CN105093743B - 一种液晶面板、tft基板及其检测方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶面板、TFT基板以及TFT基板的检测方法。TFT基板包括多个像素单元，第2n+1行的第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的第一像素单元的电容电连接，对第一像素单元和第二像素单元分别提供不相等的电压信号。通过上述方式，本发明能检测出同一像素单元中的电容与辅像素区是否短接，从而及时进行修补，改善产品品质。

Description

一种液晶面板、TFT基板及其检测方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种液晶面板、TFT基板及其检测方法。
背景技术
在大视角的液晶显示器中，通常将像素单元分为主像素区(Main区)和辅像素区(Sub区)，并使得Sub区的电压低于Main区的电压。为了使得Sub区的电压低于Main区的电压，“电荷分享”(charge-sharing)是一种常用的方式，具体请参阅图1，图1为现有技术的采用“电荷分享”方式的像素单元的结构图。图1所示的像素单元100分为Main区101和Sub区102，当扫描线G11提供扫描驱动信号时，开关管103和104同时打开时，信号线S11(Data)同时向Main区101和Sub区102的像素电极，即ITO(Indium tin oxide氧化铟锡)薄膜充电，然后扫描线G11停止提供扫描驱动信号，共享扫描线G12开始提供扫描驱动信号，开关管105打开，分压电容C11与Sub区102的像素电极导通，分担一部分Sub区102的像素电极上的电荷，使Sub区102的像素电极的电压降低到适当比例，从而与main区101的像素电极一起显示，以形成大视角的效果。
然而图1所示的像素单元100是在4Mask(掩膜)制程的中制得，分压电容C11通常采用MII(双层金属)电容结构，即分压电容C11结构为：M1(第一层金属)、G-SiNx(栅层氮化硅)，PA-SiNx(填充氮化层)，ITO导电薄膜。然而，对于包含有该MII电容结构的像素单元，在制程过程中很容易因为ITO微粒(particle)的存在，会出现蚀刻残留，容易产生ITO残留，导致Sub区102的ITO与分压电容C11的ITO发生短接(Short)。从而当扫描线G11提供扫描驱动信号时，数据线S11同时对Sub区102像素电极和Main区101像素电极以及分压电容C11充电。当扫描线G11停止提供扫描驱动信号，共享扫描线G12提供扫描驱动信号时，由于分压电容C11的ITO电位与Sub区102的ITO电位相等，分压电容C11无法分担Sub区102电荷，使得分压失效，从而无法拉低Sub区102电位，不能形成大视角的效果。进一步的，还会使得该缺陷像素比正常像素更亮，从而在中低灰阶下产生微亮点，影响液晶面板的品质。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种液晶面板、TFT基板及其检测方法，能够检测出同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否发生短接，从而可以及时进行修补，改善产品品质。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种TFT基板，该TFT基板包括：
多个呈矩阵设置的像素单元，其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容，所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元，第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元的电容电连接，n为自然数；
其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。
其中，第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区彼此靠近，第2n+1行的所述第一像素单元的主像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的主像素区彼此远离；
第2n+1行的所述第一像素单元的电容设置在其辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元之间，第2n+2行的所述第二像素单元的电容设置在其辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元之间。
其中，同一行像素单元中的主像素区和辅像素区接收的电压信号相等。
其中，所述TFT基板还包括第一扫描线、第二扫描线、共享扫描线、第一开关管和第二开关管，其中：
所述第一扫描线电连接所述第一像素单元；
所述第二扫描线电连接所述第二像素单元；
所述第一开关管分别电连接所述共享扫描线、第2n+1行的第一像素单元的所述辅像素区和第2n+2行的第二像素单元的所述电容；
所述第二开关管分别电连接所述共享扫描线、第2n+2行的第二像素单元的所述辅像素区和第2n+1行的第一像素单元的所述电容；
所述共享扫描线进一步电连接所述第一扫描线，使得对所述第一扫描线提供扫描驱动信号时，所述共享扫描线上的所述第一开关管和所述第二开关管均导通。
其中，对所述第一扫描线和对所述第二扫描线分时提供扫描驱动信号。
其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元提供的电压信号的差值大于或等于6V。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种液晶面板，该液晶面板包括如前文所述的任一项的TFT基板。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种TFT基板的检测方法，其中，该TFT基板为前文所述的前四项TFT基板，该检测方法包括以下步骤：
向第二像素单元提供扫描驱动信号，以对所述第二像素单元提供电压信号；
向第一像素单元提供扫描驱动信号，以对所述第一像素单元提供不同于第二像素单元的电压信号，同时打开第一开关管和第二开关管，使得第2n+1行的第一像素单元的辅像素区通过第一开关管电连接第2n+2行的第二像素单元的电容，以及第2n+2行的第二像素单元的辅像素区通过第二开关管电连接第2n+1行的第一像素单元的电容；
通过检测所述第二像素单元的辅像素区的电压信号是否变化来检测同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接，其中，若检测到所述第二像素单元的辅像素区的电压信号发生变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区发生短接；若检测到所述第二像素单元的辅像素区的电压信号没有变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区没有发生短接。
其中，所述向第一像素单元提供扫描驱动信号的步骤之前还包括：
停止向第二像素单元提供扫描驱动信号。
其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元提供的电压信号的差值大于或等于6V。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的TFT基板括多个呈矩阵设置的像素单元，其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容，所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元，第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元的电容电连接，n为自然数。其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。由此，能够检测出同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否发生短接，从而可以及时进行修补，改善产品品质。
附图说明
图1是现有技术的像素单元的结构图；
图2是本发明实施例提供的一种液晶面板的结构示意图；
图3是图2所示的液晶面板中的相邻的两行像素单元的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种TFT基板的检测方法的流程图。
具体实施方式
请一并参阅图2和图3，图2是本发明实施例提供的一种液晶面板的结构示意图，图3是图2所示的液晶面板中的相邻的两行像素单元的结构示意图。如图2和图3所示，本实施例的液晶面板200包括TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板20，TFT基板20包括多个成矩阵设置的像素单元21。其中每一像素单元21均包括一主像素区22、辅像素区23以及电容24。
像素单元21包括分布于奇数行的第一像素单元211和分布于偶数行的第二像素单元212。本实施例中，奇数用2n+1表示，偶数用2n+2表示，n为自然数，例如0、1、2、3…。本实施例中，第2n+1行的第一像素单元211的辅像素区231与第2n+2行的第二像素单元212的电容242电连接，第2n+2行的第二像素单元212的辅像素区232与第2n+1行的第一像素单元211的电容241电连接。
优选的，第2n+1行的第一像素单元211的辅像素区231与第2n+2行的第二像素单元212的辅像素区232彼此靠近，第2n+1行的第一像素单元211的主像素区221与第2n+2行的第二像素单元212的主像素区222彼此远离。也就是说第2n+1行的第一像素单元211的排列方式与第2n+2行的第二像素单元212的排列方式相反。例如图2所示，第一行的第一像素单元211的辅像素区231与第二行的第二像素单元212的辅像素区232彼此靠近，第一行的第一像素单元211的主像素区221与第二行的第二像素单元212的主像素区222彼此远离。同理，其他行的像素单元的排列方式也相同。
并且，如图3所示，第2n+1行的第一像素单元211的电容241设置在其辅像素区231与第2n+2行的第二像素单元212之间，第2n+2行的第二像素单元212的电容242设置在其辅像素区232与第2n+1行的第一像素单元211之间。由此使得辅像素区231与电容241相邻设置，辅像素区232与电容242相邻设置，并且两个电容241和242设置在两个辅像素区231和232之间。
在其他实施例中，也可以设置第一像素单元211和第二像素单元212的排列方式相同，并且电容241和242分别与第一像素单元211的主像素区221和第二像素单元212的主像素区222相邻设置。
其中，对同一行的像素单元的主像素区和辅像素区提供的电压信号相等。且对第一像素单元211和第二像素单元212分别提供不相等的电压信号，以检测同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。优选的，对第一像素单元211和第二像素单元212提供的电压信号的差值大于或等于6V。本实施例中，具体实现的电路结构如下文所述：
TFT基板20还包括多条平行设置的第一扫描线G21、第二扫描线G22、共享扫描线G23、第一数据线S20、第二数据线S21、开关管25、26、27、28、29以及30。
其中，第一扫描线G21的数量与第一像素单元211的行数相等，数据线S20的数量与第一像素单元211的列数相等。每一第一扫描线G21电连接对应的一行第一像素单元211，每一数据线S20电连接对应的一列第一像素单元211。具体地，如图3所示，第一扫描线G21电连接开关管27和28的控制端，数据线S20电连接开关管27、28的输入端，开关管27、28的输出端分别电连接第一像素单元211的主像素区221和辅像素区231，应理解，开关管27、28的输出端具体是分别电连接主像素区221和辅像素区231的ITO电极。在第一扫描线G21提供扫描驱动信号时，开关管27和28同时打开，开关管27和28的输入端和输出端分别相互导通，则数据线S20提供的电压信号通过导通的输入端和输出端后分别提供给主像素区221和辅像素区231，以对主像素区221和辅像素区231进行充电。
如图2所示，在进行TFT基板20的短接检测时，所有的第一扫描线G21都连接到同一条短路棒(shorting bar)L1上。以同时给第一扫描线G21提供扫描驱动信号来同时打开所有的第一像素单元211的开关管27和28，从而同时对第一像素单元211的主像素区221和辅像素区231进行充电。
应理解，在进行TFT基板20的短接检测时，所有的数据线S20也可以都连接在同一条短路棒上，用以同时提供同一电压信号给第一像素单元211。
第二扫描线G22的数量与第二像素单元212的行数相等，数据线S21的数量与第二像素单元212的列数相等。每一第二扫描线G22电连接对应的一行第二像素单元212，每一数据线S21电连接对应的一列第二像素单元212。具体地，如图3所示，第二扫描线G22电连接开关管29和30的控制端，数据线S21电连接开关管29、30的输入端，开关管29和30的输出端分别电连接第二像素单元212的主像素区222和辅像素区232。应理解，开关管29和30的输出端具体是分别电连接主像素区222和辅像素区232的ITO电极。在第二扫描线G22提供扫描驱动信号时，开关管29和30同时打开，开关管29和30的输入端和输出端分别相互导通，则数据线S21提供的电压信号通过导通的输入端和输出端后分别提供给主像素区222和辅像素区232，以对主像素区222和辅像素区232进行充电。
如图2所示，在进行TFT基板20的短接检测时，所有的第二扫描线G22都连接到同一条短路棒(shorting bar)L2上。以同时给第二扫描线G22提供扫描驱动信号来同时打开所有的第二像素单元212的开关管29和30，从而同时对第二像素单元212的主像素区222和辅像素区232进行充电。
应理解，在进行TFT基板20的短接检测时，所有的数据线S21也可以都连接在同一条短路棒上，用以同时提供同一电压信号给第二像素单元212。
共享扫描线G23设置在第一像素单元211和第二像素单元212之间。并且共享扫描线G23进一步与第一扫描线G21电连接，更具体的，是和其相邻的两条第一扫描线G21中，在正常工作阶段，即非检测阶段时，提供的扫描驱动信号较迟的第一扫描线G21连接。
第一开关管25分别电连接共享扫描线G23、第2n+1行的第一像素单元211的辅像素区213和第2n+2行的第二像素单元212的电容242。具体的，第一开关管25的数量和第一像素单元211的电容241的数量相等。其中，每一第一开关管25的控制端电连接一共享扫描线G23，输入端和输出端分别电连接该共享扫描线G23两侧的第一像素单元211的辅像素区213和第二像素单元212的电容242。
第二开关管26分别电连接共享扫描线G23、第2n+2行的第二像素单元212的辅像素区232和第2n+1行的第一像素单元211的电容241。具体的，开关管26的数量和第二像素单元212的电容242的数量相等。其中，每一开关管26的控制端电连接一共享扫描线G23，输入端和输出端分别电连接该共享扫描线G23两侧的第二像素单元212的辅像素区232和第一像素单元211的电容241。
值得注意的是，如图3所示，相邻的两个电容241和242分别对应的开关管25和26共享同一条共享扫描线G23。由此减少了共享扫描线的数量，提高了像素单元的开口率，从而能够提供液晶面板200的穿透率。
在其他实施例中，如不考虑穿透率，还可以设置开关管25和26分别电连接一条共享扫描线G23。
其中，以上所述的开关管的控制端为开关管的栅极，输入端为开关管的源极或漏极的其中一个，输出端为源极或漏极的另外一个。
以下将介绍本实施例的TFT基板20的检测原理：
其中，对第一扫描线G21和对第二扫描线G22分时提供扫描驱动信号。
本实施例举例图2所示的第一像素单元211和第二像素单元212的排列方式相反的结构的检测原理：首先给短路棒L2高电平信号，短路棒L1低电平信号，则所有的偶数行的第二像素单元212的第二扫描线G22都接收到扫描驱动信号，从而对应的开关管29和30打开，数据线S21将电压信号提供给对应的主像素区222和辅像素区232，举例此时提供的电压信号为1V，则所有的偶数行的第二像素单元212的主像素区222和辅像素区232写入1V像素电压。接着给短路棒L2提供低电平信号，以关闭开关管29和30，结束对主像素区222和辅像素区232的充电。
然后给短路棒L1高电平信号，则所有的奇数行的第一像素单元211的第一扫描线G21都接收到扫描驱动信号，从而对应的开关管27和28打开，数据线S20将电压信号提供给对应的主像素区221和辅像素区231，举例此时提供的电压信号为16V，则所有的奇数行的第一像素单元211的主像素区221和辅像素区231写入16V像素电压。
值得注意的是，此时所有的共享扫描线G23也会接收到扫描驱动信号，则开关管25和26也会打开，使得电容241和242分别充电。
具体地，若第一像素单元211和第二像素单元212的辅像素区与电容均没有发生短接，电容241是对第二像素单元212的辅像素区232进行分压，即将辅像素区232的1V电压进行分压。而电容242是通过辅像素区231从数据线S20中获得电压信号，与第一像素单元211的辅像素区231一样获得16V的电压信号。
若第一像素单元211和第二像素单元212的至少一个的辅像素区和电容发生短接，则就会导致数据线S20通过短接的电容向第二像素单元212的辅像素区232充电，使得辅像素区232的电压由1V变大到16V。具体而言，若第二像素单元212的辅像素区232与电容242发生短接，则此辅像素区232通过电容242与第一像素单元211的辅像素区231电相连，导致数据线S20通过短接的电容242向此辅像素区232写入16V电压信号。同理，若第一像素单元211的辅像素区231与电容241发生短接，则此辅像素区231通过电容241与第二像素单元212的辅像素区232电相连，导致数据线S20也会向此辅像素区232写入16V电压信号。由此看出，无论是奇数行的第一像素单元211的辅像素区231与电容241短接还是偶数行的第二像素单元212的辅像素区232与电容242短接，都会导致偶数行的第二像素单元212的辅像素区232的电压从1V变化到16V。此电压差能够让Array Test(阵列检查)检查出来。因此，本发明的该种电路结构能够在Array Test时，将像素单元的辅像素区与电容发生短接的缺陷检测出来，从而及时对缺陷像素单元进行修补。
承前所述，本发明实施例提供了分时分别向第一像素单元211和第二像素单元212提供高、低电压信号来检测像素单元的辅像素区和主像素区是否发生短接。总体来说，前文是通过检测第二像素单元212的辅像素区232的电压是否变化检测同一像素单元中的电容与辅像素区是否短接。具体而言，若检测到第二像素单元212的辅像素区232的电压发生变化，则检测为同一像素单元中的电容与辅像素区发生短接。反之，若检测到第二像素单元212的辅像素区232的电压没有变化，则检测为同一像素单元中的电容与辅像素区没有发生短接。
在其他实施例中，还可以只向第一像素单元211或第二像素单元212提供电压信号。若只有对应的像素单元检测到电压，则说明第一像素单元211和第二像素单元212均不存在辅像素区与电容短接的情况。相反的，若第一像素单元211和第二像素单元212都检测到电压信号，则说明第一像素单元211和第二像素单元212的至少一个存在辅像素区与电容短路的情况。应理解，此时的电压信号大于或等于6V。此时为了节约成本和简化流程，可以省略掉一根短路棒。
使得注意的是，短路棒L1和L2是在检测阶段才用到，在正常显示阶段，需要断开第一扫描线G21和短路棒L1的连接，以及第二扫描线G22和短路棒L2的连接。
以上举例的是图2所示的第一像素单元211和第二像素单元212的排列方式相反的结构的检测原理，应理解，在第一像素单元211和第二像素单元212的排列方式相同，并且电容241和242分别与第一像素单元211的主像素区221和第二像素单元212的主像素区222相邻设置的结构中，其检测原理亦相同。此时检测的是同一像素单元中电容与主像素区是否发生短接。
本发明还提供了一种TFT检测方法，该方法应用在前文所述的TFT基板20中。具体请参阅图4所示，图4是本发明实施例提供的一种TFT基板的检测方法的流程图，图4所示，本发明的检测方法包括以下步骤：
步骤S1：向第二像素单元212提供扫描驱动信号，以对第二像素单元212提供电压信号。
具体的，首先向第二扫描线G22提供扫描驱动信号，以打开与第二扫描线G22电连接的开关管29和30，然后向打开的开关管29和30提供电压信号，以通过开关管29和30将该电压信号传输到与其电连接的第二像素单元212的主像素区222和辅像素区232中。其中，该电压信号为低电压信号。
步骤S2：向第一像素单元211提供扫描驱动信号，以对第一像素单元211提供不同于第二像素单元212的电压信号，同时打开第一开关管25和第二开关管26，使得第2n+1行的第一像素单元211的辅像素区231通过第一开关管25电连接第2n+2行的第二像素单元212的电容242，以及第2n+2行的第二像素单元212的辅像素区232通过第二开关管26电连接第2n+1行的第一像素单元211的电容241。
步骤S3：通过检测第二像素单元212的辅像素区的电压是否变化检测同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。具体而言，若检测到第二像素单元212的辅像素区232的电压发生变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区发生短接。反之，若检测到第二像素单元212的辅像素区232的电压没有变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区没有发生短接。具体检测过程如前文所述，在此不再赘述。
其中，若电容241和242的是如图2所示那样分别与辅像素区231和232相邻设置，则本步骤检测到的是同一像素单元中的电容与辅像素区是否短接。若电容241和242的是分别与主像素区221和222相邻设置，则本步骤检测到的是同一像素单元中的电容与主像素区是否短接。
优选的，向第一像素单元211提供扫描驱动信号的步骤之前停止向第二像素单元212提供扫描驱动信号。即分时对第一扫描线G21和第二扫描线G22提供扫描驱动信号。
其中，对第一像素单元211和第二像素单元212提供的电压信号的差值大于或等于6V。如前文所述，对第一像素单元211提供的电压信号为16V，对第二像素单元212提供的电压信号为1V。
值得注意的是，还可以只向第一像素单元211或第二像素单元212提供电压信号。若只有对应的像素单元检测到电压，则说明第一像素单元211和第二像素单元212均不存在辅像素区与电容短接的情况。相反的，若第一像素单元211和第二像素单元212都检测到电压信号，则说明第一像素单元211和第二像素单元212的至少一个存在辅像素区与电容短路的情况。应理解，此时的电压信号大于或等于6V。
综上所述，本发明可以检测出同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否发生短接，从而可以及时进行修补，改善产品品质。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括：
多个呈矩阵设置的像素单元，其中每一所述像素单元包括主像素区、辅像素区和电容，所述像素单元包括分布于奇数行的第一像素单元和分布于偶数行的第二像素单元，第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的电容电连接，第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元的电容电连接，n为自然数；
其中，对所述第一像素单元和所述第二像素单元分别提供不相等的电压信号以检测同一所述像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区彼此靠近，第2n+1行的所述第一像素单元的主像素区与第2n+2行的所述第二像素单元的主像素区彼此远离；
第2n+1行的所述第一像素单元的电容设置在其辅像素区与第2n+2行的所述第二像素单元之间，第2n+2行的所述第二像素单元的电容设置在其辅像素区与第2n+1行的所述第一像素单元之间。
3.根据权利要求2所述的TFT基板，其特征在于，同一行像素单元中的主像素区和辅像素区接收的电压信号相等。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板还包括第一扫描线、第二扫描线、共享扫描线、第一开关管和第二开关管，其中：
所述第一扫描线电连接所述第一像素单元；
所述第二扫描线电连接所述第二像素单元；
所述第一开关管分别电连接所述共享扫描线、第2n+1行的第一像素单元的所述辅像素区和第2n+2行的第二像素单元的所述电容；
所述第二开关管分别电连接所述共享扫描线、第2n+2行的第二像素单元的所述辅像素区和第2n+1行的第一像素单元的所述电容；
所述共享扫描线进一步电连接所述第一扫描线，使得对所述第一扫描线提供扫描驱动信号时，所述共享扫描线上的所述第一开关管和所述第二开关管均导通。
5.根据权利要求4所述的TFT基板，其特征在于，对所述第一扫描线和对所述第二扫描线分时提供扫描驱动信号。
6.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，对所述第一像素单元和所述第二像素单元提供的电压信号的差值大于或等于6V。
7.一种液晶面板，其特征在于，所述液晶面板包括如权利要求1-6任一项所述的TFT基板。
8.一种TFT基板的检测方法，其中，所述TFT基板为权利要求4所述的TFT基板，其特征在于，所述检测方法包括以下步骤：
向第二像素单元提供扫描驱动信号，以对所述第二像素单元提供电压信号；
向第一像素单元提供扫描驱动信号，以对所述第一像素单元提供不同于第二像素单元的电压信号，同时打开第一开关管和第二开关管，使得第2n+1行的所述第一像素单元的辅像素区通过所述第一开关管电连接第2n+2行的所述第二像素单元的电容，以及第2n+2行的所述第二像素单元的辅像素区通过所述第二开关管电连接第2n+1行的所述第一像素单元的电容；
通过检测所述第二像素单元的辅像素区的电压信号是否变化来检测同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区是否短接，其中，若检测到所述第二像素单元的辅像素区的电压信号发生变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区发生短接；若检测到所述第二像素单元的辅像素区的电压信号没有变化，则检测为同一像素单元中的电容与主像素区或辅像素区没有发生短接。
9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述向第一像素单元提供扫描驱动信号的步骤之前还包括：
停止向第二像素单元提供扫描驱动信号。
10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于，对所述第一像素单元和所述第二像素单元提供的电压信号的差值大于或等于6V。
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