CN105116685A - 一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置，涉及显示技术领域，可形成窄线宽的黑矩阵，提高显示装置的透过率和开口率。该方法包括：在衬底基板上涂覆负性光刻胶形成第一光刻胶层，并在第一光刻胶层上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案；对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除第一光刻胶图案，保留第二光刻胶图案。该方法可应用于彩色滤光片的制作过程中。

Description

一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置。
背景技术
彩色滤光片(colorfilter)为液晶显示器的彩色化关键组件，通过彩色滤光片的处理，可将LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)背光模块发射的强光呈现出彩色的画面。彩色滤光片的制作是在玻璃基板上制作网格排布的黑矩阵，进而将红、绿、蓝三原色的色阻依序排列在黑矩阵所限定的像素单元内。
在制作黑矩阵时，如图1所示，通常在玻璃基板01上涂覆黑色光刻胶形成光刻胶层02，然后，如图2所示，使用掩膜版03对光刻胶层02进行曝光、显影等工艺，最终，如图3所示，得到保留在玻璃基板01上的黑矩阵04。
目前，一般制作的黑矩阵的线宽在5um左右，线宽再小时，黑矩阵光刻胶直接与显影液发生大面积接触式的反应，容易发生膜层脱落，或边沿不齐等不良，而随着高PPI(PixelsPerInch，表示每英寸所拥有的像素数目)产品的飞速发展，线宽5um的黑矩阵已经无法满足LCD产品对透过率和开口率的要求，因此，如何制作窄线宽的黑矩阵图形已成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置，可形成窄线宽的黑矩阵，进一步可提高显示装置的透过率和开口率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法，包括：
在衬底基板上涂覆负性光刻胶形成第一光刻胶层，并在所述第一光刻胶层上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除所述第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及所述第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到所述第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和所述第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案，其中，所述第一光刻胶图案的线宽大于所述第二光刻胶图案的线宽，所述第一区域在所述衬底基板上的投影位于所述第二区域在所述衬底基板上的投影内；
对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案。
进一步地，在衬底基板上依次涂覆负性光刻胶和正性光刻胶，形成第一光刻胶层和所述第一光刻胶层上的第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除所述第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及所述第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到所述第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和所述第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案的线宽大于所述第二光刻胶图案的线宽；
对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案。
进一步地，使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行第一次曝光，包括：
采用所述遮光区域的线宽为预设线宽的掩膜版，对所述第二光刻胶层进行第一次曝光，
所述预设线宽＝所述黑矩阵的线宽+所述黑矩阵的线宽与所述遮光区域线宽的差值。
进一步地，对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次显影，包括：
采用预设的显影时间，对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次显影。
进一步地，使用显影液进行所述第一次显影，包括：
采用预设的显影液的温度或浓度，进行所述第一次显影。
进一步地，所述负性光刻胶为负性黑色光刻胶，所述负性光刻胶的感光区间与所述正性光刻胶的感光区间部分重叠，或不重叠。
进一步地，在衬底基板上依次涂覆负性光刻胶和正性光刻胶，形成第一光刻胶层和所述第一光刻胶层上的第二光刻胶层，包括：
在所述衬底基板上涂覆所述负性光刻胶，形成所述第一光刻胶层，并对形成有所述第一光刻胶层的衬底基板进行真空干燥和软烤；
在所述第一光刻胶层上涂覆所述正性光刻胶，形成所述第二光刻胶层，并对形成有所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的衬底基板进行真空干燥和软烤。
进一步地，对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案，包括：
从所述衬底基板的上侧对所述第一光刻胶图案进行所述第二次曝光，从所述衬底基板的下侧对所述第二光刻胶图案进行所述第二次曝光；
使用显影液进行所述第二次显影，以去除所述第一光刻胶图案，并保留所述第二光刻胶图案。
进一步地，在对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案之后，还包括：
对形成有所述黑矩阵的衬底基板进行固化。
另一方面，本发明的实施例提供一种彩色滤光片，包括由上述任一项制作方法制作而成的黑矩阵。
另一方面，本发明的实施例提供一种显示装置，包括上述彩色滤光片。
本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置，首先，在衬底基板上分别涂覆负性光刻胶和正性光刻胶，分别形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；进而，对该第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光和第一次显影，去除第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到第一光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和第二光刻胶层中保留的第二光刻胶图案，其中，第一区域在衬底基板上的投影位于该第二区域在衬底基板上的投影内，即第一光刻胶图案的线宽小于第二光刻胶图案的线宽；最终，对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除该第二光刻胶图案，而该第一光刻胶图案即为黑矩阵。可以看出，在第一次显影时，曝光的第二光刻胶层中的第一区域与显影液发生反应而溶解，全部溶解完后，覆于其下的未曝光的第一光刻胶层中的负性光刻胶也相继发生溶解，并且，未曝光的第二光刻胶层下覆盖的负性光刻胶，由于侧向显影液的接触同样发生溶解，使得未曝光的第二光刻胶层下覆盖的负性光刻胶的边沿部分溶解，这样一来，通过利用第二光刻胶层中正性光刻胶做表层掩护，避免了第一光刻胶层中负性光刻胶直接与显影液发生大面积接触式的反应，这样，当负性光刻胶为制作黑矩阵的黑色负性光刻胶时，可改善在制作窄线宽的黑矩阵时由于直接与显影液接触而引起的膜层脱落，从而形成窄线宽的黑矩阵，提高显示装置的透过率和开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中制作黑矩阵的示意图一；
图2为现有技术中制作黑矩阵的示意图二；
图3为现有技术中制作黑矩阵的示意图三；
图4为本发明实施例提供的一种光刻胶图案的制作方法的流程示意图一；
图5为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图一；
图6为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图二；
图7为本发明实施例提供的一种光刻胶图案的制作方法的流程示意图二；
图8为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图三；
图9为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图四；
图10为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图五；
图11为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图六；
图12为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图七；
图13为本发明实施例提供的一种黑矩阵的结构示意图八。
具体实施方式
以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
另外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法，如图4所示，包括：
101、在衬底基板上涂覆负性光刻胶形成第一光刻胶层，并在该第一光刻胶层上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层。
具体的，如图5所示，在衬底基板11上分别依次涂覆负性光刻胶和正性光刻胶，该负性光刻胶形成第一光刻胶层12，该正性光刻胶形成位于第一光刻胶层12之上的第二光刻胶层13。
其中，该负性光刻胶具体可以为用于制作黑矩阵的负性黑色光刻胶，本发明后续实施例中均以负性黑色光刻胶为例进行举例说明。
光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶，正性光刻胶中照到光的部分会溶于光刻胶显影液，而没有照到光的部分不会溶于光刻胶显影液或溶解非常缓慢；相应的，负性光刻胶中照到光的部分不会溶于光刻胶显影液，而没有照到光的部分会溶于光刻胶显影液或溶解非常缓慢。
另外，在衬底基板11上涂覆所述负性黑色光刻胶，形成所述第一光刻胶层12之后，还可以进一步对所述第一光刻胶层12进行真空干燥(VacuumDry)和软烤(Softbake)工艺，即将形成有第一光刻胶层12的衬底基板11经过减压真空干燥和预烘烤后形成固态膜层，以使得第一光刻胶层12中的溶剂蒸发去除，进而在第一光刻胶层12上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层13，增加第一光刻胶层12与第二光刻胶层13之间的附着力。
类似的，在形成所述第二光刻胶层13之后，也可以对所述第二光刻胶层13分别进行真空干燥和软烤工艺。
其中，所述第一光刻胶层12和第二光刻胶层13的厚度可以为0.9～2.5um之间的任意数值。
另外，衬底基板11可以具体可以为玻璃基板，或者是贴覆在玻璃基板上的柔性透明基板，本发明对此不作任何限制。
102、对第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案。
其中，该第一区域在衬底基板上的投影位于该第二区域在衬底基板上的投影内，即，该第一光刻胶图案的线宽小于该第二光刻胶图案的线宽。
如图6所示，在步骤102中，可使用掩膜版21对该第二光刻胶层13进行第一次曝光，由于第二光刻胶层13中的光刻胶为正性，因此，曝光区域的光刻胶经光照后变成可溶物质，经过显影后可去除曝光区域的光刻胶(即去除第二光刻胶层13中第一区域31的光刻胶)。进而，显影液与第一区域31下覆盖的第一光刻胶层中的负性黑色光刻胶反应并溶解，并且，在未曝光的第二光刻胶层13下覆盖的负性黑色光刻胶，由于侧向显影液的接触同样发生溶解，使得未曝光的第二光刻胶层13下覆盖的负性黑色光刻胶的边沿部分溶解(即去除第一光刻胶层12中第二区域的光刻胶)，这样一来，通过利用第二光刻胶层13做表层掩护，避免了负性黑色光刻胶直接与显影液发生大面积接触式的反应，改善了在制作窄线宽的黑矩阵时由于直接与显影液接触而引起的膜层脱落，从而形成窄线宽的黑矩阵。
示例性的，如图7所示，以下以步骤201至203为例具体阐述步骤102。
201、使用掩膜版对第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光。
如图6所示，在步骤201中，可使用掩膜版21对该第二光刻胶层13中的第一区域31进行第一次曝光，例如紫外曝光，此时，曝光区域31(即第一区域31)的正性光刻胶，因受紫外光照射而分解成可被显影液溶解的小分子。
相应的，此时位于第二光刻胶层13的第一光刻胶层12未受到曝光，由于第一光刻胶层12内为负性黑色光刻胶，因此，该负性黑色光刻胶也可被显影液溶解。
202、使用显影液进行第一次显影，去除第二光刻胶层中第一区域的光刻胶，形成第一光刻胶图案，并裸露出覆盖于第一区域下的部分第一光刻胶层。
如图8所示，在步骤201之后，可使用显影液进行第一次显影，该显影液可去除第二光刻胶层13中第一区域31的光刻胶，形成第一光刻胶图案100，并裸露出覆盖于第一区域31下的部分第一光刻胶层12。
203、继续使用该显影液去除覆盖于第一区域下的部分第一光刻胶层，以及位于第一光刻胶图案下的部分第一光刻胶层，形成第二光刻胶图案。
如图9所示，由于步骤202中裸露出的部分第一光刻胶层21为负性黑色光刻胶，该负性黑色光刻胶也可被显影液溶解。因此，在步骤203中，显影液继续与覆盖于第一区域31下的部分第一光刻胶层12(即图9中的41部分)进行反应后被去除。
此时，由于第一光刻胶图案100下的第一光刻胶层21的侧向与显影液接触并发生反应，使得第一光刻胶图案100下覆盖的负性黑色光刻胶的边沿部分(即图9中的42部分，此时，41部分与42部分组成第一光刻胶层12中第二区域32)溶解，最终得到如图10所示的第二光刻胶图案200。
另外，可选择负性黑色光刻胶的感光区间与正性光刻胶的感光区间部分重叠的负性黑色光刻胶和正性光刻胶分别形成第一光刻胶层12和第二光刻胶层13。
这样，在执行步骤201，即使用掩膜版21对第二光刻胶层13进行第一次曝光时，由于负性黑色光刻胶的感光区间与正性光刻胶的感光区间部分重叠，此时，可导致第一光刻胶层12中的负性黑色光刻胶也轻微曝光，进而，通过步骤210-203可得到如图11所示的第二光刻胶图案，使第二光刻胶图案具有较缓和的坡度角。
具体的，如图6所示，设掩膜版21的遮光区域线宽(即预设线宽)为D1，而图10中所示的第二光刻胶图案200中负性黑色光刻胶的线宽为D2，且线宽为D1与第二光刻胶图案200中负性黑色光刻胶的线宽D2的偏差为C，即D2+C＝D1。
此时，可以根据预置的黑矩阵的线宽与预置的掩膜版的遮光区域线宽的差值C，以及该预置的黑矩阵的线宽D2，计算所述掩膜版21的预设线宽D1；进而，在第一次显影时间一定，显影液的浓度及温度固定的条件下，使用该预设线宽为D1的掩膜版，对第二光刻胶层13进行第一次曝光，以形成线宽为D2的黑矩阵。
例如，操作人员预置的黑矩阵的线宽D2为4um，即希望制作出的黑矩阵的线宽为4um，并且，预置黑矩阵的线宽与掩膜版的遮光区域线宽的差值C为4um，此时，可通通计算得出掩膜版21的遮光区域线宽D1＝D2+C＝4um+4um＝8um，那么，在第一次显影时间一定，显影液的浓度及温度固定的条件下，操作人员使用遮光区域线宽为8um的掩膜版21便可以得到线宽为4um的黑矩阵。
可以看出，在第一次显影时间一定，显影液的浓度及温度固定的条件下，可以通过调整掩膜版21的遮光区域线宽D1，改变黑矩阵的线宽。
又或者，还可以通过控制显影液的温度和/或浓度，调整黑矩阵的线宽，即采用预设的显影时间，对第二光刻胶层13的第一区域31进行第一次显影；或者，通过控制进而第一次显影的时间，调整黑矩阵的线宽。即采用预设的显影液的温度和/或浓度，进行第一次显影。
其中，所述显影液具体可以包含低浓度的无机碱，如氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾等，也可以包含低浓度有机碱，如四甲基氢氧化铵、甲醇钠、乙醇钾等胺类化合物或碱金属盐类、烷基金属锂化合物。
至此，通过第一次曝光和第一次显影，去除第二光刻胶层13中第一区域31的光刻胶，以及第一光刻胶层13中第二区域32的光刻胶，得到第一光刻胶图案100和所述第二光刻胶图案200。
103、对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除第一光刻胶图案，而第二光刻胶图案为黑矩阵。
如图12所示，在步骤103中，可通过上下全覆盖式的高强度光照射进行第二次曝光，即从衬底基板11的上侧对第一光刻胶图案100进行第二次曝光，从所述衬底基板11的下侧对第二光刻胶图案200进行该第二次曝光，第二次曝光后保留的第一光刻胶图案100内的正性光刻胶全部分解，而第一光刻胶图案200内的负性黑色光刻胶完全交联。
当然，第二次曝光的曝光量与曝光波长可依实际效果可进行调整；曝光量可以不设置上限，可依据生产节拍，尽量使用较大的曝光量。
在进行第二次曝光后进行第二次显影，此时，第一光刻胶图案100的正性光刻胶在强曝光条件下被分解成小分子，因此与显影溶解反应被去除，衬底基板11表面保留的第二光刻胶图案200由于充分曝光发生交联聚合，不易与显影液发生反应，最终在衬底基板11上形成如图13所示的黑矩阵。
104、对形成有黑矩阵的衬底基板进行高温固化。
具体的，可以在160°-230°的温度条件下，将形成有黑矩阵的衬底基板11进行彻底固化。
另外，本发明实施例还提供一种彩色滤光片，包括上述实施例中制作得到的黑矩阵。
具体的，可在如图13所示的黑矩阵上依次形成彩色层、平坦化层、氧化铟锡层、以及隔垫物层，最终得到彩色滤光片。
进一步地，本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种彩色滤光片。
其中，所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置，首先，在衬底基板上分别涂覆负性光刻胶和正性光刻胶，分别形成第一光刻胶层和第二光刻胶层；进而，对该第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光和第一次显影，去除第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到第一光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和第二光刻胶层中保留的第二光刻胶图案，其中，第一区域在衬底基板上的投影位于该第二区域在衬底基板上的投影内，即第一光刻胶图案的线宽小于第二光刻胶图案的线宽；最终，对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除该第二光刻胶图案，而该第一光刻胶图案即为黑矩阵。可以看出，在第一次显影时，曝光的第二光刻胶层中的第一区域与显影液发生反应而溶解，全部溶解完后，覆于其下的未曝光的第一光刻胶层中的负性光刻胶也相继发生溶解，并且，未曝光的第二光刻胶层下覆盖的负性光刻胶，由于侧向显影液的接触同样发生溶解，使得未曝光的第二光刻胶层下覆盖的负性光刻胶的边沿部分溶解，这样一来，通过利用第二光刻胶层中正性光刻胶做表层掩护，避免了第一光刻胶层中负性光刻胶直接与显影液发生大面积接触式的反应，这样，当负性光刻胶为制作黑矩阵的黑色负性光刻胶时，可改善在制作窄线宽的黑矩阵时由于直接与显影液接触而引起的膜层脱落，从而形成窄线宽的黑矩阵，提高显示装置的透过率和开口率。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种光刻胶图案的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上涂覆负性光刻胶形成第一光刻胶层，并在所述第一光刻胶层上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层；
对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除所述第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及所述第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到所述第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和所述第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案，其中，所述第一光刻胶图案的线宽大于所述第二光刻胶图案的线宽，所述第一区域在所述衬底基板上的投影位于所述第二区域在所述衬底基板上的投影内；
对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除所述第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及所述第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到所述第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和所述第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案，包括：
使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行第一次曝光；所述掩膜版由遮光区域和透光区域组成，其中，所述透光区域对应所述第二光刻胶层中的第一区域；
使用显影液进行所述第一次显影，以去除所述第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及位于去除的正性光刻胶下方的负性光刻胶及其周边的负性光刻胶，得到所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，使用掩膜版对所述第二光刻胶层进行第一次曝光，包括：
采用所述遮光区域的线宽为预设线宽的掩膜版，对所述第二光刻胶层进行第一次曝光，
所述预设线宽＝所述黑矩阵的线宽+所述黑矩阵的线宽与所述遮光区域线宽的差值。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的制作方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次显影，包括：
采用预设的显影时间，对所述第二光刻胶层的第一区域进行第一次显影。
5.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，使用显影液进行所述第一次显影，包括：
采用预设的显影液的温度或浓度，进行所述第一次显影。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述负性光刻胶为负性黑色光刻胶，所述负性黑色光刻胶的感光区间与所述正性光刻胶的感光区间部分重叠，或不重叠。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上依次涂覆负性光刻胶和正性光刻胶，形成第一光刻胶层和所述第一光刻胶层上的第二光刻胶层，包括：
在所述衬底基板上涂覆所述负性光刻胶，形成所述第一光刻胶层，并对形成有所述第一光刻胶层的衬底基板进行真空干燥和软烤；
在所述第一光刻胶层上涂覆所述正性光刻胶，形成所述第二光刻胶层，并对形成有所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层的衬底基板进行真空干燥和软烤。
8.根据权利要求1-3中任一项所述的制作方法，其特征在于，对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案，包括：
从所述衬底基板的上侧对所述第一光刻胶图案进行所述第二次曝光，从所述衬底基板的下侧对所述第二光刻胶图案进行所述第二次曝光；
使用显影液进行所述第二次显影，以去除所述第一光刻胶图案，并保留所述第二光刻胶图案。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在对所述第一光刻胶图案和所述第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除所述第一光刻胶图案，保留所述第二光刻胶图案之后，还包括：
对形成有所述黑矩阵的衬底基板进行固化。
10.一种彩色滤光片，其特征在于，包括由权利要求1-9中任一项制作方法制作而成的光刻胶图案。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的彩色滤光片。
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