JP6928269B2

JP6928269B2 - 発光装置及び発光装置の製造方法

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Publication number: JP6928269B2
Application number: JP2018162396A
Authority: JP
Inventors: 章三木
Original assignee: Nichia Corp
Current assignee: Nichia Corp
Priority date: 2018-08-31
Filing date: 2018-08-31
Publication date: 2021-09-01
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Also published as: JP2020035938A

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

発光素子を収納する基板を有していない薄型の発光装置が知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１２−１２４４４３号公報

配線基板との接合強度が優れた発光装置が望まれている。

本発明の実施形態は、以下の構成を含む。
上面及び下面を備える半導体積層体と、半導体積層体の下面に備えられた一対の電極と、を備える発光素子と、半導体積層体の下面と、電極の側面と、を被覆し、発光装置の下面一部を構成する被覆部材と、被覆部材から露出する電極の下面を被覆する金属膜と、を備え、被覆部材の下面は、電極の近傍に凹部を有し、電極は、半導体積層体と接続される基部と、基部から側方に延伸し、被覆部材の凹部内に配置される延伸部を有し、金属膜は、電極の基部及び延伸部を被覆する、発光装置。

以上により、配線基板との接合強度が優れた発光装置を提供することができる。

実施形態に係る発光装置の概略斜視図である。図１ＡのＩＢ−ＩＢ断面における概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられる中間体の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられる中間体の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられる中間体の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられる中間体の製造方法を説明する概略断面図である。実施形態に係る発光装置の製造方法に用いられる中間体の製造方法を説明する概略断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」および、それらの用語を含む別の用語）を用いる。それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が限定されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。

また、樹脂材料については、成形、固化、硬化、加工、個片化の前後を問わず、同じ名称を用いて説明する。すなわち、成形前は液状又はペースト状であり、成形後に固体となり、更に、成形後の固体を研削又個片化等の加工により、形状又は大きさ等を変化させた固体となる場合など、工程の段階によって状態が変化する部材について、同じ名称で説明する。電極、金属膜等についても同様であり、加工の前後において形状が変化するが、同じ名称を用いる。

実施形態に係る発光装置１００を図１Ａ、図１Ｂに示す。発光装置１００は、発光素子１０と、被覆部材２０と、金属膜５０と、を備える。発光素子１０は、半導体積層体１１と、その半導体積層体１１の下面１１Ｂに備えられる一対の電極１２と、を備える。半導体積層体１１の下面１１Ｂと電極１２の側面は、被覆部材２０で被覆される。更に、被覆部材２０から露出する電極１２の下面１２Ｂは、金属膜５０で被覆されている。

被覆部材２０の下面２０Ｂは、電極１２の近傍に凹部２２１を備える。詳細には、被覆部材２０の下面２０Ｂは、発光素子１０の電極１２の下面１２Ｂよりも上側に位置するように凹んだ部分（凹部２２１）を有する。発光素子１０の電極１２は、半導体積層体１１と接続される基部１２１と、基部１２１から側方に延伸する延伸部１２２を有する。延伸部１２２は、被覆部材２０の下面２０Ｂの凹部２２１の内部にまで延伸している。そして、金属膜５０は、電極１２の基部１２１及び延伸部１２２の両方を被覆している。

電極１２の下面１２Ｂを覆う金属膜５０は、電極１２の基部１２１の下面１２１Ｂを被覆する部分（基部被覆金属膜５１）よりも、電極１２の延伸部１２２を被覆する部分（延伸部被覆金属膜５２）の方が、高い位置にある。つまり、発光装置１００の下面１２Ｂにおいて、電極１２を被覆する金属膜５０の露出面が、下方向（Ｚ方向）に向く面に加え、横方向（Ｘ方向及びＹ方向）に向く面が形成されることになる。そのため、半田等を用いて配線基板と発光装置１００とを接合する際に、半田と金属膜５０との接触面積を大きくすることができるため、放熱性を向上させることができる。さらに、横方向に向いた金属膜５０（延伸部被覆金属膜５２）にも半田が接合されるため、接合強度を向上させることができる。

発光装置１００は、更に、発光素子１０の上面（半導体積層体１１の
上面１１Ａ）上に配置される透光部材４０を備えることができる。また、発光素子１０の側面（半導体積層体１１の側面１１Ｃ）と被覆部材２０との間に、導光部材３０を備えることができる。導光部材３０は、発光素子１０の上面（半導体積層体１１の側面１１Ｃ）と透光部材４０との間にも配置することができる。

このような発光装置１００は、以下の工程により形成することができる。
（１）電極を備える発光素子と、発光素子を被覆する被覆部材と、を備え、電極の下面と前記被覆部材の下面とが略同一面である中間体を準備する工程
（２）中間体の下面にメディアを吹き付けることで、被覆部材の下面に凹部を形成するとともに、電極の一部を側方に延伸させて凹部内に延伸する延伸部を形成する工程
（３）電極の基部及び延伸部を被覆する金属膜を形成する工程

以下、図２〜図４Ｃを用いて各工程について詳説する。尚、以下の工程を例示する図面では、発光装置１００の下面１００Ｂとなる中間体２００の下面２００Ｂを、上側に向けて配置して図示している。そのため、便宜上、中間体２００の下面２００Ｂを第２面２００Ｂとも称する場合がある。

（中間体を準備する工程）
図２Ａに示すように、発光素子１０と被覆部材２０と、を備えた中間体２００を準備する。発光素子１０は、半導体積層体１１と、半導体積層体１１の第２面（下面）に接続された一対の電極１２を備えている。被覆部材２０は、一対の電極１２の第２面（下面）１２Ｂの一部が露出するように発光素子１０を被覆している。中間体２００の第２面２００Ｂは、被覆部材２０の第２面２０Ｂと、電極１２の第２面１２Ｂとで構成されており、これらは略同一面である。１つの中間体２００は、複数の発光素子１０を備えており、各発光素子１０は、平面視において縦方向及び横方向に規則的に配列された状態で、被覆部材２０によって一体的に被覆されている。尚、ここでは説明の便宜上、２つ分の発光素子を例示しているが、発光素子の個数はこれに限定されるものではない。

発光素子１０間の距離は、目的とする発光装置の大きさ、発光素子１０の大きさ等によって適宜選択することができる。ただし、後工程において被覆部材２０を切断して個片化するため、その切断部分の幅（切断刃の幅）等をも考慮して配置する。

また、図２では、発光素子１０の第１面（半導体積層体１１の第１面１１Ａ）に透光部材４０を有し、発光素子１０の側面（半導体積層体１１の側面１１Ｃ）に導光部材３０を有する中間体２００を例示している。透光部材４０導光部材３０は略してもよい。中間体２００は、支持部材Ｓ上に、発光素子１０の第１面（半導体積層体１１の第１面１１Ａ）を対向させて載置している。つまり、図２では、中間体２００の第２面（下面）２００Ｂを上に向けて配置している。

このような中間体２００は、購入により準備してもよいし、発光素子１０を被覆部材２０で被覆する工程など、中間体２００の製造工程の一部又は全部を行うことで準備してもよい。

（被覆部材に凹部を形成し、電極に延伸部を形成する工程）
次に、図３Ａに示すように、ブラスト工程を行う。詳細には、中間体２００の第２面２００Ｂ上に配置したブラストガン７０から、中間体２００の第２面２００Ｂに向けてメディア７１を吹き付ける。

ブラスト加工により、樹脂材料を主成分とする被覆部材２０の第２面２０Ｂには、図３Ｂに示すように、凹部２２１が形成される。これは、メディア７１よりも被覆部材２０が軟らかいため、あるいは、脆いため、メディア７１によって被覆部材２０が削られてしまうためである。

また、ブラスト加工の際、メディア７１は金属材料を主成分とする電極１２の第２面１２Ｂにも吹き付けられる。金属材料は展性があるため、ブラスト加工を行うことで変形し、横方向に伸ばされる。そして、メディア７１によって削られることで形成された被覆部材２０の凹部２２１に、電極１２の一部である延伸部１２２が形成される。尚、電極１２の延伸部１２２が形成されていない領域であって、半導体積層体１１と接続されている部分を、電極１２の基部１２１と称する。つまり、ブラスト加工前の電極１２は基部１２１のみを有しており、ブラスト加工後の電極１２は、基部１２１と基部１２１の一部が横方向に延伸した延伸部１２２と、を有している。

ブラスト加工に用いるブラストガン７０は、図３Ａに示すように、中間体２００の上方においてメディア７１を吐出しながら水平方向（横方向）に移動する。ブラストガン７０と中間体２００とは、相対的に移動していればよい。すなわち、中間体２００を固定してブラストガン７０を移動させてもよく、あるいは、ブラストガン７０を固定し、中間体２００を移動させてもよい。また、ブラストガン７０または中間体２００は、Ｘ方向又はＹ方向のいずれの方向に相対移動させてもよい。

ブラストガン７０または中間体２００の移動速度は、例えば、２ｍｍ／ｓ〜３０ｍｍ／ｓとすることができる。ブラストガン７０は、中間体２００の上方を移動する際に、例えば、先に被覆部材２０の上方を移動した後に、電極１２の上方を移動させるなど、ブラストガン７０の移動場所や移動方向を調整することで、被覆部材２０へのメディア７１の吹き付けと電極１２へのメディア７１の吹き付けとを、タイミングをずらして行うことができる。これにより、被覆部材２０に形成された凹部２２１内に、効率よく電極１２の延伸部１２２を形成することができる。

ブラストガン７０からメディア７１を吹き付ける際の吐出圧は、例えば、０．１０ｋＰａ〜０．２５ｋＰａとすることができる。吐出圧を高くすることで、被覆部材２０の凹部２２１の深さを深くすることができる。さらに、吐出圧を高くすることで、電極１２の延伸部１２２の延伸長さを長くすることができる。

メディア７１の材料は、例えば、モース硬度が、２〜１４のものを用いることができる。メディア７１の具体的な材料としては、鉄粒、アルミナ粒、砥粒、ガラス粒、樹脂、セラミック等が挙げられる。メディア７１の大きさは、例えば、中心粒径が１０μｍ〜４０μｍのものを用いることが好ましい。また、被覆部材２０に凹部２２１を形成する際に用いるメディア７１と、電極１２の延伸部１２２を形成する際に用いるメディア７１とは、同じものでもよく、あるいは、異なるものでもよい。例えば、電極１２の延伸部１２２を形成する際のメディア７１を、被覆部材２０に凹部２２１を形成する際に用いるメディア７１よりも、硬度が高いもの、を用いることができる。

被覆部材２０の凹部２２１は、少なくとも電極１２の延伸部１２２が配置されるよう、電極１２の近傍に形成されていればよい。凹部２２１は電極１２と接するように設けることが好ましい。詳細には、電極１２の基部１２１と接するように設けることが好ましい。更に、凹部２２１は電極１２の周囲の全領域（全周）の被覆部材２０に設けることが好ましい。同様に、電極１２の延伸部１２２は、電極１２の基部１２１の全周囲に設けることが好ましい。凹部２２１内に配置される電極１２の延伸部１２２の面積が大きいほど、発光装置１００と配線基板との接合強度を向上させることができる。

また、凹部２２１は、例えば、被覆部材２０の第２面２０Ｂの略全体にわたって設けることができる。その場合、一対の電極１２の間において、断面視が１つの凹部２２１を形成することができる。あるいは、一対の電極１２の間において、被覆部材２０の第２面２０Ｂに複数の凹部２２１を形成することができる。複数の凹部２２１は、互いに離間していてもよい。さらに、１つの凹部２２１内に、さらに凹部を設けるなどの構造とすることもできる。

また、凹部２２１は、電極１２の近傍のみに設けてもよい。つまり、被覆部材２０の第２面２０Ｂに、凹部２２１を備えない平面状の領域を備えていてもよい。このように、被覆部材２０の第２面２０Ｂに選択的（部分的）に凹部２２１を形成する場合は、ブラストガン７０の移動する領域を規定することで調整することができる。あるいは、マスク等により保護することで、ブラスト加工されない領域を設けることもで、部分的に凹部２２１を形成することができる。

凹部２２１の深さ（高低差）は、例えば、１μｍ〜４０μｍとすることができる。凹部２２１は、断面視において全体が曲面である凹部２２１とすることができる。

電極１２の延伸部１２２は、基部１２１から横方向に向けて、例えば、１μｍ〜３０μｍの長さとすることができる。

（金属膜を形成する工程）
次に、図４Ｃに示すように、電極１２の基部１２１及び延伸部１２２を連続して被覆する金属膜５０を形成する。金属膜５０は、スパッタ、蒸着、原子層堆積（Atomic Layer Deposition；ＡＬＤ）法や有機金属化学的気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；ＭＯＣＶＤ）法、プラズマＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition；ＰＥＣＶＤ）法、大気圧プラズマ成膜法などによって形成することができる。

図４Ｃに示すような金属膜５０を、スパッタで形成する場合について説明する。まず、図４Ａに示すように、凹部２２１が形成された被覆部材２０と、電極１２の基部１２１及び延伸部１２２を含む中間体２００の第２面２００Ｂの全面に金属膜５０を形成する。

次に、図４Ｂに示すように、中間体２００上の金属膜５０にレーザ光８１を照射する。レーザ光８１は、金属膜５０の全面、すなわち、電極１２上の金属膜５０と被覆部材２０上の金属膜５０の両方に照射してもよく、被覆部材２０上の金属膜５０のみに照射してもよい。被覆部材２０上の金属膜５０のみに照射する場合は、１つの発光素子１０の一対の電極１２の間に照射することが必須である。

被覆部材２０上の金属膜５０は、レーザ光８１が照射された領域において、レーザアブレーションにより金属膜５０が除去される。レーザアブレーションとは、固体の表面に照射されるレーザ光の照射強度がある大きさ（閾値）以上になると、固体の表面が除去される現象である。レーザアブレーションを利用することで、マスクなどを用いることがなく、金属膜５０のパターニングをすることができる。これにより、図４Ｃに示すように、被覆部材２０上の金属膜５０が除去され、発光素子１０の一対の電極１２をそれぞれ被覆する金属膜５０が残される。なお、電極１２上の金属膜５０にレーザ光８１を照射してもよい。その場合はレーザアブレーションは生じないため金属膜５０は残ったままとなる。

レーザ光８１の波長は、金属膜５０に対する反射率が低い波長、例えば反射率が９０％以下である波長を選択することが好ましい。例えば、金属膜５０の最表面がＡｕである場合には、赤色領域（たとえば６４０ｎｍ）のレーザよりも、緑色領域（例えば５５０ｎｍ）より短い発光波長のレーザを用いることが好ましい。これにより、アブレーションを効率よく発生させ、量産性を高めることができる。

レーザ光８１は、その照射スポットを中間体２００上の金属膜５０上で連続的又は逐次移動させることにより、金属膜５０に照射することができる。レーザ光は、連続して照射してもよく、パルス照射でもよい。レーザ光の強度、照射スポットの径及び照射スポットの移動速度は、被覆部材や金属膜の熱伝導率及びそれらの熱伝導率差等を考慮して、被覆部材２０上の金属膜５０がレーザアブレーションが生じるように、設定することができる。

レーザ光８１を出射可能なレーザ光源８０は、図４Ｂに示すように、中間体２００の金属膜５０の上方においてレーザ光８１を出射しながら水平方向（横方向）に移動する。レーザ光源８０と中間体２００とは、相対的に移動していればよい。すなわち、中間体２００を固定してレーザ光源８０を移動させてもよく、あるいは、レーザ光源８０を固定し、中間体２００を移動させてもよい。また、レーザ光源８０または中間体２００は、Ｘ方向又はＹ方向のいずれの方向に相対移動させてもよい。

上記のような工程を経ることにより、図４Ｃに示すように、電極１２の基部１２１及び延伸部１２２の両方を被覆する金属膜５０がそれぞれ離間しており、被覆部材２０の第２面２０Ｂが露出している発光装置の集合体を得ることができる。この発光装置の集合体を、図４Ｃに示すように発光素子１０の間の破線部分で切断して個片化することで、図１Ａに示す発光装置１００を得ることができる。

以下に、各実施形態に用いられる構成部材について説明する。

（中間体）
中間体は、発光素子と、被覆部材と、を備える。さらに、透光部材なども備えることができる。中間体を製造する方法の一例を以下に示す。

図５Ａ〜図５Ｅは、図１Ｂに示す発光装置１００に用いられる中間体２００の製造方法を説明する図であり、発光素子１０と、被覆部材２０と、透光部材４０と、導光部材３０と、を備えた中間体２００の製造方法の一例を示す。

まず、図５Ａに示すように、支持部材６０上に、複数の透光部材４０を配置する。なお、このとき、複数の透光部材４０を被覆部材と同じ材料の板状部材で一体的に保持した板状部材を用いてもよい。例えば、貫通孔を備えた板状の部材を準備し、その貫通孔内に透光部材４０を配置したものを用いてもよい。板状の部材は、被覆部材と同じ材料のものを用いることができる。例えば、シリコーン樹脂にシリカ及び白色の酸化チタンが６０ｗｔ％程度含有する部材等を用いることができ、圧縮成形、トランスファモールド、射出成形、印刷、スプレー等により板状に成形し、さらにパンチングなどで打ち抜いて複数の貫通孔を形成する等の方法により得ることができる。

次に、図５Ｂに示すように、透光部材４０の上に、液状の導光部材３０を塗布する。各導光部材３０は、透光部材４０の面積の７０％〜１００％を覆うように形成することが好ましい。

次に、図５Ｃに示すように、各導光部材３０の上に、発光素子１０を配置する。発光素子１０を液状の導光部材３０の上に配置すると、導光部材３０は発光素子１０の側面に這い上がる。これにより、導光部材３０の外面が、斜め上方向に向くような形状になる。発光素子１０を配置した後、必要に応じて、発光素子１０を押圧するようにしてもよい。発光素子１０を配置後に、液状の導光部材３０を加熱することで、硬化された導光部材３０が形成される。導光部材３０は、透光部材４０と発光素子１０との接着剤としても機能する。

尚、発光素子１０と透光部材４０の間の導光部材３０は図示していないが、発光素子１０と透光部材４０の間に薄い膜状で存在していてもよい。

次に、図５Ｄに示すように、支持部材６０上に、被覆部材２０を形成する。このとき、発光素子１０の電極１２の下面（第２面）１２Ｂまで覆うように、被覆部材２０を形成する。被覆部材２０は、例えば、シリコーン樹脂にシリカ及び白色の酸化チタンが６０ｗｔ％程度含有する部材等を用いることができ、圧縮成形、トランスファモールド、射出成形、印刷、スプレー等により形成することができる。

被覆部材２０を硬化させた後、図５Ｅに示すように、発光素子１０の電極１２が露出するように、被覆部材２０の一部を除去する。除去する方法としては、砥石による研削等、公知の加工方法を用いることができる。このとき、電極１２の一部の一緒に除去してもよい。これにより、被覆部材２０の第２面と電極１２の第２面とが略同一面となる中間体２００を得ることができる。

（発光素子）
発光素子としては、例えば発光ダイオード等の半導体発光素子を用いることができ、青色、緑色、赤色等の可視光を発光可能な発光素子を用いることができる。半導体発光素子は、発光層を含む半導体積層体と、電極と、を備える。半導体積層体は、電極が形成された側の面（第２面）と、それとは反対側の面であって主発光面である第１面と、を備える。

半導体積層体は、発光層を含む半導体層を含む。さらに、サファイア等の透光性基板を備えていてもよい。半導体積層体の一例としては、第１導電型半導体層（例えばｎ型半導体層）、発光層（活性層）および第２導電型半導体層（例えばｐ型半導体層）の３つの半導体層を含むことができる。紫外光や、青色光から緑色光の可視光を発光可能な半導体層としては、例えば、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体等の半導体材料から形成することができる。具体的には、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等の窒化物系の半導体材料を用いることができる。赤色を発光可能な半導体積層体としては、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等を用いることができる。

発光素子は一対の電極を備えており、半導体積層体の上であって、同一面側（第２面側）に配置されている。これらの一対の電極は、半導体積層体と、電流−電圧特性が直線又は略直線となるようなオーミック接続されるものであれば、単層構造でもよいし、積層構造でもよい。このような電極は、当該分野で公知の材料及び構成で、任意の厚みで形成することができる。例えば、電極の厚みは、十数μｍ〜３００μｍが好ましい。また、電極としては、電気良導体を用いることができ、例えばＣｕ等の金属が好適である。電極形状は、目的や用途等に応じて、種々の形状を選択することができる。

（金属膜）
金属膜は、主として、電極の表面の腐食や酸化防止のために形成される膜である。材料としては、電極よりも耐腐食性や耐酸化性に優れたものを選択する。例えば、最表面の層はＡｕ、Ｐｔ等の白金族元素の金属が好ましい。また、金属膜が発光装置のはんだ付けされる面を被覆するものである場合には、最表面にはんだ付け性の良好なＡｕを用いることが好ましい。

金属膜は単一の材料の一層のみで構成されてもよく、異なる材料の層が積層されて構成されていてもよい。特に、高融点の金属膜を用いるのが好ましく、例えば、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ等を挙げることができる。また、これら高融点の金属を、発光素子の電極と最表面の層との間に設けることにより、はんだに含まれるＳｎが電極や電極に近い層に拡散することを低減することが可能な拡散防止層とすることができる。このような拡散防止層を備えた積層構造の例としては、Ｎｉ／Ｒｕ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ等が挙げられる。また、拡散防止層（例えばＲｕ）の厚みとしては、１０Å〜１０００Å程度が好ましい。

金属膜の厚みは、種々選択することができる。レーザアブレーションが選択的に起こる程度とすることができ、例えば１μｍ以下であることが好ましく、１０００Å以下がより好ましい。また、電極の腐食を低減することができる厚み、例えば５ｎｍ以上であることが好ましい。ここで、金属膜の厚みとは、金属膜が複数の層が積層されて構成されている場合には、該複数の層の合計の厚みのことをいう。

（被覆部材）
被覆部材は、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂部材が好ましい。

被覆部材は、光反射性の部材が好ましく、光反射性の樹脂部材が好ましく、例えば、白色樹脂などが好ましい。光反射性とは、発光素子からの光に対する反射率が７０％以上であることを意味する。被覆部材としては、白色樹脂などが好ましい。

被覆部材の材料としては、例えば透光性樹脂に、光反射性物質を分散させたものが使用できる。光反射性物質としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが好適である。光反射性物質は、粒状、繊維状、薄板片状などが利用できるが、特に、繊維状のものは被覆部材の熱膨張率を低下させる効果も期待できるので好ましい。

被覆部材２０が、例えば、光反射性物質のようなフィラーを含む樹脂部材により構成される場合、レーザが照射された表面の樹脂成分がアブレーションにより除去されて表面にフィラーが露出する。また、レーザ光の照射スポットを表面上で連続的又は逐次移動させることによって、移動方向にストライプ状の溝が形成される。この溝は、レーザ光の照射スポット径により、例えば、１０〜１００μｍ程度、典型的には４０μｍの幅で、０．１〜３μｍの深さに形成される。

（透光部材）
透光部材は、発光素子の発光面（第１面）を被覆する部材であり、発光装置の光取り出し面となる部材である。透光材料としては、透光性樹脂、ガラス等が使用できる。特に、透光性樹脂が好ましく、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂を用いることができる。特に、耐光性、耐熱性に優れるシリコーン樹脂が好適である。

透光部材は、上記の透光性材料に加え、波長変換部材として蛍光体を含んでもよい。蛍光体は、発光素子からの発光で励起可能なものが使用される。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）；セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＬＡＧ：Ｃｅ）；ユウロピウムおよび／又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体（ＣａＯ−Ａｌ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２）；ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体（（Ｓｒ，Ｂａ）_２ＳｉＯ_４）；βサイアロン蛍光体、ＣＡＳＮ系蛍光体、ＳＣＡＳＮ系蛍光体等の窒化物系蛍光体；ＫＳＦ系蛍光体（Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）；硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を製造することができる。
また、透光部材には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。

以上、本発明に係るいくつかの実施形態について例示したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることは言うまでもない。

１００…発光装置
１００Ａ…発光装置の上面（第１面）
１００Ｂ…発光装置の下面（第２面）
１００Ｃ…発光装置の側面
２００…中間体

２００Ｂ…中間体の下面（第２面）
１０…発光素子
１１…半導体積層体
１１Ａ…半導体積層体の上面（第１面）
１１Ｂ…半導体積層体の下面（第２面）
１１Ｃ…半導体積層体の側面
１２…電極
１２Ｂ…電極の下面（第２面）
１２１…基部
１２１Ｂ…基部の下面（第２面）
１２２…延伸部
１２２Ｂ…延伸部の下面（第２面）
２０…被覆部材
２０Ｂ…被覆部材の下面（第２面）
２２１…凹部
３０…導光部材
４０…透光部材
５０…金属膜
５１…基部被覆金属膜
５２…延伸部被覆金属膜
６０…支持部材
７０…ブラストガン
７１…メディア
８０…レーザ光源
８１…レーザ光

Claims

上面及び下面を備える半導体積層体と、前記半導体積層体の下面に備えられた一対の電極と、を備える発光素子と、
前記半導体積層体の下面と、前記電極の側面と、を被覆し、発光装置の下面の一部を構成する被覆部材と、
前記被覆部材から露出する前記電極の下面を被覆する金属膜と、
を備え、
前記被覆部材の下面は、全体が曲面である凹部を有し、
前記電極は、前記半導体積層体と接続される基部と、前記基部から側方に延伸し、前記被覆部材の凹部内に配置される延伸部を有し、
前記金属膜は、前記電極の前記基部及び延伸部を被覆する、発光装置。
前記凹部の深さは、１μｍ〜４０μｍである、請求項１に記載の発光装置。
前記延伸部は、前記基部から側方に１μｍ〜３０μｍ延伸している、請求項１または請求項２に記載の発光装置。
電極を備える発光素子と、前記発光素子を被覆する被覆部材と、を備え、前記電極の下面と前記被覆部材の下面とが略同一面である中間体を準備する工程と、
前記中間体の下面にブラスト加工を行うことで、前記被覆部材の下面に凹部を形成するとともに、前記電極の一部を前記凹部内に延伸する延伸部を形成する工程と、
前記延伸部上に金属膜を形成する工程と、
を備える発光装置の製造方法。
前記ブラスト加工は、メディアとしてアルミナ粒を用いる、請求項４記載の発光装置の製造方法。
前記ブラスト加工は、吐出圧が０．１５ｋＰａ〜０．２５ｋＰａで行う、請求項４または請求項５記載の発光装置の製造方法。