CN104979237B - 半导体加工设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半导体加工设备，其反应腔室、设置在反应腔室底部的抽气腔室和抽气系统，其中，在反应腔室的底部设置有排气口，且对应地在抽气腔室的顶部设置有进气口，进气口与排气口连接；并且，在抽气腔室的侧壁上设置有出气口，用以排出所述抽气腔室内的气体；并且在抽气腔室内，且位于出气口的下方设置有锥状环，锥状环的下端口小于上端口；锥状环用于将抽气腔室分隔为上腔室和下腔室，上腔室和下腔室通过锥状环的环孔相连通。本发明提供的半导体加工设备，其不仅可以减少气流中携带的部分副产物颗粒的积存，而且还可以抑制积存的副产物颗粒被气流扬起，从而可以避免副产物颗粒返回反应腔室。

Description

半导体加工设备
技术领域
本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种半导体加工设备。
背景技术
半导体加工设备通常要求其反应腔室处于真空状态，以保证工艺环境的稳定性。而且，在进行工艺的过程中，需要不断地向反应腔室内通入工艺气体，以与晶片相互反应，同时需要利用抽气系统（包含有抽气管道和真空泵等等）持续抽气，以使反应后的废气排出反应腔室，从而保持反应腔室内具有一定的真空度。此外，针对只有反应腔室的半导体加工设备，还需要在工艺结束后对反应腔室进行充气，使其恢复至大气状态，以便于进行取/放晶片的操作，因此，在进行下一次工艺之前，就需要再次利用抽气系统抽气，以使反应腔室达到真空状态。
上述利用抽气系统抽气的过程往往会扰动反应腔室内的气流，导致工艺环境的稳定性受到影响，为此，就要求抽气系统应具备以下功能：1）稳定、均匀的抽气气流；2）能够及时地将反应后的废气中所含有的副产物颗粒随气流排出反应腔室，并抑制其无法返回反应腔室。
为了能够获得稳定、均匀的抽气气流，最常用的做法是将反应腔室的与抽气系统连接的排气口设置在反应腔室下方的中心位置处。然而，这在实际应用中经常会遇到抽气管道的口径有限，或者因受到反应腔室下方空间的限制而造成抽气管道不便于在竖直方向设置等的问题，为了解决这些问题，通常在反应腔室的下方设置一个抽气腔室，该抽气腔室分别与反应腔室的排气口和抽气系统连接，用以起到过渡作用。而且，抽气腔室的进气口尺寸可以针对反应腔室的排气口尺寸做适应性设计，同时抽气腔室的排气口的方向也可以灵活布置。
图1为现有的半导体加工设备的结构示意图。如图1所示，抽气腔室107设置在反应腔室101的下方。具体地，在反应腔室101内设置有载片台104，用于承载被加工工件105；在反应腔室101的顶部中心位置处设置有进气口103，并且在反应腔室101的底部中心位置处设置有排气口102；抽气腔室107通过螺钉106固定在反应腔室101的底部，并在抽气腔室107与反应腔室101的连接处设置有密封圈111，以对二者之间的间隙进行密封。抽气腔室107的进气口与反应腔室101的进气口103相连通。抽气腔室107的出气口横向设置，以便于连接抽气系统的管道（图中未示出）。此外，为了方便清理在抽气腔室107内积存的副产物颗粒，在抽气腔室107的底部还设置有可拆卸的底盖110，具体地，底盖110利用螺栓108和螺母109固定在抽气腔室107的底部，并且在底盖110与抽气腔室107之间设置有密封圈111，以对二者之间的间隙进行密封。
图2为现有的半导体加工设备的气流仿真图。如图2所示，在进行工艺的过程中，工艺气体通过反应腔室101的进气口103流入反应腔室101中，并与置于载片台104上的被加工工件105发生反应；反应后的废气依次自反应腔室101的排气口102和抽气腔室107的进气口流入抽气腔室107中，然后由抽气系统自抽气腔室107的出气口抽出。
上述抽气腔室在实际应用中不可避免地存在以下问题，即：由图2可知，由于气流在抽气腔室107的底部角落处遇到阻挡而形成涡流，尤其在抽气腔室107的出气口对面的底部角落处会形成非常大的涡流和反弹流，这不仅会导致气流中携带的部分副产物颗粒在底部角落堆积，而且涡流和反弹流还会携带部分副产物颗粒返回反应腔室101，从而造成反应腔室101被污染。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种半导体加工设备，其不仅可以减少气流中携带的部分副产物颗粒的积存，而且还可以抑制积存的副产物颗粒被气流扬起，从而可以避免副产物颗粒返回反应腔室。
为实现本发明的目的而提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室和设置在所述反应腔室底部的抽气腔室，其中，在所述反应腔室的底部设置有排气口，且对应地在所述抽气腔室的顶部设置有进气口，所述进气口与所述排气口连接；并且，在所述抽气腔室的侧壁上设置有出气口，用以排出所述抽气腔室内的气体，在所述抽气腔室内，且位于所述出气口的下方设置有锥状环，所述锥状环的下端口小于上端口；所述锥状环用于将所述抽气腔室分隔为上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室通过所述锥状环的环孔相连通。
优选的，所述抽气腔室还包括颗粒储存槽，所述颗粒储存槽采用可拆卸的方式设置在所述下腔室的底部，用于储存进入所述下腔室内的副产物颗粒；并且在所述颗粒储存槽与所述下腔室之间设置有密封圈，用于对二者之间的间隙进行密封。
优选的，在所述颗粒储存槽的侧壁内设置有沿其周向环绕的环状通道，通过向所述环状通道内通入冷却水来冷却所述颗粒储存槽。
优选的，在所述环状通道上分别设置有进水口和出水口，并且所述半导体加工设备还包括冷却水源，所述冷却水源用于经由所述进水口向所述环状通道内通入冷却水，并经由所述出水口回收所述环状通道内的冷却水。
优选的，所述颗粒储存槽采用螺栓连接的方式固定在所述下腔室的底部。
优选的，在所述锥状环的底部还设置有柱状环，所述柱状环的环孔与所述锥状环的环孔相连通，且所述柱状环的端口尺寸与所述锥状环的下端口尺寸相适配。
优选的，所述抽气腔室通过螺钉固定在所述反应腔室的底部；并且，在所述抽气腔室与所述反应腔室之间设置有密封圈，用于对二者之间的间隙进行密封。
优选的，所述反应腔室的排气口位于所述反应腔室底部的中心位置处。
优选的，在所述反应腔室顶部的中心位置处设置有进气口，用以向所述反应腔室的内部输送工艺气体。
优选的，所述半导体加工设备还包括抽气系统，用于经由所述出气口抽取所述抽气腔室内的气体。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的半导体加工设备，其在抽气腔室内的位于出气口的下方设置有锥状环，该锥状环的下端口小于上端口，且将抽气腔室分隔为上腔室和下腔室，并且二者通过锥状环的环孔相连通。在对反应腔室进行排气时，自反应腔室的排气口排出的气体在经由进气口进入抽气腔室后，其中的大部分气体从上腔室通过，并自出气口排出，在此过程中，气流携带的部分副产物颗粒会经锥状环的环孔掉落至下腔室内积存。
而且，由于锥状环采用下端口小于上端口的类似“漏斗”结构，其倾斜的内壁面相对于现有技术中抽气腔室由垂直侧壁形成的直角角落，不仅更有利于气流顺畅地流动至出气口，而且可以使气流不会出现涡流和反弹流，从而气流可以更有效地携带副产物颗粒自出气口排出，进而可以减少气流中携带的部分副产物颗粒的积存。此外，“漏斗”结构的锥状环还可以使积存在下腔室内的副产物颗粒很难再被气流扬起，从而可以避免副产物颗粒返回反应腔室。
附图说明
图1为现有的半导体加工设备的结构示意图；
图2为现有的半导体加工设备的气流仿真图；
图3为本发明实施例提供的半导体加工设备的剖视图；以及
图4为本发明实施例提供的半导体加工设备的气流仿真图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的半导体加工设备进行详细描述。
图3为本发明实施例提供的半导体加工设备的剖视图。请参阅图3，本发明实施例提供的半导体加工设备包括反应腔室201、设置在反应腔室201底部的抽气腔室207和抽气系统。其中，在反应腔室201的底部设置有排气口202，且对应地在抽气腔室207的顶部设置有进气口207c，进气口207c与排气口202连接；并且，在抽气腔室207的侧壁上设置有出气口207b；出气口207b与抽气系统的排气管212连接，抽气系统用于经由出气口207b抽取抽气腔室207内的气体。在排气时，反应腔室201内的气体依次经由排气口202、进气口207c排入抽气腔室207内，再被抽气系统经由出气口207b抽出。
在本实施例中，抽气腔室207通过螺钉206固定在反应腔室201的底部，并且在抽气腔室207与反应腔室201之间设置有密封圈211，用于对抽气腔室207与反应腔室201之间的间隙进行密封。容易理解，进气口207c的尺寸应不小于排气口202的尺寸，以保证反应腔室201的密封。
在抽气腔室207内，且位于出气口207b的下方设置有锥状环207a，该锥状环207a的下端口小于上端口，换言之，该锥状环207a的环孔为锥形孔，且该锥形孔的孔径由上而下逐渐减小，从而使锥状环207a形成“漏斗”结构。而且，锥状环207a将抽气腔室207分隔为上腔室和下腔室，即，锥状环207a将抽气腔室207分隔形成上、下两个空间，并且上腔室和下腔室通过锥状环207a的环孔（锥形孔）相连通。
在对反应腔室201进行排气时，自反应腔室201排出的气体在进入抽气腔室207后，其中的大部分气体从上腔室通过，并由抽气系统自出气口207b抽出，在此过程中，气流携带的部分副产物颗粒会经锥状环207a的环孔掉落至下腔室内积存。
图4为本发明实施例提供的半导体加工设备的气流仿真图。由图4可以看出，气流在经过锥状环207a倾斜的内壁面时不会出现涡流和反弹流，这是由于锥状环207a采用下端口小于上端口的类似“漏斗”结构，其内壁面在上腔室的底部形成倾斜的壁面，该倾斜的壁面与现有技术中抽气腔室由垂直侧壁形成的直角角落相比，不仅可以使流经上腔室的气流可以更顺畅地流动至出气口207b，而且可以使气流更有效地携带副产物颗粒自出气口207b排出，从而可以减少气流中携带的部分副产物颗粒的积存。
此外，由图4还可以看出，气流在流经锥状环207a的环孔内的流速最慢，这使得气流在流经环孔时会有一部分副产物颗粒通过该环孔掉落至下腔室，并且附着在上腔室内壁上的副产物颗粒在集结成较大的颗粒后也会在重力的作用下沿环孔倾斜的壁面进入下腔室。而且，由于气流在下腔室的直角角落会产生小涡流，这会将下腔室内的副产物颗粒携带至下腔室的边缘，从而可以使积存在下腔室内的副产物颗粒很难再被气流扬起，进而可以避免副产物颗粒返回反应腔室。
优选的，在锥状环207a的底部还设置有柱状环207d，柱状环207d的环孔与锥状环207a的环孔相连通，且柱状环207d的端口尺寸与锥状环的下端口尺寸相适配。借助柱状环207d，可以进一步阻挡副产物颗粒从下腔室逸出，从而可以加强对副产物颗粒的抑制作用。
在本实施例中，抽气腔室还包括颗粒储存槽210，颗粒储存槽210采用可拆卸的方式设置在下腔室的底部，用于储存进入下腔室内的副产物颗粒。该可拆卸的方式可以为：颗粒储存槽210采用螺栓连接的方式固定在下腔室的底部。其中，螺栓可以为螺柱208和螺母209。
并且，在颗粒储存槽210与下腔室之间设置有密封圈211，用于对颗粒储存槽210与下腔室之间的间隙进行密封。容易理解，颗粒储存槽210可视为下腔室的底盖，且该底盖可以自下腔室上拆卸下来。在需要清理下腔室内积存的副产物颗粒时，只需将颗粒储存槽210拆卸下来即可，从而给副产物颗粒的清理带来了方便。
在本实施例中，在颗粒储存槽210的侧壁内设置有沿其周向环绕的环状通道210b，换言之，环状通道210b环绕在颗粒储存槽210的内部空间的周围。由于在进行化学气相沉积、等离子体刻蚀等的半导体工艺的过程中，反应温度较高，自反应腔室排出的气体的温度也很高，此时副产物颗粒很难从气流中分离出来，在这种情况下，通过向环状通道210b内通入冷却水来冷却颗粒储存槽210，可以降低下腔室的内部温度，从而有利于冷却进入下腔室内的高温气流，进而不仅可以提高副产物颗粒的积存效率，而且还可以进一步抑制副产物颗粒从下腔室逸出。
在本实施例中，采用循环供水的方式向环状通道210b内通入冷却水，具体地，在环状通道210b上分别设置有进水口210a和出水口210c，而且，半导体加工设备还包括冷却水源（图中未示出），该冷却水源（利用进水接口）用于经由进水口210a向环状通道210b内通入冷却水，并（利用回水接口）经由出水口210c回收环状通道210b内的冷却水，从而实现冷却水在环形通道210b内循环流动。容易理解，进水口210a和出水口210c在环状通道210b上的位置不同，且应保证冷却水能够流经环状通道210b中的各个位置。
优选的，排气口202设置在反应腔室201底部的中心位置，以能够获得对称且均匀的抽气气流，从而可以提高反应腔室201的工艺稳定性。
优选的，为了进一步获得对称且均匀的抽气气流，在反应腔室201顶部的中心位置处设置有进气口203，用以向反应腔室201的内部输送工艺气体。在进行工艺的过程中，工艺气体自进气口203流入反应腔室201内，并与置于承载装置204上的被加工工件205发生反应；反应后的废气携带副产物颗粒向下流动，并自排气口202流入抽气腔室207，然后由抽气系统抽出。
当然，在实际应用中，反应腔室的进气口和排气口还可以根据具体情况设置在腔室侧部等的其他任意位置处，而并不局限于本实施例中的腔室顶部和底部。
需要说明的是，在本实施例中，抽气腔室207内的气体是由抽气系统经由出气口207b抽出，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，也可以省去抽气系统，而仅依靠气流经由出气口207b自然排出。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种半导体加工设备，其包括反应腔室和设置在所述反应腔室底部的抽气腔室，其中，在所述反应腔室的底部设置有排气口，且对应地在所述抽气腔室的顶部设置有进气口，所述进气口与所述排气口连接；并且，在所述抽气腔室的侧壁上设置有出气口，用以排出所述抽气腔室内的气体，其特征在于，在所述抽气腔室内，且位于所述出气口的下方设置有锥状环，所述锥状环的下端口小于上端口；
所述锥状环用于将所述抽气腔室分隔为上腔室和下腔室，所述上腔室和下腔室通过所述锥状环的环孔相连通。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述抽气腔室还包括颗粒储存槽，所述颗粒储存槽采用可拆卸的方式设置在所述下腔室的底部，用于储存进入所述下腔室内的副产物颗粒；并且
在所述颗粒储存槽与所述下腔室之间设置有密封圈，用于对二者之间的间隙进行密封。
3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述颗粒储存槽的侧壁内设置有沿其周向环绕的环状通道，通过向所述环状通道内通入冷却水来冷却所述颗粒储存槽。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述环状通道上分别设置有进水口和出水口，并且
所述半导体加工设备还包括冷却水源，所述冷却水源用于经由所述进水口向所述环状通道内通入冷却水，并经由所述出水口回收所述环状通道内的冷却水。
5.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述颗粒储存槽采用螺栓连接的方式固定在所述下腔室的底部。
6.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述锥状环的底部还设置有柱状环，所述柱状环的环孔与所述锥状环的环孔相连通，且所述柱状环的端口尺寸与所述锥状环的下端口尺寸相适配。
7.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述抽气腔室通过螺钉固定在所述反应腔室的底部；并且，在所述抽气腔室与所述反应腔室之间设置有密封圈，用于对二者之间的间隙进行密封。
8.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述反应腔室的排气口位于所述反应腔室底部的中心位置处。
9.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，在所述反应腔室顶部的中心位置处设置有进气口，用以向所述反应腔室的内部输送工艺气体。
10.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括抽气系统，用于经由所述出气口抽取所述抽气腔室内的气体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783669B (zh) * 2015-11-25 2019-04-12 无锡华瑛微电子技术有限公司 半导体处理装置及方法
CN108624858A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 北京创昱科技有限公司 一种多腔室间气氛隔离装置及方法
CN107671300A (zh) * 2017-10-26 2018-02-09 河北工业职业技术学院 流化快淬设备
CN108828905B (zh) * 2018-06-28 2020-12-25 武汉华星光电技术有限公司 一种曝边机
CN108870423A (zh) * 2018-08-31 2018-11-23 南通腾宇环保设备有限公司 一种蓄热式高温氧化废气处理装置及其处理方法
CN110904437B (zh) * 2018-09-14 2024-05-03 长鑫存储技术有限公司 薄膜制备设备及其反应腔室
CN112981367B (zh) * 2019-12-17 2022-12-27 江苏鲁汶仪器有限公司 一种快捷方便的断裂顶针回收装置
CN111276384B (zh) * 2020-02-17 2021-04-13 长江存储科技有限责任公司 半导体工艺反应腔室
CN111725102B (zh) * 2020-06-18 2023-07-14 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备中的炉管以及半导体工艺设备
CN114156211B (zh) * 2021-11-25 2023-06-16 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体腔室
CN115305457A (zh) * 2022-08-16 2022-11-08 拓荆科技(上海)有限公司 密封设备和半导体加工设备
CN115463484B (zh) * 2022-09-27 2024-03-01 乐金显示光电科技(中国)有限公司 面板过渡设备
CN115373232B (zh) * 2022-10-24 2023-04-21 无锡邑文电子科技有限公司 晶圆去胶设备和方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101123178A (zh) * 2003-05-02 2008-02-13 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN101207001A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 排气装置及包含该排气装置的反应腔室
CN102896703A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 株式会社迪思科 加工装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4330949B2 (ja) * 2003-07-01 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマｃｖｄ成膜方法
TW200709296A (en) * 2005-05-31 2007-03-01 Tokyo Electron Ltd Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2010131513A (ja) * 2008-12-04 2010-06-17 Panasonic Corp 集塵装置
CN202087435U (zh) * 2011-09-20 2011-12-28 湖南华信有色金属有限公司 旋风收尘器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101123178A (zh) * 2003-05-02 2008-02-13 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN101207001A (zh) * 2006-12-22 2008-06-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 排气装置及包含该排气装置的反应腔室
CN102896703A (zh) * 2011-07-25 2013-01-30 株式会社迪思科 加工装置

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