CN105113004A - 一种三族氮化物晶体生长装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置,包括反应釜,该反应釜内设有晶种模板,所述反应釜与滚动驱动装置连接,该滚动驱动装置带动反应釜转动,滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动,或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中,N源不足的缺点,可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
Description
技术领域
本发明涉及氮化物单晶半导体材料领域,具体地说是一种氮化物单晶生长装置。
背景技术
近年来,三族氮化物单晶在蓝色白色LEDs、紫外激光器及其他半导体器件领域具有广泛的应用。传统的氮化镓制备方法采用气相法,具体做法为在蓝宝石或SiC等异质衬底上沉积氮化镓薄膜。由于异质衬底具有不同的热膨胀系数及晶格常数,此类方法制备的氮化镓薄膜普遍存在较高位错密度,晶体质量较差。除了气相法外,还开发了液相法。钠助熔剂法(NaFlux)作为液相法的一种,使用金属钠作为助熔剂,可以使晶体合成温度降低到900℃以内,且晶体生长所需压力降低至4~5MPa,是一种具有相对温和生长条件的氮化镓晶体生长方法。另外,与气相法相比,液相法可以合成位错密度较低的高质量氮化镓晶体。
传统的钠助熔剂法反应釜为固定的反应釜,反应过程中,反应釜是固定不动的,通过通入氮气并在釜体周围加热来达到生长所需条件,此种反应釜缺乏溶液搅拌,反应物溶解度低,且气液界面高浓度的N难以进入溶液内部参与反应,所合成的氮化镓晶体存在N空位等晶体质量问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种三族氮化物晶体生长装置,通过带动反应釜转动,从而使得反应釜内的溶液翻滚,反应物更加充分均匀分布。
为了解决上述技术问题,本发明采取以下技术方案:
一种三族氮化物晶体生长装置,包括反应釜,该反应釜内设有晶种模板,所述反应釜与滚动驱动装置连接,该滚动驱动装置带动反应釜转动。
所述滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动,或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。
所述反应釜的轴线方向的两端侧设置有滚动轴,该滚动轴与滚动驱动装置连接。
所述反应釜上装设有传动带,反应釜通过该传动带与滚动驱动装置连接。
所述反应釜的外壁上设有导轮,该导轮与滚动驱动装置连接。
所述反应釜的内壁为但不限于表面平整的内壁,或者具有突起块的内壁,或者设有挡片的内壁,或者是螺纹内壁。
所述反应釜为但不限于圆柱形体、椭圆柱形体或长方形体。
所述晶种模板固定设在反应釜内,并且该晶种模板与该反应釜同步运动,或者不跟随反应釜同步运动,或者与反应釜同向或反向独立运动。
所述晶种模板至少设置一个。
本发明具有以下有益效果:
1.反应釜滚动带动内部溶液进行翻滚,翻滚具有搅拌效果,可以充分搅拌反应物;
2.滚动带动溶液翻滚,使气液界面较高浓度的N进入溶液内部,充分参与反应,有利于提高晶体质量;
3.有效抑制多晶,提高原材料利用率。
附图说明
附图1为本发明整体结构示意图;
附图2为本发明实施例一反应釜的示意图;
附图3为本发明实施例一反应釜的侧面示意图;
附图4为本发明实施例一反应釜内部溶液及晶种模板示意图;
附图5为本发明实施例一反应釜的滚动及内部溶液的滚动示意图;
附图6为本发明实施例二反应釜的滚动及内部溶液的滚动示意图;
附图7为本发明实施例三反应釜的滚动及内部溶液的滚动示意图;
附图8为本发明实施例四反应釜内部溶液及晶种模板示意图;
附图9为本发明实施例五反应釜内部结构示意图。
附图标注说明:
10:实施例一反应釜;11:滚动轴;12:反应物溶液;13:晶种模板;14:反应釜滚动方向;15:反应釜内部氮气;60:滚动驱动装置。
10:实施例二反应釜;22:反应物溶液;23:晶种模板;24:反应釜滚动方向;25:反应釜内部氮气;26:滚动装置;27:滚动装置方向;28:传动带。
10:实施例三反应釜;32:反应物溶液;33:晶种模板;34:反应釜滚动方向;35:反应釜内部氮气;36:滚动导轮;37:导轮滚动方向
10:实施例四反应釜;42:反应物溶液;43:晶种模板;45:反应釜内部氮气;46:晶种模板转动方向。
10:实施例五反应釜;52:反应物溶液;53:晶种模板;55:反应釜内部氮气;56:实施例五反应釜内壁挡片。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解,下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的描述。
如附图1所示,本发明揭示了一种三族氮化物晶体生长装置,包括反应釜10,该反应釜10内设有晶种模板,所述反应釜与滚动驱动装置60连接,该滚动驱动装置60带动反应釜10转动。滚动驱动装置可以为驱动电机,或者其他能够带动反应釜进行转动的驱动装置即可,在此并无具体限制。滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动,或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。即以反应釜轴向方向为中心轴为基准,将该反应釜水平放置,此时即为水平方向滚动。或者将该反应釜与水平方向成倾斜角度,如与水平方向成30度,或20度等,具体的角度并无限定,此为倾斜转动。另外,滚动驱动装置与反应釜之间的安装方式,可以通过一个固定支架进行安装,也可以通过其他方法安装,只要能够保证滚动驱动装置带动反应釜滚动即可。
在进行氮化物晶体生长的过程中,反应釜内会填充生长溶液,并且往反应釜内注入氮气,同时加热反应釜,此为公知常识,在此不再详细赘述。通过滚动驱动装置带动反应釜转动,反应釜转动的同时其内部的生长溶液也跟随着翻滚,翻滚溶液具有搅拌效果,反应物可充分均匀分布,且溶液表面较高浓度的N在翻滚的作用下,充分进入生长溶液内部,达到晶种模板位置并参与反应,从而充分利用了反应釜内的N源,有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中,N源不足的缺点,可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题,提高原材料利用率。
下面以具体实施例进行描述说明。
实施例一,如附图2~5所示,反应釜10设置为圆柱形状,反应釜10水平放置,即反应釜10以其中心轴线为基准水平放置。在反应釜10的两侧端设置有滚动轴11,滚动方式为轴滚动,该滚动轴与滚动驱动装置连接。晶种模板13数量为一个,晶种模板13固定于反应釜10底部,并且不会跟随反应釜10运动而运动,该晶种模板13没有与反应釜10同步运动。反应原材料Ga、Na溶液12浸没晶种模板13,生长溶液对于反应釜内部空间的填充度为30%。反应原材料溶液12上方为氮气15。
对反应釜10升温加压到晶体生长所需条件,开启滚动驱动装置,带动反应釜做圆周滚动,按照滚动方向14进行滚动。设置滚动参数,滚动速率为30rpm。在滚动的作用下,反应釜10内部溶液12进行翻滚,如附图4所示。翻滚溶液具有搅拌效果,反应物可充分均匀分布,且溶液表面高浓度的N在翻滚的作用下,充分进入生长溶液12内部,达到晶种模板13位置参与反应,在反应过程中,生长溶液始终浸泡着晶种模板。有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。滚动速率并非限定,可以根据实际需要进行灵活设定。
实施例二,如附图6所示,反应釜20为圆柱体形状,反应釜20水平放置,即反应釜20以其中心轴线为基准水平放置。滚动方式为传动带滚动,在圆柱体侧面连接传动带28,传动带28与滚动驱动装置26连接,滚动驱动装置26通过该传动带28带动反应釜滚动,按照滚动方向24进行滚动。晶种模板23数量为一个,晶种模板23固定于反应釜20底部,不随反应釜20运动,该晶种模板23没有与反应釜20同步运动。反应原材料Ga、Na溶液22浸没晶种模板23,生长溶液对于反应釜内部空间的填充度为30%。反应原材料溶液22上方为氮气25。
将反应釜20升温加压到晶体生长所需条件,开启滚动驱动装置,滚动装置26带动反应釜20进行滚动。设置滚动参数,滚动速70rpm。在反应釜滚动的作用下,反应釜20内部溶液22进行翻滚,翻滚溶液具有搅拌效果,反应物可充分均匀分布,且溶液表面高浓度的N在翻滚的作用下,充分进入溶液22内部,达到晶种模板23位置参与反应,在反应过程中,生长溶液始终浸泡着晶种模板。有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
实施例三,如附图7所示,反应釜30为圆柱形状,反应釜30水平放置,即反应釜30以其中心轴线为基准水平放置。滚动方式为导轮滚动,在圆柱体侧面连安装导轮36,导轮36与滚动驱动装置连接,导轮在滚动的同时反应釜同步进行滚动,按照滚动方向34进行滚动。晶种模板33数量为一个,晶种模板33固定于反应釜30底部,不随反应釜30运动,即反应釜30在滚动过程中,该晶种模板没有与反应釜同步运动。反应原材料Ga、Na溶液32浸没晶种模板33,生长溶液对于反应釜内部空间的填充度为30%。反应原材料溶液32上方为氮气35。
将反应釜30升温加压到晶体生长所需条件,开启滚动装置,滚动导轮36带动反应釜30进行滚动。设置滚动参数,滚动速率240rpm。在滚动的作用下,反应釜30内部溶液32进行翻滚,翻滚溶液具有搅拌效果,反应物可充分均匀分布,且溶液表面高浓度的N在翻滚的作用下,充分进入溶液32内部,达到晶种模板33位置参与反应,在反应过程中,生长溶液始终浸泡着晶种模板。有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
实施例四,如附图8所示,反应釜40设置为圆柱体形状,反应釜40水平放置,即反应釜30以其中心轴线为基准水平放置。反应釜40由滚动驱动装置带动转动或者保持静止。晶种模板43放置于反应釜40内部,晶种模板43数量为八个,晶种模板43具有滚动特性,滚动速率20rpm。反应原材料Ga、Na溶液42不完全浸没晶种模板43,生长溶液对于反应釜内部空间的填充度为80%,使顶部的晶种模板恰好位于生长溶液的气液界面。反应原材料溶液42上方为氮气45。可在反应釜内设置一个滚动装置,然后在外部设置一个控制开关,打开控制开关,即可驱动晶种模板运动。
将反应釜升温加压到晶体生长所需条件,晶种模板43在溶液42内滚动,按照滚动方向46方向滚动,晶种模板43经过溶液42内部,在晶种表面粘附反应物溶液,当晶种模板43达到气液界面,气液界面高浓度N可有效参与反应,随后再次进入溶液42内部,进行循环反应过程。有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
实施例五,如附图9所示,本实施五的反应釜的滚动方式可为实施例一~实施例三中任一种,不同点在于反应釜内壁的结构设置。反应釜10内壁具有挡片56,且反应釜内填充有氮气55和生长溶液52,晶种模板53被生长溶液52浸泡着,挡片增加了反应釜滚动带动溶液翻滚的效果。当然,还可以将反应釜内壁设置为表面平整的形状,或者具有突起块的内壁,或者为螺纹内壁,或者其他结构形状的内壁,在此不一一列举。
此外,反应釜还可以设置成椭圆柱形体或长方形体,或者一端稍大一端稍小形状,在此没有具体限定,只要满足可以滚动即可。晶种模板固定设在反应釜内,并且该晶种模板与该反应釜同步运动,或者不跟随反应釜同步运动,或者与反应釜同向或反向独立运动。
需要说明的是,以上所述并非是对本发明的限定,在不脱离本发明的创造构思前提下,任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种三族氮化物晶体生长装置,包括反应釜,该反应釜内设有晶种模板,其特征在于,所述反应釜与滚动驱动装置连接,该滚动驱动装置带动反应釜转动。
2.根据权利要求1所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动,或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。
3.根据权利要求2所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述反应釜的轴线方向的两端侧设置有滚动轴,该滚动轴与滚动驱动装置连接。
4.根据权利要求2所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述反应釜上装设有传动带,反应釜通过该传动带与滚动驱动装置连接。
5.根据权利要求2所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述反应釜的外壁上设有导轮,该导轮与滚动驱动装置连接。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述反应釜的内壁为但不限于表面平整的内壁,或者具有突起块的内壁,或者设有挡片的内壁,或者是螺纹内壁。
7.根据权利要求6所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述反应釜为但不限于圆柱形体、椭圆柱形体或长方形体。
8.根据权利要求7所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述晶种模板固定设在反应釜内,并且该晶种模板与该反应釜同步运动,或者不跟随反应釜同步运动,或者与反应釜同向或反向独立运动。
9.根据权利要求8所述的三族氮化物晶体生长装置,其特征在于,所述晶种模板至少设置一个。
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