CN105027551B - 图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种图像信号处理电路，其具备：伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；以及伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。

Description

图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置
技术领域
本公开涉及一种图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置。
背景技术
在显示装置中，已知设置于每个像素的电光器件对驱动电压显示器件固有的非线性光学应答。为此，当显示非线性光学应答的电光器件驱动时，对图像信号进行伽马校正(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-165111号公报
发明内容
在显示装置中，有根据图像信号形式(fuomatto)、驱动方式，变更刷新率(refreshrate)(帧速率(frame rate))、发光占空比(duty)的情况。但是，若变更刷新率及发光占空比中的至少一方，则对驱动电压的发光亮度的特性、即伽马(Gamma)特性发生变动，随此引起画质的变动。
在此，本公开以提供一种即使变更刷新率、发光占空比，也可以获得无画质变动的图像的图像信号处理电路、图像信号处理方法、以及具有该图像信号处理电路的显示装置为目的。
用于达成上述目的的本公开的图像信号处理电路具备：伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量(Offset component)。
另外，用于达成上述目的的本公开的图像信号处理方法是：对伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。
另外，用于达成上述目的的本公开的显示装置具有图像信号处理电路。该图像信号处理电路具备：伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。
在上述构造的图像信号处理电路、图像信号处理方法或者显示装置中，在变更刷新率及发光占空比中的至少一方时，伽马特性在阶调方向(信号电压的大小方向)变动(移动)。该伽马特性的变动成为引起画质变动的主要原因。在此，对伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。因此，能够修正伽马特性的变动份。
发明的效果
根据本公开，因为能够修正在变更刷新率及发光占空比中的至少一方时的伽马特性的变动份，所以即使变更刷新率、发光占空比，也能够获得无画质变动的图像。
此外，本说明书所记载的效果只是例示，并不限于此，另外也可以具有附加效果。
附图说明
图1是表示应用有本公开的有源矩阵(Active matrix)型显示装置的基本构造的概略的系统构造图。
图2是表示像素(像素电路)的具体的电路构造的一例的电路图。
图3A是表示变更发光占空比时的伽马特性的变动的图，图3B是表示图3A中的用虚线包围的低亮度发光区域的放大图。
图4A是表示变更刷新率时的伽马特性的变动的图，图4B是表示图4A中的用虚线包围的低亮度发光区域的放大图。
图5是关于伽马特性变动的发生原理的说明图。
图6是表示以发光占空比为20％的伽马特性作为基准，对将发光占空比变为45％时的亮度比，在对伽马特性的变动份不进行修正和进行修正的情况下绘制的图形的图。
图7A是表示实施例1的图像信号处理电路的构造的方框图，图7B是说明实施例1的图像信号处理电路的作用的图。
图8是表示实施例2的图像信号处理电路的构造的方框图。
图9A是表示实施例3的图像信号处理电路的构造的方框图，图9B是关于偏移分量(偏移量)的变换式的说明图。
图10是表示实施例4的图像信号处理电路的构造的方框图。
具体实施方式
在下文中，使用附图对用于实施本公开的技术的方式(以下称为“实施方式”)进行详细说明。本公开不限定于实施方式，实施方式的各种数值等为例示。在以下的说明中，对同一要素或具有同一功能的要素使用相同的符号，并且省略重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。
1.关于本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置、整体的说明
2.应用有本公开的技术的显示装置
2-1.系统构造
2-2.像素电路
2-3.关于伽马校正
3.实施方式的说明
3-1.实施例1
3-2.实施例2
3-3.实施例3
3-4.实施例4
4.变形例
<关于本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置、整体的说明>
在本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：将提供给伽马校正后的图像信号的偏移分量设定为与变更刷新率及发光占空比中的至少一方时产生的伽马特性的移动量对应的值。
在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：伽马修正单元具有偏移分量生成单元和加法单元。偏移分量生成单元进行生成对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量的处理。加法单元进行对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号加算偏移分量的处理。
在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：偏移分量生成单元由存储对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量的表格形成。这时，偏移分量生成单元从表格中选择对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量输出。
或者另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：偏移分量生成单元具有发光时间计算单元与发光时间计算单元。发光时间计算单元根据刷新率及发光占空比中的至少一方进行计算发光时间的处理。表格存储对应于发光时间的偏移分量。然后，偏移分量生成单元从表格中选择对应于由发光时间计算单元算出的发光时间的偏移分量输出。
或者另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，能够采用如下构造：偏移分量生成单元具有发光时间计算单元与偏移计算单元。发光时间计算单元从刷新率及发光占空比中的至少一方进行计算发光时间的处理。偏移计算单元根据由发光时间计算单元算出的发光时间进行计算偏移分量的处理。
或者另外，在包含上述优选的构造的本公开的图像信号处理电路、图像信号处理方法以及显示装置中，以在显示装置的显示区域之外设置有伪像素为前提。另外，能够采用如下构造：偏移分量生成单元具有测定单元以及偏移计算单元。该测定单元测定伪像素的亮度或者流过伪像素的发光元件的电流值。该偏移计算单元根据测定单元的测定结果计算偏移分量。
<应用有本公开的技术的显示装置>
[系统构造]
图1是表示应用有本公开的有源矩阵型显示装置的基本构造的概略的系统构造图。
有源矩阵型显示装置是通过与电光元件(发光元件)设置在相同像素内的有源元件(例如，绝缘栅型场效应晶体管)来控制流向该电光元件的电流的显示装置。作为绝缘栅型场效应晶体管，典型地，能够使用TFT(Thin Film Transistor、薄膜晶体管)。
在此，作为示例，对将根据流过器件的电流值来改变发光亮度的电流驱动型电光元件(例如，有机EL元件)作为像素(像素电路)的发光元件使用的有源矩阵型有机EL显示装置的情况进行说明。在下文中，存在将“像素电路”简称为“像素”的情况。
如图1所示，应用有本公开的技术的有机EL显示装置10的构造具有：像素阵列单元30以及配置在该像素阵列单元30周围的驱动电路单元(驱动单元)，其中，像素阵列单元30是包含有机EL元件的多个像素20以二维行列式(矩阵形式)配置形成的。驱动电路单元例如由与像素阵列单元30安装在同一显示面板70上的写入扫描单元40、驱动扫描单元50以及信号输出单元60等形成，并且驱动像素阵列单元30的各个像素20。此外，也可以采用将写入扫描单元40、驱动扫描单元50以及信号输出单元60之中的一些或全部设置在显示面板70外部的构造。
在此，在有机EL显示装置10能够进行彩色显示的情况下，作为彩色图像形成单位的单个像素(单位像素/像素)由多个子像素(副像素)构成。在这种情况下，每一个子像素与图1的像素20相对应。更具体地说，在能够进行彩色显示的显示装置中，单个像素例如由发出红色(Red、R)光的子像素、发出绿色(Green、G)光的子像素以及发出蓝色(Blue、B)光的子像素这三个子像素构成。
但是，作为单个像素，并不限于由RGB的三原色的子像素的组合构成，也可以通过进一步将一种或多种色彩的子像素添加到三原色的子像素来构成单个像素。更具体地说，例如，可以通过添加用于提高亮度的发出白色(White、W)光的子像素来构成单个像素，也可以通过添加至少一个用于扩大色彩再现范围的发出互补色光的子像素来构成单个像素。
在像素阵列单元30中，扫描线31(311～31m)和电源线32(321～32m)沿排列成m行×n列的像素20的各个像素行的行方向(像素行的像素的排列方向/水平方向)布线。此外，信号线33(331～33n)沿排列成m行×n列的像素20的各个像素列的列方向(像素列的像素的排列方向/垂直方向)布线。
扫描线311～31m分别连接到写入扫描单元40的相应行的输出端。电源线321～32m分别连接到驱动扫描单元50的相应行的输出端。信号线331～33n分别连接到信号输出单元60的相应列的输出端。
写入扫描单元40由移位寄存器电路等构成。在将图像信号的信号电压写入到像素阵列单元30的各个像素20期间，该写入扫描单元40通过对扫描线31(311～31m)依次提供写入扫描信号WS(WS1～WSm)，来以行为单位按顺序扫描像素阵列单元30的各个像素20，进行所谓的线序扫描(Line sequential scanning)。
驱动扫描单元50以与写入扫描单元40相同的方式由移位寄存器电路等构成。该驱动扫描单元50以与写入扫描单元40的线序扫描同步的方式为电源线32(321～32m)提供电源电位DS(DS1～DSm)，该电源电位DS可以在第1电源电位VccH与比该第1电源电位VccH低的第2电源电位VccL之间转换。如后文所述，通过由驱动扫描单元50对电源电位DS的VccH/VccL的转换，进行对像素20的发光/不发光(熄灭)的控制。
信号输出单元60选择性地输出与从信号供应源(未图示)提供的亮度信息对应的图像信号的信号电压(在下文中，存在将其简称为“信号电压”的情况)Vsig与基准电压Vofs。在此，基准电压Vofs是被作为图像信号的信号电压Vsig的标准的电压(例如，相当于图像信号的黑电平(Black level)的电压)，在后文所述的阈值校正处理时使用。
从信号输出单元60输出的信号电压Vsig/基准电压Vofs通过信号线33(331～33n)按像素行单位被写入像素阵列单元30的各个像素20，该像素行由写入扫描单元40的扫描来选择。也就是说，信号输出单元60采用按行(Line)单位写入信号电压Vsig的线序写入驱动形态。
[像素电路]
图2是表示像素(像素电路)20的具体的电路构造的一例的电路图。像素20的发光单元由有机EL元件21形成，该有机EL元件21是根据流过器件的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件。
如图2所示，像素20由有机EL元件21以及通过使电流流向有机EL元件21来驱动该有机EL元件21的驱动电路构成。在有机EL元件21中，阴极电极连接到与所有的像素20公共接线的公共电源线34。
驱动有机EL元件21的驱动电路的构造包括：驱动晶体管22、采样晶体管23、储存电容器24以及辅助电容器25。作为驱动晶体管22以及采样晶体管23，例如能够使用N沟道型TFT。
但是，此处所说明的驱动晶体管22以及采样晶体管23的导电类型的组合仅仅是一例，本公开并不限于这些组合。也就是说，作为驱动晶体管22以及采样晶体管23中的一个或两个，能够使用P沟道型TFT。
驱动晶体管22的一方电极(源/漏电极)连接到有机EL元件21的阳极，另一方电极(源/漏电极)连接到电源线32(321～32m)。
采样晶体管23的一方电极(源/漏电极)连接到信号线33(331～33n)，另一方电极(源/漏电极)连接到驱动晶体管22的栅电极。另外，采样晶体管23的栅电极连接到扫描线31(311～31m)。
在驱动晶体管22以及采样晶体管23中，一方电极是指与一方的源/漏区域电连接的金属配线，并且另一方电极是指与另一方的源/漏区域电连接的金属配线。另外，由于一方电极与另一方电极之间的电位关系，一方电极能够成为源电极或漏电极，并且另一方电极能够成为漏电极或源电极。
储存电容器24的一方电极连接到驱动晶体管22的栅电极，并且另一方电极连接到驱动晶体管22的另一方电极以及有机EL元件21的阳极。
辅助电容器25的一方电极连接到有机EL元件21的阳极，并且另一方电极连接到具有固定电位的节点(在本例中，为公共电源线34/有机EL元件21的阴极)。辅助电容器25例如为了弥补有机EL元件21的电容量的不足、并且增进图像信号对储存电容器24的写入增益而设置。但是，辅助电容器25不是必需的构成要素。也就是说，在不需要弥补有机EL元件21的电容量上的不足的情况下，则不需要辅助电容器25。
在具有上述构造的像素20中，采样晶体管23处于导通状态，该状态对应于从写入扫描单元40经由扫描线31印加到栅电极的高有效写入扫描信号WS。因此，采样晶体管23对对应于亮度信息并且经由信号线33从信号输出单元60以不同时机提供的图像信号的信号电压Vsig或基准电压Vofs进行采样，并将其写入像素20内。由采样晶体管23写入的信号电压Vsig或基准电压Vofs印加到驱动晶体管22的栅电极并且被存储在储存电容器24中。
当电源线32(321～32m)的电源电位DS处于第1电源电位VccH时，驱动晶体管22在一方电极为漏电极、且另一方电极为源电极的饱和区域工作。由此驱动晶体管22接收到来自电源线32的电流供给，并且利用电流驱动来执行有机EL元件21的发光驱动。更具体地说，驱动晶体管22通过在饱和区域工作，将对应于存储在储存电容器24中的信号电压Vsig的电压值的电流值的驱动电流提供给有机EL元件21，使该有机EL元件21通过电流驱动而发光。
此外，当电源电位DS从第1电源电位VccH切换到第2电源电位VccL时，驱动晶体管22的一方电极变为源电极、另一方电极变为漏电极，并且驱动晶体管22作为开关晶体管工作。由此，驱动晶体管22停止对有机EL元件21的驱动电流供给，并且将有机EL元件21设定成不发光状态。也就是说，在切换电源电位DS(VccH/VccL)的情况下，驱动晶体管22还具有作为控制有机EL元件21的发光/不发光的晶体管的附加功能。
通过该驱动晶体管22的开关动作，设定了有机EL元件21成为不发光状态的期间(不发光期间)，并且能够控制有机EL元件21的发光期间与不发光期间的比率(占空比)。通过控制该占空比，因为能够降低在单个显示帧周期期间伴随像素发光的残影模糊，所以特别能够使视频图像品位更加优良。
在从驱动扫描单元50经由电源线32选择性地提供的第1、第2电源电位VccH、VccL中，第1电源电位VccH是用于将发光驱动有机EL元件21的驱动电流提供给驱动晶体管22的电源电位。另外，第2电源电位VccL是用于将反向偏置写入有机EL元件21的电源电位。该第2电源电位VccL被设定为低于基准电压Vofs的电位，例如，当驱动晶体管22的阈值电压为Vth时，被设定为低于Vofs-Vth的电位，优选被设定为充分低于Vofs-Vth的电位。
[关于伽马校正]
另外，在有机EL显示装置10中，已知有机EL元件21对驱动电压显示器件固有的非线性光学应答。为了应付该非线性光学应答，对输入显示面板70的图像信号进行伽马校正。
另一方面，在使电流流入有机EL元件21使其发光时，由于在有机EL元件21的两端电压达到预定的电压之前电荷被蓄积于辅助电容器25，所以从开始使电流流入有机EL元件21到有机EL元件21发光会发生延迟。该延迟时间因为流过有机EL元件21的电流而不同，并且因为刷新率(帧速率)、发光占空比而影响到发光时间的比率。在此，“发光时间的比率”是由发光占空比决定的发光时间与实际的发光时间的比率。
刷新率、发光占空比有时根据NTSC方式、PAL方式等图像信号形式以及动画方式、静止画方式等的驱动方式变更。于是，即使设定驱动电压(信号电压)的电压值使发光电流相同，若刷新率、发光占空比变更，则伽马特性(即，对驱动电压的发光亮度的特性)发生变动，随此引起画质的变动。
此外，具有上述构造的像素20的像素构造包括辅助电容器25，该辅助电容器25用于补充有机EL元件21的电容量不足份，提高对储存电容器24的图像信号的写入效果。但是，在不需要辅助电容器25的像素构造中，也能够认为有机EL元件21的寄生电容量(等价电容量)与辅助电容器25同样会对上述延迟产生影响。
在此，对变更发光占空比、刷新率时的伽马特性的变动进行说明。
图3A是表示变更发光占空比时的伽马特性的变动的图，图3B是表示图3A中的用虚线包围的低亮度发光区域的放大图。在此，表示发光占空比为45％、30％、20％时的伽马特性。特别是从图3B可知由于发光占空比的不同引起的伽马特性的变化。更具体地说，通过对发光占空比进行45％→30％→20％的变更，伽马特性向高阶调侧变动(移动)。该变动量虽然看起来小，但是，在图3B表示的发光亮度低的区域，用目视也能够充分识别该变动量。由于该变动量导致产生了图像的亮度差。
图4A是表示变更刷新率时的伽马特性的变动的图，图4B是表示图4A中的用虚线包围的低亮度发光区域的放大图。在此，表示刷新率为60Hz、90Hz、120Hz时的伽马特性。特别是从图4B可知由于刷新率的不同引起的伽马特性的变化。更具体地说，通过对刷新率进行60Hz→90Hz→120Hz的变更，伽马特性向高阶调侧变动(移动)。
对于伽马特性的变动的发生原理，使用图5进行说明。在低亮度发光区域(发光部)中，当使电流流入有机EL元件21使其发光时，由于有机EL元件21的等价电容量、或者并联的辅助电容器25的存在，充电的时间变长。因此，开始使电流流入有机EL元件21之后有机EL元件21不会立刻发光。为此，由于影响发光时间的发光占空比、刷新率，平均发光亮度将发生大的变化。
〈实施方式的说明〉
本公开的实施方式是具有伽马校正单元的图像信号处理电路、或者具备该图像信号处理电路的显示装置，例如应用于有机EL显示装置。另外，在实施方式中，为了修正在变更发光占空比及刷新率中的至少一方时产生的发光亮度的变动，对伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。
具体地说，在具有伽马校正单元的图像信号处理电路中，采用如下构造：对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。更具体地说，在伽马校正单元的后段，采用如下构造：设置用于提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量的伽马修正单元。
在变更刷新率及发光占空比中的至少一方时，伽马特性在阶调方向(信号电压/驱动电压的大小方向)变动(移动)。在此，对伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。偏移分量被设定为与变更刷新率及发光占空比中的至少一方时产生的伽马特性的移动量(变动量)对应的值。
通过将对应于伽马特性的移动量的偏移分量提供给伽马校正后的图像信号，能够修正(取消)伽马特性的变动份。作为偏移分量，优选设定为对应于伽马特性的移动量的值，但不限于此。通过对伽马校正后的图像信号提供预定值的偏移分量，与不提供偏移分量的情况相比，能够抑制伽马特性的变动份。
作为一例，以发光占空比为20％的伽马特性作为基准，对将发光占空比变为45％时的亮度比，在对伽马特性的变动份不进行修正和进行修正的情况下绘制的图形用图6表示。不进行修正就是在发光占空比为45％的情况下，在亮度为0.06％以下时，与发光占空比为20％的亮度比为2.0左右。对此，进行修正就是在发光占空比为45％+偏移分量的情况下，在亮度为0.06％以下时，与发光占空比为20％的亮度比变成1.0左右。
像这样，通过对伽马校正后的图像信号，进行提供对应于刷新率、发光占空比的偏移分量的修正，特别是在容易視认的低亮度发光区域中，也能够获得接近基准的伽马特性的结果。其结果是：即使变更刷新率、发光占空比，也能够得到无画质变动的图像。
以下对本实施方式的图像信号处理电路的具体实施例、更具体地说是伽马修正单元的实施例进行说明。
[实施例1]
图7A是表示实施例1的图像信号处理电路的构造的方框图。如图7A所示，实施例1的图像信号处理电路80A具有伽马校正单元81与伽马修正单元82，并且将伽马校正及伽马修正后的图像信号提供给显示面板70的信号输出单元60。关于这一点，在下文中说明的各个实施例也相同。
在实施例1中，伽马校正单元81例如由校正表格(变换表格)811构成。关于这一点，在下文中说明的各个实施例也相同。校正表格811将伽马校正数据作为表格存储，该伽马校正数据基于取决于器件固有的非线性光学应答特性的伽马校正曲线。伽马校正单元81通过使用校正表格811对输入的图像信号进行伽马校正，将其变换成适合显示面板70的伽马特性的图像信号。
在实施例1中，伽马修正单元82的构造具有：生成对应于发光占空比、刷新率的偏移分量的偏移分量生成单元821，以及对在伽马校正单元81伽马校正后的图像信号加算(包括减算)偏移分量的加法单元822。另外，在实施例1中，作为偏移分量生成单元821，例如使用表格(偏移表格)。偏移表格是存储对应于发光占空比与刷新率的偏移分量(偏移值)的三维表格。
在具有上述构造的伽马修正单元82中，偏移分量生成单元821从偏移表格中选择对应于发光占空比、刷新率的偏移分量输出。该偏移分量被设定为与变更发光占空比、刷新率时产生的伽马特性的移动量(变动量)对应的值。因此，在加法单元822中，如图7B所示，在伽马校正后的信号V2上加算从偏移分量生成单元821输出的偏移分量α，并且修正黑电平，然后作为伽马修正后的信号V1，由此能够修正伽马特性的移动份(变动分)。
另外，在使用表格修正伽马特性的移动份时，也可以考虑准备分别对应于变更的发光占空比及刷新率的表格的手法。但是，在采用这种手法的情况下，因为需要关于变更的发光占空比及刷新率的所有组合的表格，所以电路构造复杂，导致规模变大。对此，在实施例1中，因为不需要发光占空比及刷新率的所有组合份的表格，只需要一个为三维表格的偏移表格即可，所以能够谋求电路构造的简略化、规模的缩小化。
[实施例2]
图8是表示实施例2的图像信号处理电路的构造的方框图。如图8所示，在实施例2的图像信号处理电路80B中，伽马修正单元82的构造具有：加法单元822、发光时间计算单元823以及偏移表格824。
有机EL元件21的发光时间由刷新率(帧速率)、发光占空比决定。发光时间计算单元823根据刷新率及发光占空比中的至少一方、优选两方算出有机EL元件21的发光时间。偏移表格824是存储对应于有机EL元件21的发光时间的偏移分量(偏移值)的二维表格。
在具有上述构造的实施例2的图像信号处理电路80B中，从偏移表格824选择对应于发光时间计算单元823算出的发光时间的偏移分量输出。另外，在加法单元822中，在偏移表格824中选择的偏移分量被加算(包括减算)于在伽马校正单元81伽马校正后的图像信号。
在实施例2的图像信号处理电路80B中，也与实施例1的图像信号处理电路80A相同，能够修正变更发光占空比、刷新率时产生的伽马特性的移动量(变动量)。另外，在实施例1中，需要作为偏移分量生成单元821的三维表格，对此，在实施例2中，因为只需要作为偏移表格823的二维表格即可，所以具有能够比实施例1的情况更加缩小表格的规模的优点。
[实施例3]
图9A是表示实施例3的图像信号处理电路的构造的方框图，图9B是关于偏移分量(偏移量)的变换式的说明图。如图9A所示，在实施例3的图像信号处理电路80C的构造中，使用偏移计算单元825代替实施例2的偏移表格823。偏移计算单元825根据发光时间计算单元823算出的发光时间，计算对应于该发光时间的偏移分量(偏移量/偏移值)。
在此，参照图9B，对在偏移计算单元825中用于根据发光时间计算偏移分量(偏移量)的变换式进行说明。
对两个假想发光期间t1、t2进行考虑。在此，若将发光占空比[％]作为d1、d2，刷新率[Hz]作为f1、f2，则t1＝d1/f1、t2＝d2/f2。在这种情况下，若将开始发光时的驱动晶体管22(参照图2)的电流值分别作为Ids1、Ids2，则Ids1×t1＝Ids2×t2＝S。在此，S是固定值、即不发光时蓄积在辅助电容器25(参照图2)的电荷量。
另外，如果电流值Ids1、Ids2的差值微小，阶调和电流的关系能够被认为是大致线性关系。因此，从假想发光期间t1变更到假想发光期间t2时的偏移量(偏移分量)能够由下式表示。
偏移量＝α×(Ids2-Ids1)
＝α×{(S/t2)-Ids1}
＝(α×S/t2)-α×Ids1)
在此，α是从驱动晶体管22的电流值Ids到阶调的换算系数，即是取决于像素设计的固定值。
因此，如果以假想发光期间t1的发光条件为基准，那么因为α×S、α×Ids1成为固定值，所以能够将假想发光期间t2作为参数算出偏移量(偏移分量)。
像这样，即使在从刷新率及发光占空比中的至少一方算出发光时间，并且根据该发光时间算出偏移分量的实施例3中，也能够修正变更发光占空比、刷新率时产生的伽马特性的移动量(变动量)。
[实施例4]
图10是表示实施例4的图像信号处理电路的构造的方框图。如图10所示，在实施例4中，以在显示面板(显示装置)的显示区域外设置有伪像素20A为前提。另外，用测定单元90来测定伪像素20A的亮度或者流过该伪像素20A的发光元件(有机EL元件)的电流值。测定单元90由亮度传感器、或者电流计等构成。
另外，在实施例4的图像信号处理电路80D中，伽马修正单元82的构造具有：加法单元822、偏移计算单元826。偏移计算单元826根据测定单元90的测定结果、即伪像素20A的亮度或者流过该伪像素20A的发光元件的电流值，算出偏移分量(偏移量/偏移值)。
像这样，即使在测定伪像素20A的亮度或者流过伪像素20A的发光元件的电流值，并且根据该测定结果算出偏移分量的实施例4中，也能够修正变更发光占空比、刷新率时产生的伽马特性的移动量(变动量)。
〈变形例〉
以上虽然利用实施方式对本公开的技术进行了说明，但是本公开的技术不限定于上述实施方式所记载的范围。也就是说，在不脱离本公开的技术要旨的范围内，可以对上述实施方式进行多种多样的变更或者改良，进行如此变更或者改良后的方式也包含在本公开的技术的技术范围内。
例如，在上述实施方式中，虽然将由2个晶体管(22、23)以及2个电容元件(24、25)构成的2Tr/2C型电路作为驱动有机EL元件21的驱动电路，但是并不限于此。例如，驱动有机EL元件21的驱动电路也能够采用如下构造：追加有开关晶体管的电路，该开关晶体管将用于阈值校正的基准电压Vofs选择性地提供给驱动晶体管23；或者根据需要进一步追加有1个或多个晶体管的电路。
另外，在上述实施方式中，作为像素20的电光元件，虽然举例说明了应用于使用有机EL元件的有机EL显示装置的情况，但是本公开并不限定于该应用例。具体地说，本公开可以应用于使用无机EL元件、LED元件以及半导体激光元件等根据流过器件的电流值来改变发光亮度的电流驱动型电光元件的所有显示装置。
另外，本公开也能够采用以下构造。
[1]一种图像信号处理电路，其中，具备：
伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；以及
伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。
[2]上述[1]所述的图像信号处理电路，其中，
伽马修正单元具有：
偏移分量生成单元，生成对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量；以及
加法单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号加算偏移分量。
[3]上述[2]所述的图像信号处理电路，其中，
偏移分量生成单元由存储对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量的表格形成，
偏移分量生成单元从表格中选择对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量输出。
[4]上述[2]所述的图像信号处理电路，其中，
偏移分量生成单元具有：
发光时间计算单元，根据刷新率及发光占空比中的至少一方算出发光时间；以及
表格，存储对应于发光时间的偏移分量，
偏移分量生成单元从表格中选择对应于由发光时间计算单元算出的发光时间的偏移分量输出。
[5]上述[2]所述的图像信号处理电路，其中，
偏移分量生成单元具有：
发光时间计算单元，从刷新率及发光占空比中的至少一方算出发光时间；以及
偏移计算单元，根据发光时间计算单元算出的发光时间算出偏移分量。
[6]上述[2]所述的图像信号处理电路，其中，具有：
测定单元，测定设置在显示装置的显示区域之外的伪像素的亮度、或者流过该伪像素的发光元件的电流值；以及
偏移计算单元，根据测定单元的测定结果算出偏移分量。
[7]上述[1]至上述[6]的任何一方所述的图像信号处理电路，其中，偏移分量被设定为与变更刷新率及发光占空比中的至少一方时产生的伽马特性的移动量对应的值。
[8]一种图像信号处理方法，其中，对伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。
[9]一种显示装置，其中，具有图像信号处理电路，
该图像信号处理电路具备：
伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；以及
伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量。
符号说明
10 有机EL显示装置 20 像素
20A 伪像素 21 有机EL元件
22 驱动晶体管 23 采样晶体管
24 储存电容器 25 辅助电容器
30 像素阵列单元 31(311～31m) 扫描线
32(321～32m) 电源线 33(331～33n) 信号线
40 写入扫描单元 50 驱动扫描单元
60 信号输出单元 70 显示面板
80A、80B、80C、80D 信号处理电路
81 伽马校正单元 82 伽马修正单元
90 测定单元 821 偏移分量生成单元
822 加法单元 823 发光时间计算单元
824 偏移表格 825、826 偏移计算单元
WS(WS1～WSm) 写入扫描信号
DS(DS1～DSm) 电源线的电位(电源电位)

Claims (7)

1.一种图像信号处理电路，其中，具备：
伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；以及
伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量，
其中，伽马修正单元具有：偏移分量生成单元，生成对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量；以及加法单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号加算偏移分量，
其中，偏移分量被设定为与变更刷新率及发光占空比中的至少一方时产生的伽马特性的移动量对应的值。
2.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，
偏移分量生成单元由存储对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量的表格形成，
偏移分量生成单元从表格中选择对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量输出。
3.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，
偏移分量生成单元具有：
发光时间计算单元，根据刷新率及发光占空比中的至少一方算出发光时间；以及
表格，存储对应于发光时间的偏移分量，
偏移分量生成单元从表格中选择对应于由发光时间计算单元算出的发光时间的偏移分量输出。
4.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，
偏移分量生成单元具有：
发光时间计算单元，从刷新率及发光占空比中的至少一方算出发光时间；以及
偏移计算单元，根据发光时间计算单元算出的发光时间算出偏移分量。
5.根据权利要求1所述的图像信号处理电路，其中，具有：
测定单元，测定设置在显示装置的显示区域之外的伪像素的亮度、或者流过该伪像素的发光元件的电流值；以及
偏移计算单元，根据测定单元的测定结果算出偏移分量。
6.一种图像信号处理方法，其中，对伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量，
其中，通过伽马修正单元的偏移分量生成单元生成对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量；并且
通过伽马修正单元的加法单元对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号加算偏移分量，
其中，偏移分量被设定为与变更刷新率及发光占空比中的至少一方时产生的伽马特性的移动量对应的值。
7.一种显示装置，其中，具有图像信号处理电路，
该图像信号处理电路具备：
伽马校正单元，对图像信号进行伽马校正；以及
伽马修正单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号，提供对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量，
其中，伽马修正单元具有：偏移分量生成单元，生成对应于刷新率及发光占空比中的至少一方的偏移分量；以及加法单元，对在伽马校正单元伽马校正后的图像信号加算偏移分量，
其中，偏移分量被设定为与变更刷新率及发光占空比中的至少一方时产生的伽马特性的移动量对应的值。
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