CN104979733B - 连接器的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种连接器的制造方法,所述连接器的制造方法包括提供基板以及至少一第一金属层,第一金属层位于基板之上。将第一金属层转变成线路层。于线路层上形成介电层,其中介电层形成有至少一开口以及覆盖于开口的内壁的导电结构,而开口裸露出部分线路层,且导电结构与线路层电性连接。将第一保护层以及至少一导电悬臂形成于介电层上,其中导电悬臂位于介电层与第一保护层之间,而且导电悬臂经由导电结构而与线路层电性连接。在于介电层上形成第一保护层、导电悬臂之后,移除基板。
Description
技术领域
本发明涉及一种连接器的制造方法,且特别是涉及具有厚度偏薄的连接器的制造方法。
背景技术
一般而言,连接器用以作为不同电子元件之间电性连接的桥梁,目前很多连接器应用在3C电子装置,例如是手机与笔记型电脑。在微型化的趋势下,整体的电子装置将越趋薄形化。
目前有一种连接器的制作方式是先在芯层制作导开口以及线路,而后再将介电层以及导电悬臂与芯层压合,并且使导电悬臂通过导开口与线路层电性连接。因此,已知的连接器须在芯层中制作导开口,所以须要进行开口电镀(Plating Through Hole,PTH),以至于制程步骤复杂。此外,已知的连接器因受限于芯层的厚度,因此连接器的厚度较难符合目前薄形化的需求。
发明内容
本发明实施例提供一种连接器的制造方法,用以提供具有厚度偏薄的连接器。
本发明实施例提供一种连接器的制造方法,所述连接器的制造方法包括提供基板以及至少一第一金属层,第一金属层位于基板之上。将第一金属层转变成线路层。形成介电层于线路层上,其中介电层形成有至少一开口以及覆盖于开口内壁的导电结构,而开口裸露出部分线路层,且导电结构与线路层电性连接。将第一保护层以及至少一导电悬臂形成于介电层上,其中导电悬臂位于介电层与第一保护层之间,而且导电悬臂经由导电结构而与线路层电性连接。在形成第一保护层、导电悬臂于介电层上之后,移除基板。
综上所述,相较于已知技术而言,本发明的制造方法可以不需要进行开口电镀来形成电性连接导电悬臂与线路层的导开口电,因此能够简化连接器的制造方法。此外,本发明制造方法所制造的连接器可以不含芯层,以帮助减少连接器的厚度,进而能符合薄形化的需求。
为了能更进一步了解本发明为达成既定目的所采取的技术、方法及功效,请参阅以下有关本发明的详细说明、图式,相信本发明的目的、特征与特点,当可由此得以深入且具体的了解,然而所附图式与附件仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制者。
附图说明
图1A至1G分别是本发明第一实施例的连接器的制造方法的各步骤示意图。
【符号说明】
100 连接器
100’ 连接器半成品
110 基板
112 芯层
114 第二金属层
116 离型膜
120 第一金属层
120’、121 线路层
130 介电层
140 导电悬臂
142 固定部
144 自由端部
150a 第一保护层
150b 第二保护层
C1 开孔
H1 开口
H2 孔洞
M1 导电结构
T1 焊料
具体实施方式
图1A至1G分别是本发明第一实施例的连接器的制造方法的各步骤示意图。请依序配合参照图1A至1G。
首先,请参阅图1A,提供基板110以及两个第一金属层120。于本实施例中,基板110包括一芯层112、两层第二金属层114以及两层离型膜116。其中,第二金属层114分别配置于芯层112相对的两面,离型膜116配置于第二金属层114之上,而第一金属层120通过离型膜116与第二金属层114结合。其中,第一金属层120的厚度介于15微米(μm)至25微米(μm)之间,而第二金属层114的厚度介于2微米(μm)至5微米(μm)之间。
一般而言,于实务上,基板110可用来作为后续制程工序中电路及电子元件所配置的载体,也就是说,基板110可以是一般用来制作线路板的板材,其例如是铜箔基板。芯层112的材料可为含有环氧树脂(Epoxy resin)以及纤维材料的预浸材(prepreg),其中纤维材料可以是碳纤维(Carbon fiber)或玻璃纤维(Glass fiber),而芯层112例如是氰脂树脂核心薄板(Cyanate ester core,CE core)、聚酰亚胺(Polyimide,PI)或者是双顺丁稀二酸酰亚胺核心薄板(Bismaleimide core,BMI core)等材料。第二金属层114通常是使用铝金属、铜金属或是铜合金材料,例如是黄铜(Brass)、磷青铜(Phosphor Bronze)、铍铜(Berylliun alloy)或无氧铜。离型膜116于后续制程工序中将有助于基板100的移除,且离型膜116可以是离形膜。不过,本发明并不限定基板110的材料。
请参阅图1B,将第一金属层120转变成线路层120’。于本实施例中,先通过蚀刻或机械加工(例如研磨)将第一金属层120的厚度薄化,接着通过微影与沉积(例如电镀),以在第一金属层120表面的部分区域上沉积金属材料,从而转变成线路层120’,亦即先在第一金属层120上覆盖光阻,而后在未覆盖光阻之处镀上金属材料以形成线路层120’。不过,于其他实施例中,第一金属层120可以通过减成法而转变成线路层120’,亦即将第一金属层120上所不需要的部分利用微影蚀刻除,以直接形成线路层120’。
请参阅图1C,形成介电层130于线路层120’上,而介电层130形成有至少一开口H1,其中开口H1裸露出部分线路层120’。开口H1可以是先形成介电层130中,而后再将形成有开口H1的介电层130压合于线路层120’上。或者是,将介电层130先压合于线路层120’上,而后再移除部分介电层130来形成开口H1,其中此移除部分介电层130的方法可以是激光钻孔。不过,不论开口H1是在压合前,还是在压合后形成,本发明并不对此加以限制。
介电层130的材料可以是具有黏性及低流胶性的介电材料,并且可经由涂布而形成于线路层120’上,其中此低流胶性的介电材料例如是低流动性胶片(low flow prepreg)或无流动性胶片(non-flow prepreg),而涂布的方式可为印刷(printing)或刷涂(applying)。开口H1可以是通过机械钻孔或是激光烧蚀而形成。
请参阅图1D,形成导电结构M1于开口H1的内壁,其中导电结构M1与线路层120’电性连接。于本实施例中,先于介电层130上覆盖光阻或者是干膜(未示出),其中光阻或干膜不仅覆盖在介电层130上,还覆盖到部分的开口H1内壁。接着,通过化学镀铜,或是直接涂布导电胶(例如铜膏或银胶等金属胶,或是导电高分子),在开口H1的内壁未被光阻或干膜覆盖的部分形成导电结构M1,其中导电结构M1仅覆盖于覆盖到部分的开口H1内壁。
不过,于其他实施例中,也可以预先在介电层130中形成开口H1,且于开口H1的内壁形成导电结构M1之后,再将形成有开口H1以及其内壁附有导电结构M1的介电层130压合于线路层120’上。
请参阅图1E,将第一保护层150a以及导电悬臂140形成于介电层130上,其中导电悬臂140位于介电层130与第一保护层150a之间,且导电悬臂140经由导电结构M1而与线路层120’电性连接。详细而言,导电悬臂140的位置对应开口H1的位置,导电悬臂140具有一固定部142以及一自由端部144,其中固定部142接触于线路层120’,并位于开口H1的周围,而自由端部144凸出于开口H1的内壁。也就是说,自由端部144是从固定部142朝向开口H1延伸。
值得说明的是,可视实际产品需求来调整导电悬臂140的数量以及配置,而且导电悬臂140可以是分布于基板110相对的两侧(如图1E所示),也可以是分布于基板110的同一侧。本发明并不对导电悬臂140的数量与配置而加以限制。
导电悬臂140的形成方法可以是对金属箔(未示出)进行微影蚀刻。或者是,导电悬臂140可直接用机械加工方式而形成,例如冲压制程(Punching Process),以使相对固定部142弯曲的自由端部144得以形成。此外,导电悬臂140的形成方法也可以包括上述冲压制程以及微影蚀刻制程。
举例而言,形成导电悬臂140的方法可以包括以下步骤。首先,微影及蚀刻一金属箔(未示出),以移除部分金属箔并形成导电悬臂140的图案,其中这时候的导电悬臂140是平坦的。接着,进行冲压制程以使自由端部144相对于固定部142弯曲。之后,将形成有导电悬臂140的金属箔通过贴附或是压合等方式而形成于介电层130上。不过,于其他的实施例中,也可以是先将一金属箔(未示出)形成于介电层130上,而后再通过在金属箔上微影及蚀刻而形成导电悬臂140。
值得说明的是,于此图案化制程中,可以保留部分金属箔与导电悬臂140连接,其中保留的金属箔可形成线路。当然,也可以蚀刻其他金属箔,仅留下导电悬臂140。本发明并不对导电悬臂140的形成方法加以限制。
接着,覆盖第一保护层150a于导电悬臂140上,第一保护层150a还具有至少一孔洞H2,而导电悬臂140可由孔洞H2伸出。值得说明的是,第一保护层150a与导电悬臂140可以分别在不同压合流程中依序压合于介电层130上。当然,也可以是第一保护层150a、导电悬臂140以及介电层130在同一压合流程中同时压合。
请参阅图1E与图1F,在形成第一保护层150a与导电悬臂140于介电层130上之后,基板110的相对两侧基本上会形成至少两个包括线路层120’与导电悬臂140的连接器半成品100’。详细而言,由于基板110的相对两侧均能通过离型膜116而与两个线路层120’结合,因此,自第二金属层114与离型膜116接触的界面剥离离型膜116,以移除基板110之后,可一次获得至少两个连接器半成品100’。
请参阅图1G,在移除基板110之后,可移除部分线路层120’,以形成线路层121。如此,原本被线路层120’覆盖的介电层130表面会裸露出来,其中移除部分线路层120’的方法可以是蚀刻或研磨。至此,连接器100大致上已完成。另外,于其他实施例中,由于第一金属层120也可以通过减成法而直接形成线路层121,因此当线路层121’是用减成法而形成时,可以不需要采用蚀刻或研磨来移除部分的线路层120’。
请参阅图1G,之后,可以形成第二保护层150b于线路层120的底面,其中第二保护层150b形成有至少一开孔C1,而开孔C1裸露出部分的线路层120’。第二保护层150b可以是防焊干膜或防焊湿膜,而开孔C1可以是防焊层定义(Solder Mask Defined,SMD)或非防焊层定义(Non-Solder Mask Defined,NSMD)。而后,可形成焊料T1,例如锡球或锡柱,于开孔C1内。当然,图1G中的焊料T1也可以替换成镍金层或有机助焊层(Organic SolderabilityPreservatives,OSP)。
综上所述,在本发明实施例所提供连接器的制造方法中,本发明的基板包括芯层、第二金属层以及离型膜,而基板的两侧均能通过离型膜而与线路层结合。依此,可利用剥离的方式来移除基板,从而能一次制造出至少两个连接器。
因此,相较于已知技术而言,本发明连接器的制造方法能够一次形成至少两个连接器,而且不需于基板中形成导开口以电性连接导电悬臂与线路层,因此能够提高连接器的产出(throughput)。此外,本发明连接器的制造方法所制成的连接器省略了芯层,可以大幅减少连接器的厚度,因此能符合现今薄形化的需求。
以上所述仅为本发明的实施例,其并非用以限定本发明的专利保护范围。任何本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神与范围内,所作的更动及润饰的等效替换,仍为本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种连接器的制造方法,其特征在于,所述连接器的制造方法包括:
提供一基板以及至少一第一金属层,所述第一金属层位于所述基板之上;
将所述第一金属层转变成一线路层;
于所述线路层上形成介电层,其中所述介电层中形成有至少一开口以及一覆盖于所述开口的内壁的导电结构,而所述开口裸露出部分所述线路层,且所述导电结构与所述线路层电性连接;
将一第一保护层以及至少一导电悬臂形成于所述介电层上,其中所述导电悬臂位于所述介电层与所述第一保护层之间,而且所述导电悬臂经由所述导电结构而与所述线路层电性连接;以及
在于所述介电层上形成所述第一保护层与所述导电悬臂之后,移除所述基板。
2.根据权利要求1所述的连接器的制造方法,其特征在于,在于所述线路层上形成所述介电层之后,在所述介电层中形成所述开口。
3.根据权利要求1所述的连接器的制造方法,其特征在于,在所述介电层中形成所述开口之后,将所述介电层形成于所述线路层上。
4.根据权利要求1所述的连接器的制造方法,其特征在于,所述基板包括至少一第二金属层、一芯层以及一离型膜,所述第二金属层位于所述第一金属层与所述芯层之间,而所述第一金属层通过所述离型膜与所述第二金属层结合。
5.根据权利要求4所述的连接器的制造方法,其特征在于,移除所述基板的步骤包括:
自所述第二金属层与所述离型膜接触的界面移除所述基板。
6.根据权利要求1所述的连接器的制造方法,其特征在于,在移除所述基板之后,所述连接器的制造方法还包括:
移除部分所述线路层,以裸露出部分所述介电层的底面。
7.根据权利要求6所述的连接器的制造方法,其特征在于,在移除部分所述线路层之后,所述连接器的制造方法还包括:
在所述线路层的底面上形成一第二保护层,其中所述第二保护层形成有至少一开孔,而所述开孔裸露出部分的所述线路层。
8.根据权利要求1所述的连接器的制造方法,其特征在于,形成所述线路层的方法包括对所述第一金属层进行微影与蚀刻。
9.根据权利要求1所述的连接器的制造方法,其特征在于,形成所述线路层的方法包括对所述第一金属层进行微影与沉积。
10.根据权利要求9所述的连接器的制造方法,其特征在于,对所述第一金属层进行微影与沉积之前,将所述第一金属层薄化。
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