CN105086900A - 用导电胶粘接芯片的方法及引线框架导电胶的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了引线框架导电胶的制备方法,原料按重量份包括:银粉50~60份、钯粉10~15份、聚氨酯树脂30~40份、环氧树脂60~70份、无水乙二醇13~28份、间苯二胺2~7份、聚氨酯6~14份、八甲基环四硅氧烷5~11份、硼酸正丁酯3~6份、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷12~15份,将原料进行各种处理后制得导电胶。本发明还公开了用导电胶粘接芯片的方法。采用了本发明后,采用经过处理的钯粉和银粉作用浆体并与树脂充分结合,电阻率低、导电性能好、剥离强度大、显著提高复合材料的热分解温度,由于提高复合材料的耐热性、所以采用本发明中的导电胶粘接芯片后可以在较高温度下固化、在不影响性能的前提下固化速度快,提高了生产效率。

Description

用导电胶粘接芯片的方法及引线框架导电胶的制备方法
技术领域
本发明涉用及一种粘接芯片的方法,尤其是在集成电路引线框架上粘接芯片的方法。本发明还涉及一种导电胶,尤其是一种用于集成电路引线框架的导电胶。
背景技术
引线框架是电子信息产业中重要的基础材料。引线框架作为IC(集成电路)的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件。引线框架起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架。在制作集成电路时,通常需要采用各种方法将芯片粘接到引线框架上并塑封,现有技术中广泛采用导电胶粘接法,但是现有的导电胶导热、导电性能不如金属粘接的效果好。
发明内容
本发明的目的是解决现有的导电胶导热、导电性能不如金属粘接的效果好的问题。
本发明采用的技术方案是:引线框架导电胶的制备方法,包括以下步骤:
步骤一:准备原料,原料按重量份包括:银粉50~60份、钯粉10~15份、聚氨酯树脂30~40份、环氧树脂60~70份、无水乙二醇13~28份、间苯二胺2~7份、聚氨酯6~14份、八甲基环四硅氧烷5~11份、硼酸正丁酯3~6份、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷12~15份;
步骤二:将银粉、钯粉、聚氨酯、无水乙二醇和间苯二胺混合搅拌0.5~1小时形成填料溶液,用质量浓度为25%的八甲基环四硅氧烷和硼酸正丁酯的混合溶液将填料溶液处理0.5~1小时,处理后静置1小时后取出于12000-13000转/分钟的速率下离心分离35~50分钟,去掉上层溶液、下层固体用丙酮洗涤后再次离心10分钟,离心后放入真空干燥箱中干燥30~52小时,得到经过初步处理的导电填料;
步骤三:在120~180℃下加热聚氨酯树脂和环氧树脂并加入导电填料按一定的比例搅拌混合、搅拌温度80~100℃、搅拌速度为180转/分钟,搅拌后将3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷加入,搅拌0.5~1小时,室温静置5~10小时,然后放在120℃的烘箱中恒温1小时,使树脂、导电填料和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷充分反应,将间苯二胺、聚氨酯制成溶液后加入,充分混合搅拌后在150~180℃的烘箱中恒温1~2小时制得成品。
本发明在引线框架用导电胶粘接芯片的方法,包括在引线框架上涂覆导电胶、拿取芯片和粘接芯片的步骤,涂覆时所用导电胶为本发明的导电胶;固化温度为200~250℃、固化时间为15~30分钟。
本发明的有益效果是:采用了本发明后,采用经过处理的钯粉和银粉作用浆体并与树脂充分结合,电阻率低、导电性能好、剥离强度大、显著提高复合材料的热分解温度,由于提高复合材料的耐热性、所以采用本发明中的导电胶粘接芯片后可以在较高温度下固化、在不影响性能的前提下固化速度快,提高了生产效率。
具体实施方式
下面对本发明做进一步的说明。
引线框架导电胶的制备方法的实施例:
实施例1:包括以下步骤:
步骤一:准备原料,原料按重量份包括:银粉50份、钯粉15份、聚氨酯树脂30份、环氧树脂70份、无水乙二醇28份、间苯二胺7份、聚氨酯6份、八甲基环四硅氧烷11份、硼酸正丁酯3份、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷12份;
步骤二:将银粉、钯粉、聚氨酯、无水乙二醇和间苯二胺混合搅拌0.5小时形成填料溶液,用质量浓度为25%的八甲基环四硅氧烷和硼酸正丁酯的混合溶液将填料溶液处理0.5小时,处理后静置1小时后取出于12000转/分钟的速率下离心分离35分钟,去掉上层溶液、下层固体用丙酮洗涤后再次离心10分钟,离心后放入真空干燥箱中干燥52小时,得到经过初步处理的导电填料;
步骤三:在120℃下加热聚氨酯树脂和环氧树脂并加入导电填料按一定的比例搅拌混合、搅拌温度100℃、搅拌速度为180转/分钟,搅拌后将3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷加入,搅拌1小时,室温静置5小时,然后放在120℃的烘箱中恒温1小时,使树脂、导电填料和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷充分反应,将间苯二胺、聚氨酯制成溶液后加入,充分混合搅拌后在180℃的烘箱中恒温1小时制得成品。
实施例2:包括以下步骤:
步骤一:准备原料,原料按重量份包括:银粉60份、钯粉10份、聚氨酯树脂40份、环氧树脂60份、无水乙二醇13份、间苯二胺2份、聚氨酯14份、八甲基环四硅氧烷5份、硼酸正丁酯6份、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷15份;
步骤二:将银粉、钯粉、聚氨酯、无水乙二醇和间苯二胺混合搅拌1小时形成填料溶液,用质量浓度为25%的八甲基环四硅氧烷和硼酸正丁酯的混合溶液将填料溶液处理1小时,处理后静置1小时后取出于13000转/分钟的速率下离心分离50分钟,去掉上层溶液、下层固体用丙酮洗涤后再次离心10分钟,离心后放入真空干燥箱中干燥30小时,得到经过初步处理的导电填料;
步骤三:在180℃下加热聚氨酯树脂和环氧树脂并加入导电填料按一定的比例搅拌混合、搅拌温度80℃、搅拌速度为180转/分钟,搅拌后将3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷加入,搅拌0.5~1小时,室温静置5~10小时,然后放在120℃的烘箱中恒温1小时,使树脂、导电填料和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷充分反应,将间苯二胺、聚氨酯制成溶液后加入,充分混合搅拌后在150℃的烘箱中恒温1~2小时制得成品。
实施例3:包括以下步骤:
步骤一:准备原料,原料按重量份包括:银粉57份、钯粉13份、聚氨酯树脂34份、环氧树脂67份、无水乙二醇17份、间苯二胺4份、聚氨酯9份、八甲基环四硅氧烷8份、硼酸正丁酯4份、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷13份;
步骤二:将银粉、钯粉、聚氨酯、无水乙二醇和间苯二胺混合搅拌1小时形成填料溶液,用质量浓度为25%的八甲基环四硅氧烷和硼酸正丁酯的混合溶液将填料溶液处理1小时,处理后静置1小时后取出于13000转/分钟的速率下离心分离45分钟,去掉上层溶液、下层固体用丙酮洗涤后再次离心10分钟,离心后放入真空干燥箱中干燥40小时,得到经过初步处理的导电填料;
步骤三:在120~180℃下加热聚氨酯树脂和环氧树脂并加入导电填料按一定的比例搅拌混合、搅拌温度100℃、搅拌速度为180转/分钟,搅拌后将3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷加入,搅拌1小时,室温静置8小时,然后放在120℃的烘箱中恒温1小时,使树脂、导电填料和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷充分反应,将间苯二胺、聚氨酯制成溶液后加入,充分混合搅拌后在170℃的烘箱中恒温2小时制得成品。
用导电胶粘接芯片的方法的实施例:
实施例1:包括现有技术中在引线框架上涂覆导电胶、拿取芯片和粘接芯片的步骤,涂覆时所用导电胶为引线框架导电胶的制备方法的实施例中的任意一种导电胶;固化温度为200℃、固化时间为30分钟。
实施例2:包括现有技术中在引线框架上涂覆导电胶、拿取芯片和粘接芯片的步骤,涂覆时所用导电胶为引线框架导电胶的制备方法的实施例中的任意一种导电胶;固化温度为250℃、固化时间为15分钟。
实施例3:包括现有技术中在引线框架上涂覆导电胶、拿取芯片和粘接芯片的步骤,涂覆时所用导电胶为引线框架导电胶的制备方法的实施例中的任意一种导电胶;固化温度为220℃、固化时间为18分钟。
本领域技术人员应当知晓,本发明的保护方案不仅限于上述的实施例,还可以在上述实施例的基础上进行各种排列组合与变换,在不违背本发明精神的前提下,对本发明进行的各种变换均落在本发明的保护范围内。

Claims (2)

1.引线框架导电胶的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
步骤一:准备原料,原料按重量份包括:银粉50~60份、钯粉10~15份、聚氨酯树脂30~40份、环氧树脂60~70份、无水乙二醇13~28份、间苯二胺2~7份、聚氨酯6~14份、八甲基环四硅氧烷5~11份、硼酸正丁酯3~6份、3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷12~15份;
步骤二:将银粉、钯粉、聚氨酯、无水乙二醇和间苯二胺混合搅拌0.5~1小时形成填料溶液,用质量浓度为25%的八甲基环四硅氧烷和硼酸正丁酯的混合溶液将填料溶液处理0.5~1小时,处理后静置1小时后取出于12000-13000转/分钟的速率下离心分离35~50分钟,去掉上层溶液、下层固体用丙酮洗涤后再次离心10分钟,离心后放入真空干燥箱中干燥30~52小时,得到经过初步处理的导电填料;
步骤三:在120~180℃下加热聚氨酯树脂和环氧树脂并加入导电填料按一定的比例搅拌混合、搅拌温度80~100℃、搅拌速度为180转/分钟,搅拌后将3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷加入,搅拌0.5~1小时,室温静置5~10小时,然后放在120℃的烘箱中恒温1小时,使树脂、导电填料和3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷充分反应,将间苯二胺、聚氨酯制成溶液后加入,充分混合搅拌后在150~180℃的烘箱中恒温1~2小时制得成品。
2.用导电胶粘接芯片的方法,包括在引线框架上涂覆导电胶、拿取芯片和粘接芯片的步骤,其特征在于:涂覆时所用导电胶为权利要求1中任意一种导电胶;固化温度为200~250℃、固化时间为15~30分钟。
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