CN105210201A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

实施例涉及一种发光器件。公开的发光器件包括主体；设置在主体的顶表面上的第一金属层和第二金属层；设置在第一金属层和第二金属层之间、具有圆形轮廓的散热板；设置在散热板上的多个发光部；设置在第一金属层和第二金属层上并且与多个发光部电连接的第一结合区和第二结合区；以及设置在散热板上、覆盖多个发光部的模制构件。多个发光部的每个包括彼此相连接的多个发光芯片和电连接多个发光芯片与第一和第二结合区的多个导线。在每个发光部中多个导线被布置在远离散热板的中心的径向方向中。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及一种发光器件。
背景技术
发光器件，例如，发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件，其已经取代传统的荧光灯和辉光灯聚光为下一代光源。
由于LED通过使用半导体器件产生光，所以LED可以代表与辉光灯或者荧光灯相比较显著地低的电耗，辉光灯通过加热钨产生光，荧光灯通过促进紫外线(其是经由高压放电、与荧光物质碰撞产生的)产生光。
此外，由于LED通过使用半导体器件的势能间隙产生光，所以与传统的光源相比较，LED代表更长的寿命、快速反应特征和更加环境友善的特点。
在这方面，已经进行各种各样的研究去以LED取代传统的光源。LED越来越地用作照明设备的光源，诸如，在室内和在户外、液晶显示器、电子广告牌和路灯使用的各种各样的灯。
发明内容
技术问题
该实施例被设置具有径向方向布置的多个导线的发光器件。
该实施例提供具有与相互不同的发光芯片相连接，并且布置在径向方向的多个导线的发光器件。
该实施例提供具有经由模制构件的球形表面的相互不同的区域突出，并且布置在径向方向的多个导线的发光器件。
该实施例提供具有穿过包括多个发光芯片的散热板轮廓，并且设置在径向方向的多个导线的发光器件。
该实施例提供一种发光器件，其中以圆形穿过散热板轮廓的导线被布置在相对于穿过散热板轮廓的一个点的切线的垂直方向中。
该实施例提供一种发光器件，其中连接与设置在金属层和散热板上的发光芯片相连接的导线两端的直线被布置到关于散热板中心的径向方向。
该实施例可以提供一种具有与模制构件和反射构件相连接的多个导线，并且布置到关于散热板中心的径向方向的发光器件。
该实施例可以改善具有多个发光芯片的发光器件的散热效率。
该实施例可以改善具有多个发光芯片的发光器件的电可靠性。
技术方案
根据该实施例，所设置的是一种发光器件，包括：主体、在主体的顶表面上的第一和第二金属层、设置在第一和第二金属层之间并且具有圆形轮廓的散热板、在散热板上的多个发光部、设置在第一和第二金属层上并且与发光部电连接的第一和第二结合区、和设置在散热板上以覆盖发光部的模制构件。发光部的每个包括彼此相连接的多个发光芯片、和电连接发光芯片与第一和第二结合区的多个导线，以及每个发光部的导线被设置到关于散热板的中心的径向方向。
有益效果
该实施例可以改善具有多个发光芯片的发光器件的可靠性。
该实施例可以降低具有该发光芯片的发光器件的散热效率。
该实施例可以改善发光器件和具有该发光器件的照明系统的可靠性。
附图说明
图1是示出根据第一个实施例的发光器件的平面图。
图2是详细地示出在图1的发光器件中的散热板和第一和第二金属层的平面图。
图3是沿着图1的发光器件的线A-A截取的截面图。
图4是示出在图1的发光器件中的第一发光部的第一导线的连接状态的图。
图5是示出在图1的发光器件中的第一发光部的第一导线的连接状态的图形。
图6是示出图1的发光器件的电路板的压缩变形示例的截面图。
图7是示出图1的发光器件的电路板的拉伸变形示例的截面图。
图8是示出由图6和7的电路板的压缩和拉伸变形产生的垂直变形所引起的移位的图形。
图9是示出根据该实施例的在电路板的模制构件和反射构件之间的边界区处根据温度的均等应力的图形。
图10是示出根据该实施例的在电路板上的反射构件和模制构件之间的边界区处根据温度的最大(Max)变形的图形。
图11是示出图3的发光器件的另一个示例的截面图。
图12是示出图3的发光器件的再一个示例的截面图。
图13是示出图1的发光器件的另一个示例的图。
图14是示出根据第二个实施例的发光器件的平面图。
图15是示出图14的发光器件的局部放大视图。
图16是示出根据实施例的发光器件的发光芯片的图。
图17是示出根据实施例的具有发光器件的显示设备的图。
图18是示出根据实施例的具有发光器件的显示设备的另一个示例的截面图。
图19是示出根据本实施例的具有发光器件的照明设备的透视图。
具体实施方式
在下文中，许多的实施例将参考伴随的附图详细描述，使得本领域技术人员可以容易地对于该实施例复制。但是，该实施例可以不必局限于如下所述的，而是具有各种各样的改进。
在以下的描述中，当预先确定的部分“包括”预先确定的组件时，该预先确定的组件不排除其他组件，而是除非另有陈述，可以进一步包括其他组件。在该实施例的描述中，应该理解，当层、膜，或者板称为在另一个层、另一个膜、另一个区域，或者另一个板“之上”或者“之下”时，其可以“直接”或者“间接地”在另一个层、膜、区域、板之上，或者一个或多个插入层也可能存在。相反地，当一个部分“直接”在另一个部分上时，在其间没有插入层。
为了便利或者清楚的目的，在附图中示出的每个层的厚度和大小可以被放大、省略或者示意地绘制。此外，单元的大小不完全地反映实际的大小。相同的附图标记贯穿该附图将分配相同的单元。
在下文中，根据本公开的第一个实施例的发光器件将参考图1至5描述。
图1是示出根据第一个实施例的发光器件的平面图，图2是示出在图1的发光器件中的散热板以及第一和第二金属层的平面图，图3是沿着图1的发光器件的线A-A截取的截面图，图4是示出在图1的发光器件中的第一发光部的第一导线的连接状态的图，以及图5是示出在图1的发光器件中的第一发光部的第一导线的连接状态的图形。
参考图1至5，该发光器件包括主体11，设置在主体11的顶表面上的多个金属层13和15；设置在金属层13和15之间的散热板17；在散热板17上具有发光芯片31、32、33、41、42和43的多个发光部30和30A；围绕散热板17设置的反射构件23；在散热板17上的模制构件25；以及连接发光部30和30A与金属层13和15的多个导线71、73、81和83。该发光器件可以包括在主体11的底表面上的多个金属层45和47以及多个连接电极14和16，并且多个连接电极14和16设置在主体11中。
发光器件是具有发光芯片31、32、33、41、42和43的封装或者单元，其可以适用于照明设备，诸如灯、室内灯、户外灯、指示灯和头灯。
发光器件的主体11可以包括绝缘材料，例如树脂材料，诸如硅、环氧树脂或者塑料。例如，主体11可以包括树脂材料，诸如盐酸苯丙醇胺(PPA)。硅包括基于白色的树脂。主体11可以有选择地包括酸酐、抗氧化剂、隔离剂、反光镜、无机充填剂、硫化剂、抗光剂、润滑剂或者二氧化钛。主体11可以通过使用从由环氧树脂、改性环氧树脂、改性硅树酯、聚丙烯树脂和聚氨酯树脂组成的组中选择出来的至少一个来模制。例如，主体11可以由使用B级固态环氧树脂组分形成，其可以通过混合环氧树脂，诸如异三聚氰酸三缩水甘油酯或者氢化物双酚A二环氧甘油醚与酸酐助催化剂，诸如六氢化邻苯二甲酸酐，3甲基六氢化邻苯二甲酸酐，或者4甲基六氢化邻苯二甲酸酐获得，然后在增加起硬化加速剂和乙二醇、二氧化钛色素作用的DBU(1.8-二氮杂二环(5,4,0)十一碳烯7)，或者起助催化剂作用的玻璃纤维给环氧树脂之后，部分地硬化该混合物，但是，该实施例不受限于此。
根据另一个示例，主体11包括绝缘材料，例如陶瓷材料。陶瓷材料包括低温共烧陶瓷(LTCC)，或者高温共烧陶瓷(HTCC)。主体11可以包括金属氧化物，诸如SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy或者Al2O3。
主体11包括彼此相对的第一和第二横向侧1和2、和邻近于第一和第二横向侧1和2并且彼此相对的第三和第四横向侧3和4。第一和第二横向侧1和2可以具有等于或者大于第三和第四横向侧3和4的长度。虽然主体11的俯视形状是多边的形状，例如，长方形形状，但是主体11可以具有弯曲形状。
如图1和3所示，主体11被设置在具有金属层13和15的其顶表面上，例如，相互分离。第一金属层13可以设置在主体11的顶表面的第一区域处，并且可以设置邻近于主体11的第一、第二和第三横向侧1、2和3。第二金属层15可以设置在主体11的顶表面的第二区域中，并且设置邻近于主体11的第一、第二和第四横向侧1、2和4。
主体11和第一和第二金属层13和15可以包括在电路板10中。主体11被设置在具有多个金属层，诸如第三和第四金属层45和47的其底表面上。电路板10可以进一步包括第三和第四金属层45和47。垂直于第一金属层13第三金属层45可以与第一金属层13重叠。垂直于散热板17第三金属层45可以与散热板17重叠。第三金属层45可以具有比第一金属层13宽的区域。垂直于第二金属层15第四金属层47可以与第二金属层15重叠。垂直于散热板17第四金属层47可以与散热板17重叠。第四金属层47可以具有比第二金属层15的区域宽的区域。发光器件的散热效率可以通过第三和第四金属层45和47而改善。第三和第四金属层45和47可以安装在具有电路图案的板上，但是该实施例不受限于此。
主体11包括例如相互分离的第一和第二连接电极14和15。电路板10可以包括第一连接电极14和第二连接电极16。垂直于第一和第三金属层13和45的区域第一连接电极14可以与第一和第三金属层13和45的区域重叠。第一连接电极14与第一和第三金属层13和45电连接。一个第一连接电极14或者多个第一连接电极14可以设置在主体11中，但是，该实施例不受限于此。
垂直于第二和第四金属层15和47的区域第二连接电极16可以与第二和第四金属层15和47的区域重叠。第二连接电极16与第二和第四金属层15和47电连接。一个第二连接电极16或者多个第二连接电极16可以设置在主体11中，但是，该实施例不受限于此。
在第一和第二连接电极14和16之间的间隔可以比散热板17的宽度宽。因此，发光器件的功率路径可以被分布，并且散热效率可以被改善。
散热板17被设置在主体11的顶表面上。散热板17可以被设置在第一和第二金属层13和15之间，并且可以分别地垂直于第三和第四金属层45和47与第三和第四金属层45和47重叠。第一和第二金属层13和15可以被设置在散热板17的外横向侧，使得第一和第二金属层13和15相互面对。第一金属层13覆盖散热板17的外横向侧的45％至49％，并且第二金属层15覆盖散热板17的外横向侧的45％至49％。第一和第二金属层13和15被沿着散热板17的轮廓设置。
对应于散热板17的外横向侧的第一金属层13的内部区域可以以半圆形形状形成。对应于散热板17的外横向侧的第二金属层15的内部区域可以以半圆形形状形成。
当从顶视观看时，该散热板17具有带有弯曲表面的形状。例如，散热板17可以具有圆形的形状。散热板17的轮廓可以具有圆形的形状。散热板的直径E1可以是主体11的宽度的50％或以上，详细地，主体11的宽度的70％或以上。散热板的直径E1可以形成在主体11的宽度的79％至95％的范围内。主体11的宽度可以是X轴向长度，并且主体11的长度可以是Y轴向长度。在这种情况下，主体11的宽度可以是在第一和第二横向侧1和2之间的间隔，但是，该实施例不受限于此。
散热板17可以形成有等于或者厚于第一和第二金属层13和15的厚度。
保护层21可以被设置在第一和第二金属层13和15的顶表面上。保护层21可以被设置在第一和第二金属层13和15之间的边缘区处和在第一和第二金属层13和15的外横向侧处。保护层21可以形成在主体11的第一、第二和第四横向侧1、2和4的边缘上。因此，第一金属层13与主体11的第一、第二和第三横向侧1、2和3的边缘分隔开，并且第二金属层15与主体11的第一、第二和第四横向侧1、2和4的边缘分隔开。保护层21防止第一和第二金属层13和15的表面被露出。保护层21可以防止第一和第二金属层13和15被腐蚀或者在电可靠性方面恶化。例如，保护层21可以由绝缘材料，例如，诸如光致抗蚀剂材料形成，但是，该实施例不受限于此。
第一金属层13包括第一开口区13A、第一支撑突起13B和第一结合区12A。第一开口区13A可以是没有保护层21的第二金属层15的顶表面的区域，并且导线可以接触或者结合到该区域。第一支撑突起13B从第一金属层13伸出到主体11的至少一个横向侧，例如，第三横向侧3。第一支撑突起13B可以是用于电镀的拉丝端子，或者可以以注入支撑第一金属层13。第一结合区12A被沿着散热板17的圆周设置。第一结合区12A是沿着散热板17的外部轮廓以半球形凹陷的区域。第一结合区12A是没有保护层21的开口区域，并且与发光部30和30A相连接以供给具有第一极性的电源。
第二金属层15包括第二开口区13A、第二支撑突起13B和第二结合区12B。第二开口区13A可以是没有保护层21的第二金属层15的顶表面的区域，并且单独的导线可以接触或者结合到第二开口区13A。至少一个第二支撑突起15B被设置和从第二金属层15延伸到主体11的至少一个横向侧。第二支撑突起15B可以是用于电镀的拉丝端子，或者可以以注入支撑第二金属层13。例如，当多个第二支撑突起15B被设置时，第二支撑突起15B可以朝着主体11的第一和第二横向侧1和2延伸。第二结合区12B被沿着散热板17的圆周设置。例如，第二结合区12B是沿着散热板17的外部轮廓以半球形区域凹陷的区域。第二结合区12B是没有保护层21的开口区域，并且与发光部30和30A相连接以供给具有第二极性的电源。
由于第一和第二结合区12A和12B被沿着散热板的外圆周设置，导线71、73、81和83的长度和位置、以及发光芯片31、32、33、41、42和43可以容易地布置。
第一至第四金属层13、15、45和47可以包括包含钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、磷(P)、铝(Al)和钯(Pd)的至少一个的金属。第一至第四金属层13、15、45和47可以形成在包括相互不同的金属的多个层处。电镀层可以形成在第一至第四金属层13、15、45和47的表面上，但是，该实施例不受限于此。电镀层可以暴露在第一和第二结合区12A和12B上。
第一间隙部18被沿着散热板的圆周设置，并且设置在第一和第二金属层13和15以及散热板17之间。第一间隙部18可以具有环形形状。第一间隙部18防止散热板17接触第一和第二金属层13和15。模制构件25的一部分可以被设置在第一间隙部18中，或者反射构件23的一部分可以设置在第一间隙部18中。
第二间隙部19被设置在第一和第二金属层13和15之间，并且与第一间隙部18相连接。第二间隙部19可以在除去散热板17的区域上用作在第一和第二金属层13和15之间间隔。第二间隙部19可以具有比第一间隙部18宽的宽度。因此，在第一和第二金属层13和15之间的间隔可以比在散热板17和第一金属层13或者第二金属层15之间的间隙宽。
散热板17可以包括第三支撑突起17A，并且第三支撑突起17A可以沿着第二间隙部19延伸至主体11的横向侧，例如，第一和第二横向侧1和2。第三支撑突起17A可以远离散热板17延伸，但是，该实施例不受限于此。第三支撑突起17A可以在第二间隙部19中与第一和第二金属层13和15分隔开。
如图1和3所示，反射构件23被围绕散热板17的圆周设置。该反射构件23可以具有环形形状。环形的内径可以等于或者小于散热板17的直径。反射构件23对应于模制构件25的外横向侧。反射构件23可以与模制构件25的外横向侧接触。反射构件23可以被设置在保护层21和模制构件25之间。反射构件23可以与第一和第二金属层13和15以及保护层21接触。由于反射构件23反射经由模制构件25发射的光，所以可以改善光提取效率和发光器件的光强度。
反射构件23可以具有等于或者厚于保护层21的厚度。因此，光损耗可以通过反射构件23减小。反射构件23可以被设置在第一和第二结合区12A和12B上。例如，反射构件23可以与第一和第二结合区12A和12B接触。反射构件23可以被设置在第一间隙部18中。
反射构件23可以包括树脂材料，诸如硅或者环氧树脂，并且金属氧化物可以被增加给反射构件23的内侧部分。反射构件23可以由绝缘材料形成。在反射构件23中，金属氧化物包括具有高于模制构件的折射率的材料，诸如TIO2、Al2O3或者SiO2。此外，5wt％或以上的金属氧化物可以被增加给反射构件23的内侧部分。反射构件23表示相对于从发光芯片31、32和33发出的光50％或以上的反射率，详细地，78％或以上的反射率。反射构件23的高度或者厚度是600±20μm，并且反射构件23的宽度可以形成在1000±100μm范围中。如果反射构件23过度地低或者高，则光反射效率可能恶化。此外，如果反射构件23的宽度显著地窄，则反射构件23不能形成。如果反射构件23的宽度显著地窄，则散热效率可能被降低。
发光部30和30A被设置在散热板17上。发光部30和30A可以相互并行与第一和第二金属层13和15电连接。发光部30和30A包括相互耦合的多个发光芯片31、32、33、41、42和43、以及穿过模制构件25的外横向侧以有选择地耦合到第一和第二金属层13和15的多个导线71、73、81和83。导线71、73、81和83可以在穿过模制构件23之后与第一和第二金属层13和15连接。导线71、73、81和83可以与反射构件23和模制构件25接触。发光部30和30A的至少一个可以不布置平行于穿过导线71、73、81和83的两端的直线。
发光部30和30A例如包括第一和第二发光部30和30A。在第一发光部30中，发光芯片31、32和33串联相互连接。第二发光部30A与第一发光部30分隔开，并且包括串联相互连接的发光芯片41、42和43。第一和第二发光部30和30A的每个可以限定为发光芯片的阵列，但是，该实施例不受限于此。此外，第一和第二发光部30和30A的一个可以不布置，或者可以布置在发光部17的中心处。
发光部30和30A的每个可以包括串联相互连接的至少五个发光芯片。每个发光芯片用作光源，并且在从紫外线到可见光的范围的波长带中有选择地发光。发光芯片31、32、33、41、42和43包括紫外线(UV)LED芯片、绿色LED芯片、蓝色LED芯片和红色LED芯片的一个。荧光体可以适用于发光芯片31、32、33、41、42和43的光出射区，但是，该实施例不受限于此。
模制构件被设置在散热板17上。模制构件25覆盖发光部30和30A。模制构件25可以包括透明或者能透射的材料，诸如硅或者环氧树脂。根据另一个示例，模制构件25可以包括刚性硅树酯、柔性硅树酯和硅橡胶的至少一个。模制构件25可以具有半球形截面，但是，该实施例不受限于此。模制构件25的外横向侧可以以环形形状形成，并且可以与模制构件23接触。模制构件25覆盖设置在散热板17上的发光芯片31、32、33、41、42和43。模制构件25覆盖导线71、73、75、81、83和85。模制构件25可以被设置在第一间隙部18中。
荧光体在模制构件25中形成。荧光体可以包括黄色荧光体、绿色荧光体、蓝色荧光体和红色荧光体的至少一个。例如，荧光体可以包括从由基于氮化物的荧光体、基于氮氧化物的荧光体和基于赛纶陶瓷的荧光体组成的组中选择出来的至少一个，其主要地由基于镧系的元素激活，诸如Eu或者Ce；碱土的卤素磷灰石荧光体、碱土金属硼酸酯卤素荧光体和碱土金属铝酸盐荧光体，其主要地由基于镧系的元素激活，诸如Eu，或者瞬态金属元素，诸如Mn；碱土金属硼酸卤素荧光体；碱土金属铝酸盐荧光体；碱土硅化；碱土硫化物；碱土硫陪酸盐；碱土氮化硅；萌芽体；主要地由基于镧系的元素激活的稀土铝酸盐，诸如Ce；稀土矽酸盐；以及主要地由基于镧系的元素激活的有机螯合剂，诸如Eu。详细地，该荧光体可以使用，但是，该实施例不受限于此。模制构件25可以包括填料，但是，该实施例不受限于此。
模制构件25的外部轮廓可以具有圆形的形状。模制构件25的外部球形表面可以与反射构件23接触。模制构件25和反射构件23可以由相互不同的硅材料形成。因此，在模制构件25和反射构件23之间的胶粘强度可以增强。反射构件23可以起边坡的作用以限制模制构件25的膨胀。此外，反射构件23可以防止模制构件25溢出。保护性的芯片(未示出)可以设置在散热板17和第一和第二金属层13和15的至少一个上，但是，该实施例不受限于此。
同时，第一发光部30包括邻近于金属层13的第一发光芯片31、邻近于第二金属层15的第二发光芯片32、在第一和第二发光芯片31和32之间相互连接的多个第三发光芯片33、与第一发光芯片31和第一金属层13相连接的第一导线71、和在第二发光芯片32和第二金属层15之间连接的第二导线73。第一发光部30可以包括互相连接第三发光芯片33的连接构件75，并且该连接构件75包括导线。
如图2所示，第一导线71的两个端子P1和P2与第一发光芯片31和第一金属层13连接。第二导线73的两个端子P3和P4与第二发光芯片32和第二金属层15连接。第一导线71的第二端子P2结合到第一金属层13的第一结合区12A，并且第二导线73的第二端子P4结合到第二金属层15的第二结合区12B。
例如，至少三个第三发光芯片33可以串联相互连接。第三发光芯片33可以以一行、二行或者三行布置。第三发光芯片33通过连接构件75相互连接。第一和第二发光芯片31和32被布置在第一发光部30的输入和输出侧处。第三发光芯片33的至少一个可以并行布置，或者在穿过第一和第二发光芯片31和32的中心的直线上，或者可以互相布置成直线。
第二发光部30A包括邻近于第一金属层13的第四发光芯片41、邻近于第二金属层15的第五发光芯片42、在第四发光芯片41和第五发光芯片42之间相互连接的多个第六发光发射芯片、连接在第四发光芯片41和第一金属层13之间的第三导线81、和连接在第五发光芯片42和第二金属层15之间的第四导线83。第二发光部30A可以包括互相连接第六发光芯片43的连接构件85，并且该连接构件85包括导线。
第三导线81的两端与第四发光芯片41和第一金属层13连接。第四导线83的两端与第五发光芯片42和第二金属层15连接。第三导线81结合到第一金属层13的第一结合区12A，并且第四导线83结合到第二金属层15的第二结合区12B。多个第六发光芯片43，例如，三个第六发光芯片可以串联相互连接。第六发光芯片43可以以一行、二行或者三行设置。此外，第六发光芯片43可以通过连接构件85相互连接。第四和第五发光芯片41和42被布置在第二发光部30A的输入和输出侧处。第六发光芯片43的至少一个可以并行布置，或者布置在穿过第四和第五发光芯片41和42的中心的直线上，或者互相成直线。
第一至第四导线71、73、81和83的每个与模制构件25和反射构件23接触。第一至第四导线71、73、81和83的每个与模制构件25和反射构件23的内侧部分连接。第一至第四导线71、73、81和83的每个可以经由模制构件25的外部球形表面突出，并且延伸进反射构件23中。
在第一导线71的第二端子P2和第二导线73的第四端子P4之间的间隔E2可以等于或者小于散热板17的直径E1，但是，该实施例不受限于此。
同时，如图2所示，第一导线71可以在关于散热板17中心的径向方向中从第一发光芯片31延伸。第二导线73可以在关于散热板17中心的径向方向中从第二发光芯片32延伸。第三导线81可以在关于散热板17中心的径向方向中从第四发光芯片41延伸。第四导线83可以在关于散热板17中心的径向方向中从第六发光芯片43延伸。第一至第四导线71、73、81和83可以延伸至关于散热板17中心的径向方向。第一至第四导线71、73、81和83可以延伸至关于模制构件25中心的径向方向。
穿过第一导线71的两个端子P1和P2的第一直线可以延伸至关于散热板17和模制构件25中心的径向方向。穿过第二导线73的两个端子P3和P4的第二直线可以延伸至关于散热板17或者模制构件25中心的径向方向。穿过第三导线81的第三直线可以延伸至关于散热板17或者模制构件25中心的径向方向。穿过第四导线83的两端的第四直线可以延伸至关于散热板17或者模制构件25中心的径向方向。
在互相链接第一导线71两端的第一直线和链接第二导线73两端的第二直线之间的角度R1可以是钝角。在互相链接第三导线81两端的第三直线和互相链接第四导线83两端的第四直线之间的角度可以是钝角。在第一直线和第三直线之间的角度R2可以是锐角。在第二直线和第四直线之间的角度可以是锐角。
如图3所示，第一和第二导线71和73的最高点可以被定位成高于连接构件75的最高点。在第一和第二导线71和73的最高点和第一和第二发光芯片31和32的顶表面之间的间隔可以形成在180μm至200μm的范围中。第一和第二导线71和73的最高点可以位于高于连接构件的最高点达30μm至50μm范围的值。此外，虽然未示出，但是第三和第四导线81和83的最高点可以位于高于连接构件85的最高点达例如30μm至50μm范围的值。
第一至第四导线71、73、81和83的最高的指针位于高于连接构件75和85的最高点，从而当模制构件25扩展或者收缩时减小传递给第一至第四导线71、73、81、83的影响。此外，第一至第四导线71、73、81和83的两端被布置在模制构件25的扩展方向和收缩方向相同的方向，使得通过模制构件25的热变形，将该影响传递给第一和第二导线71和73。换句话说，第一至第四导线71、73、81和83经由径向结合方式相互连接，其可以最小化从模制构件25传递的张力。
详细地，如图2和3所示，第一和第二导线71和73的第一端子P1和P3被结合到第一和第二发光芯片31和32，并且设置在模制构件25中。第一导线71的第二端子P2结合到第一金属层13的第一结合区12A，并且第二导线73的第二端子P4结合到第二金属层15的第二结合区12B。在这种情况下，第一和第二导线71和73的第二端子P2和P4被设置在反射构件23中。第一和第二导线71和73的第一端子P1和P3被设置在模制构件25中。第一和第二导线71和73被设置在反射构件23和模制构件25中，使得由于在相互不同的树脂构件之间的热膨胀的差别，传递给第一和第二导线71和73的张力可以减小。
在下文中，根据该实施例的在第一至第四导线71、73、81和83之中的第一导线71将参考图4和5描述。第二至第四导线73、81和83可以通过参考第一导线71的以下的描述理解。
参考图4和5，第一导线71在第一角度θ1相对于穿过散热板17的圆形轮廓的一个点的第一切线B1形成的方向中延伸。第一角度θ1可以形成在85°至95°的范围内。当第一角度θ1趋近95°时，由传递给第一导线71的模制构件25所引起的影响可以减小。换句话说，第一导线71可以被形成，使得链接第一端子P1与第二端子P2的第一直线相对于穿过具有圆形形状的散热板17的轮廓或者外形的第一切线B形成直角或者大体上直角。第一直线可以形成相对于第一切线B1在85°至95°的范围中的角度。当第一导线71相对于第一切线B1形成直角，或者是第一切线B1的垂直线时，传递给第一导线71的影响可以最小化。
在这种情况下，在第一导线71的第一和第二端子P1和P2之间的距离D3根据比较的示例可以短于在另一个方向中延伸的导线71a的二个端子之间的距离D2。穿过第一导线71的二个端子P1和P2的直线根据比较的示例可以从穿过导线71a两端的直线倾斜5°或以上。在这种情况下，根据比较的示例的穿过导线71a两端的直线可以限定为穿过第一和第二发光芯片31和32中心的直线。
此外，第一结合区12A或者第二结合区12B的宽度D1可以形成在280μm至320μm的范围中。宽度D1可以形成为确保第一导线71的第二端子P2的间隔的宽度。
如图1所示，类似于第一导线71，第二至第四导线73、81和83的每个可以以相对于穿过散热板17的轮廓的预先确定的一个点的第二切线放置成直角或者大体上直角，例如，在85°至95°范围内的角度。当穿过第二至第四导线73、81和83两端的直线是垂直线，或者相对于第二切线形成直角时，传递给第二至第四导线73、81和83的外部影响可以最小化。第二至第四导线73、81和83的细节可以通过参考第一导线71的描述理解。第一至第四导线71、73、81和83的每个可以形成相对于穿过散热板17的轮廓的一个点的切线，例如，90°的垂直线。
如图5所示，当在水平于第一横向侧S1的直线X1和水平于第二横向侧S2的直线Y1之间的角度θ2是直角时，在穿过第一导线71两端的第一直线X2和X1之间的角度θ3可以小于90°，例如，在10°至80°范围内的角度。在这种情况下，直线X1沿着第一发光芯片31的第一横向侧S1延伸，并且直线Y1沿着邻近于第一发光芯片31的第一横向侧S1的第二横向侧S2延伸。穿过第一导线71两端的第一直线X2和角度θ3可以取决于第一发光芯片31的位置变化。第二横向侧S2可以具有等于或者长于第一横向侧S1的长度。
穿过第一导线71两端的第一直线X2可以从穿过第一和第二发光芯片31和32的中心的直线偏移5°或以上。穿过第一导线71两端的第一直线X2可以从穿过第一和第二发光芯片31和32的第二横向侧S2的直线Y1偏移5°或以上。
根据该实施例的第一至第四导线71、73、81和83在关于散热板17中心的径向方向中，从设置在散热板17上的第一、第二、第四和第五发光芯片31、32、41和42延伸。因此，第一至第四导线71、73、81和83可以具有相对于在模制构件25中的张力改善的力。
同时，如图6所示，当发光芯片31、32和33工作时，发出热量，并且发出的热量经由模制构件25传导。在这种情况下，由于如虚线10A所示模制构件25的热膨胀，电路板19可能向下弯曲。此外，如图7所示，如果发光芯片31、32和33变为断开状态，则当模制构件25收缩时，电路板10如虚线10B所示向上恢复。在这种情况下，当第一至第四导线71、73、81和83被布置在模制构件25的扩展方向或者收缩方向相同的方向时，外部影响可以最小化。在这种情况下，当模制构件25扩展时，电路板10在反方向中被以50μm或以上的变量Z1弯曲，并且当模制构件25收缩时，在Z轴方向中被以70μm的变量Z2弯曲。在模制构件25的扩展和收缩时的变量可以取决于主体11的材料变化，但是，该实施例不受限于此。
如果连接根据如图4所示的比较的示例类似于导线71a形成，则连接方向偏离模制构件25的提取或者收缩方向，使得导线71a的结合部分可以变得脱离发光芯片。如果导线的结合脱离发光芯片，则发光芯片没有被驱动，但是，发光器件的可靠性可能恶化。
图8是示出在图6和7示出的电路板10中，在垂直方向(Z)中最大(max)移位和最小(min)移位距离的图形。图9是示出根据该实施例，在电路板上的反射构件和模制构件之间的边界区处与温度有关的等效(Vonmises)应力比较的图形。图10是示出根据该实施例的在电路板上的反射构件和模制构件之间的边界区处根据温度的最大(Max)变形的图形。等效应力表示Vonmises应力，其表示在边界区的一个点处由应力分量产生的扭力能量的强度。虽然电路板由于模制构件变形，但是穿过模制构件的外部球形表面的导线71、73、81和83可以防止断开。在40℃或者100℃范围内的温度用于说明性的目的。
根据该实施例的第一至第四导线71、73、81和83可以延伸至关于模制构件25中心的径向方向。在第一至第四导线71、73、81和83中，从模制构件25传递给第一至第四导线71、73、81和83的张力可以被减小，并且第一至第四导线71、73、81和83的结合部分可以防止由于外部影响从模制构件25脱离。第一至第四导线71、73、81和83可以保护模制构件25。
如以下的表1所示，比较的示例是导线类似地结合到图4的虚线的导线的情形，并且该实施例是第一导线(也就是说，第一导线或者第二导线)在相对于穿过散热板的轮廓的一个点的切线的垂直方向中结合的情形。在该实施例中最高点的高度是在180μm至220μm的范围之内，并且在比较的示例中最高点的高度是在150μm至170μm的范围之内。
表1
关于周期，一个周期指的是在可靠性项目之中在预先确定的温度(-40℃至100℃)处的一个重复。在比较的示例和该实施例中故障被相对于100、200、300、400和500个周期检查。
根据比较的示例，如实验结果所示，当周期从100个周期增加到500个周期时，导线的故障逐渐地增加。例如，在400个周期的情况下，在23个导线之中的六个导线失败，并且在500个导线之中的10个失败。
但是，根据该实施例，不考虑周期，导线没有失败。因此，与根据比较的示例的导线结合方式相比较，根据该实施例的导线结合方式可以防止导线被失败。此外，在第一和第二金属层和发光芯片的结合区之间连接的导线充分地承受外部影响。
图11是图3的发光器件的另一个示例。参考图11，反射构件23A可以与散热板17接触。因此，反射构件23A填充在第一间隙部18中，同时延伸到散热板17的顶表面。因此，在反射构件23A和散热板17之间的胶粘强度可以增强。反射构件23A的内表面，例如，与模制构件25的接触面可以是曲面或者斜面。
图12是图3的发光器件的另一个示例。参考图12，模制构件包括从模制构件的外部周围部分延伸到第一和第二结合区12A和12B上的扩展部25A。因此，反射构件没有另外形成，但是，第一和第二导线71和73的第二端被模制构件25的扩展部25A覆盖。在这种情况下，导线可以以相同的材料覆盖。
图13是图1的另一个示例。多个发光部30、30A和30B，例如，至少三个发光部包括第一至第三发光部30、30A和30B。第一和第二发光部30和30A可以通过参考图1的描述理解。第三发光部30B被设置在散热板17的中心区处，例如，设置在第一和第二发光部30和30A之间。
第三发光部30B包括邻近于第一金属层13的第七发光芯片51、邻近于第二金属层15的第八发光芯片52、连接在第七和第八发光芯片51和52之间的多个第九发光芯片53、连接在第七发光芯片51和第一金属层13之间的第五导线77、和连接在第八发光芯片52和第二金属层15之间的第六导线78。第三发光部30B可以包括互相连接第九发光芯片53的连接构件75，并且该连接构件包括导线。
第五导线77的两端与第七发光芯片51和第一金属层13连接。第六导线78的两端与第八发光芯片52和第二金属层15连接。第五导线77结合到第一金属层13的第一结合区12A，并且第六导线78结合到第二金属层15的第二结合区12B。
多个第九发光芯片53，例如，至少三个发光芯片可以串联相互连接。第九发光芯片53可以以一行、二行或者三行或以上布置。此外，第九发光芯片53可以经由连接构件相互连接。第七和第八发光芯片51和52被设置在第三发光部30B的输入侧和输出侧处。
第一至第六导线71、73、81、83、77和78的每个与模制构件25和反射构件23接触。第一至第六导线71、73、81、83、77和78的每个与模制构件25和反射构件23的内侧部分连接。第一至第六导线71、73、81、83、77和78的每个可以经由模制构件25的外部球面突出，并且延伸进反射构件23中。
同时，第五导线77可以在关于散热板17中心的径向方向中从第七发光芯片51延伸。第八导线78可以在关于散热板17中心的径向方向中从第八发光芯片52延伸。第一至第六导线71、73、81、83、77和78可以延伸至关于散热板17中心的径向方向。第一至第六导线71、73、81、83、77和78可以延伸至关于模制构件25中心的径向方向。
穿过第五导线77的两端的直线可以延伸至关于散热板17或者模制构件25中心的径向方向。穿过第八导线78的两端的直线可以延伸至关于散热板17或者模制构件25中心的径向方向。
在链接第一导线71或者第三导线81的两端的直线和相互链接第五导线77的两端的直线之间形成的角度可以是锐角，例如，45°或者更小。在相互链接第一导线71或者第三导线81的两端的直线和相互链接第六导线77的两端的直线之间形成的角度可以是锐角，例如，45°或者更小。如图2所示，在链接第一导线71的两端的第一直线和相互链接第二导线73的两端的第二直线之间形成的角度R1可以是钝角。在链接第三导线81的两端的第三直线和互相链接第四导线83的两端的第四直线之间形成的角度可以是钝角。在第一直线和第三直线之间的角度R2可以是锐角。在第二直线和第四直线之间的角度可以是锐角。
第五和第六导线77和78的每个可以例如，在相对于穿过散热板17的轮廓的一个点的切线的垂直方向以85°至95°的角度延伸。
图14是示出根据第二个实施例的发光芯片的平面图，和图15是示出图14的发光芯片的局部放大视图。在第二个实施例的以下的描述中，与第一个实施例相同的元素的要素可以通过参考第一个实施例的描述理解。
参考图14和15，发光芯片包括主体11、在主体11的顶表面上的第一和第二金属层13和15、在主体11的顶表面上的第一和第二金属层13和15之间的散热板17、在散热板17上的多个发光部30、30A和30B、设置在散热板17的圆周上的反射构件23、在散热板17上的模制构件25、和与第一和第二金属层13和15相连接并且设置在关于散热板17中心径向方向中的导线71、73、81和83。
根据该实施例，多个发光部30、30A和30B包括至少三个发光部。例如，发光部包括设置在散热板17的第一区域处的第一发光部30、设置在散热板17的第二区域中的第二发光部30A、和设置在第一和第二发光部30和30A之间的第三发光部30B。
由于第三发光部30B具有与在图13中示出的相同的配置，所以第三发光部30B的细节可以通过参考图13的描述理解。因此，以下的描述将集中于第一和第二发光部30和30A。
第一发光部30包括第一发光芯片31A、第二发光芯片32A、多个第三发光芯片33、第一导线71、第二导线73和连接构件75。第二发光部30A包括第四发光芯片41A、第五发光芯片42A、多个第六发光芯片43、第三导线81、第四导线83和连接构件85。
在第一发光芯片31A的横向侧之中的二个横向侧被布置平行于穿过第一导线71两端的第一直线。第一发光芯片31A的二个横向侧可以设置在与第一直线的延伸方向相同的方向中。在第二发光芯片32A的横向侧之中的二个横向侧被布置平行于穿过第二导线73两端的第二直线。第二发光芯片32A的二个横向侧被布置在与第二导线73的第二直线的延伸方向相同的方向中。第一和第二发光芯片31A和32A的至少一个横向侧被从第三发光芯片33的布置方向，或者穿过第一和第二发光芯片31A和32A中心的直线倾斜。相互链接第三和第四导线81和83两端的第三直线和第四直线在与第四和第五发光芯片41A和42A每个的至少一个横向侧的延伸方向相同的方向中延伸。
如图15所示，在第一发光芯片31A中，水平于第一横向侧S1的直线X与水平于第二横向侧S2的直线Y1一起形成直角。第一发光芯片31A的第二横向侧S2的平面方向与穿过第一导线71两端的第一直线X3的延伸方向相同。例如，在从第一导线71延伸的第一直线X3和直线X1之间的角度θ4可以形成在30°至70°的范围内。第一直线X3穿过与第一发光芯片31A相连接的第三导线75的第一端P5。
穿过第一导线71(其被设置平行于直线，该直线平行于第一发光芯片31A的第二横向侧S2)两端的第一直线X3可以形成例如，在接近于切线B1的垂直线的85°至95°的范围内的角度。穿过第一导线71两端的第一直线X3可以被设置为切线B1的垂直线。如果穿过第一导线71两端的第一直线X3被设置在切线B1的垂直线的方向中，外部影响可以被最小化。
第一、第二、第四和第五发光芯片31A、32A、41A和42A的至少一个可以从布置第三和第六发光芯片33和43的方向倾斜。
图16是示出根据该实施例的发光器件的发光芯片的一个示例的图。
参考图16，发光器件包括衬底111、缓冲层113、第一导电半导体层115、有源层117、第二导电半导体层119、电极层131、第一电极焊盘141和第二电极焊盘151。
衬底111可以包括能透射的衬底、绝缘衬底或者导电衬底。例如，衬底111可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、Ga2O3和LiGaO3的至少一个。多个突起可以形成在衬底111的顶表面上。该突起可以通过蚀刻衬底111形成，或者可以以光提取结构，诸如额外的粗加工形成。该突起可以具有条形、半球的形状，或者拱顶形。衬底111的厚度可以形成在30μm至300μm的范围内，但是，该实施例不受限于此。
缓冲层113可以形成在衬底111上。缓冲层112可以使用II至VI族化合物半导体形成在至少一个层中。缓冲层113包括使用III-V族化合物半导体的半导体层。例如，由于半导体具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，和0≤x+y≤1)的组分公式，缓冲层113包括化合物半导体，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN的至少一个。缓冲层113可以通过交替地布置相互不同的半导体层以超晶格结构形成。
缓冲层113可以被形成以降低在衬底111和基于氮化物的半导体层之间的晶格常数的差，并且可以起缺陷控制层的作用。缓冲层113可以具有在衬底111的晶格常数和基于氮化物的半导体层的晶格常数之间的中间值。缓冲层113可以由氧化物，诸如ZnO层形成，但是，该实施例不受限于此。缓冲层113可以具有在30nm至500nm之间的晶格常数，但是，该实施例不受限于此。
低的导电层形成在缓冲层113上。低的导电层起纯的半导体层的作用，并且具有比第一导电半导体层低的导电性。导电层可以使用III-V族化合物半导体实现为基于GaN的半导体。虽然纯的半导体层没有故意地掺杂有导电的掺杂物，但是纯的半导体层具有第一导电特征。纯的半导体层不能形成，但是，该实施例不受限于此。
第一导电半导体层115可以形成在缓冲层113上。第一导电半导体层115可以使用掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体实现。例如，第一导电半导体层115可以使用具有组分公式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料实现。如果第一导电半导体层115是N型半导体，则第一导电掺杂物包括作为N型掺杂物的Si、Ge、Sn、Se或者Te。
半导体层可以形成在缓冲层113和第一导电半导体层115之间，并且半导体层可以以超晶格结构形成，其中相互不同的第一层和第二层被交替地布置。第一和第二层可以具有几的厚度。
第一导电覆盖层(未示出)可以形成在第一导电半导体层115和有源层117之间。第一导电覆盖层可以包括基于GaN的半导体，并且第一导电覆盖层的带隙可以大于有源层117的阻挡层。第一导电覆盖层限制载波。
有源层117形成在第一导电半导体层115上。有源层117可以以单个量子阱结构、多个量子阱结构、量子线结构和量子点结构的至少一个形成。有源层117通过交替地提供阱层/阻挡层形成。例如，对于阱层/阻挡层的周期，可以形成InGaN/GaN、AlGaN/GaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN的层压结构的2至30个周期。
第二导电覆盖层被形成在有源层117上，并且具有比有源层117的阻挡层高的带隙。第二导电覆盖层可以包括基于GaN的半导体。
第二导电半导体层119被形成在第二导电覆盖层上，并且包括第二导电型掺杂物。第二导电半导体层119可以包括一个化合物半导体，诸如，GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN。当第二导电半导体层119是P型半导体时，第二导电掺杂物是P型掺杂物，诸如Mg、Zn、Ca、Sr或者Ba。
在发光结构120中，第一导电型和第二导电型可以是结构相反的。例如，第二导电半导体层119可以作为N型半导体层实现，并且第一导电层115可以在P型半导体层上实现。N型半导体层是具有与第二导电型相反的极性的第三导电半导体层，其可以进一步形成在第二导电半导体层119上。在发光器件中，第一导电半导体层115、有源层117和第二导电半导体层119可以定义为发光结构120。发光结构120可以以N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、和P-N-P结结构的一个实现。在N-P和P-N结结构中，有源层被设置在二个层之间。在N-P-N结结构，或者P-N-P结结构中，至少一个有源层包括在三个层之中。
第一电极焊盘141被形成在第一导电半导体层115上，并且电极层131和第二电极焊盘151被形成在第二导电半导体层119上。
电极层131起电流扩散层的作用，并且可以由具有透光性和导电性的材料形成。电极层131可以具有比化合物半导体层低的折射率。
电极层131被形成在第二导电半导体层119的顶表面上，并且有选择地包括ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟锌铝氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(锌铝氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、ZnO、IrOx、RuOx和NiO。电极层131可以在至少一个层中形成。根据另一个示例，电极层131可以包括反射电极层，并且可以有选择地包括金属材料，诸如，Al、Ag、Pd、Rh、Pt或者Ir。
第一电极焊盘141和第二电极焊盘151可以有选择地包括Ti、Ru、Rh、Ir、Mg、Zn、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag和Au。
绝缘层可以进一步形成在发光器件的表面上。绝缘层可以防止发光结构120的层间缺乏，并且防止潮湿渗透。
第二电极焊盘151可以形成在第二导电半导体层119和/或电极层131上，并且可以包括第二电极图案153。第二电极图案153可以以臂结构或者指结构形成，其中第二电极图案153与第二电极焊盘151分离。第二欧姆焊盘151包括包含欧姆接触层、粘合层和结合层特征的金属层。第二欧姆焊盘151可以具有非透射的属性，但是，该实施例不受限于此。
当观看发光芯片时，第二电极焊盘151与第一电极焊盘141分隔开发光芯片的任意单侧宽度的1/2，并且第二电极图案153可以形成有对应于发光芯片的单侧宽度的1/2或以上的长度。
第二电极焊盘151和第二电极图案153的至少一个可以与第二导电半导体层119的顶表面欧姆接触，但是，该实施例不受限于此。
第一电极焊盘141被形成在第一导电半导体层的顶表面的第一区域A1中，并且第一区域A1是第一导电半导体层115的一部分。第二导电半导体层119和有源层117的部分被蚀刻，并且第一导电半导体层115的顶表面的一部分被暴露。在这种情况下，第一导电半导体层115的顶表面从有源层117的横向侧被台阶化，并且位于低于有源层117的底表面。
凹槽125被形成在发光结构120中，并且被以离发光结构120的顶表面的深度形成，以暴露第一导电半导体层115。第一导电半导体层115和凹槽125的第一区域A1的深度可以等于或者不同于离发光结构120的顶表面的深度。第一电极焊盘141可以与第一电极图案连接。
根据该实施例的导线被结合到第一和第二电极板141和151。
<照明系统>
根据该实施例的发光器件可以适用于照明系统。该照明系统具有其中安排多个发光器件的结构。该照明系统可以包括在图17和18中示出的显示设备、在图19中示出的照明设备、照明灯、信号灯、车辆的头灯，或者电子广告牌。
图17是示出根据该实施例的具有发光器件的显示设备的分解的透视图。
参考图17，根据该实施例的显示设备1000可以包括光导板1041、对光导板1041提供光的发光模块1031、设置在光导板1041下面的反射构件1022、设置在光导板1041上面的光学板1051、设置在光学板1051上面的显示板1061、和容纳光导板1041、发光模块1031和反射构件1022的底盖1011，但是，该实施例不受限于此。
底盖1011、反射板1022、光导板1041和光学板1051可以构成光单元1050。
光导板1041扩散光以提供表面光。光导板1041可以包括透明材料。例如，光导板1041可以包括基于丙烯的树脂、诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(循环烯烃共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂的一个。
发光模块1031被设置在光导板1041的一侧处，以提供光给光导板1041的至少一侧。发光模块1031起显示设备光源的作用。至少一个发光模块1031被设置去直接或者间接地从光导板1041的一侧提供光。根据该实施例发光模块1031可以包括衬底1033和发光器件1035。发光器件1035被排列在衬底1033上，同时相互分隔开预先确定的间隔。
衬底1033可以包括包含电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。此外，衬底1033可以包括金属核心PCB(MCPCB)或者柔性PCB(FPCB)以及典型的PCB，但是，该实施例不受限于此。如果发光器件1035被安装在底盖1011的侧面上，或者被安装在热耗散板上，则该衬底1033可以被省略。热耗散板部分地与底盖1011的顶表面接触。
此外，发光器件1035被布置在衬底1033上，使得发光器件1035的光出射表面与光导板分隔开预先确定的间隔，但是，该实施例不受限于此。发光器件1035可以直接或者间接地对光入射表面(其是光导板1041的一侧)提供光，但是，该实施例不受限于此。
反射构件1022可以设置在光导板1041下面。反射构件1022向上反射光，其经由光导板1041的底表面向下行进，从而改善光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是，该实施例不受限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但是，该实施例不受限于此。
底盖1011可以在其中容纳光导板1041、发光模块1031和反射构件1022。为此，该底盖1011具有容纳部1012，该容纳部1012具有带有开口顶表面的方框形状，但是，该实施例不受限于此。底盖1011可以与顶盖(未示出)耦合，但是，该实施例不受限于此。
底盖1011可以通过使用金属材料或者树脂材料经由按压过程或者挤压过程制造。此外，底盖1011可以包括具有出众的热传导性的金属或者非金属材料，但是，该实施例不受限于此。
显示板1061例如是包括第一和第二透明衬底的LCD板，其彼此相对，并且包括透明材料以及设置在第一和第二衬底之间的液晶层。偏振板可以附接到显示板1061的至少一个表面，但是，该实施例不受限于此。显示板1061通过穿过光学板1051的光来显示信息。显示装置1000可以适用于各种各样的便携式终端、笔记本计算机的监视器、监视器或者膝上电脑和电视。
光学板1051被设置在显示板1061和光导板1041之间，并且包括至少一个能透射的板。例如，光学板1051包括扩散板、水平和垂直棱形板、以及亮度增强板的至少一个。扩散板扩散入射光，水平和垂直棱形板集中入射光到显示板上，并且亮度增强板通过重复使用失去的光改善亮度。此外，保护板可以被设置在显示板1061上，但是，该实施例不受限于此。
光导板1041和光学板1051可以设置在作为光学构件的发光模块1031的光路上，但是，该实施例不受限于此。
图18是示出根据该实施例的具有发光器件的显示设备的图。
参考图18，显示装置1100包括底盖1152、在其上排列发光器件1124的衬底1120、光学构件1154和显示板1155。
衬底1120和发光器件1124可以构成发光模块1160。此外，底盖1152、至少一个发光模块1160和光学构件1154可以构成光单元1150。底盖11152可以包括容纳部1153，但是，该实施例不受限于此。发光模块1160包括衬底1120和布置在衬底1120上的多个发光器件1124。
光学构件1154可以包括透镜、光导板、漫射板、水平和垂直棱形板、以及亮度增强板的至少一个。光导板可以包括PC或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。光导板可以被省略。漫射板漫射入射光，水平和垂直棱形板集中入射光到显示板上，并且亮度增强板通过重复使用失去的光改善亮度。
光学构件1154被设置在光源模块1160上。光学构件1154提供从作为表面光源的光源模块1150发出的光，或者漫射或者集中光。
图19是示出根据该实施例的具有发光器件的照明设备的分解的透视图。
参考图19，根据该实施例的照明系统可以包括盖子2100、光源模块2200、辐射体2400、电源部2600、内壳2700和插座2800。根据该实施例的照明设备可以进一步包括构件2300和夹持器2500的至少一个。光源模块2200可以包括根据该实施例的发光器件。
例如，盖子2100可以具有球茎形状、半球形状、部分地开口空心形状。盖子2100可以光学地与光源模块2200耦合。例如，盖子2100可以漫射、散射或者激励从光源模块设置的光。盖子2100可以是一种光学构件。盖子2100可以与辐射体2400耦合。盖子2100可以包括与辐射体2400耦合的耦合部。
盖子2100可以包括涂有乳白色涂料的内表面。如果使用乳白色的涂料，则来自光源模块2200的光可以被散射和漫射以施放光输出。
例如，盖子2100的材料可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)和聚碳酸酯(PC)。聚碳酸酯(PC)在以上材料之中具有出众的耐光性、耐热性和强度。盖子2100可以是透明的，使得用户可以从外面看到光源模块2200，或者可以是不透明的。盖子2100可以经由吹塑方案形成。
光源模块2200可以被设置在辐射体2400的一个表面处。因此，来自光源模块2200的热量被传递给辐射体2400。光源模块2200可以包括光源2210、连接板2230和连接器2250。
构件2300被设置在辐射体2400的顶表面处，并且包括多个光源2210和连接器2250被插入进的导向槽2310。导向槽2310对应于光源2210和连接器2250的衬底。
构件2300的表面可以被涂有乳白色的涂料。例如，该构件2300再次将由盖子2100的内表面反射，并且返回到光源模块2200方向的光反射到盖子2100的方向。因此，根据该实施例的照明设备的发光效率可以改善。
例如，该构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，辐射体2400可以电连接到连接板2230。构件2300可以通过绝缘材料配置，从而防止连接板2230避免与辐射体2400电短路。该辐射体2400从光源模块2200和电源部2600接收和辐射热量。
夹持器2500覆盖内壳2700的绝缘部2710的容纳凹槽2719。因此，容纳在内壳2700的绝缘部2710中的电源部2600被封闭。夹持器2500包括引导突起2510。引导突起2510具有电源部2600的突起穿过的通孔。
该电源部2600处理或者转换从外面接收的电信号，并且将处理或者转换的电信号提供给光源模块2200。电源部2600容纳在内壳2700的容纳凹槽2719中，并且通过夹持器2500封闭在内壳2700的内部。
电源部2600可以包括突起2610、引导部2630、基底2650和延伸部2670。
引导部2630具有从基底2650的一侧突出到外面的形状。引导部2630可以插入到夹持器2500中。多个组件可以设置在基底2650的一个表面上。例如，该组件可以包括将从外部电源设置的AC电源转换为DC电源的DC转换器、控制光源模块2200驱动的驱动芯片、和保护光源模块2200的静电放电(ESD)保护设备，但是，该实施例不受限于此。
延伸部2670具有从基底2650的相对侧到外面突出的形状。延伸部2670被插入到内壳2700的连接部2750的内部，并且从外面接收电信号。例如，延伸部2670的宽度可以小于或者等于内壳2700的连接部2750的宽度。延伸部2670可以经由导线与插座2800电连接。
内壳2700可以包括在其中与电源部2600一起的模制部。模制部通过硬化模制液体制造，并且电源部2600可以通过模制部固定在内壳2700的内部。
在本说明书中对“一个实施例”、“一种实施例”、“典型实施例”等等的任何介绍指的是与实施例结合描述的特定的特点、结构或者特征包括在本发明的至少一个实施例中。在本说明书中的不同的位置出现这样的字句不必然地都涉及相同的实施例。此外，当特定的特点、结构或者特征与任何实施例结合描述时，所提出的是其是在影响与该实施例的其他的结合的这样的特点、结构或者特征的本领域技术人员的视界范围之内。
虽然已经参考其许多说明性的实施例描述了一些实施例，应该理解，许多其他改进和实施例可以由本领域技术人员设计，其将落在本公开的原理的精神和范围内。尤其是，不同的变化和改进在构成部分，和/或在本公开、附图和所附的权利要求范围内的对象组合布置的方案中是可允许的。除了在构成部分和/或方案中的变化和改进之外，供选择的使用对于本领域技术人员来说也将是显而易见的。
工业实用性
该实施例可以改善发光器件的可靠性。
根据该实施例的发光器件可以适用于照明设备，诸如，照明灯、室内灯、户外灯、指示灯和头灯。

Claims (16)

1.一种发光器件，包括：
主体；
第一和第二金属层，所述第一和第二金属层在所述主体的顶表面上；
散热板，所述散热板设置在所述第一和第二金属层之间并且具有圆形轮廓；
多个发光部，所述多个发光部在所述散热板上；
第一和第二结合区，所述第一和第二结合区设置在所述第一和第二金属层上并且与所述发光部电连接；以及
模制构件，所述模制构件设置在所述散热板上以覆盖所述发光部，
其中，所述发光部的每个包括彼此相连接的多个发光芯片以及电连接所述发光芯片与所述第一和第二结合区的多个导线，以及
每个发光部的导线被布置为从所述散热板的中心的径向方向。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：在所述模制构件的外圆周处的反射构件，其中所述导线与设置在所述反射构件之下的第一和第二金属层的第一和第二结合区连接。
3.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，在所述发光部的至少一个中，穿过所述导线两端的直线彼此不平行。
4.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述发光部包括设置在所述散热板的第一区域中的第一发光部和设置在所述散热板的第二区域中的第二发光部，
其中，所述第一发光部包括：
邻近于所述第一金属层的第一发光芯片；
邻近于所述第二金属层的第二发光芯片；
在所述第一发光芯片和所述第二发光芯片之间连接的多个第三发光芯片；
在所述第一发光芯片和所述第一金属层的第一结合区之间连接的第一导线；以及
在所述第二发光芯片和所述第二金属层的第二结合区之间连接的第二导线，以及
其中，穿过所述第一导线的两端的第一直线不平行于穿过所述第二导线的两端的第二直线。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，在穿过所述第一导线的两端的第一直线和穿过所述第二导线的两端的第二直线之间的角度是钝角。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中，互相连接所述第一导线的两端的第一直线在邻近于相对于第一切线的垂直线的方向中延伸，所述第一切线穿过所述散热板的轮廓的一个点，以及
互相连接所述第二导线的两端的第二直线在邻近于相对于第二切线的垂直线的方向中延伸，所述第二切线穿过所述散热板的轮廓的一个点。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第一直线被以相对于所述第一切线85°至95°的角度布置，以及所述第二直线被以相对于所述第二切线85°至95°的角度布置。
8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述第一直线被以相对于所述第一切线90°的角度布置，以及所述第二直线被以相对于所述第二切线90°的角度布置。
9.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第二发光部包括：
邻近于所述第一金属层的第四发光芯片；
邻近于所述第二金属层的第五发光芯片；
在所述第四发光芯片和所述第五发光芯片之间连接的多个第六发光芯片；
与所述第四发光芯片和所述第一金属层的第一结合区相连接的第三导线；以及
与所述第五发光芯片和所述第二金属层的第二结合区相连接的第四导线，以及
其中，穿过所述第三导线的两端的第三直线不平行于穿过所述第四导线的两端的第四直线。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，在穿过所述第一导线的两端的第一直线和穿过所述第三导线的两端的第三直线之间的角度是锐角。
11.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一和第二直线的至少一个从穿过所述第一发光芯片的中心和所述第二发光芯片的中心的直线偏移5°的角度。
12.根据权利要求4所述的发光器件，进一步包括：在所述第一和第二金属层上的保护层，
其中，所述第一和第二结合区被设置在所述保护层和所述模制构件之间，以及所述反射构件与所述第一和第二结合区接触。
13.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第三发光芯片包括在所述第一和第二发光芯片之间彼此串联连接的至少三个发光芯片，以及所述发光芯片的至少一个被布置平行于穿过所述第一和第二发光芯片的中心的直线。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述导线的至少一个具有位于比与所述第三发光芯片相连接的导线的最高点高的最高点。
15.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一和第二发光芯片的至少一个具有平行于所述第一直线和所述第二直线的至少一个的横向侧，并且相对于穿过所述第一和第二发光芯片的中心的直线倾斜。
16.根据权利要求1或者2所述的发光器件，其中，所述发光芯片被布置平行于在所述发光部的一个中互相连接所述导线的两端的直线或者与在所述发光部的一个中互相连接所述导线的两端的直线成直线。
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