CN105047226A - 半导体存储器件及其操作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半导体存储器件，其包括：熔丝阵列块，其包括利用状态信息编程的多个熔丝；操作方向控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向；以及熔丝信息载入块，其适于通过所述启动操作载入在所述多个熔丝阵列块的熔丝中被编程的所述状态信息。

Description

半导体存储器件及其操作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年4月24日提交的申请号为10-2014-0049282的韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请以参阅方式全文并入本申请。

技术领域

本发明的示意性实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及用于存储各种状态信息的半导体存储器件。

背景技术

通常，诸如双倍数据速率同步动态随机访问存储器(DDRSDRAM)的半导体存储器件包括用于存储其状态信息的电路。状态信息表示半导体存储器件的特性值。多个半导体存储器件必须了解他们自己的特性值从而根据相同的标准来操作。状态信息可以由测试操作等获得，并且熔丝可以用作用于存储状态信息的电路。

下文中，一系列用于在熔丝中存储状态信息的操作被称为编程操作。用于在熔丝中编程状态信息的方法主要被分成物理方案和电气方案。

物理方案是基于要被编程的状态信息通过使用激光束并利用激光束熔断熔丝而切断熔丝。在物理方案中使用的熔丝被称为物理型熔丝。由于激光束用来切断熔丝的连接状态，熔丝也被称作激光熔断型熔丝。物理型熔丝仅在半导体存储器件被封装之前的晶片阶段可以被编程。

电气方案通过基于要被编程的状态信息将过流应用于熔丝而改变熔丝的连接状态。在电气方案中使用的熔丝被称为电气型熔丝。电气型熔丝可以被分成反熔丝(anti-typefuse)和熔断型熔丝。当被编程时，反熔丝从开路状态(openstate)变成闭路状态(shortstate)，熔断型熔丝从闭路状态变为开路状态。在电气型熔丝的情况下，不像物理型熔丝，编程操作甚至可以在封装阶段执行。因此，电气型熔丝被认为在设计半导体存储器件时是必要部件。

由于需要半导体存储器件来执行不同的操作，半导体存储器件被设计为执行许多功能。半导体存储器件的功能的数量增加表示用于存储各功能的状态信息的熔丝的数量增加。已经提出一种熔丝阵列电路以更有效地管理大量熔丝。

图1是例示典型的半导体存储器件的结构的一部分的框图。为了描述简单，描述的示例为半导体存储器件包括采用电气方案的熔丝阵列电路(参见图1中的130)。

参照图1，半导体存储器件包括命令解码块110、控制信息生成块120、熔丝阵列块130和熔丝信息载入块140。

命令解码块110解码命令信号CMD并且生成内部命令信号，例如编程命令信号CMD_PRG和启动命令信号CMD_BTU。下面描述编程命令信号CMD_PRG和启动命令信号DMD_BYU。

控制信号生成块120响应于编程命令信号CMD_PRG生成对应于状态信息INF_ST的编程控制信号CTR_PRG。状态信息INF_ST可以被提供为具有关于半导体存储器件的特性值的信息的信号，该信号通过测试操作等获得。编程控制信号CTR_PRG是用于基于状态信息INF_ST改变包括在熔丝阵列块130中的熔丝的连接状态的信号。

熔丝阵列块130响应于编程控制信号CTR_PRG执行编程操作。编程控制信号CTR_PRG对应于如上所述的状态信息INF_ST。由于这个原因，状态信息INF_ST在熔丝阵列块130中被编程。然后，熔丝阵列块130响应于启动命令信号CMD_BTU输出被编程的状态信息。

熔丝信息载入块140接收并存储在熔丝阵列块130中被编程的状态信息，并且在半导体存储器件的正常操作期间，存储的状态信息用于多种用途。

下文描述一种用于控制熔丝阵列电路的方法。

发明内容

本发明的示意性实施例涉及一种可以控制熔丝阵列电路的编程操作和启动(开始)操作的半导体存储器件。

根据本发明的实施例，一种半导体存储器件包括：熔丝阵列块，其包括利用状态信息编程的多个熔丝；操作方向控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向；以及熔丝信息载入块，其适于通过所述启动操作载入在所述多个熔丝阵列块的熔丝中被编程的所述状态信息。

所述操作方向控制块可以包括：编程顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的所述编程操作方向；和启动顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的所述启动操作方向。

所述半导体存储器件可以还包括：命令解码块，其适于解码命令信号并且生成对应于所述熔丝阵列块的编程操作和启动操作的内部命令信号；和控制信号生成块，其适于生成用于改变所述熔丝的连接状态的编程控制信号并且响应于所述状态信息将所述编程控制信号应用于所述操作方向控制块。

所述编程顺序控制块可以接收所述编程控制信号并且以基于所述编程操作方向确定的顺序将所述编程控制信号顺序地应用于在所述熔丝中的编程目标熔丝。

所述熔丝阵列块以基于所述启动顺序控制块的输出信号确定的顺序来顺序地输出在所述熔丝中被编程的所述状态信息。

所述编程操作方向可以与所述启动操作方向相反。

所述熔丝阵列块可以被分成第一熔丝阵列块和第二熔丝阵列块，并且所述操作方向控制块可以控制所述第一和第二熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向。

所述第一熔丝阵列块和所述第二熔丝阵列块可以基于在其中被编程的所述状态信息的种类彼此区分。

根据本发明的实施例，一种半导体存储器件包括：熔丝阵列块，其包括利用修复目标地址信息编程的多个熔丝；编程顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向；启动顺序控制块，其适于将所述熔丝阵列块的启动操作方向控制为沿与所述编程操作方向相反的方向；以及熔丝信息载入块，其适于通过所述启动操作载入在所述熔丝阵列块的多个熔丝中被编程的所述修复目标地址信息。

所述的半导体存储器件可以进一步包括：数据比较块，其适于通过所述启动操作将在所述熔丝信息载入块上载入的修复目标地址与从所述熔丝阵列块输出的修复目标地址进行比较并且生成操作控制信号。

所述启动顺序控制块可以控制是否响应于所述操作控制信号而执行所述启动操作。

所述熔丝阵列块可以在所述启动操作期间按照与所述目标地址信息在所述多个熔丝中被编程的方式相反的顺序输出所述目标地址信息。

在所述熔丝信息载入块中载入的所述修复目标地址可以用于所述半导体存储器件的修复操作。

根据本发明的实施例，一种用于操作半导体存储器件的方法，该方法包括：为多个熔丝建立编程操作方向和启动操作方向；基于在所述建立步骤中建立的所述编程操作方向，在所述熔丝中对修复目标地址信息进行编程；比较在所述熔丝中编程的所述修复目标地址信息；确定是否响应于通过比较所述修复目标地址信息获得的结果而执行启动操作；以及响应于从所述确定步骤获得的结果，基于在所述建立步骤中建立的所述启动操作方向而启动在所述熔丝中编程的所述修复地址信息。

所述方法可以还包括以下步骤：响应于从所述确定步骤获得的结果跳过(pass)所述启动操作。

所述方法可以还包括以下步骤：载入通过所述修复目标地址信息的所述启动而输出的修复目标地址。

所述修复目标地址信息的所述比较包括将在所述载入步骤中载入的所述修复目标地址与通过所述启动步骤输出的所述修复目标地址进行比较。

所述编程操作方向可以与所述启动操作方向相反。

根据本发明的实施例，一种半导体存储器件包括：熔丝阵列块，其包括多个熔丝；编程顺序控制块，其适于在所述多个熔丝中以第一顺序对状态信息进行编程；和启动顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块从而以第二顺序输出在所述多个熔丝中编程的状态信息，其中所述第一顺序和所述第二顺序相反。

所述的半导体存储器件可以还包括：熔丝信息载入块，其适于载入从所述熔丝阵列块输出的载入状态信息；和数据比较块，其适于将从所述熔丝阵列块输出的所述状态信息与在所述熔丝信息载入块上载入的状态信息进行比较并且生成操作控制信号，其中所述启动顺序控制块控制所述熔丝阵列块是否响应于所述操作控制信号输出所述状态信息。

由于包括在根据本发明实施例的半导体存储器件中的熔丝阵列电路的编程操作和启动操作被控制，所以可以提高熔丝阵列电路的操作效率。

附图说明

图1是说明典型的半导体存储器件的结构的一部分的框图。

图2是说明根据本发明实施例的半导体存储器件的结构的一部分的框图。

图3是说明根据本发明的另一实施例的半导体存储器件的框图。

图4和5说明了根据本发明实施例的半导体存储器件的编程操作和启动操作。

图6是描述在图4和图5中示出的编程操作和启动操作的流程图。

图7示意性地说明了根据本发明实施例的编程操作和启动操作。

图8是说明根据本发明的另一实施例的半导体存储器件的框图。

具体实施方式

下文将参照附图更详细地描述本发明的示意性实施例。但是，本发明可以以不同的形式实现，不应被理解为限制于本文所提出的实施例。而是，提供这些实施例来使本文全面和完整，并且向本领域技术人员完整表达本发明的范围。贯穿全文，相同的附图标记表示本发明各个附图和实施例中的相同部件。

图2是说明根据本发明实施例的半导体存储器件的结构的一部分的框图。为了描述简单，描述的示例为半导体存储器件包括采用电气方案的熔丝阵列电路(参见图2中的240)。

参照图2，半导体存储器件可以包括命令解码块210、控制信号生成块220、编程顺序控制块230、熔丝阵列块240和熔丝信息载入块250。

命令解码块210解码命令信号CMD并且将这样的内部命令信号生成为编程命令信号CMD_PRG和启动命令信号CMD_BTU。下面将描述编程命令信号CMD_PRG和启动命令信号CMD_BTU。

控制信号生成块220响应于编程命令信号CMD_PRG生成对应于状态信息INF_ST的编程控制信号CTR_PRG。状态信息INF_ST可以被提供为具有有关半导体存储器件的状态的信息的信号，该信息通过测试操作等获得。这里，状态信息INF_ST具有要在熔丝阵列块240中被编程的信息。编程控制信号CTR_PRG是用于基于状态信息INF_ST改变包括在熔丝阵列块230中的熔丝的连接状态的信号。在电气方案中，过电压或过电流可以被提供至编程目标熔丝作为编程控制信号CTR_PRG。

编程顺序控制块230响应于模式控制信号CTR_MOD控制熔丝阵列块240的编程操作方向。编程顺序控制块230沿由模式控制信号CTR_MOD确定的方向将编程控制信号CTR_PRG应用于熔丝阵列块240的编程目标熔丝。编程顺序控制块230可以基于模式控制信号CTR_MOD沿向前方向或沿相反方向执行编程操作。当熔丝阵列块240包括成行和列的多个熔丝，状态信息可以基于每一行被编程。沿向前方向，可以从熔丝阵列块240的顶端行开始往下执行编程操作。换句话说，编程控制信号CTR_PRG被输出为信号P1至Pn，并且信号P1至Pn按第一至第n信号P1→P2→……→Pn的顺序被应用至编程目标熔丝。沿相反方向，可以从熔丝阵列块240的底端行开始往上执行编程操作，这与向前方向相反。换句话说，编程控制信号CTR_PRG被输出为信号Pn至P1，并且信号Pn至P1按第n至第一信号Pn→……→P2→P1的顺序被应用至编程目标熔丝。

熔丝阵列块240响应于编程顺序控制块230的输出信号P1、P2……Pn执行编程操作。换句话说，状态信息INF_ST在熔丝阵列块240中沿由模式控制信号CTR_MOD确定的编程方向被编程。随后，熔丝阵列块240输出状态信息，该状态信息响应于启动命令信号CMD_BTU被编程为输出信号L1、L2……Ln。熔丝阵列块240的输出信号L1、L2……Ln可以沿向前方向被输出。参照图3，详细描述熔丝阵列块240的输出信号L1、L2……Ln上的控制操作。

熔丝信息载入块250接收并载入在熔丝阵列块240中被编程的状态信息。熔丝信息载入块250可以由能够锁存被编程的状态信息的锁存电路形成。锁存的状态信息在半导体存储器件的正常操作期间用作多种用途。

当状态信息INF_ST在熔丝阵列块240中被编程时，根据本发明的半导体存储器件可以选择地控制编程方向。

尽管在图2的实施例中仅描述了控制编程操作方向，但是根据本发明实施例的半导体存储器件也可以控制启动(开始)操作方向。

图3是说明根据本发明的另一实施例的半导体存储器件的框图。

参照图3，半导体存储器件可以包括命令解码块310、控制信号生成块320、熔丝阵列块330、操作方向控制块340_1和340_2以及熔丝信息载入块350。在图3中示出的命令解码块310、控制信号生成块320、熔丝阵列块330和熔丝信息载入块350分别对应于在图2中示出的命令解码块210、控制信号生成块220、熔丝阵列块240和熔丝信息载入块250。因此，省略了关于它们的详细描述，下面描述新增加的操作方向控制块340_1和340_2。

操作方向控制块340_1和340_2控制熔丝阵列块330的编程操作方向和启动操作方向。操作方向控制块340_1和340_2被分成编程顺序控制块340_1和启动顺序控制块340_2。

编程顺序控制块340_1响应于第一模式控制信号CTR_MOD1控制熔丝阵列块330的编程操作方向。编程顺序控制块340_1将编程控制信号CTR_PRG沿由第一模式控制信号CTR_MOD1确定的方向应用于熔丝阵列块330的编程目标熔丝。编程顺序控制块340_1可以基于第一模式控制信号CTR_MOD1沿向前方向或相反方向执行编程操作。

启动顺序控制块340_2响应于第二模式控制信号CTR_MOD2控制熔丝阵列块330的启动操作方向。换句话说，启动顺序控制块340_2响应于第二模式控制信号CTR_MOD2生成启动启用控制信号CTR_123，并且熔丝阵列块330响应于启动启用控制信号CTR_123将在熔丝阵列块330中编程的状态信息输出为输出信号L1、L2……Ln。熔丝阵列块330可以基于对应于第二模式控制信号CTR_MOD2的启动启用控制信号CTR_123沿向前方向或相反方向执行启动操作。

沿向前方向，启动操作可以从熔丝阵列块330的顶端行开始向下执行。换句话说，被编程的状态信息按第一至第n输出信号L1→L2→……→Ln的顺序被输出并且被传送至熔丝信息载入块350。沿相反方向，启动操作从熔丝阵列块330的底端行开始往上执行，这与向前方向相反。换句话说，被编程的状态信息按第n至第一输出信号Ln→……→L2→L1的顺序被输出并且传送至熔丝信息载入块350。

根据本发明实施例的半导体存储器件可以选择地控制熔丝阵列块330的编程操作方向和熔丝阵列块330的启动操作方向。

半导体存储器件可以包括大量存储单元。由于半导体存储器件的集成度随着技术进步而提高，所以存储单元的数量显著增加。当在存储单元当中即使一个存储单元发现有缺陷时，则包括缺陷存储单元的半导体存储器件不能执行预定的操作，然后不得不被废弃。由于半导体存储器件的制造过程技术的发展，缺陷随机地发生在少数存储单元中。考虑到产品产量，由于少量缺陷将整个半导体存储器件废弃作为缺陷产品是低效的。因此，为了弥补缺陷，除了正常存储单元以外，半导体存储器件还包括冗余存储单元。

当在正常存储单元中发现缺陷时，冗余存储单元是用于修复存在缺陷的正常存储单元(下文称为“修复目标存储单元”)的电路。具体来说，当修复目标存储单元被访问时，例如在读取和写入操作期间，可以内部地访问冗余存储单元，而不是修复目标存储单元。因此，当对应于修复目标存储单元的地址被输入时，半导体存储器件执行用于不访问修复目标存储单元而访问冗余存储单元的操作(下文称为“修复操作”)，并且通过修复操作确保正常操作。

同时，除了冗余存储单元，半导体存储器件需要电路结构以执行修复操作，并且电路结构中的一个是修复熔丝电路。修复熔丝电路存储对应于修复目标存储单元的地址(下文称为“修复目标地址”)。修复熔丝电路由多个熔丝组成，并且修复目标地址在熔丝中被编程。半导体存储器件基于在熔丝中编程的修复目标地址而在缺陷存储单元上执行修复操作。

下文描述半导体存储器件，其中修复目标地址在熔丝阵列电路中被编程并且编程的修复目标地址通过启动操作被载入。

图4和图5说明了根据本发明实施例的半导体存储器件的编程操作和启动操作。所描述的示例为在半导体存储器件的熔丝阵列电路中编程修复目标地址。

图4示出了沿向前方向执行编程操作且沿相反方向执行启动操作的情况。为了描述简单，所描述的示例将修复目标地址设为“100”。

参照图3，当修复目标地址通过状态信息INF_ST被输入时，编程顺序控制块340_1在熔丝阵列块330上沿向前方向执行编程操作。换句话说，如图4中①所示，在第一熔丝中编程修复目标地址“100”，该第一熔丝设置在包括在熔丝阵列块330中的熔丝的顶部。然后，通过启动操作，修复目标地址“100”被载入至熔丝信息载入块350。

当在用于修复的冗余存储单元中也发现缺陷时，如图4中②所示，修复目标地址“100”在熔丝阵列块330的第二熔丝中被编程。然后，在第二熔丝中被编程的修复目标地址“100”通过沿相反方向执行的启动操作而被载入至熔丝信息载入块350。由于修复目标地址“100”已经在熔丝信息载入块350的第一锁存电路中被载入，所以通过将通过启动操作输入的修复目标地址“100”与锁存在第一锁存电路中的修复目标地址“100”相比较，不能够在第一熔丝上执行启动操作。下文将参照图8详细描述相关电路块。

图5示出了沿相反方向执行编程操作且沿向前方向执行启动操作的情况。为了描述简单，描述的示例将修复地址设为“100”。

如图5中①所示，修复目标地址“100”在第三熔丝中被编程，该熔丝设置在包括在熔丝阵列块330中的熔丝中的底部中。然后，通过启动操作，修复目标地址“100”被载入至熔丝信息载入块350。

当在用于修复的冗余存储单元中也发现缺陷时，如图5中②所示，修复目标地址“100”在熔丝阵列块330的第二熔丝中被编程。然后，通过沿向前方向执行的启动操作，在第二熔丝中被编程的修复目标地址“100”被载入至熔丝信息载入块350。由于修复目标地址“100”已经载入在熔丝信息载入块350的第三锁存电路中，通过将通过启动操作输入的修复目标地址“100”与锁存在第三锁存电路中的修复目标地址“100”进行比较，不可以在第三熔丝上执行启动操作。下文参照图8详细描述了相关电路块。

根据本发明的实施例的半导体存储器件可以将编程操作方向和启动操作方向设置为彼此相反。在启动操作期间，当相同的修复目标地址被编程时，后被编程的修复目标地址可以先被输出。因此，启动操作可以被最小化，并且可以去除不必要的载入操作。

图6是描述在图4和图5中示出的编程操作和启动操作的流程图。

参照图6，一种用于操作半导体存储器件的方法包括：在步骤S610中建立操作方向，在步骤S620中执行编程操作，在步骤S630中比较被编程的信息，在步骤S640中执行启动操作，在步骤S650中跳过启动操作，以及在步骤S660中确定启动操作是否结束。

操作方向在步骤S610中建立。换句话说，在步骤S610中建立编程操作方向和启动操作方向。例如，在图4和图5的情况下，可以将编程操作方向建立为与启动操作方向相反。

在步骤S620中执行编程操作。在步骤S620中，基于在步骤S610中建立的编程操作方向来编程修复目标地址信息。

在步骤S630中将编程的信息彼此比较。在步骤S630中，当在熔丝中被编程的修复目标地址信息彼此不同时(“否”)，执行步骤S640。当修复目标地址信息相同时(“是”)，执行步骤S650。这里，存在各种方式将修复目标地址信息彼此比较。由已经执行的启动操作载入的第一修复目标地址信息可以与通过另一被执行的启动操作输出的第二修复目标地址信息进行比较。下文参照图8描述对应于步骤的结构。

在步骤S640中执行启动操作。在步骤S640中，在修复目标地址“100”上执行启动操作，该修复目标地址是基于启动操作方向首先被访问，如图4和图5所示。

在步骤S650中跳过启动操作。在步骤S650中，在已经执行启动操作的修复目标地址“100”上不执行启动操作，如图4和5所示。

在步骤S660中确定启动操作是否结束。在步骤S660中，当启动操作继续执行时(“否”)，再次执行步骤S630中，当不需要进一步执行启动操作时(“是”)，启动操作结束。

根据本发明的实施例的半导体存储器件可以将在熔丝中被编程的修复目标地址相互比较，并且基于比较结果控制是否执行启动操作。因此，可以使操作启动时间最短。

图7示意性地说明了根据本发明的实施例的编程操作和启动操作。图7示出了编程操作和启动操作的示例。为了描述简单，在图7中，熔丝阵列块被分成第一熔丝阵列块和第二熔丝阵列块。第一熔丝阵列块和第二熔丝阵列块可以基于物理基础或逻辑基础彼此区分。此外，第一熔丝块和第二熔丝块基于被编程的状态信息种类可以彼此区分。区分第一熔丝阵列块和第二熔丝阵列块的状态信息表示不同种的状态信息，并且可以包括具有不同编程操作时间的状态信息。例如，在封装前在测试操作期间的被编程的状态信息和在封装后在测试操作期间的被编程的状态信息可以彼此区分为不同的状态信息，之后被编程的状态信息也可以被区分为不同的状态信息。

在图7中示出的情况①中，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。在第二熔丝阵列块上沿相反方向执行编程操作，在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。

在图7中示出的情况②中，在第一熔丝阵列块上沿相反方向执行编程操作，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。

如在①和②中所示，根据本发明的实施例的半导体存储器件在第一和第二熔丝阵列块上具有不同的编程操作方向和相同的启动操作方向。

在图7中示出的情况③中，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，在第一熔丝阵列块上沿相反方向执行启动操作。在第二熔丝阵列块上沿相反方向执行编程操作，在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。

在图7中示出的情况④中，在第一熔丝阵列块上沿相反方向执行编程操作，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，在第二熔丝阵列块上沿相反方向执行启动操作。

如在③和④中所示，根据本发明的实施例的半导体存储器件在第一和第二熔丝阵列块上具有彼此相反的编程操作方向和启动操作方向。

在图7中示出的情况⑤中，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，在第一熔丝阵列块上沿相反方向执行启动操作。在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，并且在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。

在图7中示出的情况⑥中，在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，并且在第一熔丝阵列块上沿向前方向执行启动操作。在第二熔丝阵列块上沿向前方向执行编程操作，并且在第二熔丝阵列块上沿相反方向执行启动操作。

如在⑤和⑥中所示，根据本发明的实施例的半导体存储器件在第一和第二熔丝阵列块上具有相同的编程操作方向和不同的启动操作方向。

图8是说明根据本发明的另一实施例的半导体存储器件的框图。图8说明了能够在图4和图5中所示的修复目标地址上执行比较操作的半导体存储器件。

参照图8，半导体存储器件包括命令解码块810、控制信号生成块820、编程顺序控制块830、熔丝阵列块840、启动顺序控制块850、熔丝信息载入块860和数据比较块870。由于图8的结构对应于图3的结构，所以下面将描述与图3中的结构相比增加的块或不同的块。

数据比较块870将在熔丝信息载入块860中载入的信息R1、R2……Rn与熔丝阵列块840的输出信号L1、L2……Ln进行比较，并且生成操作控制信号CTR_P。操作控制信号CTR_P控制是否执行启动操作。当在熔丝信息载入块860中载入的信息R1、R2……Rn与熔丝阵列块840的输出信号L1、L2……Ln相同时，操作控制信号CTR_P控制不执行启动操作。

启动顺序控制块850可以响应于操作控制信号CTR_P而生成启动启用控制信号CTR_123，并且熔丝阵列块840可以响应于启动启用控制信号CTR_123而控制是否执行启动操作。参照图4、5和6详细描述了其电路操作。

根据本发明的实施例的半导体存储器件可以控制是否在相同的修复目标地址上跳过启动操作，通过将事先载入的修复目标地址与正被启动的修复目标地址进行比较，所述相同的修复目标地址事先被编程。

如上所述，根据本发明的实施例的半导体存储器件可以控制熔丝阵列电路的编程操作方向和启动操作方向，并且将启动操作和载入操作降为最小。

通过提高熔丝阵列电路的操作效率可以提高使用熔丝阵列电路的电路的整体操作速率。

虽然参照特定的实施例描述了本发明，但是应注意的是本发明的实施例是描述性的，而非限制性的。另外，应注意，在不偏离由随附权利要求书限定的本发明的范围的情况下，本发明可以由本领域技术人员通过替换、修改和变型并采用各种方式来实现。

Claims (10)

1.一种半导体存储器件，其包括：

熔丝阵列块，其包括利用状态信息编程的多个熔丝；

操作方向控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向；一致

熔丝信息载入块，其适于通过所述启动操作载入在所述熔丝阵列块的多个熔丝中被编程的所述状态信息。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述操作方向控制块包括：

编程顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的所述编程操作方向；和

启动顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的所述启动操作方向。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

命令解码块，其适于解码命令信号并且生成对应于所述熔丝阵列块的编程操作和启动操作的内部命令信号；和

控制信号生成块，其适于生成用于改变所述熔丝的连接状态的编程控制信号，并且响应于所述状态信息将所述编程控制信号应用于所述操作方向控制块。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，其中所述编程顺序控制块接收所述编程控制信号，并且以基于所述编程操作方向确定的顺序将所述编程控制信号顺序地应用于在所述熔丝中的编程目标熔丝。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述熔丝阵列块以基于所述启动顺序控制块的输出信号确定的顺序来顺序地输出在所述熔丝中被编程的所述状态信息。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述编程操作方向与所述启动操作方向相反。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述熔丝阵列块被分成第一熔丝阵列块和第二熔丝阵列块，并且所述操作方向控制块控制所述第一熔丝阵列块和所述第二熔丝阵列块的编程操作方向和启动操作方向。

8.一种半导体存储器件，其包括：

熔丝阵列块，其包括利用修复目标地址信息编程的多个熔丝；

编程顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块的编程操作方向；

启动顺序控制块，其适于将所述熔丝阵列块的启动操作方向控制为沿与所述编程操作方向相反的方向；以及

熔丝信息载入块，其适于通过所述启动操作载入在所述熔丝阵列块的所述多个熔丝中被编程的所述修复目标地址信息。

9.一种用于操作半导体存储器件的方法，其包括：

为多个熔丝建立编程操作方向和启动操作方向；

基于在所述建立步骤中建立的所述编程操作方向，在所述熔丝中对修复目标地址信息进行编程；

比较在所述熔丝中编程的所述修复目标地址信息；

确定是否响应于通过比较所述修复目标地址信息获得的结果而执行启动操作；以及

响应于从所述确定步骤获得的结果，基于在所述建立步骤中建立的所述启动操作方向而启动在所述熔丝中编程的所述修复地址信息。

10.一种半导体存储器件，其包括：

熔丝阵列块，其包括多个熔丝；

编程顺序控制块，其适于在所述多个熔丝中以第一顺序对状态信息进行编程；以及

启动顺序控制块，其适于控制所述熔丝阵列块从而以第二顺序输出在所述多个熔丝中编程的状态信息，

其中所述第一顺序和所述第二顺序相反。