CN105154968A - 蓝宝石led灯丝基板的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,具体步骤包括晶体生长、晶体掏棒、晶体切割、研磨、倒角、退火、双面抛光、激光取片、刷银等工序;本发明制成的LED灯丝基板有效地去除蓝宝石应力,不易开裂,而且采用激光切割,不会影响到材料的表面,且蓝宝石耐划伤,且具有良好的透光性,使得LED灯丝发光效率高使用寿命长。
Description
技术领域
本发明涉及一种蓝宝石片的制备方法,尤其涉及一种蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,属于蓝宝石加工技术领域。
背景技术
LED灯丝以其节能、全角度发光等优点而被广泛应用。目前,LED灯丝基板的材质一般为玻璃、硅树脂或碳化硅,但玻璃硬度差,导热性差;硅树脂导热性差;而碳化硅则制作成本大。
随着科技的进步,蓝宝石基板在LED技术中得到广泛应用。蓝宝石具有很好的热特性,极好的电气特性和介电特性,可以在高温下保持高强度、优良的热属性和透过率,并且防化学腐蚀。用蓝宝石为原料制成的LED灯丝,亮度高,硬度高且导热性好,深受消费者满意。
中国专利文献ZL201420699840.7公开了一种全周发光的LED灯丝,包括混有荧光粉的基板,设置于所述基板上的电极,安装在所述基板上的至少一个LED芯片,以及覆盖于所述LED芯片上的封装胶。通过含有荧光粉的硅树脂形成的基板,免除了玻璃或蓝宝石作为基板的成本。混有荧光粉的硅树脂形成的基板代替了玻璃以及蓝宝石基板,使用所述基板制作的灯丝避免了玻璃或蓝宝石对芯片出光的影响,实现了360度出光,出光均匀性和光效大大提高。
但采用混有荧光粉的硅树脂做成的LED灯丝基板仍存在导热性差,影响发光效率和使用寿命的问题,且其工序设计不够合理,会直接影响LED灯丝的质量和成品率。。
发明内容
本发明解决的技术问题是:提出一种提出一种成片质量高,废品率低,生产效率高的蓝宝石LED灯丝基板的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明提出的技术方案是:一种蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,包括以下具体步骤:
步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2100~2200℃,使得Al2O3熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触,持续0.5~1h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以3~5mm/h的速度向上提拉籽晶,以45~48r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以8~10mm/h的速度向上提拉籽晶,以50~55r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以5~8mm/h的速度向上提拉籽晶,以48~50r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1580~1680℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以80~100℃/h的速度缓慢降温并持续18~22h,从而得到晶体;
步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到晶棒;
步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;
步骤四、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.02~0.022Mpa,研磨盘的转速为1000~1200rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为10~20μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,其余为去离子水;
步骤五、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理;
步骤六、退火;将晶片放入退火炉内,以180~220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2~6h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温2~3h冷却至室温取出;
步骤七、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.12~0.15Mpa,抛光盘的转速为1000~1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为1~6μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,0.5~2%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为11.0~13.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;
步骤八、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小。
对上述技术方案的改进为:所述步骤一中,将晶体生长炉内的温度降至1600℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以100℃/h的速度缓慢降温并持续22h。
对上述技术方案的改进为:所述步骤三中,金刚砂线的直径为0.14~0.16mm,金刚砂线上金刚石的粒径为30~40μm,金刚砂线在切割时以12~15m/s的速度运动,晶体相对于金刚砂线的移动速度为0.2~0.3mm/min,切割时不断向金刚砂线喷洒切割液,所述切割液中含有粒径为20~30μm的金刚石颗粒和粒径为50~60μm的刚玉颗粒。
对上述技术方案的改进为:所述步骤四中,所述研磨液中含有粒径为3~6μm的氧化铝颗粒。
对上述技术方案的改进为:所述步骤六中,升温时,在300℃保温2h,在800℃保温3h,在1600℃保温4h。
对上述技术方案的改进为:所述步骤七中,所述碱性溶液为KOH。
对上述技术方案的改进为:所述步骤七中,所述抛光液PH值为12.0。
对上述技术方案的改进为:所述步骤七中,抛光盘对晶片加压至0.135Mpa。
对上述技术方案的改进为:所述步骤八中,激光束的直径为0.015~0.02mm,切割速度为3~5mm/s。
对上述技术方案的改进为:步骤八中所述保护气体为氮气。
本发明具有积极的效果:
(1)本发明的LED灯丝基板制备方法,先研磨、抛光再激光取片,可以提高研磨、抛光的生产效率,由于蓝宝石硬度大,抛光时必须施加较大的压力,在抛光之前退火有利于消除线切割、研磨等机械加工工序所产生的内应力,使得晶片在抛光时不宜碎裂,有效提高成品率。
(2)本发明的LED灯丝基板制备方法,严格控制晶体生长时的界面温度、拉升速度、旋转速度和退火参数,将界面温度控制在2048~2052℃,拉升速度控制在3~10mm/h,旋转速度控制在45~55r/min,退火温度控制在1580~1680℃(优选1600℃),以80~100℃/h的速度缓慢降温并持续18~22h,从而使得晶体的产能高,缺陷密度低,质量好,成品率高,可以大大地降低生产成本。
(3)本发明的LED灯丝基板制备方法,严格控制研磨和抛光的参数以及研磨液和抛光液的成分,有利于提高研磨和抛光的效率,提高研磨和抛光的成品率,制备出的晶片结构完整,无物理损伤,表面细腻,光滑,形变小。研磨液和抛光液中,适量的立方氮化硼粉末充当磨料,硬度高,耐磨性好;烷基酚聚氧乙烯醚、甘油、聚丙二醇400和去离子水形成的悬浮液黏度和界面膜性质稳定,使得磨料悬浮稳定,均匀度好,不会粘并,有利于提高研磨和抛光的质量和效率。适量的烷基酚聚氧乙烯醚是一种非离子表面活性剂,其性质稳定,具有分散、乳化、润湿等多种性能,是悬浮液获得优异性能最主要的成分;甘油比重合适,与水和有机溶液都有很好的溶解性,作为辅助分散剂非常适合;聚丙二醇400具有乳化、润湿的作用,并且可以有效增稠,有效提升悬浮液的黏度和界面膜性质。另外,抛光液中含有适量的纳米SiO2,粒度均匀、分散性好、平坦化效率高。碱性溶液KOH使得抛光液为碱性,通过化学腐蚀辅助抛光,从而抛光效果更好,抛光效率更好。为了保持抛光液的稳定性,从而保证抛光的效率和质量,必须不断地补充碱性溶液,维持抛光液PH值基本不变。
(4)本发明的LED灯丝基板采用蓝宝石为基板制成,由于蓝宝石硬度高,耐磨性好,使得基板不易磨损和划伤。通过本发明的LED灯丝制备方法制成的灯丝,发光效率高,光学性能达标,且成片质量高,废品率低,生产效率高,应用前景广阔。
具体实施方式
实施例1
本实施例的蓝宝石LED灯丝基板的制备流程包括如下步骤:
步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2200℃,使得Al2O3熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触,持续1h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以5mm/h的速度向上提拉籽晶,以48r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以10mm/h的速度向上提拉籽晶,以55r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以8mm/h的速度向上提拉籽晶,以50r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1680℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以100℃/h的速度缓慢降温并持续22h,从而得到晶体;
步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到晶棒;
步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;
步骤四、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.022Mpa,研磨盘的转速为1200rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:2%的颗粒大小为20μm的立方氮化硼粉末,16%的烷基酚聚氧乙烯醚,6%的甘油,11%的聚丙二醇400,其余为去离子水;
步骤五、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理;
步骤六、退火;将晶片放入退火炉内,以220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温6h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温3h冷却至室温取出;
步骤七、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.15Mpa,抛光盘的转速为1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:2%的颗粒大小为6μm的立方氮化硼粉末,16%的烷基酚聚氧乙烯醚,6%的甘油,11%的聚丙二醇400,2%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为13.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;
步骤八、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小。
实施例2
本实施例的蓝宝石LED灯丝基板的制备流程包括如下步骤:
步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2100℃,使得Al2O3熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触,持续0.5~1h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以3mm/h的速度向上提拉籽晶,以45r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以8mm/h的速度向上提拉籽晶,以50r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以5mm/h的速度向上提拉籽晶,以48r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1580℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以80~100℃/h的速度缓慢降温并持续18h,从而得到晶体;
步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到晶棒;
步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;
步骤四、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.02Mpa,研磨盘的转速为1000rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:0.5%的颗粒大小为1~20μm的立方氮化硼粉末,14%的烷基酚聚氧乙烯醚,4%的甘油,9%的聚丙二醇400,其余为去离子水;
步骤五、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理;
步骤六、退火;将晶片放入退火炉内,以180℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温2h冷却至室温取出;
步骤七、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.12Mpa,抛光盘的转速为1000rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:0.5%的颗粒大小为1μm的立方氮化硼粉末,14%的烷基酚聚氧乙烯醚,4%的甘油,9%的聚丙二醇400,0.5%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为11.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;
步骤八、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小。
实施例3
本实施例的蓝宝石LED灯丝基板的制备流程包括如下步骤:
步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2100℃,使得Al2O3熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触,持续0.5h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以4mm/h的速度向上提拉籽晶,以45r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以8mm/h的速度向上提拉籽晶,以50r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以5mm/h的速度向上提拉籽晶,以48r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1600℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以80℃/h的速度缓慢降温并持续18h,从而得到晶体;
步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到晶棒;
步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;
步骤四、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.02Mpa,研磨盘的转速为1100rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:1%的颗粒大小为15μm的立方氮化硼粉末,15%的烷基酚聚氧乙烯醚,5%的甘油,10%的聚丙二醇400,其余为去离子水;
步骤五、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理;
步骤六、退火;将晶片放入退火炉内,以200℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温4h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温3h冷却至室温取出;
步骤七、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.13Mpa,抛光盘的转速为1200rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:1%的颗粒大小为3μm的立方氮化硼粉末,15%的烷基酚聚氧乙烯醚,5%的甘油,10%的聚丙二醇400,1%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为12.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;
步骤八、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小。
本发明的蓝宝石LED灯丝基板的制备方法不局限于上述实施例所述的具体技术方案,凡采用等同替换形成的技术方案均为本发明要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:步骤一、晶体生长;在晶体生长炉的坩埚内装入纯净的Al2O3原料,所述坩埚上方设有可旋转和升降的提拉杆,提拉杆的下端夹设有A晶向、M晶向或C晶向的籽晶;将晶体生长炉内抽真空并通入保护气体,升温至2100~2200℃,使得Al2O3熔融,控制熔体的液面温度为2055℃,将籽晶置于Al2O3熔体的上表面使其与熔体接触,持续0.5~1h;待籽晶与熔体充分沾润后,提拉并转动籽晶,从而实现缩颈—扩肩—等径生长;缩颈阶段,控制熔体的液面温度为2050℃,以3~5mm/h的速度向上提拉籽晶,以45~48r/min的速度转动籽晶;扩肩阶段,控制熔体的液面温度为2048℃,以8~10mm/h的速度向上提拉籽晶,以50~55r/min的速度转动籽晶;等径阶段,控制熔体的液面温度为2052℃,以5~8mm/h的速度向上提拉籽晶,以48~50r/min的速度转动籽晶;待晶体生长结束后,将晶体生长炉内的温度降至1580~1680℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以80~100℃/h的速度缓慢降温并持续18~22h,从而得到晶体;
步骤二、晶体掏棒;对晶体进行定向,然后使用掏棒机进行掏棒,从而得到晶棒;
步骤三、晶体切割;采用金刚砂线切割设备对晶棒进行切割,从而得到晶片;
步骤四、研磨;采用研磨机对晶片进行研磨;研磨时,加入研磨液,研磨盘对晶片加压至0.02~0.022Mpa,研磨盘的转速为1000~1200rpm/min;研磨完成后用无水乙醇清洗;所述研磨液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为10~20μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,其余为去离子水;
步骤五、倒角;采用数控机床的金刚石砂轮对晶片的边角进行倒角处理,;
步骤六、退火;将晶片放入退火炉内,以180~220℃/h的速度进行升温将温度升至1600℃,升温时在300℃、800℃、1600℃分别保温2~6h,然后以200℃的温度进行降温,降温时在1000℃、500℃分别保温2~3h冷却至室温取出;
步骤七、双面化学抛光;先用无水乙醇对晶片进行清洗,然后将清洗后的晶片放入双面抛光机中固定;抛光时,加入抛光液,抛光盘对晶片加压至0.12~0.15Mpa,抛光盘的转速为1000~1500rpm/min、将抛光好的晶片用无水乙醇清洗后,在室温下进行自然冷却;所述抛光液组分包括:0.5~2%的颗粒大小为1~6μm的立方氮化硼粉末,14~16%的烷基酚聚氧乙烯醚,4~6%的甘油,9~11%的聚丙二醇400,0.5~2%的纳米二氧化硅,使得抛光液PH值为11.0~13.0的碱性溶液,其余为去离子水;抛光过程中不断补充碱性溶液以保持抛光液的PH值;
步骤八、激光取片;将抛光后的晶片放入激光切割机中并通入保护气体,将晶片按需求切割成相应大小。
2.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤一中,将晶体生长炉内的温度降至1600℃,再对晶体进行退火处理,控制温度以100℃/h的速度缓慢降温并持续22h。
3.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤三中,金刚砂线的直径为0.14~0.16mm,金刚砂线上金刚石的粒径为30~40μm,金刚砂线在切割时以12~15m/s的速度运动,晶体相对于金刚砂线的移动速度为0.2~0.3mm/min,切割时不断向金刚砂线喷洒切割液,所述切割液中含有粒径为20~30μm的金刚石颗粒和粒径为50~60μm的刚玉颗粒。
4.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤四中,所述研磨液中含有粒径为3~6μm的氧化铝颗粒。
5.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤六中,升温时,在300℃保温2h,在800℃保温3h,在1600℃保温4h。
6.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤七中,所述碱性溶液为KOH。
7.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤七中,所述抛光液PH值为12.0。
8.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤七中,抛光盘对晶片加压至0.135Mpa。
9.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:所述步骤八中,激光束的直径为0.015~0.02mm,切割速度为3~5mm/s。
10.根据权利要求1所述蓝宝石LED灯丝基板的制备方法,其特征在于:步骤八中所述保护气体为氮气。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106764483A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-31 | 深圳市耀铭豪智能科技有限公司 | 一种led照明装置及其制备方法 |
CN111515792A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-11 | 福建晶安光电有限公司 | 一种适合石墨烯生长的衬底材料及其制作方法 |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1541287A (zh) * | 2001-06-08 | 2004-10-27 | 高表面质量的GaN晶片及其生产方法 | |
CN1836842A (zh) * | 2006-04-19 | 2006-09-27 | 山东大学 | 大直径高硬度6H-SiC单晶片的表面抛光方法 |
JP2007088193A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板およびその製造方法 |
CN101245234A (zh) * | 2007-02-14 | 2008-08-20 | 巴斯夫欧洲公司 | 彩色滤光片研磨液组合物 |
CN101378002A (zh) * | 2008-09-12 | 2009-03-04 | 山东大学 | 一种用于GaN外延的衬底的加工方法 |
CN101604666A (zh) * | 2009-06-19 | 2009-12-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 蓝宝石衬底及抛光方法与应用 |
CN101693813A (zh) * | 2009-09-01 | 2010-04-14 | 永州皓志稀土材料有限公司 | 一种硅基精抛液 |
CN102585705A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-07-18 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用 |
CN102634850A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-15 | 江苏鑫和泰光电科技有限公司 | 一种蓝宝石晶片的退火方法 |
CN102787005A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-11-21 | 达兴材料股份有限公司 | 用于切削硬脆材料的加工组成物及切削组成物 |
CN102888193A (zh) * | 2012-06-25 | 2013-01-23 | 上海应用技术学院 | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 |
CN102943303A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-27 | 上海施科特光电材料有限公司 | 在采用泡生法生长蓝宝石过程中抑制气泡的方法 |
CN103014874A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-03 | 焦作市光源晶电科技有限公司 | 一种蓝宝石晶体退火工艺 |
CN103103604A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-15 | 天通控股股份有限公司 | 大尺寸c向蓝宝石晶体制造方法 |
CN103177972A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 张卫兴 | 蓝宝石衬底材料的退火工艺 |
CN103374754A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 鑫晶钻科技股份有限公司 | 蓝宝石材料及其制造方法 |
CN103643300A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 浙江上城科技有限公司 | 一种用于蓝宝石加工过程中的退火方法 |
CN103640097A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 浙江上城科技有限公司 | 一种蓝宝石薄片金刚线切片方法 |
CN103882521A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 玉溪市明珠晶体材料有限公司 | 饰品级红宝石单晶体的生长方法 |
CN103882520A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 玉溪市明珠晶体材料有限公司 | 饰品级蓝宝石单晶体的生长方法 |
CN104669454A (zh) * | 2015-02-11 | 2015-06-03 | 浙江星星瑞金科技股份有限公司 | 一种带孔的蓝宝石手机视窗保护屏的加工方法 |
-
2015
- 2015-06-18 CN CN201510339683.8A patent/CN105154968A/zh active Pending
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1541287A (zh) * | 2001-06-08 | 2004-10-27 | 高表面质量的GaN晶片及其生产方法 | |
JP2007088193A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | サファイア基板およびその製造方法 |
CN1836842A (zh) * | 2006-04-19 | 2006-09-27 | 山东大学 | 大直径高硬度6H-SiC单晶片的表面抛光方法 |
CN101245234A (zh) * | 2007-02-14 | 2008-08-20 | 巴斯夫欧洲公司 | 彩色滤光片研磨液组合物 |
CN101378002A (zh) * | 2008-09-12 | 2009-03-04 | 山东大学 | 一种用于GaN外延的衬底的加工方法 |
CN101604666A (zh) * | 2009-06-19 | 2009-12-16 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 蓝宝石衬底及抛光方法与应用 |
CN101693813A (zh) * | 2009-09-01 | 2010-04-14 | 永州皓志稀土材料有限公司 | 一种硅基精抛液 |
CN102787005A (zh) * | 2011-05-18 | 2012-11-21 | 达兴材料股份有限公司 | 用于切削硬脆材料的加工组成物及切削组成物 |
CN103177972A (zh) * | 2011-12-21 | 2013-06-26 | 张卫兴 | 蓝宝石衬底材料的退火工艺 |
CN102585705A (zh) * | 2011-12-21 | 2012-07-18 | 上海新安纳电子科技有限公司 | 一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光液及其应用 |
CN102634850A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-15 | 江苏鑫和泰光电科技有限公司 | 一种蓝宝石晶片的退火方法 |
CN103374754A (zh) * | 2012-04-17 | 2013-10-30 | 鑫晶钻科技股份有限公司 | 蓝宝石材料及其制造方法 |
CN102888193A (zh) * | 2012-06-25 | 2013-01-23 | 上海应用技术学院 | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 |
CN102943303A (zh) * | 2012-11-14 | 2013-02-27 | 上海施科特光电材料有限公司 | 在采用泡生法生长蓝宝石过程中抑制气泡的方法 |
CN103014874A (zh) * | 2013-01-11 | 2013-04-03 | 焦作市光源晶电科技有限公司 | 一种蓝宝石晶体退火工艺 |
CN103103604A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-15 | 天通控股股份有限公司 | 大尺寸c向蓝宝石晶体制造方法 |
CN103643300A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 浙江上城科技有限公司 | 一种用于蓝宝石加工过程中的退火方法 |
CN103640097A (zh) * | 2013-11-26 | 2014-03-19 | 浙江上城科技有限公司 | 一种蓝宝石薄片金刚线切片方法 |
CN103882521A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 玉溪市明珠晶体材料有限公司 | 饰品级红宝石单晶体的生长方法 |
CN103882520A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-06-25 | 玉溪市明珠晶体材料有限公司 | 饰品级蓝宝石单晶体的生长方法 |
CN104669454A (zh) * | 2015-02-11 | 2015-06-03 | 浙江星星瑞金科技股份有限公司 | 一种带孔的蓝宝石手机视窗保护屏的加工方法 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
何雪梅: "《宝石人工合成技术》", 31 October 2004, 化学工业出版社 * |
宾鸿赞: "《先进加工过程技术》", 30 September 2009, 华中科技大学出版社 * |
杨树人: "《外延生长技术》", 31 July 1992, 国防工业出版社 * |
许发樾: "《实用模具设计与制造手册》", 30 September 2005, 机械工业出版社 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106764483A (zh) * | 2016-11-30 | 2017-05-31 | 深圳市耀铭豪智能科技有限公司 | 一种led照明装置及其制备方法 |
CN111515792A (zh) * | 2020-04-28 | 2020-08-11 | 福建晶安光电有限公司 | 一种适合石墨烯生长的衬底材料及其制作方法 |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20151216 |
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WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |