CN105047793B - 发光二极管封装结构的制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供发光二极管封装结构的制作方法，包括工艺步骤：提供一荧光膜；将若干个倒装芯片与所述荧光膜贴合，所述倒装芯片的电极远离荧光膜；在所述荧光膜之上形成透明材料层，包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面，其中位于相邻倒装芯片之间的透明材料层侧表面呈U型或V型；在所述倒装芯片、透明材料层之上填充第一反光材料层；将所述第一反光材料层进行研磨或喷砂，直至露出倒装芯片的电极，使得所述第一反光材料层的上表面不高于所述倒装芯片的电极上表面；沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
Description
技术领域
本发明属于 LED 封装技术领域，尤其涉及发光二极管封装结构的制作方法。
技术背景
目前，由于发光二极管（LED）具有高安全性、低能耗、高光效、寿命长、环保等多种优点被越来越广泛地应用于电脑、液晶显示器、手机、大尺寸液晶电视及室内照明和室外照明领域。随着LED应用越广泛，对其品质要求的越高。传统的LED封装结构为在金属支架上固晶、焊线、封荧光胶。近来使用倒装芯片级封装非常流行，这种封装不使用基板，也不需要焊线，直接在芯片上覆盖荧光胶，然后切割即可。它发光角较大，适合于球泡灯等应用，但是在其他一些应用上，如射灯、背光等方面，发光角大成为其缺点。
发明内容
本发明主要目的在于：提供一种发光二极管封装结构的制作方法，可以实现无基板封装兼具碗杯的结构，具有热阻降低、成本降低、可靠性高和光效高的优点。
根据本发明的第一方面，发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于包括：
提供一荧光膜；
将若干个倒装芯片与所述荧光膜贴合，所述倒装芯片的电极远离荧光膜；
在所述荧光膜之上形成透明材料层，包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面，其中位于相邻倒装芯片之间的透明材料层侧表面呈U型或V型；
在所述倒装芯片、透明材料层之上填充第一反光材料层；
将所述第一反光材料层进行研磨或喷砂，直至露出倒装芯片的电极，使得所述第一反光材料层的上表面不高于所述倒装芯片的电极上表面；
沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
优选地，所述荧光膜至少一面有粘性，且与所述倒装芯片的贴合面为粘性面。
优选地，所述形成透明材料层的方式为点胶或者印刷或热压成型或其组合。
优选地，所述透明材料层U型或V型的侧表面藉由前端带有倾斜角的刀片切割形成。
优选地，所述透明材料层U型或V型的侧表面藉由包围所述倒装芯片侧表面的透明材料层的表面张力形成。
优选地，所述第一反光材料层的上表面与倒装芯片的电极上表面齐平。
优选地，所述第一反光材料层通过热压成型方式填充。
根据本发明的第二方面，发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于包括：
提供一第一反光材料层，并将所述第一反光材料层制作出通孔；
将若干个倒装芯片贴合于所述第一反光材料层之上，且使得所述倒装芯片的电极镶嵌于所述第一反光材料层的通孔；
在所述倒装芯片之上罩上一具有网格状的金属蚀刻片，所述金属蚀刻片在相邻的倒装芯片的中心线方向上具有开孔结构；
沿所述开孔结构填充第二反光材料层，使得所述第二反光材料层侧表面呈梯形或碗杯状；
移除所述金属蚀刻片，在所述倒装芯片与所述第二反光材料层的间隙填充透明材料层，直至所述透明材料层的上表面与倒装芯片的上表面齐平；
在所述透明材料层的上表面与倒装芯片的上表面之上覆盖一荧光膜；
沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
优选地，所述第二反光材料层通过热压成型方式填充。
优选地，所述金属蚀刻片为钢网。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。
图1~图5为本发明之实施例1制作所述发光二极管封装结构的工艺流程图。
图6~图12为本发明之实施例2制作所述发光二极管封装结构的工艺流程图，其中图9为图8中所示的金属蚀刻片俯视图。
图中各标号表示如下：101：荧光膜；102：倒装芯片；1021、1022：电极；103：透明材料层；104：第一反光材料层；1041、1042：通孔；105：金属蚀刻片；1051：开孔结构；106：第二反光材料层。
实施例1
如图1~图5为本实施例1制作所述发光二极管封装结构的工艺流程图。
如图1所示，提供一荧光膜101，荧光膜上表面有粘性，下表面无粘性；
如图2所示，将若干个倒装芯片102与所述荧光膜101贴合，所述倒装芯片的电极1021、1022远离荧光膜，其中荧光膜101与倒装芯片102的贴合面为粘性面；
如图3所示，在所述荧光膜101之上印刷透明材料层103，包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面；
如图4所示，藉由前端带有倾斜角的刀片，将位于相邻倒装芯片之间的透明材料层103侧表面切割成V型，所述透明材料层选用透明硅胶；
如图5所示，在所述倒装芯片102、透明材料层103之上，通过热压成型方式填充第一反光材料层104；将所述第一反光材料层104进行研磨或喷砂等，直至露出倒装芯片的电极1021、1022，使得所述第一反光材料层的上表面与所述倒装芯片的电极上表面齐平，其中所述第一反光材料层选用高反白胶；最后，沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
本实施例省去基板，也无需使用固晶胶，而是芯片电极直接裸露，有效地降低了热阻和成本；保留第一反光材料层作为碗杯结构，有利于使倒装芯片的光向上反射，具有较高的光效。
实施例2
如图6~图12为本实施例2制作所述发光二极管封装结构的工艺流程图。
如图6所示，提供一第一反光材料层104，并将所述第一反光材料层制作出通孔1041、1042，该通孔尺寸与后续倒装芯片的电极尺寸相当；
如图7所示，将若干个倒装芯片102贴合于所述第一反光材料层104之上，且使得所述倒装芯片的电极1021、1022镶嵌于所述第一反光材料层104的通孔；
如图8和9所示，在所述倒装芯片102之上罩上一具有网格状的金属蚀刻片105，所述金属蚀刻片在相邻的倒装芯片的中心线方向上具有开孔结构1051，本实施例金属蚀刻片优选钢片；
如图10所示，沿所述开孔结构通过热压成型机填充第二反光材料层106，使得所述第二反光材料层侧表面呈梯形或碗杯状，本实施例优选梯形；
如图11所示，移除所述钢片，在所述倒装芯片102与所述第二反光材料层106的间隙填充透明材料层103，直至所述透明材料层103的上表面与倒装芯片102的上表面齐平；
如图12所示，在所述透明材料层103的上表面与倒装芯片102的上表面之上覆盖一荧光膜101；最后，沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
本实施例省去基板，有效地降低了热阻和成本；保留第二反光材料层作为碗杯结构，有利于使倒装芯片的光向上反射，具有较高的光效。
实施例3
与实施例1不同的是，本实施例的透明材料层的侧表面呈U型，且该U型侧表面藉由点胶时包围所述倒装芯片侧表面的透明材料层的表面张力形成。
需要说明的是，透明材料层的U型侧表面形状可以通过控制液态透明材料层流动性调整固化成凹或凸状。
应当理解的是，上述具体实施方案仅为本发明的部分优选实施例，以上实施例还可以进行各种组合、变形。本发明的范围不限于以上实施例，凡依本发明所做的任何变更，皆属本发明的保护范围之内。
具体实施方式
下面结合示意图对本发明的LED封装结构的制作方法进行详细的描述，在进一步介绍本发明之前，应当理解，由于可以对特定的实施例进行改造，因此，本发明并不限于下述的特定实施例。还应当理解，由于本发明的范围只由所附权利要求限定，因此所采用的实施例只是介绍性的，而不是限制性的。除非另有说明，否则这里所用的所有技术和科学用语与本领域的普通技术人员所普遍理解的意义相同。
Claims (10)
1.发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于包括：
提供一荧光膜；
将若干个倒装芯片与所述荧光膜贴合，所述倒装芯片的电极远离荧光膜；
在所述荧光膜之上形成透明材料层，包围所述倒装芯片除电极之外的侧表面，其中位于相邻倒装芯片之间的透明材料层侧表面呈U型或V型；
在所述倒装芯片、透明材料层之上填充第一反光材料层；
将所述第一反光材料层进行研磨或喷砂，直至露出倒装芯片的电极，使得所述第一反光材料层的上表面不高于所述倒装芯片的电极上表面；
沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述荧光膜至少一面有粘性，且与所述倒装芯片的贴合面为粘性面。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述形成透明材料层的方式为点胶或者印刷或热压成型或其组合。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述透明材料层U型或V型的侧表面藉由前端带有倾斜角的刀片切割形成。
5.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述透明材料层U型或V型的侧表面藉由包围所述倒装芯片侧表面的透明材料层的表面张力形成。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述第一反光材料层的上表面与倒装芯片的电极上表面齐平。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述第一反光材料层通过热压成型方式填充。
8.发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于包括：
提供一第一反光材料层，并将所述第一反光材料层制作出通孔；
将若干个倒装芯片贴合于所述第一反光材料层之上，且使得所述倒装芯片的电极镶嵌于所述第一反光材料层的通孔；
在所述倒装芯片之上罩上一具有网格状的金属蚀刻片，所述金属蚀刻片在相邻的倒装芯片的中心线方向上具有开孔结构；
沿所述开孔结构填充第二反光材料层，使得所述第二反光材料层侧表面呈梯形或碗杯状；
移除所述金属蚀刻片，在所述倒装芯片与所述第二反光材料层的间隙填充透明材料层，直至所述透明材料层的上表面与倒装芯片的上表面齐平；
在所述透明材料层的上表面与倒装芯片的上表面之上覆盖一荧光膜；
沿所述相邻倒装芯片之间的中心线切割成若干个单元，即得到发光二极管封装结构。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述第二反光材料层通过热压成型方式填充。
10.根据权利要求8所述的发光二极管封装结构的制作方法，其特征在于：所述金属蚀刻片为钢网。
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