CN107065292A - 黑矩阵及其制备方法和系统、显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了黑矩阵及其制备方法和系统、显示基板和显示装置。制备黑矩阵的方法包括：在衬底上形成黑矩阵薄膜；在所述黑矩阵薄膜远离所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第一曝光处理；在所述黑矩阵薄膜靠近所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第二曝光处理；对经过所述第一曝光处理和所述第二曝光处理的所述黑矩阵薄膜进行显影处理，形成黑矩阵。由此，制备的黑矩阵上下表面积差别小，与衬底的附着力提高，不易剥离，从而该黑矩阵有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。

Description

黑矩阵及其制备方法和系统、显示基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及黑矩阵及其制备方法和系统、显示基板和显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)因其体积小、功耗低、无辐射等特点已成为目前平板显示装置中的主流产品。随着显示行业的不断发展，高像素密度(PixelsPer Inch，PPI)的液晶显示装置(如二维显示装置以及VR显示)越来越受到人们的欢迎，因此，高像素密度液晶显示装置的显示技术也随之得到了广泛的研究和应用，同时也将成为显示技术的重要发展方向。为了适应高像素密度液晶显示装置的显示需求，提高液晶显示装置的拟真度与画面的细节丰富度，人们对液晶显示装置的制备工艺，特别是影响显示效果的关键组件黑矩阵的制备工艺，提出了更高的要求。
因此，目前的黑矩阵及其制备方法和系统、显示基板和显示装置，仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：
发明人发现，目前的液晶显示装置普遍存在着像素密度低、产品良率低等问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于，显示装置的黑矩阵难以真正实现窄线宽化而导致的。液晶显示装置中的黑矩阵是影响显示装置显示效果的关键组件，其制备工艺直接影响到液晶显示装置的显示效果。具体地，显示装置上设置有用于防止发生漏光的黑矩阵(BM)，以便对液晶分子不受阵列基板控制处的区域进行遮挡。而由于黑矩阵不能用于显示，因此制备黑矩阵时，为了得到更高的像素密度，需要更细的线宽，但是更细的线宽容易使黑矩阵在后续制备工艺中剥落，造成产品良率低，从而极大限制了高像素密度的液晶显示装置的制备。因此，在提高像素密度的同时，保证制备得到的黑矩阵不易脱落，将大幅提高该液晶显示装置的显示效果，提高显示装置的拟真度以及画面细节的丰富度。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备黑矩阵的方法，该方法包括：在衬底上形成黑矩阵薄膜；在所述黑矩阵薄膜远离所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第一曝光处理；在所述黑矩阵薄膜靠近所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第二曝光处理；对经过所述第一曝光处理和所述第二曝光处理的所述黑矩阵薄膜进行显影处理，形成黑矩阵。由此，制备的黑矩阵上下表面积差别小，与衬底的附着力提高，不易剥离，从而该黑矩阵有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。
根据本发明的实施例，在所述第二曝光处理过程中，采用气浮式装置支撑所述衬底。利用气浮装置支撑衬底，不影响第二曝光处理。
根据本发明的实施例，所述第一曝光处理利用第一掩膜板进行曝光，所述第一掩膜板上具有第一透光图案；所述第二曝光处理利用第二掩膜板进行曝光，所述第二掩膜板上具有第二透光图案；所述第二透光图案在所述衬底上的正投影位于所述第一透光图案在所述衬底上的正投影区域内。由此，可以降低对于掩膜板对位精度的要求。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制备黑矩阵的系统，该系统包括：第一曝光装置，用于在黑矩阵薄膜远离衬底的一侧，对所述衬底上的所述黑矩阵薄膜进行第一曝光处理；第二曝光装置，用于在所述黑矩阵薄膜靠近所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第二曝光处理；显影装置，用于对经过所述第一曝光处理和第二曝光处理的所述黑矩阵薄膜进行显影处理，形成黑矩阵。由此，可以利用该系统简便的得到黑矩阵，得到的黑矩阵上下表面积差别小，不易剥离，从而该黑矩阵有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。
根据本发明的实施例，所述第二曝光装置包括气浮装置，用于在第二曝光处理中支撑所述衬底。由此，利用气浮装置支撑衬底，不影响第二曝光处理。
根据本发明的实施例，所述第一曝光装置包括第一掩膜板，所述第一掩膜板上设置有第一透光图案；所述第二曝光装置包括第二掩膜板，所述第二掩膜板上设置有第二透光图案；所述第二透光图案在所述衬底上的正投影位于所述第一透光图案在所述衬底上的正投影区域内。由此，可以降低对于掩膜板对位精度的要求。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种黑矩阵，所述黑矩阵是利用前面描述的制备黑矩阵的方法制备的。由此，该黑矩阵具有利用前面描述制备的黑矩阵所有的特征以及优点，在此不再赘述。
根据本发明的实施例，所述黑矩阵靠近所述衬底一侧表面的面积，不低于所述黑矩阵远离所述衬底一侧表面面积的50％。由此，得到的黑矩阵上下表面积差别小，不易剥离，从而该黑矩阵有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示基板，该显示基板包括前面描述的的黑矩阵。由此，该显示基板具有前面描述的黑矩阵所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，该显示装置包括：前面描述的黑矩阵。由此，该显示装置具有前面描述的黑矩阵所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的制备黑矩阵的方法的流程示意图；
图2显示了根据本发明一个实施例的黑矩阵的结构示意图；
图3显示了利用传统工艺制备的黑矩阵的结构示意图；
图4显示了利用传统工艺制备的黑矩阵的扫描电子显微镜图；
图5显示了根据本发明一个实施例的制备黑矩阵的系统的结构示意图；以及
图6显示了传统工艺制备的黑矩阵的流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种制备黑矩阵的方法。根据本发明的实施例，参考图1，该方法包括：
S100：形成黑矩阵薄膜
在该步骤中，在衬底上形成黑矩阵薄膜。根据本发明的实施例，衬底的具体材料不受特别限制，只需满足对黑矩阵薄膜的支撑，并且满足后续步骤中，对黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧进行第二曝光处理时，光能够通过衬底对黑矩阵薄膜底部(黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧)进行曝光即可。根据本发明的实施例，黑矩阵薄膜可以是在衬底上涂布光刻胶形成的。根据本发明的实施例，光刻胶的具体类型不受特别限制，只需满足黑矩阵薄膜的性能即可。
S200：第一曝光处理
在该步骤中，在黑矩阵薄膜远离衬底的一侧，对黑矩阵薄膜进行第一曝光处理。根据本发明的实施例，第一曝光处理利用第一掩膜板进行曝光，第一掩膜板上具有第一透光图案。
S300：第二曝光处理
在该步骤中，在黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧，对黑矩阵薄膜进行第二曝光处理。根据本发明的实施例，第二曝光处理利用第二掩膜板进行曝光，第二掩膜板上具有第二透光图案。由此，可以提高黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧曝光的曝光量，增加黑矩阵薄膜的靠近衬底的一侧的聚合程度，从而可以在减小黑矩阵的线宽时，使黑矩阵与衬底的附着力提高，不易剥落，产品良率提高，从而满足了高像素密度产品的要求。根据本发明的实施例，在第二曝光处理过程中，采用气浮装置支撑衬底。由此，可以利用气浮装置支撑衬底，不影响第二曝光处理。
需要说的是，在本发明中，第一曝光处理以及第二曝光处理的先后顺序不受特别限制，只要能够对黑矩阵薄膜远离衬底的一侧，以及靠近衬底的一侧均进行曝光处理即可。也即是说，根据本发明的实施例，可以先进行第一曝光处理，再进行第二曝光处理；或者，先进行第二曝光处理，再进行第一曝光处理。具体的，可以先对黑矩阵薄膜远离衬底的一侧进行第一曝光处理，再采用气浮装置支撑衬底，对黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧进行第二曝光处理；或者，先采用气浮装置支撑衬底，对黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧进行第二曝光处理，再对黑矩阵薄膜远离衬底的一侧进行第一曝光处理。
根据本发明的具体实施例，在前面描述的第一曝光处理步骤中，是利用具有第一透光图案的第一掩膜板进行曝光的，在前面描述的第二曝光处理中，是利用具有第二透光图案的第二掩膜板进行曝光的，第二透光图案在衬底上的正投影位于第一透光图案在衬底上的正投影区域内，即第二透光图案在衬底上的正投影的边缘，与第一透光图案在衬底上的正投影边缘有1-2微米的距离，由此，可以降低对于掩膜板对位精度的要求。如果第二透光图案在衬底上的正投影部分位于第一透光图案在衬底上的正投影区域外，将增大底部光刻胶的聚合程度，使黑矩阵下表面面积大于上表面面积，从而使黑矩阵的线宽增大，无法满足高像素密度产品的要求。也即是说，第二透光图案的透光面积，可以小于第一透光图案的透光面积。如果第二透光图案在衬底上的正投影与第一透光图案在衬底上的正投影区域完全重合，即第二透光图案在衬底上的正投影的边缘与第一透光图案在衬底上的正投影边缘完全重合，将需要更高的对位精度，即第二掩膜板中第二透光图案与第一掩膜板中第一透光图案需要精准对位，如果产生对位误差，从而使黑矩阵的线宽增大，同样无法满足高像素密度产品的要求。因此，使得第二透光图案在衬底上的正投影位于第一透光图案在衬底上的正投影区域内，即第二透光图案在衬底上的正投影的边缘与第一透光图案在衬底上的正投影边缘有1-2微米的距离，可以满足更细线宽的要求的同时，降低第二掩膜板的对位精度。由此，可以进一步提高曝光效果，提高产品良率。
总之，利用第一曝光处理与第二曝光处理可以简便的得到对黑矩阵薄膜远离衬底的一侧和黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧均曝光的黑矩阵，所得到的黑矩阵与衬底附着力提高，不易剥离，产品良率高。
S400：显影处理形成黑矩阵
在该步骤中，对经过第一曝光处理和第二曝光处理的黑矩阵薄膜进行显影处理，形成黑矩阵。其中，根据本发明的实施例，利用此方法制备的黑矩阵，靠近衬底一侧的表面积，不低于黑矩阵远离衬底一侧的表面面积的50％。由此，制备的黑矩阵上下表面积差别小，不易剥离，从而该黑矩阵有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。
综上所述，为了在提高像素密度的同时，保证制备得到的黑矩阵不易脱落，大幅提高该黑矩阵用于液晶显示装置的显示效果，发明人进过深入研究以及大量实验发现，在该黑矩阵的制备过程中，可以在传统黑矩阵制备工艺中采用第一曝光处理(单面曝光)的基础上，增加第二曝光处理步骤，从而实现对黑矩阵薄膜两侧(黑矩阵薄膜远离衬底的一侧以及黑矩阵薄膜靠近衬底的一侧)都进行曝光处理制备得到黑矩阵。也即是说，黑矩阵可以是由光刻胶经过双面曝光而形成的。具体的，首先在衬底上涂布光刻胶形成黑矩阵薄膜，然后对黑矩阵薄膜远离衬底的一侧(例如，光刻胶顶部)进行单面曝光，在该步骤后，显影步骤之前，再对黑矩阵薄膜的靠近衬底的一侧(例如，光刻胶底部)进行第二曝光处理，即进行双面曝光，对黑矩阵薄膜底部的曝光工艺将进一步提高底部光刻胶的聚合程度，显影程度减弱，显影后形成黑矩阵的底部与衬底的附着力增强，且不易剥离，可以做到更细的线宽，满足高像素密度产品的要求。发明人意外的发现，进行双面曝光，可以进一步提高底部光刻胶的聚合程度，因此，即便是底部面积较小的情况下，黑矩阵与衬底的附着力也会提高，从而可以进一步防止剥离。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种黑矩阵30。根据本发明的实施例，该黑矩阵30是利用前面描述的制备黑矩阵30的方法制备的。由此，该黑矩阵30具有利用前面描述制备的黑矩阵30所有的特征以及优点。根据本发明的实施例，参考图2，该黑矩阵30设置在衬底10上，其中，黑矩阵30靠近衬底10一侧表面的面积不低于黑矩阵30远离衬底10一侧的表面面积的50％。由此，黑矩阵30的上下表面积差别小，且与衬底10接触一侧的黑矩阵30不易剥离，从而该黑矩阵30有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。
在传统的黑矩阵30制备工艺过程中，首先是在衬底10上涂布光刻胶形成黑矩阵薄膜20，然后进行曝光、显影等工序。但是在曝光过程时，由于只对黑矩阵薄膜20顶部进行第一曝光处理(单面曝光)，涂布的光刻胶具有遮光的作用，因此从光刻胶的表面到底部，曝光量会逐渐减少，聚合度也会随之降低，因此造成最终形成的黑矩阵30底部的显影程度比顶部大。参考图3，黑矩阵薄膜20显影形成黑矩阵30，造成黑矩阵30下表面面积C远小于黑矩阵30的上表面面积A。当黑矩阵30的线宽(即黑矩阵30的横截面宽度)较大时，即便黑矩阵30的上、下表面积差距较大，仍能够保证下表面具有足够的面积与衬底10接触。而在基于窄线宽化的黑矩阵30，要求线宽较小，因此该制备工艺条件下，下表面的面积又显著低于上表面的面积，进而造成黑矩阵30的底部与衬底10的附着力小，容易剥离，产品良率降低。因此，按照传统方法，如要保证产品良率，则无法得到更细的线宽，从而无法满足高像素密度产品的要求。参考图4，为传统工艺制备的黑矩阵30的扫描电子显微镜形貌图(SEM图)，如图所示，单面曝光条件下，黑矩阵30下表面面积远小于黑矩阵30的上表面面积，从而会造成黑矩阵30的底部与衬底10的附着力小，容易剥离，产品良率降低。
根据本发明的实施例，黑矩阵30的上下表面积差别小，有利于提高黑矩阵30与衬底10接触的结合程度，从而可以防止黑矩阵30发生剥离，提高产品良率。根据本发明的实施例，参考图2，黑矩阵30靠近衬底10一侧表面的面积，不低于黑矩阵30远离衬底10一侧表面面积的50％，其中，黑矩阵30远离衬底10一侧表面的面积，如图2中所示的A；黑矩阵30靠近衬底10一侧表面的面积，如图2中所示的B。由此，黑矩阵30的横截面沿着垂直于衬底10的方向上无明显降低，黑矩阵30与衬底10的附着力提高，因此不易剥离，进而可以得到更细的线宽，从而满足高像素密度产品的要求。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种制备黑矩阵30的系统。根据本发明的实施例，参考图5，该系统包括：第一曝光装置100、第二曝光装置200以及显影装置300。根据本发明的实施例，第一曝光装置100用于在黑矩阵薄膜20远离衬底10的一侧，对衬底10上的黑矩阵薄膜20进行第一曝光处理。根据本发明的实施例，第一曝光装置100进一步包括第一掩膜板110。根据本发明的实施例，第二曝光装置200用于在黑矩阵薄膜20靠近衬底10的一侧，对黑矩阵薄膜20进行第二曝光处理。根据本发明的实施例，第二曝光装置200进一步包括气浮装置210以及第二掩膜板220。根据本发明的实施例，显影装置300用于对经过第一曝光处理和第二曝光处理的黑矩阵薄膜20进行显影处理，形成黑矩阵30。由此，可以利用该系统简便的得到黑矩阵30，得到的黑矩阵30上下表面积差别小，黑矩阵30与衬底10的附着力强，不易剥离，从而该黑矩阵30有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果，并且产品良率进一步提高。
根据本发明的实施例，第一曝光装置100以及第二曝光装置200进行曝光处理的先后顺序不受特别限制，只要能够利用第一曝光装置100以及第二曝光装置200完成对黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧以及远离衬底10一侧的均进行曝光处理即可。也即是说，可以先利用第一曝光装置100对黑矩阵薄膜20远离衬底10一侧进行曝光处理，再利用第二曝光装置200对黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧进行曝光处理。或者，可以先利用第二曝光装置200对黑矩阵薄膜20远离衬底10一侧进行曝光处理，再利用第一曝光装置100对黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧进行曝光处理。也即是说，该系统可以首先实现对黑矩阵薄膜20远离衬底10一侧进行曝光处理，也可以首先实现对黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧进行曝光处理。
根据本发明的实施例，气浮装置210用于在第二曝光装置200对黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧进行第二曝光处理时，对衬底10进行支撑。由此，在黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧进行曝光处理时，可以在支撑衬底10的同时，不影响第二曝光处理。根据本发明的实施例，参考图5，可以首先利用第一曝光装置100，在黑矩阵薄膜20远离衬底10的一侧，对黑矩阵薄膜20进行第一曝光处理，然后，利用气浮装置210对衬底10进行支撑，在黑矩阵薄膜20靠近衬底10的一侧利用第二曝光装置200对矩阵薄膜20进行第二曝光处理。气浮装置210可以不遮挡第二曝光处理的光源从衬底10远离黑矩阵薄膜20的一侧向黑矩阵薄膜20进行照射。总之，根据本发明的实施例，第一曝光处理与第二曝光处理的先后顺序不受特别限制，即对黑矩阵薄膜20远离衬底10的一侧与黑矩阵薄膜20靠近衬底10一侧分别进行曝光处理(双面曝光)。
根据本发明的实施例，第二透光图案(如图5中所示的E)在衬底10上的正投影位于第一透光图案(如图5中所示的D)在衬底10上的正投影区域内，即第二透光图案在衬底10上的正投影的边缘与第一透光图案在衬底10上的正投影边缘有1-2微米的距离，由此，可以使第二透光图案在衬底10上的正投影位于第一透光图案在衬底10上的正投影区域内，降低对于掩膜板对位精度的要求。本领域技术人员能够理解的是，第二曝光装置200是用于提高待曝光衬底10的背面曝光量，以便提高最终形成的黑矩阵30与衬底10的接触面积的，并提高黑矩阵30与衬底10的附着力。因此，令第二透光图案在衬底10上的正投影位于第一透光图案在衬底10上的正投影区域内，可以降低第二掩膜板220的对位精度。如果第二透光图案在衬底10上的正投影部分位于第一透光图案在衬底10上的正投影区域外，将增大底部光刻胶的聚合程度，使黑矩阵30下表面面积大于上表面面积，从而使黑矩阵30的线宽增大，无法满足高像素密度产品的要求。如果第二透光图案在衬底10上的正投影与第一透光图案在衬底10上的正投影区域重合，即第二透光图案在衬底10上的正投影的边缘与第一透光图案在衬底10上的正投影边缘完全重合，将需要更高的对位精度，即第二掩膜板220中第二透光图案与第一掩膜板110中第一透光图案需要精准对位，如果产生对位误差，从而使黑矩阵30的线宽增大，同样无法满足高像素密度产品的要求。因此，使得第二透光图案在衬底10上的正投影位于第一透光图案在衬底10上的正投影区域内，即第二透光图案在衬底10上的正投影的边缘与第一透光图案在衬底10上的正投影边缘有1-2微米的距离，可以满足更细线宽的要求的同时，降低第二掩膜板220的对位精度。由此，可以进一步提高该系统的双面曝光效果，提高产品良率。
根据本发明的实施例，第一曝光装置100和第二曝光装置200进行曝光的具体类型不受特别限制，只需满足黑矩阵30的制备需求即可，例如可以为紫外线曝光。
总的来说，在传统的制备黑矩阵30的系统中，参考图6中的(a)-(c)，首先在衬底10上形成黑矩阵薄膜20。然后利用第一掩膜板110，在黑矩阵薄膜20远离衬底10的一侧，对黑矩阵薄膜20进行曝光处理，即对黑矩阵薄膜20的顶部进行单面曝光。最后对经过单面曝光的黑矩阵薄膜20进行显影处理，形成黑矩阵30。该单面曝光的黑矩阵30的底部与衬底10的附着力小，容易剥离，产品良率降低，无法得到更细的线宽，从而无法满足高像素密度产品的要求。
根据本发明的具体实施例，参考图5，该制备黑矩阵30的系统首先在衬底10上形成黑矩阵薄膜20。然后利用第一掩膜板110，在黑矩阵薄膜20远离衬底10的一侧，对黑矩阵薄膜20进行第一曝光处理，即对黑矩阵薄膜20的顶部进行第一曝光处理(单面曝光)。接着利用气浮装置210对衬底10进行支撑，对黑矩阵薄膜20进行第二曝光处理，第二曝光处理是利用第二掩膜板220，在黑矩阵薄膜20靠近衬底10的一侧，对黑矩阵薄膜20进行第二曝光处理，即对黑矩阵薄膜20的底部进行第二曝光处理(背面曝光)。最后，利用显影装置300，对经过第一曝光处理和第二曝光处理的黑矩阵薄膜20进行显影处理，形成黑矩阵30。由此，可以简便的对待刻蚀黑矩阵薄膜20进行双面曝光，增加黑矩阵30与衬底10的附着力，减弱显影程度，从而得到更细的线宽，保证高像素密度的要求。
综上所述，利用前面描述的方法制备的黑矩阵30产品良率高，满足了更细线宽的要求，从而有利于得到像素密度值高、拟真度高、画面的细节更丰富的显示效果。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示基板，该显示基板包括黑矩阵。根据本发明的实施例，黑矩阵是利用前面描述的方法制备的。由此，该显示基板具有前面描述的黑矩阵所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。
在本发明的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，该显示装置包括黑矩阵。根据本发明的实施例，黑矩阵是利用前面描述的方法制备的。由此，该显示装置具有前面描述的黑矩阵所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种制备黑矩阵的方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成黑矩阵薄膜；
在所述黑矩阵薄膜远离所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第一曝光处理；
在所述黑矩阵薄膜靠近所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第二曝光处理；
对经过所述第一曝光处理和所述第二曝光处理的所述黑矩阵薄膜进行显影处理，形成黑矩阵。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二曝光处理过程中，采用气浮装置支撑所述衬底。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一曝光处理利用第一掩膜板进行曝光，所述第一掩膜板上具有第一透光图案；
所述第二曝光处理利用第二掩膜板进行曝光，所述第二掩膜板上具有第二透光图案；
所述第二透光图案在所述衬底上的正投影位于所述第一透光图案在所述衬底上的正投影区域内。
4.一种制备黑矩阵的系统，其特征在于，包括：
第一曝光装置，用于在黑矩阵薄膜远离衬底的一侧，对所述衬底上的所述黑矩阵薄膜进行第一曝光处理；
第二曝光装置，用于在所述黑矩阵薄膜靠近所述衬底的一侧，对所述黑矩阵薄膜进行第二曝光处理；
显影装置，用于对经过所述第一曝光处理和所述第二曝光处理的所述黑矩阵薄膜进行显影处理，形成黑矩阵。
5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述第二曝光装置包括气浮装置，用于在第二曝光处理中支撑所述衬底。
6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述第一曝光装置包括第一掩膜板，所述第一掩膜板上设置有第一透光图案；
所述第二曝光装置包括第二掩膜板，所述第二掩膜板上设置有第二透光图案；
所述第二透光图案在所述衬底上的正投影位于所述第一透光图案在所述衬底上的正投影区域内。
7.一种黑矩阵，其特征在于，所述黑矩阵是利用权利要求1-3任一项所述的方法制备的。
8.根据权利要求7所述的黑矩阵，其特征在于，所述黑矩阵靠近所述衬底一侧表面的面积，不低于所述黑矩阵远离所述衬底一侧表面面积的50％。
9.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求7或8所述的黑矩阵。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的黑矩阵。
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