CN105153943B - 氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种氧化镓晶片抗解理抛光液，它由纳米级硅溶胶，纳米级辅助混合磨料，pH值调节剂，表面活性剂，络合剂，消泡剂，杀菌剂，助清洗剂和去离子水制成。本发明通过大量实验优选得到的抛光液，可有效避免氧化镓晶片抛光过程中解理缺陷的产生，可实现氧化镓晶片表面无缺陷、无损伤、超镜面的高速、高效抛光加工的目的，采用本发明抛光液进行化学机械抛光后，氧化镓晶片平整性良好，可获得无缺陷、无损伤的超镜面级光滑表面，抛光材料去除率为60nm/min，表面粗糙度Ra数值可达到0.8nm，取得了优异的技术效果，可克服现有技术的不足。

Description

氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种抛光液，特别涉及一种氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法。

背景技术

近年来，氧化镓(β-Ga2O3)作为新型氮化镓(GaN)衬底材料，晶格失配低至8.5％，隶属单斜晶系。该材料禁带宽度为4.8～4.9eV，可见光波段透过率大于80％，最短透过波长为260nm，基于高亮度LED对衬底材料的性能要求，其透光性堪与蓝宝石相媲美。氧化镓作为n型半导体，在导电性方面与SiC颇为相似。该材料兼具蓝宝石突出的透光性与碳化硅优良的导电性，且能够通过熔体法进行大尺寸单晶生长，是代替蓝宝石和碳化硅的理想GaN衬底材料，市场前景广阔。

随着高亮、高效LED技术的发展需要，衬底表面抛光技术面临着更为苛刻的要求，确保晶片表面的高度完整性：表面超光滑、晶体结构完整、无缺陷、无损伤、无变质层，对表面粗糙度要求达到了亚纳米级。化学机械抛光(CMP)技术是目前获得超光滑无损表面最为行之有效的措施之一，结合了纳米抛光磨料的机械去除作用和抛光液的化学作用，进而能够高效、高质量的获取镜面抛光表面。氧化镓(β-Ga2O3)作为新兴的光电子材料，只有少数大公司和科研院所能够对其晶体进行生长，该材料晶片的超精抛光技术，尤其是抛光液技术，目前掌握于该领域内的核心科研机构。氧化镓晶体材料不但具有传统光电子材料(如蓝宝石、碳化硅)的硬脆性特征(莫氏硬度为5～6)，抛光过程中极易产生划伤、塌边等缺陷，而且还具有独特的易解理特性，解理面为100面，对抛光压力、应力集中、温度极具敏感性，抛光不仅缓慢，尤其容易产生贯穿解理裂纹、局部解理坑点等缺陷，会对后氧化镓晶片的使用造成较大损失。

目前主流的碱性硅溶胶抛光液，基本上是利用碱性环境下晶片表面材质发生化学反应，再经机械去除作用实现晶片抛光加工，然而并没有考虑氧化镓材料的解理特性，难以实现晶片表面的无损伤超镜面抛光，因此，对于氧化镓晶片CMP加工工艺，尤其是专用抗解理型抛光液的研发，显得尤为迫切！

发明内容

发明目的：本发明针对在氧化镓晶片抛光过程中，抛光速率低，成本高，易产生贯穿解理裂纹、解理坑点、划伤、塌边等问题，提供一种氧化镓晶片抗解理抛光液及其制备方法。本发明通过大量实验优选得到的氧化镓晶片抗解理抛光液，使用方便、制备方 法简易，化学作用强且与机械作用相匹配、抛光效率高，晶片表面质量优异、无缺陷、无损伤、粗糙度Ra值可达亚纳米级，该抛光液可适用于专业氧化镓晶片抗解理化学机械抛光，可克服现有技术的不足。

技术方案：为了实现以上目的，本发明所采用的主要技术方案为：

一种氧化镓晶片抗解理抛光液，它由下列重量百分比的原料制成：

纳米级硅溶胶40％～60％，纳米级辅助混合磨料1％～5％，pH值调节剂0.5％～3％，表面活性剂0.1％～3％，络合剂0.05％～3％，消泡剂0.002％～0.02％，杀菌剂0.001％～0.02％，助清洗剂0.01％～0.1％，其余的为去离子水。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，它由下列重量百分比的原料制成：

纳米级硅溶胶40％～50％，纳米级辅助混合磨料3％～5％，pH值调节剂0.5％～3％，表面活性剂2％～3％，络合剂：1％～2％，消泡剂：0.01％～0.02％，杀菌剂0.01％～0.02％，助清洗剂：0.01％～0.05％，其余的为去离子水。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，所述的纳米级硅溶胶中二氧化硅颗粒的重量百分含量为40％，二氧化硅颗粒粒径为10～15nm，二氧化硅胶团颗粒粒径≤50nm。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，所述的纳米级辅助混合磨料为氧化锆、氧化钛和氧化铈中一种或它们的混合物；磨料粒径≤50nm，平均粒径略大于二氧化硅颗粒的粒径；所述的纳米级辅助混合磨料的莫氏硬度为5.5～6.5。纳米级辅助混合磨料的莫氏硬度均低于二氧化硅(SiO₂)的莫氏硬度7，与氧化镓(β-Ga₂O₃)的莫氏硬度5～6更为接近。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，所述的pH值调节剂为无机碱pH值调节剂和有机碱pH值调节剂按重量比1：1～5组成，无机碱pH值调节剂为氢氧化钾，有机碱pH值调节剂为乙醇胺，乙二胺，三乙胺或三乙醇胺中的任意一种或多种的混合物，本发明通过大量实验筛选pH值调节剂的组成，其中有机碱均不含金属离子，有机胺碱不仅能够调节抛光液的pH值，而且有稳定抛光液pH值的效用，及充当部分络合剂的作用。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，所述的表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或多种的混合物。本发明通过大量实验筛选出聚氧乙烯型非离子表面活性剂，从而可减少外来金属离子对抛光晶片造 成的二次污染。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠，属于氨基羧酸盐类络合剂，络合能力强、耐碱性较好。

作为优选方案，以上所述的氧化镓晶片抗解理抛光液，所述的消泡剂为聚二甲基硅氧烷；杀菌剂为异噻唑啉酮；助清洗剂为异丙酮。

本发明所述的氧化镓晶片抗解理抛光液的制备方法，其包括以下步骤：

(1)以纳米级硅溶胶溶液为母液，按权利要求1或2的重量百分含量，将纳米级辅助混合磨料加入纳米级硅溶胶母液中，并注入部分去离子水，充分搅拌，形成以纳米级硅溶胶为母液的混合稀释溶液，静置、冷却至室温，备用；

(2)在搅拌的条件下，按权利要求1或2的重量百分含量，将表面活性剂、络合剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂，及部分重量份额的pH值调节剂加入到剩余的去离子水中，充分搅拌，待各组分试剂充分溶解于去离子水中后，得混合水溶液，静置、冷却至室温，备用；

(3)将步骤(2)得到的混合水溶液缓慢加入到步骤(1)得到的以纳米级硅溶胶为母液的混合稀释溶液中，流量控制在100～150ml/min，边加边搅拌，完全加入后，再充分搅拌20～40min，得到混合均匀的准抛光液；

(4)最后将剩余重量份额的pH值调节剂在搅拌的条件下，缓慢滴加到步骤(3)得到的准抛光液中，控制抛光液的pH值在9.0～12.5的范围以内，充分搅拌混合均匀后，得到氧化镓晶片抗解理抛光液。

本发明通过大量实验筛选得到的氧化镓晶片抗解理抛光液，抗解理抛光液中纳米级硅溶胶作为抛光磨料，主要为实现CMP过程的机械摩擦作用，从而实现氧化镓晶片表面材料的机械去除。较大粒径的纳米级辅助混合磨料主要作用于抛光初始阶段，该阶段目的在于去除晶片表面研磨加工时残留的表面微裂纹、应力损伤层等缺陷结构。由于众多缺陷损伤的存在，该阶段抛光加工过程中极易导致解理缺陷的产生，而纳米级辅助混合磨料中氧化锆(ZrO₂)、氧化钛(TiO₂)和氧化铈(CeO₂)的硬度均低于二氧化硅(SiO₂)，与氧化镓(β-Ga₂O₃)晶片表面的硬度相当接近，部分纳米级辅助混合磨料的硬度甚至略低于氧化镓，因此，较大粒径纳米级辅助混合磨料的存在，可减少抛光初期对残留缺陷产生的力学扩展作用，可有效避免氧化镓晶片抛光过程中解理缺陷的产生。随着抛光加工进行到中后期，较大粒径的纳米级辅助混合磨料碎裂成较小粒径，此时硬度略高、粒径较小的纳米级二氧化硅磨粒参与到抛光加工机械去除作用中，由于该阶段主要缺陷 层已被去除，晶片表面应力状况得到改善，且抛光磨料粒径进一步减小，硬度略高的二氧化硅磨料不会对抛光加工产生负面效果，反而可提高抛光效率。

氧化镓晶片抗解理抛光液选用有机碱与无机碱的复合碱作为pH调节剂，其中无机碱KOH能够有效的增强抛光液的化学作用，有机碱乙醇胺＞乙二胺＞三乙胺＞三乙醇胺对抛光液的pH值起到了很好的维持稳定的作用，确保抛光过程中化学作用的一致稳定，从而可实现平稳高效的抛光速率。

本发明通过大量实验优选得到的非离子表面活性剂，不仅可保持抛光液中纳米级抛光磨料的高稳定性，而且对于CMP加工中抛光凸凹选择性的提高、高低选择比的增强、表面张力的降低、表面损伤的减小，起到积极有效的作用，从而可提升抛光过程中质量传输速率和运输过程，实现氧化镓晶片表面超镜面抛光加工。

本发明通过大量实验优选得到的氨基羧酸盐类络合剂，络合能力强、耐碱性较好，有助于将抛光产物从氧化镓晶片表层去除，提高CMP效率。此外，聚氧乙烯型表面活性剂的存在，常常会在抛光液中产生大量泡沫，不利于抛光加工的过程控制，适量的消泡剂可实现抗解理抛光液的低泡甚至无泡。抛光液中有机成分的存在，易导致霉菌的产生，令抛光液变质，本发明添加优选量的杀菌剂可有效抑制霉菌的生长，从而可解决抛光液长时间存放的问题。本发明优选添加量的助清洗剂能够有效减少颗粒吸附，降低氧化镓晶片后续清洗的成本。

有益效果：本发明和现有技术相比具有以下优点：

1.本发明通过大量实验优选得到的抛光液，抛光磨料选用纳米级硅溶胶和纳米级辅助混合磨料，可可有效避免氧化镓晶片抛光过程中解理缺陷的产生，可实现氧化镓晶片表面无缺陷、无损伤、超镜面的高速、高效抛光加工的目的。

2.本发明所涉及的抛光液为碱性，对抛光设备无腐蚀性，混合胶体溶液具有较好的稳定性，抛光加工结束后清洗方便，可避免酸性抛光液容易凝胶、对环境造成污染等的诸多弊端。

3.本发明所涉及的抛光液抛光磨料含量浓度较高，达到15～30wt％，还具有pH高，便于运输、储存等优点，可有效降低抛光成本。

4.本发明提供的氧化镓晶片抗解理抛光液的制备方法，工艺设计合理，可操作性强，制备得到的抛光液对氧化镓晶片进行化学机械抛光后，晶片平整性良好，可获得无缺陷、无损伤的超镜面级光滑表面，抛光材料去除率为60nm/min，表面粗糙度Ra数值可达到0.8nm。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发 明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

本发明提供的氧化镓晶片抗解理抛光液实施例1～3的各成分和含量如下表：

实施例1所述的抛光液的制备过程，具体制备步骤如下：

(1)备料：依据原料制备重量百分比，分别称取纳米级硅溶胶2500g、纳米级氧化锆磨料200g、氢氧化钾20g、乙醇胺80g、脂肪醇聚氧乙烯醚100g、乙二胺四乙酸二钠50g、聚二甲基硅氧烷1g、异噻唑啉酮0.5g、异丙酮1.5g、去离子水2047g，备用；

(2)纳米磨料稀释液配制：将200g纳米级氧化锆磨料缓慢均匀的加入到2500g纳米级硅溶胶溶液中，边加入边搅拌，并注入1000g去离子水，使用电动磁力搅拌装置进行约20min的充分搅拌，形成以硅溶胶为母液的混合稀释溶液3700g，静置、冷却至室温，备用；

(3)各组分试剂稀释液配制：在电动磁力搅拌装置搅拌的条件下，依次将100g脂肪醇聚氧乙烯醚、50g乙二胺四乙酸二钠、1g聚二甲基硅氧烷、0.5g异噻唑啉酮、1.5g异丙酮及20g氢氧化钾依次加入到剩余的去离子水中，充分搅拌约20min，待各组分试剂充分溶解于去离子水中后，取得混合水溶液1220g，静置、冷却至室温，备用；

(4)准抛光液配制：将1220g各组分试剂稀释液缓慢均匀加入到3700g纳米磨料稀释液中，边加边搅拌，流量控制在100ml/min左右，完全加入后，再充分搅拌20min，得到混合均匀的准抛光液4920g，备用；

(5)pH值调节：将80g乙醇胺缓慢均匀加入到4920g准抛光液中，充分搅拌混合均匀，此时pH值约为11，即获得5000g用于氧化镓晶片化学机械抛光的抗解理抛光液。

取上述用于氧化镓晶片化学机械抛光的抗解理抛光液进行抛光实验，使用Unipol-1502精密抛光机对氧化镓晶片进行化学机械抛光，晶片外形尺寸为15×15mm，抛光压力350g/cm²，抛光盘转速为60RPM，抛光液流量为20ml/min。抛光加工结束后氧化镓晶片表面完整、无解理缺陷，使用VK-X100/X200形状测量激光显微镜检测10×10μm平面区域内表面粗糙度Ra数值为1nm，使用AFM—IIa型原子力显微镜测得5×5μm平面区域内表面粗糙度Ra数值为0.8nm，采用Sartorisu CP 225D型精密电子天平(精度0.01mg)，对抛光前后氧化镓晶片进行称重，计算该抛光液抛光材料去除率为3.6μm/h。由此可见，本发明抛光液适用于氧化镓晶片的抛光加工，相比现有技术取得了非常好的技术进步。

对比实验：

按上述方法，采用现有技术中碱性硅溶胶抛光液(由纳米硅溶胶、络合剂、表面活性剂、pH值调节剂、去离子水构成)，参与抛光过程材料机械去除作用的磨粒较为单一，不能有效适应硬脆易解理性氧化镓晶片抛光加工初始阶段、中后期阶段对磨粒本身性质的要求。)对氧化镓晶片化学机械抛光，抛光加工结束后，氧化镓晶片表面出现贯穿解理裂纹和局部解理坑点和塌边等缺陷，抛光质量较差。

实施例2所述的抛光液的制备过程，具体制备步骤如下：

(1)备料：依据原料制备重量百分比，分别称取纳米级硅溶胶2500g、纳米级氧化锆100g、氧化钛100g、氢氧化钾20g、乙二胺80g、辛基酚聚氧乙烯醚100g、乙二胺四乙酸四钠80g、聚二甲基硅氧烷1g、异噻唑啉酮0.5g、异丙酮1.5g、去离子水2017g，备用；

(2)纳米磨料稀释液配制：将纳米级氧化锆100g和氧化钛100g磨料缓慢均匀的加入到2500g纳米级硅溶胶溶液中，边加入边搅拌，并注入1000g去离子水，使用电动磁力搅拌装置进行约20min的充分搅拌，形成以硅溶胶为母液的混合稀释溶液3700g，静置、冷却至室温，备用；

(3)各组分试剂稀释液配制：在电动磁力搅拌装置搅拌的条件下，依次将100g辛基酚聚氧乙烯醚、乙二胺四乙酸四钠80g、1g聚二甲基硅氧烷、0.5g异噻唑啉酮、1.5g异丙酮及20g氢氧化钾依次加入到剩余的去离子水中，充分搅拌约20min，待各组分试剂充分溶解于去离子水中后，取得混合水溶液1220g，静置、冷却至室温，备用；

(4)准抛光液配制：将1220g各组分试剂稀释液缓慢均匀加入到3700g纳米磨料稀释液中，边加边搅拌，流量控制在120ml/min左右，完全加入后，再充分搅拌30min，得到混合均匀的准抛光液4920g，备用；

(5)pH值调节：将80g乙二胺缓慢均匀加入到4920g准抛光液中，充分搅拌混合均匀，此时pH值约为11，即获得5000g用于氧化镓晶片化学机械抛光的抗解理抛光液。

取上述用于氧化镓晶片化学机械抛光的抗解理抛光液进行抛光实验，使用Unipol-1202精密抛光机对氧化镓晶片进行化学机械抛光，晶片外形尺寸为15×15mm，抛光压力380g/cm²，抛光盘转速为80RPM，抛光液流量为20ml/min。抛光加工结束后氧化镓晶片表面完整、无解理缺陷，使用VK-X100/X200形状测量激光显微镜检测10×10μm平面区域内表面粗糙度Ra数值为1.0nm，使用AFM—IIa型原子力显微镜测得5×5μm平面区域内表面粗糙度Ra数值为0.9nm，采用Sartorisu CP 225D型精密电子天平(精度0.01mg)，对抛光前后氧化镓晶片进行称重，计算该抛光液抛光材料去除率为3.8μm/h。由此可见，本发明抛光液适用于氧化镓晶片的抛光加工，相比现有技术取得了非常好的技术进步。

对比实验：

按上述方法，采用现有技术中碱性硅溶胶抛光液(由纳米硅溶胶、络合剂、表面活性剂、pH值调节剂、去离子水构成)对氧化镓晶片化学机械抛光，抛光加工结束后，氧化镓晶片表面出现贯穿解理裂纹和局部解理坑点和塌边等缺陷，抛光质量较差。

实施例3所述的抛光液的制备过程，具体制备步骤如下：

(1)备料：依据原料制备重量百分比，分别称取纳米级硅溶胶1000g、纳米级氧化锆70g、氧化钛70g、氧化铈70g、氢氧化钾10g、三乙醇胺50g、脂肪醇聚氧乙烯醚35g、脂肪酸聚氧乙烯醚35g、乙二胺四乙酸四钠50g、聚二甲基硅氧烷0.5g、异噻唑啉酮0.5g、异丙酮1g、去离子水1108g，备用；

(2)纳米磨料稀释液配制：将纳米级纳米级氧化锆70g、氧化钛70g、氧化铈70g磨料缓慢均匀的加入到1000g纳米级硅溶胶溶液中，边加入边搅拌，并注入500g去离子水，使用电动磁力搅拌装置进行约30min的充分搅拌，形成以硅溶胶为母液的混合稀释溶液1710g，静置、冷却至室温，备用；

(3)各组分试剂稀释液配制：在电动磁力搅拌装置搅拌的条件下，依次将脂肪醇聚氧乙烯醚35g、脂肪酸聚氧乙烯醚35g、乙二胺四乙酸四钠50g、0.5g聚二甲基硅氧烷、0.5g异噻唑啉酮、1g异丙酮及10g氢氧化钾依次加入到剩余的去离子水中，充分搅拌约30min，待各组分试剂充分溶解于去离子水中后，静置、冷却至室温，备用；

(4)准抛光液配制：将步骤(3)试剂稀释液缓慢均匀加入到步骤(1)纳米磨料稀释液中，边加边搅拌，流量控制在150ml/min左右，完全加入后，再充分搅拌30min，得到混合均匀的准抛光液，备用；

(5)pH值调节：将50g三乙醇胺缓慢均匀加入到准抛光液中，充分搅拌混合均匀，此时pH值约为11，即获得2500g用于氧化镓晶片化学机械抛光的抗解理抛光液。

取上述用于氧化镓晶片化学机械抛光的抗解理抛光液进行抛光实验，使用Unipol-1502精密抛光机对氧化镓晶片进行化学机械抛光，晶片外形尺寸为15×15mm，抛光压力320g/cm²，抛光盘转速为50RPM，抛光液流量为10ml/min。抛光加工结束后氧化镓晶片表面完整、无解理缺陷，使用VK-X100/X200形状测量激光显微镜检测10×10μm平面区域内表面粗糙度Ra数值为1.0nm，使用AFM—IIa型原子力显微镜测得5×5μm平面区域内表面粗糙度Ra数值为0.9nm，采用Sartorisu CP 225D型精密电子天平(精度0.01mg)，对抛光前后氧化镓晶片进行称重，计算该抛光液抛光材料去除率为3.1μm/h。

对比实验：

按上述方法，采用现有技术中碱性硅溶胶抛光液(由纳米硅溶胶、络合剂、表面活性剂、pH值调节剂、去离子水构成)对氧化镓晶片化学机械抛光，抛光加工结束后，氧化镓晶片表面出现贯穿解理裂纹和局部解理坑点和塌边等缺陷，抛光质量较差。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (2)

1.一种氧化镓晶片抗解理抛光液，其特征在于：它由下列重量百分比的原料制成：

纳米级硅溶胶40％～50％，纳米级辅助混合磨料3％～5％，pH值调节剂0.5％～3％，表面活性剂2％～3％，络合剂1％～2％，消泡剂0.01％～0.02％，杀菌剂0.01％～0.02％，助清洗剂0.01％～0.05％，其余的为去离子水；

所述的纳米级硅溶胶中二氧化硅颗粒的重量百分含量为40％，二氧化硅颗粒粒径为10～15nm，二氧化硅胶团颗粒粒径≤50nm；

所述的纳米级辅助混合磨料为氧化锆和氧化钛的组合物或者为氧化锆、氧化钛和氧化铈的组合物；磨料粒径≤50nm，平均粒径略大于二氧化硅颗粒的粒径；所述的纳米级辅助混合磨料的莫氏硬度为5.5～6.5；

所述的pH值调节剂为无机碱pH值调节剂和有机碱pH值调节剂按重量比1：1～5组成，无机碱pH值调节剂为氢氧化钾，有机碱pH值调节剂为乙醇胺，乙二胺，三乙胺或三乙醇胺中的任意一种或多种的混合物；

所述的表面活性剂为辛基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、聚氧乙烯脱水山梨醇单油酸酯和硬脂酸甲酯聚氧乙烯醚中的任意一种或多种的混合物；

所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠或乙二胺四乙酸四钠；

所述的消泡剂为聚二甲基硅氧烷；杀菌剂为异噻唑啉酮；助清洗剂为异丙酮。

2.权利要求1所述的氧化镓晶片抗解理抛光液的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)以纳米级硅溶胶溶液为母液，按权利要求1的重量百分含量，将纳米级辅助混合磨料加入纳米级硅溶胶母液中，并注入部分去离子水，充分搅拌，形成以纳米级硅溶胶为母液的混合稀释溶液，静置、冷却至室温，备用；

(2)在搅拌的条件下，按权利要求1的重量百分含量，将表面活性剂、络合剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂，及部分重量份额的pH值调节剂加入到剩余的去离子水中，充分搅拌，待各组分试剂充分溶解于去离子水中后，得混合水溶液，静置、冷却至室温，备用；

(3)将步骤(2)得到的混合水溶液缓慢加入到步骤(1)得到的以纳米级硅溶胶为母液的混合稀释溶液中，流量控制在100～150ml/min，边加边搅拌，完全加入后，再充分搅拌20～40min，得到混合均匀的准抛光液；

(4)最后将剩余重量份额的pH值调节剂在搅拌的条件下，缓慢滴加到步骤(3)得到的准抛光液中，控制抛光液的pH值在9.0～12.5的范围以内，充分搅拌混合均匀后，得到氧化镓晶片抗解理抛光液。