同金属形成。
在图6的(A)处的示例中，缓冲层130示出为形成在多个链路线140之间，并且已经在上面对缓冲层130进行了描述。然而，实施例不限于此。例如，缓冲层130可以形成在非显示区中形成的多个计程线之间，并且所述多个计程线之间的空间可以用缓冲层130填充。
在一个示例中，缓冲层130的宽度可以宽广地形成为充分覆盖多个链路线140之间的空间以及多个计程线之间的空间。缓冲层130可以被图案化并且形成为使得缓冲层130的端部可以与下述这样的空间交叠：该空间在比每个链路线140和每个计程线的端部更向内的部分处。
如上所述，形成在阵列基板101上的多个链路线140之间的空间以及多个计程线之间的空间可以用缓冲层130填充。因而，可以防止多个链路线140的图案由于来自外部的入射光的反射而变得可见。
参照图6的(B)处的示例，缓冲层130和多个链路线140可以形成在不同的层上，在阻挡层130和多个链路线140之间有绝缘层103。缓冲层130可以形成在阵列基板101上的第一层上，而多个链路线140可以形成在第二层上。缓冲层130可以形成在多个链路线140之下以覆盖多个链路线140的下部和多个链路线之间的空间。
在图6的(B)处的示例中，缓冲层130被示出为形成在多个链路线140之下，并且已经在上面对缓冲层130进行了描述。然而，实施例不限于此。例如，缓冲层130可以形成在非显示区中的多个计程线之下。
如上所述，缓冲层130可以形成为覆盖多个链路线140的下部、多个计程线的下部以及这些线之间的空间。因而，可以防止所述多个链路线140的图案由于来自外部的入射光的反射而变得可见。
在显示面板100的TFT以共面的方式形成的情况下，在每个TFT之下可以形成遮光层，该遮光层可以防止光入射到每个TFT的半导体层上。遮光层可以设置在基板101的最下部，并且通过使用在有源区中形成遮光层的工艺可以在非显示区中形成缓冲层130。如上所述，在通过使用金属图案以及在有源区中形成遮光层的工艺来在非显示区中形成缓冲层130时，在不执行附加工艺或不增加制造成本的情况下，可以防止多个链路线的图案由于来自外部的入射光的反射而被显现。
然而，实施例不限于此，缓冲层130可以通过使用形成在有源区中形成的多个金属层之中的与链路线140和计程线所处的层不同的层上的金属图案来形成。例如，在有源区中形成栅极线时，可以通过使用栅极金属图案以及形成栅极线的工艺来在非显示区中形成缓冲层130。
图7为示出了根据一个实施例的非显示区的横截面的图。
参照图7，可以在多个链路线140之下并且在阵列基板101上形成遮光层135。在一个示例中，遮光层135和多个链路线140可以形成在不同的层上，在遮光层135和多个链路线140之间有绝缘层103。遮光层135可以形成在阵列基板101上的第一层上，而多个链路线140可以形成在第二层上。遮光层135可以形成在多个链路线140之下以覆盖多个链路线140的下部以及多个链路线之间的空间。
在图7的示例中，遮光层135被示出为形成在多个链路线140之下，并且已经在上面对遮光层135进行了描述。然而，实施例不限于此。例如，遮光层135可以形成在非显示区中形成的多个计程线之下。遮光层135可以由例如吸收光的黑色颜料形成。
如上所述，遮光层135可以形成为覆盖多个链路线140的下部、多个计程线的下部以及这些线之间的空间。因而，可以防止多个链路线的图案由于来自外部的入射光的反射而变得可见。
图8为示出了设置在有源区中的像素的横截面结构和设置在非显示区中的遮光层的横截面结构的图。
在图8中，示出了设置在有源区中的多个像素之一。此外，示出了设置在非显示区中的多个链路线中的一条链路线140。此外，示出了设置在非显示区中的多个缓冲层中的两个缓冲层130。
参照图8，光学膜102设置在阵列基板101之下。光学膜102可以使用偏振膜、图案化相位延迟膜(FPR)或3D偏振膜。
在阵列基板101上，在有源区中设置有遮光层LS，并且在非显示区中设置有多个缓冲层130。在阵列基板101和遮光层LS上设置有TFT的有源层ACT。绝缘层103被设置成覆盖有源层ACT的一部分和多个缓冲层130。
在有源区中，在有源层ACT上设置有栅极绝缘体GI，并且在该栅极绝缘体GI上设置有栅电极Gate。在非显示区中，栅极绝缘体GI设置在绝缘层103上的与多个缓冲层130之间的空间对应的部分处。在栅极绝缘体GI上设置有焊盘PAD。有源区中的栅电极Gate和非显示区中的焊盘PAD由相同的金属材料形成。
在栅电极Gate和焊盘PAD上设置有层间电介质ILD。
设置有穿过有源区中的层间电介质ILD连接至有源层ACT的第一侧的源电极S和连接至有源层ACT的第二侧的漏电极。如上所述，驱动TFT配置有有源层ACT、栅极绝缘体GI、源电极S和漏电极D。
此外，设置有穿过非显示区中的层间电介质ILD连接至焊盘PAD的源极/漏极金属层SD。
设置有钝化层PAS以覆盖有源区中的驱动TFT。此外，钝化层PAS设置在非显示区中的源极/漏极金属层SD上。
在开口(opening)中设置有滤色器CF。在驱动TFT上设置有防止光入射在驱动TFT上的挡光层104。挡光层104通过滤色器CF形成，并且可以应用红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之中的红色滤色器作为挡光层104。
设置外覆层OC以覆盖滤色器CF和挡光层104。在设置有驱动TFT的漏电极D的部分处不设置外覆层OC。
设置有穿过有源区中的钝化层PAS连接至漏电极D的阳电极。阳电极被设置成从驱动TFT的漏电极D至存储电容器区和开口。阳电极被设置在开口中设置的滤色器CF和外覆层OC上。在阳电极上设置有限定开口的堤坝(bank)，并且在通过堤坝限定的开口中设置有发光层EML。发光层EML设置在阳电极上。在发光层EML上设置有阴电极。
设置有穿过非显示区中的钝化层PAS连接至源极/漏极金属层SD的透明导电层ITO。如上所述，焊盘PAD、源极/漏极金属层SD和透明导电层ITO依次堆叠，由此形成链路线140。
如上所述，缓冲层130和链路线140设置在阵列基板101上的不同的层上。多个缓冲层130设置在多个链路线140之间的空间中。多个链路线140之间的空间可以被多个缓冲层130填充。因此，能够防止多个链路层140的图案通过从外部入射的光的反射而被显现。
图9为示出了通过使用缓冲层或遮光层来使金属线和空间的图案不可见的图。
参照图8，如上所述，因为缓冲层130或遮光层135可以形成在多个链路线和多个计程线之下，所以入射在非显示区上的光可以被均匀地反射或吸收。因而，可以防止线的图案被显现。
此外，从形成有封装基板的区域反射的光的量可以与从未形成封装基板的区域反射的光的量相同，或者可以通过吸收光使形成在非显示区中的线的图案不可见。
此外，实施例可以防止在非显示区中线的图案变得可见。因而，可以增进应用无边框面板的底部发射型OLED装置的外部美学外观。
在根据实施例的OLED装置中，缓冲层可以由反射光的金属形成。此外，在根据实施例的OLED装置中，缓冲层可以形成为与多个链路线之间的空间交叠。另外，在根据实施例的OLED装置中，缓冲层可以形成为与多个链路线的下部以及多个链路线之间的空间交叠。
此外，在根据实施例的OLED装置中，多个像素中的每一个可以包括OLED和驱动OLED的像素电路；像素电路中的TFT可以形成为共面结构；遮光层可以形成在TFT之下；以及缓冲层可以与遮光层形成在同一层上。此外，在根据实施例的OLED装置中，多个像素中的每一个可以包括：OLED；驱动OLED的像素电路；通过其可以将驱动信号提供至像素电路的栅极线；以及通过其可以将驱动电流提供至OLED的数据线。此外，缓冲层可以与栅极线形成在同一层上。另外，在根据实施例的OLED装置中，遮光层可以与多个链路线的下部以及多个链路线之间的空间交叠。
在根据实施例的OLED装置中，缓冲层可以与形成在非显示区中的线之间的空间交叠。因而，可以防止形成在非显示区中的线的图案对用户可见。在根据实施例的OLED装置中，缓冲层或遮光层可以在形成在非显示区中的线之下。因而，可以防止形成在非显示区中的线的图案对用户可见。
在根据实施例的OLED装置中，从形成有封装基板的区域反射的光的量可以与从未形成封装基板的区域反射的光的量相同，或者可以通过吸收光使形成在非显示区中的线的图案不可见。此外，可以增进应用无边框面板的底部发射型OLED装置的外部美学外观。
对本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离发明的精神或范围的情况下，可以在本发明中做出各种修改和变化。因此，本发明的实施例旨在覆盖本发明的修改和变化，只要这些修改和变化落入所附权利要求和其等同内容的范围内即可。

Claims (20)

1.一种有机发光显示OLED装置，包括：
阵列基板；
在所述阵列基板之上的中间层；
在所述中间层之上的绝缘层；以及
在所述阵列基板的非显示区中的所述绝缘层之上的多个驱动信号线，所述多个驱动信号线通过所述绝缘层与所述中间层完全分隔开，所述多个驱动信号线中的每个驱动信号线被配置成将来自驱动电路单元的驱动信号提供至多个像素之中的像素的各个子像素，
其中，在所述多个驱动信号线之下的所述中间层被配置成降低所述驱动信号线的可见性使得利用所述多个驱动信号线使所述中间层上的入射光被均匀地反射或吸收。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述驱动信号线包括链路线。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述驱动信号线包括计程线。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述中间层包括缓冲层。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述缓冲层包括金属材料。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，多个链路线包括与所述缓冲层的金属材料相同的金属材料。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中，所述缓冲层的金属材料具有与所述多个链路线的金属材料的光反射率相同的光反射率。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述中间层包括遮光层。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述遮光层包括深色颜料材料。
10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中，所述驱动信号线的条纹图案通过所述中间层在视觉上不明显。
11.一种形成有机发光显示OLED装置的方法，所述方法包括：
提供阵列基板；
在所述阵列基板之上设置中间层；
在所述中间层之上设置绝缘层；以及
在所述阵列基板的非显示区中的所述绝缘层之上设置多个驱动信号线，所述多个驱动信号线通过所述绝缘层与所述中间层完全分隔开，所述多个驱动信号线中的每个驱动信号线被配置成将来自驱动电路单元的驱动信号提供至多个像素之中的像素的各个子像素，
其中，在所述多个驱动信号线之下的所述中间层降低了所述驱动信号线的可见性使得利用所述多个驱动信号线使所述中间层上的入射光被均匀地反射或吸收。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，设置所述驱动信号线包括设置链路线。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，设置所述驱动信号线包括设置计程线。
14.根据权利要求11所述的方法，其中，设置所述中间层包括设置缓冲层。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述缓冲层包括金属材料。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，多个链路线包括与所述缓冲层的金属材料相同的金属材料。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述缓冲层的金属材料具有与所述多个链路线的金属材料的光反射率相同的光反射率。
18.根据权利要求11所述的方法，其中，设置所述中间层包括设置遮光层。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述遮光层包括深颜料材料。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述驱动信号线的条纹图案通过所述中间层在视觉上不明显。
CN201410818258.2A 2014-05-30 2014-12-24 有机发光显示装置及其制造方法 Active CN105280670B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140066447A KR102227875B1 (ko) 2014-05-30 2014-05-30 유기 발광 디스플레이 장치
KR10-2014-0066447 2014-05-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105280670A true CN105280670A (zh) 2016-01-27
CN105280670B CN105280670B (zh) 2020-06-23

Family

ID=52130162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410818258.2A Active CN105280670B (zh) 2014-05-30 2014-12-24 有机发光显示装置及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9136315B1 (zh)
EP (1) EP2950349B1 (zh)
KR (1) KR102227875B1 (zh)
CN (1) CN105280670B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108122946A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示器
CN108573997A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 三星显示有限公司 显示装置
CN108630724A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN108877698A (zh) * 2017-05-08 2018-11-23 北京小米移动软件有限公司 一种显示图像的方法和装置
CN109148712A (zh) * 2017-06-19 2019-01-04 三星显示有限公司 面板底片和包括面板底片的显示装置
CN109410823A (zh) * 2018-12-27 2019-03-01 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111048564A (zh) * 2019-12-18 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102238994B1 (ko) * 2014-07-17 2021-04-12 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR102441558B1 (ko) * 2015-04-07 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102605957B1 (ko) * 2016-02-23 2023-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102592955B1 (ko) * 2016-06-17 2023-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 및 이를 포함하는 전자 기기
US11049887B2 (en) 2017-11-10 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Layer stack for display applications
KR102586042B1 (ko) 2018-04-06 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200029681A (ko) * 2018-09-10 2020-03-19 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR102661283B1 (ko) * 2018-11-26 2024-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102606687B1 (ko) * 2018-12-12 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN111653590B (zh) * 2020-05-07 2022-08-05 Oppo（重庆）智能科技有限公司 显示模组、显示屏组件以及电子设备
US20220317508A1 (en) * 2020-10-23 2022-10-06 Fuzhou Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display substrate and method for manufacturing the same, display device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080203391A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate, display apparatus having the same
CN101964353A (zh) * 2010-08-13 2011-02-02 友达光电股份有限公司 有机电激发光显示单元及其制造方法
CN102097448A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 乐金显示有限公司 有机电致发光显示设备及其制造方法
CN102760001A (zh) * 2011-04-29 2012-10-31 联胜（中国）科技有限公司 触控面板及触控显示面板
CN103594485A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 苹果公司 窄边框有机发光二极管显示器

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0406540D0 (en) * 2004-03-24 2004-04-28 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
JP5089878B2 (ja) 2005-10-28 2012-12-05 パナソニック株式会社 画像符号化装置
US8208087B2 (en) * 2005-11-01 2012-06-26 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Thin film transistor array substrate and repair method
KR101480928B1 (ko) * 2012-08-07 2015-01-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080203391A1 (en) * 2007-02-28 2008-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate, display apparatus having the same
CN102097448A (zh) * 2009-12-14 2011-06-15 乐金显示有限公司 有机电致发光显示设备及其制造方法
CN101964353A (zh) * 2010-08-13 2011-02-02 友达光电股份有限公司 有机电激发光显示单元及其制造方法
CN102760001A (zh) * 2011-04-29 2012-10-31 联胜（中国）科技有限公司 触控面板及触控显示面板
CN103594485A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 苹果公司 窄边框有机发光二极管显示器

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108122946A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 有机发光显示器
CN108122946B (zh) * 2016-11-30 2022-04-15 乐金显示有限公司 有机发光显示器
CN108573997B (zh) * 2017-03-14 2023-12-01 三星显示有限公司 显示装置
CN108573997A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 三星显示有限公司 显示装置
US11995277B2 (en) 2017-03-14 2024-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
US11720213B2 (en) 2017-03-14 2023-08-08 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus
CN108630724A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管显示装置
CN108877698A (zh) * 2017-05-08 2018-11-23 北京小米移动软件有限公司 一种显示图像的方法和装置
CN109148712A (zh) * 2017-06-19 2019-01-04 三星显示有限公司 面板底片和包括面板底片的显示装置
CN109148712B (zh) * 2017-06-19 2023-04-07 三星显示有限公司 面板底片和包括面板底片的显示装置
CN109410823A (zh) * 2018-12-27 2019-03-01 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109410823B (zh) * 2018-12-27 2022-04-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111048564A (zh) * 2019-12-18 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
US11380735B2 (en) 2019-12-18 2022-07-05 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel having bending display region and display device

Also Published As

Publication number Publication date
US9136315B1 (en) 2015-09-15
KR20150139026A (ko) 2015-12-11
CN105280670B (zh) 2020-06-23
KR102227875B1 (ko) 2021-03-15
EP2950349B1 (en) 2022-04-27
EP2950349A1 (en) 2015-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105280670A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN107369698B (zh) 有机发光二极管显示装置和连接结构的制造方法
EP3327709B1 (en) Ultra high density transparent flat panel display
CN103886823B (zh) 显示设备
KR20190038148A (ko) 양면 디스플레이
US10355063B2 (en) Organic light emitting display panel and organic light emitting diode display device including the same
KR102488256B1 (ko) 타일드 디스플레이
KR102406992B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20190065739A (ko) 플렉서블 유기발광 다이오드 표시장치
KR20220154320A (ko) 표시 장치
US11882742B2 (en) Display panel and electronic device including same
KR20180062522A (ko) 플렉서블 표시장치
KR102579307B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102583623B1 (ko) 터치 구동 회로, 터치 스크린 내장형 유기발광표시장치와 그 구동 방법
US11175778B2 (en) Touch display device and display panel
KR102123444B1 (ko) 유기발광 디스플레이 장치
KR20180002436A (ko) 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치
KR102584965B1 (ko) 전계발광 표시장치
KR102560268B1 (ko) 유기발광 다이오드 표시장치
KR102569692B1 (ko) 유기발광 표시장치
KR20190076319A (ko) 동일 색상 화소 사이에 균일 휘도를 갖는 유기발광 다이오드 표시장치
US20230048688A1 (en) Display panel
KR102577415B1 (ko) 터치전극을 구비한 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR20170081075A (ko) 칩 온 필름 및 이를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치
KR20170005246A (ko) 더미 게이트 라인 구조를 포함하는 표시패널

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant