CN104980668B - 芯片、多芯片模块和具有其的装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及芯片、多芯片模块和具有其的装置。提供了一种芯片，该芯片包括：多个单位单元；扫描电路，适于扫描所述多个单位单元，由此使得所述多个单位单元中的每一个输出信号；电压‑电流转换电路；电流‑电压转换电路；输出端子；和输入端子。电流‑电压转换电路适于将输入到输入端子中的第一电流信号转换成第一电压信号，扫描电路响应于从电流‑电压转换电路输出的第一电压信号开始扫描，并且电压‑电流转换电路适于将从扫描电路输出的第二电压信号转换成第二电流信号，并从输出端子输出第二电流信号。

Description

芯片、多芯片模块和具有其的装置
技术领域
本发明涉及芯片、多芯片模块和具有其的装置，特别涉及在安装板上安装多个半导体芯片的多芯片模块。
背景技术
日本专利申请公开No.H11-112728公开了在同一板上安装诸如多个传感器芯片、放大器芯片、电容器和电阻器的组件的接触型图像传感器。它描述了：由于该配置，放大器芯片和传感器芯片被安装在同一板上，由此可减小模块或单元的体积。并且，还描述了复位状态中的电压被箝位并被用作基准信号，由此由芯片之间的阶跃(step)导致的固定模式噪声(FPN)被去除。
在诸如日本专利申请公开No.H11-112728中描述的接触型图像传感器的多芯片模块中，使芯片相互连接的配线(wire)在配线与另一配线或地之间具有寄生电容。当在芯片之间传送的信号是电压信号时，在芯片之间传送和接收信号时的电压的变动导致寄生电容的充电和放电，并且电源电压波动。电源电压的这种波动改变芯片中的基准电势，因此，信号电压的上述变动可变为噪声的原因。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供一种芯片，该芯片包括：多个单位单元(unit cell)；扫描电路，适于扫描所述多个单位单元，由此使得所述多个单位单元中的每一个输出信号；电压-电流转换电路；电流-电压转换电路；输出端子；和输入端子。电流-电压转换电路适于将输入到输入端子中的第一电流信号转换成第一电压信号，扫描电路响应于从电流-电压转换电路输出的第一电压信号开始扫描，并且电压-电流转换电路适于将从扫描电路输出的第二电压信号转换成第二电流信号，并从输出端子输出第二电流信号。
从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的进一步的特征将变得明显。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的多芯片模块的配置的示图。
图2是根据第一实施例的多芯片模块的操作定时图。
图3是示出根据第一实施例的控制信号输出电路和电流-电压转换电路的配置和连接的示图。
图4是示出根据第二实施例的电流-电压转换电路的配置的示图。
图5是示出根据第三实施例的电流-电压转换电路的配置的示图。
图6是示出根据第四实施例的复印机的配置的框图。
图7是示出根据第五实施例的多芯片模块的配置的框图。
具体实施方式
现在将根据附图详细描述本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图1是示出根据本发明的第一实施例的多芯片模块的配置的示图。多芯片模块100包括安装于安装板106上的多件(n件)半导体芯片101-1、101-2至101-n。安装板106由印刷电路板等形成，并且具有用于安装半导体芯片和连接配线的电极。
半导体芯片101-1、101-2至101-n按照附图标记的分支号的顺序通过安装板106上的各个配线被级联连接。具体而言，从半导体芯片101-1输出的控制信号被输入到半导体芯片101-2中，并且从半导体芯片101-2输出的控制信号被输入到半导体芯片101-3中。顺便提及，在本发明的每个实施例中使用的芯片不限于半导体芯片，并且，本发明可被应用于其上安装了具有各种芯片形式的组件的模块。
多芯片模块100还包括时钟信号CK和开始信号SP从外面被输入其中的输入端子、以及向外面输出传感器输出信号Vout的输出端子。在安装板106上形成时钟信号配线102、开始信号配线103、传感器输出信号配线104和控制信号线105。时钟信号CK和开始信号SP分别通过时钟信号配线102和开始信号配线103被输入到半导体芯片101-1至101-n中。从半导体芯片101-1至101-n输出的传感器输出信号Vout通过传感器输出信号配线104与输出端子连接。从半导体芯片101-i输出的控制信号通过控制信号线105与下一半导体芯片101-(i+1)连接。
半导体芯片101-1至101-n中的每一个包含多个光电传感器(photo-sensor)201、多个开关电路202、具有N位的移位寄存器203、传感器输出电路205、开始信号选择电路206、电流-电压转换电路207、控制电路208和控制信号输出电路209。
光电传感器201是包含光电二极管的光电转换部分。来自光电传感器201中的每一个的输出通过开关电路202中的每一个与传感器输出线204连接，并且使得被共用。开关电路202的ON(导通)/OFF(非导通)状态由从移位寄存器203输出的控制信号控制。传感器输出线204与传感器输出电路205连接，并且，传感器输出电路205使其输入信号经受诸如放大的处理，并将处理后的信号输出到传感器输出信号配线104。传感器输出电路205是由例如晶体管等形成的放大器。时钟信号CK和开始信号选择电路206的输出信号被输入到移位寄存器203中。在本实施例中，光电传感器201是输出基于入射光的信号的光接收部分。另外，在本实施例中，传感器输出电路205是向半导体芯片101的外面输出基于已从光接收部分输出的信号的信号的输出部分。单位单元250中的每一个具有光电传感器201和开关电路202。在本实施例中，移位寄存器203是扫描电路。
开始信号选择电路206是诸如多路复用器的选择电路，并且具有两个信号输入端子、选择控制端子和输出端子。开始信号选择电路206响应于输入到选择控制端子中的信号电压而选择输入到两个信号输入端子中的信号中的任一个，并且从输出端子输出选择的信号。来自电流-电压转换电路207的输出信号和开始信号SP被输入到开始信号选择电路206的输入端子中。电源电压VCC和地电势GND中的任一个作为选择控制信号被输入到开始信号选择电路206的选择控制端子中。电源电压VCC被输入到作为第一芯片的半导体芯片101-1中的开始信号选择电路206的选择控制端子中。此时，从开始信号选择电路206的输出端子输出开始信号SP。地电势GND与作为第二芯片及随后芯片的半导体芯片101-2至101-n中的每一个中的选择控制端子连接。此时，从开始信号选择电路206的输出端子输出电流-电压转换电路207的输出信号。
时钟信号CK和开始信号SP被输入到控制电路208中。控制电路208响应于这些输入信号，向多个光电传感器201和传感器输出电路205输出用于控制操作的信号。控制电路208控制每一个光电传感器201的光电二极管中的电荷的复位定时。另外，控制电路208控制光电传感器201的积累时段。
移位寄存器203的第(N-2)位的输出值被输入到控制信号输出电路209中。来自控制信号输出电路209的输出信号通过控制信号线105与下个半导体芯片中的电流-电压转换电路207连接。来自半导体芯片101-1中的控制信号输出电路209的输出信号是表示半导体芯片101-2中的移位寄存器203的扫描的开始定时的电压信号。
图2是根据第一实施例的多芯片模块的定时图。如上所述，在第一半导体芯片101-1中，开始信号选择电路206向移位寄存器203输出开始信号SP。当开始信号SP在时钟信号CK被输入到移位寄存器203中的状态中变为高电平时，控制电路208控制传感器输出电路205以便为从光电传感器201的信号读出和传感器输出电路205的操作作准备。在作为时钟信号CK的前几位(以下，设定在3位)的时段的Tpre时段中执行这些准备。在经过了Tpre时段之后，通过从移位寄存器203输出的时钟信号的脉冲，开关电路202中的每一个被依次控制为导通状态。由此，来自第一芯片中的光电传感器201的输出信号通过传感器输出电路205被输出到传感器输出信号配线104。在第(N-2)位信号的输出的定时，移位寄存器203将第(N-2)个开关电路202切换到导通状态，并且还向控制信号输出电路209输出时钟信号。换句话说，在第一芯片中的光电传感器201结束将信号输出到传感器输出信号配线104的操作之前，时钟信号通过控制信号线105被输出到下一半导体芯片中的电流-电压转换电路207。
在第二半导体芯片101-2中，开始信号选择电路206选择来自前一半导体芯片中的控制信号输出电路209的输出信号，并且输出选择的信号。当来自控制信号输出电路209的输出信号的高电平区间(interval)被输入时，与第一半导体芯片101-1中类似，在三个位的Tpre时段中执行操作准备。当第二半导体芯片101-2中的传感器输出电路205中的电流消耗在传感器输出电路205输出基于从光电传感器201输出的信号的信号的操作的时间之前减小时，该控制是合适的。从第二半导体芯片101-2中的传感器输出电路205的电流消耗减小的状态到传感器输出电路205返回以能够输出基于从光电传感器201输出的信号的信号的状态，需要预定的时段。在图2所示的控制中，传感器输出电路205可在Tpre时段中从传感器输出电路205的电流消耗减小的状态返回。由此，可缩短在第一半导体芯片101-1已结束将信号输出到传感器输出信号配线104的操作之后、在第二半导体芯片101-2开始将信号输出到传感器输出信号配线104的操作之前所需要的时段。在经过了Tpre时段之后，开关电路202中的每一个通过移位寄存器203的时钟信号的脉冲被依次控制到导通状态，并且来自第二芯片中的光电传感器201的输出信号通过传感器输出电路205被输出到传感器输出信号配线104。因此，响应于来自半导体芯片101-1中的控制信号输出电路209的输出信号，半导体芯片101-2中的移位寄存器203的扫描的开始定时被控制。第三及随后的半导体芯片中的操作与第二芯片中的类似，并因此将被省略。由此，从半导体芯片101-1至101-n依次读出来自传感器的输出信号。
图3是示出两个半导体芯片之上的控制信号输出电路209与电流-电压转换电路207的电路配置和连接关系的示图。控制信号输出电路209包含恒流电路10、晶体管11和12、以及反相器电路13。电源电压VCC被输入到恒流电路10中，并且恒流电路10输出恒定电流Io。晶体管11和12是P型MOS晶体管。反相器电路13是反转输入电压电平(高电平或低电平)并且输出反转的电压电平的电路。
恒流电路10的输出端子与相互共同连接的晶体管11和12的源极端子连接。晶体管11和12形成差分对。晶体管11的漏极端子与地端子GND连接。晶体管12的漏极端子与控制信号输出电路209的输出端子“out”连接，并且晶体管11的栅极端子与控制信号输出电路209的输入端子“in”连接。移位寄存器203的输出信号被输入到输入端子“in”中。移位寄存器203的输出信号通过反相器电路13被输入到晶体管12的栅极端子中。具体而言，输入到晶体管12的栅极端子中的信号的电压电平变为反转移位寄存器203的输出信号的电压电平的电压电平。
电流-电压转换电路207包含连接输入端子“in”与输出端子“out”的配线、以及连接于该配线与地端子GND之间的电阻器R。电流-电压转换电路207的输入端子“in”与控制信号输出电路209的输出端子“out”连接。电流-电压转换电路207的输出端子“out”与开始信号选择电路206连接。
当来自移位寄存器203的输出电压处于低电平时，晶体管11的栅极端子的电压处于低电平，并且晶体管12的栅极端子的电压处于高电平。此时，晶体管11处于ON状态，并且晶体管12处于OFF状态。因此，电流从恒流电路10通过晶体管11流向地端子GND，并且电流不流向晶体管12。
之后，当从移位寄存器203输入第(N-2)位的高电平信号时，晶体管11的栅极端子的电压变为高电平，并且晶体管12的栅极端子的电压变为低电平。由此，晶体管11被关断，并且晶体管12被接通。因此，从控制信号输出电路209的输出端子“out”输出恒定电流Io。如以上的描述中那样，控制信号输出电路209用作根据已输入到输入端子“in”中的电压的电平来切换恒定电流Io的输出的有无的电压-电流转换电路。
恒定电流Io被输入到电流-电压转换电路207的输入端子“in”中。如果电流-电压转换电路207的输出电阻被假定为足够高，那么恒定电流Io流入到电阻器R中。此时，电流-电压转换电路207的输出端子“out”的电压变为Io×R。因此，电流-电压转换电路207将输入的电流信号转换成电压信号并且输出该电压信号。顺便提及，在本说明书中，“电流信号”应意味着根据电流值的电平传送信息的信号，并且“电压信号”应意味着根据电压值的电平传送信息的信号。
在芯片之间传送信号的多芯片模块中，可在芯片之间的配线与信号线或地之间存在寄生电容。当芯片之间的配线的电压从地电势GND变为电源电压VCC或者从电源电压VCC变为地电势GND时，寄生电容被充电和放电。该充电和放电导致电源电压VCC或地电势GND的波动，并因此可在光电传感器201中的电路的电势、传感器输出电路205的基准电压等中出现波动。当多芯片模块100在这种状态下被操作并且输出信号时，电势波动的影响偶尔以固定模式噪声的形式出现。
与此相反，在本实施例所示的配置中，控制信号输出电路209输出恒定电流，并因此减小了由寄生电容的充电和放电导致的电压波动。由此，可在固定模式噪声的出现减少的情况下获得传感器输出信号。
顺便提及，在图3及其描述中示出的控制信号输出电路209可具有使用双极晶体管替代MOS晶体管的配置。电流-电压转换电路207的电阻器R可具有各种形式，诸如采用金属配线的布线电阻器，设置在阱区域之上、杂质浓度比半导体基板的阱区域中的杂质浓度高、扩散层所导致的扩散电阻器，以及设置在半导体基板上的氧化物膜上的多晶硅所导致的电阻器。电流-电压转换电路207不限于通过电阻器R实现的电流-电压转换电路，并且，例如，可采用利用晶体管的电流-电压转换电路。
另外，在本实施例中，已描述了扫描电路是移位寄存器的例子，但扫描电路可以是解码器。
(第二实施例)
图4是示出根据第二实施例的电流-电压转换电路的配置的示图。电流-电压转换电路407包含恒流源20，晶体管21、22、23和24，电流-电压转换部分30和比较器31。
恒流源20是供给固定电流值Ia的电路。希望电流值Ia比从控制信号输出电路209输出的电流值Io大。
晶体管21、22、23和24是N型MOS晶体管。晶体管21、22、23和24形成共源共栅(cascode)型电流镜电路。使得晶体管21的漏极端子和栅极端子共用，并且它们与恒流源20的电流输出端子连接。使得晶体管22的漏极端子和栅极端子共用，并且它们与晶体管21的源极端子和晶体管24的栅极端子连接。晶体管22的源极端子与地端子GND连接。晶体管23的栅极端子与晶体管21的栅极端子连接。晶体管24的漏极端子与晶体管23的源极端子连接。晶体管24的源极端子与地端子GND连接。晶体管23的源极端子与晶体管24的漏极端子之间的连接点是电流-电压转换电路407的输入端子“in”。电流-电压转换电路407的输入端子“in”通过控制信号线105与控制信号输出电路209的输出端子“out”连接。
晶体管23的漏极端子与电流-电压转换部分30的一端和比较器31的非反相输入端子连接。电流-电压转换部分30的另一端与电源电压VCC连接。电流-电压转换部分30是要输出的电压响应于从电源电压VCC向地端子GND流动的电流而变动的电路。电流-电压转换部分30可由例如电阻器R形成。电阻器R可具有与在第一实施例中描述的电阻器R相同的结构。基准电压Vr被输入到比较器31的反相输入端子中。比较器31的输出端子变为电流-电压转换电路407的输出端子“out”。当输入到比较器31的非反相输入端子中的电压比基准电压Vr大时，输出电压变为高电平，并且，当该电压小于基准电压Vr时，输出电压变为低电平。
晶体管之间的尺寸比应被设定，使得当从恒流源20向晶体管22供给恒定电流Ia时，恒定电流Ia也流向晶体管24。此时，从控制信号输出电路209输入到电流-电压转换电路407中的电流是Io和零中的任一个。因此，从电源电压VCC通过电流-电压转换部分30流入到晶体管23的漏极端子中的电流是电流(Ia-Io)和电流Ia中的任一个。当电流(Ia-Io)流动时，电流-电压转换部分30应输出比基准电压Vr大的电压，并且，当电流Ia流动时，电流-电压转换部分30应输出较小的电压。在这种情况下，当输入电流为Io时，电流-电压转换电路407的输出电压变为高电平，并且，当输入电流为零时，电流-电压转换电路407的输出电压变为低电平。根据上述的方式，电流-电压转换电路407执行响应于输入电流而输出高电压和低电压中的任一个的电流-电压转换操作。
在第一实施例中，依赖于由电流-电压转换电路207的电阻值R和芯片之间的配线的寄生电容确定的时间常数、以及从控制信号输出电路209输出的电流值Io来确定信号的传送速度(频率特性)。为了高速传送信号，必须减小电流-电压转换电路207的电阻值并减小时间常数。当电流-电压转换电路207的电阻值减小时，为了使得输出电压保持恒定，必须增大从控制信号输出电路209输出的电流值。因此，为了高速传送信号，必须增大输出电流，并且电流消耗增大。
另一方面，在本实施例中，在电流-电压转换电路407中，由于共源共栅型电流镜电路的缘故，电流被供给以使得晶体管24的漏极与源极之间的电压变得恒定。由于这一点，当输入电流为Io和零中的任一个时，输入端子的电压变得几乎恒定，并且上述的寄生电容的影响减小。当寄生电容的影响减小时，时间常数由此减小，并因此可高速传送信号。另外，由于上述的原因，变得不必为了高速传送而增大从控制信号输出电路209输出的电流值，并且电流消耗可减小。因此，除了第一实施例所示的效果以外，本实施例还可减小电流消耗并实现信号传送的速度增大。
(第三实施例)
图5是示出根据第三实施例的电流-电压转换电路的配置的示图。电流-电压转换电路507包含恒流源20和晶体管21至27。恒流源20和晶体管21至24的配置与第二实施例中的类似，因此描述将被省略。
晶体管25和26是P型MOS晶体管，并且晶体管27是N型MOS晶体管。晶体管25和26的源极端子分别与电源电压VCC连接。使得晶体管25的栅极端子和漏极端子共用，并且它们与晶体管23的漏极端子和晶体管26的栅极端子连接。因此，晶体管25和26形成电流镜电路。晶体管26的漏极端子与晶体管27的漏极端子连接，并且该连接点变为电流-电压转换电路507的输出端子“out”。晶体管27的源极端子与地电势GND连接，并且晶体管27的栅极端子与晶体管22和24的栅极端子连接。因此，晶体管22、24和27形成电流镜电路。晶体管之间的尺寸比被设定，使得在晶体管22、24和27中流动的电流分别变为Ia、Ia和(Ia-0.5×Io)。另外，晶体管之间的尺寸比被设定，使得在晶体管25和26中流动的电流变得相同。
如在第二实施例的描述中已描述的那样，输入到电流-电压转换电路507中的电流是Io或零中的任一个。因此，从电源电压VCC通过晶体管25流入到晶体管23的漏极端子中的电流变为电流(Ia-Io)和电流Ia中的任一个。如以上已描述的那样，晶体管26的漏极电流与晶体管25的漏极电流相同，并因此是电流(Ia-Io)和电流Ia中的任一个。另外，晶体管27的漏极电流不依赖于电流-电压转换电路507的输入电流，并变为恒定值(Ia-0.5×Io)。
因此，当来自控制信号输出电路209的输出电流为零时，晶体管26的漏极电流为Ia，并且晶体管27的漏极电流为(Ia-0.5×Io)。因此，从输出端子“out”输出电流(0.5Io)。另一方面，当来自控制信号输出电路209的输出电流为Io时，晶体管26的漏极电流为(Ia-Io)，并且晶体管27的漏极电流为(Ia-0.5×Io)。因此，从输出端子“out”输出电流(-0.5Io)。当根据输出电流的值输出高电压和低电压中的任一个的电路(未示出)与端子“out”连接时，由此实现响应于输入电流输出高电压和低电压中的任一个的电流-电压转换。这种输出高电压和低电压中的任一个的电路可以与例如已在第一实施例中描述的电流-电压转换电路207相同。
与第二实施例类似，第三实施例可减小电流消耗并可实现信号传送的速度增大。并且，第三实施例不需要第二实施例中的比较器31和供给基准电压Vr的电路，并因此与第二实施例相比可减小元件面积，并且多芯片模块可被小型化。并且，由于元件面积的减小，可从一个半导体晶片制造的半导体芯片的数量增大，并且制造成本相应降低。
(第四实施例)
在第一到第三实施例中，已描述了使用多个半导体芯片101-1至101-n的多芯片模块100。
在第四实施例中，使用多芯片模块100作为用于复印机的文档读取部分的线传感器。图6是示出根据第四实施例的复印机的配置的框图。复印机600包括文档读取部分610、图像处理部分620和打印部分630。本示例性实施例中的文档读取部分610是基于图像产生信号的图像读取部分的一个例子。文档读取部分610包含文档照明灯601和根据第一到第三实施例的多芯片模块100。文档照明灯601用用于读取的光照射要被复印的文档。已从文档反射的光入射在排列于多芯片模块100中的多个光电传感器201上。多芯片模块100使得复印机600的图像处理部分620根据已入射于光电传感器201中的每一个上的光量获取图像信号。复印机600在通过彼此相对移动文档读取部分610和文档的位置来扫描文档的同时重复上述的获取图像信号的操作。由此，图像处理部分620获取文档的整个表面的图像信号。打印部分630基于图像处理部分620已获取的文档的图像信号，将文档复印到诸如纸的打印介质上。在通过根据第一到第三实施例的多芯片模块100获取的信号中，固定模式噪声减小。由于在读出文档时出现的噪声减小，因此根据本实施例的复印机使得能够实现表现出很小噪声的复制品。顺便提及，在本实施例中，已示出了在文档读取部分610中具有多芯片模块100的复印机600，但本发明的实施例也可类似地被应用于具有读取功能的各种装置。除了复印机以外，本实施例还可被广泛应用于例如包括图像读取装置的装置，诸如扫描仪和检查装置。
(第五实施例)
图7是示出根据第五实施例的多芯片模块的配置的框图。第一到第三实施例中的多芯片模块100是包括含光电传感器201的半导体芯片101-1至101-n的装置。另一方面，作为光电传感器201的替代，本实施例中的多芯片模块700的半导体芯片710-1至710-n分别具有液体喷射部分701。在图7中，一个半导体芯片710具有的多个液体喷射部分701被集体地示为一个液体喷射部分701。液体喷射部分701中的每一个包含未示出的液体流动通道、液体喷射端口、喷射能量产生部分等。诸如墨的要被喷射的液体被供给到液体流动通道的内部。喷射能量产生部分包含诸如通过电流升温的电阻器的电热转换元件。当通过从外面传递的电流在喷射能量产生部分中产生热时，液体流动通道中的液体被加热并膨胀，并且从液体喷射端口喷射液滴。另外，半导体芯片710具有扫描多个液体喷射部分701的喷射能量产生部分中的每一个的扫描电路，并由此使得所述多个液体喷射部分701中的每一个输入用于喷射液滴的信号。可在诸如液体喷射头的装置中使用本实施例的多芯片模块700。液体喷射头可被应用于例如液体喷射记录装置，诸如包含馈送诸如纸的打印介质的打印介质馈送部分的打印机。另外，液体喷射头可被应用于通过向正在形成的结构喷射液体来制造诸如DNA芯片、有机晶体管和滤色器的结构的制造装置。在根据本实施例的多芯片模块700中，固定模式噪声的产生减少。因此，采用根据本实施例的多芯片模块700的液体喷射头可稳定地喷射液滴。顺便提及，本实施例中的喷射能量产生部分可以是使用诸如压电元件的电气机械转换元件的喷射能量产生部分，其通过施加的电压而变形并由此喷射液体。
虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附的权利要求的范围要被赋予最宽的解释，以包含所有这样的修改以及等同的结构和功能。

Claims (11)

1.一种芯片，其特征在于包括：
多个单位单元；扫描电路，适于扫描所述多个单位单元，由此使得所述多个单位单元中的每一个输出信号；电压-电流转换电路；电流-电压转换电路；输出端子；和输入端子，其中，
电流-电压转换电路适于将输入到输入端子中的第一电流信号转换成第一电压信号，
扫描电路响应于从电流-电压转换电路输出的第一电压信号开始扫描，以及
电压-电流转换电路适于将从扫描电路输出的第二电压信号转换成第二电流信号，并从输出端子输出第二电流信号。
2.一种多芯片模块，其特征在于包括：
第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片中的每一个包含：多个单位单元；扫描电路，适于扫描所述多个单位单元，由此使得所述多个单位单元中的每一个输出信号；电压-电流转换电路；电流-电压转换电路；输出端子；和输入端子，其中，
第一芯片中的电压-电流转换电路适于将表示第二芯片中的扫描电路的扫描的开始定时的第一电压信号转换成电流信号，
第一芯片的输出端子与第二芯片的输入端子连接，使得所述电流信号被传递到第二芯片的输入端子，
第二芯片中的电流-电压转换电路适于将输入到第二芯片的输入端子中的电流信号转换成第二电压信号，以及
第二芯片中的扫描电路适于基于已由第二芯片中的电流-电压转换电路提供的第二电压信号来开始对第二芯片中的所述多个单位单元的扫描。
3.根据权利要求2所述的多芯片模块，其中，
第一芯片和第二芯片中的每一个具有将基于已从所述多个单位单元输出的信号的信号输出到每个芯片的外面的输出部分，以及
第一芯片输出的电流信号是在第一芯片中的输出部分结束将信号输出到芯片外面的操作之前从第一芯片的输出端子输出的信号。
4.根据权利要求3所述的多芯片模块，其中，第二芯片的输出部分适于基于已由第二芯片中的电流-电压转换电路提供的第二电压信号来开始操作。
5.根据权利要求4所述的多芯片模块，其中，输出部分是输出已从所述多个单位单元中的每一个输出的信号的放大信号的放大器。
6.根据权利要求4所述的多芯片模块，其中，
所述多个单位单元中的每一个具有输出基于入射光的信号的光接收部分，以及
输出部分输出已从所述多个单位单元中的光接收部分中的每一个输出的信号的放大信号。
7.一种包括图像读取部分的装置，其特征在于所述图像读取部分包含根据权利要求2至6中任一项所述的多芯片模块。
8.一种复印机，其特征在于包括：
文档读取部分，所述文档读取部分包括根据权利要求2至6中任一项所述的多芯片模块，所述文档读取部分通过对于文档被相对扫描而产生基于文档的图像信号；以及
打印部分，所述打印部分基于图像信号将文档复印到打印介质上。
9.一种具有多芯片模块的装置，其特征在于所述多芯片模块包含第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片中的每一个包含：包含液体喷射部分的多个单位单元；扫描电路，适于扫描所述多个单位单元，并由此使得所述多个单位单元中的每一个输入信号；电压-电流转换电路；电流-电压转换电路；输出端子；和输入端子，其中，
第一芯片中的电压-电流转换电路适于将表示第二芯片中的扫描电路的扫描的开始定时的第一电压信号转换成电流信号，
第一芯片的输出端子与第二芯片的输入端子连接，使得所述电流信号被传递到第二芯片的输入端子，
第二芯片中的电流-电压转换电路适于将输入到第二芯片的输入端子中的电流信号转换成第二电压信号，以及
第二芯片中的扫描电路适于基于已由第二芯片中的电流-电压转换电路提供的第二电压信号来开始对第二芯片中的所述多个单位单元的扫描。
10.一种打印机，其特征在于包括根据权利要求9所述的装置和适于馈送打印介质的打印介质馈送部分，其中，打印机适于通过使用所述装置在打印介质上打印图像。
11.一种制造装置，其特征在于包括根据权利要求9所述的装置，其中，所述装置适于向正在形成的结构喷射液体，由此制造所述结构。
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