CN114497318A - 一种csp封装工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种CSP封装工艺，属于CSP封装领域，一种CSP封装工艺，包括以下步骤：S1、基体成型，对倒装芯片进行生产；S2、电极连接，将合金导电机电性连接在倒装芯片的下侧；S3、芯片包膜，在倒装芯片的外侧包裹荧光膜，荧光膜的生产方法包括在胶水内添加荧光粉，荧光粉的颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫中的任意一种，S3中荧光膜的外形呈立方体，立方体的下侧开设有与倒装芯片相适配的凹槽，倒装芯片通过凹槽包裹在倒装芯片的上部和四周，它可以实现，CSP封装的工件具有体积小、厚度薄、性耐性强、无连接线电性能好、相同尺寸对比亮度高、热性能好的优点。
Description
技术领域
本发明涉及CSP封装领域，更具体地说，涉及一种CSP封装工艺。
背景技术
CSP封装指就是芯片级封装；
其中，日本电子工业协会把CSP定义为芯片面积与封装体面积之比大于80%的封装；美国国防部元器件供应中心的J-STK-012标准把CSP定义为LSl封装产品的面积小于或等于LSl芯片面积的120%的封装，这些定义虽然有些差别，但都指出了CSP产品的主要特点--封装体尺寸小；
但通过现有CSP封装工艺封装的工件仍具有体积大、厚度大、性耐性差、无连接线电性能差、相同尺寸对比亮度低、热性能差的缺点，为此我们提出一种CSP封装工艺。
发明内容
1．要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种CSP封装工艺，它可以实现，CSP封装的工件具有体积小、厚度薄、性耐性强、无连接线电性能好、相同尺寸对比亮度高、热性能好的优点。
2．技术方案
为解决上述问题，本发明采用如下的技术方案。
一种CSP封装工艺，包括以下步骤：
S1、基体成型，对倒装芯片进行生产；
S2、电极连接，将合金导电机电性连接在倒装芯片的下侧；
S3、芯片包膜，在倒装芯片的外侧包裹荧光膜。
进一步的，所述荧光膜的生产方法包括在胶水内添加荧光粉。
进一步的，所述荧光粉的颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫中的任意一种。
进一步的，所述S3中荧光膜的外形呈立方体，所述立方体的下侧开设有与倒装芯片相适配的凹槽，所述倒装芯片通过凹槽包裹在倒装芯片的上部和四周。
进一步的，所述S3中荧光膜的外形呈立方体，所述立方体设置在倒装芯片的上部；
所述倒装芯片的外侧还设置有光电反射层，所述光电反射层的上侧和荧光膜的下侧相连。
进一步的，所述光电反射层为不透明围墙胶，所述围墙胶的颜色为白色和黑色中的任意一种。
进一步的，所述光电反射层为口字形结构，所述光电反射层包裹在倒装芯片的四周。
进一步的，所述光电反射层为长方体，所述长方体的上部开设有碗状槽，所述碗状槽的形状呈倒置的梯台，所述倒装芯片位于碗状槽的内部，且所述合金导电机下部延伸至光电反射层的下侧；
所述倒装芯片四周的侧壁和碗状槽的内壁之间设置有透明硅胶。
进一步的，所述透明硅胶远离倒装芯片的一侧为斜边，且所述斜边的下侧朝靠近倒装芯片的一侧倾斜，所述斜边的倾斜角度为45°。
3．有益效果
相比于现有技术，本发明的优点在于：
(1)本方案通过各个工序的配合实现CSP封装的工件具有体积小、厚度薄、性耐性强、无连接线电性能好、相同尺寸对比亮度高、热性能好等优点。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明实施例1中装置的剖切结构示意图；
图3为本发明实施例4中装置的剖切结构示意图；
图4为本发明实施例5中装置的剖切结构示意图；
图5为本发明的工艺流程图。
图中标号说明：
1、倒装芯片；2、合金导电机；3、荧光膜；4、光电反射层；5、透明硅胶。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
请参阅图1-5所示，一种CSP封装工艺，包括以下步骤：
第一步：基体成型，对倒装芯片1进行生产；
第二步：电极连接，将合金导电机2电性连接在倒装芯片1的下侧；
在此，倒装晶片无需焊线不存在开路、短路、电阻一系列的电性问题；
第三步：芯片包膜，在倒装芯片1的外侧包裹荧光膜3；
此时，合金导电机2连接电源后，倒装芯片1发光，通过荧光膜3的折射后会向装置的周侧放射出光线。
实施例2：
在实施例1的基础上公开了一种荧光膜3的生产方法，荧光膜3的生产方法包括在胶水内添加荧光粉，荧光粉的颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫中的任意一种，其颜色和比率可根据用户的需求任意调节，以放射出不同的发光颜色。
实施例3：
在实施例1的基础上公开一种荧光膜3的包裹位置，第三步中荧光膜3的外形呈立方体，立方体的下侧开设有与倒装芯片1相适配的凹槽，倒装芯片1通过凹槽包裹在倒装芯片1的上部和四周，此时，装置能够实现五面发光。
实施例4：
请参阅图3所示，本实施例和实施例3的不同在于，第三步中荧光膜3的外形呈立方体，立方体设置在倒装芯片1的上部；
倒装芯片1的外侧还设置有光电反射层4，光电反射层4的上侧和荧光膜3的下侧相连；
光电反射层4为口字形结构，光电反射层4包裹在倒装芯片1的四周；
此时，通过光电反射层4对倒装芯片1放射到周侧的光线进行遮挡，使倒装芯片1能够实现单面发光；
且，光电反射层4为不透明围墙胶，围墙胶的颜色为白色和黑色中的任意一种。
实施例5：
请参阅图4所示，本实施例和实施例4的不同在于，光电反射层4为长方体，长方体的上部开设有碗状槽，碗状槽的形状呈倒置的梯台，倒装芯片1位于碗状槽的内部，且合金导电机2下部延伸至光电反射层4的下侧；
倒装芯片1四周的侧壁和碗状槽的内壁之间设置有透明硅胶5；
在此，透明硅胶5远离倒装芯片1的一侧为斜边，且斜边的下侧朝靠近倒装芯片1的一侧倾斜，斜边的倾斜角度优选为45°。
此时，光电反射层4受到透明硅胶5斜边的限制会形成与斜边相适应的折射面，倒装芯片1放射到周侧的光线会照射在折射面上，然后折射到荧光膜3上，透过荧光膜3照射到装置的外侧。
综上，本发明通过各个工序的配合实现CSP封装的工件具有体积小、厚度薄、性耐性强、无连接线电性能好、相同尺寸对比亮度高、热性能好等优点。
以上，仅为本发明较佳的具体实施方式；但本发明的保护范围并不局限于此。任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种CSP封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1、基体成型，对倒装芯片（1）进行生产；
S2、电极连接，将合金导电机（2）电性连接在倒装芯片（1）的下侧；
S3、芯片包膜，在倒装芯片（1）的外侧包裹荧光膜（3）。
2.根据权利要求1所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述荧光膜（3）的生产方法包括在胶水内添加荧光粉。
3.根据权利要求2所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述荧光粉的颜色为红、橙、黄、绿、青、蓝、紫中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述S3中荧光膜（3）的外形呈立方体，所述立方体的下侧开设有与倒装芯片（1）相适配的凹槽，所述倒装芯片（1）通过凹槽包裹在倒装芯片（1）的上部和四周。
5.根据权利要求1所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述S3中荧光膜（3）的外形呈立方体，所述立方体设置在倒装芯片（1）的上部；
所述倒装芯片（1）的外侧还设置有光电反射层（4），所述光电反射层（4）的上侧和荧光膜（3）的下侧相连。
6.根据权利要求5所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述光电反射层（4）为不透明围墙胶，所述围墙胶的颜色为白色和黑色中的任意一种。
7.根据权利要求6所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述光电反射层（4）为口字形结构，所述光电反射层（4）包裹在倒装芯片（1）的四周。
8.根据权利要求6所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述光电反射层（4）为长方体，所述长方体的上部开设有碗状槽，所述碗状槽的形状呈倒置的梯台，所述倒装芯片（1）位于碗状槽的内部，且所述合金导电机（2）下部延伸至光电反射层（4）的下侧；
所述倒装芯片（1）四周的侧壁和碗状槽的内壁之间设置有透明硅胶（5）。
9.根据权利要求8所述的一种CSP封装工艺，其特征在于：所述透明硅胶（5）远离倒装芯片（1）的一侧为斜边，且所述斜边的下侧朝靠近倒装芯片（1）的一侧倾斜，所述斜边的倾斜角度为45°。
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