CN105086912B - 一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，属于封装材料技术领域。本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：锡酸锶纳米棒65‑80％、聚乙二醇10‑15％、乙撑双硬脂酰胺0.05‑0.5％、三聚丙二醇二缩水甘油醚5‑10％、乳化甲基硅油4‑10％，锡酸锶纳米棒的直径为80nm、长度为1‑2μm。本发明提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低等特点，在电子封装材料领域具有良好的应用前景。

Description

一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料

技术领域

本发明属于封装材料技术领域，具体涉及一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料。

背景技术

电子封装材料起着固定密封、使电子设备免受外界环境的干扰、保护电子设备、提高电子设备的寿命和增强电子设备环境适应的能力。随着电子设备的小型化、多功能化及高性能化，对电子封装材料的要求越来越高。

高分子材料和无机非金属材料在电子封装材料方面具有良好的应用。国家发明专利“一种复合杂化有机硅LED封装材料及其制备方法和应用”(国家发明专利申请号：201210484569.0)公布了通过将二氧化硅苯基有机硅复合杂化物、乙烯基聚硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅烷配位的铂络合物、双环戊二烯二氯化铂、邻苯二甲酸二乙酯配位的铂络合物、含氢聚硅氧烷等材料作为原料，在80-110℃的真空条件下反应1-8h得到了复合杂化的有机硅封装材料。国家发明专利“一种LED有机硅封装用改性纳米二氧化硅及其制备方法”(国家发明专利号：ZL201310321330.6)公开了一种以改性纳米二氧化硅、含氢硅油、含苯基硅氧烷单体、氯铂酸、甲基乙烯基硅氧烷配位的铂络化合物、邻苯二甲酸二乙酯配位的铂络化合物等作为原料，在60-150℃的真空条件下反应0.3-2h得到了含有改性纳米二氧化硅的有机硅封装材料。国家发明专利“电子元器件封装材料用陶瓷粉及其生产方法”(国家发明专利号：ZL201210396718.8)以含有氧化钡、氧化硼、氧化硅、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氧化钛的复合氧化物作为主要原料，在800-1000℃烧结获得了陶瓷电子封装材料。

高分子材料基电子封装材料具有易加工、绝缘性好、制备温度低的特点，但是存在热膨胀系数大、耐老化性能差和强度低等缺点；无机非金属材料基电子封装材料虽然具有强度高、热膨胀系数小、耐老化性能好等特点，但是存在难于加工、制备温度高等缺点。因此，单一材料难以满足电子封装材料的要求，例如电子封装材料要求具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特性。

发明内容

本发明的目的是为了解决以上问题，提供锡酸锶纳米棒作为主要原料，引入聚乙二醇、乙撑双硬脂酰胺、三聚丙二醇二缩水甘油醚和乳化甲基硅油等成分，以期得到具有热膨胀系数小、导热系数高、绝缘性好、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工及制备温度低的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料。

本发明所提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

锡酸锶纳米棒65-80％、聚乙二醇10-15％、乙撑双硬脂酰胺0.05-0.5％、三聚丙二醇二缩水甘油醚5-10％、乳化甲基硅油4-10％。

本发明所述锡酸锶纳米棒的直径为80nm、长度为1-2μm。

本发明所提供的锡酸锶纳米棒的具体制备方法如下：

以锡酸钠、乙酸锶作为原料，水为溶剂，其中锡酸钠与乙酸锶的摩尔比为1:1，将锡酸钠、乙酸锶与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度150-200℃、保温12-48h，其中锡酸钠与乙酸锶的重量不大于水重量的50％。

本发明所提供的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的具体制备方法如下：

按照质量比例称取锡酸锶纳米棒、聚乙二醇、乙撑双硬脂酰胺、三聚丙二醇二缩水甘油醚和乳化甲基硅油，然后通过机械搅拌将其混合均匀，再置于磨具中冲压成型，在100-150℃、保温24-48h，自然冷却后得到了锡酸锶纳米棒复合电子封装材料。

与现有技术相比，本发明具有以下技术效果：

1、本发明以锡酸锶纳米棒、聚乙二醇、乙撑双硬脂酰胺、三聚丙二醇二缩水甘油醚和乳化甲基硅油作为原料，制备出无机非金属纳米材料与高分子材料复合形成的电子封装材料，这种复合电子封装材料具有热膨胀系数小、导热系数高、耐老化及耐腐蚀性能优良、易加工、绝缘性好等特点。

2、本发明锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的制备温度为100-150℃，低于无机非金属材料基电子封装材料的制备温度，降低了能耗，减少了制备成本。

附图说明

图1为实施例1制备的锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的SEM图像；

从图可以看出锡酸锶纳米棒复合电子封装材料由纳米棒和无规则颗粒构成，纳米棒的直径为80nm、长度为1-2μm。

具体实施方式

以下结合具体实施例详述本发明，但本发明不局限于下述实施例。

实施例1

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例2

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例3

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例4

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例5

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例6

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例7

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

实施例8

确定锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的质量百分比组成如下：

本发明实施例1到实施例8所得锡酸锶纳米棒复合电子封装材料的特征参数如表1所示：

表1

Claims (2)

1.一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，其特征在于：以质量百分比计，该电子封装材料的配方如下：

所述锡酸锶纳米棒是通过以下方法予以制备的：

以锡酸钠、乙酸锶作为原料，水为溶剂，其中锡酸钠与乙酸锶的摩尔比为1:1，将锡酸钠、乙酸锶与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度150-200℃、保温12-48h，其中锡酸钠与乙酸锶的重量不大于水重量的50％。

2.如权利要求1所述一种锡酸锶纳米棒复合电子封装材料，其特征在于：所述锡酸锶纳米棒的直径为80nm、长度为1-2μm。