CN105191133A - 驱动装置及开关电路的控制方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种驱动装置，所述驱动装置具备开关电路(桥臂电路(50))，所述开关电路在高电位侧和低电位侧设置有开关元件，所述开关元件具备第一电极、第二电极以及被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的逆导元件，所述驱动装置的特征在于，具备判断部(D触发器(33、43)及AND电路(35、45))，所述判断部根据在两侧的所述开关元件均为断开的期间内对所述第一电极与所述第二电极之间的电压进行检测的结果，而对是否允许所述开关元件的导通进行判断。

Description

驱动装置及开关电路的控制方法
技术领域
本发明涉及一种具备开关电路的驱动装置以及该开关电路的控制方法，其中，所述开关电路中设置有具备逆导元件的开关元件。
背景技术
一直以来，已知一种具备与二极管元件逆导连接的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)元件的半导体装置(例如，参照专利文献1)。该半导体装置具备如下的反馈电路，所述反馈电路通过被连接于二极管检测元件的检测电阻而对二极管元件的通电进行检测，并在电流流过二极管元件的情况下，停止IGBT元件的驱动。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2012-19550号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
然而，由于流过检测电阻的电流以及检测电阻的电阻值较小，从而由检测电阻所获得的电压值较小，因此，与IGBT元件逆导连接的二极管元件的通电的检测精度易于下降。本发明的目的在于，提供一种使逆导元件的通电的检测精度不易下降的驱动装置及开关电路的控制方法。
用于解决课题的方法
为了达成上述目的，本发明提供了一种驱动装置，所述驱动装置具备：开关电路，其在高电位侧和低电位侧设置有开关元件，所述开关元件具备第一电极、第二电极以及被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的逆导元件；判断部，其根据在两侧的所述开关元件均为断开的期间内对所述第一电极与所述第二电极之间的电压进行检测的结果，而对是否允许所述开关元件的导通进行判断。
此外，为了达成上述目的，本发明提供了一种开关电路的控制方法，所述开关电路在高电位侧和低电位侧设置有开关元件，所述开关元件具备第一电极、第二电极以及被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的逆导元件，所述开关电路的控制方法的特征在于，根据在两侧的所述开关元件均为断开的期间内对所述第一电极与所述第二电极之间的电压进行检测的结果，而对是否允许所述开关元件的导通进行判断。
发明效果
根据本发明，逆导元件的通电的检测精度不易下降。
附图说明
图1为表示第一实施方式的驱动装置的结构图。
图2A为表示在两侧的开关元件均为断开的期间内流过的电流的图。
图2B为表示在两侧的开关元件均为断开的期间内流过的电流的图。
图3为开关元件的导通被允许时的时序图。
图4为开关元件的导通被禁止时的时序图。
图5为表示第二实施方式的驱动装置的结构图。
具体实施方式
图1为表示第一实施方式的驱动装置1的结构的图。驱动装置1为通过对上桥臂10及下桥臂20进行导通断开驱动从而对感应性的负载70(例如，电机、反应器等)进行驱动的半导体电路。驱动装置1具备桥臂电路50来作为使上桥臂10和下桥臂20经由中间节点51而被串联连接的开关电路。负载70的一端被连接在中间节点51上。
驱动装置1具备上桥臂10、对上桥臂10的驱动进行控制的第一驱动控制电路30、下桥臂20以及对下桥臂20的驱动进行控制的第二驱动控制电路40。上桥臂10既可以为与驱动控制电路30处于共同的基板上的半导体元件，也可以为与驱动控制电路30处于不同的基板上的半导体元件。关于下桥臂20也为同样情况。此外，上桥臂10既可以为与下桥臂20处于共同的基板上的半导体元件，也可以为与下桥臂20处于不同的基板上的半导体元件。
虽然驱动装置1为通过集成电路而构成的半导体设备，但也可以是通过分立部件而构成的半导体设备。
作为驱动装置1的使用例而列举有逆变器、电源装置等。例如，逆变器可以具备多个驱动装置1，并在具备三个驱动装置1的情况下作为三相逆变器而发挥功能。
上桥臂10为相对于中间节点51而被设置在第一电源电位部61侧的高电位侧的开关元件，下桥臂20为相对于中间节点51而被设置在第二电源电位部62侧的低电位侧的开关元件。上桥臂10和下桥臂20被串联连接在电源电位部61与电源电位部62之间。
电源电位部61例如为，被导电性地连接在蓄电池或转换器等电源的正极端子上的高电位部。与电源电位部61相比而靠低电位的电源电位部62例如为，被导电性地连接在蓄电池或转换器等电源的负极端子或车身接地部的低电位部(所谓的接地GND)。电源电位部61与电源电位部62之间的电压相当于上桥臂10以及下桥臂20的电源电压VH，电源电压VH被施加在串联连接有上桥臂10和下桥臂20的桥臂电路50的两端。
上桥臂10及下桥臂20为绝缘栅型电压控制半导体元件，并且为进行导通断开动作的元件。上桥臂10及下桥臂20为分别具有控制电极、第一主电极、第二主电极的元件，作为其具体例而列举有IGBT、MOSFET等功率晶体管元件。在图1中，作为上桥臂10及下桥臂20的一个示例而图示了IGBT。
以下，为了便于说明，作为上桥臂10及下桥臂20为IGBT的情况而进行说明。如果为采用MOSFET的情况，则只需将“集电极”替换为“漏极”，而将“发射极”替换为“源极”即可。
上桥臂10的栅极G为，例如经由被串联连接于栅极G上的未图示的栅极电阻而与驱动控制电路30连接的控制电极。上桥臂10的集电极C为与电源电位部61连接的第一主电极。上桥臂10的发射极E为经由中间节点51及下桥臂20而与电源电位部62连接的第二主电极。
下桥臂20的栅极G为，例如经由被串联连接于栅极G的未图示的栅极电阻而与驱动控制电路40连接的控制电极。下桥臂20的集电极C为经由中间节点51及上桥臂上支路10而与电源电位部61连接的第一主电极。下桥臂20的发射极E为与电源电位部62连接的第二主电极。
上桥臂10具备逆导用的二极管11，以作为被设置在集电极C与发射极E之间的逆导元件。二极管11为与上桥臂10逆导连接的元件，并且具有与上桥臂10的集电极C连接的阴极和与上桥臂10的发射极E连接的阳极。
下桥臂20具备逆导的二极管21，以作为被设置在集电极C与发射极E之间的逆导元件。二极管21为与下桥臂20逆导连接的元件，并且具有与下桥臂20的集电极C连接的阴极和与下桥臂20的发射极E连接的阳极。
上桥臂10及下桥臂20例如为二极管内置IGBT。在该情况下，上桥臂10为内置有二极管11的IGBT，下桥臂20为内置有二极管21的IGBT。
二极管内置IGBT是指，将IGBT元件和二极管元件设置在共同的半导体基板上的逆导IGBT(RC(ReverseConducting：逆导)-IGBT)。二极管内置IGBT具有以二极管元件的阳极和IGBT元件的发射极作为共用电极、且以二极管元件的阴极和IGBT元件的集电极作为共用电极的结构。
另外，二极管11可以为与上桥臂10并联地追加连接的二极管，也可以为作为形成在集电极C与发射极E之间的寄生元件的体二极管。关于二极管21也为同样情况。
驱动控制电路30具备驱动电路34，所述驱动电路34根据从外部被供给的指令信号S1，并经由未图示的栅极电阻，从而输出将上桥臂10的栅极G的栅极电压Vgel控制为使上桥臂10导通或断开的电压值的控制信号S9。驱动控制电路30为，例如具备驱动电路34的驱动IC。栅极电压Vgel为被施加在上桥臂10的栅极G与发射极E之间的控制电压。上桥臂10根据栅极电压Vgel的电压值而进行导通或断开。
驱动控制电路40例如具备驱动电路44，所述驱动电路44根据从外部被供给的指令信号S2，并经由未图示的栅极电阻，从而输出将下桥臂20的栅极G的栅极电压Vge2控制为使下桥臂20导通或断开的电压值的控制信号S10。驱动控制电路40例如为具备驱动电路44的驱动IC。栅极电压Vge2为被施加在下桥臂20的栅极G与发射极E之间的控制电压。下桥臂20根据栅极电压Vge2的电压值而进行导通或断开。
驱动电路34为根据指令信号S1而使上桥臂10周期性地导通或断开的驱动部。例如，驱动电路34根据被脉冲调制的指令信号S1而输出以脉冲调制方式使上桥臂10反复导通断开的控制信号S9，以使上桥臂10周期性地进行导通断开。作为脉冲调制的具体例而列举有脉冲宽度调制(PWM)、脉冲频率调制(PFM)等。关于驱动电路44也为同样情况。
指令信号S1、S2例如为从具备CPU等的微型计算机所供给的信号。另外，驱动控制电路30、40本身也可以是微型计算机。
驱动控制电路30对二极管11的通电状态进行监视，并在二极管11的通电未被检测出的情况下允许上桥臂10导通，而在二极管11的通电被检测出的情况下禁止上桥臂10导通。通过该控制，从而在预定电流值以上的电流流过二极管11的期间内，即使向驱动电路34输入要求上桥臂10的导通的指令信号S1，也能够防止驱动电路34将上桥臂10的状态从断开切换为导通。
同样，驱动控制电路40对二极管21的通电状态进行监视，并在二极管21的通电未被检测出的情况下允许下桥臂20导通，而在二极管21的通电被检测出的情况下禁止下桥臂20导通。通过该控制，从而在预定电流值以上的电流流过二极管21的期间内，即使向驱动电路44输入要求下桥臂20的导通的指令信号S2，也能够防止驱动电路44将下桥臂20的状态从断开切换为导通。
图2A、2B为表示通过指令信号S1、S2而在上桥臂10和下桥臂20这两臂均为断开的期间(死区时间)内流过桥臂电路50的电流的图。在死区时间内，将会产生流过二极管11的续流电流I1和流过二极管21的续流电流I2中的任意一个。Vcel表示上桥臂10的集电极C与发射极E之间的电压，Vce2表示下桥臂20的集电极C与发射极E之间的电压。VF1表示二极管11的正向正向电压，VF2表示二极管21的正向正向电压。
在死区时间中，二极管11的通电时的电压Vcel(参照图2A)通过流动有续流电流I1而变为与正向电压VF1(在将上桥臂10的发射极E设为基准电位0时，为-VF1)相等。另一方面，在死区时间中，二极管11的非通电时的电压Vcel(参照图2B)通过流动有续流电流I2而变为与电源电压VH相等。另外，严格地说，虽然二极管11的非通电时的电压Vcel为从电源电压VH减去正向电压VF2所得到的电压，但由于电源电压VH与正向电压VF2相比而足够大，因此非通电时的电压Vcel等于电源电压VH。
如此，二极管11的通电时的电压Vcel与二极管11的非通电时的电压Vcel的电压差较大。而且，无论流过二极管11的电流的电流值的大小如何，只要二极管11进行通电，则死区时间中的电压Vcel就会变为等于-VF1，而只要二极管11未进行通电，则死区时间中的电压Vcel就会变为等于VH。
着眼于这几点，驱动控制电路30通过对死区时间中的电压Vce1高于还是低于预定值进行检测，从而对二极管11的通电的有无进行检测，进而对是否允许驱动电路34将上桥臂10导通进行判断。
即使续流电流I1、I2的电流值较小，二极管11的通电时与非通电时的电压Vcel的电压差也如上述那样而较大。因此，通过对死区时间中的电压Vcel进行检测从而对二极管11的通电有无进行检测，因而二极管11的通电有无的检测精度不易下降。其结果为，能够提高是否允许上桥臂10的导通的判断精度，并且例如能够防止尽管二极管11处于通电中但错误地允许上桥臂10的导通的情况。
尤其是，在上桥臂10为二极管内置IGBT的情况下，当上桥臂10在电流流过二极管11的期间内导通时，二极管11的正向电压VF1增加，从而使二极管11的正向损失增大。然而，驱动控制电路30对死区时间中的电压Vcel进行监视，并在二极管11的通电被检测出的情况下禁止上桥臂10的导通。因此，无论续流电流I1、I2的电流值的大小如何，即使续流电流I1、I2的电流值较小，也能够对二极管11的正向损失的增大进行抑制。其结果为，例如，能够降低具备驱动装置1的电子控制装置的消耗电力，而且，能够有助于改善搭载有该电子控制装置的车辆的耗油率。
同样，在死区时间中，二极管21的通电时的电压Vce2通过(参照图2B)流动有续流电流I2而变为与正向电压VF2(在将下桥臂20的发射极E设为0时，为-VF2)相等。另一方面，在死区时间中，二极管21的非通电时的电压Vce2通过(参照图2A)流动有续流电流I1而变为与电源电压VH相等。另外，严格而言，虽然二极管21的非通电时的电压Vce2为从电源电压VH减去正向电压VF1所得到的电压，但由于电源电压VH与正向电压VF1相比而足够大，因此设为与电源电压VH相等。
如此，二极管21的通电时的电压Vce2与二极管21的非通电时的电压Vce2的电压差较大。而且，无论流过二极管21的电流的电流值的大小如何，只要二极管21进行通电，则死区时间中的电压Vce2就会变为与-VF2相等，而只要二极管21未进行通电，则死区时间中的电压Vce2就会变为与VH相等。
着眼于这几点，驱动控制电路40通过对死区时间中的电压Vce2高于还是低于预定值进行检测，从而对二极管21的通电的有无进行检测，进而对是否允许驱动电路44使下桥臂20导通进行判断。
即使续流电流I1、12的电流值比较小，二极管21的通电时与非通电时的电压Vce2的电压差也会如上述那样而较大。因此，通过对死区时间中的电压Vce2进行监视从而对二极管21的通电有无进行检测，从而二极管21的通电有无的检测精度不易下降。其结果为，能够提高是否允许下桥臂20的导通的判断精度，并且例如能够防止尽管二极管21处于通电中但仍错误地允许下桥臂20的导通的情况。
尤其是，在下桥臂20为二极管内置IGBT的情况下，当下桥臂20在电流流过二极管21的期间内导通时，二极管21的正向电压VF2增加，从而使二极管21的正向损失增大。然而，驱动控制电路40对死区时间中的电压Vce2进行监视，并且在二极管21的通电被检测出的情况下禁止下桥臂20的导通。因此，无论续流电流I1、12的电流值的大小如何，即使续流电流I1、12的电流值较小，也能够对二极管21的正向损失的增大进行抑制。其结果为，例如，能够降低具备驱动装置1的电子控制装置的消耗电力，而且，能够有助于改善搭载有该电子控制装置的车辆的耗油率。
如果不限定于死区时间内，则晶体管的集电极-发射极之间的电压Vce在二极管通电时成为-VF(例如，-1V)，而在二极管非通电时成为晶体管的导通电压Von(例如，1V)或电源电压VH(例如，600V)。即，电压Vce成为三种电压值。尤其是，由于-VF与Von的电压差较为微小，因此难以准确地对两者进行检测。然而，在本发明的实施方式中，由于通过将电压Vce的监视期间限定为死区时间，从而使电压Vce为二极管通电时的-VF与二极管非通电时的VH中的任意一个，因此，能够通过较大的电压变化的检测来对二极管的通电状态进行判断。
在图1中，驱动控制电路30具备比较器31以作为对上桥臂10的集电极C与发射极E之间的电压Vcel进行检测的电压检测部。比较器31为始终对上桥臂10的电压Vcel进行监视的监视电路，并输出根据电压Vcel的大小而变化的电压检测信号S5。比较器31具有与上桥臂10的集电极C连接的非反相输入部、和经由阈值电压生成部32而与上桥臂10的发射极E连接的反相输入部。阈值电压生成部32为生成固定的阈值电压Vth1并向比较器31的反相输入部施加的电路。阈值电压生成部32例如通过电阻分压电路而生成阈值电压Vth1。阈值电压Vth1被设定为“-VFl＜Vthl＜VH”的电压范围内的电压值。
比较器31在电压Vcel小于阈值电压Vth1时输出低电位的电压检测信号S5。尤其是在死区时间中二极管11进行通电时，电压Vcel变为与小于阈值电压Vth1的-VF1相等，因此，比较器31输出低电位的电压检测信号S5。相反，在电压Vcel大于阈值电压Vth1时，比较器31输出高电位的电压检测信号S5。尤其是，在死区时间中二极管11未进行通电时，电压Vcel变为与大于阈值电压Vth1的VH相等，因此，比较器31输出高电位的电压检测信号S5。
同样，驱动控制电路40具备比较器41以作为对下桥臂20的集电极C与发射极E之间的电压Vce2进行检测的电压检测部。比较器41为始终对下桥臂20的电压Vce2进行监视的监视电路，并输出根据电压Vce2的大小而变化的电压检测信号S6。比较器41具有与下桥臂20的集电极C连接的非反相输入部、和经由阈值电压生成部42而与下桥臂20的发射极E连接的反相输入部。阈值电压生成部42为生成固定的阈值电压Vth2并向比较器41的反相输入部施加的电路。阈值电压生成部42例如通过电阻分压电路而生成阈值电压Vth2。阈值电压Vth2被设定为“-VF2＜Vth2＜VH”的电压范围内的电压值。
比较器41在电压Vce2小于阈值电压Vth2时输出低电位的电压检测信号S6。尤其在死区时间中二极管21处于通电时，电压Vce2变为与小于阈值电压Vth2的-VF2相等，因此，比较器41输出低电位的电压检测信号S6。相反，在电压Vce2大于阈值电压Vth2时，比较器41输出高电位的电压检测信号S6。尤其在死区时间中二极管21处于未通电时，电压Vce2变为与大于阈值电压Vth2的VH相等，因此，比较器41输出高电位的电压检测信号S6。
驱动控制电路30具备D触发器33及AND电路35，以作为根据在死区时间内对电压Vcel进行检测的结果而对是否允许上桥臂10的导通进行判断的判断部。D触发器33及AND电路35为，基于要求上桥臂10的导通的指令信号S1而对是否允许上桥臂10的导通进行判断的逻辑电路。D触发器33通过与要求上桥臂10的导通的指令信号S1的输入正时同步地对从比较器31被输出的电压检测信号S5进行锁存，从而能够取得在死区时间中通过比较器31而被检测出的电压Vcel。D触发器33根据该取得结果而对是否允许上桥臂10的导通进行判断，并维持是否允许的判断结果，直至具有要求上桥臂10的导通的指令信号S1的下一次的输入为止。
D触发器33基于将在死区时间中被检测出的电压Vcel与预定值进行比较的结果而对是否允许上桥臂10的导通进行判断。
在检测出在死区时间内被检测出的电压Vcel等于阈值电压Vth1以上的电源电压VH的情况时，D触发器33判断为二极管11未处于通电，并输出允许上桥臂10的导通的高电位的允许与否判断信号S7。
另一方面，在检测出在死区时间内被检测出的电压Vce1与小于阈值电压Vth1的正向电压VF1相等的情况时，D触发器33判断为二极管11处于通电，并输出禁止上桥臂10的导通的低电位的允许与否判断信号S7。由此，即使驱动电路34根据要求上桥臂10的导通的指令信号S1而输出使上桥臂10导通的高电位的控制信号S9，上桥臂10的导通也会通过AND电路35而被禁止。在禁止上桥臂10的导通的低电位的允许与否判断信号S7从D触发器33被输出的期间内，使上桥臂10断开的低电位的栅极电压Vge1通过AND电路35而从驱动控制电路30输出。由此，即使输入有要求上桥臂10的导通的指令信号S1，但上桥臂10也不会导通而是被维持在断开状态。
在驱动控制电路40中所构成的D触发器43及AND电路45也与上述的D触发器33及AND电路35相同。
图3为，在死区时间中的电流未流过二极管21的图2A的情况下，下桥臂20的导通通过D触发器43及AND电路45而被允许时的时序图。期间t2-t4以及期间t6-t8为死区时间。参照图1及图2A而对图3进行说明。
从要求上桥臂10的断开的指令信号S1被输入至驱动电路34起至上桥臂10实际断开为止，存在时滞t1-t2。同样，从要求下桥臂20的导通的指令信号S2被输入至驱动电路44起至下桥臂20实际导通为止，存在时滞t3-t4。因此，上桥臂10和下桥臂20双方均断开的死区时间相当于期间t2-t4。
要求下桥臂20的导通的指令信号S2被输入至驱动电路44的时刻t3存在于死区时间t2-t4内。利用这一点，D触发器43能够通过在对要求下桥臂20的导通的指令信号S2的上升输入沿进行触发时对电压Vce2进行检测而可靠地检测出死区时间t2-t4内的时刻t3处的电压Vce2。
虽然上桥臂10在时刻t2处从导通被切换为断开，但如图2A所示，当续流电流I1开始流向二极管11时，电压Vce2在时刻t2的前后仍保持在电源电压VH而几乎未发生变化。而且，即使在死区时间t2-t4内，由于续流电流I1持续流向二极管11，因此电压Vce2也与电源电压VH相等。
因此，D触发器43在时刻t3处对从比较器41被输出的高电位的电压检测信号S6进行锁存，并输出允许下桥臂20的导通的高电位的允许与否判断信号S8。D触发器43持续输出允许下桥臂20的导通的高电位的允许与否判断信号S8而至少到要求下桥臂20的导通的指令信号S2的下一个周期的上升输入沿为止。在下桥臂20的导通被允许的期间内，下桥臂20按照指令信号S2的要求而进行导通或断开。
图4为在死区时间中的电流流过二极管21的图2B的情况下，下桥臂20的导通通过D触发器43及AND电路45而被禁止时的时序图。期间t2-t4及期间t6-t8为死区时间。参照图1及图2B而对图4进行说明。
虽然上桥臂10在时刻t2处从导通切换为断开，但如图2B所示，当续流电流I2开始流向二极管21时，电压Vce2在时刻t2处从VH变为-VF2。而且，即使在死区时间t2-t4内，由于续流电流I2持续流向二极管21，因此电压Vce2也与-VF2相等。
因此，D触发器43在时刻t3处对从比较器41被输出的低电位的电压检测信号S6进行锁存，并输出禁止下桥臂20的导通的低电位的允许与否判断信号S8。D触发器43持续输出禁止下桥臂20的导通的低电位的允许与否判断信号S8而至少到要求下桥臂20的导通的指令信号S2的下一个周期的上升输入沿为止。在下桥臂20的导通被禁止的期间内，即使输入有指令信号S2，栅极电压Vge2也会通过AND电路45而被固定在低电位，从而下桥臂20不会导通而是被固定在断开状态。
关于D触发器33及AND电路35对是否允许上桥臂10的导通进行判断的情况，也与上述情况相同。
例如，在图3中，从要求下桥臂20的断开的指令信号S2被输入至驱动电路44起至下桥臂20实际断开为止，存在时滞t5-t6。同样，从要求上桥臂10的导通的指令信号S1被输入至驱动电路34起至上桥臂10实际导通为止，存在时滞t7-t8。因此，上桥臂10和下桥臂20的双方均断开的死区时间相当于期间t6-t8。
要求上桥臂10的导通的指令信号S1被输入至驱动电路34的时刻t7存在于死区时间t6-t8内。利用这一点，D触发器33能够通过在对要求上桥臂10的导通的指令信号S1的上升输入沿进行触发时对电压Vce1进行检测，从而可靠地检测出死区时间t6-t8内的时刻t7处的电压Vce1。
虽然下桥臂20在时刻t6处从导通被切换为断开，但如图2A所示，当续流电流I1开始流向二极管11时，电压Vce1在时刻t6处从VH变为-VF1。而且，即使在死区时间t6-t8内，由于续流电流I1持续流向二极管11，因此电压Vce1也等于-VF1。
因此，D触发器33在时刻t7处对从比较器31被输出的低电位的电压检测信号S5进行锁存，并输出禁止上桥臂10的导通的低电位的允许与否判断信号S7。D触发器33持续输出禁止上桥臂10的导通的低电位的允许与否判断信号S7而至少到要求上桥臂10的导通的指令信号S1的下一次周期的上升输入沿为止。在禁止上桥臂10的导通的期间内，即使输入有指令信号S1，栅极电压Vgel也会通过AND电路35而被固定在低电位，从而上桥臂10不会导通而是被固定在断开状态。
另一方面，虽然下桥臂20在时刻t6处从导通被切换为断开，但如图2B所示，当续流电流I2开始流向二极管12时，电压Vcel在时刻t6的前后仍保持在电源电压VH而几乎未发生变化。而且，即使在死区时间t6-t8内，由于续流电流I2持续流向二极管21，因此电压Vcel也与电源电压VH相等。
因此，D触发器33在时刻t7处对从比较器31被输出的高电位的电压检测信号S5进行锁存，并输出允许上桥臂10的导通的高电位的允许与否判断信号S7。D触发器33持续输出允许上桥臂10的导通的高电位的允许与否判断信号S7而至少到要求上桥臂10的导通的指令信号S1的下一次周期的上升输入沿为止。在上桥臂10的导通被允许的期间内，上桥臂10按照指令信号S1的要求而进行导通或断开。
另外，指令信号S1、S2的频率与流过感应性的负载70的正弦波电流的频率相比而足够高。因此，如本发明的实施方式这样，在每个死区时间内对二极管的通电状态进行判断，从而即使将上桥臂或下桥臂断开，也几乎不会给流过负载70的正弦波电流带来影响。
图5为表示第二实施方式的驱动装置2的结构的图。将关于与上述的实施方式相同的结构及效果的说明省略或简化。在驱动装置2中，电平移位电路54、55被追加到图1的驱动装置1的结构中。驱动装置2具备电平移位电路54，以作为对电压Vce1的电位进行移位的电平移位部，并且具备电平移位电路55，以作为对电压Vce2的电位进行移位的电平移位部。
电平移位电路54具备被连接在上桥臂10的集电极C与基准电压源63之间的二极管12。基准电压源63输出与电源电压VH相比而较低的基准电压VB1。基准电压源63的接地端为驱动控制电路30的比较器31的接地端，例如为上桥臂10的发射极E或中间节点51。
基准电压VB1例如被设定为比较器31的可检测电压范围内的电压(例如，12V)。当基准电压源63例如为能够对基准电压VB1进行调节的浮动电源时，能够调节为比较器31的可检测电压范围内的任意的电压。
二极管12的阴极与上桥臂10的集电极C连接，其连接点优选为贴近集电极C。二极管12的阳极经由电阻13而被负载连接于基准电压源63。二极管12的阳极与电阻13的连接节点52与比较器31的非反相输入部连接。二极管12被串联连接的个数可以是一个，也可以是多个。
电平移位电路55具备被连接在下桥臂20的集电极C与基准电压源64之间的二极管22。基准电压源64输出与电源电压VH相比而较低的基准电压VB2。基准电压源64的接地端为驱动控制电路40的比较器41的接地端，例如为下桥臂20的发射极E或电源电位部62。
基准电压VB2被设定为例如在比较器41的可检测电压范围内的电压(例如，12V)。基准电压源64在为例如能够对基准电压VB2进行调节的浮动电源时，能够调节为比较器41的可检测电压范围内的任意的电压。基准电压VB2的电压值可以与基准电压VB1相同，也可以不同。
二极管22的阴极与下桥臂20的集电极C连接，其连接点优选为贴近集电极C。二极管22的阳极经由电阻23而被负载连接于基准电压源64。二极管22的阳极与电阻23的连接节点53与比较器41的非反相输入部连接。二极管22被串联连接的个数可以是一个，也可以是多个。
在死区时间中，当二极管11未通电而二极管21通电时，电压Vcel与VH相等。因此，通过使VB1＜VH的关系成立从而使二极管12断开。其结果为，由于比较器31的非反相输入部侧的输入电压成为VB1，因此能够通过比较器31的可检测电压范围内的电压而对二极管11的非通电状态进行检测。
另一方面，在死区时间中，当二极管21通电而二极管11未通电时，电压Vcel与-VF1相等。因此，通过使VB1＞-VF1的关系成立，从而使二极管12导通。其结果为，由于二极管12的正向电压与二极管11的正向电压相互抵消，因此比较器31的非反相输入部侧的输入电压不会成为负电压而成为0V。因此，能够通过比较器31的可检测电压范围内的电压而对二极管11的通电状态进行检测。
死区时间中的电平移位电路55与比较器41的关系也与上述相同。
通过具备电平移位电路54、55，从而能够降低驱动控制电路30、40的耐压。尤其通过二极管12、22的正向电压，从而能够抵消在逆导用的二极管11、21处所产生的负电压(-VF)，因此，能够简化比较器31、41的电路结构。
以上，虽然通过实施方式示例而对驱动装置及开关电路的控制方法进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式示例。也可以在本发明的范围内，进行其他的实施方式示例的一部分或全部的组合或置换等各种变形及改良。
例如，开关元件并不局限于IGBT，可以是N沟道型的MOSFET，也可以是P沟道型的MOSFET。
本国际申请为要求基于2013年4月26日申请的日本国专利申请第2013-094312号的优先权的申请，并将日本国专利申请第2013-094312号的全部内容援引到本国际申请中。
符号说明
1、2驱动装置；
10上桥臂；
11、12、21、22二极管；
13、23电阻；
20下桥臂；
30、40驱动控制电路；
31、41比较器；
32、42阈值电压生成部；
33、43D触发器；
34、44驱动电路；
35、45AND电路；
50桥臂电路；
51中间节点；
52、53连接节点；
54、55电平移位电路；
61、62电源电位部；
63、64基准电压源；
70负载。

Claims (15)

1.一种驱动装置，具备：
开关电路，其在高电位侧和低电位侧设置有开关元件，所述开关元件具备第一电极、第二电极以及被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的逆导元件；
判断部，其根据在两侧的所述开关元件均为断开的期间内对所述第一电极与所述第二电极之间的电压进行检测的结果，而对是否允许所述开关元件的导通进行判断。
2.如权利要求1所述的驱动装置，其中，
所述判断部基于将所述期间内被检测出的所述电压与预定值进行比较的结果，而对是否允许所述开关元件的导通进行判断。
3.如权利要求2所述的驱动装置，其中，
所述判断部在所述期间内被检测出的所述电压小于所述预定值的情况下，禁止所述开关元件的导通。
4.如权利要求1至3中的任意一项所述的驱动装置，其中，
所述判断部在检测出所述期间内被检测出的所述电压与所述逆导元件的正向电压相等的情况下，禁止所述开关元件的导通。
5.如权利要求2或3所述的驱动装置，其中，
所述判断部在所述期间内被检测出的所述电压为所述预定值以上的情况下，允许所述开关元件的导通。
6.如权利要求1至5中任意一项所述的驱动装置，其中，
所述判断部在检测出所述期间内被检测出的所述电压与所述开关元件的电源电压相等的情况下，允许所述开关元件的导通。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的驱动装置，其中，
所述判断部基于要求所述开关元件的导通的指令信号，而对所述是否允许进行判断。
8.如权利要求7所述的驱动装置，其中，
所述电压与所述指令信号同步地被进行检测。
9.如权利要求7或8所述的驱动装置，其中，
所述判断部维持所述是否允许的判断结果，直至出现所述指令信号的下一次输入为止。
10.如权利要求1至9中任意一项所述的驱动装置，其中，
所述判断部在虽然具有要求所述开关元件的导通的指令信号但所述开关元件的导通被禁止了的情况下，不使所述开关元件导通。
11.如权利要求1至10中任意一项所述的驱动装置，其中，
还具备驱动部，所述驱动部依据要求所述开关元件的导通的指令信号而使所述开关元件导通，
所述判断部对是否允许所述驱动部使所述开关元件导通进行判断。
12.如权利要求1至11中任意一项所述的驱动装置，其中，
还具备电平转换部和电压检测部，其中，所述电平转换部对所述电压的电平进行转换，所述电压检测部中被输入所述电平转换部的输出电压，
所述电平转换部具备二极管，所述二极管被连接于所述第一电极和所述第二电极中的高电位侧的电极、与基准电压源之间，所述基准电压源输出与所述开关元件的电源电压相比而较低的基准电压。
13.如权利要求12所述的驱动装置，其中，
所述电压检测部为比较器。
14.如权利要求1至13中任意一项所述的驱动装置，其中，
所述开关元件为内置二极管的绝缘栅双极型晶体管。
15.一种开关电路的控制方法，所述开关电路在高电位侧和低电位侧设置有开关元件，所述开关元件具备第一电极、第二电极以及被设置在所述第一电极与所述第二电极之间的逆导元件，
所述开关电路的控制方法的特征在于，
根据在两侧的所述开关元件均为断开的期间内对所述第一电极与所述第二电极之间的电压进行检测的结果，而对是否允许所述开关元件的导通进行判断。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106383543A (zh) * 2016-11-22 2017-02-08 亿嘉和科技股份有限公司 一种开关控制电路及控制方法
CN107634752A (zh) * 2017-09-20 2018-01-26 北京集创北方科技股份有限公司 驱动装置和驱动方法
CN110098723A (zh) * 2018-07-25 2019-08-06 富士电机株式会社 驱动装置和开关装置
CN111525823A (zh) * 2019-02-05 2020-08-11 罗姆股份有限公司 桥式输出电路、电源装置及半导体装置

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9948290B2 (en) * 2011-08-26 2018-04-17 General Electric Company Reverse conduction mode self turn-off gate driver
TWI496403B (zh) * 2013-08-07 2015-08-11 Richtek Technology Corp 電壓轉換控制器及電壓轉換電路
JP6024641B2 (ja) * 2013-10-21 2016-11-16 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の駆動制御装置
JP5949727B2 (ja) 2013-10-31 2016-07-13 トヨタ自動車株式会社 電力変換装置
US9780648B2 (en) * 2014-08-30 2017-10-03 Ixys Corporation Synchronous sensing of inductor current in a buck converter control circuit
JP2016149715A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 トヨタ自動車株式会社 駆動装置
DE112015006874T5 (de) * 2015-09-03 2018-05-30 Mitsubishi Electric Corporation Leistungswandler
JP6472763B2 (ja) * 2016-02-03 2019-02-20 株式会社東芝 ゲート制御回路および電源回路
US9608545B1 (en) * 2016-03-02 2017-03-28 Faraday & Future Inc. Switching interference suppression in motor driving circuits using space vector pulse width modulation (PWM)
JP6769111B2 (ja) * 2016-05-25 2020-10-14 富士電機株式会社 異常検出装置
JP6673192B2 (ja) * 2016-12-27 2020-03-25 株式会社デンソー 電力変換回路の制御装置
JP6790908B2 (ja) 2017-02-23 2020-11-25 株式会社デンソー 半導体装置
JP2018137392A (ja) 2017-02-23 2018-08-30 トヨタ自動車株式会社 半導体装置
JP6780596B2 (ja) * 2017-07-18 2020-11-04 トヨタ自動車株式会社 スイッチング回路
JP7095388B2 (ja) * 2018-05-11 2022-07-05 富士電機株式会社 トーテムポール回路用駆動装置
FR3083390B1 (fr) * 2018-06-29 2021-05-14 Valeo Equip Electr Moteur Procede de diagnostic d'un pont de puissance connecte a une machine electrique tournante
FR3083391B1 (fr) * 2018-06-29 2021-05-07 Valeo Equip Electr Moteur Procede de diagnostic d'un pont de puissance connecte a une machine electrique tournante
US10784857B1 (en) * 2019-05-31 2020-09-22 Texas Instruments Incorporated Adaptive gate drivers and related methods and systems
JP7296331B2 (ja) * 2020-03-18 2023-06-22 株式会社 日立パワーデバイス ゲート駆動装置およびゲート駆動方法、パワー半導体モジュール、並びに電力変換装置
JP7214052B2 (ja) * 2020-06-17 2023-01-27 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP7406520B2 (ja) 2021-03-22 2023-12-27 株式会社 日立パワーデバイス 上アーム駆動回路、電力変換装置の駆動回路、電力変換装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050068089A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Balu Balakrishnan Method and apparatus for simplifying the control of a switch
JP2007014059A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Toyota Motor Corp スイッチング回路
JP2008072848A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN101414816A (zh) * 2007-09-05 2009-04-22 株式会社电装 具有内置二极管igbt的半导体器件和具有内置二极管dmos的半导体器件
WO2010149431A2 (de) * 2009-06-26 2010-12-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur ansteuerung eines rückwärts leitfähigen igbt

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6580627B2 (en) 2001-01-29 2003-06-17 International Rectifier Corporation Voltage sensing with high and low side signals for deadtime compensation and shutdown for short circuit protection
JP4924578B2 (ja) 2007-09-05 2012-04-25 株式会社デンソー 半導体装置
US20100079192A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Bernhard Strzalkowski Drive for a half-bridge circuit
JP5829102B2 (ja) 2011-10-31 2015-12-09 ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー 超音波診断装置及びその制御プログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050068089A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Balu Balakrishnan Method and apparatus for simplifying the control of a switch
JP2007014059A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Toyota Motor Corp スイッチング回路
JP2008072848A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
CN101414816A (zh) * 2007-09-05 2009-04-22 株式会社电装 具有内置二极管igbt的半导体器件和具有内置二极管dmos的半导体器件
WO2010149431A2 (de) * 2009-06-26 2010-12-29 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur ansteuerung eines rückwärts leitfähigen igbt

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106383543A (zh) * 2016-11-22 2017-02-08 亿嘉和科技股份有限公司 一种开关控制电路及控制方法
CN106383543B (zh) * 2016-11-22 2018-01-30 亿嘉和科技股份有限公司 一种开关控制电路及控制方法
CN107634752A (zh) * 2017-09-20 2018-01-26 北京集创北方科技股份有限公司 驱动装置和驱动方法
CN110098723A (zh) * 2018-07-25 2019-08-06 富士电机株式会社 驱动装置和开关装置
US10547300B1 (en) 2018-07-25 2020-01-28 Fuji Electric Co., Ltd. Driving device and switching device
CN111525823A (zh) * 2019-02-05 2020-08-11 罗姆股份有限公司 桥式输出电路、电源装置及半导体装置
CN111525823B (zh) * 2019-02-05 2023-11-17 罗姆股份有限公司 桥式输出电路、电源装置及半导体装置

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Publication number Publication date
KR20150133253A (ko) 2015-11-27
US9628072B2 (en) 2017-04-18
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KR101782705B1 (ko) 2017-09-27
EP2991227A4 (en) 2016-09-21
JP2014216932A (ja) 2014-11-17
CN105191133B (zh) 2018-09-04
EP2991227B1 (en) 2018-10-03
US20160036433A1 (en) 2016-02-04
TW201509128A (zh) 2015-03-01
WO2014174901A1 (ja) 2014-10-30
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