CN104981917A - 用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法 - Google Patents

用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104981917A
CN104981917A CN201380063528.7A CN201380063528A CN104981917A CN 104981917 A CN104981917 A CN 104981917A CN 201380063528 A CN201380063528 A CN 201380063528A CN 104981917 A CN104981917 A CN 104981917A
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
confining layers
pss
electrode
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201380063528.7A
Other languages
English (en)
Inventor
Y·金
C·韩
J·李
B·刘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Heraeus Deutschland GmbH and Co KG
Korea Electronics Technology Institute
Original Assignee
Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG
Korea Electronics Technology Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG, Korea Electronics Technology Institute filed Critical Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG
Publication of CN104981917A publication Critical patent/CN104981917A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/341—Short-circuit prevention
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法，且其目的是简化用于制造像素电极和像素限定层的工艺并处理由通过所述像素电极的构图在所述像素电极的边缘部分处形成的末端导致的问题。根据本发明的像素结构包括：基础衬底；多个像素电路电极；绝缘层；和复合层。所述多个像素电路电极在所述基础衬底上以矩阵的形式被布置。所述绝缘层被形成在所述基础衬底上以覆盖所述多个像素电路电极的外部周边。所述复合层被整体形成以覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层的顶部。在该情况中，所述复合层具有：被形成为分别连接到从所述绝缘层暴露的所述多个像素电路电极的导电像素电极；和在所述像素电极的外部周边上的非导电像素限定层。

Description

用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及有源矩阵显示器。更具体地，本发明涉及有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法，其中，像素电极和像素限定层被形成在单一层中。
背景技术
有源矩阵显示器为包括以矩阵的形式布置的多个像素的显示设备，且已经被广泛应用在各种应用中。这种有源矩阵显示器包括具有像素的面板和控制该面板的外围电路。
有源矩阵显示器具有优点，例如小的厚度、轻的重量、和低的功率消耗，而且已经被广泛用作用于音频/视频(AV)装置、办公自动化装置等等的显示设备。
有源矩阵显示器使用由形成在有源矩阵衬底中的像素电极产生的光显示信息。例如，在有源矩阵显示器之中的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)为自发射显示器，其使用当电流流过荧光或磷光有机薄膜时电子和空穴在该有机薄膜中被复合以产生光的原理。这里，光的颜色根据形成发光层的有机材料变化。有机发光二极管(OLED)可以被分成无源矩阵发光二极管(PM OLED)和无源矩阵发光二极管(AMOLED)。相比PMOLED(其中整行被驱动以发光的行驱动型)，AMOLED为个体驱动型，其中每个发光设备被驱动。
如图1中示出的，常规有源矩阵显示器的像素结构200具有在其中由像素限定层150限定的多个像素电极140在基础衬底110上以矩阵的形式被布置的结构。
常规的有源矩阵显示器的像素结构200可以包括基础衬底110、多个像素电路电极120、底部绝缘层130、多个像素电极140、像素限定层150、和阴极层170。多个像素电路电极120在基础衬底110上可以以矩阵的形式被形成。底部绝缘层130可以被形成在多个像素电路电极120之间，且像素电路电极120通过形成在底部绝缘层130中的接触通孔132暴露到外面。多个像素电极140a可以在底部绝缘层130上以矩阵的形式被形成并分别被连接到多个像素电路电极120。绝缘像素限定层150可以被形成在多个像素电极140之间。此外，阴极层170可以被形成以覆盖多个像素电极140和像素限定层150。
这里，可以通过使用光刻工艺的构图独立地形成像素电极140和像素限定层150。
也就是，在包括像素电路电极120的底部绝缘层130上形成用于形成像素电极140的电极层之后，通过使用光刻工艺的构图形成像素电极140以分别连接到多个像素电路电极120。
接下来，形成用于形成像素限定层150的顶部绝缘层以覆盖包括像素电极140的底部绝缘层130。然后，通过使用光刻工艺的构图形成覆盖多个像素电极140的边缘的像素限定层150。
以这种方式，常规的有源矩阵显示器的像素结构200需要使用单独的光刻工艺的单独构图以形成像素电极140和像素限定层150。因此，制造工艺比较复杂，并且由于复杂的工艺效率，产率会降低。
像素电极140包括通过构图工艺暴露的其边缘的台阶141。为了解决例如与形成在像素电极150上的阴极层170的短路的问题，尽管像素限定层150(例如有机绝缘层)被形成以覆盖像素电极140的台阶141，但是，像素电极140可以仍然包括其边缘的台阶141并仍然具有与形成在像素电极140上的阴极层170的短路。
为了抑制像素电极140和阴极层170之间的这种短路问题，考虑到由像素电极140和像素限定层150的边缘形成的倾斜角、每个台阶的高度等等，需要形成像素限定层150。因此，限定像素电极的工艺要求非常高的技术。
此外，因为像素限定层150形成于绝缘材料，例如吸湿的有机材料，因此由于包含在像素限定层150中的湿气，有源矩阵显示器的可靠性被降低。
进一步的，因为像素限定层150被形成在比像素电极140更高的层级，与像素电极140和像素限定层150被形成在相同的层级的情况相比，像素电极140的效率降低。
发明内容
相应地，本发明涉及能够简化形成像素电极和像素限定层的工艺的有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法。
本发明还涉及能够通过从根本上阻止像素电极的边缘的台阶的暴露而提高产率的有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法。
本发明还涉及能够解决有源矩阵显示器的可靠性被降低的问题的有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法，有源矩阵显示器的像素结构的可靠性被降低归因于通过使用有机材料作为像素限定层产生的湿气。
本发明还涉及通过在相同层级形成像素限定层和像素限定层，能够解决例如发生在像素电极和像素限定层之间的界面中的与阴极层短路的问题的有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法。
根据本发明的方面，提供一种有源矩阵显示器的像素结构，包括：基础衬底、多个像素电路电极、绝缘层和复合层。所述多个像素电路电极在所述基础衬底上以矩阵的形式被布置。所述绝缘层被形成在所述基础衬底上以覆盖所述多个像素电路电极的边缘。所述复合层被整体形成以覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层。这里，所述复合层包括分别连接到在所述绝缘层中暴露的所述多个像素电路电极的导电像素电极和围绕所述像素电极设置的非导电像素限定层。
在一些实施例中，可以基于导电聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成所述复合层，可以通过改变所述导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS的电阻特性形成所述像素限定层，且所述像素电极可以由剩余的导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS形成。
在其他的实例中，所述像素电极和所述像素限定层可以被形成为共面的。
根据本发明的另一方面，提供一种形成有源矩阵显示器的像素结构的方法，包括：提供基础衬底，所述基础衬底包括被形成在其上表面上的多个像素电路电极和绝缘层；以及形成整体的复合层以覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层。所述复合层包括分别连接到由所述绝缘层暴露的所述多个像素电路电极的导电像素电极和围绕所述像素电极设置的非导电像素限定层。
在一些实例中，所述复合层的所述形成可以包括：形成被配置为覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层的导电聚合物层，在所述导电聚合物层上形成光致抗蚀剂膜，通过移除在所述导电聚合物层中的将要成为所述像素限定层的部分上的所述光致抗蚀剂膜形成开口，通过改变由所述开口暴露的所述导电聚合物层的部分的电阻特性形成所述非导电像素限定层，移除所述光致抗蚀剂膜，和在所述复合层上形成阴极层。
在其他的实施例中，当形成所述非导电像素限定层时，在所述导电聚合物层中的由所述光致抗蚀剂膜覆盖的部分可以被所述像素限定层限定为所述像素电极。
在其他的实施例中，可以基于导电的聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成所述复合层，可以通过改变所述导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS的电阻特性形成所述像素限定层，且所述像素电极可以由剩余的导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS形成。
在其他实施例中，所述像素电极和所述像素限定层可以被形成为共面的。
根据本发明的实施例，通过形成导电聚合物层以在包括像素电路电极的绝缘层上形成像素电极和像素限定层，和将在导电聚合物层中的将要成为像素限定层的部分的电阻特性从导电的改变为非导电的来制造复合层，在该复合层中同时形成像素电极和像素限定层而不需要附加的构图工艺。因此，可以简化形成像素电极和像素限定层的工艺。
此外，因为通过将在导电聚合物层中的将要成为像素限定层的部分的电阻特性从导电的改变为非导电的，从根本上避免归因于惯用的构图工艺的像素电极的边缘的台阶的暴露，因此可以提高产率。也就是，因为整体形成基于导电聚合物层形成的像素电极和像素限定层，不产生位于像素电极的边缘中的归因于惯用的构图工艺的台阶，因此可以从根本上消除归因于台阶的暴露的问题。
此外，根据本发明的实施例，因为使用聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)而不是有机材料作为导电复合层，因此可以解决有源矩阵显示器的可靠性降低的问题，其中可靠性降低归因于通过使用惯用的有机材料作为像素限定层产生的湿气。也就是，因为使用PEDT/PSS或PEDOT/PSS而不是有机材料作为导电复合层，因此归因于湿气的问题被抑制，并可以提高有源矩阵显示器的可靠性。
进一步地，根据本发明的实施例，因为使用导电聚合物层在一个层中整体形成像素电极和像素限定层，因此可以将像素电极和像素限定层设置在相同的层级，且可以解决发生在像素电极和像素限定层之间的界面中的短路问题。
附图说明
图1为示出根据常规技术的有源矩阵显示器的像素结构的横断面图。
图2为示出根据本发明实施例的有源矩阵显示器的像素结构的横断面图。
图3为根据形成图2的有源矩阵显示器的像素结构的方法的工艺流程图。
图4至9为示出根据图3的方法的每个工艺的横断面图。
具体实施方式
本发明的目的、特性和优点将结合附图从下面实施例的详细描述被更清楚地理解。在下面的描述中，将省略会不必要地使本发明的主旨模糊的相关的已知功能和元件的详细描述。
在该说明书和权利要求书中使用的术语和词汇不应当被解释为具有惯用或词典的意思，而应当基于发明人能够恰当地定义术语的概念以用最优方法解释本发明的原则被解释为符合本发明的精神的意思和概念。因此，在说明书中描述的实施例以及在附图中示出的配置至多为本发明的优选实施例并没有完全覆盖本发明的精神。相应地，应当理解，可以具有能够替代当本申请被提交时的那些特征的各种等同物和修改。
在下文中，现在将参照附图更加完全地描述各种实施例。
图2为示出根据本发明的实施例的有源矩阵显示器的像素结构的横断面图。
参照图2，根据本发明的实施例的有源矩阵显示器的像素结构100包括基础衬底10、多个像素电路电极20、绝缘层30、和复合层40。复合层40包括多个像素电极41和像素限定层43。多个像素电路电极20以矩阵的形式被布置在基础衬底10上。绝缘层30被形成在基础衬底10上以覆盖多个像素电路电极20的边缘。此外，复合层40被整体地形成以覆盖多个像素电路电极20和绝缘层30。这里，复合层40包括导电像素电极41和非导电像素限定层42，其中将导电像素电极41分别连接到由绝缘层30暴露的多个像素电路电极20，非导电像素限定层42围绕像素电极41设置。根据本发明实施例的有源矩阵显示器的像素结构100进一步包括形成在复合层40上的阴极层70。
作为基础衬底10，可以使用玻璃衬底、塑料衬底、或金属衬底。这里，玻璃衬底可以由氧化硅、氮化硅等等形成。塑料衬底可以由绝缘有机材料形成。例如，塑料衬底可以由选自以下组的有机材料形成：聚醚矾(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CTA)、和醋酸丙酸纤维素(CAP)，但不限于此。金属衬底可以包括选自下列中至少一种：碳(C)、铁(Fe)、铬(Cr)、锰(Mn)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、不锈钢(SUS)、Invar合金、ZInconel合金、Kovar合金，但不限于此。金属衬底可以为金属箔。为了使基础衬底10具有挠性的特性，可以使用塑料衬底或金属衬底。
多个像素电路电极20可以为在有源矩阵显示器中使用的薄膜晶体管(TFT)。尽管在图2中没有示出，但是像素电路电极20可以主要由非晶硅半导体材料或多晶硅半导体材料、氧化硅绝缘层、和金属电极组成。作为像素电路电极20，可以使用利用有机材料的有机薄膜晶体管(OTFT)。
可以在基础衬底10和多个像素电路电极20上形成绝缘层30，且形成接触孔32以暴露像素电路电极20。通过接触孔32，可以将像素电极41电连接到像素电路电极20。可以将非有机绝缘材料或有机绝缘材料用作绝缘层30。这里，用作绝缘层30的非有机绝缘材料可以为SiO2。更具体地，可以使用旋涂玻璃(SOG)或旋涂电介质(SOD)，旋涂玻璃(SOG)包括选自由硅氧烷、硅氮烷、和硅酸盐组成的组中的一个，旋涂电介质(SOD)包括能够通过溶液法形成氧化硅的聚硅氮烷。用作绝缘层30的有机绝缘材料可以为聚对二甲苯、环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚氯乙烯(PVC)、苯并环丁烯(BCB)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、或环戊烷(CyPe)。作为形成绝缘层30的方法，可以使用溶液法，例如喷墨印刷、旋涂、狭缝涂敷、或丝网印刷。可以通过光刻和蚀刻工艺形成接触孔32。
此外，基于导电聚合物形成复合层40，且将多个像素电极41和像素限定层43整体形成为共面的。可以基于由导电的聚合物，例如导电聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成的导电聚合物层形成这种复合层40。在导电聚合物层中，可以通过将导电聚合物的电阻特性从导电改变为非导电以形成像素限定层43，且多个像素电极41可以由剩余的导电共聚物形成。
这里，作为将导电聚合物的电阻特性从导电改变为非导电的方法，仅局部湿蚀刻或通过紫外光局部辐射在导电聚合物中待形成像素限定层43的部分。
因此，在根据本发明的实施例的有源矩阵显示器的像素结构中，因为使用被配置为形成像素电极41的导电聚合物层一起形成像素限定层43和像素电极41，因此可以省略使用有机绝缘材料形成像素限定层43的常规方法。
此外，在根据本发明的实施例的有源矩阵显示器的像素结构100中，因为像素电极41和像素限定层43被形成为共面的，因此可以提高像素电极的效率。
如下参照图2至8将描述形成根据本发明的实施例的有源矩阵显示器的像素结构100的方法。这里，图3为根据形成图2的有源矩阵显示器的像素结构100的方法的工艺流程图。此外，图4至9为示出根据图3的方法的每个工艺的横断面图。
首先，如在图4中示出的，在S81中，准备在其上形成多个像素电路电极20和绝缘层30的基础衬底10。通过绝缘层30的接触孔32暴露像素电路电极20。
下一步，如在图5中所示的，在S83中，形成导电聚合物层40a以覆盖像素电路电极20和绝缘层30。这里，作为用于形成导电聚合物层40a的导电聚合物，可以使用PEDT/PSS或PEDOT/PSS。作为形成导电聚合物层40a的方法，可以使用溶液法，例如喷墨印刷、旋涂、狭缝涂敷、或丝网印刷。
下一步，如在图6中示出的，在S85中，光致抗蚀剂膜60可以在导电聚合物层40a上形成光致抗蚀剂膜60。
下一步，如在图7中示出的，在S87中，在光致抗蚀剂膜60的将要形成像素限定层43的部分中形成开口61。也就是，通过在光致抗蚀剂膜60上的曝光和显影工艺去除在光致抗蚀剂膜60的将要形成像素限定层43的部分，形成开口61。
下一步，如在图8中示出的，在S89中，通过改变由开口61暴露的导电聚合物层的部分的电阻特性形成非导电像素限定层43。这里，为了将由开口暴露的导电聚合物的部分的电阻特性从导电的改变成非导电的，可以使用湿蚀刻方法或紫外光辐射方法。也就是，通过将基础衬底10浸泡在能够改变导电聚合物的电学特性的溶液中，可以将由光致抗蚀剂膜60的开口61暴露的导电聚合物层的部分化学地改变为非导电的。可选地，可以通过紫外光辐射由光致抗蚀剂膜60的开口61暴露的导电聚合物层的部分，以物理和化学地改变该部分，并将该部分的电阻特性变为非导电的。
这里，由光致抗蚀剂膜60覆盖的导电聚合物层的部分保持导电特性。因为由开口61暴露的导电聚合物层的部分变为像素限定层43，由光致抗蚀剂膜60覆盖的导电聚合物层的部分可以由像素限定层43限定为像素电极41。
因此，根据本发明的实施例，使用导电聚合物层，可以将像素电极41和像素限定层43形成为共面的。
下一步，如图9中示出的，在S91中，将光致抗蚀剂膜从包括多个像素电极41和像素限定层43的复合层40移除。
以这种方式，使用光致抗蚀剂层在一个光刻工艺中同时将像素电极41和像素限定层43形成在导电聚合物层上。因为基于导电聚合物整体形成像素电极41和像素限定层43，因此可以将像素电极41和像素限定层43之间的界面形成为连续的。因此，可以从根本上阻断像素电极41的边缘的台阶的形成。
此外，如图2中示出的，在S93中，在复合层40上形成阴极层70，从而可以制造根据本发明实施例的有源矩阵显示器的像素结构100。
因为形成像素电极41和像素限定层43的导电聚合物层40a被形成在包括像素电路电极20的绝缘层30上，随后将导电聚合物层40a中的将要成为像素限定层的部分的电阻特性从导电的改变为非导电的，因此根据本发明实施例的有源矩阵显示器的像素结构100可以包括复合层40，其中同时形成像素电极41和像素限定层43且没有附加的构图工艺。因而，可以简化形成像素电极41和像素限定层43的工艺。
此外，因为通过将在导电聚合物层40a中的将要成为像素限定层43的部分的电阻特性从导电的改变为非导电的，从根本上避免归因于惯用的构图工艺的像素电极的边缘的台阶的暴露，因此可以提高产率。也就是，因为整体形成基于导电聚合物层40a形成的像素电极41和像素限定层43，不产生位于像素电极43的边缘中的归因于惯用的构图工艺的台阶，因此可以从根本上消除归因于台阶的暴露的问题。
此外，根据本发明的实施例，因为使用PEDT/PSS或PEDOT/PSS而不是有机材料作为导电复合层40，因此可以解决有源矩阵显示器的可靠性降低的问题，其中该可靠性降低归因于通过使用惯用的有机材料作为像素限定层产生的湿气。也就是，因为使用PEDT/PSS或PEDOT/PSS而不是有机材料作为导电复合层40，因此抑制了归因于湿气的问题，且可以提高有源矩阵显示器的可靠性。
进一步地，根据本发明的实施例，因为使用导电聚合物层40a在一个层中整体形成像素电极41和像素限定层43，因此可以将像素电极41和像素限定层43设置在相同的层级，且可以解决发生在像素电极41和像素限定层43之间的界面中的短路问题。
尽管已经描述了几个实施例，对本领域技术人员显而易见的，可以对上面描述的被发明的示例性实施例进行各种修改而没有脱离本发明的精神或范围。

Claims (8)

1.一种有源矩阵显示器的像素结构，包括：
基础衬底；
在所述基础衬底上以矩阵的形式布置的多个像素电路电极；
形成在所述基础衬底上以覆盖所述多个像素电路电极的边缘的绝缘层；以及
被整体形成以覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层的复合层，其中所述复合层包括被分别连接到在所述绝缘层中暴露的所述多个像素电路电极的导电像素电极和围绕所述像素电极设置的非导电像素限定层。
2.如权利要求1所述的有源矩阵显示器的像素结构，其中基于导电聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成所述复合层，通过改变所述导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS的电阻特性形成所述像素限定层，且所述像素电极由剩余的导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS形成。
3.如权利要求2所述的有源矩阵显示器的像素结构，其中所述像素电极和所述像素限定层被形成为共面的。
4.一种形成有源矩阵显示器的像素结构的方法，包括：
提供基础衬底，所述基础衬底包括被形成在其上表面上的多个像素电路电极和绝缘层；以及
形成整体的复合层以覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层，其中所述复合层包括分别连接到由所述绝缘层暴露的所述多个像素电路电极的导电像素电极和围绕所述像素电极设置的非导电像素限定层。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述复合层的所述形成包括：
形成被配置为覆盖所述多个像素电路电极和所述绝缘层的导电聚合物层；
在所述导电聚合物层上形成光致抗蚀剂膜；
通过移除在所述导电聚合物层中的将要成为所述像素限定层的部分上的所述光致抗蚀剂膜形成开口；
通过改变由所述开口暴露的所述导电聚合物层的部分的电阻特性形成所述非导电像素限定层；
移除所述光致抗蚀剂膜。
6.如权利要求5所述的方法，其中当形成所述非导电像素限定层时，在所述导电聚合物层中的由所述光致抗蚀剂膜覆盖的部分被所述像素限定层限定为所述像素电极。
7.如权利要求5所述的方法，其中基于导电聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDT/PSS)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)形成所述复合层，通过改变所述导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS的电阻特性形成所述像素限定层，且所述像素电极由剩余的导电PEDT/PSS或PEDOT/PSS形成。
8.如权利要求4所述的方法，其中所述像素电极和所述像素限定层被形成为共面的。
CN201380063528.7A 2012-12-07 2013-12-02 用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法 Pending CN104981917A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120141829A KR101402606B1 (ko) 2012-12-07 2012-12-07 능동 매트릭스 디스플레이의 화소 구조 및 제조 방법
KR10-2012-0141829 2012-12-07
PCT/KR2013/011067 WO2014088275A1 (ko) 2012-12-07 2013-12-02 능동 매트릭스 디스플레이의 화소 구조 및 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104981917A true CN104981917A (zh) 2015-10-14

Family

ID=50883650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380063528.7A Pending CN104981917A (zh) 2012-12-07 2013-12-02 用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150311267A1 (zh)
EP (1) EP2930761A4 (zh)
JP (1) JP2016508230A (zh)
KR (1) KR101402606B1 (zh)
CN (1) CN104981917A (zh)
TW (1) TW201428944A (zh)
WO (1) WO2014088275A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018196114A1 (zh) * 2017-04-28 2018-11-01 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN110164944A (zh) * 2019-06-03 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、掩膜版、显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2513165A (en) * 2013-04-18 2014-10-22 British American Tobacco Co Container
CN103700685B (zh) * 2013-12-12 2017-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
JP2015201354A (ja) * 2014-04-08 2015-11-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102587708B1 (ko) * 2016-06-30 2023-10-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치, 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이 및 그의 제조방법
CN111403623A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100769161B1 (ko) * 2001-03-05 2007-10-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP5147215B2 (ja) 2006-10-31 2013-02-20 株式会社日立製作所 表示素子の画素駆動回路およびこれを利用した表示装置
KR20100111315A (ko) * 2008-02-01 2010-10-14 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 용액 처리된 전자 소자를 제조하기 위한 구조물
KR100918403B1 (ko) * 2008-02-12 2009-09-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI358820B (en) * 2008-02-29 2012-02-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active device array substrate and fabrication meth
KR101058112B1 (ko) * 2009-10-20 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP5500978B2 (ja) 2009-12-25 2014-05-21 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ装置
KR101084191B1 (ko) * 2010-02-16 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101146991B1 (ko) * 2010-05-07 2012-05-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR20120043438A (ko) * 2010-10-26 2012-05-04 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US9178174B2 (en) * 2012-03-27 2015-11-03 Sony Corporation Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018196114A1 (zh) * 2017-04-28 2018-11-01 武汉华星光电技术有限公司 一种柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN110164944A (zh) * 2019-06-03 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、掩膜版、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW201428944A (zh) 2014-07-16
US20150311267A1 (en) 2015-10-29
EP2930761A1 (en) 2015-10-14
KR101402606B1 (ko) 2014-06-03
JP2016508230A (ja) 2016-03-17
EP2930761A4 (en) 2016-07-20
WO2014088275A1 (ko) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104981917A (zh) 用于有源矩阵显示器的像素结构及其制造方法
US11127801B2 (en) Organic light-emitting diode display substrate, method of manufacturing the same, and display apparatus
US20210257581A1 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, display panel and display device
CN110416269B (zh) 一种显示面板和显示面板的制作方法
JP5067999B2 (ja) アクティブマトリクス表示装置及びその製造方法
JP6110063B2 (ja) 有機発光表示装置及び有機発光表示装置の製造方法
JP2015015241A (ja) 有機発光表示装置及び有機発光表示装置製造方法
JP2007141844A (ja) 表示装置とその製造方法
JP2005327674A (ja) 有機エレクトロルミネッセント表示素子、それを有する表示装置、及び、その製造方法
JP2008159935A (ja) フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ
KR20120092386A (ko) 유기발광표시장치 및 그 제조방법
CN100477129C (zh) 薄膜晶体管、有机电致发光显示元件及其制造方法
JP2006012785A (ja) 有機電界発光表示装置の製造方法とそれによる表示装置
WO2014136150A1 (ja) Ｅｌ表示装置
TWI549265B (zh) 畫素結構及其製造方法
TWI546954B (zh) 電激發光顯示面板之畫素結構及其製作方法
JP2008159934A (ja) フレキシブルｔｆｔ基板及びその製造方法とフレキシブルディスプレイ
JP5272280B2 (ja) 薄膜トランジスタアレイとディスプレイ及び薄膜トランジスタアレイの製造方法
JP2010287634A (ja) トランジスタを有するトランジスタ基板及びトランジスタを有するトランジスタ基板の製造方法
JP2006243127A (ja) シートディスプレイ
KR20120119075A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
US12004376B2 (en) Display motherboard, preparation method thereof, display substrate and display device
US20220310752A1 (en) Display Substrate and Display Apparatus
JP2010225780A (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
CN110085625B (zh) 顶发射型显示器件及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20151014